JPS61158032A - 垂直磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
垂直磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS61158032A JPS61158032A JP27995984A JP27995984A JPS61158032A JP S61158032 A JPS61158032 A JP S61158032A JP 27995984 A JP27995984 A JP 27995984A JP 27995984 A JP27995984 A JP 27995984A JP S61158032 A JPS61158032 A JP S61158032A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、垂直磁気記録媒体の製造方法、特に基板上
に良好な垂直配向性の垂直磁性膜を製造するための方法
に関するものである。
に良好な垂直配向性の垂直磁性膜を製造するための方法
に関するものである。
Ｇｏ−Ｃｒ合金などよりなる磁化容易軸が垂直方向の磁
性膜を記録層とした垂直磁気記録媒体は、高密度記録を
可能にするものとして周知である。しかしてＣｏ−Ｃｒ
磁性膜の下地に裏打ち層と称する面内異方性の高透磁率
材料（例えばパーマロイ）層を形成した二層膜構造の磁
気記録媒体は、単磁極形磁気ヘッドとの組合わせにおい
て記録再生特性を向上できるものとして知られている。
性膜を記録層とした垂直磁気記録媒体は、高密度記録を
可能にするものとして周知である。しかしてＣｏ−Ｃｒ
磁性膜の下地に裏打ち層と称する面内異方性の高透磁率
材料（例えばパーマロイ）層を形成した二層膜構造の磁
気記録媒体は、単磁極形磁気ヘッドとの組合わせにおい
て記録再生特性を向上できるものとして知られている。
、 ところが、従来のスパッタ法により製造された垂直
磁気記録媒体の垂直磁性膜は、Ｃ軸の垂直配向性を示す
ものの、垂直記録再生で十分でない。
磁気記録媒体の垂直磁性膜は、Ｃ軸の垂直配向性を示す
ものの、垂直記録再生で十分でない。
これはパーマロイの裏打ち層を有した基板において、パ
ーマロイの面内異方性に起因して発生する水平磁場がそ
の上に成膜する磁性膜の垂直配向を阻害することが原因
であると考えられる。
ーマロイの面内異方性に起因して発生する水平磁場がそ
の上に成膜する磁性膜の垂直配向を阻害することが原因
であると考えられる。
この発明は、垂直磁性膜の垂直配向性が初期成膜の特性
（主に分散角）に大きく左右されることに着目し、初期
成膜の特性を向上させる垂直磁気記録媒体の製造方法の
提供を目的とするものである。
（主に分散角）に大きく左右されることに着目し、初期
成膜の特性を向上させる垂直磁気記録媒体の製造方法の
提供を目的とするものである。
この発明は、以上のような従来の問題点を解決するため
に、垂直磁性膜を形成する基板の背面側および該磁性膜
材料であるターゲットの背面側に２組の磁石をＮ極とＳ
極を対向させて配置し、当該磁性膜の成膜時に両磁石に
よって基板とターゲット間に該基板の面に対し垂直方向
の磁場を印加させることを特徴とするものである。
に、垂直磁性膜を形成する基板の背面側および該磁性膜
材料であるターゲットの背面側に２組の磁石をＮ極とＳ
極を対向させて配置し、当該磁性膜の成膜時に両磁石に
よって基板とターゲット間に該基板の面に対し垂直方向
の磁場を印加させることを特徴とするものである。
対向配置された基板およびターゲットの各背面側にそれ
ぞれ設置した２組の磁石を用いて基板に垂直な磁場を印
加することにより、結晶配向の進んでいない初期成膜に
対して垂直方向の誘導異方性を与え、膜厚方向での異方
性の乱れを減少する。
ぞれ設置した２組の磁石を用いて基板に垂直な磁場を印
加することにより、結晶配向の進んでいない初期成膜に
対して垂直方向の誘導異方性を与え、膜厚方向での異方
性の乱れを減少する。
また、パーマロイの裏打ち層を形成した基板に対しても
、その上に成膜する垂直磁性膜に悪影響を与えるパーマ
ロイの面内異方性を打ち消すこともできる。
、その上に成膜する垂直磁性膜に悪影響を与えるパーマ
ロイの面内異方性を打ち消すこともできる。
図面は、この発明の一実施例による垂直磁気記録媒体の
製造方法を概念的に示す図である。この図において、１
１は真空槽であり、１０−’ｔｏｒｒ程度に真空に排気
した後、１０−”ｔｏｒｒ台のスパッタ用のアルゴンガ
スを流入している。１２および１３は真空ポンプに連通
される排気口とガス導入口である。また２工は垂直磁性
膜材料であるφ６インチのＣｏ−Ｃｒ合金ターゲットで
、バ・ノキングプレート３１に固着されている。３２は
バッキングプレート３１をシーリング用のＯリング３３
を介して支持するスパッタ用電極であり、支持面側が開
口した中空構造を有する。３４はスパッタ用電極３２の
中空部を貫挿して設けたパイプで、前記ターゲット２１
を冷却するための冷却水を流出する。３５は以上のター
ゲット・アセンブリーを包囲して接地するためのシール
ド体である。
製造方法を概念的に示す図である。この図において、１
１は真空槽であり、１０−’ｔｏｒｒ程度に真空に排気
した後、１０−”ｔｏｒｒ台のスパッタ用のアルゴンガ
スを流入している。１２および１３は真空ポンプに連通
される排気口とガス導入口である。また２工は垂直磁性
膜材料であるφ６インチのＣｏ−Ｃｒ合金ターゲットで
、バ・ノキングプレート３１に固着されている。３２は
バッキングプレート３１をシーリング用のＯリング３３
を介して支持するスパッタ用電極であり、支持面側が開
口した中空構造を有する。３４はスパッタ用電極３２の
中空部を貫挿して設けたパイプで、前記ターゲット２１
を冷却するための冷却水を流出する。３５は以上のター
ゲット・アセンブリーを包囲して接地するためのシール
ド体である。
また４１はｃｏ−ｃｒｍ性膜が形成されるガラス、表面
アルマイト処理されたアルミニウムなどの非磁性基板で
あり、表面にはパーマロイの裏打ち層があらかじめ形成
されている。５１は磁性膜形成基板４１を支持するため
の基板ホルダーである。
アルマイト処理されたアルミニウムなどの非磁性基板で
あり、表面にはパーマロイの裏打ち層があらかじめ形成
されている。５１は磁性膜形成基板４１を支持するため
の基板ホルダーである。
これまでの構成は従前の垂直磁性膜形成装置と何ら変わ
りがないが、本発明では図に示すようにターゲット２１
および磁性膜形成基板４１の背面にそれぞれ磁石６１と
６２が配置されている。具体的には、ターゲット側の磁
石６１は、前記スパッタ用電極３２の開口部内にＮ極を
上向きにして中心部の貫通孔を前記パイプ３４に挿入固
定している。また基板側の磁石６２は、同じくＮ極を上
向きにして基板ホルダー５１上に固定されおり、その上
に基板４１を固定するように成っている。
りがないが、本発明では図に示すようにターゲット２１
および磁性膜形成基板４１の背面にそれぞれ磁石６１と
６２が配置されている。具体的には、ターゲット側の磁
石６１は、前記スパッタ用電極３２の開口部内にＮ極を
上向きにして中心部の貫通孔を前記パイプ３４に挿入固
定している。また基板側の磁石６２は、同じくＮ極を上
向きにして基板ホルダー５１上に固定されおり、その上
に基板４１を固定するように成っている。
このようにして２組の磁石６１．６２を配置することに
より、ターゲット２１と磁性膜形成基板４１との間には
矢印方向、すなわち基板面に対しほぼ垂直方向の磁場が
発生することになる。なお、磁場の強度分布は、磁性膜
形成基板が非６ｎ性であり、ターゲット（Ｃｏ−Ｃｒ）
が低ｉ３ｍ率であるので、磁石の形状寸法、磁化強度と
配置で決定できる。
より、ターゲット２１と磁性膜形成基板４１との間には
矢印方向、すなわち基板面に対しほぼ垂直方向の磁場が
発生することになる。なお、磁場の強度分布は、磁性膜
形成基板が非６ｎ性であり、ターゲット（Ｃｏ−Ｃｒ）
が低ｉ３ｍ率であるので、磁石の形状寸法、磁化強度と
配置で決定できる。
従って、この垂直磁場でターゲット２１と基板４１間に
高周波電圧を印加してターゲ−／ ）表面をスバ・ツタ
すると、そのスパッタ粒子（Ｃｏ−Ｃｒ粒子）は基板４
１のパーマロイ層上に付着後、垂直方向の磁界作用を受
けて図示の磁界方向を持った磁性体の結晶Ｍを析出し、
結果としてそれが垂直配向性の良いＣｏ−Ｃｒ磁性膜を
生成することになる。
高周波電圧を印加してターゲ−／ ）表面をスバ・ツタ
すると、そのスパッタ粒子（Ｃｏ−Ｃｒ粒子）は基板４
１のパーマロイ層上に付着後、垂直方向の磁界作用を受
けて図示の磁界方向を持った磁性体の結晶Ｍを析出し、
結果としてそれが垂直配向性の良いＣｏ−Ｃｒ磁性膜を
生成することになる。
〔効果〕
以上の説明から明らかなように、この発明は垂直磁性膜
形成基板および磁性膜材料ターゲットの各背面側にそれ
ぞれ磁石を設置し、磁性膜形成時において同基板に垂直
方向の磁場を与えるようにしたものであり、初期成膜の
結晶配向を垂直にし、また裏打ち層から出る水平磁場成
分の影響をな（することができる。従って、基板上に垂
直異方性の高い垂直磁性膜を形成できるので、記録再生
特性を向上させるうえに有益である。
形成基板および磁性膜材料ターゲットの各背面側にそれ
ぞれ磁石を設置し、磁性膜形成時において同基板に垂直
方向の磁場を与えるようにしたものであり、初期成膜の
結晶配向を垂直にし、また裏打ち層から出る水平磁場成
分の影響をな（することができる。従って、基板上に垂
直異方性の高い垂直磁性膜を形成できるので、記録再生
特性を向上させるうえに有益である。
図面はこの発明に係る垂直磁気記録媒体の製造方法の具
体例を概念的に示す図である。 １１ニスバッタ槽、１２：排気口、１３：ガス封入口。 ２１ ： Ｃｏ−Ｃｒ合金ターゲット３１：バンキン
グプレート、３２ニスバッタ用電極、３３：Ｏリング、
３４：冷却水パイプ、３５：シールド体、４１：磁性膜
形成基板、５１：基板ホルダー、６１および６２：磁石
。
体例を概念的に示す図である。 １１ニスバッタ槽、１２：排気口、１３：ガス封入口。 ２１ ： Ｃｏ−Ｃｒ合金ターゲット３１：バンキン
グプレート、３２ニスバッタ用電極、３３：Ｏリング、
３４：冷却水パイプ、３５：シールド体、４１：磁性膜
形成基板、５１：基板ホルダー、６１および６２：磁石
。
Claims (3)
- （１）磁化容易軸が垂直方向の垂直磁性膜を基板上にス
パッタ法で形成する際、対向配置された前記基板の背面
側および前記磁性膜材料であるターゲットの背面側に２
組の磁石をＮ極とＳ極を対向させて設置し、それら磁石
により前記基板に垂直方向の磁場を形成することを特徴
とする垂直磁気記録媒体の製造方法。 - （２）前記ターゲットがＣｏ−Ｃｒ合金よりなることを
特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の垂直磁気記
録媒体の製造方法。 - （３）前記垂直磁性膜が形成される基板上には、パーマ
ロイの下地層があらかじめ形成されていることを特徴と
する特許請求の範囲第（１）項、もしくは第（２）項記
載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27995984A JPS61158032A (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27995984A JPS61158032A (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61158032A true JPS61158032A (ja) | 1986-07-17 |
Family
ID=17618307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27995984A Pending JPS61158032A (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61158032A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5038013A (en) * | 1989-12-19 | 1991-08-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plasma processing apparatus including an electromagnet with a bird cage core |
| US5439574A (en) * | 1992-04-09 | 1995-08-08 | Anelva Corporation | Method for successive formation of thin films |
| US6579421B1 (en) | 1999-01-07 | 2003-06-17 | Applied Materials, Inc. | Transverse magnetic field for ionized sputter deposition |
| WO2009090994A1 (ja) * | 2008-01-15 | 2009-07-23 | Ulvac, Inc. | 基板ステージ、これを備えたスパッタ装置及び成膜方法 |
| US20120103801A1 (en) * | 2009-07-17 | 2012-05-03 | Ulvac, Inc. | Film formation apparatus |
| US9062372B2 (en) | 2002-08-01 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Self-ionized and capacitively-coupled plasma for sputtering and resputtering |
| US10047430B2 (en) | 1999-10-08 | 2018-08-14 | Applied Materials, Inc. | Self-ionized and inductively-coupled plasma for sputtering and resputtering |
| EP3438323A4 (en) * | 2016-03-29 | 2019-11-06 | ULVAC, Inc. | FILM-EDITING DEVICE AND FILM-EDGING PROCESS |
-
1984
- 1984-12-28 JP JP27995984A patent/JPS61158032A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5038013A (en) * | 1989-12-19 | 1991-08-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plasma processing apparatus including an electromagnet with a bird cage core |
| US5439574A (en) * | 1992-04-09 | 1995-08-08 | Anelva Corporation | Method for successive formation of thin films |
| US6579421B1 (en) | 1999-01-07 | 2003-06-17 | Applied Materials, Inc. | Transverse magnetic field for ionized sputter deposition |
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| US9062372B2 (en) | 2002-08-01 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Self-ionized and capacitively-coupled plasma for sputtering and resputtering |
| WO2009090994A1 (ja) * | 2008-01-15 | 2009-07-23 | Ulvac, Inc. | 基板ステージ、これを備えたスパッタ装置及び成膜方法 |
| JPWO2009090994A1 (ja) * | 2008-01-15 | 2011-05-26 | 株式会社アルバック | 基板ステージ、これを備えたスパッタ装置及び成膜方法 |
| US20120103801A1 (en) * | 2009-07-17 | 2012-05-03 | Ulvac, Inc. | Film formation apparatus |
| US9005413B2 (en) * | 2009-07-17 | 2015-04-14 | Ulvac, Inc. | Film formation apparatus |
| EP3438323A4 (en) * | 2016-03-29 | 2019-11-06 | ULVAC, Inc. | FILM-EDITING DEVICE AND FILM-EDGING PROCESS |
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