JPS6076026A - 垂直磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
垂直磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS6076026A JPS6076026A JP18373783A JP18373783A JPS6076026A JP S6076026 A JPS6076026 A JP S6076026A JP 18373783 A JP18373783 A JP 18373783A JP 18373783 A JP18373783 A JP 18373783A JP S6076026 A JPS6076026 A JP S6076026A
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- Japan
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- soft magnetic
- magnetic layer
- film
- substrate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、垂直磁気記録媒体の製造方法に係り、特に、
スパッタリング法によって基板上に軟磁性層と垂直磁化
層とからなる２層構造の記録媒体を製造する方法に関す
る。
スパッタリング法によって基板上に軟磁性層と垂直磁化
層とからなる２層構造の記録媒体を製造する方法に関す
る。
垂直磁気記録方式は、極めて密度の高い記録が可能であ
ることから、近年活発に研究開発が進められている記録
方式である。
ることから、近年活発に研究開発が進められている記録
方式である。
この垂直磁気記録に用いられる記録媒体として基板上に
ニッケルー鉄（Ｎｉ −Ｆｅ ）合金すなわちパーマロ
イ等の軟磁性層とコバルト−クロム（Ｃｏ −Ｃｒ）等
の垂直磁化層とを形成した２層構造の記録媒体が、単層
構造のものに比べて記録感度がはるかに良好であること
が報告されている。
ニッケルー鉄（Ｎｉ −Ｆｅ ）合金すなわちパーマロ
イ等の軟磁性層とコバルト−クロム（Ｃｏ −Ｃｒ）等
の垂直磁化層とを形成した２層構造の記録媒体が、単層
構造のものに比べて記録感度がはるかに良好であること
が報告されている。
一般にこれらの記録媒体は、スパッタリング法によって
作製されるが、軟磁性層の形成にあたっては、基板表面
をアース電位にしておくか、あるいは、フローティング
状態にし、スフ４ツタリングを行なうのが常であった。
作製されるが、軟磁性層の形成にあたっては、基板表面
をアース電位にしておくか、あるいは、フローティング
状態にし、スフ４ツタリングを行なうのが常であった。
このような方法によって形成された２層構造の垂直磁気
記録媒体は、高密度域における記録感度があまり良くな
いという問題をかかえていた。
記録媒体は、高密度域における記録感度があまり良くな
いという問題をかかえていた。
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、軟磁性層
と垂直磁化層とからなる２層構造の垂直磁気記録媒体に
おいて高密度域における記録感度の向上をはかることを
目的とする。
と垂直磁化層とからなる２層構造の垂直磁気記録媒体に
おいて高密度域における記録感度の向上をはかることを
目的とする。
前記目的を達成するため、本発明は、基板上にスパッタ
リング法によって軟磁性層を形成するＫおたり、基板を
プラズマ電位に対して負電位に保つことを特徴とするも
のである。
リング法によって軟磁性層を形成するＫおたり、基板を
プラズマ電位に対して負電位に保つことを特徴とするも
のである。
これにより、低抗磁力（低Ｈａ） 、高透磁率偶μ）と
なシ、軟磁性特性の良好な軟磁性層が形成されるため・
この軟磁性層上に垂直磁化層を形成してなる２層構造の
垂直磁気記録媒体は、高密度域においても記録感度が低
下することなく、高密度記録男性特性にすぐれた垂直磁
気記録を実現することができる。
なシ、軟磁性特性の良好な軟磁性層が形成されるため・
この軟磁性層上に垂直磁化層を形成してなる２層構造の
垂直磁気記録媒体は、高密度域においても記録感度が低
下することなく、高密度記録男性特性にすぐれた垂直磁
気記録を実現することができる。
これは、基板を負電位に保ちつつ、スパッタリングを行
なうことＫより、放電がスイオン（例えばアルゴンイオ
ンＡｒ十等）によって、膜内不純物がたたき出されるこ
と、おるいは、膜内応力の穏和によシ膜内のひずみが少
なくなること等によるものと考えられる。
なうことＫより、放電がスイオン（例えばアルゴンイオ
ンＡｒ十等）によって、膜内不純物がたたき出されるこ
と、おるいは、膜内応力の穏和によシ膜内のひずみが少
なくなること等によるものと考えられる。
なお、基板として、マイラーフィルム等の非導電性基板
を使用した場合、基板ホルダがプラズマ電位に対し負電
位となるように設定しても、ス・臂ツタリング中に、基
板上に飛来する放電イオン（Ａｒ＋等）により、プラズ
マにさらされている基板面の電位が上昇し、プラズマ電
位と等しくなってしまい、基板を負バイアスにすること
による効果は得られなくなってしまう。
を使用した場合、基板ホルダがプラズマ電位に対し負電
位となるように設定しても、ス・臂ツタリング中に、基
板上に飛来する放電イオン（Ａｒ＋等）により、プラズ
マにさらされている基板面の電位が上昇し、プラズマ電
位と等しくなってしまい、基板を負バイアスにすること
による効果は得られなくなってしまう。
この場合は、非導電性基板上に、あらかじめ０．０５〜
０．１μｍ程度の金属膜を着膜形成し、基板表面に導電
性を持たせたのちに、金属性ブラシ等を用いて・負電位
を与えることによって基板面上の電位上昇を抑制し、安
定に負バイアスが印加されるようにすること忙よシ、軟
磁気特性の優れた軟磁性層を得ることができ、前述の問
題は解決される。
０．１μｍ程度の金属膜を着膜形成し、基板表面に導電
性を持たせたのちに、金属性ブラシ等を用いて・負電位
を与えることによって基板面上の電位上昇を抑制し、安
定に負バイアスが印加されるようにすること忙よシ、軟
磁気特性の優れた軟磁性層を得ることができ、前述の問
題は解決される。
以下、本発明の垂直磁気記録媒体の製造方法を、図面を
参照しつつ実施例に基づいて説明する。
参照しつつ実施例に基づいて説明する。
この製造方法を実施するために用いるスパッタリング装
置は、第１図に示すごとく、真空槽１内に配設されたタ
ーゲット２と、このターゲット２に相対向するように配
設され、基板３を保持するための基板ホルダ４と、ダー
ｒヮト２に給電するための高周波電源５と、基板ホルダ
４を介して基板にバイアスをかけるためのバイアス用直
流電源６とによシ構成されている。なお、基板ホルダは
、第２麹にその要部拡大図を示す如く、真空槽の外側か
らの操作上着脱可能な金属ブラシ７を有しておシ、この
金属ブラシ７を介して表板表面に負・々イアスが印加さ
れる。
置は、第１図に示すごとく、真空槽１内に配設されたタ
ーゲット２と、このターゲット２に相対向するように配
設され、基板３を保持するための基板ホルダ４と、ダー
ｒヮト２に給電するための高周波電源５と、基板ホルダ
４を介して基板にバイアスをかけるためのバイアス用直
流電源６とによシ構成されている。なお、基板ホルダは
、第２麹にその要部拡大図を示す如く、真空槽の外側か
らの操作上着脱可能な金属ブラシ７を有しておシ、この
金属ブラシ７を介して表板表面に負・々イアスが印加さ
れる。
最初に、第１の実施例について説明する。
まず、金属ブラシ７をとり外した状態で、基板３として
のマイラフィルム３ａを基板ホルダ４上に保持せしめる
。
のマイラフィルム３ａを基板ホルダ４上に保持せしめる
。
このようにして、真空槽１内にアルゴンがスを導入し、
真空槽内の圧力すなわち導入アルゴン圧力を適当な値（
例えば１■Ｔｏｒｒ程度）に設定したのち、高周波電源
５の出力すなわちＲＦ ｚｊクワ−適当な値に設定し、
基板３を回転せしめつつス／４’ ツタリングを行ない
、０．０５〜０．１μｍのノや一マロイ膜３ｂを形成す
る。
真空槽内の圧力すなわち導入アルゴン圧力を適当な値（
例えば１■Ｔｏｒｒ程度）に設定したのち、高周波電源
５の出力すなわちＲＦ ｚｊクワ−適当な値に設定し、
基板３を回転せしめつつス／４’ ツタリングを行ない
、０．０５〜０．１μｍのノや一マロイ膜３ｂを形成す
る。
こののち、第２図に示す如く、真空槽の外側からの操作
で形成された・ぐ−マロイ膜上に金属ブラシ７が接する
ようにセットしたのち、バイアス電源をＯＮにし、負電
位を付与しつつ再び高周波電源５を前記の工程と同様の
値に設定し基板を回転せしめつつ、更に軟磁性層として
０．５μｍ程度の・ｆ−マロイ薄膜８を得る。このとき
の軟磁性層の抗磁力は１エルステツド（以下Ｏｓと称す
）であった。
で形成された・ぐ−マロイ膜上に金属ブラシ７が接する
ようにセットしたのち、バイアス電源をＯＮにし、負電
位を付与しつつ再び高周波電源５を前記の工程と同様の
値に設定し基板を回転せしめつつ、更に軟磁性層として
０．５μｍ程度の・ｆ−マロイ薄膜８を得る。このとき
の軟磁性層の抗磁力は１エルステツド（以下Ｏｓと称す
）であった。
更に、ターゲット２をコバルト−クロム合金に換えたの
ち、同様の操作を繰り返し、コバル）−クロム薄膜が０
．２〜０．５μｍとなった時、スノ４ ツタリングを打
ち切り、第３図に示す如く垂＠磁化層としてのコバルト
−クロム薄膜９を得る。この垂直磁化層の抗磁力は３５
０〜４０００ｅであった。
ち、同様の操作を繰り返し、コバル）−クロム薄膜が０
．２〜０．５μｍとなった時、スノ４ ツタリングを打
ち切り、第３図に示す如く垂＠磁化層としてのコバルト
−クロム薄膜９を得る。この垂直磁化層の抗磁力は３５
０〜４０００ｅであった。
このようにして形成された、二層構造の記録媒体の入出
力特性曲線を第４図に実線１１，１２゜１３で示す。縦
軸は再生出力（相対呟）、横軸は起磁力（ＡＴ ）とす
る。比較の為に、従来法に基き、負バイアスを印加する
ことなく、軟磁性層を形成した二層構造の記録媒体の入
出力特性を点線１４゜１５．１６で示す。実線１１．１
２．１３は、夫々２ＫＢＰＩ 、 ２０ＫＢＰＩ 、
５０ＫＢＰＩ のときの入出力特性曲綜ヲ示し、同様に
点線１４．１５．１６も夫々、２ＫＢＰＩ 、 ２０Ｋ
ＢＰＩ 、 ５０ＫＢＰＩのときの入出力特性曲線を示
す。ちなみに、従来法によって形成された軟磁性層の抗
磁力は１５０ｅであった。第４図における比較から明ら
かなように、本発明実施例の方法によって形成された記
録婢体は従来のものに比べて記録感度が大幅に向上して
おり、特に高密度域においてそれは顕著である。
力特性曲線を第４図に実線１１，１２゜１３で示す。縦
軸は再生出力（相対呟）、横軸は起磁力（ＡＴ ）とす
る。比較の為に、従来法に基き、負バイアスを印加する
ことなく、軟磁性層を形成した二層構造の記録媒体の入
出力特性を点線１４゜１５．１６で示す。実線１１．１
２．１３は、夫々２ＫＢＰＩ 、 ２０ＫＢＰＩ 、
５０ＫＢＰＩ のときの入出力特性曲綜ヲ示し、同様に
点線１４．１５．１６も夫々、２ＫＢＰＩ 、 ２０Ｋ
ＢＰＩ 、 ５０ＫＢＰＩのときの入出力特性曲線を示
す。ちなみに、従来法によって形成された軟磁性層の抗
磁力は１５０ｅであった。第４図における比較から明ら
かなように、本発明実施例の方法によって形成された記
録婢体は従来のものに比べて記録感度が大幅に向上して
おり、特に高密度域においてそれは顕著である。
すなわち、従来のものは、高密度域においては、記録感
度が低下し、飽和記録できないが、本発明実施例の方法
によって形成された記録媒体は高密度域においても飽和
記録しており、再生出力も増加していることがわかる。
度が低下し、飽和記録できないが、本発明実施例の方法
によって形成された記録媒体は高密度域においても飽和
記録しており、再生出力も増加していることがわかる。
ところで、軟磁性層形成時において印加する負バイアス
の電位と、軟磁性層の抗磁力Ｈｅとの関係曲線を第５図
に示す。縦軸は抗磁力Ｈｃ （Ｏｅ ）にとり、横軸は
印加した負バイアス電位Ｖ、（Ｖ）にとった。
の電位と、軟磁性層の抗磁力Ｈｅとの関係曲線を第５図
に示す。縦軸は抗磁力Ｈｃ （Ｏｅ ）にとり、横軸は
印加した負バイアス電位Ｖ、（Ｖ）にとった。
この曲線から明らかなように、負バイアス電位をプラズ
マ電位に対して一５０Ｖ付近にとったとき、軟磁気特性
が著しく改善されている。
マ電位に対して一５０Ｖ付近にとったとき、軟磁気特性
が著しく改善されている。
次に、本発明の第２の実施例について説明する。
前記実施例に使用したのと同一のスパッタリング装置を
使用する。まｔ基板３として、マイラフィルム３ａ上に
、真空蒸着法等圧よって５００〜１００ＯＸ程度のアル
ミニウム薄膜（Ａｔ薄膜）を着膜したものを使用し、ま
ず、第１図に示す如く、真空槽内の基板ホルダ４上に該
ターゲット２と対向するように保持せしめる。ここで基
板ホルダ４は、金属ブラシ７を介して、基板表面に負電
位を与える。
使用する。まｔ基板３として、マイラフィルム３ａ上に
、真空蒸着法等圧よって５００〜１００ＯＸ程度のアル
ミニウム薄膜（Ａｔ薄膜）を着膜したものを使用し、ま
ず、第１図に示す如く、真空槽内の基板ホルダ４上に該
ターゲット２と対向するように保持せしめる。ここで基
板ホルダ４は、金属ブラシ７を介して、基板表面に負電
位を与える。
このようにして、基板表面を負電位に保ちつつ、真空槽
１内にアルゴンがスを導入し、真空槽内の圧力すなわち
導入アルゴン圧力を適当な値（例えば２ ｔｍ Ｔｏｒ
ｒ程度）に設定する。
１内にアルゴンがスを導入し、真空槽内の圧力すなわち
導入アルゴン圧力を適当な値（例えば２ ｔｍ Ｔｏｒ
ｒ程度）に設定する。
しかるのち、高周波電源５の出力すなわちＲＦノクワー
を適当な値に設定し、基板３を回転せしめつつスパッタ
リングを行ない、ノぐ−マロイ合金薄膜の膜厚が０．５
μｍ程度となった時、スパッタリングを打切シ、軟磁性
層としてのパーマロイ合金薄膜を得る。
を適当な値に設定し、基板３を回転せしめつつスパッタ
リングを行ない、ノぐ−マロイ合金薄膜の膜厚が０．５
μｍ程度となった時、スパッタリングを打切シ、軟磁性
層としてのパーマロイ合金薄膜を得る。
次いで、ターゲット２をコバルト−クロム合金に換えた
のち、同様の操作を繰シ返し、コバルト−クロム薄膜が
０．２〜０．５μｍとなった時、スノぐツタリングを打
ち切り、垂直磁化層としてのコバルト−クロム薄膜を得
る。
のち、同様の操作を繰シ返し、コバルト−クロム薄膜が
０．２〜０．５μｍとなった時、スノぐツタリングを打
ち切り、垂直磁化層としてのコバルト−クロム薄膜を得
る。
このようにして形成された二層構造の垂直磁気記録媒体
も、前記第１の実施例に示された記録媒体と同様に、高
密度領域における記録感度が著しく向上せしめられ、良
好な結果−を得ることができた。
も、前記第１の実施例に示された記録媒体と同様に、高
密度領域における記録感度が著しく向上せしめられ、良
好な結果−を得ることができた。
なお、実施例においては、基板表面にパーマロイ薄膜あ
るいはアルミニウム薄膜等の導電体層を形成した後、こ
の導電体層表面に負バイアスを印加したが、基板が導電
性を有するものである場合には、導電体層を形成する必
要はない。
るいはアルミニウム薄膜等の導電体層を形成した後、こ
の導電体層表面に負バイアスを印加したが、基板が導電
性を有するものである場合には、導電体層を形成する必
要はない。
また、第１の実施例においては軟磁性層の抗磁力Ｈｃが
約１ ｏ、となるように形成し、実用上十分な記録感度
を得ることができたが、更に、軟磁性層の軟磁気特性を
改善することにより、記録感度を更に向上することがで
きることは言うまでもない。
約１ ｏ、となるように形成し、実用上十分な記録感度
を得ることができたが、更に、軟磁性層の軟磁気特性を
改善することにより、記録感度を更に向上することがで
きることは言うまでもない。
以上、説明してきたように、本発明の方法によれば、軟
磁性層と垂直磁化層とからなる２層構造の垂直磁気記録
媒体を製造するにあたり、軟磁性層形成のだめのスパッ
タリング工程において、基板をプラズマ電位に対して負
電位となるように保つことにより、軟磁性特性の良好な
軟磁性層を得ることができ、高密度域においても記録感
度が低下することなく、高密度記録再生特性に優れた垂
直磁気記録の可能な２層構造の垂直磁気記録媒体を得る
ことができる。
磁性層と垂直磁化層とからなる２層構造の垂直磁気記録
媒体を製造するにあたり、軟磁性層形成のだめのスパッ
タリング工程において、基板をプラズマ電位に対して負
電位となるように保つことにより、軟磁性特性の良好な
軟磁性層を得ることができ、高密度域においても記録感
度が低下することなく、高密度記録再生特性に優れた垂
直磁気記録の可能な２層構造の垂直磁気記録媒体を得る
ことができる。
第１図は、本発明実施例の方法に使用されるス／やツタ
リング装置を示す図、第２図は、第１図の装置の基板ホ
ルダの金属ブラシを基板にセットした状態を示す図、第
３図は、本発明第１の実施例の方法によって形成された
二層構造の磁気記録媒体を示す図、第４図は、第３図に
示されている磁気記録媒体の入出力特性を示す図、第５
図は、本発明第１の実施例の方法によって軟磁性層を形
成した場合の負バイアス電位と抗磁力との関係を示す図
である。 １・・・真空槽、２・・・ターグット、３・・・基板、
３＆・・・マイラフィルム、３ｂ・・・ノぐ一マロイ［
（導電膜）４・・・基板ホルダ、５・・・高周波電源、
６・・・バイアス用直流電源、７・・・金属ブラシ、８
・・・／＃ −マロイ薄膜（軟磁性層）、９・・・コバ
ルト−クロム薄膜、１１．１２．１３・・・本発明第１
の実施例の方法によって形成された磁気記録媒体の入出
力特性曲線〜１４．１５，１６・・・従来の方法によっ
て形成された記録媒体の入出力特性曲線。 第４図 （ＡＴ）ｆｊＥ縫〃 一ｂ（Ｖ）
リング装置を示す図、第２図は、第１図の装置の基板ホ
ルダの金属ブラシを基板にセットした状態を示す図、第
３図は、本発明第１の実施例の方法によって形成された
二層構造の磁気記録媒体を示す図、第４図は、第３図に
示されている磁気記録媒体の入出力特性を示す図、第５
図は、本発明第１の実施例の方法によって軟磁性層を形
成した場合の負バイアス電位と抗磁力との関係を示す図
である。 １・・・真空槽、２・・・ターグット、３・・・基板、
３＆・・・マイラフィルム、３ｂ・・・ノぐ一マロイ［
（導電膜）４・・・基板ホルダ、５・・・高周波電源、
６・・・バイアス用直流電源、７・・・金属ブラシ、８
・・・／＃ −マロイ薄膜（軟磁性層）、９・・・コバ
ルト−クロム薄膜、１１．１２．１３・・・本発明第１
の実施例の方法によって形成された磁気記録媒体の入出
力特性曲線〜１４．１５，１６・・・従来の方法によっ
て形成された記録媒体の入出力特性曲線。 第４図 （ＡＴ）ｆｊＥ縫〃 一ｂ（Ｖ）
Claims (2)
- （１）基板上に軟磁性層および垂直磁化層を形成してな
る二層構造の垂直磁気記録用記録媒体の製造方法におい
て、軟磁性層の形成が、基板をプラズマ電位に対して負
電位に保持しつつスＡ ｙタリンダを行なうことによっ
てなされることを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方
法。 - （２）前記基板が非導電性の基板であって、軟磁性層の
形成は、あらかじめ、該基板表面に導電膜を形成した後
、この導電膜表面をプラズマ電位に対して負電位に保持
し、スパッタリングを行なうととＫよってなされること
を特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の垂直磁気
記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18373783A JPS6076026A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18373783A JPS6076026A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6076026A true JPS6076026A (ja) | 1985-04-30 |
| JPH0321971B2 JPH0321971B2 (ja) | 1991-03-25 |
Family
ID=16141087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18373783A Granted JPS6076026A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6076026A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61206923A (ja) * | 1985-03-12 | 1986-09-13 | Teijin Ltd | 磁気記録媒体の製造法 |
| JPH03108125A (ja) * | 1989-09-21 | 1991-05-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| WO2005031714A1 (ja) * | 2003-09-26 | 2005-04-07 | Tdk Corporation | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| CN103521350A (zh) * | 2013-10-28 | 2014-01-22 | 李泽 | 一种磁选式流体除铁装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5724031A (en) * | 1980-07-18 | 1982-02-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of vertical magnetic recording medium |
| JPS5778628A (en) * | 1980-10-31 | 1982-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of magnetic recording medium |
-
1983
- 1983-09-30 JP JP18373783A patent/JPS6076026A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5724031A (en) * | 1980-07-18 | 1982-02-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of vertical magnetic recording medium |
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| WO2005031714A1 (ja) * | 2003-09-26 | 2005-04-07 | Tdk Corporation | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| CN103521350A (zh) * | 2013-10-28 | 2014-01-22 | 李泽 | 一种磁选式流体除铁装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0321971B2 (ja) | 1991-03-25 |
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