JPH0969460A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH0969460A JPH0969460A JP22487095A JP22487095A JPH0969460A JP H0969460 A JPH0969460 A JP H0969460A JP 22487095 A JP22487095 A JP 22487095A JP 22487095 A JP22487095 A JP 22487095A JP H0969460 A JPH0969460 A JP H0969460A
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- magnetic
- magnetic field
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 円周方向に均一な静磁気特性をもつディスク
状磁気記録媒体を作製する。 【解決手段】 マグネトロンスパッタ装置のチャンバー
１内で、Ｃo-Ｓm 系合金磁性層の成膜をする際に、基板
４を固定した基板ホルダー２の内側部材を回転して、基
板４を自転させながら成膜する。これにより、基板ホル
ダー２の外側部材に取り付けられた磁石５、６によっ
て、ターゲット７の裏側に位置するカソード３の磁石
８、９からの漏れ磁界の影響を打ち消し、磁界が成膜中
の磁性層に与える影響を特定の方向性を持たないものに
する。
状磁気記録媒体を作製する。 【解決手段】 マグネトロンスパッタ装置のチャンバー
１内で、Ｃo-Ｓm 系合金磁性層の成膜をする際に、基板
４を固定した基板ホルダー２の内側部材を回転して、基
板４を自転させながら成膜する。これにより、基板ホル
ダー２の外側部材に取り付けられた磁石５、６によっ
て、ターゲット７の裏側に位置するカソード３の磁石
８、９からの漏れ磁界の影響を打ち消し、磁界が成膜中
の磁性層に与える影響を特定の方向性を持たないものに
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、コンピュータ等の
外部記録装置に使用される磁気ディスク等の磁気記録媒
体の製造方法に関し、特に、媒体全体に均一な高い保磁
力を有し高記録密度に対応できる磁気記録媒体の製造方
法に関する。
外部記録装置に使用される磁気ディスク等の磁気記録媒
体の製造方法に関し、特に、媒体全体に均一な高い保磁
力を有し高記録密度に対応できる磁気記録媒体の製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報量の増大により、コンピュー
タの外部記録装置に用いられている磁気ディスクの大容
量化／高記録密度化が益々促進されている。一般に、線
記録密度と、磁気記録媒体の保磁力Ｈｃ、残留磁束密度
Ｂｒ、磁性層膜厚ｔとの間には、次式の関係がある。
タの外部記録装置に用いられている磁気ディスクの大容
量化／高記録密度化が益々促進されている。一般に、線
記録密度と、磁気記録媒体の保磁力Ｈｃ、残留磁束密度
Ｂｒ、磁性層膜厚ｔとの間には、次式の関係がある。
【０００３】線記録密度∝Ｈｃ／（Ｂｒ＊ｔ） 従って、記録密度を高めるためには、磁気記録媒体の保
磁力を高めることが必要とされる。このような磁気記録
媒体への高保磁力化の要求に応えるために、主に大きな
結晶磁気異方性を有するＣo-Ｃr-Ｐt 系合金材料、Ｃo-
Ｓm 系合金材料が検討されている。
磁力を高めることが必要とされる。このような磁気記録
媒体への高保磁力化の要求に応えるために、主に大きな
結晶磁気異方性を有するＣo-Ｃr-Ｐt 系合金材料、Ｃo-
Ｓm 系合金材料が検討されている。
【０００４】Ｃo-Ｃr-Ｐt 系合金材料としては、Ｃo-Ｃ
r-Ｐt 、Ｃo-Ｃr-Ｐt-Ｔa 、Ｃo-Ｃr-Ｐt-Ｂ、Ｃo-Ｎi-
Ｃr-Ｐt 等が用いられているが、非常に高価な貴金属で
あるＰt を用いるために、コストの大幅な上昇は免れな
い。一方、Ｃo-Ｓm 系合金の磁性層材料については、近
年様々な報告がなされており、その実用化が期待されて
いる。
r-Ｐt 、Ｃo-Ｃr-Ｐt-Ｔa 、Ｃo-Ｃr-Ｐt-Ｂ、Ｃo-Ｎi-
Ｃr-Ｐt 等が用いられているが、非常に高価な貴金属で
あるＰt を用いるために、コストの大幅な上昇は免れな
い。一方、Ｃo-Ｓm 系合金の磁性層材料については、近
年様々な報告がなされており、その実用化が期待されて
いる。
【０００５】例えば、特開平２−１０３７１７号公報、
特開平３−２３５１３号公報、米国特許第５，３４４，
７０６号には、非磁性基板上に非磁性金属下地層を介し
てＣo とＳm とを含む合金磁性層を形成した高い保磁力
を有する磁気記録媒体、および、前記磁気記録媒体の製
造方法について開示されている。本願発明者らは、上記
文献を参考に各種の再現実験を行った。その結果、特定
の成膜条件において、上記文献に開示されているよう
な、Ｃo-Ｓm 系合金の磁性層材料の優れた静磁気特性が
得られることを確認することができた。
特開平３−２３５１３号公報、米国特許第５，３４４，
７０６号には、非磁性基板上に非磁性金属下地層を介し
てＣo とＳm とを含む合金磁性層を形成した高い保磁力
を有する磁気記録媒体、および、前記磁気記録媒体の製
造方法について開示されている。本願発明者らは、上記
文献を参考に各種の再現実験を行った。その結果、特定
の成膜条件において、上記文献に開示されているよう
な、Ｃo-Ｓm 系合金の磁性層材料の優れた静磁気特性が
得られることを確認することができた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
合金磁性層の成膜には、マグネトロンスパッタ技術が常
用されている。これは、ターゲットの裏側に磁石を配置
し、ターゲット表面付近での電子のマグネトロン運動を
利用して、ドーナツ状の空間にプラズマを閉じ込めるこ
とにより、プラズマの密度を高め、効率的なスパッタリ
ングが行えるもので、成膜速度が速い、基板側へのダメ
ージが少ない、再現性がよい、などの利点を持ってい
る。
合金磁性層の成膜には、マグネトロンスパッタ技術が常
用されている。これは、ターゲットの裏側に磁石を配置
し、ターゲット表面付近での電子のマグネトロン運動を
利用して、ドーナツ状の空間にプラズマを閉じ込めるこ
とにより、プラズマの密度を高め、効率的なスパッタリ
ングが行えるもので、成膜速度が速い、基板側へのダメ
ージが少ない、再現性がよい、などの利点を持ってい
る。
【０００７】しかしながら、上記のような従来の磁気記
録媒体の製造方法に従い、マグネトロンスパッタ技術を
用いてＣo-Ｓm 系合金の磁性層を作製すると、基板面内
において静磁気特性が不均一になる場合のあることが判
明した。種々の実験を試みたが、上記文献に開示された
条件のみでは、基板面内の静磁気特性の不均一さを抑え
て安定した製品を得ることができないという問題点があ
った。
録媒体の製造方法に従い、マグネトロンスパッタ技術を
用いてＣo-Ｓm 系合金の磁性層を作製すると、基板面内
において静磁気特性が不均一になる場合のあることが判
明した。種々の実験を試みたが、上記文献に開示された
条件のみでは、基板面内の静磁気特性の不均一さを抑え
て安定した製品を得ることができないという問題点があ
った。
【０００８】鋭意実験を重ねた結果、基板面内において
静磁気特性が不均一になるのは、マグネトロン型カソー
ドからの漏れ磁界が基板表面へ影響を及ぼすためである
ことが判明した。図４（ａ）は、従来のマグネトロンス
パッタ装置に用いられているマグネトロン型カソードの
断面図、図４（ｂ）はＡ−Ａ矢視図である。ターゲット
７の裏側に位置するカソード３の中に、プラズマを閉じ
込めるための磁石８、９が設けられており、その構造
上、ターゲット７に対向させて固定される基板の半径方
向に漏れ磁界が生じてしまう。この漏れ磁界が成膜中の
合金に作用した部分では、磁化容易軸（ｃ軸）が漏れ磁
界方向に向いてしまい、基板の半径方向に磁化容易方向
を持つようになると考えられる。殊に、Ｃo-Ｓm 系合金
は磁界の存在に敏感であり、他の合金に比べその影響が
顕著である。
静磁気特性が不均一になるのは、マグネトロン型カソー
ドからの漏れ磁界が基板表面へ影響を及ぼすためである
ことが判明した。図４（ａ）は、従来のマグネトロンス
パッタ装置に用いられているマグネトロン型カソードの
断面図、図４（ｂ）はＡ−Ａ矢視図である。ターゲット
７の裏側に位置するカソード３の中に、プラズマを閉じ
込めるための磁石８、９が設けられており、その構造
上、ターゲット７に対向させて固定される基板の半径方
向に漏れ磁界が生じてしまう。この漏れ磁界が成膜中の
合金に作用した部分では、磁化容易軸（ｃ軸）が漏れ磁
界方向に向いてしまい、基板の半径方向に磁化容易方向
を持つようになると考えられる。殊に、Ｃo-Ｓm 系合金
は磁界の存在に敏感であり、他の合金に比べその影響が
顕著である。
【０００９】この結果、成膜後の基板全体では、任意の
半径位置において、磁化容易方向が円周方向の部分と半
径方向の部分とができてしまい、静磁気特性は不均一な
ものとなる。このような円周方向における不均一な特性
は、磁気記録媒体としての性能を著しく損ない、高密度
・大容量の磁気記録再生を実現する上での大きな障害と
なるものである。
半径位置において、磁化容易方向が円周方向の部分と半
径方向の部分とができてしまい、静磁気特性は不均一な
ものとなる。このような円周方向における不均一な特性
は、磁気記録媒体としての性能を著しく損ない、高密度
・大容量の磁気記録再生を実現する上での大きな障害と
なるものである。
【００１０】本発明は、このような従来の問題点に鑑
み、円周方向において安定した静磁気特性を有する磁気
記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
み、円周方向において安定した静磁気特性を有する磁気
記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】このため、請求項１に係
る発明では、非磁性基板上にＣo とＳm とを含有する磁
性層を成膜するに際し、前記基板の成膜面に水平な磁界
を印加し、該磁界と前記基板とを前記基板の中央部を中
心として相対的に回転させることを特徴とする。
る発明では、非磁性基板上にＣo とＳm とを含有する磁
性層を成膜するに際し、前記基板の成膜面に水平な磁界
を印加し、該磁界と前記基板とを前記基板の中央部を中
心として相対的に回転させることを特徴とする。
【００１２】これにより、Ｃo-Ｓm 系合金磁性層成膜時
に、カソードからの漏れ磁界の影響を排除できる。ま
た、請求項２に係る発明では、前記磁界は、前記基板の
中央部を中心とした、半径方向の相互に対象な位置に配
置された磁石によるものであることを特徴とする。
に、カソードからの漏れ磁界の影響を排除できる。ま
た、請求項２に係る発明では、前記磁界は、前記基板の
中央部を中心とした、半径方向の相互に対象な位置に配
置された磁石によるものであることを特徴とする。
【００１３】これにより、簡便な方法で安定した磁界を
基板の成膜面の水平方向に印加することができる。ま
た、請求項３に係る発明では、前記基板が自転すること
により、前記基板に対する前記磁界の相対的な方向が常
に変化することを特徴とする。これにより、基板に対す
る磁界の相対的な方向を連続して変化させることが容易
にできる。
基板の成膜面の水平方向に印加することができる。ま
た、請求項３に係る発明では、前記基板が自転すること
により、前記基板に対する前記磁界の相対的な方向が常
に変化することを特徴とする。これにより、基板に対す
る磁界の相対的な方向を連続して変化させることが容易
にできる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態の一例
を図面に基づいて説明する。図１は、本発明の一実施例
である磁気記録媒体の製造方法に用いるマグネトロンス
パッタ装置の模式図である。チャンバー１内には、基板
ホルダー２（陽極）に対向させてカソード３（陰極）が
設けられている。
を図面に基づいて説明する。図１は、本発明の一実施例
である磁気記録媒体の製造方法に用いるマグネトロンス
パッタ装置の模式図である。チャンバー１内には、基板
ホルダー２（陽極）に対向させてカソード３（陰極）が
設けられている。
【００１５】図２は、基板ホルダー２の平面図である。
基板ホルダー２は、同心円状に設けられた内側部材２ａ
と外側部材２ｂとからなる。内側部材２ａには基板４が
固定されており、内側部材２ａは外側部材２ｂから独立
して基板４をＲ矢印方向に自転させることができる構造
としてある。また、外側部材２ｂには、基板４を挟むよ
うに磁石５、６が取付けられている。
基板ホルダー２は、同心円状に設けられた内側部材２ａ
と外側部材２ｂとからなる。内側部材２ａには基板４が
固定されており、内側部材２ａは外側部材２ｂから独立
して基板４をＲ矢印方向に自転させることができる構造
としてある。また、外側部材２ｂには、基板４を挟むよ
うに磁石５、６が取付けられている。
【００１６】図１のカソード３の上面には、Ｃo-Ｓm 系
合金のターゲット７が固定されており、そのターゲット
７の背面に位置するように磁石８、９が設けられてい
る。基板ホルダー２の外側部材２ｂに取付けられた磁石
５、６による磁界は、ターゲット７背面の磁石８、９か
ら基板４に影響を与える漏れ磁界よりも十分に大きいも
のである。
合金のターゲット７が固定されており、そのターゲット
７の背面に位置するように磁石８、９が設けられてい
る。基板ホルダー２の外側部材２ｂに取付けられた磁石
５、６による磁界は、ターゲット７背面の磁石８、９か
ら基板４に影響を与える漏れ磁界よりも十分に大きいも
のである。
【００１７】磁性層の成膜にあたっては、まず、真空に
なったチャンバー１内にＡr ガスが導入されて所定の圧
力に維持される。次に、電極間に放電が起こされるとＡ
r プラズマが形成され、磁石８、９による磁界によっ
て、ドーナツ状の空間に閉じ込められる。そして、プラ
ズマ中のＡr イオンが加速されてターゲット７に衝突す
ることにより、成膜材料のＣo-Ｓm 系合金がスパッタ蒸
発し、基板４の成膜面に付着して、膜が形成される。
なったチャンバー１内にＡr ガスが導入されて所定の圧
力に維持される。次に、電極間に放電が起こされるとＡ
r プラズマが形成され、磁石８、９による磁界によっ
て、ドーナツ状の空間に閉じ込められる。そして、プラ
ズマ中のＡr イオンが加速されてターゲット７に衝突す
ることにより、成膜材料のＣo-Ｓm 系合金がスパッタ蒸
発し、基板４の成膜面に付着して、膜が形成される。
【００１８】ここで、基板４を固定した基板ホルダー２
の内側部材２ａを回転し、基板４を自転させながら成膜
することにより、カソード３の磁石８、９による漏れ磁
界の影響を、基板ホルダー２の外側部材２ｂに取り付け
られた磁石５、６によって打ち消すことができる。即
ち、磁石５、６による磁界は十分に大きく、かつ、その
方向は基板４に対して常に変化するので、磁界が成膜中
の磁性層に与える影響は特定の方向性を持たないものに
なる。これにより、円周方向における静磁気特性の均一
なＣo-Ｓm 系合金磁性層をもつ磁気記録媒体が安定して
作製できる。
の内側部材２ａを回転し、基板４を自転させながら成膜
することにより、カソード３の磁石８、９による漏れ磁
界の影響を、基板ホルダー２の外側部材２ｂに取り付け
られた磁石５、６によって打ち消すことができる。即
ち、磁石５、６による磁界は十分に大きく、かつ、その
方向は基板４に対して常に変化するので、磁界が成膜中
の磁性層に与える影響は特定の方向性を持たないものに
なる。これにより、円周方向における静磁気特性の均一
なＣo-Ｓm 系合金磁性層をもつ磁気記録媒体が安定して
作製できる。
【００１９】尚、上述した装置では、基板ホルダー２の
外側部材２ｂに固定された磁石５、６の間で、基板４が
自転することにより、基板４に対する磁界の方向が相対
的に変化する構成としたが、基板４を固定し、その周囲
を磁石５、６が公転する構成としても同様である。ま
た、磁石５、６は永久磁石でも、電磁石でもよい。
外側部材２ｂに固定された磁石５、６の間で、基板４が
自転することにより、基板４に対する磁界の方向が相対
的に変化する構成としたが、基板４を固定し、その周囲
を磁石５、６が公転する構成としても同様である。ま
た、磁石５、６は永久磁石でも、電磁石でもよい。
【００２０】
【実施例】本発明の製造方法を用いて作製した磁気記録
媒体の例を以下に説明する。基板は、表面粗さＲａが0.
5 〜1.0nm である、2.5 インチ径のアモルファスカーボ
ン基板を用いた。このアモルファスカーボン基板を精密
洗浄後、上述したマグネトロンスパッタ装置を用いて、
順次成膜を行った。
媒体の例を以下に説明する。基板は、表面粗さＲａが0.
5 〜1.0nm である、2.5 インチ径のアモルファスカーボ
ン基板を用いた。このアモルファスカーボン基板を精密
洗浄後、上述したマグネトロンスパッタ装置を用いて、
順次成膜を行った。
【００２１】磁性層中の各種金属の組成は、５インチ径
のＣo ターゲット上に５×５×１mmのその他の金属のチ
ップを載せ、その数を増減させることにより制御した。
各サンプルの成膜条件は以下の通り。 〔実施例１〕 （１）第１下地層 材料：Ｔi 、 基板温度：室温、 Ａr ガス圧：５mTor
r 、基板バイアス電圧：０V 、 膜厚：50nm （２）第２下地層 材料：Ｃr 、 基板温度：室温、 Ａr ガス圧：５mTor
r 基板バイアス電圧：０V 、 膜厚：50nm （３）磁性層 材料：Ｃo-Ｓm(21.2at％) 、 基板温度：室温、 Ａr
ガス圧：５mTorr 基板バイアス電圧：０V 、 膜厚：30nm （４）中間層 材料：Ｃr 、 基板温度：室温、 Ａr ガス圧：５mTor
r 基板バイアス電圧：０V 、 膜厚：７nm （５）保護層 材料：アモルファスカーボン、 基板温度：室温、 Ａ
r ガス圧：５mTorr 基板バイアス電圧：０V 、 膜厚：10nm 〔実施例２〕磁性層の組成をＣo-Ｓm(19.5at％)-Ｃr(1.
8 at％) とした以外は、実施例１と同様の条件で作製し
た。 〔実施例３〕磁性層の組成をＣo-Ｓm(20.9at％)-Ｃe(0.
8 at％) とした以外は、実施例１と同様の条件で作製し
た。 〔比較例１〕従来のマグネトロンスパッタ装置（漏れ磁
界が基板の半径方向に作用）を用い、その他は実施例１
と同様の条件で作製した。 〔比較例２〕磁性層をＣo-Ｃr(14at％)-Ｔa(４at％) 、
基板温度を300 ℃とした以外は、比較例１と同様の条件
で作製した。 〔比較例３〕磁性層をＣo-Ｃr(12at％)-Ｐt(10at％) 、
基板温度を200 ℃とした以外は、比較例１と同様の条件
で作製した。
のＣo ターゲット上に５×５×１mmのその他の金属のチ
ップを載せ、その数を増減させることにより制御した。
各サンプルの成膜条件は以下の通り。 〔実施例１〕 （１）第１下地層 材料：Ｔi 、 基板温度：室温、 Ａr ガス圧：５mTor
r 、基板バイアス電圧：０V 、 膜厚：50nm （２）第２下地層 材料：Ｃr 、 基板温度：室温、 Ａr ガス圧：５mTor
r 基板バイアス電圧：０V 、 膜厚：50nm （３）磁性層 材料：Ｃo-Ｓm(21.2at％) 、 基板温度：室温、 Ａr
ガス圧：５mTorr 基板バイアス電圧：０V 、 膜厚：30nm （４）中間層 材料：Ｃr 、 基板温度：室温、 Ａr ガス圧：５mTor
r 基板バイアス電圧：０V 、 膜厚：７nm （５）保護層 材料：アモルファスカーボン、 基板温度：室温、 Ａ
r ガス圧：５mTorr 基板バイアス電圧：０V 、 膜厚：10nm 〔実施例２〕磁性層の組成をＣo-Ｓm(19.5at％)-Ｃr(1.
8 at％) とした以外は、実施例１と同様の条件で作製し
た。 〔実施例３〕磁性層の組成をＣo-Ｓm(20.9at％)-Ｃe(0.
8 at％) とした以外は、実施例１と同様の条件で作製し
た。 〔比較例１〕従来のマグネトロンスパッタ装置（漏れ磁
界が基板の半径方向に作用）を用い、その他は実施例１
と同様の条件で作製した。 〔比較例２〕磁性層をＣo-Ｃr(14at％)-Ｔa(４at％) 、
基板温度を300 ℃とした以外は、比較例１と同様の条件
で作製した。 〔比較例３〕磁性層をＣo-Ｃr(12at％)-Ｐt(10at％) 、
基板温度を200 ℃とした以外は、比較例１と同様の条件
で作製した。
【００２２】上記の膜組成は、いずれも磁性層のみをス
ライドガラス上に成膜したものを、ＩＣＰ（Inductivel
y coupled plasma：誘導結合プラズマ）によって分析し
て得た値である。保護層形成後、バーニッシュを行い、
続いて潤滑剤ＡＭ２００１（アオジモント社製）を膜厚
２nm塗布し、各サンプルを得た。膜構造を図３に示す。
ライドガラス上に成膜したものを、ＩＣＰ（Inductivel
y coupled plasma：誘導結合プラズマ）によって分析し
て得た値である。保護層形成後、バーニッシュを行い、
続いて潤滑剤ＡＭ２００１（アオジモント社製）を膜厚
２nm塗布し、各サンプルを得た。膜構造を図３に示す。
【００２３】得られた各サンプルについて、ＶＳＭ（振
動試料型磁力計）を用い、基板半径23mm付近の４点（中
心角θ＝０，９０，１８０，２７０°付近）において円
周方向の静磁気特性（保磁力Ｈｃ）の測定を行い、その
結果を比較した。各サンプルの磁性層膜組成、保磁力Ｈ
ｃの平均値および最大値と最小値との差を表１に示す。
動試料型磁力計）を用い、基板半径23mm付近の４点（中
心角θ＝０，９０，１８０，２７０°付近）において円
周方向の静磁気特性（保磁力Ｈｃ）の測定を行い、その
結果を比較した。各サンプルの磁性層膜組成、保磁力Ｈ
ｃの平均値および最大値と最小値との差を表１に示す。
【００２４】
【表１】 実施例１と比較例１とは同じ組成であるにもかかわら
ず、その円周方向の保磁力Ｈｃの最大値と最小値との差
は大きく異なっており、本発明の製造方法を用いた実施
例１のサンプルでは均一な静磁気特性をもつものが得ら
れている。これは、明らかに磁性層成膜時の磁界の影響
によるものである。
ず、その円周方向の保磁力Ｈｃの最大値と最小値との差
は大きく異なっており、本発明の製造方法を用いた実施
例１のサンプルでは均一な静磁気特性をもつものが得ら
れている。これは、明らかに磁性層成膜時の磁界の影響
によるものである。
【００２５】また、実施例２および実施例３でも、均一
な静磁気特性をもつサンプルが得られている。この結果
より、本発明の製造方法が、Ｃo-Ｓm 合金に第３の元素
を添加した３元系合金磁性層においても有効であること
が確認された。比較例２および比較例３は、従来のマグ
ネトロンスパッタ装置を用いた成膜でも円周方向の保磁
力Ｈｃに良好な均一性が得られている。比較例１の結果
を考慮すると、漏れ磁界の影響を強く受けるＣo-Ｓm 等
の材料と、Ｃo-Ｃr-Ｔa やＣo-Ｃr-Ｐt 等の、漏れ磁界
の影響を受けない材料とがあるものと推察される。
な静磁気特性をもつサンプルが得られている。この結果
より、本発明の製造方法が、Ｃo-Ｓm 合金に第３の元素
を添加した３元系合金磁性層においても有効であること
が確認された。比較例２および比較例３は、従来のマグ
ネトロンスパッタ装置を用いた成膜でも円周方向の保磁
力Ｈｃに良好な均一性が得られている。比較例１の結果
を考慮すると、漏れ磁界の影響を強く受けるＣo-Ｓm 等
の材料と、Ｃo-Ｃr-Ｔa やＣo-Ｃr-Ｐt 等の、漏れ磁界
の影響を受けない材料とがあるものと推察される。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１に係る発
明によれば、マグネトロンスパッタ装置のカソードから
の漏れ磁界が磁性層成膜時にＣo-Ｓm 系合金に与える影
響を排除し、周方向に均一な静磁気特性を持つ磁気記録
媒体を安定して製造できるという効果がある。
明によれば、マグネトロンスパッタ装置のカソードから
の漏れ磁界が磁性層成膜時にＣo-Ｓm 系合金に与える影
響を排除し、周方向に均一な静磁気特性を持つ磁気記録
媒体を安定して製造できるという効果がある。
【００２７】また、請求項２に係る発明によれば、基板
の中央を中心とした相互に対象な位置に磁石を配置する
という比較的簡便な方法によって、基板の成膜面の水平
方向に磁界を印加し、カソードからの漏れ磁界の影響を
排除することができるという効果がある。また、請求項
３に係る発明では、基板が自転して、基板に対する磁界
の相対的な方向を連続して変化させることで、カソード
からの漏れ磁界の影響を排除し、周方向に均一な静磁気
特性を持つ磁気記録媒体を容易に製造できるという効果
がある。
の中央を中心とした相互に対象な位置に磁石を配置する
という比較的簡便な方法によって、基板の成膜面の水平
方向に磁界を印加し、カソードからの漏れ磁界の影響を
排除することができるという効果がある。また、請求項
３に係る発明では、基板が自転して、基板に対する磁界
の相対的な方向を連続して変化させることで、カソード
からの漏れ磁界の影響を排除し、周方向に均一な静磁気
特性を持つ磁気記録媒体を容易に製造できるという効果
がある。
【図１】 本発明の一実施例である磁気記録媒体の製造
方法に用いるマグネトロンスパッタ装置の模式図
方法に用いるマグネトロンスパッタ装置の模式図
【図２】 基板ホルダーの平面図
【図３】 実施例の膜構造を示す図。
【図４】 従来のマグネトロン型カソードの概略断面図
とＡ−Ａ矢視図
とＡ−Ａ矢視図
１ チャンバー ２ 基板ホルダー ２ａ 内側部材 ２ｂ 外側部材 ３ カソード ４ 基板 ５ 磁石 ６ 磁石 ７ ターゲット ８ 磁石 ９ 磁石
Claims (3)
- 【請求項１】 非磁性基板上にＣo とＳm とを含有する
磁性層を成膜するに際し、前記基板の成膜する面に水平
な磁界を印加し、該磁界と前記基板とを前記基板の中央
部を中心として相対的に回転させることを特徴とする磁
気記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】 前記磁界は、前記基板の中央部を中心と
した、半径方向の相互に対称な位置に配置された磁石に
よるものであることを特徴とする請求項１記載の磁気記
録媒体の製造方法。 - 【請求項３】 前記基板が自転することにより、前記基
板に対する前記磁界の相対的な方向が常に変化すること
を特徴とする請求項１または請求項２記載の磁気記録媒
体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22487095A JPH0969460A (ja) | 1995-09-01 | 1995-09-01 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22487095A JPH0969460A (ja) | 1995-09-01 | 1995-09-01 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0969460A true JPH0969460A (ja) | 1997-03-11 |
Family
ID=16820465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22487095A Pending JPH0969460A (ja) | 1995-09-01 | 1995-09-01 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0969460A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6616816B2 (en) | 2000-08-01 | 2003-09-09 | Anelva Corporation | Substrate processing device and method |
| WO2010073711A1 (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-01 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング装置、スパッタリング方法及び電子デバイスの製造方法 |
-
1995
- 1995-09-01 JP JP22487095A patent/JPH0969460A/ja active Pending
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| JP2011149104A (ja) * | 2008-12-26 | 2011-08-04 | Canon Anelva Corp | スパッタリング装置、スパッタリング方法及び電子デバイスの製造方法 |
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| US8906208B2 (en) | 2008-12-26 | 2014-12-09 | Canon Anelva Corporation | Sputtering apparatus, sputtering method, and electronic device manufacturing method |
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