WO2010073711A1 - スパッタリング装置、スパッタリング方法及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents
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- H01F10/3254—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the spacer being semiconducting or insulating, e.g. for spin tunnel junction [STJ]
Abstract
Description
図1に示すように、本実施形態のスパッタリング装置は、処理空間を区画形成するチャンバ(反応容器)10を備えている。このチャンバ10には、その内部を所望の真空度まで真空排気可能な排気系として、ゲートバルブ等の不図示の主弁を介して排気ポンプ11が接続されている。
A=a・B・・・(2)
すなわち、コントローラ5は、上記式(1)に基づいて、基板21の回転角の正弦波関数として、カソード41へ投入する放電用電力を算出する。なお、θは0°≦θ≦360°である。また、Aは投入電力の振幅、αは位相角、Bは投入電力の振幅の中心値、aは投入電力の変動率である。
なお、式(3)中、Rsはシート抵抗値、Rs,maxはシート抵抗値の最大値である。
また、図7~図9に示すように、ターゲット材料に応じて制御パターンの変更を行ってもよい。これはターゲット材料によって、膜厚分布の偏りの傾向が異なってくるためである。
図10及び図11を参照して、第3の実施形態のスパッタリング装置について説明する。図10は本実施形態のスパッタリング装置を模式的に示す概略断面図であり、図11のi-i断面を示している。また、図11は基板ホルダとカソードユニットとの配置関係を模式的に示す平面図である。なお、以下では、第1の実施形態の図1と同じ構成には同一の符号を付して示している。
また、図13及び14に示すように、同時に放電させるカソード同士の位置関係に応じて制御パターンの変更を行ってもよい。これは他のカソードにより形成される電界、電磁界の干渉によって、膜厚分布の偏りの傾向が異なってくるためである。図13は、コントローラ5の構成を示したブロック図であり、他は第1の実施形態の図4の構成と同じである。ターゲット材料情報取得部51cは、成膜時に選択されるターゲット材料の情報をユーザの入力や予め記憶するデータなどとして取得する。カソード位置取得部51fは、同時に放電させる複数のカソード41の組合せに基づいて相互の位置関係を取得する。制御パターン決定部51dは、例えば図8に示すようなテーブルを保持しており、ターゲット材料情報取得部51cにより取得したターゲット材料情報、及び、カソード位置取得部51fにより取得したカソードの位置関係に基づき、例えば、図14に示すようなテーブルを用いて制御パターンを決定する。
高周波電源を用いた高周波スパッタリングにおいても本発明を適用できる。つまり、基板の回転位置に応じ、スパッタ率が増減するように高周波電力を制御することで、膜厚分布改善の効果を得ることができる。
なお、本発明は発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
図17は、本発明に係るスパッタリング装置を用いたスパッタリング方法を適用して形成可能な電子部品の例として、TMR素子を示す説明図である。ここで、TMR素子とは、磁気効果素子(TMR(Tunneling Magneto resistance:トンネル磁気抵抗効果)素子)である。
Claims (19)
- 基板をその処理面の面方向に沿って回転可能に保持する基板ホルダと、
前記基板の周囲に配設され、前記基板の処理面に磁場を形成する基板磁場形成手段と、
前記基板の斜向かいの位置に配置され、放電用の電力が投入されるカソードと、
前記基板の回転位置を検出する位置検出手段と、
前記位置検出手段の検出した回転位置に応じて、前記カソードへ投入する電力を制御する電力制御手段と、を備えることを特徴とするスパッタリング装置。 - 前記基板磁場形成手段は、前記基板と同期して回転可能であって、前記基板の処理面に沿って方向性を有する磁場を形成することを特徴とする請求項1に記載のスパッタリング装置。
- 前記電力制御手段は、前記基板の特定の位置と、前記カソードとの位置関係に基づいて、電力を制御することを特徴とする請求項1に記載のスパッタリング装置。
- 前記電力制御手段は、前記基板における磁場の形成状態によりスパッタリング粒子の飛散量が多い第1の部分が前記カソードに近い位置にあるときに第1の電力を投入し、前記第1の部分よりもスパッタリング粒子の飛散量が少ない第2の部分が前記カソードに近い位置にあるときに前記第1の電力よりも高い第2の電力を投入することを特徴とする請求項3に記載のスパッタリング装置。
- 前記電力制御手段は、前記第1の部分が前記カソードに近づくに従って徐々に投入電力を減少させて前記第1の電力にすると共に、前記第2の部分が前記カソードに近づくに従って徐々に投入電力を増加させて前記第2の電力とすることを特徴とする請求項3に記載のスパッタリング装置。
- 前記電力制御手段は、電力値が前記基板の回転角の正弦波関数となるように、前記カソードに投入する電力を制御することを特徴とする請求項1に記載のスパッタリング装置
- 基板をその処理面の面方向に沿って回転させ、その処理面に磁場を形成させつつ、前記基板の斜向かいの位置に配置されるカソードに、位置検出手段の検出した前記基板の回転位置に応じて、調整した電力を投入することで、成膜を実行することを特徴とするスパッタリング方法。
- 磁性膜を成膜することを特徴とする請求項7に記載のスパッタリング方法。
- 基板をその処理面の面方向に沿って回転させ、その処理面に磁場を形成させつつ、前記基板の斜向かいの位置に配置されるカソードに、位置検出手段の検出した前記基板の回転位置に応じて、調整した電力を投入することで、スパッタリング法により成膜する成膜ステップを有することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
- 前記基板の斜向かいに位置し、放電用の電力が夫々投入される複数の前記カソードと、
前記複数のカソードに対応して夫々設けられ、前記位置検出手段の検出した回転位置に応じて、前記対応するカソードに投入する電力を制御する複数の前記電力制御手段と、
前記複数の電力制御手段を介して、前記複数のカソードへ放電用の電力を投入し、前記基板ホルダに保持される基板に対して同時スパッタリングによる成膜を実行させる成膜制御手段と、を更に備えることを特徴とする請求項1に記載のスパッタリング装置。 - 前記電力制御手段は、前記基板の特定の位置と、前記対応するカソードとの位置関係に応じて、電力を制御することを特徴とする請求項10に記載のスパッタリング装置。
- 前記電力制御手段は、前記基板における磁場の形成状態によりスパッタリング粒子の飛散量が多い第1の部分が前記対応するカソードに近い位置にあるときに第1の電力を投入し、前記第1の部分よりもスパッタリング粒子の飛散量が少ない第2の部分が前記対応するカソードに近い位置にあるときに前記第1の電力よりも高い第2の電力を投入することを特徴とする請求項11に記載のスパッタリング装置。
- 前記電力制御手段は、前記第1の部分が前記対応するカソードに近づくに従って徐々に投入電力を減少させて前記第1の電力にすると共に、前記第2の部分が前記対応するカソードに近づくに従って徐々に投入電力を増加させて前記第2の電力とすることを特徴とする請求項11に記載のスパッタリング装置。
- 前記電力制御手段は、電力値が前記基板の回転角の正弦波関数となるように、前記対応するカソードに投入する電力を制御することを特徴とする請求項10に記載のスパッタリング装置。
- 前記電力制御手段は、スパッタリング対象となるターゲット材料に応じて設定される制御パターンで、前記対応するカソードに投入する電力を調整することを特徴とする請求項10に記載のスパッタリング装置。
- 前記電力制御手段は、前記対応するカソードと他の前記カソードとの位置関係に応じて設定される制御パターンで、前記対応するカソードに投入する電力を調整することを特徴とする請求項10に記載のスパッタリング装置。
- 基板をその処理面の面方向に沿って回転させ、その処理面に磁場を形成させつつ、前記基板の斜向かいに位置しかつ異種材料からなるターゲットが配置される複数のカソードに、位置検出手段の検出した前記基板の回転位置に応じて、調整した電力を夫々投入することで、同時スパッタリングによる成膜を実行することを特徴とするスパッタリング方法。
- 磁性膜を成膜することを特徴とする請求項17に記載のスパッタリング方法。
- 基板をその処理面の面方向に沿って回転させ、その処理面に磁場を形成させつつ、前記基板の斜向かいに位置しかつ異種材料からなるターゲットが配置される複数のカソードに、位置検出手段の検出した前記基板の回転位置に応じて、調整した電力を夫々投入することで、同時スパッタリングによる成膜を実行する成膜ステップを有することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
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