JP2000123344A

JP2000123344A - 磁気記録媒体及びその製造方法ならびに磁気ディスク装置

Info

Publication number: JP2000123344A
Application number: JP10296589A
Authority: JP
Inventors: Hisateru Sato; 久輝佐藤; Iwao Okamoto; 巌岡本
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1998-10-19
Filing date: 1998-10-19
Publication date: 2000-04-28

Abstract

(57)【要約】【課題】媒体ノイズを低く保つことができ、さらに、
オーバーライト特性を向上させ、分解能を高めることが
できる磁気記録媒体を提供すること。【解決手段】非磁性の基板上に非磁性材料からなる下
地層を介して磁性記録層を設けてなり、かつ前記磁性記
録層が、非磁性材料とその材料中に均一に分散せしめら
れた強磁性結晶粒子とから構成されている磁気記録媒体
において、前記下地層が、クロム及びモリブデンを主成
分とするＣｒＭｏ系下地層からなるように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は磁気記録媒体に関
し、さらに詳しく述べると、高い保磁力Ｈｃにより高密
度記録を可能とするとともに、特に、低ノイズであり、
オーバライト特性や分解能に優れた磁気記録媒体に関す
る。本発明はまた、このような磁気記録媒体の製造方法
及びそれを使用した、情報の記録及び再生を行うための
磁気ディスク装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】情報処理技術の発達に伴い、コンピュー
タの外部記憶装置に用いられる磁気ディスク装置に対し
て記録密度の向上が要求されている。具体的には、かか
る磁気ディスク装置の再生ヘッド部において、従来の巻
線型のインダクティブ薄膜磁気ヘッドに代えて、磁界の
強さに応じて電気抵抗が変化する磁気抵抗素子を使用し
た磁気抵抗効果型ヘッド、すなわち、ＭＲヘッドを使用
することが主流になっている。ＭＲヘッドは、磁性体の
電気抵抗が外部磁界により変化する磁気抵抗効果を記録
媒体上の信号の再生に応用したもので、従来のインダク
ティブ薄膜磁気ヘッドに較べて数倍も大きな再生出力幅
が得られること、イングクタンスが小さいこと、大きな
Ｓ／Ｎ比が期待できること、などを特徴としている。ま
た、このＭＲヘッドとともに、異方性磁気抵抗効果を利
用したＡＭＲヘッド、巨大磁気抵抗効果を利用したＧＭ
Ｒヘッド、そしてその実用タイプであるスピンバルブＧ
ＭＲヘッドの使用も始まっている。

【０００３】さらに、高密度記録の要求を満たすため
に、磁気ディスク装置において用いられるべき磁気記録
媒体においても、上記したＭＲヘッド、ＡＭＲヘッドあ
るいはＧＭＲヘッド（スピンバルブヘッドを含む）に対
応する特性が必要である。すなわち、磁気記録媒体で
は、高い保磁力Ｈｃにより高密度記録を可能とするとと
もに、Ｓ／Ｎ比の向上のため、特に低ノイズであること
が求められている。

【０００４】従来の磁気記録媒体では、通常、アルミニ
ウム基板などの非磁性の基板上にコバルトを主成分とす
る合金、典型的にはＣｏＣｒ系合金からなる磁性記録層
を形成している。また、基板と磁性記録層の間には、ク
ロムあるいはその合金からなる非磁性のＣｒ系下地層を
介在せしめている。さらに、一般的には、硬度の向上の
ため、アルミニウム基板の表面にＮｉＰメッキを施して
いる。しかし、上記したようなＣｏＣｒ系合金から磁性
記録層を構成した場合には、記録密度を高くすると、再
生出力の低下の低下と媒体ノイズの増加に原因してＳ／
Ｎ比が低下してしまう。

【０００５】媒体ノイズの発生とその増加の原因となる
ものは、一般的に、磁化遷移部分の磁化のばらつきであ
り、これは、磁性記録層を構成する強磁性粒子間の磁気
的な相互作用に起因している。したがって、媒体ノイズ
の低減のためには、この強磁性粒子間の磁気的な相互作
用を弱くしてやることが必要である。従来のＣｏＣｒ系
合金からなる磁性記録層を有する磁気記録媒体でも、こ
の点を考慮して、ＣｏＣｒ系合金の組成の変更、成膜条
件の改善等により、強磁性部分と非磁性部分の偏析を促
し、ノイズの低減を図っている。

【０００６】一方、磁性記録層を、強磁性結晶粒子間を
非磁性相で分離した構造を有するように構成した磁気記
録媒体、いわゆる「グラニュラ媒体」も報告されてい
る。グラニュラ媒体では、その磁性記録層において、非
磁性相としてＳｉＯ₂などの絶縁体を用いることによ
り、強磁性結晶粒子間の磁気的な相互作用をほぼ完全に
分断することが可能であり、その結果、磁化遷移部分の
磁化のばらつきに起因するノイズをほほゼロに抑えるこ
とができる。このような顕著な特性から、グラニュラ媒
体は、次世代の磁気記録媒体として期待されている。

【０００７】グラニュラ媒体についてさらに説明する
と、例えば、市川らは、「低ノイズ・ＣｏＰｔ−ＳｉＯ
₂磁性粒子分散形磁気記録媒体」と題する論文、第２０
回日本応用磁気学会学術講演概要集（１９９６年）、１
９６頁のなかで、図１に示すような層構成を有する試作
の磁気記録媒体を報告している。磁気記録媒体２０は、
ガラス基板２１の上に、Ｃｒからなる下地層２２、Ｃｏ
Ｐｔ−ＳｉＯ₂分散体からなる磁性記録層２５、そして
カーボン（Ｃ）からなる保護膜２６を順次積層した構成
を有しており、また、磁性記録層２５は、ＳｉＯ₂から
なる非磁性相２３中に飽和磁化の大きなＣｏＰｔ結晶粒
子２４を分散させた構造を有している。ここで、磁性記
録層２５は、Ｃｏ−２０ａｔ％ＰｔターゲットとＳｉＯ
₂ターゲットを同時スパッタして形成したものである。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上記の説明から理解さ
れるように、ＣｏＰｔ−ＳｉＯ₂分散体からなる磁性記
録層を有するグラニュラ媒体は、特に媒体ノイズの低減
に有効であると考えられる。しかし、この媒体は、従来
のＣｏＣｒ系合金からなる磁性記録層を有する媒体と比
較した場合、分解能の指標であるＰＷ₅₀、すなわち、孤
立波再生波形の半値幅値（μｍ）が広いという特性をあ
わせて有しており、この特性が、好ましくないことに、
高周波記録領域における出力の減少、さらにはＳ／Ｎ比
の劣化の減少を引き起こすことになっている。さらに、
従来のグラニュラ媒体では、分解能やオーバーライト特
性が劣るという欠点がある。どうしてこのような欠点が
発生するのかについての完全な究明は完了していない
が、本発明者らのひとつの考察として、磁性記録層に組
み合わせてＣｒ下地層を使用することにより、磁性記録
層の強磁性結晶粒子（ＣｏＰｔ粒子）の結晶構造を六方
最密構造とすることを可能としていることが理由として
挙げられる。すなわち、形成された六方最密構造では、
磁性記録層中の強磁性結晶粒子が、本来磁化容易軸（Ｃ
軸）の面と平行に配向されるべきところを、ほぼ三次元
にランダムに配向されるので、これが、分解能やオーバ
ーライト特性に悪い影響を及ぼしているものと理解され
る。

【０００９】本発明の第１の目的は、上記したような従
来のグラニュラ媒体のいろいろな問題点を解決して、高
い再生出力に結びつく高い保磁力Ｈｃを奏するととも
に、媒体ノイズを低く保つことができ、分解能やオーバ
ーライト特性も向上させることができる磁気記録媒体を
提供することにある。本発明のもう１つの目的は、上記
したような本発明による磁気記録媒体の有利な製造方法
を提供することにある。

【００１０】また、本発明のさらにもう１つの目的は、
上記したような本発明による磁気記録媒体の特性を十二
分に発揮させることのできる磁気ディスク装置を提供す
ることにある。本発明の上記した目的及びその他の目的
は、以下の詳細な説明から容易に理解することができる
であろう。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、その１つの面
において、非磁性の基板上に非磁性材料からなる下地層
を介して磁性記録層を設けてなり、かつ前記磁性記録層
が、非磁性材料とその材料中に均一に分散せしめられた
強磁性結晶粒子とから構成されている磁気記録媒体にお
いて、前記下地層が、クロム及びモリブデンを主成分と
するＣｒＭｏ系下地層からなることを特徴とする磁気記
録媒体にある。

【００１２】また、本発明は、そのもう１つの面におい
て、非磁性の基板上に非磁性材料からなる下地層を介し
て磁性記録層が設けてなり、かつ前記磁性記録層が、非
磁性材料とその材料中に均一に分散せしめられた強磁性
結晶粒子とから構成されている磁気記録媒体を製造する
方法であって、前記下地層をＣｒＭｏ系下地層から構成
するとともに、その下地層をクロムターゲット及びモリ
ブデンターゲットを使用したスパッタ法により成膜する
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法にある。

【００１３】さらに、本発明は、そのもう１つの面にお
いて、磁気記録媒体において情報の記録を行うための記
録ヘッド部及び情報の再生を行うための再生ヘッド部を
備えた磁気ディスク装置であって、前記磁気記録媒体
が、上記しかつ以下において詳細に説明する本発明の磁
気記録媒体であり、そして前記再生ヘッド部が磁気抵抗
効果型ヘッドを備えていることを特徴とする磁気ディス
ク装置にある。

【００１４】

【発明の実施の形態】引き続いて、本発明をその好まし
い実施の形態を参照して説明する。本発明による磁気記
録媒体は、非磁性の基板上に非磁性材料からなる下地層
を介して磁性記録層を設けるとともに、その磁性記録層
を、非磁性材料とその材料中に均一に分散せしめられた
強磁性結晶粒子とから構成した磁気記録媒体にあり、特
に、非磁性の基板と磁性記録層との間に、クロム及びモ
リブデンを主成分とするＣｒＭｏ系下地層を介在せしめ
たことを特徴としている。本発明の磁気記録は、基本的
に、この層構成を満足させる限りにおいて、いろいろな
実施形態をとることができる。

【００１５】本発明の磁気記録媒体の好ましい１実施形
態は、それを断面図で示すと、図２に示す通りである。
すなわち、磁気記録媒体１０は、非磁性の基板１の上
に、ＣｒＭｏ系下地層２を介して、非磁性材料３とその
材料中に均一に分散せしめられた強磁性結晶粒子４とか
ら構成した磁性記録層５を設けて構成することができ
る。さらに、図示の例では、この技術分野において一般
的に行われているように、保護膜６が最上層を構成して
いる。

【００１６】本発明の磁気記録媒体において、その基体
として用いられる非磁性の基板は、本発明の効果に悪影
響を及ぼさない限り、この技術分野において常用のいろ
いろな基板であることができる。本発明の実施において
適当な基板は、好ましくはディスク形状の基板であり、
以下に列挙するものに限定されるわけではないけれど
も、ＮｉＰメッキ付きのアルミニウム基板、シリコン基
板、ガラス基板（結晶化ガラス基板などを含む）、カー
ボン基板などを包含する。また、必要に応じて、ＳｉＯ
₂ 基板、Ａｌ₂ Ｏ₃ 基板、ＭｇＯ基板などの耐熱性のあ
る非磁性の基板を使用してもよい。さらに、シリコン基
板表面を１００nm以上の厚さで酸化してＳｉＯ₂ 表面酸
化膜を有するＳｉ基板を使用してもよい。

【００１７】ガラス基板は、この技術分野において常用
のガラス基板のなかから、適当なものを選択して使用す
ることができる。適当なガラス基板としては、以下に列
挙するものに限定されるわけではないけれども、例え
ば、ソーダライムガラス、アルミノシリケートガラス、
無アルカリガラス、結晶化ガラスなどを挙げることがで
きる。これらのガラス基板は、必要に応じて、その表面
に無方向性の凹凸を有していてもよい。

【００１８】本発明の実施において、非磁性の基板は、
その表面を清浄に処理した後で有利に使用することがで
きる。例えばガラス基板表面の清浄化は、常用の技法に
従って行うことができ、例えば、超純水、アルカリ洗浄
剤、中性洗剤等を使用した脱脂工程やイオン交換水を使
用した洗浄工程などを組み合わせて使用することができ
る。また、このような清浄化工程に追加して、必要に応
じて、基板表面の活性化処理などを施してもよい。さら
に、基板の表面にテクスチャ処理を施して、円周方向に
形成された浅い筋状の突起部及び溝部（凹凸）を付与し
てもよい。テクスチャ処理は、磁気記録媒体の製造にお
いて一般的に用いられている技法に従って行うことがで
きる。適当なテクスチャ処理として、例えば、砥石研磨
テープ、遊離砥粒などの研磨手段で基板の表面を研磨す
ることが挙げられる。基板の表面にテクスチャ処理を施
して凹凸を形成することにより、Ｓ／Ｎ比を向上させ、
ヘッド走行性を改善するという効果を得ることができ
る。

【００１９】本発明の磁気記録媒体において、非磁性の
基板と磁性記録層との間に介在せしめられる下地層は、
前記したように、Ｃｒ及びＭｏを主成分として含有する
ＣｒＭｏ系合金からなる。本発明では、従来のグラニュ
ラ媒体の下地層として用いられてきたＣｒ薄膜中にＭｏ
を添加することで、下地層−強磁性結晶粒子間のエピタ
キシャル成長を促進させ、強磁性結晶粒子の磁化容易軸
（Ｃ軸）の面内配向性を促進させ、優れたオーバーライ
ト特性や高分解能を具現することができる。特に、本発
明者らの研究の結果、Ｃｒ薄膜中にＭｏを１０〜５０ａ
ｔ％の量で添加した場合には特にオーバーライト特性を
改善することができ、また、Ｃｒ薄膜中にＭｏを６０〜
１００ａｔ％の量で添加した場合には（すなわち、この
場合には、「ＣｒＭｏ系下地層」といっても、実質的に
Ｃｒを含有しない、Ｍｏの単独からなる下地層も包含さ
れる）、特に分解能を改善することができる。強磁性結
晶粒子の磁化容易軸の面内配向性の促進についてさらに
説明すると、Ｃｒ薄膜中にＭｏを添加した場合、格子面
間隔を広げることができ、よって、磁性記録層中に含ま
れるＰｔによって広がる磁性記録層の格子面間隔に対し
て下地層の格子面間隔を近くしてやることにより、磁性
記録層のＣ軸の面内への優先配向を促すことができるか
らである。このような顕著な作用効果により、本発明の
磁気記録媒体を使用すると、高密度磁気記録領域におい
ても媒体ノイズを低く保つことが可能となり、高い信号
品質（高Ｓ／Ｎ比）をもち、オーバーライト特性や分解
能に優れた高記録密度の磁気ディスク装置を提供するこ
とができる。

【００２０】ＣｒＭｏ系下地層の組成は、好ましくは、
式：Ｃｒ_100-xＭｏ_x（ｘ＝１０〜１００ａｔ％）によ
って表すことができる。ここで、Ｃｒに対して添加する
Ｍｏの量（ｘ）は、得られる媒体の特性に大きな影響を
及ぼし、したがって、所望とする効果に応じて適宜変更
することができる。例えば、ｘ＝１０〜５０ａｔ％のと
き、オーバーライト特性の顕著な改善を得ることがで
き、また、ｘ＝６０〜１００ａｔ％のとき、分解能の顕
著な改善を得ることができる。

【００２１】ＣｒＭｏ系下地層は、好ましくは、例えば
ＲＦマグネトロンスパッタ法などのスパッタ法により成
膜することができる。また、このスパッタ法は、クロム
ターゲット及びモリブデンターゲットを使用して、それ
らを同時にスパッタするのが有利である。さらに、クロ
ムターゲット及びモリブデンターゲットを同時にスパッ
タする場合、それぞれの投入電力を変化させることでＣ
ｒＭｏ系下地層の組成を有利に調整することができる。

【００２２】さらに、スパッタ法は、保磁力を高めるた
め、ＤＣ負バイアスの印加下に実施するのが好ましい。
適当な成膜条件として、例えば、約１００〜３００℃の
成膜温度、約２００〜１０００秒の成膜時間、約１〜６
ｍＴｏｒｒのＡｒガス圧力、１００Ｗ前後の投入電力、
そして約１００〜３００ＶのＤＣ負バイアスを挙げるこ
とができる。また、必要に応じて、スパッタ法に代え
て、他の成膜法、例えば蒸着法、イオンビームスパッタ
法等を使用してもよい。

【００２３】ＣｒＭｏ系下地層の膜厚は、所望とする効
果に応じて広く変更することができるというものの、通
常、２０〜５０nmの範囲である。この下地層の膜厚が２
０nmを下回ると、磁気特性が十分に発現しないおそれが
あり、また、反対に５０nmを上回ると、ノイズが増大す
るおそれがある。本発明の磁気記録媒体において、磁性
記録層は、そのｔＢｒ（磁性記録層の膜厚ｔと残留磁化
密度Ｂｒの積）が１５０Ｇμｍ以下であり、保磁力Ｈｃ
が１３００Ｏｅ以上であり、かつ非磁性材料中にほぼ一
様に分散せしめられた強磁性結晶粒子の平均粒径が１５
nm以下であることが好ましい。

【００２４】磁性記録層の強磁性結晶粒子としては、本
発明の効果に悪影響を及ぼさない限り、いろいろな結晶
粒子を使用することができるけれども、ＣｏＰｔ系結晶
粒子を使用するのが特に有利である。ＣｏＰｔ系結晶粒
子は、好ましくは、ｆｃｃ構造のＣｏ_100-xＰｔ_x（ｘ
＝１５〜２５ａｔ％）である。このような特定構造の強
磁性粒子を使用することにより、１３００Ｏｅ以上の高
い保磁力Ｈｃを実現することができる。また、この強磁
性粒子を非磁性材料マトリックス中に微分散させること
により、記録密度を上げて、なおかつノイズの低減を図
ることができる。さらに、強磁性粒子の平均粒径を１５
nm以下とし、かつ強磁性粒子どうしの間に非磁性材料を
介在させることにより、強磁性粒子間の磁気的相互作用
を効果的に断ち切ることができる。なお、ＣｏＰｔ系結
晶粒子以外の使用可能な強磁性結晶粒子としては、例え
ば、Ｆｅ，Ｃｏ，ＣｏＣｒ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＲｕな
どを挙げることができる。

【００２５】上述の強磁性結晶粒子と組み合わせて磁性
記録層の形成に用いられるマトリックス材料としての非
磁性材料は、ＣｏＰｔあるいはその他の強磁性結晶粒子
と非相溶性又は難相溶性の非磁性材料であることが好ま
しい。適当な非磁性材料として、例えば、珪素酸化物
（ＳｉＯ₂ ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、カーボン
（Ｃ）、酸化物セラミックス（Ａｌ₂ Ｏ₃ ，ＭｇＯ）な
どを挙げることかできる。強磁性粒子の母相としてアモ
ルファスが適していることやＣｏＰｔとの優れた相性の
面から、特にＳｉＯ₂ が好適である。

【００２６】強磁性結晶粒子と非磁性材料とから上記の
ようなグラニュラ構造の磁気記録層を形成するには、両
者を同時成膜又は積層成膜（非磁性材料／強磁性結晶粒
子、例えばＣｏＰｔ／非磁性材料のように積層するのが
好ましい）した後熱処理する方法が好適である。磁性記
録層のスパッタ法による成膜は、いろいろな成膜条件下
で実施することができる。特に、保磁力を高めるため、
基板に対してバイアス電力の印加下にスパッタ法を実施
するのが好ましい。スパッタ法としては、上記した下地
層の成膜と同様、例えばＲＦマグネトロンスパッタ法な
どを有利に使用することができる。適当な成膜条件とし
て、例えば、約１００〜３５０℃の成膜温度、約４〜６
ｍＴｏｒｒのＡｒガス圧力、そして約８０〜４００Ｖの
ＤＣ負バイアスを挙げることができる。ここで、約３５
０℃を上回る成膜温度は、本来非磁性であるべき基板に
おいて磁性を発現する可能性があるので、その使用を避
けることが望ましい。また、必要に応じて、スパッタ法
に代えて、他の成膜法、例えば蒸着法、イオンビームス
パッタ法等を使用してもよい。

【００２７】さらに具体的に説明すると、前記強磁性結
晶粒子を、基板に対してバイアス電力の印加下に、Ｃｏ
Ｐｔターゲット及びＳｉＯ₂ ターゲットを同時にスパッ
タすることにより成膜するとともに、それぞれの投入電
力を変化させることで、得られる磁性記録層中のＣｏＰ
ｔ及びＳｉＯ₂ の体積比を調整することが好ましい。例
えば、ＲＦスパッタリングで、ＣｏＰｔを１００〜５０
０秒間、１０〜１５０Ｗ、ＳｉＯ₂ を１００〜５００秒
間、５０〜２００Ｗ、同時に放電するとともに、基板に
対して、１〜３Ｗ／in²の範囲のＲＦバイアス電力を１
００〜５００秒間にわたって印加するのが好ましい。

【００２８】また、高い保磁力を達成するため、磁性記
録層の成膜後にそれを５×１０^-6Ｔｏｒｒ以下の高真空
中で５００℃以上の温度で熱処理することが好ましい。
すなわち、強磁性結晶粒子としてＣｏＰｔを例にとった
場合、熱処理前のＣｏＰｔ結晶粒子はその結晶粒径が小
さく、粒子どうしが連続である部分があるために保磁力
が小さいが、熱処理を施すと、ＣｏＰｔとＳｉＯ₂ が非
固溶であることからそれぞれの分離析出が進み、ＣｏＰ
ｔは数十nmの粒径を有する粒子となり、高い保磁力を奏
するからである。本発明者らの知見によると、この効果
を得るためには上記のように最低５００℃の熱処理温度
が必要である。また、このような高真空中での加熱処理
に代えて、例えばＨ₂ 混合ガス等の還元雰囲気中で熱処
理を行っても同様な効果を得ることができる。

【００２９】本発明の実施に当たっては、ＣｏとＰｔも
合金や複合ターゲットなどによる同時成膜のほか、積層
成膜でもよいが、堆積後、熱処理して非磁性材料中に均
一に微分散させるとともに、ｆｃｃ構造の結晶粒子に成
すことが必要である。ＣｏＰｔは通常ｈｃｐ構造が安定
であるが、本発明ではｆｃｃ構造である。したがって、
熱処理温度としては４００℃以上が好ましく、より好ま
しくは５００〜６００℃である。

【００３０】磁気記録層中における非磁性材料（例えば
ＳｉＯ₂ など）と強磁性結晶粒子（例えばＣｏＰｔな
ど）との体積比は、本発明の効果に悪影響を及ぼさない
限りにおいて広く変更することができるというものの、
通常、３０：７０〜８０：２０の範囲であることが好ま
しく、より好ましくは５０：５０〜７０：３０の範囲で
ある。

【００３１】本発明の磁気記録媒体において、磁性記録
層は、上記したように、１５０Ｇμm のｔＢｒ（磁性記
録層の膜厚ｔと残留磁化密度Ｂｒの積）を有しているこ
とが好ましい。本発明の磁性記録層は、従来の磁性記録
層に比較して薄く構成したことにより、特にＭＲヘッド
をはじめとした磁気抵抗効果型ヘッド用として最適であ
る。なお、磁性記録層の膜厚ｔは、上記のｔＢｒの値を
満たせばよいが、一般的には１０〜５０nmの範囲である
のが好ましい。

【００３２】本発明の磁気記録媒体は、必要に応じてか
つ、好ましくは、その最上層として、上記した磁性記録
層の上方に、この技術分野において屡々採用されている
ように、保護膜を有することができる。適当な保護膜と
しては、例えば、カーボンの単独もしくばその化合物か
らなる層、例えばＣ層、ＷＣ層、ＳｉＣ層、Ｂ₄Ｃ層、
水素含有Ｃ層など、あるいは特により高い硬度を有する
という点で最近注目されているダイヤモンドライクカー
ボン（ＤＬＣ）の層を挙げることができるできる。特
に、本発明の実施に当たっては、カーボンあるいはＤＬ
Ｃからなる保護膜を有利に使用することができる。この
ような保護膜は、常法に従って、例えば、スパッタ法、
蒸着法などによって形成することができる。かかる保護
膜の膜厚は、種々のファクタに応じて広い範囲で変更す
ることができるというものの、好ましくは、約５〜１０
nmである。

【００３３】また、上記したような保護膜に代えて、例
えば、アモルファス水素化カーボン膜（ａ−Ｃ：Ｈ膜）
あるいはそれに類する保護膜を使用してもよい。例え
ば、特開平５−８１６６０号公報には、スパッタ法によ
り形成されたアモルファス水素化カーボン膜からなる保
護膜が開示されている。また、特開平６−３４９０５４
号公報には、ＣＳＳ耐久性の改良と薄膜化のため、スパ
ッタ法による水素含有カーボン保護膜を、水素含有率の
低い下層のカーボン膜と水素含有率の高い上層のカーボ
ン膜との少なくとも２層膜構造とすることが開示されて
いる。さらに、最近、スパッタａ−Ｃ：Ｈ膜に代わるべ
きものとして注目されているプラズマＣＶＤ法により形
成したアモルファス水素化カーボン膜（ＰＣＶＤａ−
Ｃ：Ｈ膜）を使用してもよい。例えば、特開平７−７３
４５４号公報には、プラズマＣＶＤ法において、反応性
ガスとしてＣＨ₄ガス、ＣＦ₄などを使用することを特
徴とするカーボン保護膜製造方法が開示されている。

【００３４】本発明の磁気記録媒体は、上記したような
必須の層及び任意に使用可能な層に加えて、この技術分
野において常用の追加の層を有していたり、さもなけれ
ば、含まれる層に任意の化学処理等が施されていてもよ
い。例えば、上記した保護膜の上に、フルオロカーボン
樹脂系の潤滑層が形成されていたり、さもなければ、同
様な処理が施されていてもよい。

【００３５】本発明は、そのもう１つの面において、非
磁性の基板上に非磁性材料からなる下地層を介して磁性
記録層が設けてなり、かつ前記磁性記録層が、非磁性材
料とその材料中に均一に分散せしめられた強磁性結晶粒
子とから構成されている磁気記録媒体を製造する方法で
あって、前記下地層をＣｒＭｏ系下地層から構成すると
ともに、その下地層をクロムターゲット及びモリブデン
ターゲットを使用したスパッタ法により成膜することを
特徴とする磁気記録媒体の製造方法にある。

【００３６】本発明方法の実施に当たっては、先にも説
明したように、下地層の成膜をＲＦマグネトロンスパッ
タ法により行うことが好ましい。また、ＣｒＭｏ系下地
層の組成をＣｒ_100-xＭｏ_x（ｘ＝６０〜９９ａｔ％）
とするとともに、Ｃｒターゲット及びＭｏターゲットを
同時にスパッタしかつ、その際、それぞれの投入電力を
変化させることでＣｒＭｏ系下地層の組成を調整するこ
とが好ましい。

【００３７】同様に、磁性記録層を、スパッタ法によ
り、ｔＢｒ（磁性記録層の膜厚ｔと残留磁化密度Ｂｒの
積）が１５０Ｇμｍ以下であり、保磁力Ｈｃが１３００
Ｏｅ以上であり、かつ非磁性材料中に分散せしめられた
強磁性結晶粒子の平均粒径が１５nm以下であるように成
膜することが好ましい。ここで、強磁性結晶粒子を、Ｃ
ｏＰｔターゲットを使用して、ＣｏＰｔ系結晶粒子から
構成することが好ましい。また、ＣｏＰｔ系結晶粒子
は、好ましくは、ｆｃｃ構造のＣｏ_100-xＰｔ_x（ｘ＝
１５〜２５ａｔ％）である。同様に、磁性記録層の非磁
性材料を、ＳｉＯ₂ターゲットを使用して、ＳｉＯ₂ か
ら構成することが好ましい。

【００３８】さらに具体的には、磁性記録層を、基板に
対してバイアス電力の印加下に、ＣｏＰｔターゲット及
びＳｉＯ₂ ターゲットを同時にスパッタすることにより
成膜するとともに、それぞれの投入電力を変化させるこ
とで、得られる磁性記録層中のＣｏＰｔ及びＳｉＯ₂ の
体積比を調整することが好ましい。基板に対して印加さ
れるバイアス電力は、好ましくは、１〜３Ｗ／in²の範
囲である。

【００３９】本発明方法の実施において、下地層及びそ
の上方の磁性記録層は、どちらもスパッタ法により、好
ましくはインラインプロセスで行うことが好ましい。こ
のようにすることによって、本発明の磁気記録媒体の製
造に要する時間や費用を大幅に短縮、低減することがで
き、また、得られる媒体の特性等も、高レベルに維持す
ることができる。

【００４０】さらにまた、本発明は、そのもう１つの面
において、以上に詳細に説明した本発明の磁気記録媒体
を使用した磁気ディスク装置にある。本発明の磁気ディ
スク装置は、磁気記録媒体において情報の記録を行うた
めの記録ヘッド部及び情報の再生を行うための再生ヘッ
ド部を備えた磁気ディスク装置であって、前記磁気記録
媒体が本発明の磁気記録媒体であり、そして前記再生ヘ
ッド部が磁気抵抗効果型ヘッドを備えていることを特徴
とする磁気ディスク装置にある。ここで、磁気抵抗効果
型ヘッドは、好ましくは、ＭＲヘッド、ＡＭＲヘッド又
はＧＭＲヘッドである。

【００４１】本発明の磁気ディスク装置において、その
構造は特に限定されないというものの、基本的に、磁気
記録媒体において情報の記録を行うための記録ヘッド部
及び情報の再生を行うための再生ヘッド部を備えている
装置を包含する。特に、再生ヘッド部は、以下に説明す
るように、磁界の強さに応じて電気抵抗が変化する磁気
抵抗素子を使用した磁気抵抗効果型ヘッド、すなわち、
ＭＲヘッドを備えていることが好ましい。

【００４２】本発明の磁気ディスク装置において、好ま
しくは、磁気抵抗効果素子及び該磁気抵抗効果素子にセ
ンス電流を供給する導体層を有し、磁気記録媒体からの
情報の読み出しを行う磁気抵抗効果型の再生ヘッド部
と、薄膜で形成された一対の磁極を有し、磁気記録媒体
への情報の記録を行う誘導型の記録ヘッド部とが積層さ
れてなる複合型の磁気ヘッドを使用することができる。
磁気抵抗効果型の再生ヘッドは、この技術分野において
公知のいろいろな構造を有することができ、そして、好
ましくは、異方性磁気抵抗効果を利用したＡＭＲヘッド
又は巨大磁気抵抗効果を利用したＧＭＲヘッド（スピン
バルブＧＭＲヘッド等を含む）を包含する。再生ヘッド
部の導体層は、いろいろな構成を有することができるけ
れども、好ましくは、１．導体層の膜厚に関して、磁気
抵抗効果素子の近傍部分を比較的に薄く形成し、その他
の部分を厚く形成したもの、２．導体層の膜厚及び幅員
に関して、磁気抵抗効果素子の近傍部分のそれを比較的
に薄くかつ細く形成し、その他の部分を厚くかつ幅広に
形成したもの、を包含する。導体層の膜厚及び必要に応
じて幅員を上記のように調整することは、いろいろな手
法に従って行うことができるものの、特に、導体層の多
層化によって膜厚の増加を図ることによりこれを達成す
ることが推奨される。

【００４３】特に上記したような構成の磁気ディスク装
置を使用すると、従来の複合型の磁気ヘッドに比較し
て、記録ヘッド部の磁極の湾曲を小さくするとともに導
体層の抵抗を下げ、オフトラックが小さい範囲であれ
ば、精確にかつ高感度で情報を読み出すことができる。

【００４４】

【実施例】引き続いて、本発明をその実施例を参照して
詳細に説明する。なお、本発明は下記の実施例に限定さ
れるものではないことを理解されたい。例１磁気記録媒体の製造ＲＦマグネトロンスパッタ装置を用意し、成膜工程に先
がけてスパッタ室内で１×１０^-7〜１×１０^-10Ｔｏｒ
ｒの真空引きを行った。よく洗浄された表面を有するデ
ィスク状のＮｉＰメッキ付きのアルミニウム基板（Ｎｉ
Ｐ／Ａｌ基板）をサンプルホルダーにセットした後、基
板温度を２００℃に高め、Ａｒガスを導入してスパッタ
室内を５ｍＴｏｒｒに保持し、−２００Ｖのバイアスを
印加しながら、Ｃｒターゲット及びＭｏターゲットを使
用した同時スパッタリングによりＣｒＭｏ下地層を膜厚
５０nmで成膜した。成膜時間は約１０００秒、投入電力
は約１００Ｗであった。ここで、Ｃｒ薄膜におけるＭｏ
の添加効果を評価することを目的として、ＣｒＭｏ下地
層におけるＭｏ量が０〜１００ａｔ％となるように、両
ターゲットの組成比を変更した。

【００４５】ＣｒＭｏ下地層（Ｍｏ＝０〜１００ａｔ
％）の形成後、同じＲＦマグネトロンスパッタ装置にお
いて、基板温度を２００℃に高め、Ａｒガスを導入して
スパッタ室内を５ｍＴｏｒｒに保持し、−２００Ｖのバ
イアスを印加しながら、ＣｏＰｔターゲット及びＳｉＯ
₂ ターゲットを使用した同時スパッタリングを実施し
た。ＣｏＰｔ及びＳｉＯ₂ を、それぞれ、５００秒間及
び１５０Ｗならびに５００秒間及び２００Ｗで同時に放
電するとともに、基板に対して、０〜５Ｗ／in²のＲＦ
バイアス電力を５００秒間にわたって印加した。ここ
で、ＣｏＰｔ中におけるＰｔの添加効果を評価すること
を目的として、得られるＣｏＰｔ−ＳｉＯ₂ 薄膜におけ
るＰｔ量が０〜３５ａｔ％となるように、ＣｏＰｔター
ゲットの組成比を変更した。膜厚２６．５nmのＣｏＰｔ
（Ｐｔ＝０〜３５ａｔ％）−ＳｉＯ₂ 磁性記録層が得ら
れた。得られた磁性記録層において、１５nm以下の平均
粒径を有する強磁性のＣｏＰｔ結晶粒子が非磁性のＳｉ
Ｏ₂ 中にほぼ一様に微分散されていることが平面ＴＥＭ
（透過型電子顕微鏡）によって確認された。得られた磁
性記録層をさらに真空中（５×１０^-6Ｔｏｒｒ以下）で
６００℃で１時間にわたって熱処理した後、その表面に
カーボン（Ｃ）保護膜をスパッタ成膜した。この成膜の
ため、先に使用したＲＦマグネトロンスパッタ装置とは
別のスパッタ装置を用意し、スパッタ室内を真空引きし
た後、基板温度を２００℃に高め、９ｍＴｏｒｒのＡｒ
ガス及び１ｍＴｏｒｒのＮ₂ガスをスパッタ室内に導入
した。カーボンターゲットを使用して、ＤＣ電源からの
１ｋｗの電力を６．２秒間にわたって投入したところ、
膜厚８nmのＣ保護膜が得られた。

【００４６】以上のようなインラインスパッタプロセス
を通じて、図２に示したような層構成を有する磁気記録
媒体（磁気ディスク）を得ることができた。例２磁気記録媒体の評価前記例１において作製した磁気記録媒体について、下記
の項目に関して特性の評価を行った。なお、組成分析に
はＥＤＸ、磁気測定にはＶＳＭを用いた。（１）磁気記録媒体のｔＢｒのＭｏ濃度依存性前記例１において作製した磁気記録媒体（ＣｒＭｏ下地
層中のＭｏ濃度＝０〜１００ａｔ％）において、そのｔ
Ｂｒ（ＣｏＰｔ−ＳｉＯ₂ 磁性記録層の膜厚ｔと残留磁
化密度Ｂｒの積）を異なるＭｏ濃度で測定したところ、
図３にプロットするような結果が得られた。図３のグラ
フから、本例の磁気記録媒体の場合、そのｔＢｒはＣｒ
Ｍｏ下地層中のＭｏ濃度の変化にかかわりなくほぼ１１
０Ｇμｍであることが判明した。（２）ＭＲヘッドの再生出力と記録密度の関係先に説明したように、近年、高記録密度の記録信号の再
生に磁気抵抗型のヘッド（ＭＲヘッド）が用いられてい
る。ＭＲヘッドは従来のインダクティブ型のヘッドに比
べて非常に感度が高い一方、感度の直線性範囲が０〜１
５０Ｇμｍの狭い範囲に限られている。図４は、ＭＲヘ
ッドを用いたときの再生出力（実効出力）と記録密度の
関係を、前記例１に記載の手法に従って作製した５種類
の異なるｔＢｒ（２０、５０、１００、１５０及び２０
０Ｇμｍ）を有する磁気記録媒体について示したもので
ある。図示のグラフから理解されるように、低記録密度
領域ではｔＢｒの大きな媒体の方が出力が大きいが、高
記録密度領域、特に１００kFRPI 近くになってくると、
ｔＢｒの小さな媒体の方が再生出力が大きくなってい
る。したがって、ＭＲヘッドを高密度記録領域（１２０
kFRPI 以上）で使用するには、ｔＢｒが１５０Ｇμｍで
あることが望ましい。（３）磁気記録媒体の保磁力ＨｃのＭｏ濃度依存性前記例１において作製した磁気記録媒体（ＣｒＭｏ下地
層中のＭｏ濃度＝０〜１００ａｔ％）において、その保
磁力Ｈｃを異なるＭｏ濃度で測定したところ、図５にプ
ロットするような結果が得られた。図５のグラフから、
本例の磁気記録媒体の場合、その保磁力Ｈｃは所望の最
低レベルである１３００Ｏｅを大きく上回る１８００Ｏ
ｅ以上であり、Ｍｏ濃度の増加につれて上昇する傾向に
あることが判明した。（４）磁気記録媒体のＣｒＭｏの（１１０）面間隔のＭ
ｏ濃度依存性前記例１において作製した磁気記録媒体（Ｃｏ₈₀Ｐ
ｔ₂₀；ＣｒＭｏ下地層中のＭｏ濃度＝０〜１００ａｔ
％）において、そのＣｒＭｏの（１１０）面間隔を異な
るＭｏ濃度で測定したところ、図６にプロットするよう
な結果が得られた。図６のグラフから、本例の磁気記録
媒体の場合、ＣｒＭｏの（１１０）面間隔はＭｏ濃度が
２０ａｔ％の近傍にある時にＣｏＰｔの（００２）面間
隔に等しくなることが分かる。また、薄膜たる磁性記録
層の配向結晶面は、その下地層の結晶面の面間隔の影響
を大きく受ける傾向にあるので、ＣｏＰｔ薄膜とＣｒＭ
ｏ下地層の場合、ＣｏＰｔの（００２）面間隔とＣｒＭ
ｏの（１１０）面間隔とをマッチングさせることで、強
磁性ＣｏＰｔ結晶粒子の磁化容易軸（Ｃ軸）を面内方向
に優先的に配向させることができる。したがって、本例
の場合、磁気記録媒体におけるＣｏＰｔの（００２）面
間隔が図示のように２．０９４０Åであることから、Ｃ
ｒＭｏのＭｏ濃度を２０ａｔ％の近傍に調整した時に、
最大のオーバーライト特性を得ることができることがわ
かる。（５）磁気記録媒体のオーバーライト特性のＭｏ濃度依
存性前記例１において作製した磁気記録媒体（Ｃｏ₈₀Ｐ
ｔ₂₀；ＣｒＭｏ下地層中のＭｏ濃度＝０〜１００ａｔ
％）において、その媒体のオーバーライト特性０／Ｗ値
（ｄＢ）を異なるＭｏ濃度で測定したところ、図７にプ
ロットするような結果が得られた。図７のグラフから、
本例の磁気記録媒体の場合、ＣｒＭｏ下地層中にＭｏを
１０〜５０ａｔ％の濃度で添加することにより、従来の
Ｃｒ単独からなる下地層を有する媒体（Ｍｏ濃度＝０ａ
ｔ％のときの０／Ｗ値を参照）と比較して、０／Ｗ値を
およそ−１０ｄＢ程度改善できるということが判明し
た。（６）磁気記録媒体のＰＷ₅₀のＭｏ濃度依存性前記例１において作製した磁気記録媒体（Ｃｏ₈₀Ｐ
ｔ₂₀；ＣｒＭｏ下地層中のＭｏ濃度＝０〜１００ａｔ
％）において、その媒体の孤立波再生波形の半値幅値Ｐ
Ｗ₅₀（μｍ）を異なるＭｏ濃度で測定したところ、図８
にプロットするような結果が得られた。図８のグラフか
ら、本例の磁気記録媒体の場合、ＣｒＭｏ下地層中にＭ
ｏを６０〜１００ａｔ％の濃度で添加することにより、
従来のＣｒ単独からなる下地層を有する媒体（Ｍｏ濃度
＝０ａｔ％のときのＰＷ₅₀を参照）と比較して、ＰＷ₅₀
をおよそ０．３０μｍ程度狭めることができ、分解能の
改善に有効であるということが判明した。（７）磁気記録媒体の高密度記録状態におけるＳ／Ｎ比
のＭｏ濃度依存性前記例１において作製した磁気記録媒体（Ｃｏ₈₀Ｐ
ｔ₂₀；ＣｒＭｏ下地層中のＭｏ濃度＝０〜１００ａｔ
％）において、その媒体の高密度記録状態（１６０ｋＦ
ＣＩ）におけるＳ／Ｎ比、Ｓ_160kFCI／Ｎｍ（ｄＢ）を
異なるＭｏ濃度で測定したところ、図９にプロットする
ような結果が得られた。図９のグラフから、本例の磁気
記録媒体の場合、ＣｒＭｏ下地層中にＭｏを６０〜１０
０ａｔ％の濃度で添加することにより、従来のＣｒ単独
からなる下地層を有する媒体（Ｍｏ濃度＝０ａｔ％のと
きのＳ_160kFCI／Ｎｍを参照）と比較して、Ｓ_160kFCI
／Ｎｍをおよそ１．５ｄＢ程度改善できるということが
判明した。なお、このような改善は、上記したようにＰ
Ｗ₅₀が狭くなり、分解能が上昇したことに由来してい
る。（８）磁気記録媒体の保磁力ＨｃのＰｔ濃度依存性前記例１において作製した磁気記録媒体（ＣｏＰｔ−Ｓ
ｉＯ₂ 薄膜におけるＰｔ濃度＝０〜３５ａｔ％；ＣｒＭ
ｏ下地層中のＭｏ濃度＝５０ａｔ％）において、その保
磁力Ｈｃを０〜３５ａｔ％の範囲の異なるＰｔ濃度で測
定したところ、図１０にプロットするような結果が得ら
れた。図１０のグラフから、本例の磁気記録媒体の場
合、その保磁力ＨｃはＰｔ濃度が１５〜２５ａｔ％の時
に最大になることが判明した。また、ＣｒＭｏ下地層中
のＭｏ濃度を５０ａｔ％から１０、６０及び１００ａｔ
％に変更した場合にも、同様な結果を得ることができ
た。（９）磁気記録媒体の保磁力Ｈｃのバイアス電力依存性前記例１において作製した磁気記録媒体（Ｃｏ₈₀Ｐ
ｔ₂₀；ＣｒＭｏ下地層中のＭｏ濃度＝５０ａｔ％）にお
いて、その保磁力Ｈｃを０〜５Ｗ／in²の範囲の異なる
バイアス電力の印加下に測定したところ、図１１にプロ
ットするような結果が得られた。図１１のグラフから、
本例の磁気記録媒体の場合、その保磁力Ｈｃはバイアス
電力が１〜３Ｗ／in²の時に最大になることが判明し
た。また、ＣｒＭｏ下地層中のＭｏ濃度を５０ａｔ％か
ら１０、６０及び１００ａｔ％に変更した場合にも、同
様な結果を得ることができた。

【００４７】

【発明の効果】本発明によると、磁気記録媒体におい
て、高い保磁力Ｈｃにより高密度記録を可能とするとと
もに、特に、使用する磁性記録層の特性に由来して媒体
ノイズを低く保つことができ、さらに、オーバーライト
特性を向上させ、分解能を高めることができる。また、
本発明によれば、このような磁気記録媒体の有利な製造
方法や、この磁気記録媒体を使用した、高い信号品質
（高Ｓ／Ｎ比）をもつ高記録密度の磁気ディスク装置も
提供することができる。本発明の磁気ディスク装置で
は、磁気抵抗型ヘッドを装備しているので、非常に高い
感度か得られるという効果もある。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の磁気記録媒体の一例を示した断面図であ
る。

【図２】本発明による磁気記録媒体の好ましい１実施態
様を示した断面図である。

【図３】本発明の磁気記録媒体のｔＢｒのＭｏ濃度依存
性を示したグラフである。

【図４】ＭＲヘッドの再生出力と記録密度の関係を示し
たグラフである。

【図５】本発明の磁気記録媒体の保磁力ＨｃのＭｏ濃度
依存性を示したグラフである。

【図６】本発明の磁気記録媒体のＣｒＭｏの（１１０）
面間隔のＭｏ濃度依存性を示したグラフである。

【図７】本発明の磁気記録媒体のオーバーライト特性の
Ｍｏ濃度依存性を示したグラフである。

【図８】本発明の磁気記録媒体のＰＷ₅₀のＭｏ濃度依存
性を示したグラフである。

【図９】本発明の磁気記録媒体の高密度記録状態におけ
るＳ／Ｎ比のＭｏ濃度依存性を示したグラフである。

【図１０】本発明の磁気記録媒体の保磁力ＨｃのＰｔ濃
度依存性を示したグラフである。

【図１１】本発明の磁気記録媒体の保磁力Ｈｃのバイア
ス電力依存性を示したグラフである。

【符号の説明】

１…非磁性の基板２…下地層３…非磁性材料４…強磁性結晶粒子５…磁性記録層６…保護膜１０…磁気記録媒体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｆ 41/18 Ｈ０１Ｆ 41/18 Ｆターム(参考） 5D006 BB01 BB06 BB07 CA01 DA03 EA03 FA09 5D112 AA03 AA05 AA24 BB05 BB06 BB10 BD04 FA04 FB05 FB14 5E049 AA04 AA09 AC00 AC05 BA06 BA12 CB02 CC01 DB02 DB04 DB12 GC02 GC04

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性の基板上に非磁性材料からなる下
地層を介して磁性記録層を設けてなり、かつ前記磁性記
録層が、非磁性材料とその材料中に均一に分散せしめら
れた強磁性結晶粒子とから構成されている磁気記録媒体
において、前記下地層が、クロム及びモリブデンを主成分とするＣ
ｒＭｏ系下地層からなることを特徴とする磁気記録媒
体。
【請求項２】前記磁性記録層において、ｔＢｒ（磁性
記録層の膜厚ｔと残留磁化密度Ｂｒの積）が１５０Ｇμ
ｍ以下であり、保磁力Ｈｃが１３００Ｏｅ以上であり、
かつ前記非磁性材料中に分散せしめられた強磁性結晶粒
子の平均粒径が１５nm以下であることを特徴とする請求
項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】前記強磁性結晶粒子がＣｏＰｔ系結晶粒
子からなることを特徴とする請求項２に記載の磁気記録
媒体。
【請求項４】前記ＣｏＰｔ系結晶粒子がｆｃｃ構造の
Ｃｏ_100-xＰｔ_x（ｘ＝１５〜２５ａｔ％）であること
を特徴とする請求項３に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】前記磁性記録層の非磁性材料がＳｉＯ₂
であることを特徴とする請求項２記載の磁気記録媒体。
【請求項６】非磁性の基板上に非磁性材料からなる下
地層を介して磁性記録層が設けてなり、かつ前記磁性記
録層が、非磁性材料とその材料中に均一に分散せしめら
れた強磁性結晶粒子とから構成されている磁気記録媒体
を製造する方法であって、前記下地層をＣｒＭｏ系下地層から構成するとともに、
その下地層をクロムターゲット及びモリブデンターゲッ
トを使用したスパッタ法により成膜することを特徴とす
る磁気記録媒体の製造方法。
【請求項７】前記ＣｒＭｏ系下地層の成膜をＲＦマグ
ネトロンスパッタ法により行うことを特徴とする請求項
６に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項８】前記ＣｒＭｏ系下地層の組成をＣｒ
_100-xＭｏ_x（ｘ＝１０〜１００ａｔ％）とするととも
に、クロムターゲット及びモリブデンターゲットを同時
にスパッタしかつ、その際、それぞれの投入電力を変化
させることでＣｒＭｏ系下地層の組成を調整することを
特徴とする請求項６に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項９】前記磁性記録層を、スパッタ法により、
ｔＢｒ（磁性記録層の膜厚ｔと残留磁化密度Ｂｒの積）
が１５０Ｇμｍ以下であり、保磁力Ｈｃが１３００Ｏｅ
以上であり、かつ前記非磁性材料中に分散せしめられた
強磁性結晶粒子の平均粒径が１５nm以下であるように成
膜することを特徴とする請求項６に記載の磁気記録媒体
の製造方法。
【請求項１０】前記強磁性結晶粒子をＣｏＰｔ系結晶
粒子から構成することを特徴とする請求項９に記載の磁
気記録媒体の製造方法。
【請求項１１】前記ＣｏＰｔ系結晶粒子がｆｃｃ構造
のＣｏ_100-xＰｔ_x（ｘ＝１５〜２５ａｔ％）であるこ
とを特徴とする請求項１０に記載の磁気記録媒体の製造
方法。
【請求項１２】前記磁性記録層の非磁性材料をＳｉＯ
₂ から構成することを特徴とする請求項９に記載の磁気
記録媒体の製造方法。
【請求項１３】磁気記録媒体において情報の記録を行
うための記録ヘッド部及び情報の再生を行うための再生
ヘッド部を備えた磁気ディスク装置であって、前記磁気
記録媒体が請求項１〜５のいずれか１項に記載の磁気記
録媒体であり、そして前記再生ヘッド部が磁気抵抗効果
型ヘッドを備えていることを特徴とする磁気ディスク装
置。
【請求項１４】前記磁気抵抗効果型ヘッドが、ＭＲヘ
ッド、ＡＭＲヘッド又はＧＭＲヘッドであることを特徴
とする請求項１３に記載の磁気ディスク装置。