JPH09265621A - 磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体及びその製造方法Info
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- JPH09265621A JPH09265621A JP7400496A JP7400496A JPH09265621A JP H09265621 A JPH09265621 A JP H09265621A JP 7400496 A JP7400496 A JP 7400496A JP 7400496 A JP7400496 A JP 7400496A JP H09265621 A JPH09265621 A JP H09265621A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 トラック内における出力変動が極めて小さい
磁気ディスク媒体を提供する。 【解決手段】 円盤状非磁性基板上に必要に応じて下地
層を介して磁性層を成膜してなり、場合によってさらに
保護層及び潤滑層を成膜してなる円盤状磁気記録媒体で
あって、１００×（Ｖmax−Ｖmin）／Ｖavg（％）で定
義される出力変動が５％以内である磁気記録媒体（ただ
し、Ｖmaxは再生時に任意のトラック一周内で検出され
る出力値の最大値、Ｖminは同最小値、Ｖavgは同平均値
を表す。）、および、下地層、磁性層及び保護層の少な
くとも一層を円盤状ターゲットを用いたスパッタリング
法により成膜し、かつ、該ターゲットの中心軸と円盤状
基板の中心軸とのズレが基板直径の１０％以内となる位
置に保ちつつ成膜を行う磁気記録媒体の製造方法。
磁気ディスク媒体を提供する。 【解決手段】 円盤状非磁性基板上に必要に応じて下地
層を介して磁性層を成膜してなり、場合によってさらに
保護層及び潤滑層を成膜してなる円盤状磁気記録媒体で
あって、１００×（Ｖmax−Ｖmin）／Ｖavg（％）で定
義される出力変動が５％以内である磁気記録媒体（ただ
し、Ｖmaxは再生時に任意のトラック一周内で検出され
る出力値の最大値、Ｖminは同最小値、Ｖavgは同平均値
を表す。）、および、下地層、磁性層及び保護層の少な
くとも一層を円盤状ターゲットを用いたスパッタリング
法により成膜し、かつ、該ターゲットの中心軸と円盤状
基板の中心軸とのズレが基板直径の１０％以内となる位
置に保ちつつ成膜を行う磁気記録媒体の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気記録媒体及びそ
の製造方法に係り、特に、磁気ディスク装置に用いられ
る磁気記録媒体であって、その磁気特性が著しく向上さ
れた磁気記録媒体及びその製造方法に関するものであ
る。
の製造方法に係り、特に、磁気ディスク装置に用いられ
る磁気記録媒体であって、その磁気特性が著しく向上さ
れた磁気記録媒体及びその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気ディスク装置をはじめとする
データ記録装置の適用範囲は著しく増大され、その重要
性が増すとともに、これらの装置に用いられる磁気記録
媒体について、その記録密度の著しい向上が図られつつ
ある。
データ記録装置の適用範囲は著しく増大され、その重要
性が増すとともに、これらの装置に用いられる磁気記録
媒体について、その記録密度の著しい向上が図られつつ
ある。
【０００３】とりわけ最近ではその面記録密度の増加は
激しいものがあり、ヘッド浮上量の低下、磁気抵抗素子
を使用したＭＲヘッドの利用などが進められている。媒
体の磁気記録層の膜厚も小さくなっており、特にディス
ク上に同心円状に記録されたデータ用のトラック内にお
ける出力変動を以前よりまして小さく押さえ込むことが
重要になってきている。そのためには、磁気記録層をは
じめ、非磁性下地層、保護層を均一に形成することが必
須である。
激しいものがあり、ヘッド浮上量の低下、磁気抵抗素子
を使用したＭＲヘッドの利用などが進められている。媒
体の磁気記録層の膜厚も小さくなっており、特にディス
ク上に同心円状に記録されたデータ用のトラック内にお
ける出力変動を以前よりまして小さく押さえ込むことが
重要になってきている。そのためには、磁気記録層をは
じめ、非磁性下地層、保護層を均一に形成することが必
須である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】スパッタリング法を用
いて磁気ディスクを量産する場合、従来は図３のような
方形のトレイに複数枚の非磁性基板を配置し、このトレ
イを大型の矩形ターゲットを放電させたスパッタリング
チャンバー内を平行移動させて膜の形成を行っていた。
この方法は短時間に大量の磁気ディスク媒体を生産する
のには優れているものの、基板のセットされた位置によ
って膜特性の違いが生じる。また、トレイの移動に伴
い、スパッタリングされた粒子の入射方向が刻々と変化
するため同一基板内でもトレイ進行方向と上下方向とで
磁気特性などが分布をもつことがほとんどであった。
いて磁気ディスクを量産する場合、従来は図３のような
方形のトレイに複数枚の非磁性基板を配置し、このトレ
イを大型の矩形ターゲットを放電させたスパッタリング
チャンバー内を平行移動させて膜の形成を行っていた。
この方法は短時間に大量の磁気ディスク媒体を生産する
のには優れているものの、基板のセットされた位置によ
って膜特性の違いが生じる。また、トレイの移動に伴
い、スパッタリングされた粒子の入射方向が刻々と変化
するため同一基板内でもトレイ進行方向と上下方向とで
磁気特性などが分布をもつことがほとんどであった。
【０００５】この分布は、磁気ディスク装置の記録密度
が相対的に低かった時代には問題とはならなかったが、
近年の著しい磁気ディスク装置の高性能化によって大き
な問題となってきている。本発明はこの平行移動型の磁
気ディスク製造法を用いた場合に生ずる面内磁気特性の
分布を解消しようとするものである。
が相対的に低かった時代には問題とはならなかったが、
近年の著しい磁気ディスク装置の高性能化によって大き
な問題となってきている。本発明はこの平行移動型の磁
気ディスク製造法を用いた場合に生ずる面内磁気特性の
分布を解消しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、円盤状
非磁性基板上に必要に応じて下地層を介して磁性層を成
膜してなり、場合によってさらに保護層及び潤滑層を成
膜してなる円盤状磁気記録媒体であって、１００×(Ｖm
ax−Ｖmin)／Ｖavg（％）で定義される出力変動が５％
以内であることを特徴とする磁気記録媒体に存する。
（ただし、Ｖmaxは再生時に任意のトラック一周内で検
出される出力値の最大値、Ｖminは同最小値、Ｖavgは同
平均値を表す。）
非磁性基板上に必要に応じて下地層を介して磁性層を成
膜してなり、場合によってさらに保護層及び潤滑層を成
膜してなる円盤状磁気記録媒体であって、１００×(Ｖm
ax−Ｖmin)／Ｖavg（％）で定義される出力変動が５％
以内であることを特徴とする磁気記録媒体に存する。
（ただし、Ｖmaxは再生時に任意のトラック一周内で検
出される出力値の最大値、Ｖminは同最小値、Ｖavgは同
平均値を表す。）
【０００７】また、本発明の別の要旨は、円盤状非磁性
基板上に必要に応じて下地層を介して磁性層を成膜し、
場合によってさらに保護層及び潤滑層を成膜して磁気記
録媒体を製造するにあたり、下地層、磁性層及び保護層
の少なくとも一層を円盤状ターゲットを用いたスパッタ
リング法により成膜し、かつ、該ターゲットの中心軸と
対向する円盤状基板の中心軸とのズレが基板直径の１０
％以内となる位置に保ちつつ成膜を行うことを特徴とす
る磁気記録媒体の製造方法に存する。
基板上に必要に応じて下地層を介して磁性層を成膜し、
場合によってさらに保護層及び潤滑層を成膜して磁気記
録媒体を製造するにあたり、下地層、磁性層及び保護層
の少なくとも一層を円盤状ターゲットを用いたスパッタ
リング法により成膜し、かつ、該ターゲットの中心軸と
対向する円盤状基板の中心軸とのズレが基板直径の１０
％以内となる位置に保ちつつ成膜を行うことを特徴とす
る磁気記録媒体の製造方法に存する。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。本発明において、非磁性基板としては特に制限は
なく、通常、無電解メッキ法により形成したＮｉ−Ｐ層
を設けたアルミニウム合金板が用いられるが、その他、
銅、チタン等の金属基板、ガラス基板、セラミック基
板、炭素基板、シリコン基板または各種樹脂基板等を用
いることもできる。
する。本発明において、非磁性基板としては特に制限は
なく、通常、無電解メッキ法により形成したＮｉ−Ｐ層
を設けたアルミニウム合金板が用いられるが、その他、
銅、チタン等の金属基板、ガラス基板、セラミック基
板、炭素基板、シリコン基板または各種樹脂基板等を用
いることもできる。
【０００９】このような非磁性基板上に形成する磁気デ
ィスク媒体は通常、クロムを主成分とする非磁性下地層
を介し、コバルトを主成分とする磁性層、炭素を主成分
とする保護層を有するのが一般的である。しかしながら
本発明における磁気ディスク媒体はこの限りではなく、
あらゆる層構成をもつ媒体を含む。また、各種の非磁性
下地層はいかなる材料を用いたものでもよく、その膜の
層数も任意である。同様に磁性膜層の材料、層数も任意
である。さらに磁性層中に一定の数の非磁性中間層等が
挿入された構成であっても本発明の効果には影響がな
い。
ィスク媒体は通常、クロムを主成分とする非磁性下地層
を介し、コバルトを主成分とする磁性層、炭素を主成分
とする保護層を有するのが一般的である。しかしながら
本発明における磁気ディスク媒体はこの限りではなく、
あらゆる層構成をもつ媒体を含む。また、各種の非磁性
下地層はいかなる材料を用いたものでもよく、その膜の
層数も任意である。同様に磁性膜層の材料、層数も任意
である。さらに磁性層中に一定の数の非磁性中間層等が
挿入された構成であっても本発明の効果には影響がな
い。
【００１０】本発明の製造方法においては、下地層、磁
性層及び保護層の少なくとも一層を円盤状ターゲットを
用いたスパッタリング法により成膜し、かつ、該ターゲ
ットの中心軸と対向する円盤状基板の中心軸とのズレが
基板直径の１０％以内となる位置に保ちつつ成膜を行う
ことを特徴とする。設けられる層のすべてがこのような
条件を満足すると、出力の変動抑制に極めて効果的であ
る。なお、ここで言う基板及びターゲットの中心軸と
は、円盤状基板又は円盤状ターゲットの直径に対して垂
直な方向における中心軸を指す。
性層及び保護層の少なくとも一層を円盤状ターゲットを
用いたスパッタリング法により成膜し、かつ、該ターゲ
ットの中心軸と対向する円盤状基板の中心軸とのズレが
基板直径の１０％以内となる位置に保ちつつ成膜を行う
ことを特徴とする。設けられる層のすべてがこのような
条件を満足すると、出力の変動抑制に極めて効果的であ
る。なお、ここで言う基板及びターゲットの中心軸と
は、円盤状基板又は円盤状ターゲットの直径に対して垂
直な方向における中心軸を指す。
【００１１】また膜厚、膜の物性の均一性の点から、基
板の直径をターゲットの直径よりも小さくすることが好
ましい。特にターゲットの直径に対して基板の直径が２
０〜９０％の比率であることが好ましい。
板の直径をターゲットの直径よりも小さくすることが好
ましい。特にターゲットの直径に対して基板の直径が２
０〜９０％の比率であることが好ましい。
【００１２】このような条件で製膜された磁気記録媒体
は、１００×（Ｖmax−Ｖmin）／Ｖavgで定義される出
力変動が５％以内と非常に安定した出力が得られる。た
だし、ここでいうＶmaxは再生時に任意のトラック一周
内で検出される出力値の最大値、Ｖminは同じトラック
一周内で検出される出力値の最小値、Ｖavgは同じトラ
ック一周内における出力値の平均値を表す。すなわち、
磁気ディスク円周方向にわたって磁気特性の変動が少な
く、トラック一周にわたって出力変動のきわめて小さい
優れた特性を得ることができる。
は、１００×（Ｖmax−Ｖmin）／Ｖavgで定義される出
力変動が５％以内と非常に安定した出力が得られる。た
だし、ここでいうＶmaxは再生時に任意のトラック一周
内で検出される出力値の最大値、Ｖminは同じトラック
一周内で検出される出力値の最小値、Ｖavgは同じトラ
ック一周内における出力値の平均値を表す。すなわち、
磁気ディスク円周方向にわたって磁気特性の変動が少な
く、トラック一周にわたって出力変動のきわめて小さい
優れた特性を得ることができる。
【００１３】媒体成膜時には、該非磁性基板に対し、一
定の基板バイアス電位を与えてもよい。また、基板の温
度は任意に設定してもよいが、通常は１５０〜３００℃
程度とすることが多い。
定の基板バイアス電位を与えてもよい。また、基板の温
度は任意に設定してもよいが、通常は１５０〜３００℃
程度とすることが多い。
【００１４】スパッタリング中のスパッタリングガスの
分圧、ガスの種類については制限はないが、通常は高純
度アルゴンガス等を１〜１０ｍＴｏｒｒの状態で用い
る。スパッタリングの方式は直流マグネトロンスパッタ
リング法、高周波マグネトロンスパッタリング法のいず
れでもよい。ターゲットと基板の距離についても任意と
してよい。膜の材料については、磁気ディスク媒体の設
計にあわせて任意の材料を使用して差し支えない。
分圧、ガスの種類については制限はないが、通常は高純
度アルゴンガス等を１〜１０ｍＴｏｒｒの状態で用い
る。スパッタリングの方式は直流マグネトロンスパッタ
リング法、高周波マグネトロンスパッタリング法のいず
れでもよい。ターゲットと基板の距離についても任意と
してよい。膜の材料については、磁気ディスク媒体の設
計にあわせて任意の材料を使用して差し支えない。
【００１５】
【実施例】以下に実施例および比較例を挙げて本発明を
より具体的に説明するが、本発明はその要旨を越えない
限り、以下の実施例に限定されるものではない。
より具体的に説明するが、本発明はその要旨を越えない
限り、以下の実施例に限定されるものではない。
【００１６】実施例１ 内径１０ｍｍ、外径４５ｍｍガラス製ディスク基板を、
鏡面研磨して表面の算術平均粗さＲａを数μｍ以下に仕
上げたのち、表面にＮｉ−Ｐ薄膜をスパッタリング法に
より１５０ｎｍ設け、超純水を用いて洗浄した。
鏡面研磨して表面の算術平均粗さＲａを数μｍ以下に仕
上げたのち、表面にＮｉ−Ｐ薄膜をスパッタリング法に
より１５０ｎｍ設け、超純水を用いて洗浄した。
【００１７】いずれも直径８インチのＣｒターゲット、
ＣｏＮｉＣｒＢＴａターゲットを直流マグネトロンスパ
ッタリング装置にセットするとともに、ガラス基板をス
パッタリング装置にセットした。このとき基板の中心軸
はＣｒターゲットの中心軸に一致させた。
ＣｏＮｉＣｒＢＴａターゲットを直流マグネトロンスパ
ッタリング装置にセットするとともに、ガラス基板をス
パッタリング装置にセットした。このとき基板の中心軸
はＣｒターゲットの中心軸に一致させた。
【００１８】スパッタリング室を１×１０-6Ｔｏｒｒ以
下まで真空排気した後、基板温度を約２５０℃まで昇温
し、アルゴン分圧２×１０-3Ｔｏｒｒにて、基板に−１
００Ｖの基板バイアス電位を与えながらＣｒ下地層を８
０ｎｍの厚さに成膜した。なお、ガラス基板は静止させ
た状態で成膜を行った。
下まで真空排気した後、基板温度を約２５０℃まで昇温
し、アルゴン分圧２×１０-3Ｔｏｒｒにて、基板に−１
００Ｖの基板バイアス電位を与えながらＣｒ下地層を８
０ｎｍの厚さに成膜した。なお、ガラス基板は静止させ
た状態で成膜を行った。
【００１９】次に基板をその中心が隣接しているＣｏＮ
ｉＣｒＢＴａ合金のターゲットの中心軸上に位置するよ
うに移動させたのち静止させ、基板に−１００Ｖの基板
バイアス電位を与えながらＣｏＮｉＣｒＢＴａ膜を５５
ｎｍ成膜した。
ｉＣｒＢＴａ合金のターゲットの中心軸上に位置するよ
うに移動させたのち静止させ、基板に−１００Ｖの基板
バイアス電位を与えながらＣｏＮｉＣｒＢＴａ膜を５５
ｎｍ成膜した。
【００２０】このように作成したサンプル１〜５につい
て、同一円周上で基板中心に対して角度が互いに９０度
異なったＡ点及びＢ点（図１参照）における磁気特性を
測定した。この２点は、一般的に、スパッタリングの方
向による磁気特性の差が最も出やすい位置である。ま
た、測定の方向は磁気ディスクの性能に最も関係の深い
円周方向とした。Ｂ・ｒｔ（Ｇ・μｍ）、ＳＱ、Ｓ*、
保磁力（Ｏｅ）について、測定結果を表−１に示した。
て、同一円周上で基板中心に対して角度が互いに９０度
異なったＡ点及びＢ点（図１参照）における磁気特性を
測定した。この２点は、一般的に、スパッタリングの方
向による磁気特性の差が最も出やすい位置である。ま
た、測定の方向は磁気ディスクの性能に最も関係の深い
円周方向とした。Ｂ・ｒｔ（Ｇ・μｍ）、ＳＱ、Ｓ*、
保磁力（Ｏｅ）について、測定結果を表−１に示した。
【００２１】比較例１ 矩形のＣｒターゲット、ＣｏＮｉＣｒＢＴａターゲット
を実施例１と同じスパッタリング装置にセットするとと
もに、実施例１と同じガラス基板を図３に示すようなト
レイにのせ、スパッタリング装置にセットした。
を実施例１と同じスパッタリング装置にセットするとと
もに、実施例１と同じガラス基板を図３に示すようなト
レイにのせ、スパッタリング装置にセットした。
【００２２】スパッタリング室を１×１０-6Ｔｏｒｒ以
下まで真空排気した後、基板温度を約２５０℃まで昇温
し、アルゴン分圧２×１０-3Ｔｏｒｒにて、基板および
トレイに−１００Ｖの基板バイアス電位を与えながら、
Ｃｒターゲットに対向する位置をトレイを平行移動さ
せ、成膜を行った。引き続き同様にＣｏＮｉＣｒＢＴａ
ターゲットに対向する位置をトレイを平行移動させつつ
成膜を行った。Ｃｒ下地層膜厚は８０ｎｍ、ＣｏＮｉＣ
ｒＢＴａ膜厚は５５ｎｍであった。
下まで真空排気した後、基板温度を約２５０℃まで昇温
し、アルゴン分圧２×１０-3Ｔｏｒｒにて、基板および
トレイに−１００Ｖの基板バイアス電位を与えながら、
Ｃｒターゲットに対向する位置をトレイを平行移動さ
せ、成膜を行った。引き続き同様にＣｏＮｉＣｒＢＴａ
ターゲットに対向する位置をトレイを平行移動させつつ
成膜を行った。Ｃｒ下地層膜厚は８０ｎｍ、ＣｏＮｉＣ
ｒＢＴａ膜厚は５５ｎｍであった。
【００２３】このように作成したサンプル６〜１０につ
いて、実施例１と同様に同一円周上で基板中心に対して
角度が互いに９０度異なったＡ点及びＢ点におけるの磁
気特性を測定した。測定の方向は磁気ディスクの性能に
最も関係の深い円周方向とした。Ｂ・ｒｔ（Ｇ・μ
ｍ）、ＳＱ、Ｓ*、保磁力（Ｏｅ）について測定結果を
表−１に示した。
いて、実施例１と同様に同一円周上で基板中心に対して
角度が互いに９０度異なったＡ点及びＢ点におけるの磁
気特性を測定した。測定の方向は磁気ディスクの性能に
最も関係の深い円周方向とした。Ｂ・ｒｔ（Ｇ・μ
ｍ）、ＳＱ、Ｓ*、保磁力（Ｏｅ）について測定結果を
表−１に示した。
【００２４】
【表１】
【００２５】表１から明らかなように、比較例１におけ
るＡ点、Ｂ点での磁気特性のずれに対し、実施例１では
両者の差は誤差範囲内と考えてよい程度に小さい値であ
る。
るＡ点、Ｂ点での磁気特性のずれに対し、実施例１では
両者の差は誤差範囲内と考えてよい程度に小さい値であ
る。
【００２６】実施例２ 内径２０ｍｍ、外形９５ｍｍのＡｌＭｇ合金よりなる円
盤状基体上にめっきによりＮｉ−Ｐ薄膜を設け、さらに
鏡面研磨して表面の算術平均粗さＲａを数μｍ以下に仕
上げたのち、表面に同心円状のテキスチャリングを施
し、超純水を用いて洗浄した。
盤状基体上にめっきによりＮｉ−Ｐ薄膜を設け、さらに
鏡面研磨して表面の算術平均粗さＲａを数μｍ以下に仕
上げたのち、表面に同心円状のテキスチャリングを施
し、超純水を用いて洗浄した。
【００２７】いずれも直径６インチのＣｒターゲット、
ＣｏＣｒＴａターゲット、Ｃターゲットを直流マグネト
ロンスパッタリング装置にセットするとともに、上記基
板をスパッタリング装置にセットした。このとき基板の
中心軸はＣｒターゲットの中心軸に一致させた。
ＣｏＣｒＴａターゲット、Ｃターゲットを直流マグネト
ロンスパッタリング装置にセットするとともに、上記基
板をスパッタリング装置にセットした。このとき基板の
中心軸はＣｒターゲットの中心軸に一致させた。
【００２８】スパッタリング室を１×１０-7Ｔｏｒｒ以
下まで真空排気した後、基板温度を約２５０℃まで昇温
し、アルゴン分圧２×１０-3Ｔｏｒｒにて、基板に−１
００Ｖの基板バイアス電圧を与えながらＣｒ下地層を５
０ｎｍの厚さに成膜した。なお基板は静止させた状態で
成膜を行った。
下まで真空排気した後、基板温度を約２５０℃まで昇温
し、アルゴン分圧２×１０-3Ｔｏｒｒにて、基板に−１
００Ｖの基板バイアス電圧を与えながらＣｒ下地層を５
０ｎｍの厚さに成膜した。なお基板は静止させた状態で
成膜を行った。
【００２９】次に基板をその中心が隣接しているＣｏＣ
ｒＴａ合金ターゲットの中心軸上に位置するように移動
させたのち静止させ、基板に−１００Ｖの基板バイアス
電位を与えながらＣｏＣｒＴａ膜を成膜した。さらに同
様に基板をＣターゲット上に移動させ、Ｃ膜１５ｎｍを
成膜した。ＣｏＣｒＴａ膜の厚さが３０ｎｍと２６ｎｍ
のサンプルをそれぞれ２つ作成した。
ｒＴａ合金ターゲットの中心軸上に位置するように移動
させたのち静止させ、基板に−１００Ｖの基板バイアス
電位を与えながらＣｏＣｒＴａ膜を成膜した。さらに同
様に基板をＣターゲット上に移動させ、Ｃ膜１５ｎｍを
成膜した。ＣｏＣｒＴａ膜の厚さが３０ｎｍと２６ｎｍ
のサンプルをそれぞれ２つ作成した。
【００３０】比較例２ 矩形のＣｒターゲット、ＣｏＣｒＴａターゲット、Ｃタ
ーゲットを実施例２と同じスパッタリング装置にセット
するとともに、実施例２と同じ基板を図３に示すような
トレイにのせ、スパッタリング装置にセットした。
ーゲットを実施例２と同じスパッタリング装置にセット
するとともに、実施例２と同じ基板を図３に示すような
トレイにのせ、スパッタリング装置にセットした。
【００３１】スパッタリング室を１×１０-7Ｔｏｒｒ以
下まで真空排気した後、基板温度を約２５０℃まで昇温
し、アルゴン分圧２×１０-3Ｔｏｒｒにて、基板および
トレイに−１００Ｖの基板バイアス電圧を与えながら、
Ｃｒターゲットに対向する位置にトレイを平行移動さ
せ、成膜を行った。引き続き同様にＣｏＣｒＴａターゲ
ット、Ｃターゲットに対向する位置をトレイを平行移動
させつつ成膜を行った。Ｃｒ下地層膜厚は５０ｎｍ、Ｃ
膜厚は１５ｎｍであった。ＣｏＣｒＴａ膜厚が３３ｎｍ
および２６ｎｍのサンプルをそれぞれ２つ作成した。
下まで真空排気した後、基板温度を約２５０℃まで昇温
し、アルゴン分圧２×１０-3Ｔｏｒｒにて、基板および
トレイに−１００Ｖの基板バイアス電圧を与えながら、
Ｃｒターゲットに対向する位置にトレイを平行移動さ
せ、成膜を行った。引き続き同様にＣｏＣｒＴａターゲ
ット、Ｃターゲットに対向する位置をトレイを平行移動
させつつ成膜を行った。Ｃｒ下地層膜厚は５０ｎｍ、Ｃ
膜厚は１５ｎｍであった。ＣｏＣｒＴａ膜厚が３３ｎｍ
および２６ｎｍのサンプルをそれぞれ２つ作成した。
【００３２】実施例２、比較例２で作製したサンプルに
ついて、磁気ディスク用電磁変換特性評価装置Ｇｕｚｉ
ｋ社製１６０１を使用してトラック一周にわたる出力変
動を調べた。基板中心より半径３０ｍｍの位置のトラッ
ク一周にわたり、ハードディスク用薄膜ヘッドを用いて
一定レベルの正弦波記録を行った後に、同トラック一周
の出力値を磁気抵抗ヘッドを用いて検出してその変動の
様子をモニターした。基板の回転速度は３０００ｒｐｍ
とした。
ついて、磁気ディスク用電磁変換特性評価装置Ｇｕｚｉ
ｋ社製１６０１を使用してトラック一周にわたる出力変
動を調べた。基板中心より半径３０ｍｍの位置のトラッ
ク一周にわたり、ハードディスク用薄膜ヘッドを用いて
一定レベルの正弦波記録を行った後に、同トラック一周
の出力値を磁気抵抗ヘッドを用いて検出してその変動の
様子をモニターした。基板の回転速度は３０００ｒｐｍ
とした。
【００３３】実施例２、比較例２で得られたサンプルの
測定結果をそれぞれ図２、図４に示す。いずれも横軸は
トラック一周をフルスケールとし、縦軸は基本波特性
（ａｒｂ）である。１００×（Ｖmax−Ｖmin）／Ｖavg
で定義される出力変動は、比較例２の４サンプルの平均
が７．３６（％）であるのに対し、実施例２の４サンプ
ルの平均は３．４６（％）であった。
測定結果をそれぞれ図２、図４に示す。いずれも横軸は
トラック一周をフルスケールとし、縦軸は基本波特性
（ａｒｂ）である。１００×（Ｖmax−Ｖmin）／Ｖavg
で定義される出力変動は、比較例２の４サンプルの平均
が７．３６（％）であるのに対し、実施例２の４サンプ
ルの平均は３．４６（％）であった。
【００３４】
【発明の効果】以上述べた通り、本発明の磁気記録媒体
は磁気特性および電磁変換特性が全面で均一でトラック
１周における出力変動が小さく、優れた特性を有する。
また本発明の磁気記録媒体の製造方法によれば、トラッ
ク内での磁気特性変動、電磁変換特性変動をほとんど解
消することができ、磁気ディスク装置の高記録密度化に
きわめて適した磁気記録媒体を提供することができる。
は磁気特性および電磁変換特性が全面で均一でトラック
１周における出力変動が小さく、優れた特性を有する。
また本発明の磁気記録媒体の製造方法によれば、トラッ
ク内での磁気特性変動、電磁変換特性変動をほとんど解
消することができ、磁気ディスク装置の高記録密度化に
きわめて適した磁気記録媒体を提供することができる。
【図１】磁気特性の測定位置を示す図
【図２】実施例２で得られた媒体の電磁変換特性を示す
グラフ
グラフ
【図３】スパッタリング用トレイの一例を示す正面図
【図４】比較例２で得られた媒体の電磁変換特性を示す
グラフ
グラフ
１ 基板 ２ スパッタリング用トレイ
Claims (3)
- 【請求項１】 円盤状非磁性基板上に必要に応じて下地
層を介して磁性層を成膜してなり、場合によってさらに
保護層及び潤滑層を成膜してなる円盤状磁気記録媒体で
あって、１００×（Ｖmax−Ｖmin）／Ｖavg（％）で定
義される出力変動が５％以内であることを特徴とする磁
気記録媒体。（ただし、Ｖmaxは再生時に任意のトラッ
ク一周内で検出される出力値の最大値、Ｖminは同最小
値、Ｖavgは同平均値を表す。） - 【請求項２】 円盤状非磁性基板上に必要に応じて下地
層を介して磁性層を成膜し、場合によってさらに保護層
及び潤滑層を成膜して磁気記録媒体を製造するにあた
り、下地層、磁性層及び保護層の少なくとも一層を円盤
状ターゲットを用いたスパッタリング法により成膜し、
かつ、該ターゲットの中心軸と対向する円盤状基板の中
心軸とのズレが基板直径の１０％以内となる位置に保ち
つつ成膜を行うことを特徴とする磁気記録媒体の製造方
法。 - 【請求項３】 請求項２に記載の磁気記録媒体の製造方
法において、円盤状基板の直径が円盤状ターゲットの直
径よりも小さいことを特徴とする磁気記録媒体の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7400496A JPH09265621A (ja) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7400496A JPH09265621A (ja) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09265621A true JPH09265621A (ja) | 1997-10-07 |
Family
ID=13534507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7400496A Pending JPH09265621A (ja) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09265621A (ja) |
-
1996
- 1996-03-28 JP JP7400496A patent/JPH09265621A/ja active Pending
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