JPH06103554A - 垂直磁気記録媒体 - Google Patents
垂直磁気記録媒体Info
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- JPH06103554A JPH06103554A JP24974892A JP24974892A JPH06103554A JP H06103554 A JPH06103554 A JP H06103554A JP 24974892 A JP24974892 A JP 24974892A JP 24974892 A JP24974892 A JP 24974892A JP H06103554 A JPH06103554 A JP H06103554A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は磁気ディスク装置等に用いる垂直磁
気記録媒体に関し、非磁性基板と垂直記録層との間に配
設した軟磁性層の磁気特性の均一化と安定化を図り、そ
れによって記録媒体の全面のモジュレーション特性（再
生時の記録媒体の一周分の再生波形の均一化）を向上さ
せることを目的とする。 【構成】 非磁性基板11上に高透磁率な軟磁性層13と垂
直基板層14とを順に積層してなる垂直磁気記録媒体にお
いて、前記非磁性基板11面には、該非磁性基板11の円周
方向にテクスチャー加工、若しくは多数の微細溝加工が
施され、かつ非磁性基板11と軟磁性層13との間に硬磁性
なバイアス層12を設けて、該バイアス層12を非磁性基板
11の円周方向に磁化容易軸を有する膜とし、このバイア
ス層12からの漏洩磁場により軟磁性層13の磁気異方性を
非磁性基板11の円周方向に均一に、かつ安定に制御する
ように構成する。
気記録媒体に関し、非磁性基板と垂直記録層との間に配
設した軟磁性層の磁気特性の均一化と安定化を図り、そ
れによって記録媒体の全面のモジュレーション特性（再
生時の記録媒体の一周分の再生波形の均一化）を向上さ
せることを目的とする。 【構成】 非磁性基板11上に高透磁率な軟磁性層13と垂
直基板層14とを順に積層してなる垂直磁気記録媒体にお
いて、前記非磁性基板11面には、該非磁性基板11の円周
方向にテクスチャー加工、若しくは多数の微細溝加工が
施され、かつ非磁性基板11と軟磁性層13との間に硬磁性
なバイアス層12を設けて、該バイアス層12を非磁性基板
11の円周方向に磁化容易軸を有する膜とし、このバイア
ス層12からの漏洩磁場により軟磁性層13の磁気異方性を
非磁性基板11の円周方向に均一に、かつ安定に制御する
ように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は垂直磁気記録方式の磁気
ディスク装置等に用いる垂直磁気記録媒体に係り、特に
モジュレーション特性の向上を図った垂直磁気記録媒体
に関するものである。
ディスク装置等に用いる垂直磁気記録媒体に係り、特に
モジュレーション特性の向上を図った垂直磁気記録媒体
に関するものである。
【０００２】近年、コンピュータシステムにおける情報
処理量の増大により、磁気ディスク装置の大容量化、小
型化が要求されている。これに伴って従来の水平磁気記
録方式に比べて遙に高密度記録が可能な垂直磁気記録方
式が開発され、垂直磁気記録方式の記録媒体として高透
磁率な軟磁性層上に膜面に対して垂直方向に磁化して情
報記録を行う垂直記録層を積層した二層膜構造の垂直磁
気記録媒体が提案されている。
処理量の増大により、磁気ディスク装置の大容量化、小
型化が要求されている。これに伴って従来の水平磁気記
録方式に比べて遙に高密度記録が可能な垂直磁気記録方
式が開発され、垂直磁気記録方式の記録媒体として高透
磁率な軟磁性層上に膜面に対して垂直方向に磁化して情
報記録を行う垂直記録層を積層した二層膜構造の垂直磁
気記録媒体が提案されている。
【０００３】このような垂直磁気記録媒体では、媒体面
内での再生出力波形の均一化、即ちモジュレーション特
性（再生時の記録媒体１周分の再生波形の均一度を示す
特性）を向上させるために軟磁性層及び垂直記録層の磁
気特性の均一化と安定化が必要とされている。
内での再生出力波形の均一化、即ちモジュレーション特
性（再生時の記録媒体１周分の再生波形の均一度を示す
特性）を向上させるために軟磁性層及び垂直記録層の磁
気特性の均一化と安定化が必要とされている。
【０００４】
【従来の技術】従来の垂直磁気記録媒体は、図４の要部
断面図に示すようにNiＰ表面処理を施したアルミニウム
基板、或いはガラス基板等からなる非磁性基板１上にス
パッタリング法等により、例えば１μｍの膜厚の Ni-Fe
合金膜からなる高透磁率な軟磁性層２と、0.15μｍの膜
厚の Co-Cr等からなる垂直記録層３とを順に積層形成し
た構成からなり、必要に応じて該垂直記録層３の表面に
潤滑保護膜を被覆している。
断面図に示すようにNiＰ表面処理を施したアルミニウム
基板、或いはガラス基板等からなる非磁性基板１上にス
パッタリング法等により、例えば１μｍの膜厚の Ni-Fe
合金膜からなる高透磁率な軟磁性層２と、0.15μｍの膜
厚の Co-Cr等からなる垂直記録層３とを順に積層形成し
た構成からなり、必要に応じて該垂直記録層３の表面に
潤滑保護膜を被覆している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
二層膜構造の垂直磁気記録媒体では、再生時の記録媒体
の１周分の再生波形の均一化、即ち、モジュレーション
特性を向上させるために前記軟磁性層２及び垂直記録層
３の磁気特性の均一化が必要とされる。特に前記軟磁性
層２はその成膜時の条件等の僅かな変化により、例えば
非磁性基板１の円周方向の磁気異方性が変化し易く、容
易に均一な磁気異方性を得ることが困難であった。
二層膜構造の垂直磁気記録媒体では、再生時の記録媒体
の１周分の再生波形の均一化、即ち、モジュレーション
特性を向上させるために前記軟磁性層２及び垂直記録層
３の磁気特性の均一化が必要とされる。特に前記軟磁性
層２はその成膜時の条件等の僅かな変化により、例えば
非磁性基板１の円周方向の磁気異方性が変化し易く、容
易に均一な磁気異方性を得ることが困難であった。
【０００６】また、前記軟磁性層２の非磁性基板１の円
周方向への磁気異方性が、或る程度均一に得られたとし
ても外部からの浮遊磁界等によりその磁気異方性の方向
が乱されて不均一になるという問題があった。
周方向への磁気異方性が、或る程度均一に得られたとし
ても外部からの浮遊磁界等によりその磁気異方性の方向
が乱されて不均一になるという問題があった。
【０００７】図５は比較的成膜特性が良好で、生産性に
優れた連続通過型のスパッタリング装置等によって軟磁
性層２を成膜した垂直磁気記録媒体のモジュレーション
特性を示している。このようなモジュレーション特性の
悪い垂直磁気記録媒体においては、再生信号検出時の誤
り率の増大を招く、即ち、記録情報を正確に読み取るこ
とができなくなり、該記録情報の一部が消失された状態
と同様な現象が発生するといった問題があった。
優れた連続通過型のスパッタリング装置等によって軟磁
性層２を成膜した垂直磁気記録媒体のモジュレーション
特性を示している。このようなモジュレーション特性の
悪い垂直磁気記録媒体においては、再生信号検出時の誤
り率の増大を招く、即ち、記録情報を正確に読み取るこ
とができなくなり、該記録情報の一部が消失された状態
と同様な現象が発生するといった問題があった。
【０００８】本発明は上記した従来の問題点に鑑み、軟
磁性層の磁気特性の均一化と安定化を図り、それによっ
て基板媒体の全面のモジュレーション特性を向上させた
新規な垂直磁気記録媒体を提供することを目的とするも
のである。
磁性層の磁気特性の均一化と安定化を図り、それによっ
て基板媒体の全面のモジュレーション特性を向上させた
新規な垂直磁気記録媒体を提供することを目的とするも
のである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、非磁性基板上に高透磁率な軟磁性層と垂
直記録層とを順に積層してなる垂直磁気記録媒体におい
て、前記非磁性基板面には、該非磁性基板の円周方向に
テクスチャー加工、若しくは多数の微細溝加工が施さ
れ、かつ非磁性基板と軟磁性層との間に硬磁性なバイア
ス層を介在してなる構成とする。
達成するため、非磁性基板上に高透磁率な軟磁性層と垂
直記録層とを順に積層してなる垂直磁気記録媒体におい
て、前記非磁性基板面には、該非磁性基板の円周方向に
テクスチャー加工、若しくは多数の微細溝加工が施さ
れ、かつ非磁性基板と軟磁性層との間に硬磁性なバイア
ス層を介在してなる構成とする。
【００１０】また、非磁性基板上に高透磁率な軟磁性層
と垂直記録層とを順に積層してなる垂直磁気記録媒体に
おいて、前記非磁性基板面には該非磁性基板の円周方向
にテクスチャー加工、若しくは多数の微細溝加工が施さ
れ、かつ前記非磁性基板と軟磁性層との間に互いに同等
の結晶構造を有する下地層と硬磁性なバイアス層とを順
に積層した状態に介在してなる構成とする。
と垂直記録層とを順に積層してなる垂直磁気記録媒体に
おいて、前記非磁性基板面には該非磁性基板の円周方向
にテクスチャー加工、若しくは多数の微細溝加工が施さ
れ、かつ前記非磁性基板と軟磁性層との間に互いに同等
の結晶構造を有する下地層と硬磁性なバイアス層とを順
に積層した状態に介在してなる構成とする。
【００１１】更に、非磁性基板上に高透磁率な軟磁性層
と垂直記録層とを順に積層してなる垂直磁気記録媒体に
おいて、前記非磁性基板面には該非磁性基板の円周方向
にテクスチャー加工、若しくは多数の微細溝加工が施さ
れ、かつ前記非磁性基板と軟磁性層との間に、互いに同
等の結晶構造を有する下地層と、硬磁性なバイアス層
と、前記垂直記録層と同等の結晶構造、結晶配向性を有
する非磁性中間層との積層膜を介在してなる構成とす
る。
と垂直記録層とを順に積層してなる垂直磁気記録媒体に
おいて、前記非磁性基板面には該非磁性基板の円周方向
にテクスチャー加工、若しくは多数の微細溝加工が施さ
れ、かつ前記非磁性基板と軟磁性層との間に、互いに同
等の結晶構造を有する下地層と、硬磁性なバイアス層
と、前記垂直記録層と同等の結晶構造、結晶配向性を有
する非磁性中間層との積層膜を介在してなる構成とす
る。
【００１２】
【作用】本発明では、円周方向にテクスチャー加工、若
しくは多数の微細溝加工を施した非磁性基板と高透磁率
な軟磁性層との間に硬磁性なバイアス層を介在した構成
とすることにより、該硬磁性なバイアス層は非磁性基板
面に施された円周方向へのテクスチャー加工面、または
多数の微細溝加工面の形状効果により非磁性基板の円周
方向に磁化容易軸を有する膜となり、そのバイアス層か
らの漏洩磁場が高透磁率な軟磁性層の成膜時にバイアス
磁界として非磁性基板の円周方向に磁気異方性を誘導す
るように作用するため、該バイアス層上に設けられた高
透磁率な軟磁性層は非磁性基板の円周方向に均一な磁化
容易軸を有する膜となる。また高透磁率な軟磁性層の磁
化容易軸は、前記バイアス層からの漏洩磁場により非磁
性基板の円周方向以外の方向に向けようとするゼーマン
エネルギーの増大をも抑制し、非磁性基板の円周方向に
安定に維持される。
しくは多数の微細溝加工を施した非磁性基板と高透磁率
な軟磁性層との間に硬磁性なバイアス層を介在した構成
とすることにより、該硬磁性なバイアス層は非磁性基板
面に施された円周方向へのテクスチャー加工面、または
多数の微細溝加工面の形状効果により非磁性基板の円周
方向に磁化容易軸を有する膜となり、そのバイアス層か
らの漏洩磁場が高透磁率な軟磁性層の成膜時にバイアス
磁界として非磁性基板の円周方向に磁気異方性を誘導す
るように作用するため、該バイアス層上に設けられた高
透磁率な軟磁性層は非磁性基板の円周方向に均一な磁化
容易軸を有する膜となる。また高透磁率な軟磁性層の磁
化容易軸は、前記バイアス層からの漏洩磁場により非磁
性基板の円周方向以外の方向に向けようとするゼーマン
エネルギーの増大をも抑制し、非磁性基板の円周方向に
安定に維持される。
【００１３】従って、このような高透磁率な軟磁性層に
より垂直記録層の磁気特性も均一化され、当該記録媒体
の全面に良好なモジュレーション特性が得られる。ま
た、円周方向にテクスチャー加工、若しくは多数の微細
溝加工を施した非磁性基板と高透磁率な軟磁性層との間
に互いに同等の結晶構造を有する下地層と硬磁性なバイ
アス層とを順に積層した状態に介在した構成とすること
により、該硬磁性なバイアス層は下地層の結晶構造と非
磁性基板面に施された円周方向へのテクスチャー加工
面、または多数の微細溝加工面の形状効果により非磁性
基板の円周方向に磁化容易軸を有する結晶性（結晶配向
性）の良好な膜となり、そのバイアス層からの漏洩磁場
により該バイアス層上に設けられた高透磁率な軟磁性層
は非磁性基板の円周方向に容易に均一な磁化容易軸を有
する膜とすることができ、かつその円周方向に均一な磁
化容易軸は外部からの浮遊磁界等により乱されることな
く安定に維持される。
より垂直記録層の磁気特性も均一化され、当該記録媒体
の全面に良好なモジュレーション特性が得られる。ま
た、円周方向にテクスチャー加工、若しくは多数の微細
溝加工を施した非磁性基板と高透磁率な軟磁性層との間
に互いに同等の結晶構造を有する下地層と硬磁性なバイ
アス層とを順に積層した状態に介在した構成とすること
により、該硬磁性なバイアス層は下地層の結晶構造と非
磁性基板面に施された円周方向へのテクスチャー加工
面、または多数の微細溝加工面の形状効果により非磁性
基板の円周方向に磁化容易軸を有する結晶性（結晶配向
性）の良好な膜となり、そのバイアス層からの漏洩磁場
により該バイアス層上に設けられた高透磁率な軟磁性層
は非磁性基板の円周方向に容易に均一な磁化容易軸を有
する膜とすることができ、かつその円周方向に均一な磁
化容易軸は外部からの浮遊磁界等により乱されることな
く安定に維持される。
【００１４】従って、その高透磁率な軟磁性膜上に設け
た垂直記録層の磁気特性も均一化され、当該記録媒体の
全面に良好なモジュレーション特性が得られる。更に、
円周方向にテクスチャー加工、若しくは多数の微細溝加
工を施した非磁性基板と高透磁率な軟磁性層との間に互
いに同等の結晶構造を有する下地層と硬磁性なバイアス
層及び垂直記録層と同等の結晶構造、結晶配向性を有す
る非磁性中間層とを順に積層した状態に介在した構成と
することにより、該硬磁性なバイアス層は下地層の結晶
構造と非磁性基板面に施された円周方向へのテクスチャ
ー加工面、または多数の微細溝加工面の形状効果により
非磁性基板の円周方向に磁化容易軸を有する結晶性（結
晶配向性）の良好な膜となり、そのバイアス層からの漏
洩磁場の強度は前記非磁性中間層の膜厚を加減すること
により任意に制御することができ、高透磁率な軟磁性層
の材質、膜厚に対応して最適化を図ることが可能とな
る。
た垂直記録層の磁気特性も均一化され、当該記録媒体の
全面に良好なモジュレーション特性が得られる。更に、
円周方向にテクスチャー加工、若しくは多数の微細溝加
工を施した非磁性基板と高透磁率な軟磁性層との間に互
いに同等の結晶構造を有する下地層と硬磁性なバイアス
層及び垂直記録層と同等の結晶構造、結晶配向性を有す
る非磁性中間層とを順に積層した状態に介在した構成と
することにより、該硬磁性なバイアス層は下地層の結晶
構造と非磁性基板面に施された円周方向へのテクスチャ
ー加工面、または多数の微細溝加工面の形状効果により
非磁性基板の円周方向に磁化容易軸を有する結晶性（結
晶配向性）の良好な膜となり、そのバイアス層からの漏
洩磁場の強度は前記非磁性中間層の膜厚を加減すること
により任意に制御することができ、高透磁率な軟磁性層
の材質、膜厚に対応して最適化を図ることが可能とな
る。
【００１５】従って、前記非磁性中間層で強度が最適に
制御されたバイアス層からの漏洩磁場により該非磁性中
間層上に設けられた高透磁率な軟磁性層は非磁性基板の
円周方向に容易により均一な磁化容易軸を有する膜とす
ることができ、かつその円周方向に均一な磁化容易軸は
外部からの浮遊磁界等により乱されないように安定に維
持される。よって、その高透磁率な軟磁性層上に設けた
垂直記録層の磁気特性も均一化され、当該記録媒体の全
面に良好なモジュレーション特性が得られる。
制御されたバイアス層からの漏洩磁場により該非磁性中
間層上に設けられた高透磁率な軟磁性層は非磁性基板の
円周方向に容易により均一な磁化容易軸を有する膜とす
ることができ、かつその円周方向に均一な磁化容易軸は
外部からの浮遊磁界等により乱されないように安定に維
持される。よって、その高透磁率な軟磁性層上に設けた
垂直記録層の磁気特性も均一化され、当該記録媒体の全
面に良好なモジュレーション特性が得られる。
【００１６】
【実施例】以下図面を用いて本発明の実施例について詳
細に説明する。図１は本発明に係る垂直磁気記録媒体の
第１実施例を示す要部断面図である。
細に説明する。図１は本発明に係る垂直磁気記録媒体の
第１実施例を示す要部断面図である。
【００１７】本実施例では、例えば表面に表面粗さRaが
30Å程度のテクスチャーリングが施され、中心に支持孔
を有するアルミニウム円板、或いはガラス円板等からな
る非磁性基板11上に、スパッタリング法により例えば0.
005 〜0.03μｍ程度の膜厚の硬磁性材料であるCoCr膜、
或いはCoCrTa膜からなるバイアス層12を設け、そのバイ
アス層12上に0.5 〜2.0 μｍ程度の膜厚のNiFe膜からな
る高透磁率な軟磁性層13と0.1 〜0.2 μｍ程度の膜厚の
CoCrTa膜からなる垂直記録層14とを積層状に設けた構成
としている。なお、必要に応じて前記垂直記録層14の表
面に潤滑保護膜を被覆している。
30Å程度のテクスチャーリングが施され、中心に支持孔
を有するアルミニウム円板、或いはガラス円板等からな
る非磁性基板11上に、スパッタリング法により例えば0.
005 〜0.03μｍ程度の膜厚の硬磁性材料であるCoCr膜、
或いはCoCrTa膜からなるバイアス層12を設け、そのバイ
アス層12上に0.5 〜2.0 μｍ程度の膜厚のNiFe膜からな
る高透磁率な軟磁性層13と0.1 〜0.2 μｍ程度の膜厚の
CoCrTa膜からなる垂直記録層14とを積層状に設けた構成
としている。なお、必要に応じて前記垂直記録層14の表
面に潤滑保護膜を被覆している。
【００１８】従って、このような実施例の媒体構造によ
り、非磁性基板11面に施された円周方向へのテクスチャ
ー加工面、または多数の微細溝加工面の形状効果により
非磁性基板11の円周方向に磁化容易軸を有するバイアス
層12からの漏洩磁場が高透磁率な軟磁性層13の成膜時に
バイアス磁界として非磁性基板11の円周方向に磁気異方
性を誘導するように作用するため、該バイアス層12上に
設けられた高透磁率な軟磁性層13も非磁性基板11の円周
方向に均一な磁化容易軸を有する膜となる。
り、非磁性基板11面に施された円周方向へのテクスチャ
ー加工面、または多数の微細溝加工面の形状効果により
非磁性基板11の円周方向に磁化容易軸を有するバイアス
層12からの漏洩磁場が高透磁率な軟磁性層13の成膜時に
バイアス磁界として非磁性基板11の円周方向に磁気異方
性を誘導するように作用するため、該バイアス層12上に
設けられた高透磁率な軟磁性層13も非磁性基板11の円周
方向に均一な磁化容易軸を有する膜となる。
【００１９】また、高透磁率な軟磁性層13の磁化容易軸
は、前記バイアス層12からの漏洩磁場により非磁性基板
11の円周方向以外の方向に向けようとするゼーマンエネ
ルギーの増大をも抑制し、非磁性基板11の円周方向に均
一に、かつ安定に維持することが可能となり、該軟磁性
層13上の垂直記録層14の磁気特性も均一化され、当該記
録媒体の全面に良好なモジュレーション特性が得られ
る。
は、前記バイアス層12からの漏洩磁場により非磁性基板
11の円周方向以外の方向に向けようとするゼーマンエネ
ルギーの増大をも抑制し、非磁性基板11の円周方向に均
一に、かつ安定に維持することが可能となり、該軟磁性
層13上の垂直記録層14の磁気特性も均一化され、当該記
録媒体の全面に良好なモジュレーション特性が得られ
る。
【００２０】図２は本発明に係る垂直磁気記録媒体の第
２実施例を示す要部断面図であり、図１と同等部分には
同一符号を付している。この図で示す実施例が図１で示
す実施例と異なる点は、円周方向にテクスチャー加工、
若しくは多数の微細溝加工を施した非磁性基板11とバイ
アス層12との間に、スパッタリング法により例えば0.05
〜0.15μｍ程度の膜厚の該バイアス層12と同様な結晶構
造を有するCr膜からなる下地層21を設けた構成とした点
である。
２実施例を示す要部断面図であり、図１と同等部分には
同一符号を付している。この図で示す実施例が図１で示
す実施例と異なる点は、円周方向にテクスチャー加工、
若しくは多数の微細溝加工を施した非磁性基板11とバイ
アス層12との間に、スパッタリング法により例えば0.05
〜0.15μｍ程度の膜厚の該バイアス層12と同様な結晶構
造を有するCr膜からなる下地層21を設けた構成とした点
である。
【００２１】この第２実施例の構成によると、下地層21
上に設けた硬磁性なバイアス層12は該下地層21の結晶構
造と非磁性基板11面に施された円周方向へのテクスチャ
ー加工面、または多数の微細溝加工面の形状効果により
非磁性基板11の円周方向に磁化容易軸を有する結晶性
（結晶配向性）の良好な膜となり、そのバイアス層12か
らの漏洩磁場により該バイアス層12上に設けられた高透
磁率な軟磁性層13は非磁性基板11の円周方向に容易によ
り均一な磁化容易軸を有する膜とすることができ、更に
その円周方向に均一な磁化容易軸は外部からの浮遊磁界
等により乱されることなく安定に維持することが可能と
なる。
上に設けた硬磁性なバイアス層12は該下地層21の結晶構
造と非磁性基板11面に施された円周方向へのテクスチャ
ー加工面、または多数の微細溝加工面の形状効果により
非磁性基板11の円周方向に磁化容易軸を有する結晶性
（結晶配向性）の良好な膜となり、そのバイアス層12か
らの漏洩磁場により該バイアス層12上に設けられた高透
磁率な軟磁性層13は非磁性基板11の円周方向に容易によ
り均一な磁化容易軸を有する膜とすることができ、更に
その円周方向に均一な磁化容易軸は外部からの浮遊磁界
等により乱されることなく安定に維持することが可能と
なる。
【００２２】従って、その高透磁率な軟磁性層13上に設
けた垂直記録層14の磁気特性も均一化され、当該記録媒
体の全面に良好なモジュレーション特性が得られる。図
３は本発明に係る垂直磁気記録媒体の第３実施例を示す
要部断面図であり、図２と同等部分には同一符号を付し
ている。
けた垂直記録層14の磁気特性も均一化され、当該記録媒
体の全面に良好なモジュレーション特性が得られる。図
３は本発明に係る垂直磁気記録媒体の第３実施例を示す
要部断面図であり、図２と同等部分には同一符号を付し
ている。
【００２３】この図で示す実施例が図２で示す実施例と
異なる点は、バイアス層12と高透磁率な軟磁性層13との
間に、スパッタリング法により例えば垂直記録層14と同
様な結晶構造、結晶配向性を有する0.01〜0.05μｍ程度
の膜厚のTi膜、或いはアモルファスカーボン膜等からな
る非磁性中間層22を設けた構成としたことである。
異なる点は、バイアス層12と高透磁率な軟磁性層13との
間に、スパッタリング法により例えば垂直記録層14と同
様な結晶構造、結晶配向性を有する0.01〜0.05μｍ程度
の膜厚のTi膜、或いはアモルファスカーボン膜等からな
る非磁性中間層22を設けた構成としたことである。
【００２４】この第２実施例の構成によると、非磁性基
板11の円周方向に磁化容易軸を有する結晶性（結晶配向
性）の良好なバイアス層12からの漏洩磁場の強度を前記
非磁性中間層22の膜厚を加減することにより任意に制御
することができ、高透磁率な軟磁性層13に対するバイア
ス層12からの漏洩磁場の強度を、該軟磁性層13の材質、
膜厚に対応して最適に制御することが可能となる。
板11の円周方向に磁化容易軸を有する結晶性（結晶配向
性）の良好なバイアス層12からの漏洩磁場の強度を前記
非磁性中間層22の膜厚を加減することにより任意に制御
することができ、高透磁率な軟磁性層13に対するバイア
ス層12からの漏洩磁場の強度を、該軟磁性層13の材質、
膜厚に対応して最適に制御することが可能となる。
【００２５】従って、前記バイアス層12より非磁性中間
層22で強度が最適に制御された漏洩磁場により、該非磁
性中間層22上に設けられた高透磁率な軟磁性層13は非磁
性基板の円周方向に容易により均一な磁化容易軸を有す
る膜とすることができ、かつその円周方向に均一な磁化
容易軸は外部からの浮遊磁界等により乱されないように
安定に維持することが可能となり、その高透磁率な軟磁
性層13上に設けた垂直記録層14の磁気特性も均一化さ
れ、当該記録媒体の全面に良好なモジュレーション特性
が得られる。
層22で強度が最適に制御された漏洩磁場により、該非磁
性中間層22上に設けられた高透磁率な軟磁性層13は非磁
性基板の円周方向に容易により均一な磁化容易軸を有す
る膜とすることができ、かつその円周方向に均一な磁化
容易軸は外部からの浮遊磁界等により乱されないように
安定に維持することが可能となり、その高透磁率な軟磁
性層13上に設けた垂直記録層14の磁気特性も均一化さ
れ、当該記録媒体の全面に良好なモジュレーション特性
が得られる。
【００２６】なお、上記した各実施例の垂直磁気記録媒
体を製造する場合において、例えば硬磁性材料であるCo
Cr膜、或いはCoCrTa膜からなるバイアス層12は、スパッ
タ用の供給電力パワー密度を２〜３Ｗ／ｃｍ2 、スパッ
タガス圧を５〜10 mTorr、基板温度を 150〜250 ℃とし
たスパッタ条件によるスパッタリング法により成膜す
る。
体を製造する場合において、例えば硬磁性材料であるCo
Cr膜、或いはCoCrTa膜からなるバイアス層12は、スパッ
タ用の供給電力パワー密度を２〜３Ｗ／ｃｍ2 、スパッ
タガス圧を５〜10 mTorr、基板温度を 150〜250 ℃とし
たスパッタ条件によるスパッタリング法により成膜す
る。
【００２７】Cr膜からなる下地層21は、スパッタ用の供
給電力パワー密度を２〜８Ｗ／ｃｍ 2 、スパッタガス圧
を５〜30 mTorr、基板温度を 100〜300 ℃としたスパッ
タ条件によるスパッタリング法により成膜する。
給電力パワー密度を２〜８Ｗ／ｃｍ 2 、スパッタガス圧
を５〜30 mTorr、基板温度を 100〜300 ℃としたスパッ
タ条件によるスパッタリング法により成膜する。
【００２８】Ti膜からなる非磁性中間層22は、スパッタ
用の供給電力パワー密度を２〜４Ｗ／ｃｍ2 、スパッタ
ガス圧を５〜10 mTorr、基板温度を 250〜300 ℃とした
スパッタ条件によるスパッタリング法により成膜する。
用の供給電力パワー密度を２〜４Ｗ／ｃｍ2 、スパッタ
ガス圧を５〜10 mTorr、基板温度を 250〜300 ℃とした
スパッタ条件によるスパッタリング法により成膜する。
【００２９】NiFe膜からなる高透磁率な軟磁性層13は、
スパッタ用の供給電力パワー密度を４〜８Ｗ／ｃｍ2 、
スパッタガス圧を５〜10 mTorr、基板温度を 150〜200
℃としたスパッタ条件によるスパッタリング法により成
膜する。
スパッタ用の供給電力パワー密度を４〜８Ｗ／ｃｍ2 、
スパッタガス圧を５〜10 mTorr、基板温度を 150〜200
℃としたスパッタ条件によるスパッタリング法により成
膜する。
【００３０】CoCrTa膜からなる垂直記録層14は、スパッ
タ用の供給電力パワー密度を４〜８Ｗ／ｃｍ2 、スパッ
タガス圧を５〜10 mTorr、基板温度を 150〜200 ℃とし
たスパッタ条件によるスパッタリング法により成膜す
る。
タ用の供給電力パワー密度を４〜８Ｗ／ｃｍ2 、スパッ
タガス圧を５〜10 mTorr、基板温度を 150〜200 ℃とし
たスパッタ条件によるスパッタリング法により成膜す
る。
【００３１】また、前記した各実施例におけるバイアス
層12、或いは高透磁率な軟磁性層13を成膜後、その表面
を表面粗さRaが30Å以下の表面状態になるように研摩仕
上げした後、それらの表面に非磁性中間層22、高透磁率
な軟磁性層13、垂直記録層14の等を積層して設け、必要
に応じて前記垂直記録層14上に保護膜及び潤滑膜を被覆
した構成とすることにより、接触記録再生方式において
も良好なモジュレーション特性の得られる垂直磁気記録
媒体を実現することができる。
層12、或いは高透磁率な軟磁性層13を成膜後、その表面
を表面粗さRaが30Å以下の表面状態になるように研摩仕
上げした後、それらの表面に非磁性中間層22、高透磁率
な軟磁性層13、垂直記録層14の等を積層して設け、必要
に応じて前記垂直記録層14上に保護膜及び潤滑膜を被覆
した構成とすることにより、接触記録再生方式において
も良好なモジュレーション特性の得られる垂直磁気記録
媒体を実現することができる。
【００３２】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係る垂直磁気記録媒体によれば、非磁性基板と高透磁
率な軟磁性層との間に、硬磁性のバイアス層を設けるこ
とにより、そのバイアス層からの漏洩磁場により高透磁
率な軟磁性層の磁気異方性を非磁性基板の円周方向に均
一に、かつ安定に制御することができので、記録媒体面
のモジュレーション特性が向上し、再生信号品質の向上
を図ることが可能となる優れた効果を奏する。
に係る垂直磁気記録媒体によれば、非磁性基板と高透磁
率な軟磁性層との間に、硬磁性のバイアス層を設けるこ
とにより、そのバイアス層からの漏洩磁場により高透磁
率な軟磁性層の磁気異方性を非磁性基板の円周方向に均
一に、かつ安定に制御することができので、記録媒体面
のモジュレーション特性が向上し、再生信号品質の向上
を図ることが可能となる優れた効果を奏する。
【００３３】また、非磁性基板と硬磁性のバイアス層と
の間に、該バイアス層と同様な結晶構造を有する下地層
を設けることにより、下地層上の硬磁性なバイアス層
は、該下地層の結晶構造と非磁性基板面に施された円周
方向へのテクスチャー加工面、または多数の微細溝加工
面の形状効果により非磁性基板の円周方向に磁化容易軸
を有する結晶性（結晶配向性）の良好な膜となり、該バ
イアス層からの漏洩磁場により高透磁率な軟磁性層の磁
気異方性を非磁性基板の円周方向に容易により均一に、
かつ安定に制御することができので、記録媒体面のモジ
ュレーション特性が向上し、再生信号品質の向上を図る
ことが可能となる優れた効果を奏する。
の間に、該バイアス層と同様な結晶構造を有する下地層
を設けることにより、下地層上の硬磁性なバイアス層
は、該下地層の結晶構造と非磁性基板面に施された円周
方向へのテクスチャー加工面、または多数の微細溝加工
面の形状効果により非磁性基板の円周方向に磁化容易軸
を有する結晶性（結晶配向性）の良好な膜となり、該バ
イアス層からの漏洩磁場により高透磁率な軟磁性層の磁
気異方性を非磁性基板の円周方向に容易により均一に、
かつ安定に制御することができので、記録媒体面のモジ
ュレーション特性が向上し、再生信号品質の向上を図る
ことが可能となる優れた効果を奏する。
【００３４】更に、硬磁性のバイアス層と高透磁率な軟
磁性層との間に、垂直記録層と同様な結晶構造、結晶配
向性を有する非磁性中間層を設け、その膜厚を加減する
ことにより高透磁率な軟磁性層に対するバイアス層から
の漏洩磁場の強度を、該軟磁性層の材質、膜厚に対応し
て最適に制御することが可能となり、該非磁性中間層で
強度が最適に制御された漏洩磁場により高透磁率な軟磁
性層の磁気異方性を非磁性基板の円周方向に容易に均一
に、かつ安定に維持することが可能となり、その高透磁
率な軟磁性層上の垂直記録層の磁気特性も均一化される
ので、記録媒体面のモジュレーション特性が著しく向上
し、再生信号品質の向上を図ることが可能となる優れた
効果を奏する。
磁性層との間に、垂直記録層と同様な結晶構造、結晶配
向性を有する非磁性中間層を設け、その膜厚を加減する
ことにより高透磁率な軟磁性層に対するバイアス層から
の漏洩磁場の強度を、該軟磁性層の材質、膜厚に対応し
て最適に制御することが可能となり、該非磁性中間層で
強度が最適に制御された漏洩磁場により高透磁率な軟磁
性層の磁気異方性を非磁性基板の円周方向に容易に均一
に、かつ安定に維持することが可能となり、その高透磁
率な軟磁性層上の垂直記録層の磁気特性も均一化される
ので、記録媒体面のモジュレーション特性が著しく向上
し、再生信号品質の向上を図ることが可能となる優れた
効果を奏する。
【００３５】従って、これらの実施例による垂直磁気記
録媒体は量産性に優れた連続通過型のスパッタリング装
置のみによる製造が可能であり、また小径の小型磁気デ
ィスクへの適用によって優れた利点が発揮される等、実
用上の効果は大きい。
録媒体は量産性に優れた連続通過型のスパッタリング装
置のみによる製造が可能であり、また小径の小型磁気デ
ィスクへの適用によって優れた利点が発揮される等、実
用上の効果は大きい。
【図１】 本発明の垂直磁気記録媒体の第１実施例を示
す要部断面図である。
す要部断面図である。
【図２】 本発明の垂直磁気記録媒体の第２実施例を示
す要部断面図である。
す要部断面図である。
【図３】 本発明の垂直磁気記録媒体の第３実施例を示
す要部断面図である。
す要部断面図である。
【図４】 従来の垂直磁気記録媒体を説明するための要
部断面図である。
部断面図である。
【図５】 従来の垂直磁気記録媒体のモジュレーション
特性を示す図である。
特性を示す図である。
１１ 非磁性基板 １２ バイアス層 １３ 軟磁性層 １４ 垂直記録層 ２１ 下地層 ２２ 非磁性中間層
Claims (3)
- 【請求項１】 非磁性基板(11)上に高透磁率な軟磁性層
(13)と垂直記録層(14)とを順に積層してなる垂直磁気記
録媒体において、 前記非磁性基板(11)面には、該非磁性基板(11)の円周方
向にテクスチャー加工、若しくは多数の微細溝加工が施
され、かつ非磁性基板(11)と軟磁性層(13)との間に硬磁
性なバイアス層(12)を介在してなることを特徴とする垂
直磁気記録媒体。 - 【請求項２】 非磁性基板(11)上に高透磁率な軟磁性層
(13)と垂直記録層(14)とを順に積層してなる垂直磁気記
録媒体において、 前記非磁性基板(11)面には該非磁性基板(11)の円周方向
にテクスチャー加工、若しくは多数の微細溝加工が施さ
れ、かつ前記非磁性基板(11)と軟磁性層(13)との間に互
いに同等の結晶構造を有する下地層(21)と硬磁性なバイ
アス層(12)とを順に積層した状態に介在してなることを
特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 【請求項３】 非磁性基板(11)上に高透磁率な軟磁性層
(13)と垂直記録層(14)とを順に積層してなる垂直磁気記
録媒体において、 前記非磁性基板(11)面には該非磁性基板(11)の円周方向
にテクスチャー加工、若しくは多数の微細溝加工が施さ
れ、かつ前記非磁性基板(11)と軟磁性層(13)との間に、
互いに同等の結晶構造を有する下地層(21)と、硬磁性な
バイアス層(12)と、前記垂直記録層(14)と同等の結晶構
造、結晶配向性を有する非磁性中間層(22)との積層膜を
介在してなることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24974892A JPH06103554A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 垂直磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24974892A JPH06103554A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 垂直磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06103554A true JPH06103554A (ja) | 1994-04-15 |
Family
ID=17197635
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24974892A Withdrawn JPH06103554A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 垂直磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06103554A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003017258A1 (fr) * | 2001-08-17 | 2003-02-27 | Showa Denko K.K. | Support d'enregistrement magnetique, procede permettant de le produire et dispositif magnetique d'enregistrement/de reproduction |
| US6723458B2 (en) | 2001-08-17 | 2004-04-20 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium, method of manufacture therefor, and magnetic read/write apparatus |
| US7691500B2 (en) | 2006-12-05 | 2010-04-06 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Perpendicular magnetic recording medium |
| US8071228B2 (en) | 2006-11-10 | 2011-12-06 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Perpendicular magnetic recording medium |
-
1992
- 1992-09-18 JP JP24974892A patent/JPH06103554A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003017258A1 (fr) * | 2001-08-17 | 2003-02-27 | Showa Denko K.K. | Support d'enregistrement magnetique, procede permettant de le produire et dispositif magnetique d'enregistrement/de reproduction |
| US6723458B2 (en) | 2001-08-17 | 2004-04-20 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium, method of manufacture therefor, and magnetic read/write apparatus |
| US8071228B2 (en) | 2006-11-10 | 2011-12-06 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Perpendicular magnetic recording medium |
| US7691500B2 (en) | 2006-12-05 | 2010-04-06 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Perpendicular magnetic recording medium |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991130 |