JPH11149628A - 垂直磁気記録媒体 - Google Patents
垂直磁気記録媒体Info
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- JPH11149628A JPH11149628A JP9315654A JP31565497A JPH11149628A JP H11149628 A JPH11149628 A JP H11149628A JP 9315654 A JP9315654 A JP 9315654A JP 31565497 A JP31565497 A JP 31565497A JP H11149628 A JPH11149628 A JP H11149628A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 記録再生時の優れたエンベロ−プ特性を有
し、かつ下地軟磁性膜の磁壁の移動に由来する突発性の
雑音や記録磁化の減磁又は消磁現象が発生しない垂直磁
気記録媒体を提供する。 【解決手段】 本垂直磁気記録媒体２０は、基板２２
と、基板上に設けられた下地軟磁性膜２４と、下地軟磁
性膜上に設けられた垂直磁化膜２８とを有する。下地軟
磁性膜が、非磁壁構造として構成され、その保磁力が３
００Ｏｅ以下である。本発明では、下地軟磁性膜が磁壁
構造を有しないので、下地軟磁性膜が磁壁構造をとると
きに発生する諸問題、即ち下地軟磁性膜の磁壁の上方を
垂直磁気ヘッドが通過したときに発生する突発性の雑
音、浮遊磁界によって下地軟磁性膜の磁壁が容易に移動
し、記録磁化を減磁あるいは消磁してしまうという問題
を解決することができ、エンベロ−プ特性の良好な低ノ
イズの垂直磁気記録媒体を実現できる。
し、かつ下地軟磁性膜の磁壁の移動に由来する突発性の
雑音や記録磁化の減磁又は消磁現象が発生しない垂直磁
気記録媒体を提供する。 【解決手段】 本垂直磁気記録媒体２０は、基板２２
と、基板上に設けられた下地軟磁性膜２４と、下地軟磁
性膜上に設けられた垂直磁化膜２８とを有する。下地軟
磁性膜が、非磁壁構造として構成され、その保磁力が３
００Ｏｅ以下である。本発明では、下地軟磁性膜が磁壁
構造を有しないので、下地軟磁性膜が磁壁構造をとると
きに発生する諸問題、即ち下地軟磁性膜の磁壁の上方を
垂直磁気ヘッドが通過したときに発生する突発性の雑
音、浮遊磁界によって下地軟磁性膜の磁壁が容易に移動
し、記録磁化を減磁あるいは消磁してしまうという問題
を解決することができ、エンベロ−プ特性の良好な低ノ
イズの垂直磁気記録媒体を実現できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク等と
して用いられる垂直磁気記録媒体に関し、更に詳細に
は、記録再生特性の良好な垂直磁気記録媒体に関するも
のである。
して用いられる垂直磁気記録媒体に関し、更に詳細に
は、記録再生特性の良好な垂直磁気記録媒体に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】近年、パ−ソナルコンピュ−タやワ−ク
ステ−ションの進歩に伴い、ハ−ドディスクドライブが
大容量化及び小型化しているので、磁気ディスクは、更
なる高面記録密度化を必要としている。しかし、現在、
広く普及している長手記録方式により高面記録密度を実
現しようとすると、記録ビットの微細化に伴う記録磁化
の熱揺らぎの問題や、記録ヘッドの記録能力を超えかね
ない高保磁力化の問題が発生する。そこで、これらの問
題を解決しつつ、面記録密度を大幅に増大する手段とし
て、垂直磁気記録方式が検討されていて、これを実現す
る垂直磁気記録媒体の一つとして、高透磁率の軟磁性膜
と高い垂直異方性の垂直磁化膜からなる垂直２層媒体が
提案されている。
ステ−ションの進歩に伴い、ハ−ドディスクドライブが
大容量化及び小型化しているので、磁気ディスクは、更
なる高面記録密度化を必要としている。しかし、現在、
広く普及している長手記録方式により高面記録密度を実
現しようとすると、記録ビットの微細化に伴う記録磁化
の熱揺らぎの問題や、記録ヘッドの記録能力を超えかね
ない高保磁力化の問題が発生する。そこで、これらの問
題を解決しつつ、面記録密度を大幅に増大する手段とし
て、垂直磁気記録方式が検討されていて、これを実現す
る垂直磁気記録媒体の一つとして、高透磁率の軟磁性膜
と高い垂直異方性の垂直磁化膜からなる垂直２層媒体が
提案されている。
【０００３】以下に、図５１を参照して、従来の垂直２
層媒体の構成を説明する。図５１は、従来の垂直磁気記
録媒体の模式的基板断面図である。従来の垂直磁気記録
媒体５０は、図５１に示すように、軟磁性裏打ち層５２
と垂直磁化膜５４とを、順次、基板５６上に形成してな
るものである。例えば、軟磁性裏打ち層５２にはＮｉＦ
ｅ膜、及び垂直磁化膜５４にはＣｏＣｒ系合金がそれぞ
れ用いられている（日本応用磁気学会誌、Vol.８, No.
１, １９８４, p１７）。
層媒体の構成を説明する。図５１は、従来の垂直磁気記
録媒体の模式的基板断面図である。従来の垂直磁気記録
媒体５０は、図５１に示すように、軟磁性裏打ち層５２
と垂直磁化膜５４とを、順次、基板５６上に形成してな
るものである。例えば、軟磁性裏打ち層５２にはＮｉＦ
ｅ膜、及び垂直磁化膜５４にはＣｏＣｒ系合金がそれぞ
れ用いられている（日本応用磁気学会誌、Vol.８, No.
１, １９８４, p１７）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図５１に示し
たような従来の垂直磁気記録媒体には、以下に説明する
ような問題があった。第一の問題は、下地軟磁性膜５２
がブロッホライン磁壁、とネ−ル磁壁とに大別される磁
壁（磁区）構造になっているために、垂直磁気記録媒体
の記録再生の際に突発性の雑音（スパイクノイズ）が発
生し、エンベロ−プ特性を劣化させて再生の忠実度を阻
害することである。このような突発性の雑音は、下地軟
磁性膜５２に生じている磁壁の上方をヘッドが通過した
ときに発生する。第二の問題は、外部浮遊磁界による記
録磁化の不安定性である。下地軟磁性膜５２が磁壁構造
になっているので、下地軟磁性層５２内の磁壁が外部浮
遊磁界により容易に移動する。そのような磁壁の移動が
垂直磁気ヘッドの主磁極に対応する下地軟磁性層５２内
の領域で起こると、垂直記録層として機能する垂直磁化
膜５４に記録された磁化の減磁、あるいは消磁現象が発
生する。このような外部からの浮遊磁界は、磁気ディス
クと近接した位置に配置された磁気ディスクドライブ内
のディスク回転用のモ−タ−や、ヘッド位置決め用に用
いられるモ−タ−などから発生する。これらの磁界は、
極めて微弱であるものの、垂直磁気ヘッドの主磁極先端
に集中すると、下地軟磁性膜の磁壁移動を誘発し、記録
磁化を減磁あるいは消磁してしまうことがあるので、情
報記憶装置としては致命的な欠陥となる。
たような従来の垂直磁気記録媒体には、以下に説明する
ような問題があった。第一の問題は、下地軟磁性膜５２
がブロッホライン磁壁、とネ−ル磁壁とに大別される磁
壁（磁区）構造になっているために、垂直磁気記録媒体
の記録再生の際に突発性の雑音（スパイクノイズ）が発
生し、エンベロ−プ特性を劣化させて再生の忠実度を阻
害することである。このような突発性の雑音は、下地軟
磁性膜５２に生じている磁壁の上方をヘッドが通過した
ときに発生する。第二の問題は、外部浮遊磁界による記
録磁化の不安定性である。下地軟磁性膜５２が磁壁構造
になっているので、下地軟磁性層５２内の磁壁が外部浮
遊磁界により容易に移動する。そのような磁壁の移動が
垂直磁気ヘッドの主磁極に対応する下地軟磁性層５２内
の領域で起こると、垂直記録層として機能する垂直磁化
膜５４に記録された磁化の減磁、あるいは消磁現象が発
生する。このような外部からの浮遊磁界は、磁気ディス
クと近接した位置に配置された磁気ディスクドライブ内
のディスク回転用のモ−タ−や、ヘッド位置決め用に用
いられるモ−タ−などから発生する。これらの磁界は、
極めて微弱であるものの、垂直磁気ヘッドの主磁極先端
に集中すると、下地軟磁性膜の磁壁移動を誘発し、記録
磁化を減磁あるいは消磁してしまうことがあるので、情
報記憶装置としては致命的な欠陥となる。
【０００５】そこで、本発明の目的は、記録再生時のエ
ンベロ−プ特性が優れ、かつ下地軟磁性膜の磁壁の移動
に由来する、突発性の雑音、及び記録磁化の減磁又は消
磁現象が生じないような、新規な構成の垂直磁気記録媒
体を提供することにある。
ンベロ−プ特性が優れ、かつ下地軟磁性膜の磁壁の移動
に由来する、突発性の雑音、及び記録磁化の減磁又は消
磁現象が生じないような、新規な構成の垂直磁気記録媒
体を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る垂直磁気記録媒体は、基板と、基板上
に設けられた軟磁性膜と、軟磁性膜上に設けられた垂直
磁化膜とを少なくとも有する垂直磁気記録媒体におい
て、軟磁性膜が、非磁壁構造として形成され、その保磁
力が３００Ｏｅ以下であることを特徴としている。本発
明で、非磁壁構造の軟磁性膜とは、磁壁構造をもたない
軟磁性膜を意味する。
に、本発明に係る垂直磁気記録媒体は、基板と、基板上
に設けられた軟磁性膜と、軟磁性膜上に設けられた垂直
磁化膜とを少なくとも有する垂直磁気記録媒体におい
て、軟磁性膜が、非磁壁構造として形成され、その保磁
力が３００Ｏｅ以下であることを特徴としている。本発
明で、非磁壁構造の軟磁性膜とは、磁壁構造をもたない
軟磁性膜を意味する。
【０００７】非磁壁構造の軟磁性膜を成膜するには、Ｆ
ｅＳｉＡｌ又はＦｅＳｉＡｌ系合金で軟磁性膜を成膜す
る。また、ＦｅＴａＮ又はＦｅＴａＮ系合金で軟磁性膜
を成膜しても良い。更には、グラニュラ−薄膜の軟磁性
膜を成膜しても良い。その際には、ＳｉＯ 2 、又はＣを
グラニュラ−薄膜の母材とし、Ｃｏ、ＣｏＰｔ及びＣｏ
ＣｒＰｔのいずれかを母材中に分散させる粒子の材料と
し、かつ母材を列、母在中に分散させる粒子の材料を行
として構成した行列の行列要素のいずれかでグラニュラ
−薄膜が形成されている。
ｅＳｉＡｌ又はＦｅＳｉＡｌ系合金で軟磁性膜を成膜す
る。また、ＦｅＴａＮ又はＦｅＴａＮ系合金で軟磁性膜
を成膜しても良い。更には、グラニュラ−薄膜の軟磁性
膜を成膜しても良い。その際には、ＳｉＯ 2 、又はＣを
グラニュラ−薄膜の母材とし、Ｃｏ、ＣｏＰｔ及びＣｏ
ＣｒＰｔのいずれかを母材中に分散させる粒子の材料と
し、かつ母材を列、母在中に分散させる粒子の材料を行
として構成した行列の行列要素のいずれかでグラニュラ
−薄膜が形成されている。
【０００８】グラニュラ−薄膜は、母材中に他の物質を
分散させているために、一般的には、表面平滑性があま
り優れない。そこで、本発明の垂直磁気記録媒体では、
好ましくは、軟磁性膜と垂直磁化膜の間に膜厚１００ｎ
ｍ以下の接合層を介在させる。これにより、軟磁性膜の
表面平滑性の向上及び垂直磁化膜の垂直配向性の向上を
同時に達成することができ、また、垂直磁化膜の磁気特
性の角形比が改善され、低媒体ノイズ化を図ることがで
き、記録再生特性の良好な媒体とすることができる。そ
の際には、Ｃｏ1-X Ｃｒx （０．２５≦ｘ≦０．６
０）、Ｔｉ及びＣｒＴｉのいずれかで接合層を形成する
のが望ましい。
分散させているために、一般的には、表面平滑性があま
り優れない。そこで、本発明の垂直磁気記録媒体では、
好ましくは、軟磁性膜と垂直磁化膜の間に膜厚１００ｎ
ｍ以下の接合層を介在させる。これにより、軟磁性膜の
表面平滑性の向上及び垂直磁化膜の垂直配向性の向上を
同時に達成することができ、また、垂直磁化膜の磁気特
性の角形比が改善され、低媒体ノイズ化を図ることがで
き、記録再生特性の良好な媒体とすることができる。そ
の際には、Ｃｏ1-X Ｃｒx （０．２５≦ｘ≦０．６
０）、Ｔｉ及びＣｒＴｉのいずれかで接合層を形成する
のが望ましい。
【０００９】グラニュラ−薄膜を軟磁性膜とする垂直磁
気記録媒体では、好適には、膜厚５００ｎｍ以下のＣｒ
膜、Ｖ膜、及びＣｕ膜のいずれかをグラニュラ−薄膜と
基板の間に介在させる。これにより、Ｃｒ膜、Ｖ膜、又
はＣｕ膜を挿入しない場合に比べて、母材中に分散させ
た粒子の独立化を促進させることができるので、保磁力
が増大して、再生出力の記録密度依存性の向上を図るこ
とができ、記録再生特性の良好な媒体とすることが可能
である。また、好適には、グラニュラ−薄膜を非磁壁構
造とする。
気記録媒体では、好適には、膜厚５００ｎｍ以下のＣｒ
膜、Ｖ膜、及びＣｕ膜のいずれかをグラニュラ−薄膜と
基板の間に介在させる。これにより、Ｃｒ膜、Ｖ膜、又
はＣｕ膜を挿入しない場合に比べて、母材中に分散させ
た粒子の独立化を促進させることができるので、保磁力
が増大して、再生出力の記録密度依存性の向上を図るこ
とができ、記録再生特性の良好な媒体とすることが可能
である。また、好適には、グラニュラ−薄膜を非磁壁構
造とする。
【００１０】磁壁構造は、ブロッホライン磁壁、とネ−
ル磁壁とに大別されているが、本発明に係る垂直磁気記
録媒体は、軟磁性膜の成膜材料を特定することにより、
そのような磁壁構造を有しない軟磁性膜を垂直磁化膜の
下に備えている。従って、磁壁構造を有する軟磁性膜を
用いた従来の垂直磁気記録媒体に発生していたような諸
問題、即ち垂直磁気ヘッドが軟磁性膜に生じている磁壁
の上方を通過したときに発生する突発性の雑音（スパイ
クノイズ）、或いはディスク回転用モ−タ−やヘッド位
置決め用モ−タ−などから発生する浮遊磁界によって軟
磁性膜の磁壁が移動し、記録磁化を減磁あるいは消磁し
てしまうという問題を根本的に解決することができ、エ
ンベロ−プ特性の良好な低ノイズの媒体を実現できる。
ル磁壁とに大別されているが、本発明に係る垂直磁気記
録媒体は、軟磁性膜の成膜材料を特定することにより、
そのような磁壁構造を有しない軟磁性膜を垂直磁化膜の
下に備えている。従って、磁壁構造を有する軟磁性膜を
用いた従来の垂直磁気記録媒体に発生していたような諸
問題、即ち垂直磁気ヘッドが軟磁性膜に生じている磁壁
の上方を通過したときに発生する突発性の雑音（スパイ
クノイズ）、或いはディスク回転用モ−タ−やヘッド位
置決め用モ−タ−などから発生する浮遊磁界によって軟
磁性膜の磁壁が移動し、記録磁化を減磁あるいは消磁し
てしまうという問題を根本的に解決することができ、エ
ンベロ−プ特性の良好な低ノイズの媒体を実現できる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下に、実施形態例を挙げ、添付
図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細
に説明する。実施形態例 本実施形態例は、本発明に係る垂直磁気記録媒体の実施
形態の一つの例であって、図１（ａ）は本実施形態例の
垂直磁気記録媒体の構成を示す模式的基板断面図であ
る。本実施形態例の垂直磁気記録媒体２０は、図１
（ａ）に示すように、基板２２と、基板２２上に、順
次、形成された、非磁壁構造の下地軟磁性膜２４、即ち
磁壁構造を有しない下地軟磁性膜２４と、垂直磁化膜２
８とかなる積層構造を備えている。ＦｅＳｉＡｌ膜又は
ＦｅＳｉＡｌ系合金膜、ＦｅＴａＮ膜又はＦｅＴａＮ系
合金膜、更には、母材としてＳｉＯ2 、又はＣを、その
母材中に分散させる粒子の材料としてＣｏ、ＣｏＰｔ、
又はＣｏＣｒＰｔを採用し、母材を列、母在中に分散さ
せる粒子の材料を行とした行列の行列要素のいずれかで
形成したグラニュラ−薄膜を用いることにより、磁壁構
造を有しない下地軟磁性膜を形成することができる。
図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細
に説明する。実施形態例 本実施形態例は、本発明に係る垂直磁気記録媒体の実施
形態の一つの例であって、図１（ａ）は本実施形態例の
垂直磁気記録媒体の構成を示す模式的基板断面図であ
る。本実施形態例の垂直磁気記録媒体２０は、図１
（ａ）に示すように、基板２２と、基板２２上に、順
次、形成された、非磁壁構造の下地軟磁性膜２４、即ち
磁壁構造を有しない下地軟磁性膜２４と、垂直磁化膜２
８とかなる積層構造を備えている。ＦｅＳｉＡｌ膜又は
ＦｅＳｉＡｌ系合金膜、ＦｅＴａＮ膜又はＦｅＴａＮ系
合金膜、更には、母材としてＳｉＯ2 、又はＣを、その
母材中に分散させる粒子の材料としてＣｏ、ＣｏＰｔ、
又はＣｏＣｒＰｔを採用し、母材を列、母在中に分散さ
せる粒子の材料を行とした行列の行列要素のいずれかで
形成したグラニュラ−薄膜を用いることにより、磁壁構
造を有しない下地軟磁性膜を形成することができる。
【００１２】以上の構成により、本発明に係る垂直磁気
記録媒体２０は、下地軟磁性膜が磁壁構造をとるときに
発生する前述した諸問題を根本的に解決することができ
る。
記録媒体２０は、下地軟磁性膜が磁壁構造をとるときに
発生する前述した諸問題を根本的に解決することができ
る。
【００１３】
【実施例】以下に、実施例を挙げ、添付図面を参照し
て、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細に説明する。実施例１ 本実施例は、本発明に係る垂直磁気記録媒体の実施例の
一つである。図１（ｂ）は本実施形態例の垂直磁気記録
媒体の構成を示す基板断面図である。本実施例の垂直磁
気記録媒体１０は、２．５インチの基板１２と、基板１
２上に形成された膜厚５００ｎｍのＦｅＳｉＡｌ膜から
なる下地軟磁性膜１６と、下地軟磁性膜１６上に形成さ
れたＣｏ78Ｃｒ19Ｔａ3膜（at％) からなる垂直磁化膜
１８と、Ｃ保護膜（図示せず）とを有する積層構造とし
て形成されている。
て、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細に説明する。実施例１ 本実施例は、本発明に係る垂直磁気記録媒体の実施例の
一つである。図１（ｂ）は本実施形態例の垂直磁気記録
媒体の構成を示す基板断面図である。本実施例の垂直磁
気記録媒体１０は、２．５インチの基板１２と、基板１
２上に形成された膜厚５００ｎｍのＦｅＳｉＡｌ膜から
なる下地軟磁性膜１６と、下地軟磁性膜１６上に形成さ
れたＣｏ78Ｃｒ19Ｔａ3膜（at％) からなる垂直磁化膜
１８と、Ｃ保護膜（図示せず）とを有する積層構造とし
て形成されている。
【００１４】以下に、本実施例の垂直磁気記録媒体１０
を作製する方法を説明する。先ず、６インチのＦｅＳｉ
Ａｌタ−ゲットを用いて、スパッタ法により以下の成膜
条件で２．５インチの基板１２上に膜厚５００ｎｍのＦ
ｅＳｉＡｌ膜からなる下地軟磁性膜１６を成膜した。 成膜条件 チャンバの初期真空度 ：５×１０-7mTorr以下 基板温度 ：６００℃ 投入電力 ：０．５kw アルゴンガス圧 ：４mTorr 成膜速度 ：３ｎｍ/sec
を作製する方法を説明する。先ず、６インチのＦｅＳｉ
Ａｌタ−ゲットを用いて、スパッタ法により以下の成膜
条件で２．５インチの基板１２上に膜厚５００ｎｍのＦ
ｅＳｉＡｌ膜からなる下地軟磁性膜１６を成膜した。 成膜条件 チャンバの初期真空度 ：５×１０-7mTorr以下 基板温度 ：６００℃ 投入電力 ：０．５kw アルゴンガス圧 ：４mTorr 成膜速度 ：３ｎｍ/sec
【００１５】次いで、ＦｅＳｉＡｌ膜からなる下地軟磁
性膜１６上に、Ｃｏ78Ｃｒ19Ｔａ3(at%)タ−ゲットを用
いて基板温度２００℃で膜厚１００ｎｍのＣｏ78Ｃｒ19
Ｔａ 3膜からなる垂直磁化膜１８を成膜した。更に、Ｃ
ｏ78Ｃｒ19Ｔａ3膜１８の上に膜厚１０ｎｍのＣ保護膜
を成膜し、得た垂直磁気記録媒体を本発明媒体Ａ２とし
た。また、保磁力の比較用に基板温度を室温にして成膜
したＦｅＳｉＡｌ膜も作製した。
性膜１６上に、Ｃｏ78Ｃｒ19Ｔａ3(at%)タ−ゲットを用
いて基板温度２００℃で膜厚１００ｎｍのＣｏ78Ｃｒ19
Ｔａ 3膜からなる垂直磁化膜１８を成膜した。更に、Ｃ
ｏ78Ｃｒ19Ｔａ3膜１８の上に膜厚１０ｎｍのＣ保護膜
を成膜し、得た垂直磁気記録媒体を本発明媒体Ａ２とし
た。また、保磁力の比較用に基板温度を室温にして成膜
したＦｅＳｉＡｌ膜も作製した。
【００１６】一方、本発明媒体Ａ２とは別に、ＦｅＳｉ
Ａｌ膜の代わりに、ＮｉＦｅタ−ゲットを用いて、実施
例１と同様にして、ＮｉＦｅ膜からなる下地軟磁性膜、
及びＣｏ78Ｃｒ19Ｔａ3(at%)膜を成膜した媒体を従来媒
体Ａ１とした。
Ａｌ膜の代わりに、ＮｉＦｅタ−ゲットを用いて、実施
例１と同様にして、ＮｉＦｅ膜からなる下地軟磁性膜、
及びＣｏ78Ｃｒ19Ｔａ3(at%)膜を成膜した媒体を従来媒
体Ａ１とした。
【００１７】本発明に係る垂直磁気記録媒体Ａ２を評価
するために、以下のようにして、磁壁構造の観察、保磁
力の測定、記録再生特性の測定等を行った。実施例２以
下の実施例にも同じ評価方法を適用した。本発明媒体Ａ
２のＦｅＳｉＡｌ膜１６の磁壁構造を調べるために、以
下のようにして、粉末図形法により磁壁構造を観察し
た。先ず、基板温度６００℃で成膜したＦｅＳｉＡｌ膜
の表面に微少な傷をつけ、磁壁構造を見え易くした後、
ビッタ−液（磁性コロイド）をその上に塗布した。そし
て、その試料を磁壁観察用電磁石にセットし、金属顕微
鏡で磁壁構造を観察したが、明瞭な磁壁構造は観察され
なかった。次に、磁場を徐々に試料に印加しながら観察
したところ、変化は見られなかった。これは、基板温度
を室温にして成膜したＦｅＳｉＡｌ膜についても同様で
あった。次いで、同様にして、従来媒体Ａ１のＮｉＦｅ
膜を観察したところ、明瞭な磁壁構造が観察された。そ
して、試料に徐々に磁場を印加しながら観察したとこ
ろ、磁壁の移動の様子が明瞭に観察された。以上のこと
は、ＮｉＦｅ膜の磁化過程は磁壁移動による磁化過程で
あるのに対し、ＦｅＳｉＡｌ膜の磁化過程は磁壁移動に
よらないことを示している。
するために、以下のようにして、磁壁構造の観察、保磁
力の測定、記録再生特性の測定等を行った。実施例２以
下の実施例にも同じ評価方法を適用した。本発明媒体Ａ
２のＦｅＳｉＡｌ膜１６の磁壁構造を調べるために、以
下のようにして、粉末図形法により磁壁構造を観察し
た。先ず、基板温度６００℃で成膜したＦｅＳｉＡｌ膜
の表面に微少な傷をつけ、磁壁構造を見え易くした後、
ビッタ−液（磁性コロイド）をその上に塗布した。そし
て、その試料を磁壁観察用電磁石にセットし、金属顕微
鏡で磁壁構造を観察したが、明瞭な磁壁構造は観察され
なかった。次に、磁場を徐々に試料に印加しながら観察
したところ、変化は見られなかった。これは、基板温度
を室温にして成膜したＦｅＳｉＡｌ膜についても同様で
あった。次いで、同様にして、従来媒体Ａ１のＮｉＦｅ
膜を観察したところ、明瞭な磁壁構造が観察された。そ
して、試料に徐々に磁場を印加しながら観察したとこ
ろ、磁壁の移動の様子が明瞭に観察された。以上のこと
は、ＮｉＦｅ膜の磁化過程は磁壁移動による磁化過程で
あるのに対し、ＦｅＳｉＡｌ膜の磁化過程は磁壁移動に
よらないことを示している。
【００１８】次に、ＦｅＳｉＡｌ膜及びＮｉＦｅ膜の保
磁力を調べるために、試料振動型磁力計（ＶＳＭ）を用
いて保磁力の測定を行った。その結果、基板温度６００
℃で成膜したＦｅＳｉＡｌ膜及びＮｉＦｅ膜の保磁力は
それぞれ０．１Ｏｅ、基板温度を室温にして成膜したＦ
ｅＳｉＡｌ膜の保磁力は３００Ｏｅであった。
磁力を調べるために、試料振動型磁力計（ＶＳＭ）を用
いて保磁力の測定を行った。その結果、基板温度６００
℃で成膜したＦｅＳｉＡｌ膜及びＮｉＦｅ膜の保磁力は
それぞれ０．１Ｏｅ、基板温度を室温にして成膜したＦ
ｅＳｉＡｌ膜の保磁力は３００Ｏｅであった。
【００１９】単磁極ヘッド及びＩＤ／ＭＲ複合ヘッドを
用いて、本発明媒体Ａ２及び従来媒体Ａ１について記録
再生の評価試験を行った。ここで、ＩＤ／ＭＲ複合ヘッ
ド記録トラック幅は４μm 、再生トラック幅は３μm 、
記録ギャップ長は０．４μm、再生ギャップ長は０．３
２μm であった。また、単磁極ヘッドのトラック幅は１
０μm 、主磁極膜厚は０．４μm であった。評価試験
は、記録電流１０mAop、センス電流１２mA、周速度１
２．７m/sec 、浮上量４５ｎｍ、及びノイズのバンド帯
域４５MHzの条件下で行った。なお、実験は単磁極ヘッ
ドによって記録した信号をＭＲヘッドで読み出す場合
と、ＩＤヘッドで記録した信号をＭＲヘッドで読み出す
場合の両方について行った。図２は、本発明媒体Ａ２及
び従来媒体Ａ１エンベロ−プ特性を示す。図２に示すよ
うに、本発明媒体Ａ２は、従来媒体Ａ１に比較して、遥
かにエンベロ−プがきれいであり、エンベロ−プ特性が
非常に優れていることが分かる。この評価試験は単磁極
ヘッドによって記録した信号をＭＲヘッドで読み出すこ
とによって行ったが、ＩＤヘッドで記録した信号をＭＲ
ヘッドで読み出す評価試験も行ったところ、同様なエン
ベロ−プ特性の違いが見られた。
用いて、本発明媒体Ａ２及び従来媒体Ａ１について記録
再生の評価試験を行った。ここで、ＩＤ／ＭＲ複合ヘッ
ド記録トラック幅は４μm 、再生トラック幅は３μm 、
記録ギャップ長は０．４μm、再生ギャップ長は０．３
２μm であった。また、単磁極ヘッドのトラック幅は１
０μm 、主磁極膜厚は０．４μm であった。評価試験
は、記録電流１０mAop、センス電流１２mA、周速度１
２．７m/sec 、浮上量４５ｎｍ、及びノイズのバンド帯
域４５MHzの条件下で行った。なお、実験は単磁極ヘッ
ドによって記録した信号をＭＲヘッドで読み出す場合
と、ＩＤヘッドで記録した信号をＭＲヘッドで読み出す
場合の両方について行った。図２は、本発明媒体Ａ２及
び従来媒体Ａ１エンベロ−プ特性を示す。図２に示すよ
うに、本発明媒体Ａ２は、従来媒体Ａ１に比較して、遥
かにエンベロ−プがきれいであり、エンベロ−プ特性が
非常に優れていることが分かる。この評価試験は単磁極
ヘッドによって記録した信号をＭＲヘッドで読み出すこ
とによって行ったが、ＩＤヘッドで記録した信号をＭＲ
ヘッドで読み出す評価試験も行ったところ、同様なエン
ベロ−プ特性の違いが見られた。
【００２０】このことは、従来媒体Ａ１の下地軟磁性膜
ＮｉＦｅは磁壁構造をとるため、磁壁の移動にともなう
突発性の雑音が見られるのに対し、本発明媒体Ａ２の下
地軟磁性膜ＦｅＳｉＡｌは磁壁構造をとらないため、突
発性の雑音の発生を根本的に解決できていることを示し
ている。また、ＦｅＳｉＡｌ膜を室温で成膜した膜を下
地に持つ媒体の結果も同様なものになる。何故ならば、
元来、磁性体は保磁力が大きければ磁壁構造は出来難い
からであり、この場合、室温で成膜したＦｅＳｉＡｌ膜
の保磁力は、基板温度６００℃で成膜したＦｅＳｉＡｌ
膜の保磁力よりも遥かに大きく、磁壁構造が一層出来難
い状態にあるからである。
ＮｉＦｅは磁壁構造をとるため、磁壁の移動にともなう
突発性の雑音が見られるのに対し、本発明媒体Ａ２の下
地軟磁性膜ＦｅＳｉＡｌは磁壁構造をとらないため、突
発性の雑音の発生を根本的に解決できていることを示し
ている。また、ＦｅＳｉＡｌ膜を室温で成膜した膜を下
地に持つ媒体の結果も同様なものになる。何故ならば、
元来、磁性体は保磁力が大きければ磁壁構造は出来難い
からであり、この場合、室温で成膜したＦｅＳｉＡｌ膜
の保磁力は、基板温度６００℃で成膜したＦｅＳｉＡｌ
膜の保磁力よりも遥かに大きく、磁壁構造が一層出来難
い状態にあるからである。
【００２１】次に、本発明媒体Ａ２及び従来媒体Ａ１に
ついて、次のようにして、外部浮遊磁界に対する記録磁
化の安定性を評価した。単磁極ヘッドにより信号を本発
明媒体Ａ２及び従来媒体Ａ１に記録した後、ヘルムホル
ツコイルによって媒体に直流磁場を大きさ０．１〜５０
０Ｏｅの範囲で印加し、磁場印加前の再生出力と磁場印
加後の再生出力の比較を行い、その結果を図３に示し
た。図３は、磁場印加前の再生出力に対する磁場印加後
の再生出力を百分率で示している。図３から分かるよう
に、従来媒体Ａ１は、下地軟磁性膜の保磁力に相当する
０．１Ｏｅを印加した段階で記録磁化の減磁に伴う再生
出力の低下が見られ、印加磁場を大きくするのに伴って
減磁量が増加するのに対し、本発明媒体Ａ２は５００Ｏ
ｅの磁場を印加しても減磁は見られず、外部浮遊磁界に
対する記録信号の安定性は、本発明媒体Ａ２の方が遥か
に優れていることが分かった。また、ＩＤヘッドで記録
した信号をＭＲヘッドで読み出す方法によって、同様の
実験を行ったところ、全く同様な傾向が見られた。この
結果を図４に示す。この場合も、図２のところで述べた
ような理由によって、ＦｅＳｉＡｌ膜を室温で成膜した
膜を下地に持つ媒体の外部浮遊磁界に対する記録磁化の
安定性の結果は同様なものになる。しかし、室温で成膜
したＦｅＳｉＡｌ膜は保磁力が３００Ｏｅと大きいた
め、矩形波状の再生波形に歪みが生じる。垂直２層媒体
の下地軟磁性層として機能し、矩形状の再生波形を得る
ためには、下地軟磁性膜ＦｅＳｉＡｌの保磁力は１００
Ｏｅ以下であることが望ましい。
ついて、次のようにして、外部浮遊磁界に対する記録磁
化の安定性を評価した。単磁極ヘッドにより信号を本発
明媒体Ａ２及び従来媒体Ａ１に記録した後、ヘルムホル
ツコイルによって媒体に直流磁場を大きさ０．１〜５０
０Ｏｅの範囲で印加し、磁場印加前の再生出力と磁場印
加後の再生出力の比較を行い、その結果を図３に示し
た。図３は、磁場印加前の再生出力に対する磁場印加後
の再生出力を百分率で示している。図３から分かるよう
に、従来媒体Ａ１は、下地軟磁性膜の保磁力に相当する
０．１Ｏｅを印加した段階で記録磁化の減磁に伴う再生
出力の低下が見られ、印加磁場を大きくするのに伴って
減磁量が増加するのに対し、本発明媒体Ａ２は５００Ｏ
ｅの磁場を印加しても減磁は見られず、外部浮遊磁界に
対する記録信号の安定性は、本発明媒体Ａ２の方が遥か
に優れていることが分かった。また、ＩＤヘッドで記録
した信号をＭＲヘッドで読み出す方法によって、同様の
実験を行ったところ、全く同様な傾向が見られた。この
結果を図４に示す。この場合も、図２のところで述べた
ような理由によって、ＦｅＳｉＡｌ膜を室温で成膜した
膜を下地に持つ媒体の外部浮遊磁界に対する記録磁化の
安定性の結果は同様なものになる。しかし、室温で成膜
したＦｅＳｉＡｌ膜は保磁力が３００Ｏｅと大きいた
め、矩形波状の再生波形に歪みが生じる。垂直２層媒体
の下地軟磁性層として機能し、矩形状の再生波形を得る
ためには、下地軟磁性膜ＦｅＳｉＡｌの保磁力は１００
Ｏｅ以下であることが望ましい。
【００２２】次に、記録磁化の経時変化を調べるため
に、本発明媒体Ａ２及び従来媒体Ａ１に信号を単磁極ヘ
ッドにより記録した後、単磁極ヘッドを媒体上にロ−ド
させたままで再生出力を測定した。記録直後の再生出力
をt ＝１秒とし、ｔ＝１×１０ 4 秒まで測定した。そし
て、t ＝１秒の時の再生出力と一定時間経過後の再生出
力の比較を行い、その結果を図５に示した。図５は、t
＝１秒の時の再生出力に対する一定時間経過後の再生出
力を百分率で示している。図５から分かるように、従来
媒体Ａ１は、信号記録後の経過時間の対数にほぼ比例し
て再生出力が低下するのに対し、本発明媒体Ａ２では、
このような再生出力の低下は全く見られなかった。この
ことは、ＮｉＦｅの磁壁が地磁気やディスク回転用モ−
タ−などの微少な磁場によっても容易に移動し、それが
垂直磁気ヘッドの主磁極と対応する領域で起こったため
に記録磁化の減磁が見られたと考えられる。一方、本発
明媒体Ａ２に用いているＦｅＳｉＡｌ膜は磁壁構造をと
らないために、このような磁壁移動による減磁の問題を
根本的に解決することができたと考えられる。また、こ
の場合も、図２のところで述べたような理由によって、
ＦｅＳｉＡｌ膜を室温で成膜した膜を下地に持つ媒体の
記録磁化の経時変化の結果は同様なものになる。
に、本発明媒体Ａ２及び従来媒体Ａ１に信号を単磁極ヘ
ッドにより記録した後、単磁極ヘッドを媒体上にロ−ド
させたままで再生出力を測定した。記録直後の再生出力
をt ＝１秒とし、ｔ＝１×１０ 4 秒まで測定した。そし
て、t ＝１秒の時の再生出力と一定時間経過後の再生出
力の比較を行い、その結果を図５に示した。図５は、t
＝１秒の時の再生出力に対する一定時間経過後の再生出
力を百分率で示している。図５から分かるように、従来
媒体Ａ１は、信号記録後の経過時間の対数にほぼ比例し
て再生出力が低下するのに対し、本発明媒体Ａ２では、
このような再生出力の低下は全く見られなかった。この
ことは、ＮｉＦｅの磁壁が地磁気やディスク回転用モ−
タ−などの微少な磁場によっても容易に移動し、それが
垂直磁気ヘッドの主磁極と対応する領域で起こったため
に記録磁化の減磁が見られたと考えられる。一方、本発
明媒体Ａ２に用いているＦｅＳｉＡｌ膜は磁壁構造をと
らないために、このような磁壁移動による減磁の問題を
根本的に解決することができたと考えられる。また、こ
の場合も、図２のところで述べたような理由によって、
ＦｅＳｉＡｌ膜を室温で成膜した膜を下地に持つ媒体の
記録磁化の経時変化の結果は同様なものになる。
【００２３】以上のことから、本発明媒体Ａ２を用いる
ことによって記録再生時のエンベロ−プ特性の向上並び
に下地軟磁性膜の磁壁の移動に由来する突発性の雑音や
記録磁化の減磁あるいは消磁の防止を実現でき、高記録
密度の実現が容易となる。
ことによって記録再生時のエンベロ−プ特性の向上並び
に下地軟磁性膜の磁壁の移動に由来する突発性の雑音や
記録磁化の減磁あるいは消磁の防止を実現でき、高記録
密度の実現が容易となる。
【００２４】実施例２ ＦｅＳｉＡｌＲｕＴｉ膜タ−ゲットを用いて、下地軟磁
性膜としてＦｅＳｉＡｌＲｕＴｉ膜を基板上に成膜した
ことを除いて、実施例１の本発明媒体Ａ２と同様にし
て、垂直磁気記録媒体を作製し、本発明媒体Ｂ２とし
た。また、保磁力の比較のために、基板温度を室温にし
て成膜したＦｅＳｉＡｌＲｕＴｉ膜も作製した。
性膜としてＦｅＳｉＡｌＲｕＴｉ膜を基板上に成膜した
ことを除いて、実施例１の本発明媒体Ａ２と同様にし
て、垂直磁気記録媒体を作製し、本発明媒体Ｂ２とし
た。また、保磁力の比較のために、基板温度を室温にし
て成膜したＦｅＳｉＡｌＲｕＴｉ膜も作製した。
【００２５】本発明媒体Ｂ２のＦｅＳｉＡｌＲｕＴｉ膜
を観察したところ、明瞭な磁壁構造は観察されなかった
し、試料に徐々に磁場を印加しながら観察しても、変化
は見られなかった。これは、基板温度を室温にして成膜
したＦｅＳｉＡｌＲｕＴｉ膜についても同様であった。
以上のことは、本発明媒体Ｂ２のＦｅＳｉＡｌＲｕＴｉ
膜の磁化過程は磁壁移動によらないことを示している。
を観察したところ、明瞭な磁壁構造は観察されなかった
し、試料に徐々に磁場を印加しながら観察しても、変化
は見られなかった。これは、基板温度を室温にして成膜
したＦｅＳｉＡｌＲｕＴｉ膜についても同様であった。
以上のことは、本発明媒体Ｂ２のＦｅＳｉＡｌＲｕＴｉ
膜の磁化過程は磁壁移動によらないことを示している。
【００２６】次に、本発明媒体Ｂ２のＦｅＳｉＡｌＲｕ
Ｔｉ膜の保磁力を調べたところ、保磁力は０．１Ｏｅで
あった。また、基板温度を室温にして成膜したＦｅＳｉ
ＡｌＲｕＴｉ膜の保磁力は３００Ｏｅであった。
Ｔｉ膜の保磁力を調べたところ、保磁力は０．１Ｏｅで
あった。また、基板温度を室温にして成膜したＦｅＳｉ
ＡｌＲｕＴｉ膜の保磁力は３００Ｏｅであった。
【００２７】本発明媒体Ｂ２について記録再生特性の評
価試験を行い、従来媒体Ａ１と比較したところ、実施例
１の本発明媒体Ａ２と同様に、本発明媒体Ｂ２は、従来
媒体Ａ１に比較して遥かにエンベロ−プがきれいであ
り、エンベロ−プ特性が非常に優れていることが分かっ
た。この評価試験は、単磁極ヘッドによって記録した信
号をＭＲヘッドで読み出すことによって行ったが、ＩＤ
ヘッドで記録した信号をＭＲヘッドで読み出す実験も行
ったところ、同様なエンベロ−プ特性の違いが見られ
た。
価試験を行い、従来媒体Ａ１と比較したところ、実施例
１の本発明媒体Ａ２と同様に、本発明媒体Ｂ２は、従来
媒体Ａ１に比較して遥かにエンベロ−プがきれいであ
り、エンベロ−プ特性が非常に優れていることが分かっ
た。この評価試験は、単磁極ヘッドによって記録した信
号をＭＲヘッドで読み出すことによって行ったが、ＩＤ
ヘッドで記録した信号をＭＲヘッドで読み出す実験も行
ったところ、同様なエンベロ−プ特性の違いが見られ
た。
【００２８】このことは、本発明媒体Ｂ２の下地軟磁性
膜ＦｅＳｉＡｌＲｕＴｉは磁壁構造をとらないため、突
発性の雑音の発生を根本的に解決できていることを示し
ている。また、実施例１のところで述べたような理由に
よって、ＦｅＳｉＡｌＲｕＴｉ膜を室温で成膜した膜を
下地に持つ媒体の結果も同様なものになる。
膜ＦｅＳｉＡｌＲｕＴｉは磁壁構造をとらないため、突
発性の雑音の発生を根本的に解決できていることを示し
ている。また、実施例１のところで述べたような理由に
よって、ＦｅＳｉＡｌＲｕＴｉ膜を室温で成膜した膜を
下地に持つ媒体の結果も同様なものになる。
【００２９】次に、本発明媒体Ｂ２の外部浮遊磁界に対
する記録磁化の安定性を測定し、従来媒体Ａ１と対比し
て、図６に示した。図６は、磁場印加前の再生出力に対
する磁場印加後の再生出力を百分率で示してある。図６
から分かるように、再生出力が低下する従来媒体Ａ１に
対して、本発明媒体Ｂ２は５００Ｏｅの磁場を印加して
も減磁は見られず、外部浮遊磁界に対する記録信号の安
定性は、本発明媒体Ｂ２の方が遥かに優れていることが
分かった。同様の実験をＩＤヘッドで記録した信号をＭ
Ｒヘッドで読み出す方法によっても行ったところ、全く
同様な傾向が見られた。この結果を図７に示す。また、
実施例１のところで述べたような理由によって、ＦｅＳ
ｉＡｌＲｕＴｉ膜を室温で成膜した膜を下地に持つ媒体
の外部浮遊磁界に対する記録磁化の安定性の結果は同様
なものになる。
する記録磁化の安定性を測定し、従来媒体Ａ１と対比し
て、図６に示した。図６は、磁場印加前の再生出力に対
する磁場印加後の再生出力を百分率で示してある。図６
から分かるように、再生出力が低下する従来媒体Ａ１に
対して、本発明媒体Ｂ２は５００Ｏｅの磁場を印加して
も減磁は見られず、外部浮遊磁界に対する記録信号の安
定性は、本発明媒体Ｂ２の方が遥かに優れていることが
分かった。同様の実験をＩＤヘッドで記録した信号をＭ
Ｒヘッドで読み出す方法によっても行ったところ、全く
同様な傾向が見られた。この結果を図７に示す。また、
実施例１のところで述べたような理由によって、ＦｅＳ
ｉＡｌＲｕＴｉ膜を室温で成膜した膜を下地に持つ媒体
の外部浮遊磁界に対する記録磁化の安定性の結果は同様
なものになる。
【００３０】次に、記録磁化の経時変化を測定し、従来
媒体Ａ１と対比して、図８に示した。図８は、t ＝１秒
の時の再生出力に対する一定時間経過後の再生出力を百
分率で示している。図８から分かるように、再生出力が
低下する従来媒体Ａ１に対して、本発明媒体Ｂ２では、
このような再生出力の低下は全く見られなかった。この
ことは、本発明媒体Ｂ２に用いているＦｅＳｉＡｌＲｕ
Ｔｉ膜は磁壁構造をとらないために、このような磁壁移
動による減磁の問題を根本的に解決することができたと
考えられる。また、実施例１のところで述べたような理
由によって、ＦｅＳｉＡｌＲｕＴｉ膜を室温で成膜した
膜を下地に持つ媒体の記録磁化の経時変化の結果は同様
なものになる。
媒体Ａ１と対比して、図８に示した。図８は、t ＝１秒
の時の再生出力に対する一定時間経過後の再生出力を百
分率で示している。図８から分かるように、再生出力が
低下する従来媒体Ａ１に対して、本発明媒体Ｂ２では、
このような再生出力の低下は全く見られなかった。この
ことは、本発明媒体Ｂ２に用いているＦｅＳｉＡｌＲｕ
Ｔｉ膜は磁壁構造をとらないために、このような磁壁移
動による減磁の問題を根本的に解決することができたと
考えられる。また、実施例１のところで述べたような理
由によって、ＦｅＳｉＡｌＲｕＴｉ膜を室温で成膜した
膜を下地に持つ媒体の記録磁化の経時変化の結果は同様
なものになる。
【００３１】以上のことより、本発明媒体Ｂ２を用いる
ことによって記録再生時のエンベロ−プ特性の向上並び
に下地軟磁性膜の磁壁の移動に由来する突発性の雑音や
記録磁化の減磁あるいは消磁の防止を実現でき、高記録
密度の実現が容易となる。
ことによって記録再生時のエンベロ−プ特性の向上並び
に下地軟磁性膜の磁壁の移動に由来する突発性の雑音や
記録磁化の減磁あるいは消磁の防止を実現でき、高記録
密度の実現が容易となる。
【００３２】実施例３ ＦｅＴａＮ膜タ−ゲットを用いて、下地軟磁性膜として
ＦｅＴａＮ膜を基板上に成膜したことを除いて、実施例
１と同様にして垂直磁気記録媒体を作製し、本発明媒体
Ｑ２とした。また、保磁力の比較のために基板温度を室
温にして成膜したＦｅＴａＮ膜も作製した。
ＦｅＴａＮ膜を基板上に成膜したことを除いて、実施例
１と同様にして垂直磁気記録媒体を作製し、本発明媒体
Ｑ２とした。また、保磁力の比較のために基板温度を室
温にして成膜したＦｅＴａＮ膜も作製した。
【００３３】本発明媒体Ｑ２のＦｅＴａＮ膜を観察した
ところ、明瞭な磁壁構造は観察されなかったし、試料に
徐々に磁場を印加しながら観察しても、変化は見られな
かった。これは、基板温度を室温にして成膜したＦｅＴ
ａＮ膜についても同様であった。以上のことは、ＦｅＴ
ａＮ膜の磁化過程は磁壁移動によらないことを示してい
る。
ところ、明瞭な磁壁構造は観察されなかったし、試料に
徐々に磁場を印加しながら観察しても、変化は見られな
かった。これは、基板温度を室温にして成膜したＦｅＴ
ａＮ膜についても同様であった。以上のことは、ＦｅＴ
ａＮ膜の磁化過程は磁壁移動によらないことを示してい
る。
【００３４】次に、本発明媒体Ｑ２おＦｅＴａＮ膜の保
磁力を測定したところ、保磁力は０．１Ｏｅであった。
また、基板温度を室温にして成膜したＦｅＴａＮ膜の保
磁力は３００Ｏｅであった。
磁力を測定したところ、保磁力は０．１Ｏｅであった。
また、基板温度を室温にして成膜したＦｅＴａＮ膜の保
磁力は３００Ｏｅであった。
【００３５】本発明媒体Ｑ２について記録再生特性の評
価試験を行い、本発明媒体Ｑ２と従来媒体Ａ１とのエン
ベロ−プ特性を比較したところ、実施例１の本発明媒体
Ａ２と同様に、本発明媒体Ｑ２は、従来媒体Ａ１に比較
して遥かにエンベロ−プがきれいであり、エンベロ−プ
特性が非常に優れていることが分かった。この試験は単
磁極ヘッドによって記録した信号をＭＲヘッドで読み出
すことによって行ったが、ＩＤヘッドで記録した信号を
ＭＲヘッドで読み出す実験も行ったところ、同様なエン
ベロ−プ特性の違いが見られた。このことは、本発明媒
体Ｑ２の下地軟磁性膜ＦｅＴａＮは磁壁構造をとらない
ため、突発性の雑音の発生を根本的に解決できているこ
とを示している。また、実施例１のところで述べたよう
な理由によって、ＦｅＴａＮ膜を室温で成膜した膜を下
地に持つ媒体の結果も同様なものになる。
価試験を行い、本発明媒体Ｑ２と従来媒体Ａ１とのエン
ベロ−プ特性を比較したところ、実施例１の本発明媒体
Ａ２と同様に、本発明媒体Ｑ２は、従来媒体Ａ１に比較
して遥かにエンベロ−プがきれいであり、エンベロ−プ
特性が非常に優れていることが分かった。この試験は単
磁極ヘッドによって記録した信号をＭＲヘッドで読み出
すことによって行ったが、ＩＤヘッドで記録した信号を
ＭＲヘッドで読み出す実験も行ったところ、同様なエン
ベロ−プ特性の違いが見られた。このことは、本発明媒
体Ｑ２の下地軟磁性膜ＦｅＴａＮは磁壁構造をとらない
ため、突発性の雑音の発生を根本的に解決できているこ
とを示している。また、実施例１のところで述べたよう
な理由によって、ＦｅＴａＮ膜を室温で成膜した膜を下
地に持つ媒体の結果も同様なものになる。
【００３６】次に、本発明媒体Ｑ２の外部浮遊磁界に対
する記録磁化の安定性を測定し、従来媒体Ａ１と対比し
て、図５２に示した。図５２は、磁場印加前の再生出力
に対する磁場印加後の再生出力を百分率で示している。
図５２から分かるように、再生出力が低下する従来媒体
Ａ１に対し、本発明媒体Ｑ２は５００Ｏｅの磁場を印加
しても減磁は見られず、外部浮遊磁界に対する記録信号
の安定性は、本発明媒体Ｑ２の方が遥かに優れているこ
とが分かった。同様の実験をＩＤヘッドで記録した信号
をＭＲヘッドで読み出す方法によっても行ったところ、
全く同様な傾向が見られた。この結果を図５３に示す。
また、実施例１のところで述べたような理由によって、
ＦｅＴａＮ膜を室温で成膜した膜を下地に持つ媒体の外
部浮遊磁界に対する記録磁化の安定性の結果は同様なも
のになる。
する記録磁化の安定性を測定し、従来媒体Ａ１と対比し
て、図５２に示した。図５２は、磁場印加前の再生出力
に対する磁場印加後の再生出力を百分率で示している。
図５２から分かるように、再生出力が低下する従来媒体
Ａ１に対し、本発明媒体Ｑ２は５００Ｏｅの磁場を印加
しても減磁は見られず、外部浮遊磁界に対する記録信号
の安定性は、本発明媒体Ｑ２の方が遥かに優れているこ
とが分かった。同様の実験をＩＤヘッドで記録した信号
をＭＲヘッドで読み出す方法によっても行ったところ、
全く同様な傾向が見られた。この結果を図５３に示す。
また、実施例１のところで述べたような理由によって、
ＦｅＴａＮ膜を室温で成膜した膜を下地に持つ媒体の外
部浮遊磁界に対する記録磁化の安定性の結果は同様なも
のになる。
【００３７】次に、本発明媒体Ｑ２の記録磁化の経時変
化を測定し、従来媒体Ａ１と対比して、図５４に示し
た。図５４はは、t ＝１秒の時の再生出力に対する一定
時間経過後の再生出力を百分率で示している。図５４か
ら分かるように、再生出力が低下する従来媒体Ａ１に対
して、本発明媒体Ｑ２では、このような再生出力の低下
は全く見られなかった。本発明媒体Ｑ２に用いているＦ
ｅＴａＮ膜は磁壁構造をとらないために、このような磁
壁移動による減磁の問題を根本的に解決することができ
たと考えられる。また、実施例１のところで述べたよう
な理由によって、ＦｅＴａＮ膜を室温で成膜した膜を下
地に持つ媒体の記録磁化の経時変化の結果は同様なもの
になる。以上のことより、本発明媒体Ｑ２を用いること
によって記録再生時のエンベロ−プ特性の向上並びに下
地軟磁性膜の磁壁の移動に由来する突発性の雑音や記録
磁化の減磁あるいは消磁の防止を実現でき、高記録密度
の実現が容易となる。
化を測定し、従来媒体Ａ１と対比して、図５４に示し
た。図５４はは、t ＝１秒の時の再生出力に対する一定
時間経過後の再生出力を百分率で示している。図５４か
ら分かるように、再生出力が低下する従来媒体Ａ１に対
して、本発明媒体Ｑ２では、このような再生出力の低下
は全く見られなかった。本発明媒体Ｑ２に用いているＦ
ｅＴａＮ膜は磁壁構造をとらないために、このような磁
壁移動による減磁の問題を根本的に解決することができ
たと考えられる。また、実施例１のところで述べたよう
な理由によって、ＦｅＴａＮ膜を室温で成膜した膜を下
地に持つ媒体の記録磁化の経時変化の結果は同様なもの
になる。以上のことより、本発明媒体Ｑ２を用いること
によって記録再生時のエンベロ−プ特性の向上並びに下
地軟磁性膜の磁壁の移動に由来する突発性の雑音や記録
磁化の減磁あるいは消磁の防止を実現でき、高記録密度
の実現が容易となる。
【００３８】実施例４ 分散膜中のＣｏの体積比を５０％程度に設定し、Ｃｏタ
−ゲットとＳｉＯ2 タ−ゲットを用いて、基板にバイア
ス電圧を印加しながら実施例１と同じ成膜条件で、同時
にスパッタし、基板上に膜厚５００ｎｍのＣｏ- ＳｉＯ
2分散膜を下地軟磁性膜として成膜したこと除いて、実
施例１と同様にして垂直磁気記録媒体を作製し、本発明
媒体Ｃ２とした。また、保磁力の比較のために、基板温
度を室温にして成膜したＣｏ- ＳｉＯ2分散膜も作製し
た。
−ゲットとＳｉＯ2 タ−ゲットを用いて、基板にバイア
ス電圧を印加しながら実施例１と同じ成膜条件で、同時
にスパッタし、基板上に膜厚５００ｎｍのＣｏ- ＳｉＯ
2分散膜を下地軟磁性膜として成膜したこと除いて、実
施例１と同様にして垂直磁気記録媒体を作製し、本発明
媒体Ｃ２とした。また、保磁力の比較のために、基板温
度を室温にして成膜したＣｏ- ＳｉＯ2分散膜も作製し
た。
【００３９】Ｃｏ- ＳｉＯ2分散膜を観察したところ、
明瞭な磁壁構造は観察されなかったし、試料に徐々に磁
場を印加しながら観察しても、変化は見られなかった。
これは、基板温度を室温にして成膜したＣｏ- ＳｉＯ2
分散膜についても同様であった。以上のことは、ＮｉＦ
ｅ膜の磁化過程は磁壁移動による磁化過程であるのに対
し、本発明媒体Ｃ２のＣｏ- ＳｉＯ2分散膜の磁化過程
は磁壁移動によらないことを示している。
明瞭な磁壁構造は観察されなかったし、試料に徐々に磁
場を印加しながら観察しても、変化は見られなかった。
これは、基板温度を室温にして成膜したＣｏ- ＳｉＯ2
分散膜についても同様であった。以上のことは、ＮｉＦ
ｅ膜の磁化過程は磁壁移動による磁化過程であるのに対
し、本発明媒体Ｃ２のＣｏ- ＳｉＯ2分散膜の磁化過程
は磁壁移動によらないことを示している。
【００４０】次に、Ｃｏ- ＳｉＯ2分散膜の保磁力を測
定したところ、本発明媒体Ｃ２のＣｏ- ＳｉＯ2分散膜
は０．１Ｏｅ、及び基板温度を室温にして成膜したＣｏ
- ＳｉＯ2分散膜の保磁力は３００Ｏｅであった。
定したところ、本発明媒体Ｃ２のＣｏ- ＳｉＯ2分散膜
は０．１Ｏｅ、及び基板温度を室温にして成膜したＣｏ
- ＳｉＯ2分散膜の保磁力は３００Ｏｅであった。
【００４１】本発明媒体Ｃ２について記録再生特性の評
価試験を行い、本発明媒体Ｃ２と従来媒体Ａ１とのエン
ベロ−プ特性を比較したところ、実施例１の本発明媒体
Ａ２と同様に、本発明媒体Ｃ２は、従来媒体Ａ１に比較
して遥かにエンベロ−プがきれいであり、エンベロ−プ
特性が非常に優れていることが分かった。この実験は単
磁極ヘッドによって記録した信号をＭＲヘッドで読み出
すことによって行ったが、ＩＤヘッドで記録した信号を
ＭＲヘッドで読み出す実験も行ったところ、同様なエン
ベロ−プ特性の違いが見られた。このことは、本発明媒
体Ｃ２の下地軟磁性膜であるＣｏ- ＳｉＯ2分散膜は磁
壁構造をとらないため、突発性の雑音の発生を根本的に
解決できていることを示している。また、実施例１のと
ころで述べたような理由によって、Ｃｏ- ＳｉＯ 2分散
膜を室温で成膜した膜を下地に持つ媒体の結果も同様な
ものになる。
価試験を行い、本発明媒体Ｃ２と従来媒体Ａ１とのエン
ベロ−プ特性を比較したところ、実施例１の本発明媒体
Ａ２と同様に、本発明媒体Ｃ２は、従来媒体Ａ１に比較
して遥かにエンベロ−プがきれいであり、エンベロ−プ
特性が非常に優れていることが分かった。この実験は単
磁極ヘッドによって記録した信号をＭＲヘッドで読み出
すことによって行ったが、ＩＤヘッドで記録した信号を
ＭＲヘッドで読み出す実験も行ったところ、同様なエン
ベロ−プ特性の違いが見られた。このことは、本発明媒
体Ｃ２の下地軟磁性膜であるＣｏ- ＳｉＯ2分散膜は磁
壁構造をとらないため、突発性の雑音の発生を根本的に
解決できていることを示している。また、実施例１のと
ころで述べたような理由によって、Ｃｏ- ＳｉＯ 2分散
膜を室温で成膜した膜を下地に持つ媒体の結果も同様な
ものになる。
【００４２】次に、本発明媒体Ｃ２の外部浮遊磁界に対
する記録磁化の安定性を測定し、従来媒体Ａ１と対比し
て、図９に示した。図９は、磁場印加前の再生出力に対
する磁場印加後の再生出力を百分率で示してある。再生
出力が低下する従来媒体Ａ１に対して、図９から分かる
ように、本発明媒体Ｃ２は５００Ｏｅの磁場を印加して
も減磁は見られず、外部浮遊磁界に対する記録信号の安
定性は、本発明媒体Ｃ２の方が遥かに優れていることが
分かった。同様の実験をＩＤヘッドで記録した信号をＭ
Ｒヘッドで読み出す方法によっても行ったところ、全く
同様な傾向が見られた。この結果を図１０に示す。ま
た、実施例１のところで述べたような理由によって、Ｃ
ｏ- ＳｉＯ2分散膜を室温で成膜した膜を下地に持つ媒
体の外部浮遊磁界に対する記録磁化の安定性の結果は同
様なものになる。
する記録磁化の安定性を測定し、従来媒体Ａ１と対比し
て、図９に示した。図９は、磁場印加前の再生出力に対
する磁場印加後の再生出力を百分率で示してある。再生
出力が低下する従来媒体Ａ１に対して、図９から分かる
ように、本発明媒体Ｃ２は５００Ｏｅの磁場を印加して
も減磁は見られず、外部浮遊磁界に対する記録信号の安
定性は、本発明媒体Ｃ２の方が遥かに優れていることが
分かった。同様の実験をＩＤヘッドで記録した信号をＭ
Ｒヘッドで読み出す方法によっても行ったところ、全く
同様な傾向が見られた。この結果を図１０に示す。ま
た、実施例１のところで述べたような理由によって、Ｃ
ｏ- ＳｉＯ2分散膜を室温で成膜した膜を下地に持つ媒
体の外部浮遊磁界に対する記録磁化の安定性の結果は同
様なものになる。
【００４３】次に、本発明媒体Ｃ２の記録磁化の経時変
化を測定し、従来媒体Ａ１と対比して、図１１に示し
た。図１１は、t ＝１秒の時の再生出力に対する一定時
間経過後の再生出力を百分率で示してある。図１１から
分かるように、再生出力が低下する従来媒体Ａ１に対し
て、本発明媒体Ｃ２では、このような再生出力の低下は
全く見られなかった。それは、本発明媒体Ｂ２に用いて
いるＣｏ- ＳｉＯ2分散膜は磁壁構造をとらないため
に、このような磁壁移動による減磁の問題を根本的に解
決することができたと考えられる。また、実施例１のと
ころで述べたような理由によって、Ｃｏ- ＳｉＯ2分散
膜を室温で成膜した膜を下地に持つ媒体の記録磁化の経
時変化の結果は同様なものになる。以上のことより、本
発明媒体Ｃ２を用いることによって記録再生時のエンベ
ロ−プ特性の向上並びに下地軟磁性膜の磁壁の移動に由
来する突発性の雑音や記録磁化の減磁あるいは消磁の防
止を実現でき、高記録密度の実現が容易となる。
化を測定し、従来媒体Ａ１と対比して、図１１に示し
た。図１１は、t ＝１秒の時の再生出力に対する一定時
間経過後の再生出力を百分率で示してある。図１１から
分かるように、再生出力が低下する従来媒体Ａ１に対し
て、本発明媒体Ｃ２では、このような再生出力の低下は
全く見られなかった。それは、本発明媒体Ｂ２に用いて
いるＣｏ- ＳｉＯ2分散膜は磁壁構造をとらないため
に、このような磁壁移動による減磁の問題を根本的に解
決することができたと考えられる。また、実施例１のと
ころで述べたような理由によって、Ｃｏ- ＳｉＯ2分散
膜を室温で成膜した膜を下地に持つ媒体の記録磁化の経
時変化の結果は同様なものになる。以上のことより、本
発明媒体Ｃ２を用いることによって記録再生時のエンベ
ロ−プ特性の向上並びに下地軟磁性膜の磁壁の移動に由
来する突発性の雑音や記録磁化の減磁あるいは消磁の防
止を実現でき、高記録密度の実現が容易となる。
【００４４】実施例５ 分散膜中のＣｏの体積比を５０％程度に設定し、Ｃｏタ
−ゲットとＣタ−ゲットを用いて、基板にバイアス電圧
を印加しながら実施例１と同じ成膜条件で、同時にスパ
ッタし、基板上にＣｏ−Ｃ分散膜を下地軟磁性膜として
成膜したこと除いて、実施例１と同様にして垂直磁気記
録媒体を作製し、本発明媒体Ｄ２とした。
−ゲットとＣタ−ゲットを用いて、基板にバイアス電圧
を印加しながら実施例１と同じ成膜条件で、同時にスパ
ッタし、基板上にＣｏ−Ｃ分散膜を下地軟磁性膜として
成膜したこと除いて、実施例１と同様にして垂直磁気記
録媒体を作製し、本発明媒体Ｄ２とした。
【００４５】本発明媒体Ｄ２のＣｏ−Ｃ分散膜を観察し
たところ、明瞭な磁壁構造は観察されなかったし、試料
に徐々に磁場を印加しながら観察しても、変化は見られ
なかった。これは、基板温度を室温にして成膜したＣｏ
−Ｃ分散膜についても同様であった。以上のことは、Ｃ
ｏ−Ｃ分散膜の磁化過程は磁壁移動によらないことを示
している。
たところ、明瞭な磁壁構造は観察されなかったし、試料
に徐々に磁場を印加しながら観察しても、変化は見られ
なかった。これは、基板温度を室温にして成膜したＣｏ
−Ｃ分散膜についても同様であった。以上のことは、Ｃ
ｏ−Ｃ分散膜の磁化過程は磁壁移動によらないことを示
している。
【００４６】Ｃｏ−Ｃ分散膜の保磁力を調べたところ、
本発明媒体Ｄ２のＣｏ−Ｃ分散膜は０．１Ｏｅ、基板温
度を室温にして成膜したＣｏ−Ｃ分散膜の保磁力は３０
０Ｏｅであった。
本発明媒体Ｄ２のＣｏ−Ｃ分散膜は０．１Ｏｅ、基板温
度を室温にして成膜したＣｏ−Ｃ分散膜の保磁力は３０
０Ｏｅであった。
【００４７】本発明媒体Ｄ２について記録再生特性の評
価試験を行い、本発明媒体Ｄ２と従来媒体Ａ１とのエン
ベロ−プ特性を比較したところ、実施例１の本発明媒体
Ａ２と同様に、本発明媒体Ｄ２は、従来媒体Ａ１に比較
して遥かにエンベロ−プがきれいであり、エンベロ−プ
特性が非常に優れていることが分かった。この実験は単
磁極ヘッドによって記録した信号をＭＲヘッドで読み出
すことによって行ったが、ＩＤヘッドで記録した信号を
ＭＲヘッドで読み出す実験も行ったところ、同様なエン
ベロ−プ特性の違いが見られた。このことは、本発明媒
体Ｄ２の下地軟磁性膜であるＣｏ−Ｃ分散膜は磁区構造
をとらないため、突発性の雑音の発生を根本的に解決で
きていることを示している。また、実施例１のところで
述べたような理由によって、Ｃｏ−Ｃ分散膜を室温で成
膜した膜を下地に持つ媒体の結果も同様なものになる。
価試験を行い、本発明媒体Ｄ２と従来媒体Ａ１とのエン
ベロ−プ特性を比較したところ、実施例１の本発明媒体
Ａ２と同様に、本発明媒体Ｄ２は、従来媒体Ａ１に比較
して遥かにエンベロ−プがきれいであり、エンベロ−プ
特性が非常に優れていることが分かった。この実験は単
磁極ヘッドによって記録した信号をＭＲヘッドで読み出
すことによって行ったが、ＩＤヘッドで記録した信号を
ＭＲヘッドで読み出す実験も行ったところ、同様なエン
ベロ−プ特性の違いが見られた。このことは、本発明媒
体Ｄ２の下地軟磁性膜であるＣｏ−Ｃ分散膜は磁区構造
をとらないため、突発性の雑音の発生を根本的に解決で
きていることを示している。また、実施例１のところで
述べたような理由によって、Ｃｏ−Ｃ分散膜を室温で成
膜した膜を下地に持つ媒体の結果も同様なものになる。
【００４８】本発明媒体Ｄ２の外部浮遊磁界に対する記
録磁化の安定性を測定し、従来媒体Ａ１と対比して、図
１２に示した。図１２は、磁場印加前の再生出力に対す
る磁場印加後の再生出力を百分率で示してある。図１２
から分かるように、再生出力が低下する従来媒体Ａ１に
対して、本発明媒体Ｄ２は５００Ｏｅの磁場を印加して
も減磁は見られず、外部浮遊磁界に対する記録信号の安
定性は、本発明媒体Ｄ２の方が遥かに優れていることが
分かった。同様の実験をＩＤヘッドで記録した信号をＭ
Ｒヘッドで読み出す方法によっても行ったところ、全く
同様な傾向が見られた。この結果を図１３に示す。ま
た、実施例１のところで述べたような理由によって、Ｃ
ｏ−Ｃ分散膜を室温で成膜した膜を下地に持つ媒体の外
部浮遊磁界に対する記録磁化の安定性の結果は同様なも
のになる。
録磁化の安定性を測定し、従来媒体Ａ１と対比して、図
１２に示した。図１２は、磁場印加前の再生出力に対す
る磁場印加後の再生出力を百分率で示してある。図１２
から分かるように、再生出力が低下する従来媒体Ａ１に
対して、本発明媒体Ｄ２は５００Ｏｅの磁場を印加して
も減磁は見られず、外部浮遊磁界に対する記録信号の安
定性は、本発明媒体Ｄ２の方が遥かに優れていることが
分かった。同様の実験をＩＤヘッドで記録した信号をＭ
Ｒヘッドで読み出す方法によっても行ったところ、全く
同様な傾向が見られた。この結果を図１３に示す。ま
た、実施例１のところで述べたような理由によって、Ｃ
ｏ−Ｃ分散膜を室温で成膜した膜を下地に持つ媒体の外
部浮遊磁界に対する記録磁化の安定性の結果は同様なも
のになる。
【００４９】本発明媒体Ｄ２の記録磁化の経時変化を測
定し、従来媒体Ａ１と対比して、図１４に示した。図１
４は、t ＝１秒の時の再生出力に対する一定時間経過後
の再生出力を百分率で示してある。再生出力が低下する
従来媒体Ａ１に対して、図１４から分かるように、本発
明媒体Ｄ２では、このような再生出力の低下は全く見ら
れなかった。本発明媒体Ｄ２に用いているＣｏ−Ｃ分散
膜は磁壁構造をとらないために、従来媒体Ａ１のような
磁壁移動による減磁の問題を根本的に解決することがで
きたと考えられる。また、実施例１のところで述べたよ
うな理由によって、Ｃｏ−Ｃ分散膜を室温で成膜した膜
を下地に持つ媒体の記録磁化の経時変化の結果は同様な
ものになる。以上のことより、本発明媒体Ｄ２を用いる
ことによって記録再生時のエンベロ−プ特性の向上並び
に下地軟磁性膜の磁壁の移動に由来する突発性の雑音や
記録磁化の減磁あるいは消磁の防止を実現でき、高記録
密度の実現が容易となる。
定し、従来媒体Ａ１と対比して、図１４に示した。図１
４は、t ＝１秒の時の再生出力に対する一定時間経過後
の再生出力を百分率で示してある。再生出力が低下する
従来媒体Ａ１に対して、図１４から分かるように、本発
明媒体Ｄ２では、このような再生出力の低下は全く見ら
れなかった。本発明媒体Ｄ２に用いているＣｏ−Ｃ分散
膜は磁壁構造をとらないために、従来媒体Ａ１のような
磁壁移動による減磁の問題を根本的に解決することがで
きたと考えられる。また、実施例１のところで述べたよ
うな理由によって、Ｃｏ−Ｃ分散膜を室温で成膜した膜
を下地に持つ媒体の記録磁化の経時変化の結果は同様な
ものになる。以上のことより、本発明媒体Ｄ２を用いる
ことによって記録再生時のエンベロ−プ特性の向上並び
に下地軟磁性膜の磁壁の移動に由来する突発性の雑音や
記録磁化の減磁あるいは消磁の防止を実現でき、高記録
密度の実現が容易となる。
【００５０】実施例６ 分散膜中のＣｏＰｔの体積比を５０％程度に設定し、Ｃ
ｏＰｔタ−ゲットとＳｉＯ2 タ−ゲットを用いて、基板
にバイアス電圧を印加しながら実施例１と同じ成膜条件
で、同時にスパッタし、基板上に膜厚５００ｎｍのＣｏ
Ｐｔ- ＳｉＯ2分散膜を下地軟磁性膜として成膜したこ
と除いて、実施例１と同様にして垂直磁気記録媒体を作
製し、本発明媒体Ｅ２した。
ｏＰｔタ−ゲットとＳｉＯ2 タ−ゲットを用いて、基板
にバイアス電圧を印加しながら実施例１と同じ成膜条件
で、同時にスパッタし、基板上に膜厚５００ｎｍのＣｏ
Ｐｔ- ＳｉＯ2分散膜を下地軟磁性膜として成膜したこ
と除いて、実施例１と同様にして垂直磁気記録媒体を作
製し、本発明媒体Ｅ２した。
【００５１】ＣｏＰｔ- ＳｉＯ2分散膜を観察したとこ
ろ、明瞭な磁壁構造は観察されなかったし、試料に徐々
に磁場を印加しながら観察しても、変化は見られなかっ
た。これは、基板温度を室温にして成膜したＣｏＰｔ-
ＳｉＯ2分散膜についても同様であった。以上のこと
は、ＣｏＰｔ- ＳｉＯ2分散膜の磁化過程は磁壁移動に
よらないことを示している。
ろ、明瞭な磁壁構造は観察されなかったし、試料に徐々
に磁場を印加しながら観察しても、変化は見られなかっ
た。これは、基板温度を室温にして成膜したＣｏＰｔ-
ＳｉＯ2分散膜についても同様であった。以上のこと
は、ＣｏＰｔ- ＳｉＯ2分散膜の磁化過程は磁壁移動に
よらないことを示している。
【００５２】ＣｏＰｔ- ＳｉＯ2分散膜の保磁力を測定
したところ、本発明媒体Ｅ２のＣｏＰｔ- ＳｉＯ2分散
膜は０．１Ｏｅ、基板温度を室温にして成膜したＣｏＰ
ｔ-ＳｉＯ2分散膜の保磁力は３００Ｏｅであった。
したところ、本発明媒体Ｅ２のＣｏＰｔ- ＳｉＯ2分散
膜は０．１Ｏｅ、基板温度を室温にして成膜したＣｏＰ
ｔ-ＳｉＯ2分散膜の保磁力は３００Ｏｅであった。
【００５３】本発明媒体Ｅ２について記録再生特性の評
価試験を行い、本発明媒体Ｅ２と従来媒体Ａ１とのエン
ベロ−プ特性を比較したところ、実施例１の本発明媒体
Ａ２と同様に、本発明媒体Ｅ２は、従来媒体Ａ１に比較
して遥かにエンベロ−プがきれいであり、エンベロ−プ
特性が非常に優れていることが分かった。この実験は単
磁極ヘッドによって記録した信号をＭＲヘッドで読み出
すことによって行ったが、ＩＤヘッドで記録した信号を
ＭＲヘッドで読み出す実験も行ったところ、同様なエン
ベロ−プ特性の違いが見られた。このことは、本発明媒
体Ｅ２の下地軟磁性膜であるＣｏＰｔ- ＳｉＯ2分散膜
は磁壁構造をとらないため、突発性の雑音の発生を根本
的に解決できていることを示している。また、実施例１
のところで述べたような理由によって、ＣｏＰｔ- Ｓｉ
Ｏ2分散膜を室温で成膜した膜を下地に持つ媒体の結果
も同様なものになる。
価試験を行い、本発明媒体Ｅ２と従来媒体Ａ１とのエン
ベロ−プ特性を比較したところ、実施例１の本発明媒体
Ａ２と同様に、本発明媒体Ｅ２は、従来媒体Ａ１に比較
して遥かにエンベロ−プがきれいであり、エンベロ−プ
特性が非常に優れていることが分かった。この実験は単
磁極ヘッドによって記録した信号をＭＲヘッドで読み出
すことによって行ったが、ＩＤヘッドで記録した信号を
ＭＲヘッドで読み出す実験も行ったところ、同様なエン
ベロ−プ特性の違いが見られた。このことは、本発明媒
体Ｅ２の下地軟磁性膜であるＣｏＰｔ- ＳｉＯ2分散膜
は磁壁構造をとらないため、突発性の雑音の発生を根本
的に解決できていることを示している。また、実施例１
のところで述べたような理由によって、ＣｏＰｔ- Ｓｉ
Ｏ2分散膜を室温で成膜した膜を下地に持つ媒体の結果
も同様なものになる。
【００５４】本発明媒体Ｅ２の外部浮遊磁界に対する記
録磁化の安定性を測定し、従来媒体Ａ１と対比して、図
１５に示した。図１５は、磁場印加前の再生出力に対す
る磁場印加後の再生出力を百分率で示してある。再生出
力が低下する従来媒体Ａ１に対して、図１５から分かる
ように、本発明媒体Ｅ２は５００Ｏｅの磁場を印加して
も減磁は見られず、外部浮遊磁界に対する記録信号の安
定性は、本発明媒体Ｅ２の方が遥かに優れていることが
分かった。同様の実験をＩＤヘッドで記録した信号をＭ
Ｒヘッドで読み出す方法によっても行ったところ、全く
同様な傾向が見られた。この結果を図１６に示す。ま
た、実施例１のところで述べたような理由によって、Ｃ
ｏＰｔ- ＳｉＯ2分散膜を室温で成膜した膜を下地に持
つ媒体の外部浮遊磁界に対する記録磁化の安定性の結果
は同様なものになる。
録磁化の安定性を測定し、従来媒体Ａ１と対比して、図
１５に示した。図１５は、磁場印加前の再生出力に対す
る磁場印加後の再生出力を百分率で示してある。再生出
力が低下する従来媒体Ａ１に対して、図１５から分かる
ように、本発明媒体Ｅ２は５００Ｏｅの磁場を印加して
も減磁は見られず、外部浮遊磁界に対する記録信号の安
定性は、本発明媒体Ｅ２の方が遥かに優れていることが
分かった。同様の実験をＩＤヘッドで記録した信号をＭ
Ｒヘッドで読み出す方法によっても行ったところ、全く
同様な傾向が見られた。この結果を図１６に示す。ま
た、実施例１のところで述べたような理由によって、Ｃ
ｏＰｔ- ＳｉＯ2分散膜を室温で成膜した膜を下地に持
つ媒体の外部浮遊磁界に対する記録磁化の安定性の結果
は同様なものになる。
【００５５】次に、本発明媒体Ｄ２の記録磁化の経時変
化を測定し、従来媒体Ａ１と対比して、図１７に示し
た。図１７は、t ＝１秒の時の再生出力に対する一定時
間経過後の再生出力を百分率で示してある。再生出力が
低下する従来媒体Ａ１に対して、図１７から分かるよう
に、本発明媒体Ｅ２では、このような再生出力の低下は
全く見られなかった。本発明媒体Ｅ２に用いているＣｏ
Ｐｔ- ＳｉＯ2分散膜は磁壁構造をとらないために、従
来媒体Ａ１のような磁壁移動による減磁の問題を根本的
に解決することができたと考えられる。また、実施例１
のところで述べたような理由によって、ＣｏＰｔ- Ｓｉ
Ｏ2分散膜を室温で成膜した膜を下地に持つ媒体の記録
磁化の経時変化の結果は同様なものになる。以上のこと
より、本発明媒体Ｅ２を用いることによって記録再生時
のエンベロ−プ特性の向上並びに下地軟磁性膜の磁壁の
移動に由来する突発性の雑音や記録磁化の減磁あるいは
消磁の防止を実現でき、高記録密度の実現が容易とな
る。
化を測定し、従来媒体Ａ１と対比して、図１７に示し
た。図１７は、t ＝１秒の時の再生出力に対する一定時
間経過後の再生出力を百分率で示してある。再生出力が
低下する従来媒体Ａ１に対して、図１７から分かるよう
に、本発明媒体Ｅ２では、このような再生出力の低下は
全く見られなかった。本発明媒体Ｅ２に用いているＣｏ
Ｐｔ- ＳｉＯ2分散膜は磁壁構造をとらないために、従
来媒体Ａ１のような磁壁移動による減磁の問題を根本的
に解決することができたと考えられる。また、実施例１
のところで述べたような理由によって、ＣｏＰｔ- Ｓｉ
Ｏ2分散膜を室温で成膜した膜を下地に持つ媒体の記録
磁化の経時変化の結果は同様なものになる。以上のこと
より、本発明媒体Ｅ２を用いることによって記録再生時
のエンベロ−プ特性の向上並びに下地軟磁性膜の磁壁の
移動に由来する突発性の雑音や記録磁化の減磁あるいは
消磁の防止を実現でき、高記録密度の実現が容易とな
る。
【００５６】実施例７ 分散膜中のＣｏＰｔの体積比を５０％程度に設定し、Ｃ
ｏＰｔタ−ゲットとＣタ−ゲットを用いて、基板にバイ
アス電圧を印加しながら実施例１と同じ成膜条件で、同
時にスパッタし、基板上に膜厚５００ｎｍのＣｏＰｔ−
Ｃ分散膜を下地軟磁性膜として成膜したこと除いて、実
施例１と同様にして垂直磁気記録媒体を作製し、本発明
媒体Ｆ２とした。
ｏＰｔタ−ゲットとＣタ−ゲットを用いて、基板にバイ
アス電圧を印加しながら実施例１と同じ成膜条件で、同
時にスパッタし、基板上に膜厚５００ｎｍのＣｏＰｔ−
Ｃ分散膜を下地軟磁性膜として成膜したこと除いて、実
施例１と同様にして垂直磁気記録媒体を作製し、本発明
媒体Ｆ２とした。
【００５７】ＣｏＰｔ−Ｃ分散膜を観察したところ、明
瞭な磁壁構造は観察されなかったし、試料に徐々に磁場
を印加しながら観察しても、変化は見られなかった。こ
れは、基板温度を室温にして成膜したＣｏＰｔ−Ｃ分散
膜についても同様であった。以上のことは、ＣｏＰｔ−
Ｃ分散膜の磁化過程は磁壁移動によらないことを示して
いる。
瞭な磁壁構造は観察されなかったし、試料に徐々に磁場
を印加しながら観察しても、変化は見られなかった。こ
れは、基板温度を室温にして成膜したＣｏＰｔ−Ｃ分散
膜についても同様であった。以上のことは、ＣｏＰｔ−
Ｃ分散膜の磁化過程は磁壁移動によらないことを示して
いる。
【００５８】次に、ＣｏＰｔ−Ｃ分散膜の保磁力を測定
したところ、本発明媒体Ｆ２の保磁力は０．１Ｏｅ、基
板温度を室温にして成膜したＣｏＰｔ−Ｃ分散膜の保磁
力は３００Ｏｅであった。
したところ、本発明媒体Ｆ２の保磁力は０．１Ｏｅ、基
板温度を室温にして成膜したＣｏＰｔ−Ｃ分散膜の保磁
力は３００Ｏｅであった。
【００５９】本発明媒体Ｆ２の記録再生特性の評価試験
を行い、本発明媒体Ｆ２と従来媒体Ａ１のエンベロ−プ
特性を調べたところ、本発明媒体Ａ２と同様に、本発明
媒体Ｆ２は、従来媒体Ａ１に比較して遥かにエンベロ−
プがきれいであり、エンベロ−プ特性が非常に優れてい
ることが分かった。この実験は単磁極ヘッドによって記
録した信号をＭＲヘッドで読み出すことによって行った
が、ＩＤヘッドで記録した信号をＭＲヘッドで読み出す
実験も行ったところ、同様なエンベロ−プ特性の違いが
見られた。このことは、本発明媒体Ｆ２の下地軟磁性膜
であるＣｏＰｔ−Ｃ分散膜は磁壁構造をとらないため、
突発性の雑音の発生を根本的に解決できていることを示
している。また、実施例１のところで述べたような理由
によって、ＣｏＰｔ−Ｃ分散膜を室温で成膜した膜を下
地に持つ媒体の結果も同様なものになる。
を行い、本発明媒体Ｆ２と従来媒体Ａ１のエンベロ−プ
特性を調べたところ、本発明媒体Ａ２と同様に、本発明
媒体Ｆ２は、従来媒体Ａ１に比較して遥かにエンベロ−
プがきれいであり、エンベロ−プ特性が非常に優れてい
ることが分かった。この実験は単磁極ヘッドによって記
録した信号をＭＲヘッドで読み出すことによって行った
が、ＩＤヘッドで記録した信号をＭＲヘッドで読み出す
実験も行ったところ、同様なエンベロ−プ特性の違いが
見られた。このことは、本発明媒体Ｆ２の下地軟磁性膜
であるＣｏＰｔ−Ｃ分散膜は磁壁構造をとらないため、
突発性の雑音の発生を根本的に解決できていることを示
している。また、実施例１のところで述べたような理由
によって、ＣｏＰｔ−Ｃ分散膜を室温で成膜した膜を下
地に持つ媒体の結果も同様なものになる。
【００６０】本発明媒体Ｆ２の外部浮遊磁界に対する記
録磁化の安定性を測定し、従来媒体Ａ１と対比して、図
１８に示した。図１８は、磁場印加前の再生出力に対す
る磁場印加後の再生出力を百分率で示してある。再生出
力が低下する従来媒体Ａ１に対して、図１８から分かる
ように、本発明媒体Ｆ２は５００Ｏｅの磁場を印加して
も減磁は見られず、外部浮遊磁界に対する記録信号の安
定性は、本発明媒体Ｆ２の方が遥かに優れていることが
分かった。同様の実験をＩＤヘッドで記録した信号をＭ
Ｒヘッドで読み出す方法によっても行ったところ、全く
同様な傾向が見られた。この結果を図１９に示す。
録磁化の安定性を測定し、従来媒体Ａ１と対比して、図
１８に示した。図１８は、磁場印加前の再生出力に対す
る磁場印加後の再生出力を百分率で示してある。再生出
力が低下する従来媒体Ａ１に対して、図１８から分かる
ように、本発明媒体Ｆ２は５００Ｏｅの磁場を印加して
も減磁は見られず、外部浮遊磁界に対する記録信号の安
定性は、本発明媒体Ｆ２の方が遥かに優れていることが
分かった。同様の実験をＩＤヘッドで記録した信号をＭ
Ｒヘッドで読み出す方法によっても行ったところ、全く
同様な傾向が見られた。この結果を図１９に示す。
【００６１】次に、本発明媒体Ｆ２の記録磁化の経時変
化を測定し、従来媒体Ａ１と対比して、図２０に示し
た。図２０は、t ＝１秒の時の再生出力に対する一定時
間経過後の再生出力を百分率で示してある。再生出力が
低下する従来媒体Ａ１に対して、図２０から分かるよう
に、本発明媒体Ｆ２では、このような再生出力の低下は
全く見られなかった。本発明媒体Ｆ２に用いているＣｏ
Ｐｔ−Ｃ分散膜は磁壁構造をとらないために、従来媒体
Ａ１のような磁壁移動による減磁の問題を根本的に解決
することができたと考えられる。また、実施例１のとこ
ろで述べたような理由によって、ＣｏＰｔ−Ｃ分散膜を
室温で成膜した膜を下地に持つ媒体の記録磁化の経時変
化の結果は同様なものになる。
化を測定し、従来媒体Ａ１と対比して、図２０に示し
た。図２０は、t ＝１秒の時の再生出力に対する一定時
間経過後の再生出力を百分率で示してある。再生出力が
低下する従来媒体Ａ１に対して、図２０から分かるよう
に、本発明媒体Ｆ２では、このような再生出力の低下は
全く見られなかった。本発明媒体Ｆ２に用いているＣｏ
Ｐｔ−Ｃ分散膜は磁壁構造をとらないために、従来媒体
Ａ１のような磁壁移動による減磁の問題を根本的に解決
することができたと考えられる。また、実施例１のとこ
ろで述べたような理由によって、ＣｏＰｔ−Ｃ分散膜を
室温で成膜した膜を下地に持つ媒体の記録磁化の経時変
化の結果は同様なものになる。
【００６２】以上のことより、本発明媒体F２を用いる
ことによって記録再生時のエンベロ−プ特性の向上並び
に下地軟磁性膜の磁壁の移動に由来する突発性の雑音や
記録磁化の減磁あるいは消磁の防止を実現でき、高記録
密度の実現が容易となる。
ことによって記録再生時のエンベロ−プ特性の向上並び
に下地軟磁性膜の磁壁の移動に由来する突発性の雑音や
記録磁化の減磁あるいは消磁の防止を実現でき、高記録
密度の実現が容易となる。
【００６３】実施例８ 分散膜中のＣｏＣｒＰｔの体積比を５０％程度に設定
し、ＣｏＣｒＰｔタ−ゲットとＳｉＯ2 タ−ゲットを用
いて、基板にバイアス電圧を印加しながら実施例１と同
じ成膜条件で、同時にスパッタし、基板上に膜厚５００
ｎｍのＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2 分散膜を下地軟磁性膜と
して成膜したこと除いて、実施例１と同様にして垂直磁
気記録媒体を作製し、本発明媒体Ｇ２とした。
し、ＣｏＣｒＰｔタ−ゲットとＳｉＯ2 タ−ゲットを用
いて、基板にバイアス電圧を印加しながら実施例１と同
じ成膜条件で、同時にスパッタし、基板上に膜厚５００
ｎｍのＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2 分散膜を下地軟磁性膜と
して成膜したこと除いて、実施例１と同様にして垂直磁
気記録媒体を作製し、本発明媒体Ｇ２とした。
【００６４】ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2 分散膜を観察した
ところ、明瞭な磁壁構造は観察されなかったし、試料に
徐々に磁場を印加しながら観察しても、変化は見られな
かった。これは、基板温度を室温にして成膜したＣｏＣ
ｒＰｔ−ＳｉＯ分散膜についても同様であった。以上の
ことは、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2 分散膜の磁化過程は磁
壁移動によらないことを示している。
ところ、明瞭な磁壁構造は観察されなかったし、試料に
徐々に磁場を印加しながら観察しても、変化は見られな
かった。これは、基板温度を室温にして成膜したＣｏＣ
ｒＰｔ−ＳｉＯ分散膜についても同様であった。以上の
ことは、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2 分散膜の磁化過程は磁
壁移動によらないことを示している。
【００６５】次に、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2 分散膜の保
磁力を測定したところ、本発明媒体Ｇ２の保磁力は０．
１Ｏｅ、基板温度を室温にして成膜したＣｏＣｒＰｔ−
ＳｉＯ2 分散膜の保磁力は３００Ｏｅであった。
磁力を測定したところ、本発明媒体Ｇ２の保磁力は０．
１Ｏｅ、基板温度を室温にして成膜したＣｏＣｒＰｔ−
ＳｉＯ2 分散膜の保磁力は３００Ｏｅであった。
【００６６】本発明媒体Ｇ２の記録再生特性の評価試験
を行い、本発明媒体Ｆ２と従来媒体Ａ１のエンベロ−プ
特性を調べたところ、本発明媒体Ａ２と同様に、本発明
媒体Ｆ２は、従来媒体Ａ１に比較して遥かにエンベロ−
プがきれいであり、エンベロ−プ特性が非常に優れてい
ることが分かった。この実験は単磁極ヘッドによって記
録した信号をＭＲヘッドで読み出すことによって行った
が、ＩＤヘッドで記録した信号をＭＲヘッドで読み出す
実験も行ったところ、同様なエンベロ−プ特性の違いが
見られた。このことは、本発明媒体Ｇ２の下地軟磁性膜
であるＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2 分散膜は磁壁構造をとら
ないため、突発性の雑音の発生を根本的に解決できてい
ることを示している。また、実施例１のところで述べた
ような理由によって、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ 2 分散膜を
室温で成膜した膜を下地に持つ媒体の結果も同様なもの
になる。
を行い、本発明媒体Ｆ２と従来媒体Ａ１のエンベロ−プ
特性を調べたところ、本発明媒体Ａ２と同様に、本発明
媒体Ｆ２は、従来媒体Ａ１に比較して遥かにエンベロ−
プがきれいであり、エンベロ−プ特性が非常に優れてい
ることが分かった。この実験は単磁極ヘッドによって記
録した信号をＭＲヘッドで読み出すことによって行った
が、ＩＤヘッドで記録した信号をＭＲヘッドで読み出す
実験も行ったところ、同様なエンベロ−プ特性の違いが
見られた。このことは、本発明媒体Ｇ２の下地軟磁性膜
であるＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2 分散膜は磁壁構造をとら
ないため、突発性の雑音の発生を根本的に解決できてい
ることを示している。また、実施例１のところで述べた
ような理由によって、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ 2 分散膜を
室温で成膜した膜を下地に持つ媒体の結果も同様なもの
になる。
【００６７】本発明媒体Ｇ２の外部浮遊磁界に対する記
録磁化の安定性を測定し、従来媒体Ａ１と対比して、図
２１に示した。図２１は、磁場印加前の再生出力に対す
る磁場印加後の再生出力を百分率で示してある。再生出
力が低下する従来媒体Ａ１に対して、図２１から分かる
ように、本発明媒体Ｇ２は５００Ｏｅの磁場を印加して
も減磁は見られず、外部浮遊磁界に対する記録信号の安
定性は、本発明媒体Ｇ２の方が遥かに優れていることが
分かった。同様の実験をＩＤヘッドで記録した信号をＭ
Ｒヘッドで読み出す方法によっても行ったところ、全く
同様な傾向が見られた。この結果を図２２に示す。
録磁化の安定性を測定し、従来媒体Ａ１と対比して、図
２１に示した。図２１は、磁場印加前の再生出力に対す
る磁場印加後の再生出力を百分率で示してある。再生出
力が低下する従来媒体Ａ１に対して、図２１から分かる
ように、本発明媒体Ｇ２は５００Ｏｅの磁場を印加して
も減磁は見られず、外部浮遊磁界に対する記録信号の安
定性は、本発明媒体Ｇ２の方が遥かに優れていることが
分かった。同様の実験をＩＤヘッドで記録した信号をＭ
Ｒヘッドで読み出す方法によっても行ったところ、全く
同様な傾向が見られた。この結果を図２２に示す。
【００６８】次に、本発明媒体Ｇ２の記録磁化の経時変
化を測定し、従来媒体Ａ１と対比して、図２３に示し
た。図２３は、t ＝１秒の時の再生出力に対する一定時
間経過後の再生出力を百分率で示してある。再生出力が
低下する従来媒体Ａ１に対して、図２３から分かるよう
に、本発明媒体Ｇ２では、このような再生出力の低下は
全く見られなかった。本発明媒体Ｆ２に用いているＣｏ
ＣｒＰｔ−ＳｉＯ2 分散膜は磁壁構造をとらないため
に、従来媒体Ａ１のような磁壁移動による減磁の問題を
根本的に解決することができたと考えられる。また、実
施例１のところで述べたような理由によって、ＣｏＣｒ
Ｐｔ−ＳｉＯ 2 分散膜を室温で成膜した膜を下地に持つ
媒体の記録磁化の経時変化の結果は同様なものになる。
化を測定し、従来媒体Ａ１と対比して、図２３に示し
た。図２３は、t ＝１秒の時の再生出力に対する一定時
間経過後の再生出力を百分率で示してある。再生出力が
低下する従来媒体Ａ１に対して、図２３から分かるよう
に、本発明媒体Ｇ２では、このような再生出力の低下は
全く見られなかった。本発明媒体Ｆ２に用いているＣｏ
ＣｒＰｔ−ＳｉＯ2 分散膜は磁壁構造をとらないため
に、従来媒体Ａ１のような磁壁移動による減磁の問題を
根本的に解決することができたと考えられる。また、実
施例１のところで述べたような理由によって、ＣｏＣｒ
Ｐｔ−ＳｉＯ 2 分散膜を室温で成膜した膜を下地に持つ
媒体の記録磁化の経時変化の結果は同様なものになる。
【００６９】以上のことより、本発明媒体Ｇ２を用いる
ことによって記録再生時のエンベロ−プ特性の向上並び
に下地軟磁性膜の磁壁の移動に由来する突発性の雑音や
記録磁化の減磁あるいは消磁の防止を実現でき、高記録
密度の実現が容易となる。
ことによって記録再生時のエンベロ−プ特性の向上並び
に下地軟磁性膜の磁壁の移動に由来する突発性の雑音や
記録磁化の減磁あるいは消磁の防止を実現でき、高記録
密度の実現が容易となる。
【００７０】実施例９ 分散膜中のＣｏＣｒＰｔの体積比を５０％程度に設定
し、ＣｏＣｒＰｔタ−ゲットとＣタ−ゲットをを用い
て、基板にバイアス電圧を印加しながら実施例１と同じ
成膜条件で、同時にスパッタし、基板上に膜厚５００ｎ
ｍのＣｏＣｒＰｔ−Ｃ分散膜を下地軟磁性膜として成膜
したこと除いて、実施例１と同様にして垂直磁気記録媒
体を作製し、本発明媒体Ｈ２とした。
し、ＣｏＣｒＰｔタ−ゲットとＣタ−ゲットをを用い
て、基板にバイアス電圧を印加しながら実施例１と同じ
成膜条件で、同時にスパッタし、基板上に膜厚５００ｎ
ｍのＣｏＣｒＰｔ−Ｃ分散膜を下地軟磁性膜として成膜
したこと除いて、実施例１と同様にして垂直磁気記録媒
体を作製し、本発明媒体Ｈ２とした。
【００７１】ＣｏＣｒＰｔ−Ｃ分散膜を観察したとこ
ろ、明瞭な磁壁構造は観察されなかったし、試料に徐々
に磁場を印加しながら観察しても、変化は見られなかっ
た。これは、基板温度を室温にして成膜したＣｏＣｒＰ
ｔ−Ｃ分散膜についても同様であった。以上のことは、
ＣｏＣｒＰｔ−Ｃ分散膜の磁化過程は磁壁移動によらな
いことを示している。
ろ、明瞭な磁壁構造は観察されなかったし、試料に徐々
に磁場を印加しながら観察しても、変化は見られなかっ
た。これは、基板温度を室温にして成膜したＣｏＣｒＰ
ｔ−Ｃ分散膜についても同様であった。以上のことは、
ＣｏＣｒＰｔ−Ｃ分散膜の磁化過程は磁壁移動によらな
いことを示している。
【００７２】次に、ＣｏＣｒＰｔ−Ｃ分散膜の保磁力を
測定したところ、本発明媒体Ｈ２のＣｏＣｒＰｔ−Ｃ分
散膜の保磁力は０．１Ｏｅ、基板温度を室温にして成膜
したＣｏＣｒＰｔ−Ｃ分散膜の保磁力は３００Ｏｅであ
った。
測定したところ、本発明媒体Ｈ２のＣｏＣｒＰｔ−Ｃ分
散膜の保磁力は０．１Ｏｅ、基板温度を室温にして成膜
したＣｏＣｒＰｔ−Ｃ分散膜の保磁力は３００Ｏｅであ
った。
【００７３】本発明媒体Ｈ２の記録再生特性の評価試験
を行い、本発明媒体Ｈ２と従来媒体Ａ１のエンベロ−プ
特性を調べたところ、本発明媒体Ａ２と同様に、本発明
媒体Ｈ２は、従来媒体Ａ１に比較して遥かにエンベロ−
プがきれいであり、エンベロ−プ特性が非常に優れてい
ることが分かった。この実験は単磁極ヘッドによって記
録した信号をＭＲヘッドで読み出すことによって行った
が、ＩＤヘッドで記録した信号をＭＲヘッドで読み出す
実験も行ったところ、同様なエンベロ−プ特性の違いが
見られた。このことは、本発明媒体Ｈ２の下地軟磁性膜
であるＣｏＣｒＰｔ−Ｃ分散膜は磁壁構造をとらないた
め、突発性の雑音の発生を根本的に解決できていること
を示している。また、実施例１のところで述べたような
理由によって、ＣｏＣｒＰｔ−Ｃ分散膜を室温で成膜し
た膜を下地に持つ媒体の結果も同様なものになる。
を行い、本発明媒体Ｈ２と従来媒体Ａ１のエンベロ−プ
特性を調べたところ、本発明媒体Ａ２と同様に、本発明
媒体Ｈ２は、従来媒体Ａ１に比較して遥かにエンベロ−
プがきれいであり、エンベロ−プ特性が非常に優れてい
ることが分かった。この実験は単磁極ヘッドによって記
録した信号をＭＲヘッドで読み出すことによって行った
が、ＩＤヘッドで記録した信号をＭＲヘッドで読み出す
実験も行ったところ、同様なエンベロ−プ特性の違いが
見られた。このことは、本発明媒体Ｈ２の下地軟磁性膜
であるＣｏＣｒＰｔ−Ｃ分散膜は磁壁構造をとらないた
め、突発性の雑音の発生を根本的に解決できていること
を示している。また、実施例１のところで述べたような
理由によって、ＣｏＣｒＰｔ−Ｃ分散膜を室温で成膜し
た膜を下地に持つ媒体の結果も同様なものになる。
【００７４】本発明媒体Ｈ２の外部浮遊磁界に対する記
録磁化の安定性を測定し、従来媒体Ａ１と対比して、図
２４に示した。図２４は、磁場印加前の再生出力に対す
る磁場印加後の再生出力を百分率で示してある。再生出
力が低下する従来媒体Ａ１に対して、図２４から分かる
ように、本発明媒体Ｈ２は５００Ｏｅの磁場を印加して
も減磁は見られず、外部浮遊磁界に対する記録信号の安
定性は、本発明媒体Ｈ２の方が遥かに優れていることが
分かった。同様の実験をＩＤヘッドで記録した信号をＭ
Ｒヘッドで読み出す方法によっても行ったところ、全く
同様な傾向が見られた。この結果を図２５に示す。ま
た、実施例１のところで述べたような理由によって、Ｃ
ｏＣｒＰｔ−Ｃ分散膜を室温で成膜した膜を下地に持つ
媒体の外部浮遊磁界に対する記録磁化の安定性の結果は
同様なものになる。
録磁化の安定性を測定し、従来媒体Ａ１と対比して、図
２４に示した。図２４は、磁場印加前の再生出力に対す
る磁場印加後の再生出力を百分率で示してある。再生出
力が低下する従来媒体Ａ１に対して、図２４から分かる
ように、本発明媒体Ｈ２は５００Ｏｅの磁場を印加して
も減磁は見られず、外部浮遊磁界に対する記録信号の安
定性は、本発明媒体Ｈ２の方が遥かに優れていることが
分かった。同様の実験をＩＤヘッドで記録した信号をＭ
Ｒヘッドで読み出す方法によっても行ったところ、全く
同様な傾向が見られた。この結果を図２５に示す。ま
た、実施例１のところで述べたような理由によって、Ｃ
ｏＣｒＰｔ−Ｃ分散膜を室温で成膜した膜を下地に持つ
媒体の外部浮遊磁界に対する記録磁化の安定性の結果は
同様なものになる。
【００７５】次に、本発明媒体Ｈ２の記録磁化の経時変
化を測定し、従来媒体Ａ１と対比して、図２６に示し
た。図２６は、t ＝１秒の時の再生出力に対する一定時
間経過後の再生出力を百分率で示してある。再生出力が
低下する従来媒体Ａ１に対して、図２６から分かるよう
に、本発明媒体Ｈ２では、従来媒体Ａ１のような再生出
力の低下は全く見られなかった。本発明媒体Ｈ２に用い
ているＣｏＣｒＰｔ−Ｃ分散膜は磁壁構造をとらないた
めに、従来媒体Ａ１のような磁壁移動による減磁の問題
を根本的に解決することができたと考えられる。また、
実施例１のところで述べたような理由によって、ＣｏＣ
ｒＰｔ−Ｃ分散膜を室温で成膜した膜を下地に持つ媒体
の記録磁化の経時変化の結果は同様なものになる。
化を測定し、従来媒体Ａ１と対比して、図２６に示し
た。図２６は、t ＝１秒の時の再生出力に対する一定時
間経過後の再生出力を百分率で示してある。再生出力が
低下する従来媒体Ａ１に対して、図２６から分かるよう
に、本発明媒体Ｈ２では、従来媒体Ａ１のような再生出
力の低下は全く見られなかった。本発明媒体Ｈ２に用い
ているＣｏＣｒＰｔ−Ｃ分散膜は磁壁構造をとらないた
めに、従来媒体Ａ１のような磁壁移動による減磁の問題
を根本的に解決することができたと考えられる。また、
実施例１のところで述べたような理由によって、ＣｏＣ
ｒＰｔ−Ｃ分散膜を室温で成膜した膜を下地に持つ媒体
の記録磁化の経時変化の結果は同様なものになる。
【００７６】以上のことより、本発明媒体Ｈ２を用いる
ことによって記録再生時のエンベロ−プ特性の向上並び
に下地軟磁性膜の磁壁の移動に由来する突発性の雑音や
記録磁化の減磁あるいは消磁の防止を実現でき、高記録
密度の実現が容易となる。
ことによって記録再生時のエンベロ−プ特性の向上並び
に下地軟磁性膜の磁壁の移動に由来する突発性の雑音や
記録磁化の減磁あるいは消磁の防止を実現でき、高記録
密度の実現が容易となる。
【００７７】実施例１０ 分散膜中のＣｏＰｔの体積比を５０％程度に設定し、ス
パッタ法によりＣｏＰｔタ−ゲットとＳｉＯ2 タ−ゲッ
トを用い、基板にバイアスを印加しながら、以下の成膜
条件で、同時にスパッタして、膜厚５００ｎｍのＣｏＰ
ｔ−ＳｉＯ2 分散膜を下地軟磁性膜として２．５インチ
の基板上に成膜した。 成膜条件 チャンバの初期真空度 ：５×１０-7mTorr以下 投入電力 ：０．５kw アルゴンガス圧 ：４mTorr 基板温度 ：６００℃ 成膜速度 ：３ｎｍ/sec
パッタ法によりＣｏＰｔタ−ゲットとＳｉＯ2 タ−ゲッ
トを用い、基板にバイアスを印加しながら、以下の成膜
条件で、同時にスパッタして、膜厚５００ｎｍのＣｏＰ
ｔ−ＳｉＯ2 分散膜を下地軟磁性膜として２．５インチ
の基板上に成膜した。 成膜条件 チャンバの初期真空度 ：５×１０-7mTorr以下 投入電力 ：０．５kw アルゴンガス圧 ：４mTorr 基板温度 ：６００℃ 成膜速度 ：３ｎｍ/sec
【００７８】Ｃｏ65Ｃｒ35(at％) タ−ゲット及びＣｏ
78Ｃｒ19Ｔａ3(at％) タ−ゲットを用いて、ＣｏＰｔ−
ＳｉＯ2 分散膜の上に基板温度２００℃でＣｏ65Ｃｒ35
膜をそれぞれ膜厚０、１０、２０、５０、１００及び１
２０ｎｍで成膜し、連続してその上にＣｏ78Ｃｒ19Ｔａ
3膜を膜厚１００ｎｍで成膜した。そして、更にその上
にＣ保護膜を１０ｎｍ成膜し、Ｃｏ65Ｃｒ35膜を１００
ｎｍとした媒体を本発明媒体Ｊ２とし、Ｃｏ65Ｃｒ35膜
を０ｎｍとした、すなわちＣｏ65Ｃｒ35膜を設けていな
い媒体を従来媒体Ｂ１とした。
78Ｃｒ19Ｔａ3(at％) タ−ゲットを用いて、ＣｏＰｔ−
ＳｉＯ2 分散膜の上に基板温度２００℃でＣｏ65Ｃｒ35
膜をそれぞれ膜厚０、１０、２０、５０、１００及び１
２０ｎｍで成膜し、連続してその上にＣｏ78Ｃｒ19Ｔａ
3膜を膜厚１００ｎｍで成膜した。そして、更にその上
にＣ保護膜を１０ｎｍ成膜し、Ｃｏ65Ｃｒ35膜を１００
ｎｍとした媒体を本発明媒体Ｊ２とし、Ｃｏ65Ｃｒ35膜
を０ｎｍとした、すなわちＣｏ65Ｃｒ35膜を設けていな
い媒体を従来媒体Ｂ１とした。
【００７９】本発明媒体Ｊ２の特性を評価するために、
表面平滑性、垂直配向性、保持力、記録再生特性等を以
下の評価方法で測定した。同じ評価方法を実施例１１以
下の実施例にも適用した。本発明媒体Ｊ２のＣｏ65Ｃｒ
35膜の表面平滑性Ｒａを磁気力顕微鏡（ＡＦＭ）で測定
し、図２７に示す結果を得た。膜厚０ｎｍの時の値は、
すなわちＣｏＰｔ−ＳｉＯ2 分散膜表面のＲａの値であ
る。図２７から分かるように、Ｃｏ65Ｃｒ35膜の膜厚が
１０〜１００ｎｍまではＲａが低減し、表面平滑性の改
善効果があることが分かる。しかし、膜厚１００ｎｍを
越えると表面平滑性は悪化する。
表面平滑性、垂直配向性、保持力、記録再生特性等を以
下の評価方法で測定した。同じ評価方法を実施例１１以
下の実施例にも適用した。本発明媒体Ｊ２のＣｏ65Ｃｒ
35膜の表面平滑性Ｒａを磁気力顕微鏡（ＡＦＭ）で測定
し、図２７に示す結果を得た。膜厚０ｎｍの時の値は、
すなわちＣｏＰｔ−ＳｉＯ2 分散膜表面のＲａの値であ
る。図２７から分かるように、Ｃｏ65Ｃｒ35膜の膜厚が
１０〜１００ｎｍまではＲａが低減し、表面平滑性の改
善効果があることが分かる。しかし、膜厚１００ｎｍを
越えると表面平滑性は悪化する。
【００８０】０〜１２０ｎｍの膜厚のＣｏ65Ｃｒ35膜を
Ｃｏ78Ｃｒ19Ｔａ3膜の直下に持つＣｏ78Ｃｒ19Ｔａ3膜
の垂直配向性を調べるために、Ｘ線回折を用いて、ｈｃ
ｐ（００２）ピ−クのロッキングカ−ブの半値幅を求
め、図２８に示す結果を得た。図２８から分かるよう
に、膜厚１０〜１００ｎｍまでは、ロッキングカ−ブの
半値幅が低下し、Ｃｏ78Ｃｒ19Ｔａ3膜の垂直配向性が
向上していることが分かる。ＣｏＰｔ−ＳｉＯ2 分散膜
上のＣｏ78Ｃｒ19Ｔａ3膜は完全な垂直磁化膜ではな
く、膜形成の初期段階における１０ｎｍから２０ｎｍの
初期層が存在する。ところが、Ｃｏ65Ｃｒ35膜とＣｏ78
Ｃｒ19Ｔａ3膜の結晶構造が非常に近いために、垂直磁
化膜の膜形成の初期段階から垂直異方性の強い結晶配向
性に優れた膜が形成される。しかし、膜厚１００ｎｍを
越えるとロッキングカ−ブの半値幅は増大し、Ｃｏ78Ｃ
ｒ19Ｔａ3膜の垂直配向性は悪化する。
Ｃｏ78Ｃｒ19Ｔａ3膜の直下に持つＣｏ78Ｃｒ19Ｔａ3膜
の垂直配向性を調べるために、Ｘ線回折を用いて、ｈｃ
ｐ（００２）ピ−クのロッキングカ−ブの半値幅を求
め、図２８に示す結果を得た。図２８から分かるよう
に、膜厚１０〜１００ｎｍまでは、ロッキングカ−ブの
半値幅が低下し、Ｃｏ78Ｃｒ19Ｔａ3膜の垂直配向性が
向上していることが分かる。ＣｏＰｔ−ＳｉＯ2 分散膜
上のＣｏ78Ｃｒ19Ｔａ3膜は完全な垂直磁化膜ではな
く、膜形成の初期段階における１０ｎｍから２０ｎｍの
初期層が存在する。ところが、Ｃｏ65Ｃｒ35膜とＣｏ78
Ｃｒ19Ｔａ3膜の結晶構造が非常に近いために、垂直磁
化膜の膜形成の初期段階から垂直異方性の強い結晶配向
性に優れた膜が形成される。しかし、膜厚１００ｎｍを
越えるとロッキングカ−ブの半値幅は増大し、Ｃｏ78Ｃ
ｒ19Ｔａ3膜の垂直配向性は悪化する。
【００８１】以上のことから分かるように、中間層Ｃｏ
65Ｃｒ35膜は、ＣｏＰｔ−ＳｉＯ2分散膜表面の平滑性
の改善効果とＣｏ78Ｃｒ19Ｔａ3膜の垂直配向性の改善
効果の双方を有する。
65Ｃｒ35膜は、ＣｏＰｔ−ＳｉＯ2分散膜表面の平滑性
の改善効果とＣｏ78Ｃｒ19Ｔａ3膜の垂直配向性の改善
効果の双方を有する。
【００８２】次に、０〜１２０ｎｍの膜厚のＣｏ65Ｃｒ
35膜をＣｏ78Ｃｒ19Ｔａ3膜の直下に持つＣｏ78Ｃｒ19
Ｔａ3 膜の磁気特性をカ−効果測定装置で調べ、図２９
に示すようなメジャ−ル−プの角形比を得た。図２９か
ら分かるように、Ｃｏ65Ｃｒ35膜の膜厚が１０〜１００
ｎｍまでは、膜厚の増加に伴って角形比が改善される。
しかし、膜厚１００ｎｍを越えると角形比は低下する。
35膜をＣｏ78Ｃｒ19Ｔａ3膜の直下に持つＣｏ78Ｃｒ19
Ｔａ3 膜の磁気特性をカ−効果測定装置で調べ、図２９
に示すようなメジャ−ル−プの角形比を得た。図２９か
ら分かるように、Ｃｏ65Ｃｒ35膜の膜厚が１０〜１００
ｎｍまでは、膜厚の増加に伴って角形比が改善される。
しかし、膜厚１００ｎｍを越えると角形比は低下する。
【００８３】本発明媒体Ｊ２及び従来媒体Ｂ１につい
て、ＩＤ／ＭＲ複合ヘッドを用いて記録再生特性の評価
試験を行った。ここで、ヘッドの記録トラック幅は４μ
m 、再生トラック幅は３μm 、記録ギャップ長は０．４
μm 、再生ギャップ長は０．３２μm である。評価は記
録電流１０mAop、センス電流１２mA、周速度１２．７m/
sec 、浮上量４５ｎｍ、ノイズのバンド帯域４５MHzの
条件下で行った。図３０は媒体ノイズの記録密度依存性
を示す。これより、本発明媒体Ｊ２は、従来媒体Ｂ１に
比較して全記録密度において媒体ノイズが小さく、ノイ
ズ特性が非常に優れていることが分かる。つまり、Ｃｏ
65Ｃｒ35中間層を挿入することによってＣｏＰｔ−Ｓｉ
Ｏ2 分散膜表面の平滑性の改善とＣｏ78Ｃｒ19Ｔａ3膜
の垂直配向性の改善が同時に達成され、Ｃｏ78Ｃｒ19Ｔ
ａ3垂直磁化膜の磁気特性の角形比を向上させて初期層
の膜厚を低減させることが出来、低ノイズ化につながっ
た。Ｃｏ65Ｃｒ35中間層の膜厚が１００ｎｍ以下の媒体
でも同様な結果が得られる。
て、ＩＤ／ＭＲ複合ヘッドを用いて記録再生特性の評価
試験を行った。ここで、ヘッドの記録トラック幅は４μ
m 、再生トラック幅は３μm 、記録ギャップ長は０．４
μm 、再生ギャップ長は０．３２μm である。評価は記
録電流１０mAop、センス電流１２mA、周速度１２．７m/
sec 、浮上量４５ｎｍ、ノイズのバンド帯域４５MHzの
条件下で行った。図３０は媒体ノイズの記録密度依存性
を示す。これより、本発明媒体Ｊ２は、従来媒体Ｂ１に
比較して全記録密度において媒体ノイズが小さく、ノイ
ズ特性が非常に優れていることが分かる。つまり、Ｃｏ
65Ｃｒ35中間層を挿入することによってＣｏＰｔ−Ｓｉ
Ｏ2 分散膜表面の平滑性の改善とＣｏ78Ｃｒ19Ｔａ3膜
の垂直配向性の改善が同時に達成され、Ｃｏ78Ｃｒ19Ｔ
ａ3垂直磁化膜の磁気特性の角形比を向上させて初期層
の膜厚を低減させることが出来、低ノイズ化につながっ
た。Ｃｏ65Ｃｒ35中間層の膜厚が１００ｎｍ以下の媒体
でも同様な結果が得られる。
【００８４】図３１は媒体Ｓ／Ｎ の記録密度依存性を
示す。これより、本発明媒体Ｊ２は従来媒体Ｂ１に比較
して全記録密度において媒体Ｓ／Ｎが２〜５dB良好であ
り、高記録密度対応の磁気ディスク媒体として優れてい
ることが分かる。すなわち、本発明媒体Ｋ２を用いるこ
とにより、高記録密度の実現が容易となる。
示す。これより、本発明媒体Ｊ２は従来媒体Ｂ１に比較
して全記録密度において媒体Ｓ／Ｎが２〜５dB良好であ
り、高記録密度対応の磁気ディスク媒体として優れてい
ることが分かる。すなわち、本発明媒体Ｋ２を用いるこ
とにより、高記録密度の実現が容易となる。
【００８５】実施例１１ 分散膜中のＣｏＣｒＰｔの体積比を５０％程度に設定
し、ＣｏＣｒＰｔタ−ゲットとＳｉＯ2 タ−ゲットを用
いたことを除いて、実施例１０と同じ成膜条件で膜厚５
００ｎｍのＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2 分散膜を下地軟磁性
膜として基板上に成膜した。次いで、Ｔｉタ−ゲット及
びＣｏ78Ｃｒ19Ｔａ3(at％) タ−ゲットを用いて、Ｃｏ
ＣｒＰｔ−ＳｉＯ2 分散膜の上に基板温度２００℃でＴ
ｉ膜を膜厚０、１０、２０、５０、１００及び１２０ｎ
ｍで成膜し、連続してＴｉ膜の上にＣｏ78Ｃｒ19Ｔａ3
膜を膜厚１００ｎｍで成膜した。そして、更にＣｏ78Ｃ
ｒ19Ｔａ3膜の上にＣ保護膜を１０ｎｍ成膜し、Ｔｉ膜
を１００ｎｍとした媒体を本発明媒体Ｋ２とし、Ｔｉ膜
を０ｎｍとした、すなわちＴｉ膜を設けていない媒体を
従来媒体Ｃ１とした。
し、ＣｏＣｒＰｔタ−ゲットとＳｉＯ2 タ−ゲットを用
いたことを除いて、実施例１０と同じ成膜条件で膜厚５
００ｎｍのＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2 分散膜を下地軟磁性
膜として基板上に成膜した。次いで、Ｔｉタ−ゲット及
びＣｏ78Ｃｒ19Ｔａ3(at％) タ−ゲットを用いて、Ｃｏ
ＣｒＰｔ−ＳｉＯ2 分散膜の上に基板温度２００℃でＴ
ｉ膜を膜厚０、１０、２０、５０、１００及び１２０ｎ
ｍで成膜し、連続してＴｉ膜の上にＣｏ78Ｃｒ19Ｔａ3
膜を膜厚１００ｎｍで成膜した。そして、更にＣｏ78Ｃ
ｒ19Ｔａ3膜の上にＣ保護膜を１０ｎｍ成膜し、Ｔｉ膜
を１００ｎｍとした媒体を本発明媒体Ｋ２とし、Ｔｉ膜
を０ｎｍとした、すなわちＴｉ膜を設けていない媒体を
従来媒体Ｃ１とした。
【００８６】Ｔｉ膜の表面平滑性Ｒａを測定し、図３２
に示す結果を得た。膜厚０ｎｍの時の値はすなわちＣｏ
ＣｒＰｔ−ＳｉＯ2 分散膜表面のＲａの値である。図３
２から分かるように、Ｔｉ膜の膜厚が１０〜１００ｎｍ
まではＲａが低減し、表面平滑性の改善効果があること
が分かる。しかし、膜厚１００ｎｍを越えると表面平滑
性は悪化する。
に示す結果を得た。膜厚０ｎｍの時の値はすなわちＣｏ
ＣｒＰｔ−ＳｉＯ2 分散膜表面のＲａの値である。図３
２から分かるように、Ｔｉ膜の膜厚が１０〜１００ｎｍ
まではＲａが低減し、表面平滑性の改善効果があること
が分かる。しかし、膜厚１００ｎｍを越えると表面平滑
性は悪化する。
【００８７】０〜１２０ｎｍの膜厚のＴｉ膜をＣｏ78Ｃ
ｒ19Ｔａ3膜の直下に持つＣｏ78Ｃｒ19Ｔａ3膜の垂直配
向性を調べ、図３３に示す結果を得た。図３３から分か
るように、膜厚１０〜１００ｎｍまではロッキングカ−
ブの半値幅が低下し、Ｃｏ 78Ｃｒ19Ｔａ3膜の垂直配向
性が向上していることが分かる。ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ
2 分散膜上のＣｏ78Ｃｒ19Ｔａ3膜は完全な垂直磁化膜
ではなく、膜形成の初期段階における１０ｎｍから２０
ｎｍの初期層が存在する。ところが、Ｔｉ膜とＣｏ78Ｃ
ｒ19Ｔａ3膜は格子整合性が良いために、垂直磁化膜の
膜形成の初期段階から垂直異方性の強い結晶配向性に優
れた膜が形成される。しかし、膜厚１００ｎｍを越える
とロッキングカ−ブの半値幅は増大し、Ｃｏ78Ｃｒ19Ｔ
ａ3膜の垂直配向性は悪化する。以上のことから分かる
ように、中間層Ｔｉ膜は、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2 分散
膜表面の平滑性の改善効果とＣｏ78Ｃｒ19Ｔａ3膜の垂
直配向性の改善効果の双方を有する。
ｒ19Ｔａ3膜の直下に持つＣｏ78Ｃｒ19Ｔａ3膜の垂直配
向性を調べ、図３３に示す結果を得た。図３３から分か
るように、膜厚１０〜１００ｎｍまではロッキングカ−
ブの半値幅が低下し、Ｃｏ 78Ｃｒ19Ｔａ3膜の垂直配向
性が向上していることが分かる。ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ
2 分散膜上のＣｏ78Ｃｒ19Ｔａ3膜は完全な垂直磁化膜
ではなく、膜形成の初期段階における１０ｎｍから２０
ｎｍの初期層が存在する。ところが、Ｔｉ膜とＣｏ78Ｃ
ｒ19Ｔａ3膜は格子整合性が良いために、垂直磁化膜の
膜形成の初期段階から垂直異方性の強い結晶配向性に優
れた膜が形成される。しかし、膜厚１００ｎｍを越える
とロッキングカ−ブの半値幅は増大し、Ｃｏ78Ｃｒ19Ｔ
ａ3膜の垂直配向性は悪化する。以上のことから分かる
ように、中間層Ｔｉ膜は、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2 分散
膜表面の平滑性の改善効果とＣｏ78Ｃｒ19Ｔａ3膜の垂
直配向性の改善効果の双方を有する。
【００８８】次に、０〜１２０ｎｍの膜厚のＴｉ膜をＣ
ｏ78Ｃｒ19Ｔａ3膜の直下に持つＣｏ78Ｃｒ19Ｔａ3膜の
磁気特性を調べ、図３４に示す結果を得た。図３４から
分かるように、Ｔｉ膜の膜厚が１０〜１００ｎｍまで
は、膜厚の増加に伴って角形比が改善される。しかし、
膜厚１００ｎｍを越えると角形比は低下する。
ｏ78Ｃｒ19Ｔａ3膜の直下に持つＣｏ78Ｃｒ19Ｔａ3膜の
磁気特性を調べ、図３４に示す結果を得た。図３４から
分かるように、Ｔｉ膜の膜厚が１０〜１００ｎｍまで
は、膜厚の増加に伴って角形比が改善される。しかし、
膜厚１００ｎｍを越えると角形比は低下する。
【００８９】本発明媒体Ｋ２及び従来媒体Ｃ１の記録再
生特性の評価試験を行い、図３５に示す媒体ノイズの記
録密度依存性の結果を得た。本発明媒体Ｋ２は、従来媒
体Ｃ１に比較して、全記録密度において媒体ノイズが小
さく、ノイズ特性が非常に優れていることが分かる。つ
まり、Ｔｉ中間層を挿入することによってＣｏＣｒＰｔ
−ＳｉＯ2 分散膜表面の平滑性の改善とＣｏ 78Ｃｒ19Ｔ
ａ3膜の垂直配向性の改善が同時に達成され、Ｃｏ78Ｃ
ｒ19Ｔａ3垂直磁化膜の磁気特性の角形比を向上させて
初期層の膜厚を低減させることが出来、低ノイズ化につ
ながった。以上のことから、Ｔｉ中間層の膜厚が１００
ｎｍ以下の媒体でも同様な結果が得られる。
生特性の評価試験を行い、図３５に示す媒体ノイズの記
録密度依存性の結果を得た。本発明媒体Ｋ２は、従来媒
体Ｃ１に比較して、全記録密度において媒体ノイズが小
さく、ノイズ特性が非常に優れていることが分かる。つ
まり、Ｔｉ中間層を挿入することによってＣｏＣｒＰｔ
−ＳｉＯ2 分散膜表面の平滑性の改善とＣｏ 78Ｃｒ19Ｔ
ａ3膜の垂直配向性の改善が同時に達成され、Ｃｏ78Ｃ
ｒ19Ｔａ3垂直磁化膜の磁気特性の角形比を向上させて
初期層の膜厚を低減させることが出来、低ノイズ化につ
ながった。以上のことから、Ｔｉ中間層の膜厚が１００
ｎｍ以下の媒体でも同様な結果が得られる。
【００９０】図３６は媒体Ｓ／Ｎの記録密度依存性を示
す。これより、本発明媒体Ｋ２は従来媒体Ｃ１に比較し
て全記録密度において媒体Ｓ／Ｎが１〜２dB良好であ
り、高記録密度対応の磁気ディスク媒体として優れてい
ることが分かる。すなわち、本発明媒体Ｋ２を用いるこ
とにより、高記録密度の実現が容易となる。
す。これより、本発明媒体Ｋ２は従来媒体Ｃ１に比較し
て全記録密度において媒体Ｓ／Ｎが１〜２dB良好であ
り、高記録密度対応の磁気ディスク媒体として優れてい
ることが分かる。すなわち、本発明媒体Ｋ２を用いるこ
とにより、高記録密度の実現が容易となる。
【００９１】実施例１２ 分散膜中のＣｏＣｒＰｔの体積比を５０％程度に設定
し、ＣｏＣｒＰｔタ−ゲットとＣタ−ゲットを用いたこ
とを除いて、実施例１０と同じ成膜条件で膜厚５００ｎ
ｍのＣｏＣｒＰｔ−Ｃ分散膜を下地軟磁性膜として基板
上に成膜した。次いで、Ｃｒ20Ｔｉ80タ−ゲットとＣｏ
78Ｃｒ19Ｔａ3(at％) タ−ゲットを用いて、ＣｏＣｒＰ
ｔ−Ｃ分散膜の上に基板温度２００℃でＣｒ20Ｔｉ80膜
を膜厚０、１０、２０、５０、１００及び１２０ｎｍで
成膜し、更に連続してＣｒ20Ｔｉ80膜の上にＣｏ78Ｃｒ
19Ｔａ3膜を膜厚１００ｎｍで成膜した。次いで、Ｃｏ
78Ｃｒ19Ｔａ3膜の上にＣ保護膜を１０ｎｍ成膜し、Ｃ
ｒ20Ｔｉ8 0膜を１００ｎｍとした媒体を本発明媒体Ｌ２
とし、Ｃｒ20Ｔｉ80膜を０ｎｍとした、すなわちＴｉ膜
を設けていない媒体を従来媒体Ｄ１とした。
し、ＣｏＣｒＰｔタ−ゲットとＣタ−ゲットを用いたこ
とを除いて、実施例１０と同じ成膜条件で膜厚５００ｎ
ｍのＣｏＣｒＰｔ−Ｃ分散膜を下地軟磁性膜として基板
上に成膜した。次いで、Ｃｒ20Ｔｉ80タ−ゲットとＣｏ
78Ｃｒ19Ｔａ3(at％) タ−ゲットを用いて、ＣｏＣｒＰ
ｔ−Ｃ分散膜の上に基板温度２００℃でＣｒ20Ｔｉ80膜
を膜厚０、１０、２０、５０、１００及び１２０ｎｍで
成膜し、更に連続してＣｒ20Ｔｉ80膜の上にＣｏ78Ｃｒ
19Ｔａ3膜を膜厚１００ｎｍで成膜した。次いで、Ｃｏ
78Ｃｒ19Ｔａ3膜の上にＣ保護膜を１０ｎｍ成膜し、Ｃ
ｒ20Ｔｉ8 0膜を１００ｎｍとした媒体を本発明媒体Ｌ２
とし、Ｃｒ20Ｔｉ80膜を０ｎｍとした、すなわちＴｉ膜
を設けていない媒体を従来媒体Ｄ１とした。
【００９２】Ｃｒ20Ｔｉ80膜の表面平滑性Ｒａを測定
し、図３７に示す結果を得た。膜厚０ｎｍの時の値はす
なわちＣｏＣｒＰｔ−Ｃ分散膜表面のＲａの値である。
図３７から分かるように、Ｃｒ20Ｔｉ80膜の膜厚が１０
〜１００ｎｍまではＲａが低減し、表面平滑性の改善効
果があることが分かる。しかし、膜厚１００ｎｍを越え
ると表面平滑性は悪化する。
し、図３７に示す結果を得た。膜厚０ｎｍの時の値はす
なわちＣｏＣｒＰｔ−Ｃ分散膜表面のＲａの値である。
図３７から分かるように、Ｃｒ20Ｔｉ80膜の膜厚が１０
〜１００ｎｍまではＲａが低減し、表面平滑性の改善効
果があることが分かる。しかし、膜厚１００ｎｍを越え
ると表面平滑性は悪化する。
【００９３】０〜１２０ｎｍの膜厚のＣｒ20Ｔｉ80膜を
Ｃｏ78Ｃｒ19Ｔａ3膜の直下に持つＣｏ78Ｃｒ19Ｔａ3膜
の垂直配向性を調べ、図３８に示す結果を得た。図３８
から分かるように、膜厚１０〜１００ｎｍまではロッキ
ングカ−ブの半値幅が低下し、Ｃｏ78Ｃｒ19Ｔａ3膜の
垂直配向性が向上していることが分かる。ＣｏＣｒＰｔ
−Ｃ分散膜上のＣｏ78Ｃｒ19Ｔａ3膜は完全な垂直磁化
膜ではなく、膜形成の初期段階における１０ｎｍから２
０ｎｍの初期層が存在する。ところが、Ｃｒ 20Ｔｉ80膜
とＣｏ78Ｃｒ19Ｔａ3膜は格子整合性が良いために、垂
直磁化膜の膜形成の初期段階から垂直異方性の強い結晶
配向性に優れた膜が形成される。しかし、膜厚１００ｎ
ｍを越えるとロッキングカ−ブの半値幅は増大し、Ｃｏ
78Ｃｒ 19Ｔａ3膜の垂直配向性は悪化する。以上のこと
から分かるように、中間層Ｃｒ20Ｔｉ80膜は、ＣｏＣｒ
Ｐｔ−Ｃ分散膜表面の平滑性の改善効果とＣｏ78Ｃｒ19
Ｔａ3膜の垂直配向性の改善効果の双方を有する。
Ｃｏ78Ｃｒ19Ｔａ3膜の直下に持つＣｏ78Ｃｒ19Ｔａ3膜
の垂直配向性を調べ、図３８に示す結果を得た。図３８
から分かるように、膜厚１０〜１００ｎｍまではロッキ
ングカ−ブの半値幅が低下し、Ｃｏ78Ｃｒ19Ｔａ3膜の
垂直配向性が向上していることが分かる。ＣｏＣｒＰｔ
−Ｃ分散膜上のＣｏ78Ｃｒ19Ｔａ3膜は完全な垂直磁化
膜ではなく、膜形成の初期段階における１０ｎｍから２
０ｎｍの初期層が存在する。ところが、Ｃｒ 20Ｔｉ80膜
とＣｏ78Ｃｒ19Ｔａ3膜は格子整合性が良いために、垂
直磁化膜の膜形成の初期段階から垂直異方性の強い結晶
配向性に優れた膜が形成される。しかし、膜厚１００ｎ
ｍを越えるとロッキングカ−ブの半値幅は増大し、Ｃｏ
78Ｃｒ 19Ｔａ3膜の垂直配向性は悪化する。以上のこと
から分かるように、中間層Ｃｒ20Ｔｉ80膜は、ＣｏＣｒ
Ｐｔ−Ｃ分散膜表面の平滑性の改善効果とＣｏ78Ｃｒ19
Ｔａ3膜の垂直配向性の改善効果の双方を有する。
【００９４】次に、０〜１２０ｎｍの膜厚のＣｒ20Ｔｉ
80膜をＣｏ78Ｃｒ19Ｔａ3膜の直下に持つＣｏ78Ｃｒ19
Ｔａ3膜の磁気特性を調べ、図３９に示す結果を得た。
図３９から分かるように、Ｃｒ20Ｔｉ80膜の膜厚が１０
〜１００ｎｍまでは、膜厚の増加に伴って角形比が改善
される。しかし、膜厚１００ｎｍを越えると角形比は低
下する。
80膜をＣｏ78Ｃｒ19Ｔａ3膜の直下に持つＣｏ78Ｃｒ19
Ｔａ3膜の磁気特性を調べ、図３９に示す結果を得た。
図３９から分かるように、Ｃｒ20Ｔｉ80膜の膜厚が１０
〜１００ｎｍまでは、膜厚の増加に伴って角形比が改善
される。しかし、膜厚１００ｎｍを越えると角形比は低
下する。
【００９５】本発明媒体Ｌ２及び従来媒体Ｄ１の記録再
生特性の評価試験を行い、図４０に示す媒体ノイズの記
録密度依存性の結果を得た。これより、本発明媒体Ｌ２
は、従来媒体Ｄ１に比較して全記録密度において媒体ノ
イズが小さく、ノイズ特性が非常に優れていることが分
かる。つまり、Ｃｒ 20Ｔｉ80中間層を挿入することによ
ってＣｏＣｒＰｔ−Ｃ分散膜表面の平滑性の改善とＣｏ
78Ｃｒ19Ｔａ3膜の垂直配向性の改善が同時に達成さ
れ、Ｃｏ78Ｃｒ1 9Ｔａ3垂直磁化膜の磁気特性の角形比
を向上させて初期層の膜厚を低減させることが出来、低
ノイズ化につながった。また、Ｃｒ20Ｔｉ80中間層の膜
厚が１００ｎｍ以下の媒体でも同様な結果が得られる。
生特性の評価試験を行い、図４０に示す媒体ノイズの記
録密度依存性の結果を得た。これより、本発明媒体Ｌ２
は、従来媒体Ｄ１に比較して全記録密度において媒体ノ
イズが小さく、ノイズ特性が非常に優れていることが分
かる。つまり、Ｃｒ 20Ｔｉ80中間層を挿入することによ
ってＣｏＣｒＰｔ−Ｃ分散膜表面の平滑性の改善とＣｏ
78Ｃｒ19Ｔａ3膜の垂直配向性の改善が同時に達成さ
れ、Ｃｏ78Ｃｒ1 9Ｔａ3垂直磁化膜の磁気特性の角形比
を向上させて初期層の膜厚を低減させることが出来、低
ノイズ化につながった。また、Ｃｒ20Ｔｉ80中間層の膜
厚が１００ｎｍ以下の媒体でも同様な結果が得られる。
【００９６】図４１は媒体Ｓ／Ｎの記録密度依存性を示
す。これより、本発明媒体Ｌ２は従来媒体Ｄ１に比較し
て全記録密度において媒体Ｓ／Ｎが１〜４dB良好であ
り、高記録密度対応の磁気ディスク媒体として優れてい
ることが分かる。すなわち、本発明媒体Ｌ２を用いるこ
とにより、高記録密度の実現が容易となる。
す。これより、本発明媒体Ｌ２は従来媒体Ｄ１に比較し
て全記録密度において媒体Ｓ／Ｎが１〜４dB良好であ
り、高記録密度対応の磁気ディスク媒体として優れてい
ることが分かる。すなわち、本発明媒体Ｌ２を用いるこ
とにより、高記録密度の実現が容易となる。
【００９７】実施例１３ ２．５インチの基板上にスパッタ法により基板温度６０
０℃でＣｒタ−ゲットを用いてＣｒ膜を膜厚０、１０
０、２００、３００、４００、及び５００ｎｍで成膜し
た。次いで、実施例１０と同様にして、Ｃｒ膜上に膜厚
５００ｎｍのＣｏＰｔ−ＳｉＯ2 分散膜、膜厚１００ｎ
ｍのＣｏ78Ｃｒ19Ｔａ3膜、及び膜厚１０ｎｍのＣ保護
膜を成膜し、５００ｎｍ膜厚のＣｒ膜を挿入した媒体を
本発明媒体Ｍ２とし、Ｃｒ膜を挿入せず、ＣｏＰｔ−Ｓ
ｉＯ2 分散膜及びＣｏ78Ｃｒ19Ｔａ3膜を成膜した媒体
を従来媒体Ｅ１とした。
０℃でＣｒタ−ゲットを用いてＣｒ膜を膜厚０、１０
０、２００、３００、４００、及び５００ｎｍで成膜し
た。次いで、実施例１０と同様にして、Ｃｒ膜上に膜厚
５００ｎｍのＣｏＰｔ−ＳｉＯ2 分散膜、膜厚１００ｎ
ｍのＣｏ78Ｃｒ19Ｔａ3膜、及び膜厚１０ｎｍのＣ保護
膜を成膜し、５００ｎｍ膜厚のＣｒ膜を挿入した媒体を
本発明媒体Ｍ２とし、Ｃｒ膜を挿入せず、ＣｏＰｔ−Ｓ
ｉＯ2 分散膜及びＣｏ78Ｃｒ19Ｔａ3膜を成膜した媒体
を従来媒体Ｅ１とした。
【００９８】次に、Ｃｒ下地を持つＣｏＰｔ−ＳｉＯ2
分散膜と持たないＣｏＰｔ−ＳｉＯ 2 分散膜の保磁力を
試料振動型磁力計（ＶＳＭ）を用いて測定し、図４２に
示す結果を得た。図４２から分かるように、Ｃｒ下地の
膜厚の増加にともなってＣｏＰｔ−ＳｉＯ2 分散膜の保
磁力は増加する。
分散膜と持たないＣｏＰｔ−ＳｉＯ 2 分散膜の保磁力を
試料振動型磁力計（ＶＳＭ）を用いて測定し、図４２に
示す結果を得た。図４２から分かるように、Ｃｒ下地の
膜厚の増加にともなってＣｏＰｔ−ＳｉＯ2 分散膜の保
磁力は増加する。
【００９９】実施例１０と同じ再生条件で、本発明媒体
Ｍ２及び従来媒体Ｅ１の記録再生特性の評価試験を行
い、図４３に示す媒体ノイズの記録密度依存性を得た。
本発明媒体Ｍ２、従来媒体Ｅ１ともに孤立波の出力値
（この場合、記録密度１０ｋＦＲＰＩの時の出力値）で
規格化してある。これより、本発明媒体Ｍ２は、従来媒
体Ｅ１に比較して記録密度の増大に伴う出力の減衰が遅
い。言い換えれば本発明媒体Ｍ２の方が従来媒体Ｅ１よ
りも高記録密度まで高い出力を得ることができる。Ｃｏ
Ｐｔ−ＳｉＯ2 分散膜の下にＣｒ下地を挿入することに
よって保磁力が増大し、出力の記録密度依存性の向上が
達成された。
Ｍ２及び従来媒体Ｅ１の記録再生特性の評価試験を行
い、図４３に示す媒体ノイズの記録密度依存性を得た。
本発明媒体Ｍ２、従来媒体Ｅ１ともに孤立波の出力値
（この場合、記録密度１０ｋＦＲＰＩの時の出力値）で
規格化してある。これより、本発明媒体Ｍ２は、従来媒
体Ｅ１に比較して記録密度の増大に伴う出力の減衰が遅
い。言い換えれば本発明媒体Ｍ２の方が従来媒体Ｅ１よ
りも高記録密度まで高い出力を得ることができる。Ｃｏ
Ｐｔ−ＳｉＯ2 分散膜の下にＣｒ下地を挿入することに
よって保磁力が増大し、出力の記録密度依存性の向上が
達成された。
【０１００】図４４は、記録密度４００ｋＦＲＰＩでの
媒体Ｓ／Ｎの値を示す。これより、本発明媒体Ｍ２は従
来媒体Ｅ１に比較して高記録密度においても媒体Ｓ／Ｎ
が約２dB良好であり、高記録密度対応の磁気ディスク媒
体として優れていることが分かる。すなわち、本発明媒
体Ｍ２を用いることにより、高記録密度の実現が容易と
なる。
媒体Ｓ／Ｎの値を示す。これより、本発明媒体Ｍ２は従
来媒体Ｅ１に比較して高記録密度においても媒体Ｓ／Ｎ
が約２dB良好であり、高記録密度対応の磁気ディスク媒
体として優れていることが分かる。すなわち、本発明媒
体Ｍ２を用いることにより、高記録密度の実現が容易と
なる。
【０１０１】実施例１４ 実施例１３のＣｒ膜に代えて、Ｖタ−ゲットを用いてＶ
膜をそれぞれ膜厚０、１００、２００、３００、４００
及び５００ｎｍで成膜し、次いで実施例１１と同様にし
て、垂直磁気記録媒体を作製し、５００ｎｍ膜厚のＶ膜
を挿入した媒体を本発明媒体Ｎ２とし、Ｖ膜を挿入せ
ず、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2 分散膜及びＣｏ78Ｃｒ19Ｔ
ａ3膜を成膜した媒体を従来媒体Ｆ１とした。
膜をそれぞれ膜厚０、１００、２００、３００、４００
及び５００ｎｍで成膜し、次いで実施例１１と同様にし
て、垂直磁気記録媒体を作製し、５００ｎｍ膜厚のＶ膜
を挿入した媒体を本発明媒体Ｎ２とし、Ｖ膜を挿入せ
ず、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2 分散膜及びＣｏ78Ｃｒ19Ｔ
ａ3膜を成膜した媒体を従来媒体Ｆ１とした。
【０１０２】次に、実施例１３と同様にして、Ｖ下地を
持つＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2 分散膜と持たないＣｏＣｒ
Ｐｔ−ＳｉＯ2 分散膜の保磁力を測定し、図４５に示す
結果を得た。図４５から分かるように、Ｖ下地の膜厚の
増加にともなってＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2 分散膜の保磁
力は増加する。
持つＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2 分散膜と持たないＣｏＣｒ
Ｐｔ−ＳｉＯ2 分散膜の保磁力を測定し、図４５に示す
結果を得た。図４５から分かるように、Ｖ下地の膜厚の
増加にともなってＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2 分散膜の保磁
力は増加する。
【０１０３】実施例１３と同様にして、本発明媒体Ｎ２
及び従来媒体Ｆ１の記録再生特性の評価試験を行い、図
４６に示す媒体ノイズの記録密度依存性を得た。本発明
媒体Ｎ２、従来媒体Ｆ１ともに孤立波の出力値（この場
合、記録密度１０ｋＦＲＰＩの時の出力値）で規格化し
てある。これより、本発明媒体Ｎ２は、従来媒体Ｆ１に
比較して記録密度の増大に伴う出力の減衰が遅い。言い
換えれば本発明媒体Ｎ２の方が従来媒体Ｆ１よりも高記
録密度まで高い出力を得ることができる。ＣｏＣｒＰｔ
−ＳｉＯ2 分散膜の下にＶ下地を挿入することによって
保磁力が増大し、出力の記録密度依存性の向上が達成さ
れた。
及び従来媒体Ｆ１の記録再生特性の評価試験を行い、図
４６に示す媒体ノイズの記録密度依存性を得た。本発明
媒体Ｎ２、従来媒体Ｆ１ともに孤立波の出力値（この場
合、記録密度１０ｋＦＲＰＩの時の出力値）で規格化し
てある。これより、本発明媒体Ｎ２は、従来媒体Ｆ１に
比較して記録密度の増大に伴う出力の減衰が遅い。言い
換えれば本発明媒体Ｎ２の方が従来媒体Ｆ１よりも高記
録密度まで高い出力を得ることができる。ＣｏＣｒＰｔ
−ＳｉＯ2 分散膜の下にＶ下地を挿入することによって
保磁力が増大し、出力の記録密度依存性の向上が達成さ
れた。
【０１０４】図４７は記録密度４００ｋＦＲＰＩでの媒
体Ｓ／Ｎの値を示す。これより、本発明媒体Ｎ２は従来
媒体Ｆ１に比較して高記録密度においても媒体Ｓ／Ｎが
約２dB良好であり、高記録密度対応の磁気ディスク媒体
として優れていることが分かる。すなわち、本発明媒体
Ｍ２を用いることにより、高記録密度の実現が容易とな
る。
体Ｓ／Ｎの値を示す。これより、本発明媒体Ｎ２は従来
媒体Ｆ１に比較して高記録密度においても媒体Ｓ／Ｎが
約２dB良好であり、高記録密度対応の磁気ディスク媒体
として優れていることが分かる。すなわち、本発明媒体
Ｍ２を用いることにより、高記録密度の実現が容易とな
る。
【０１０５】実施例１５ 実施例１３のＣｒ膜に代えて、Ｃｕタ−ゲットを用いて
Ｃｕ膜をそれぞれ膜厚０、１００、２００、３００、４
００及び５００ｎｍで成膜し、次いで実施例１２と同様
にして、垂直磁気記録媒体を作製し、５００ｎｍ膜厚の
Ｃｕ膜を挿入した媒体を本発明媒体Ｐ２とし、Ｃｕ膜を
挿入せずに、ＣｏＣｒＰｔ−Ｃ分散膜及びＣｏ78Ｃｒ19
Ｔａ3膜を成膜した媒体を従来媒体Ｇ１とした。
Ｃｕ膜をそれぞれ膜厚０、１００、２００、３００、４
００及び５００ｎｍで成膜し、次いで実施例１２と同様
にして、垂直磁気記録媒体を作製し、５００ｎｍ膜厚の
Ｃｕ膜を挿入した媒体を本発明媒体Ｐ２とし、Ｃｕ膜を
挿入せずに、ＣｏＣｒＰｔ−Ｃ分散膜及びＣｏ78Ｃｒ19
Ｔａ3膜を成膜した媒体を従来媒体Ｇ１とした。
【０１０６】次に、実施例１３と同様にして、Ｃｕ下地
を持つＣｏＣｒＰｔ−Ｃ分散膜と持たないＣｏＣｒＰｔ
−Ｃ分散膜の保磁力を調べ、図４８に示す結果を得た。
図４８から分かるように、Ｃｕ下地の膜厚の増加にとも
なってＣｏＣｒＰｔ−Ｃ分散膜の保磁力は増加する。
を持つＣｏＣｒＰｔ−Ｃ分散膜と持たないＣｏＣｒＰｔ
−Ｃ分散膜の保磁力を調べ、図４８に示す結果を得た。
図４８から分かるように、Ｃｕ下地の膜厚の増加にとも
なってＣｏＣｒＰｔ−Ｃ分散膜の保磁力は増加する。
【０１０７】実施例１３と同様にして、本発明媒体Ｐ２
及び従来媒体Ｇ１の記録再生特性の評価試験を行い、図
４９に示す媒体ノイズの記録密度依存性の結果を得た。
本発明媒体Ｐ２、従来媒体Ｇ１ともに孤立波の出力値
（この場合、記録密度１０ｋＦＲＰＩの時の出力値）で
規格化してある。これより、本発明媒体Ｐ２は、従来媒
体Ｇ１に比較して記録密度の増大に伴う出力の減衰が遅
い。言い換えれば本発明媒体Ｐ２の方が従来媒体Ｇ１よ
りも高記録密度まで高い出力を得ることができる。Ｃｏ
ＣｒＰｔ−Ｃ分散膜の下にＣｕ下地を挿入することによ
って保磁力が増大し、出力の記録密度依存性の向上が達
成された。
及び従来媒体Ｇ１の記録再生特性の評価試験を行い、図
４９に示す媒体ノイズの記録密度依存性の結果を得た。
本発明媒体Ｐ２、従来媒体Ｇ１ともに孤立波の出力値
（この場合、記録密度１０ｋＦＲＰＩの時の出力値）で
規格化してある。これより、本発明媒体Ｐ２は、従来媒
体Ｇ１に比較して記録密度の増大に伴う出力の減衰が遅
い。言い換えれば本発明媒体Ｐ２の方が従来媒体Ｇ１よ
りも高記録密度まで高い出力を得ることができる。Ｃｏ
ＣｒＰｔ−Ｃ分散膜の下にＣｕ下地を挿入することによ
って保磁力が増大し、出力の記録密度依存性の向上が達
成された。
【０１０８】図５０は記録密度４００ｋＦＲＰＩでの媒
体Ｓ／Ｎの値を示す。これより、本発明媒体Ｐ２は従来
媒体Ｇ１に比較して高記録密度においても媒体Ｓ／Ｎが
約２dB良好であり、高記録密度対応の磁気ディスク媒体
として優れていることが分かる。すなわち、本発明媒体
Ｍ２を用いることにより、高記録密度の実現が容易とな
る。
体Ｓ／Ｎの値を示す。これより、本発明媒体Ｐ２は従来
媒体Ｇ１に比較して高記録密度においても媒体Ｓ／Ｎが
約２dB良好であり、高記録密度対応の磁気ディスク媒体
として優れていることが分かる。すなわち、本発明媒体
Ｍ２を用いることにより、高記録密度の実現が容易とな
る。
【０１０９】
【発明の効果】本発明によれば、非磁壁構造の下地軟磁
性膜を垂直磁化膜の下に設けることにより、記録再生時
のエンベロ−プ特性を向上させ、かつ下地軟磁性膜の磁
壁の移動に由来する突発性の雑音や記録磁化の減磁又は
消磁現象が発生しない垂直磁気記録媒体を実現してい
る。これにより、従来、垂直磁気記録媒体の致命的な欠
陥であった記録磁化の減磁又は消磁現象の発生を根本的
に防止することができ、記録再生特性に優れた垂直磁気
記録媒体を実現している。
性膜を垂直磁化膜の下に設けることにより、記録再生時
のエンベロ−プ特性を向上させ、かつ下地軟磁性膜の磁
壁の移動に由来する突発性の雑音や記録磁化の減磁又は
消磁現象が発生しない垂直磁気記録媒体を実現してい
る。これにより、従来、垂直磁気記録媒体の致命的な欠
陥であった記録磁化の減磁又は消磁現象の発生を根本的
に防止することができ、記録再生特性に優れた垂直磁気
記録媒体を実現している。
【０１１０】請求項６及び７に記載の垂直磁気記録媒体
によれば、下地軟磁性膜として用いるグラニュラ−薄膜
と垂直磁化膜の間に接合層を挿入することにより、下地
軟磁性膜の表面平滑性の向上と垂直磁化膜の垂直配向性
の向上を同時に図ることができる。この効果により、垂
直磁化膜の磁気特性の角形比が改善され、低媒体ノイズ
化を図ることができ、記録再生特性にすぐれた垂直磁気
記録媒体を実現している。
によれば、下地軟磁性膜として用いるグラニュラ−薄膜
と垂直磁化膜の間に接合層を挿入することにより、下地
軟磁性膜の表面平滑性の向上と垂直磁化膜の垂直配向性
の向上を同時に図ることができる。この効果により、垂
直磁化膜の磁気特性の角形比が改善され、低媒体ノイズ
化を図ることができ、記録再生特性にすぐれた垂直磁気
記録媒体を実現している。
【０１１１】請求項８記載の垂直磁気記録媒体によれ
ば、下地軟磁性膜として用いるグラニュラ−薄膜と基板
の間にＣｒ膜、Ｖ膜及びＣｕ膜のいずれかを挿入するこ
とにより、Ｃｒ膜、Ｖ膜、Ｃｕ膜を挿入しない場合に比
べて母材中に分散させた粒子の独立を促進させることが
でき、保磁力の向上を図ることができる。この効果によ
り、再生出力の記録密度依存性の向上を図ることがで
き、記録再生特性にすぐれた垂直磁気記録媒体を実現し
ている。
ば、下地軟磁性膜として用いるグラニュラ−薄膜と基板
の間にＣｒ膜、Ｖ膜及びＣｕ膜のいずれかを挿入するこ
とにより、Ｃｒ膜、Ｖ膜、Ｃｕ膜を挿入しない場合に比
べて母材中に分散させた粒子の独立を促進させることが
でき、保磁力の向上を図ることができる。この効果によ
り、再生出力の記録密度依存性の向上を図ることがで
き、記録再生特性にすぐれた垂直磁気記録媒体を実現し
ている。
【図１】図１（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、本発明に
関わる垂直磁気記録媒体の実施形態例、及び実施例１の
垂直磁気記録媒体の模式的基板断面図である。
関わる垂直磁気記録媒体の実施形態例、及び実施例１の
垂直磁気記録媒体の模式的基板断面図である。
【図２】実施例１の垂直磁気記録媒体のエンベロ−プ特
性を示すグラフである。
性を示すグラフである。
【図３】実施例１の垂直磁気記録媒体の外部磁場と磁場
印加前後の再生出力の比を示すグラフである。
印加前後の再生出力の比を示すグラフである。
【図４】実施例１の垂直磁気記録媒体の外部磁場と磁場
印加前後の再生出力の比を示す別のグラフである。
印加前後の再生出力の比を示す別のグラフである。
【図５】実施例２の垂直磁気記録媒体の外部磁場印加後
の経過時間と一定時間経過前後の再生出力の比を示すグ
ラフである。
の経過時間と一定時間経過前後の再生出力の比を示すグ
ラフである。
【図６】実施例２の垂直磁気記録媒体の外部磁場と磁場
印加前後の再生出力の比を示す別のグラフである。
印加前後の再生出力の比を示す別のグラフである。
【図７】実施例２の垂直磁気記録媒体の外部磁場と磁場
印加前後の再生出力の比を示すグラフである。
印加前後の再生出力の比を示すグラフである。
【図８】実施例２の垂直磁気記録媒体の外部磁場印加後
の経過時間と一定時間経過前後の再生出力の比を示す別
のグラフである。
の経過時間と一定時間経過前後の再生出力の比を示す別
のグラフである。
【図９】実施例４の垂直磁気記録媒体の外部磁場と磁場
印加前後の再生出力の比を示すグラフである。
印加前後の再生出力の比を示すグラフである。
【図１０】実施例４の垂直磁気記録媒体の外部磁場と磁
場印加前後の再生出力の比を示す別のグラフである。
場印加前後の再生出力の比を示す別のグラフである。
【図１１】実施例４の垂直磁気記録媒体の外部磁場印加
後の経過時間と一定時間経過前後の再生出力の比を示す
グラフである。
後の経過時間と一定時間経過前後の再生出力の比を示す
グラフである。
【図１２】実施例５の垂直磁気記録媒体の外部磁場と磁
場印加前後の再生出力の比を示す別のグラフである。
場印加前後の再生出力の比を示す別のグラフである。
【図１３】実施例５の垂直磁気記録媒体の外部磁場と磁
場印加前後の再生出力の比を示すグラフである。
場印加前後の再生出力の比を示すグラフである。
【図１４】実施例５の垂直磁気記録媒体の外部磁場印加
後の経過時間と一定時間経過前後の再生出力の比を示す
別のグラフである。
後の経過時間と一定時間経過前後の再生出力の比を示す
別のグラフである。
【図１５】実施例６の垂直磁気記録媒体の外部磁場と磁
場印加前後の再生出力の比を示すグラフである。
場印加前後の再生出力の比を示すグラフである。
【図１６】実施例６の垂直磁気記録媒体の外部磁場と磁
場印加前後の再生出力の比を示す別のグラフである。
場印加前後の再生出力の比を示す別のグラフである。
【図１７】実施例６の垂直磁気記録媒体の外部磁場印加
後の経過時間と一定時間経過前後の再生出力の比を示す
グラフである。
後の経過時間と一定時間経過前後の再生出力の比を示す
グラフである。
【図１８】実施例７の垂直磁気記録媒体の外部磁場と磁
場印加前後の再生出力の比を示すグラフである。
場印加前後の再生出力の比を示すグラフである。
【図１９】実施例７の垂直磁気記録媒体の外部磁場と磁
場印加前後の再生出力の比を示す別のグラフである。
場印加前後の再生出力の比を示す別のグラフである。
【図２０】実施例７の垂直磁気記録媒体の外部磁場印加
後の経過時間と一定時間経過前後の再生出力の比を示す
グラフである。
後の経過時間と一定時間経過前後の再生出力の比を示す
グラフである。
【図２１】実施例８の垂直磁気記録媒体の外部磁場と磁
場印加前後の再生出力の比を示すグラフである。
場印加前後の再生出力の比を示すグラフである。
【図２２】実施例８の垂直磁気記録媒体の外部磁場と磁
場印加前後の再生出力の比を示す別のグラフである。
場印加前後の再生出力の比を示す別のグラフである。
【図２３】実施例８の垂直磁気記録媒体の外部磁場印加
後の経過時間と一定時間経過前後の再生出力の比を示す
グラフである。
後の経過時間と一定時間経過前後の再生出力の比を示す
グラフである。
【図２４】実施例９の垂直磁気記録媒体の外部磁場と磁
場印加前後の再生出力の比を示すグラフである。
場印加前後の再生出力の比を示すグラフである。
【図２５】実施例９の垂直磁気記録媒体の外部磁場と磁
場印加前後の再生出力の比を示す別のグラフである。
場印加前後の再生出力の比を示す別のグラフである。
【図２６】実施例９の垂直磁気記録媒体の外部磁場印加
後の経過時間と一定時間経過前後の再生出力の比を示す
グラフである。
後の経過時間と一定時間経過前後の再生出力の比を示す
グラフである。
【図２７】実施例１０の垂直磁気記録媒体の中間層の膜
厚と表面平滑性の関係を示す図表である。
厚と表面平滑性の関係を示す図表である。
【図２８】実施例１０の垂直磁気記録媒体の中間層の膜
厚とＣｏＣｒＴａ膜の垂直配向性の関係を示す図表であ
る。
厚とＣｏＣｒＴａ膜の垂直配向性の関係を示す図表であ
る。
【図２９】実施例１０の垂直磁気記録媒体の中間層の膜
厚とＣｏＣｒＴａ膜の角形比の関係を示す図表である。
厚とＣｏＣｒＴａ膜の角形比の関係を示す図表である。
【図３０】実施例１０の垂直磁気記録媒体の媒体ノイズ
の記録密度依存性を示すグラフである。
の記録密度依存性を示すグラフである。
【図３１】実施例１０の垂直磁気記録媒体の媒体Ｓ／Ｎ
の記録密度依存性を示すグラフである。
の記録密度依存性を示すグラフである。
【図３２】実施例１１の垂直磁気記録媒体の中間層の膜
厚と表面平滑性の関係を示す図表である。
厚と表面平滑性の関係を示す図表である。
【図３３】実施例１１の垂直磁気記録媒体の中間層の膜
厚とＣｏＣｒＴａ膜の垂直配向性の関係を示す図表であ
る。
厚とＣｏＣｒＴａ膜の垂直配向性の関係を示す図表であ
る。
【図３４】実施例１１の垂直磁気記録媒体の中間層の膜
厚とＣｏＣｒＴａ膜の角形比の関係を示す図表である。
厚とＣｏＣｒＴａ膜の角形比の関係を示す図表である。
【図３５】実施例１１の垂直磁気記録媒体の媒体ノイズ
の記録密度依存性を示すグラフである。
の記録密度依存性を示すグラフである。
【図３６】実施例１１の垂直磁気記録媒体の媒体Ｓ／Ｎ
の記録密度依存性を示すグラフである。
の記録密度依存性を示すグラフである。
【図３７】実施例１２の垂直磁気記録媒体の中間層の膜
厚と表面平滑性の関係を示す図表である。
厚と表面平滑性の関係を示す図表である。
【図３８】実施例１２の垂直磁気記録媒体の中間層の膜
厚とＣｏＣｒＴａ膜の垂直配向性の関係を示す図表であ
る。
厚とＣｏＣｒＴａ膜の垂直配向性の関係を示す図表であ
る。
【図３９】実施例１２の垂直磁気記録媒体の中間層の膜
厚とＣｏＣｒＴａ膜の角形比の関係を示す図表である。
厚とＣｏＣｒＴａ膜の角形比の関係を示す図表である。
【図４０】実施例１２の垂直磁気記録媒体の媒体ノイズ
の記録密度依存性を示すグラフである。
の記録密度依存性を示すグラフである。
【図４１】実施例１２の垂直磁気記録媒体の媒体Ｓ／Ｎ
の記録密度依存性を示すグラフである。
の記録密度依存性を示すグラフである。
【図４２】実施例１３の垂直磁気記録媒体の軟磁性膜の
下地層の膜厚と保磁力の関係を示す図表である。
下地層の膜厚と保磁力の関係を示す図表である。
【図４３】実施例１３の垂直磁気記録媒体の出力の記録
密度依存性を示すグラフである。
密度依存性を示すグラフである。
【図４４】実施例１３の垂直磁気記録媒体の媒体Ｓ／Ｎ
の値を示す図表である。
の値を示す図表である。
【図４５】実施例１４の垂直磁気記録媒体の軟磁性膜の
下地層の膜厚と保磁力の関係を示す図表である。
下地層の膜厚と保磁力の関係を示す図表である。
【図４６】実施例１４の垂直磁気記録媒体の出力の記録
密度依存性を示すグラフである。
密度依存性を示すグラフである。
【図４７】実施例１４の垂直磁気記録媒体の媒体Ｓ／Ｎ
の値を示す図表である。
の値を示す図表である。
【図４８】実施例１４の垂直磁気記録媒体の軟磁性膜の
下地層の膜厚と保磁力の関係を示す図表である。
下地層の膜厚と保磁力の関係を示す図表である。
【図４９】実施例１４の垂直磁気記録媒体の出力の記録
密度依存性を示すグラフである。
密度依存性を示すグラフである。
【図５０】実施例１４の垂直磁気記録媒体の媒体Ｓ／Ｎ
の値を示す図表である。
の値を示す図表である。
【図５１】従来の垂直磁気記録媒体を示す概略断面図で
ある。
ある。
【図５２】実施例３の垂直磁気記録媒体の外部磁場と磁
場印加前後の再生出力の比を示すグラフである。
場印加前後の再生出力の比を示すグラフである。
【図５３】実施例３の垂直磁気記録媒体の外部磁場と磁
場印加前後の再生出力の比を示す別のグラフである。
場印加前後の再生出力の比を示す別のグラフである。
【図５４】実施例３の垂直磁気記録媒体の外部磁場印加
後の経過時間と一定時間経過前後の再生出力の比を示す
グラフである。
後の経過時間と一定時間経過前後の再生出力の比を示す
グラフである。
１０ 垂直磁気記録媒体 １２ 基板 １６ ＦｅＳｉＡｌ軟磁性膜 １８ Ｃｏ78Ｃｒ19Ｔａ3垂直磁化膜 ２０ 垂直磁気記録媒体 ２２ 基板 ２４ 磁壁構造をもたない軟磁性膜 ２８ 垂直磁化膜 ５０ 垂直磁気記録媒体 ５２ 軟磁性裏打ち層 ５４ 垂直磁化膜 ５６ 基板
Claims (9)
- 【請求項１】 基板と、基板上に設けられた軟磁性膜
と、軟磁性膜上に設けられた垂直磁化膜とを少なくとも
有する垂直磁気記録媒体において、 軟磁性膜が、非磁壁構造として形成され、その保磁力が
３００Ｏｅ以下であることを特徴とする垂直磁気記録媒
体。 - 【請求項２】 軟磁性膜が、ＦｅＳｉＡｌ又はＦｅＳｉ
Ａｌ系合金で形成されていることを特徴とする請求項１
に記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項３】 軟磁性膜が、ＦｅＴａＮ又はＦｅＴａＮ
系合金で形成されていることを特徴とする請求項１に記
載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項４】 軟磁性膜が、グラニュラ−薄膜として形
成されていることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁
気記録媒体。 - 【請求項５】 ＳｉＯ2 、又はＣをグラニュラ−薄膜の
母材とし、Ｃｏ、ＣｏＰｔ及びＣｏＣｒＰｔのいずれか
を母材中に分散させる粒子の材料とし、かつ母材を列、
及び母在中に分散させる粒子の材料を行として構成した
行列の行列要素のいずれかにより、グラニュラ−薄膜が
形成されていることを特徴とする請求項４に記載の垂直
磁気記録媒体。 - 【請求項６】 膜厚１００ｎｍ以下の接合層が、軟磁性
膜と垂直磁化膜の間に介在していることを特徴とする請
求項１から５のうちのいずれか１項に記載の垂直磁気記
録媒体。 - 【請求項７】 接合層がＣｏ1-X Ｃｒx （０．２５≦ｘ
≦０．６０）、Ｔｉ及びＣｒＴｉのいずれかで形成され
ていることを特徴とする請求項６に記載の垂直磁気記録
媒体。 - 【請求項８】 膜厚５００ｎｍ以下のＣｒ膜、Ｖ膜、及
びＣｕ膜のいずれかが、グラニュラ−薄膜と基板の間に
介在することを特徴とする請求項４から７のうちのいず
れか１項に記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項９】 グラニュラ−薄膜が非磁壁構造であるこ
とを特徴とする請求項４から８のうちのいずれか１項に
記載の垂直磁気記録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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