JPH06103553A - 垂直磁気記録媒体とその製造方法 - Google Patents
垂直磁気記録媒体とその製造方法Info
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- JPH06103553A JPH06103553A JP24974792A JP24974792A JPH06103553A JP H06103553 A JPH06103553 A JP H06103553A JP 24974792 A JP24974792 A JP 24974792A JP 24974792 A JP24974792 A JP 24974792A JP H06103553 A JPH06103553 A JP H06103553A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は磁気ディスク装置等に用いられる垂
直磁気記録媒体とその製造方法に関し、非磁性基板と垂
直記録層との間に設ける軟磁性裏打ち層の透磁率を高め
ると共に、外部からの浮遊磁界による軟磁性裏打ち層中
の磁壁の移動を抑制して、再生出力の変動及び垂直記録
層の情報磁化の減磁や消磁の発生を防止することを目的
とする。 【構成】 非磁性基板21上に、軟磁性裏打ち層と垂直記
録層24とを積層してなる磁気記録媒体において、前記軟
磁性裏打ち層を、基板側より磁気スピンの方向を一定方
向に揃えた反強磁性体膜22と軟磁性膜23とを交互に少な
くとも２層膜以上積層した構成とする。
直磁気記録媒体とその製造方法に関し、非磁性基板と垂
直記録層との間に設ける軟磁性裏打ち層の透磁率を高め
ると共に、外部からの浮遊磁界による軟磁性裏打ち層中
の磁壁の移動を抑制して、再生出力の変動及び垂直記録
層の情報磁化の減磁や消磁の発生を防止することを目的
とする。 【構成】 非磁性基板21上に、軟磁性裏打ち層と垂直記
録層24とを積層してなる磁気記録媒体において、前記軟
磁性裏打ち層を、基板側より磁気スピンの方向を一定方
向に揃えた反強磁性体膜22と軟磁性膜23とを交互に少な
くとも２層膜以上積層した構成とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は垂直磁気記録方式の磁気
ディスク装置に用いて好適な垂直磁気記録媒体に係り、
特に記録再生効率が高く、優れた記録再生特性を有する
垂直磁気記録媒体とその製造方法に関するものである。
ディスク装置に用いて好適な垂直磁気記録媒体に係り、
特に記録再生効率が高く、優れた記録再生特性を有する
垂直磁気記録媒体とその製造方法に関するものである。
【０００２】磁気ディスク装置における情報記録として
は、一般に記録媒体を水平方向に磁化する水平磁気記録
方式が広く用いられているが、この方式では記録層に対
して水平方向に磁化された微小な磁石が隣接する磁石と
反発し合って、互いに磁化を弱め合ってしまう現象があ
る。このような現象は情報を高密度に記録するほど顕著
に現れ、情報の高密度記録に対して限界が生じてくる。
は、一般に記録媒体を水平方向に磁化する水平磁気記録
方式が広く用いられているが、この方式では記録層に対
して水平方向に磁化された微小な磁石が隣接する磁石と
反発し合って、互いに磁化を弱め合ってしまう現象があ
る。このような現象は情報を高密度に記録するほど顕著
に現れ、情報の高密度記録に対して限界が生じてくる。
【０００３】そこでそのような限界を乗り越えるものと
して垂直磁気記録方式が提案され、これを実現する記録
媒体の一つとして、例えば高透磁率な軟磁性裏打ち層上
に膜面に対して垂直方向に磁化して情報記録を行う垂直
記録層を積層した二層膜構造の垂直磁気記録媒体が提案
されている。
して垂直磁気記録方式が提案され、これを実現する記録
媒体の一つとして、例えば高透磁率な軟磁性裏打ち層上
に膜面に対して垂直方向に磁化して情報記録を行う垂直
記録層を積層した二層膜構造の垂直磁気記録媒体が提案
されている。
【０００４】このような垂直磁気記録媒体での高透磁率
な軟磁性裏打ち層は、垂直記録層を垂直に磁化した垂直
磁気ヘッドからの記録磁界を水平方向に通して該垂直磁
気ヘッド側へ還流させる前記垂直磁気ヘッドの機能の一
部を担っており、記録磁界の強度を高めて記録・再生効
率を向上させる役目を果たしていることから、より高透
磁率なものが必要とされる。
な軟磁性裏打ち層は、垂直記録層を垂直に磁化した垂直
磁気ヘッドからの記録磁界を水平方向に通して該垂直磁
気ヘッド側へ還流させる前記垂直磁気ヘッドの機能の一
部を担っており、記録磁界の強度を高めて記録・再生効
率を向上させる役目を果たしていることから、より高透
磁率なものが必要とされる。
【０００５】
【従来の技術】従来の二層膜構造の垂直磁気記録媒体
は、図３の要部断面図に示すようにNiＰ表面処理を施し
たアルミニウム等からなる非磁性基板11上にスパッタ
法、或いはめっき法等により、例えば１μｍの膜厚のNi
Feからなる高透磁率な軟磁性裏打ち層12と、0.13μｍの
膜厚のCoCr等からなる垂直記録層13を積層形成し、必要
に応じてその垂直記録層13上に潤滑保護膜を設けた構成
からなっている。
は、図３の要部断面図に示すようにNiＰ表面処理を施し
たアルミニウム等からなる非磁性基板11上にスパッタ
法、或いはめっき法等により、例えば１μｍの膜厚のNi
Feからなる高透磁率な軟磁性裏打ち層12と、0.13μｍの
膜厚のCoCr等からなる垂直記録層13を積層形成し、必要
に応じてその垂直記録層13上に潤滑保護膜を設けた構成
からなっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記非磁性
基板11上にNiFeからなる軟磁性裏打ち層12とCoCr等から
なる垂直記録層13とをスパッタ法により形成する場合、
同一スパッタ装置を用いて連続スパッタリングが可能と
なる利点はあるが、従来のスパッタ法により形成された
NiFeからなる軟磁性裏打ち層12の透磁率は、薄膜磁気ヘ
ッドの磁極に用いられるNiFe膜の透磁率の数十分の一
と、高々 100程度であり、そのようなNiFeからなる軟磁
性裏打ち層をめっき法によりめっき液中で陰極板と対向
させた非磁性基板を回転させて該非磁性基板面に成膜す
ることにより、その成膜された軟磁性裏打ち層の透磁率
は数百程度に改善される。
基板11上にNiFeからなる軟磁性裏打ち層12とCoCr等から
なる垂直記録層13とをスパッタ法により形成する場合、
同一スパッタ装置を用いて連続スパッタリングが可能と
なる利点はあるが、従来のスパッタ法により形成された
NiFeからなる軟磁性裏打ち層12の透磁率は、薄膜磁気ヘ
ッドの磁極に用いられるNiFe膜の透磁率の数十分の一
と、高々 100程度であり、そのようなNiFeからなる軟磁
性裏打ち層をめっき法によりめっき液中で陰極板と対向
させた非磁性基板を回転させて該非磁性基板面に成膜す
ることにより、その成膜された軟磁性裏打ち層の透磁率
は数百程度に改善される。
【０００７】しかし、そのめっき法によって形成された
NiFeからなる軟磁性裏打ち層の磁気異方性は等方的であ
るため、その透磁率を高めるための改善がなお不十分で
あった。
NiFeからなる軟磁性裏打ち層の磁気異方性は等方的であ
るため、その透磁率を高めるための改善がなお不十分で
あった。
【０００８】そこで、前記非磁性基板11の表面に予め磁
化容易軸と同方向に、即ち、該非磁性基板11の中心から
半径方向へ放射状に微細なすじ溝を形成し、その基板表
面にめっき法によりNiFeからなる軟磁性裏打ち層を形成
することにより、該軟磁性裏打ち層の面内に一軸磁気異
方性が付与されて透磁率が2000程度に改善される。
化容易軸と同方向に、即ち、該非磁性基板11の中心から
半径方向へ放射状に微細なすじ溝を形成し、その基板表
面にめっき法によりNiFeからなる軟磁性裏打ち層を形成
することにより、該軟磁性裏打ち層の面内に一軸磁気異
方性が付与されて透磁率が2000程度に改善される。
【０００９】しかしながら、基板表面に放射状に微細な
すじ溝を形成する方法では、その微細なすじ溝が再生時
にノイズの発生源になったり、垂直磁気ヘッドの低浮上
化においてヘッドタッチの頻度を増加させてヘッドクラ
ッシュの発生確率を高めるといった問題があった。
すじ溝を形成する方法では、その微細なすじ溝が再生時
にノイズの発生源になったり、垂直磁気ヘッドの低浮上
化においてヘッドタッチの頻度を増加させてヘッドクラ
ッシュの発生確率を高めるといった問題があった。
【００１０】また、このように高透磁率な軟磁性裏打ち
層を備えた垂直磁気記録媒体は優れた記録再生特性を有
するが、垂直磁気ヘッドと組み合わせたその周囲に浮遊
磁界が存在すると、その浮遊磁界により前記軟磁性裏打
ち層中の磁壁が移動して再生出力が変動し、エラーが発
生する問題や、そのような磁壁の移動が垂直磁気ヘッド
の主磁極と対応する領域で発生すると、垂直記録層での
記録磁化の減磁、或いは消磁を起こすという重大な欠点
があった。
層を備えた垂直磁気記録媒体は優れた記録再生特性を有
するが、垂直磁気ヘッドと組み合わせたその周囲に浮遊
磁界が存在すると、その浮遊磁界により前記軟磁性裏打
ち層中の磁壁が移動して再生出力が変動し、エラーが発
生する問題や、そのような磁壁の移動が垂直磁気ヘッド
の主磁極と対応する領域で発生すると、垂直記録層での
記録磁化の減磁、或いは消磁を起こすという重大な欠点
があった。
【００１１】本発明は上記した従来の問題点に鑑み、非
磁性基板と垂直記録層との間に設ける軟磁性裏打ち層の
透磁率を高めると共に、外部からの浮遊磁界による軟磁
性裏打ち層中の磁壁の移動を抑制して、再生出力の変動
及び垂直記録層の情報磁化の減磁や消磁の発生を防止す
る新規な垂直磁気記録媒体とその製造方法を提供するこ
とを目的とするものである。
磁性基板と垂直記録層との間に設ける軟磁性裏打ち層の
透磁率を高めると共に、外部からの浮遊磁界による軟磁
性裏打ち層中の磁壁の移動を抑制して、再生出力の変動
及び垂直記録層の情報磁化の減磁や消磁の発生を防止す
る新規な垂直磁気記録媒体とその製造方法を提供するこ
とを目的とするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、非磁性基板上に、軟磁性裏打ち層と垂直
記録層とを積層してなる磁気記録媒体において、前記軟
磁性裏打ち層を、基板側より磁気スピンの方向を一定方
向に揃えた反強磁性体膜と軟磁性膜とを交互に少なくと
も２層膜以上積層した構成とする。
達成するため、非磁性基板上に、軟磁性裏打ち層と垂直
記録層とを積層してなる磁気記録媒体において、前記軟
磁性裏打ち層を、基板側より磁気スピンの方向を一定方
向に揃えた反強磁性体膜と軟磁性膜とを交互に少なくと
も２層膜以上積層した構成とする。
【００１３】また、前記反強磁性体膜の磁気スピンの方
向を非磁性基板の半径方向、若しくは円周方向とした構
成とする。更に、非磁性基板上に該非磁性基板の半径方
向、若しくは円周方向に磁場を印加した状態で成膜した
反強磁性体膜と軟磁性膜とをこの順に、交互に少なくと
も２層膜以上積層形成し、その積層した反強磁性体膜の
磁気スピンの方向を前記半径方向、若しくは円周方向に
揃えた後、その最上部の軟磁性膜上に垂直記録層を形成
するように構成する。
向を非磁性基板の半径方向、若しくは円周方向とした構
成とする。更に、非磁性基板上に該非磁性基板の半径方
向、若しくは円周方向に磁場を印加した状態で成膜した
反強磁性体膜と軟磁性膜とをこの順に、交互に少なくと
も２層膜以上積層形成し、その積層した反強磁性体膜の
磁気スピンの方向を前記半径方向、若しくは円周方向に
揃えた後、その最上部の軟磁性膜上に垂直記録層を形成
するように構成する。
【００１４】更に、非磁性基板上に反強磁性体膜と軟磁
性膜とをこの順に、交互に少なくとも２層膜以上積層形
成した後、該積層した反強磁性体膜に該非磁性基板の半
径方向、若しくは円周方向に磁場を印加して該反強磁性
体膜の磁気スピンの方向を前記半径方向、若しくは円周
方向に揃え、その後、最上部の軟磁性膜上に垂直記録層
を形成するように構成する。
性膜とをこの順に、交互に少なくとも２層膜以上積層形
成した後、該積層した反強磁性体膜に該非磁性基板の半
径方向、若しくは円周方向に磁場を印加して該反強磁性
体膜の磁気スピンの方向を前記半径方向、若しくは円周
方向に揃え、その後、最上部の軟磁性膜上に垂直記録層
を形成するように構成する。
【００１５】
【作用】本発明では非磁性基板上に、該非磁性基板の半
径方向、若しくは円周方向に磁場を印加して磁気スピン
の方向を前記半径方向、若しくは円周方向に揃えた状態
に成膜した反強磁性体膜と軟磁性膜とをこの順に、交互
に少なくとも２層膜以上積層してなる軟磁性裏打ち層上
に垂直記録層を設けた構成とすることにより、各軟磁性
膜の磁気異方性が上下に配設された各反強磁性体膜との
磁気的な交換相互作用によって、該反強磁性体膜の磁気
スピンの方向と同方向に誘導付与されてその付与方向と
交叉する円周方向、若しくは半径方向の透磁率が著しく
高められ、記録・再生特性が向上する。
径方向、若しくは円周方向に磁場を印加して磁気スピン
の方向を前記半径方向、若しくは円周方向に揃えた状態
に成膜した反強磁性体膜と軟磁性膜とをこの順に、交互
に少なくとも２層膜以上積層してなる軟磁性裏打ち層上
に垂直記録層を設けた構成とすることにより、各軟磁性
膜の磁気異方性が上下に配設された各反強磁性体膜との
磁気的な交換相互作用によって、該反強磁性体膜の磁気
スピンの方向と同方向に誘導付与されてその付与方向と
交叉する円周方向、若しくは半径方向の透磁率が著しく
高められ、記録・再生特性が向上する。
【００１６】また、前記軟磁性裏打ち層の反強磁性体膜
と軟磁性膜との積層構成により、各軟磁性膜の磁壁が上
下に配設された各反強磁性体膜の磁気スピンによって係
止される関係となり、外部からの浮遊磁界による軟磁性
膜中の磁壁の移動が抑制される。その結果、再生出力の
変動及び垂直記録層の情報磁化の減磁や消磁の発生等を
防止することができる。
と軟磁性膜との積層構成により、各軟磁性膜の磁壁が上
下に配設された各反強磁性体膜の磁気スピンによって係
止される関係となり、外部からの浮遊磁界による軟磁性
膜中の磁壁の移動が抑制される。その結果、再生出力の
変動及び垂直記録層の情報磁化の減磁や消磁の発生等を
防止することができる。
【００１７】なお、非磁性基板上に反強磁性体膜と軟磁
性膜とをこの順に、交互に少なくとも２層膜以上積層形
成した後、該積層した反強磁性体膜に該非磁性基板の半
径方向、若しくは円周方向に磁場を印加して該反強磁性
体膜の磁気スピンの方向を前記半径方向、若しくは円周
方向に揃え、その後、最上部の軟磁性膜上に垂直記録層
を設けた構成とすることによっても、上記したと同様に
各軟磁性膜の磁気異方性が反強磁性体膜の磁気スピンの
方向と同方向に誘導付与されてその付与方向と交叉する
円周方向、若しくは半径方向の透磁率が著しく高めら
れ、記録・再生特性が向上する。
性膜とをこの順に、交互に少なくとも２層膜以上積層形
成した後、該積層した反強磁性体膜に該非磁性基板の半
径方向、若しくは円周方向に磁場を印加して該反強磁性
体膜の磁気スピンの方向を前記半径方向、若しくは円周
方向に揃え、その後、最上部の軟磁性膜上に垂直記録層
を設けた構成とすることによっても、上記したと同様に
各軟磁性膜の磁気異方性が反強磁性体膜の磁気スピンの
方向と同方向に誘導付与されてその付与方向と交叉する
円周方向、若しくは半径方向の透磁率が著しく高めら
れ、記録・再生特性が向上する。
【００１８】また、各軟磁性膜の磁壁が上下に配設され
た各反強磁性体膜の磁気スピンによって係止されて外部
からの浮遊磁界による軟磁性膜中の磁壁の移動が抑制さ
れ、その結果、再生出力の変動及び垂直記録層の情報磁
化の減磁や消磁の発生等を防止することができる。
た各反強磁性体膜の磁気スピンによって係止されて外部
からの浮遊磁界による軟磁性膜中の磁壁の移動が抑制さ
れ、その結果、再生出力の変動及び垂直記録層の情報磁
化の減磁や消磁の発生等を防止することができる。
【００１９】
【実施例】以下図面を用いて本発明の実施例について詳
細に説明する。図１は本発明に係る垂直磁気記録媒体と
その製造方法の一実施例を示す要部断面図である。
細に説明する。図１は本発明に係る垂直磁気記録媒体と
その製造方法の一実施例を示す要部断面図である。
【００２０】図において、21は例えば中心に支持孔が設
けられ、NiＰめっき表面処理を施したアルミニウム円板
等からなる非磁性基板であり、その非磁性基板21を、図
示しないスパッタ装置内に図２(a) の概略斜視図で示す
ようなヨーク33によって磁気的に結合された円環状マグ
ネット31及び中心の円柱状マグネット32と組合わせたFe
Mnからなるターゲット34上に対向配置し、該非磁性基板
21の半径方向に例えば300 Gauss程度の磁場を印加した
状態で、そのFeMnからなるターゲット34と非磁性基板21
間に供給する電力パワー密度を 5.5Ｗ／ｃｍ2 、スパッ
タガス圧を５mTorr ，基板温度を 230℃のスパッタ条件
によるスパッタ法により前記非磁性基板21上に0.005 μ
ｍの膜厚のFeMnからなる反強磁性体膜22を形成し、その
非磁性基板21を図示しないスパッタ装置内のNiFeからな
るターゲット上に移動配置して上記したと同様なスパッ
タ条件によるスパッタ法により前記反強磁性体膜22上に
0.05μｍの膜厚のNiFeからなる軟磁性膜23を形成し、こ
れら反強磁性体膜22と軟磁性膜23とを例えば各10層づつ
それぞれ交互に積層して軟磁性裏打ち層を形成する。
けられ、NiＰめっき表面処理を施したアルミニウム円板
等からなる非磁性基板であり、その非磁性基板21を、図
示しないスパッタ装置内に図２(a) の概略斜視図で示す
ようなヨーク33によって磁気的に結合された円環状マグ
ネット31及び中心の円柱状マグネット32と組合わせたFe
Mnからなるターゲット34上に対向配置し、該非磁性基板
21の半径方向に例えば300 Gauss程度の磁場を印加した
状態で、そのFeMnからなるターゲット34と非磁性基板21
間に供給する電力パワー密度を 5.5Ｗ／ｃｍ2 、スパッ
タガス圧を５mTorr ，基板温度を 230℃のスパッタ条件
によるスパッタ法により前記非磁性基板21上に0.005 μ
ｍの膜厚のFeMnからなる反強磁性体膜22を形成し、その
非磁性基板21を図示しないスパッタ装置内のNiFeからな
るターゲット上に移動配置して上記したと同様なスパッ
タ条件によるスパッタ法により前記反強磁性体膜22上に
0.05μｍの膜厚のNiFeからなる軟磁性膜23を形成し、こ
れら反強磁性体膜22と軟磁性膜23とを例えば各10層づつ
それぞれ交互に積層して軟磁性裏打ち層を形成する。
【００２１】次に、この軟磁性裏打ち層の最上膜である
軟磁性膜23上に、CoCrターゲットと非磁性基板21間に供
給する電力パワー密度を 5.5Ｗ／ｃｍ2 、スパッタガス
圧を５mTorr ，基板温度を 180℃のスパッタ条件による
スパッタ法により0.15μｍの膜厚のCoCrからなる垂直記
録層24を形成した構成とする。
軟磁性膜23上に、CoCrターゲットと非磁性基板21間に供
給する電力パワー密度を 5.5Ｗ／ｃｍ2 、スパッタガス
圧を５mTorr ，基板温度を 180℃のスパッタ条件による
スパッタ法により0.15μｍの膜厚のCoCrからなる垂直記
録層24を形成した構成とする。
【００２２】このような第１実施例の媒体構造とするこ
とにより、前記軟磁性裏打ち層を構成する各軟磁性膜23
の磁気異方性が上下に配設された各反強磁性体膜22との
磁気的な交換相互作用によって、該反強磁性体膜22の磁
気スピンの方向と同方向に誘導付与されてその付与方向
と交叉する円周方向の透磁率が、該軟磁性裏打ち層の全
体で2000以上の値に著しく高められ、記録・再生特性が
向上する。
とにより、前記軟磁性裏打ち層を構成する各軟磁性膜23
の磁気異方性が上下に配設された各反強磁性体膜22との
磁気的な交換相互作用によって、該反強磁性体膜22の磁
気スピンの方向と同方向に誘導付与されてその付与方向
と交叉する円周方向の透磁率が、該軟磁性裏打ち層の全
体で2000以上の値に著しく高められ、記録・再生特性が
向上する。
【００２３】また、当該垂直磁気記録媒体と単磁極型の
垂直磁気ヘッドとを組み合わせたその周囲に浮遊磁界が
存在しても、各軟磁性膜23の磁壁が上下に配設された各
反強磁性体膜22の磁気スピンによって係止されるので、
外部からの浮遊磁界による軟磁性膜23中の磁壁の移動が
抑制される。
垂直磁気ヘッドとを組み合わせたその周囲に浮遊磁界が
存在しても、各軟磁性膜23の磁壁が上下に配設された各
反強磁性体膜22の磁気スピンによって係止されるので、
外部からの浮遊磁界による軟磁性膜23中の磁壁の移動が
抑制される。
【００２４】従って、再生出力の変動及び垂直記録層24
の情報磁化の減磁や消磁の発生等を防止することがで
き、更には記録再生効率が向上する。なお、前記FeMnか
らなる各反強磁性体膜22の磁気スピンの方向を非磁性基
板21の半径方向に揃える方法としては、該非磁性基板21
の半径方向に磁場を印加した状態で各反強磁性体膜22を
成膜する方法の他に、成膜後の各反強磁性体膜22に非磁
性基板21の半径方向に磁場を印加する方法を用いてもよ
く、この場合、各反強磁性体膜22が形成された非磁性基
板21を図２(a) に示すターゲット34の位置に配置して磁
場を印加すればよい。
の情報磁化の減磁や消磁の発生等を防止することがで
き、更には記録再生効率が向上する。なお、前記FeMnか
らなる各反強磁性体膜22の磁気スピンの方向を非磁性基
板21の半径方向に揃える方法としては、該非磁性基板21
の半径方向に磁場を印加した状態で各反強磁性体膜22を
成膜する方法の他に、成膜後の各反強磁性体膜22に非磁
性基板21の半径方向に磁場を印加する方法を用いてもよ
く、この場合、各反強磁性体膜22が形成された非磁性基
板21を図２(a) に示すターゲット34の位置に配置して磁
場を印加すればよい。
【００２５】また、前記FeMnからなる各反強磁性体膜22
の磁気スピンを揃える方向も非磁性基板21の半径方向に
限定されるものではなく、必要に応じて図２(b) に示す
ように該非磁性基板21の半径に略等しい長さで、かつヨ
ーク43より磁気的に結合された２つのマグネット41, 42
に前記非磁性基板21を所定間隔で対向配置し、回転させ
て磁場を印加した状態でスパッタ法により各反強磁性体
膜22と各軟磁性膜23とを交互に複数層、積層形成する、
或いは各反強磁性体膜22と各軟磁性膜23とを交互に複数
層、積層形成した非磁性基板21を前記２つのマグネット
41, 42上に所定間隔で対向配置し、回転させて磁場を印
加することにより、前記各反強磁性体膜22の磁気スピン
の方向を該非磁性基板21の円周方向に揃えることが可能
となり、この場合にも非磁性基板21の半径方向の透磁率
を2000以上の値に著しく高めることができる。
の磁気スピンを揃える方向も非磁性基板21の半径方向に
限定されるものではなく、必要に応じて図２(b) に示す
ように該非磁性基板21の半径に略等しい長さで、かつヨ
ーク43より磁気的に結合された２つのマグネット41, 42
に前記非磁性基板21を所定間隔で対向配置し、回転させ
て磁場を印加した状態でスパッタ法により各反強磁性体
膜22と各軟磁性膜23とを交互に複数層、積層形成する、
或いは各反強磁性体膜22と各軟磁性膜23とを交互に複数
層、積層形成した非磁性基板21を前記２つのマグネット
41, 42上に所定間隔で対向配置し、回転させて磁場を印
加することにより、前記各反強磁性体膜22の磁気スピン
の方向を該非磁性基板21の円周方向に揃えることが可能
となり、この場合にも非磁性基板21の半径方向の透磁率
を2000以上の値に著しく高めることができる。
【００２６】このとき、各反強磁性体膜22と交互に積層
された軟磁性膜23は共に非磁性基板21の半径方向に磁場
が印加されるが、その構成上何ら問題はない。更に、前
記反強磁性体膜22と軟磁性膜23の膜厚は、いずれの膜も
薄すぎると軟磁性裏打ち層としての所要の膜厚を得るた
めに多くの層数が必要となり、該軟磁性膜23が厚すぎる
と反強磁性体膜22との磁気的な交換相互作用の効果が弱
まってしまう。従って、反強磁性体膜22の膜厚を0.002
〜0.01μｍ、軟磁性膜の膜厚を0.02〜0.1 μｍとするこ
とが望ましい。
された軟磁性膜23は共に非磁性基板21の半径方向に磁場
が印加されるが、その構成上何ら問題はない。更に、前
記反強磁性体膜22と軟磁性膜23の膜厚は、いずれの膜も
薄すぎると軟磁性裏打ち層としての所要の膜厚を得るた
めに多くの層数が必要となり、該軟磁性膜23が厚すぎる
と反強磁性体膜22との磁気的な交換相互作用の効果が弱
まってしまう。従って、反強磁性体膜22の膜厚を0.002
〜0.01μｍ、軟磁性膜の膜厚を0.02〜0.1 μｍとするこ
とが望ましい。
【００２７】更に、NiFeからなる軟磁性膜23の成膜方法
としてはスパッタ法に限定されるものではなく、その他
の真空成膜法やめっき法を用いるようにしてもよく、そ
の軟磁性膜もNiFe膜以外の、例えばCo合金系の薄膜、或
いは窒化鉄系の薄膜などを適用できることはいうまでも
ない。
としてはスパッタ法に限定されるものではなく、その他
の真空成膜法やめっき法を用いるようにしてもよく、そ
の軟磁性膜もNiFe膜以外の、例えばCo合金系の薄膜、或
いは窒化鉄系の薄膜などを適用できることはいうまでも
ない。
【００２８】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係る垂直磁気記録媒体とその製造方法によれば、非磁
性基板上に軟磁性裏打ち層として、磁気スピンの方向を
該非磁性基板の半径方向、若しくは円周方向に揃えた反
強磁性体膜と軟磁性膜とを交互に少なくとも２層膜以上
積層した構成とすることで該軟磁性裏打ち層の透磁率が
著しく高められ、記録・再生特性が向上する。
に係る垂直磁気記録媒体とその製造方法によれば、非磁
性基板上に軟磁性裏打ち層として、磁気スピンの方向を
該非磁性基板の半径方向、若しくは円周方向に揃えた反
強磁性体膜と軟磁性膜とを交互に少なくとも２層膜以上
積層した構成とすることで該軟磁性裏打ち層の透磁率が
著しく高められ、記録・再生特性が向上する。
【００２９】また、各軟磁性膜の磁壁が上下に配設され
た各反強磁性体膜の磁気スピンによって係止され、外部
からの浮遊磁界による軟磁性膜中の磁壁の移動が容易に
抑止されるので、再生出力の変動や垂直記録層の情報磁
化の減磁や消磁の発生等を防止することができる等、実
用上優れた効果を奏し、再生出力信号の信頼性の高い垂
直磁気記録媒体を容易に得ることができる利点を有す
る。
た各反強磁性体膜の磁気スピンによって係止され、外部
からの浮遊磁界による軟磁性膜中の磁壁の移動が容易に
抑止されるので、再生出力の変動や垂直記録層の情報磁
化の減磁や消磁の発生等を防止することができる等、実
用上優れた効果を奏し、再生出力信号の信頼性の高い垂
直磁気記録媒体を容易に得ることができる利点を有す
る。
【図１】 本発明の垂直磁気記録媒体とその製造方法の
一実施例を説明するための要部断面図である。
一実施例を説明するための要部断面図である。
【図２】 本発明の垂直磁気記録媒体の製造方法を説明
するための概略斜視図である。
するための概略斜視図である。
【図３】 従来の垂直磁気記録媒体を説明するための要
部断面図である。
部断面図である。
２１ 非磁性基板 ２２ 反強磁性体膜 ２３ 軟磁性膜 ２４ 垂直記録層 ３１ 円環状マグネット ３２ 円柱状マグネット ３３，４３ ヨーク ３４ ターゲット ４１，４２ マグネット
Claims (4)
- 【請求項１】 非磁性基板(21)上に、軟磁性裏打ち層と
垂直記録層(24)とを積層してなる磁気記録媒体におい
て、 前記軟磁性裏打ち層を、基板側より磁気スピンの方向を
一定方向に揃えた反強磁性体膜(22)と軟磁性膜(23)とを
交互に少なくとも２層膜以上積層してなることを特徴と
する垂直磁気記録媒体。 - 【請求項２】 前記反強磁性体膜(22)の磁気スピンの方
向が非磁性基板(21)の半径方向、若しくは円周方向であ
ることを特徴とする請求項１の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項３】 非磁性基板(21)上に該非磁性基板(21)の
半径方向、若しくは円周方向に磁場を印加した状態で成
膜した反強磁性体膜(22)と軟磁性膜(23)とをこの順に、
交互に少なくとも２層膜以上積層形成して該積層した反
強磁性体膜(22)の磁気スピンの方向を前記半径方向、若
しくは円周方向に揃えた後、その最上部の軟磁性膜(23)
上に垂直記録層(24)を形成することを特徴とする垂直磁
気記録媒体の製造方法。 - 【請求項４】 非磁性基板(21)上に反強磁性体膜(22)と
軟磁性膜(23)とをこの順に、交互に少なくとも２層膜以
上積層形成した後、該積層した反強磁性体膜(22)に該非
磁性基板(21)の半径方向、若しくは円周方向に磁場を印
加して該反強磁性体膜(22)の磁気スピンの方向を前記半
径方向、若しくは円周方向に揃え、その後、最上部の軟
磁性膜(23)上に垂直記録層(24)を形成することを特徴と
する垂直磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24974792A JPH06103553A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 垂直磁気記録媒体とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24974792A JPH06103553A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 垂直磁気記録媒体とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06103553A true JPH06103553A (ja) | 1994-04-15 |
Family
ID=17197619
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24974792A Withdrawn JPH06103553A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 垂直磁気記録媒体とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06103553A (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6270885B1 (en) | 1997-11-17 | 2001-08-07 | Nec Corporation | Perpendicular magnetic recording medium |
| US6723457B2 (en) | 2001-05-14 | 2004-04-20 | Hitachi, Ltd. | Perpendicular magnetic recording media, manufacturing process of the same, and magnetic storage apparatus using the same |
| WO2004077413A1 (ja) * | 2003-02-19 | 2004-09-10 | Neomax Co., Ltd. | 磁場中熱処理装置 |
| US6808824B2 (en) | 2001-11-27 | 2004-10-26 | Hitachi, Ltd. | Perpendicular magnetic recording media |
| SG111123A1 (en) * | 2002-08-13 | 2005-05-30 | Fuji Electric Co Ltd | Perpendicular magnetic recording medium |
| US7106539B2 (en) | 2004-06-30 | 2006-09-12 | Showa Denko K.K. | Perpendicular magnetic recording apparatus |
| US7153596B2 (en) | 2003-05-20 | 2006-12-26 | Hitachi, Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium, manufacturing process of the same, and magnetic storage apparatus using the same |
| CN100373458C (zh) * | 2000-03-27 | 2008-03-05 | 日立环球储存科技荷兰有限公司 | 磁记录介质 |
| US7666530B2 (en) | 2004-10-15 | 2010-02-23 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Perpendicular magnetic recording medium, and magnetic recording/reproducing apparatus using the same |
| US7781080B2 (en) | 2006-09-13 | 2010-08-24 | Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium |
| US7875371B2 (en) | 2004-04-15 | 2011-01-25 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Perpendicular magnetic recording medium, manufacturing process of the same, and magnetic recording/reproducing apparatus using the same |
| US7879466B2 (en) | 2005-03-30 | 2011-02-01 | Tohoku University | Perpendicular magnetic recording medium, and perpendicular magnetic recording and reproducing apparatus |
| US7943248B2 (en) | 2005-02-01 | 2011-05-17 | Tohoku University | Perpendicular magnetic recording media, production process thereof, and perpendicular magnetic recording and reproducing apparatus |
| US8802247B2 (en) | 2005-10-17 | 2014-08-12 | HGST Netherlands B.V. | Perpendicular magnetic recording medium with high medium S/N |
| US8982510B2 (en) | 2007-11-05 | 2015-03-17 | HGST Netherlands B.V. | Perpendicular magnetic recording disk having a permeability gradient |
-
1992
- 1992-09-18 JP JP24974792A patent/JPH06103553A/ja not_active Withdrawn
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6270885B1 (en) | 1997-11-17 | 2001-08-07 | Nec Corporation | Perpendicular magnetic recording medium |
| CN100373458C (zh) * | 2000-03-27 | 2008-03-05 | 日立环球储存科技荷兰有限公司 | 磁记录介质 |
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| US7316852B2 (en) | 2001-11-27 | 2008-01-08 | Hitachi Global Storage Technologies Japan, Ltd. | Perpendicular magnetic recording media |
| US6808824B2 (en) | 2001-11-27 | 2004-10-26 | Hitachi, Ltd. | Perpendicular magnetic recording media |
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| US7875371B2 (en) | 2004-04-15 | 2011-01-25 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Perpendicular magnetic recording medium, manufacturing process of the same, and magnetic recording/reproducing apparatus using the same |
| US7106539B2 (en) | 2004-06-30 | 2006-09-12 | Showa Denko K.K. | Perpendicular magnetic recording apparatus |
| US7666530B2 (en) | 2004-10-15 | 2010-02-23 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Perpendicular magnetic recording medium, and magnetic recording/reproducing apparatus using the same |
| US7943248B2 (en) | 2005-02-01 | 2011-05-17 | Tohoku University | Perpendicular magnetic recording media, production process thereof, and perpendicular magnetic recording and reproducing apparatus |
| US7879466B2 (en) | 2005-03-30 | 2011-02-01 | Tohoku University | Perpendicular magnetic recording medium, and perpendicular magnetic recording and reproducing apparatus |
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| US7781080B2 (en) | 2006-09-13 | 2010-08-24 | Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium |
| US8982510B2 (en) | 2007-11-05 | 2015-03-17 | HGST Netherlands B.V. | Perpendicular magnetic recording disk having a permeability gradient |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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