JPH0473212B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

本発明はフロツピー・デイスク及び磁気デイス
ク装置等に使用される磁気記録体、特に垂直磁気
記録方式に適した磁気記録体及びその製造方法に
関する。 垂直磁気記録方式は、第１図及び第２図に示す
様に記録媒体面に垂直方向の磁化状態として情報
を記録するものであり、従来の面内記録方式に比
べて原理的に短波長特性が勝れ、高密度記録が可
能という点で注目されている。 この方式に用いる磁気記録体としては、基体１
上に形成した垂直方向（厚さ方向）に磁化容易軸
を持つCoCr合金、バリウムフエライトなどの磁
気記録層２（以下、垂直磁化膜）もしくは、この
垂直磁化膜２と基体との間にNiFe合金等の高透
磁率磁性層３を有する２層膜が知られている。 又、磁気ヘツドとしては、高透磁率磁性層から
成る短冊状の主磁極４と記録再生用巻線６を有し
かつ、主磁極４より十分厚い磁性体から成る補助
磁極５とを記録体９又は１０を挾んで配置したも
の、もしくは記録体９又は１０の片面側だけで記
録再生ができる様に短冊状の主磁極７に記録再生
用巻線８を施したもの等が用いられる。そしてこ
れらの磁気ヘツドを用いる場合には、先述した２
層膜を用いることによつて記録再生効率が向上す
ることが知られており、基体１と垂直磁化膜２と
の間に設けた高透磁率磁性層３の効果が注目され
ている。 これは高透磁率磁性層３が、記録体１０の構成
要素でありながら磁気ヘツドの１部分と見なすこ
とができ、それが垂直磁化膜２に近接して設けら
れた効果と考えることができる。 従つて、２層膜を用いた場合の記録再生効率は
この高透磁率磁性層３の特性によつても影響を受
けるので、媒体作製に当つて新たな問題を生じて
いる。 例えば、２層膜をフロツピーデイスクや磁気デ
イスクの様な同心円板状の基体上に形成する場合
を考えると、高透磁率磁性層はスパツタリングや
蒸着やメツキ等による成膜時に誘導磁気異方性に
よつて、通常第３図に示す様に一軸方向（ｙ軸方
向）に磁化容易軸１３を有する異方性を生じる。 その結果、円板１２上の場所によつて記録再生
効率の違いを生じる。つまり、記録位置における
高透磁率磁性層の異方性が第３図のABCに示す
様に困難軸方向の場合、その透磁率は広い周波数
領域で高いので、記録再生効率の向上も顕著であ
るが、第３図のＢやＤに示す様に容易軸方向の場
合特に高い周波数においては、透磁率が低下する
ので記録再生効率もあまり向上しなくなる。その
ため、たとえ垂直磁化膜の特性が円板１２上で、
均一であつても、第４図に示す様な円板一周にお
ける再生出力１４の変動を生じる。 この様な不都合をなくすため、通常は円板状基
体１２を回転させながら高透磁率磁性層３を成膜
することによつて磁気特性を等方的にする手法が
とられるが、この場合の磁気特性は分散的となり
がちである。従つて、その透磁率はあまり高くで
きないので、記録再生効率の向上も十分とは言え
ない。 本発明の目的は以上の様な問題点を解決し、円
板全面において記録再生効率が向上した２層膜か
ら成る磁気記録体を提供することにある。 本発明にかかる垂直磁気記録体は、円心円板状
の基体上に高透磁率磁性層、次いで膜面に垂直な
方向に磁化容易軸を有する磁性層の順に形成して
成る垂直磁気記録体において、前記高透磁率磁性
層は、磁化容易軸を前記円板の半径方向に放射状
に有することを特徴とする。 又、本発明による垂直磁気記録体の製造方法は
前記高透磁率磁性層成膜時に前記円板状基体の中
心から半径方向に放射状の直流磁界を印加するこ
とを特徴とする。 次に、本発明の実施例について図面を用いて説
明する。第５図ａ，ｂは本発明による垂直磁気記
録体の特徴を示した図であり、同心円板状基体１
５上に形成された高透磁率磁性層３の容易磁化方
向１６が、円板１５の半径方向に放射状になつて
いる。 次に、この様な高透磁率磁性層３の作製方法を
説明する。第６図はRFスパツタリングによる作
製方法を模式的に示したものである。これによれ
ば、NiFe合金から成るターゲツト１７が、ター
ゲツトホルダ１８に固定され、さらにマツチング
ボツクス２０を介して高周波電源２１に接続され
ている。一方、同心円板状基体１５を固定したも
う一方の電極２２の下で円板の中心近傍に垂直方
向に着磁した永久磁石２３が配設されている。こ
の永久磁石２３によつて第７図に示す様に前記円
板状基体１５には数十エルテツド以上の直流磁界
２４が、半径方向に放射状に印加されている。 この状態でチヤンバー１９内を10^-6Torr以下
に真空引きした後、例えば次の条件でスパツタリ
ングを行うと、誘導磁気異方性によつて円板状基
体１５上には、この円板の半径方向に放射状の磁
化容易軸を有するNiFe膜が0.5μmの厚さに成膜
される。

【表】 第８図は蒸着による作製法を示したもので、第
６図と同様、円板状基体１５の裏側で円板の中心
近傍に、垂直方向に着磁した永久磁石２３が配設
されている。この場合も円板の半径方向に放射状
の直流磁界２４が印加された状態で、NiFeの蒸
着が行われるので、同様の磁化容易軸を有する
NiFe膜が成膜される。 尚、同心円板状基体１５としては、厚さ数十ミ
クロンのポリエステル、ポリイミド、ポリアミド
もしくは厚さ数ミリメートルのガラス、アルミニ
ウム合金板の上にアルマイト皮膜を設けたもの、
もしくはアルミニウム合金板の上にNiPをメツキ
したもの等が用いられ、外径は700〜200mm内径は
10〜30mmである。 以上の様にして形成された高透磁率磁性層３の
上に、さらにCoCr合金やバリウムフエライト等
の垂直磁化膜２を数千〜数ミクロンの厚さにスパ
ツタリング、蒸着等の成膜技術もしくは塗布技術
によつて、形成することによつて本発明の垂直磁
気記録体が得られる。この記録体では円板上の全
ての記録位置において、高透磁率磁性層３の磁気
異方性が困難軸となつているので、高い透磁率が
広い周波数領域で実現されている。 従つて、第１図および第２図で示した磁気ヘツ
ドを用いた時の記録再生効率は、円板上の全ての
位置で向上しエンベローブも良好なものとなる。 以上、高透磁率磁性層３としては、0.5μm厚の
NiFe合金についてのみ述べたが、これに限定さ
れるものではなく、厚みは数千オングストローム
〜数ミクロンの範囲で良く、又NiFe系合金以外
にCoZr系アモルフアス合金等他の高透磁率磁性
材料も同様に適用できる。又、磁界発生手段とし
て基体１５の裏に永久磁石２３を配設する方法に
ついてのみ述べたが、これに限らず円心円板状基
体１５に対して半径方向に放射状の磁界を発生で
きるならば、永久磁石の位置及び形状を変えても
良い。 以上述べた様に本発明によれば、同心円板状の
全面において記録再生効率の向上した２層膜から
成る垂直磁気記録体が提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図は垂直磁気記録方式を説明する
ための図、第３図は従来例を示す図、第４図は従
来例の動作を示す図、第５図ａ，ｂは本発明の実
施例を示す図、第６〜８図は本発明の製造方法を
示す図である。 図において、１は基体、２は垂直磁化膜、３は
高透磁率磁性層、４，７は主磁極、５は補助磁
極、６，８は巻線、９は単層膜記録体、１０は２
層膜記録体、１１は磁化、１２，１５は同心円板
状基体、１３，１６は磁化容易軸方向、１４は再
生出力、１７はスパツタターゲツト、１８はター
ゲツトホルダ、１９はスパツタチヤンバ、２０は
マツチングボツクス、２１は高周波電源、２２は
基板電極、２３は永久磁石、２４は直流磁界、２
５は蒸着装置チヤンバ、２６はルツボ、２７は蒸
着源を示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 同心円板状の基体上に高透磁率磁性層、次い
   で膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する磁性層
   の順に形成されて成る垂直磁気記録体において、
   前記高透磁率磁性層は、磁化容易軸を前記円板の
   半径方向に放射状に有することを特徴とする垂直
   磁気記録体。 ２ 同心円板状基体上に高透磁率磁性層を形成し
   該磁性層上に膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有
   する磁性層を形成する垂直磁気記録体の製造方法
   において高透磁率磁性層成膜時に前記円板状基体
   の中心から半径方向に放射状の直流磁界を印加す
   ることを特徴とする垂直磁気記録体の製造方法。