JP4917200B2

JP4917200B2 - 垂直磁気記録媒体およびその製造方法

Info

Publication number: JP4917200B2
Application number: JP2000367463A
Authority: JP
Inventors: 俊司竹野入
Original assignee: Fuji Electric Co Ltd
Current assignee: Fuji Electric Co Ltd
Priority date: 2000-12-01
Filing date: 2000-12-01
Publication date: 2012-04-18
Anticipated expiration: 2020-12-01
Also published as: JP2002170216A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は各種磁気記録装置に搭載される垂直磁気記録媒体およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
磁気記録の高密度化を実現する技術として、従来の長手磁気記録方式に代えて、垂直磁気記録方式が注目されつつある。
【０００３】
垂直磁気記録媒体は、硬質磁性材料の磁気記録層と、この記録層への記録に用いられる、磁気ヘッドが発生する磁束を集中させる役割を担う軟磁性材料の裏打ち層から構成される。このような構造の垂直磁気記録媒体において問題となるノイズの一つであるスパイクノイズは、裏打ち層である軟磁性層に形成された磁壁によるものであることが知られている。磁壁形成およびノイズ発生のメカニズムは以下の通りである。
【０００４】
基体上に軟磁性層を形成すると、異方性が小さいため、軟磁性層の内外周部に、静磁エネルギーを減少させるために還流磁区（９０°磁区）が発生する。実用程度の軟磁性層の膜厚では、磁壁はブロッホ型となっており、磁壁内でスピンが膜厚方向に回転することから、磁壁上下端に垂直方向の磁極が表れることとなり、これがノイズの原因となる。そのため垂直磁気記録媒体の低ノイズ化のためには、基体内外周部における軟磁性裏打ち層の磁壁形成を阻止する必要がある。
【０００５】
この軟磁性裏打ち層の磁壁の抑制については、例えば、特開平６−１８０８３４号公報および特開平１０−２１４７１９号公報に示されている。
【０００６】
特開平６−１８０８３号公報には、軟磁性裏打ち層の上層または下層にＣｏ合金などの強磁性層を形成し、これを所望の方向に磁化させるように着磁する方法が記載されている。特開平１０−２１４７１９号公報には、反強磁性薄膜を形成し交換結合を利用して磁化をピン止めする方法が提案されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上述した従来の方法のような強磁性層または反強磁性薄膜を用いて軟磁性裏打ち層との交換結合により磁壁の制御を行う方法は、交換結合が十分に得られた場合、軟磁性裏打ち層の磁壁形成を阻止することができ、非常に効果的である。しかしながら、強磁性層を用いる場合には、所望の方向に磁化させることが実用的には困難であり、また反強磁性層を用いる場合には、十分な交換結合を得るために成膜後加熱処理が必要であるなど、いずれの方法も大量生産を行う場合には不利であった。
【０００８】
したがって、軟磁性裏打ち層に起因するスパイクノイズをより容易に抑制することができ、大量生産が可能な垂直磁気記録媒体およびその製造方法が必要とされている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記の問題を解決する手段として、軟磁性層の磁化を還流することにより、軟磁性層の外周部分および内周部分での磁壁の形成を阻止した垂直磁気記録媒体およびその製造方法を提案する。
【００１２】
本発明の第２の形態の垂直磁気記録媒体は、中心に孔を有する円盤形状の非磁性基体上に少なくとも軟磁性裏打ち層、磁気記録層、保護膜、および液体潤滑材層が順次積層された構造を有する垂直磁気記録媒体であって、前記軟磁性裏打ち層が、軟磁性下層、非磁性層、および軟磁性上層の順に積層した３層構造をしており、前記非磁性層は、前記非磁性基体の内周より大きい内周と、前記非磁性基体の外周より小さい外周とを有しており、かつ外周および内周側面に軟磁性層を形成しており、前記軟磁性上層および軟磁性下層は、磁化容易軸が半径方向に平行に配向しており、前記軟磁性上層と軟磁性下層とが、前記非磁性層の外周および内周側面に設けられた軟磁性層を介して接続している。
【００１６】
さらに、中心に孔を有する円盤形状の非磁性基体上に少なくとも軟磁性裏打ち層、磁気記録層、保護膜、および液体潤滑材層が順次積層された構造を有する、本発明の第２の形態の垂直磁気記録媒体の製造方法は、非磁性基体上に軟磁性裏打ち層を形成する工程において、非磁性基体上に軟磁性下層を形成し、同時に軟磁性下層に基体の半径方向に平行な数１０〜数１００Gaussの磁場を印加する工程と、該軟磁性下層の上に、非磁性層を設ける工程と、該軟磁性下層の上であり、かつ該非磁性層の外周および内周側面に軟磁性層を設ける工程と、該非磁性層および軟磁性層の上に軟磁性上層を形成し、同時に軟磁性上層に基体の半径方向に平行な数１０〜数１００Gaussの磁場を印加する工程とを具える軟磁性裏打ち層を形成する工程と、該軟磁性裏打ち層の上に垂直磁気記録層を形成する工程と、該垂直磁気記録層の上に保護膜を形成する工程と、該保護膜の上に液体潤滑材層を形成する工程と、を具える。
【００１７】
ここで、前述の軟磁性下層および軟磁性上層に磁場を印加する工程は、ターゲットのマグネトロンからのもれ磁場を利用することが好ましい。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明についてより詳細に記載する。
【００１９】
本発明は、垂直磁気記録媒体において、形成される軟磁性裏打ち層に起因するスパイクノイズの発生を抑制し、大量生産の可能な垂直磁気記録媒体およびその製造方法を提供するものである。
【００２０】
このような課題を解決するために、本発明では、軟磁性裏打ち層の磁化を還流させることによって、軟磁性層裏打ち層の内外周部における磁壁の形成を阻止する方法を提供する。
【００２１】
本発明では、磁化を還流させた、２つの形態の垂直磁気記録媒体を提供する。
【００２２】
本発明の第１の形態は、軟磁性裏打ち層を成膜する時に、非磁性基体の表面のみでなく、基体の内周および外周側面にも軟磁性層を形成し、側面に形成された軟磁性層を通して、基体の表から裏面へ、そして裏から表面に磁化を還流させる。
【００２３】
本発明の第２の形態は、軟磁性裏打ち層を軟磁性下層、非磁性層、および軟磁性上層の順に三層構造とする。ここで、非磁性層は、軟磁性上層および軟磁性下層の外周より小さい外周と、軟磁性上層および軟磁性下層の内周より大きい内周とを有する。そして、この非磁性層の外周および内周側面に軟磁性層を形成し、この軟磁性層を介して、軟磁性上層と軟磁性下層とが接触する構造している。このようにして、軟磁性上層および軟磁性下層の磁化は非磁性層の周囲を回転する形で還流する。
【００２４】
この第１の形態の軟磁性裏打ち層を成膜する時、および第２の形態の軟磁性上層および軟磁性下層を成膜する時には、基体面と平行の方向に数１０〜数１００Gauss程度の磁場の印加を行い、面内で軟磁性層の磁化容易軸が半径方向に配向している。
【００２５】
まず、第１の形態の垂直磁気記録媒体について図１および図２を参照しながらさらに説明する。
【００２６】
図１は、本発明における第１の形態の一例を示す垂直磁気記録媒体の断面模式図であり、図２（ａ）は、基体上に軟磁性裏打ち層を成膜したときの磁化の概念図を示しており、図２（ｂ）は、図２（ａ）の２−２′の弧に対応する扇形部分の拡大図である。図中の矢印は、磁化の方向を示している。
【００２７】
図１に示す垂直磁気記録媒体は、非磁性基体１とその内周および外周側面に軟磁性層１ａを設け、該非磁性基体１および軟磁性層１ａの両面（一面側のみ図示）上に、軟磁性裏打ち層２、垂直磁気記録層３、および保護膜４が順に形成された構造を有しており、さらにその上に液体潤滑材層５が形成されている。
【００２８】
非磁性基体１としては、通常の磁気記録媒体用に用いられるＮｉＰメッキを施したＡｌ合金、強化ガラス、または結晶化ガラスなどを用いることができる。
【００２９】
この非磁性基体１の内周および外周側面に軟磁性層１ａを設け、該非磁性基体１および軟磁性層１ａの上に軟磁性裏打ち層２を形成する。軟磁性層１ａおよび軟磁性裏打ち層２の形成方法としては、例えば、マグネトロンスパッタ法または電子ビーム蒸着法などがある。通常のスパッタを用いた成膜の際には、バッキングプレートなどターゲット以外からのスパッタを防止するためにアースシールドを施し、さらに両面成膜のため対向面のプラズマとの干渉を防止するためにシールドが施されるが、本発明における軟磁性裏打ち層を成膜する際には、シールドの穴を通常よりも大きくして、非磁性基体１の外周および内周側面にも軟磁性層１ａが形成されるようにした。
【００３０】
また、上述以外にも、非磁性基体を回転させながら約４５°までの斜め方向からスパッタすることにより、非磁性基体の表面ならびに内周および外周側面に軟磁性層１ａおよび軟磁性裏打ち層２を形成することができる。
【００３１】
また、軟磁性裏打ち層２を成膜するときに、軟磁性裏打ち層２を配向させるために基体面と平行の方向に数１０〜数１００Gaussの磁場を印加する。このときに磁場の印加には、スパッタに用いるターゲットのマグネトロンからのもれ磁場を利用することが好ましい。
【００３２】
このように形成された軟磁性裏打ち層２は、図２（ａ）に示すように、半径方向に磁化容易軸を有する。また、図２（ａ）の２−２′弧に対応する扇形部分の拡大図である図２（ｂ）に示すように、非磁性基体１の外周および内周側面の軟磁性層１ａによって軟磁性裏打ち層２は、その磁化を還流させることができる。
【００３３】
軟磁性層１ａおよび軟磁性裏打ち層２の材料としては、結晶のＮｉＦｅ合金、もしくはセンダスト（ＦｅＳｉＡｌ）合金、または非晶質のＣｏ合金であるＣｏＺｒＮｂなどを用いることができる。軟磁性裏打ち層２の膜厚は、記録に使用する磁気ヘッドの構造や特性によって最適値が変化するが、約１０ｎｍ〜約５００ｎｍが生産性との兼ね合いより望ましい。
【００３４】
次いで、軟磁性裏打ち層２の上に垂直磁気記録層３をマグネトロンスパッタ法などにより形成する。垂直磁気記録層３としては、好ましくは、少なくともＣｏおよびＣｒを含む合金の強磁性材料が用いられるが、これに限定しない。この磁性層は、その六方最密充填構造のｃ軸が膜面に対して垂直方向に配向していることが、垂直磁気記録媒体として用いられるために必要である。
【００３５】
垂直磁気記録層３の膜厚としては、特に限定されないが、２０〜３０ｎｍであることが垂直方向の異方性を維持し、かつ十分な記録磁界を得るため好ましい。
【００３６】
垂直磁気記録層３の上に保護膜４をマグネトロンスパッタ法またはプラズマＣＶＤ法などを用いて形成する。保護膜４としては、例えばカーボンを主体とする薄膜が用いられるが、これに限定しない。保護膜４の膜厚としては、特に限定されないが、３〜７ｎｍであることが媒体表面を保護し、かつ磁気的スペーシングを小さくするため好ましい。
【００３７】
次いで、保護膜４の上に液体潤滑材層５をディッピング法またはスピンコーティング法などを用いて形成する。液体潤滑剤としては、パーフルオロポリエーテル系を用いることができる。
【００３８】
このようにして、図１に示すような層構造を有する垂直磁気記録媒体を形成することができる。
【００３９】
次に、第２の形態の垂直磁気記録媒体について図３および図４を参照しながら詳細に説明する。
【００４０】
図３は、本発明における第２の形態の一例を示す垂直磁気記録媒体の断面模式図であり、図４（ａ）は、基体上に軟磁性裏打ち層を成膜したときの磁化の概念図を示しており、図４（ｂ）は、図４（ａ）の４−４′の弧に対応する扇形部分の拡大図である。図中の矢印は、磁化の方向を示している。
【００４１】
図３に示す垂直磁気記録媒体は、非磁性基体１の両面（一面側のみ図示）上に、軟磁性裏打ち層２、垂直磁気記録層３、および保護膜４が順に形成された構造を有しており、さらにその上に液体潤滑材層５が形成されている。ここで、軟磁性裏打ち層２は、軟磁性下層２ａ、非磁性層２ｂ、および軟磁性上層２ｃを順に積層した３層構造をしている。さらに、非磁性層２ｂは、軟磁性下層２ａおよび軟磁性上層２ｃの外周よりも小さな外周と、軟磁性下層２ａおよび軟磁性上層２ｃの内周よりも大きな内周を有する。そして、非磁性層２ｂは、その外周および内周側面に軟磁性層２ｄを有し、この軟磁性層２ｄを介して軟磁性下層２ａおよび軟磁性上層２ｃは接続している。
【００４２】
非磁性基体１としては、通常の磁気記録媒体用に用いられるＮｉＰメッキを施したＡｌ合金、強化ガラス、または結晶化ガラスなどを用いることができる。
【００４３】
この非磁性基体１上に、マグネトロンスパッタ法または電子ビーム蒸着法などを用いて軟磁性下層２ａを形成する。軟磁性下層２ａを成膜するときに、軟磁性下層２ａを配向させるために基体面と平行の方向に数１０〜数１００Gaussの磁場を印加する。このときに磁場の印加には、スパッタに用いるターゲットのマグネトロンからのもれ磁場を利用することが好ましい。
【００４４】
軟磁性下層２ａの膜厚は、５０〜３００ｎｍであることが好ましい。
【００４５】
次いで、該軟磁性下層２ａ上に、非磁性層２ｂをマグネトロンスパッタ法または電子ビーム蒸着法などを用いて形成する。このときに軟磁性下層２ａの外周および内周端部まで非磁性層２ｂが形成されないように、軟磁性下層２ａの外周および内周部にマスキングをする。
【００４６】
非磁性層２ｂとしては、Ｔａ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃ、またはＭｏなどが挙げられ、その膜厚は、１〜１５ｎｍが好ましい。
【００４７】
次にマスキングを取り除き、非磁性層２ｂの外周および内周側面に軟磁性層２ｄと、非磁性層２ｂおよび軟磁性層２ｄの上に軟磁性上層２ｃをマグネトロンスパッタ法または電子ビーム蒸着法を用いて形成する。
【００４８】
軟磁性上層２ｃを成膜するときに、軟磁性上層２ａを配向させるために基体面と平行の方向に数１０〜数１００Gaussの磁場を印加する。このときに磁場の印加には、スパッタに用いるターゲットのマグネトロンからのもれ磁場を利用することが好ましい。
【００４９】
軟磁性上層２ｃの膜厚は、５０〜３００ｎｍであることが好ましい。
【００５０】
このように形成された軟磁性裏打ち層２は、図４（ａ）に示すように、半径方向に磁化容易軸を有する。また、図４（ａ）の４−４′弧に対応する扇形部分の拡大図である図４（ｂ）に示すように、非磁性層２ｂと、その外周および内周側面に形成された軟磁性層２ｄによって軟磁性裏打ち層２は、その磁化を還流させることができる。
【００５１】
軟磁性下層２ａ、軟磁性層２ｄ、および軟磁性上層２ｃの材料としては、結晶のＮｉＦｅ合金、もしくはセンダスト（ＦｅＳｉＡｌ）合金、または非晶質のＣｏ合金であるＣｏＺｒＮｂなどを用いることができる。軟磁性裏打ち層２の膜厚は、記録に使用する磁気ヘッドの構造や特性によって最適値が変化するが、約１０ｎｍ〜約５００ｎｍが生産性との兼ね合いより望ましい。
【００５２】
次いで、軟磁性裏打ち層２の上に第１の形態の場合と同様にして、垂直磁気記録層３、保護膜４、および液体潤滑材層５を設ける。
【００５３】
このようにして、図３に示すような層構造を有する垂直磁気記録媒体を形成することができる。
【００５４】
なお、本発明の第１の形態および第２の形態において、軟磁性裏打ち層２と垂直磁気記録層３との間に、垂直磁気記録層３の結晶配向性および結晶粒径を好ましく制御するために、例えば、ＴｉまたはＴｉＣｒ合金からなる下地層（図示せず）を設けることもできる。
【００５５】
また、上述に本発明の第１および第２の形態の垂直磁気記録媒体において、好ましい製造方法と共にその構成を記載したが、これらに限定されず、軟磁性裏打ち層を還流する構造を形成させることが本発明では最も重要である。
【００５６】
［実施例］
以下に本発明の実施例を示す。
【００５７】
［実施例１］
本実施例では本発明の第１の形態の垂直磁気記録媒体を製造した。
【００５８】
非磁性基体１として表面が平滑な化学強化ガラス基板（ＨＯＹＡ社製Ｎ−１０ガラス基板）を用い、これを洗浄後スパッタ装置内に導入した。引き続いてＣｏ₁₀Ｚｒ₅Ｎｂターゲットを用いてＣｏＺｒＮｂ非晶質軟磁性裏打ち層２を２００ｎｍ成膜した。軟磁性裏打ち層を配向させるために基体面と平行方向に数１０〜数１００Gauss程度の磁場を印加する必要があるが、これにはターゲットのマグネトロンからのもれ磁場（約１００Gauss）を利用した。また、軟磁性裏打ち層２の成膜の際には、シールドの穴を通常よりも大きめにし、非磁性基体１の外周部および内周部側面にも軟磁性層１ａが形成されるようにした。このようにして軟磁性裏打ち層２を成膜した場合の層構造と磁化の概念は図２に示した通りである。
【００５９】
引き続いてランプヒータを用いて基体表面温度が２５０℃になるように加熱を行った後、Ｔｉターゲットを用いてＴｉ下地膜１０ｎｍ（図示せず）を成膜した。引き続きＣｏ₂₀Ｃｒ₁₀Ｐｔターゲットを用いて膜厚３０ｎｍのＣｏＣｒＰｔ磁気記録層３を成膜し、最後にカーボンターゲットを用いてカーボンからなる膜厚１０ｎｍの保護膜４を成膜後、真空装置から取り出した。これらの各層の成膜はすべてＡｒガス圧５ｍＴｏｒｒ下でＤＣマグネトロンスパッタリング法により行った。その後、パーフルオロポリエーテルからなる膜厚２ｎｍの液体潤滑材層５をディップ法により形成した。
【００６０】
このようにして、本発明の第１の形態の垂直磁気記録媒体を形成した。
【００６１】
得られた垂直磁気記録媒体の軟磁性裏打ち層２に形成される磁壁の有無を確認するために、スピンスタンドテスターを用いて記録密度５０ｋＦＣｌの信号をＭＲヘッドにより書き込み、その再生波形を観察することで、スパイクノイズの有無を調べた。
【００６２】
表１に、再生波形に表れるスパイクノイズの個数を示す。非磁性基体１の内外周側面部に軟磁性膜１ａを形成することにより磁壁の形成が阻止され、スパイクノイズの発生が抑制されていることがわかる。
【００６３】
【表１】

Lub^*：パーフルオロポリエーテルからなる液体潤滑材層
【００６４】
［比較例１］
軟磁性裏打ち層２を形成する際に、シールドの穴を通常と同様の大きさにし、軟磁性裏打ち層２を非磁性基体１の上にのみ形成すること、すなわち、非磁性基体１の外周および内周側面に軟磁性層１ａを形成しないことを除いて、実施例１と同様にして垂直磁気記録媒体を製造した。
【００６５】
得られた垂直磁気記録媒体について、実施例１と同様にしてスパイクノイズの有無をを調べた。結果を表１に記載する。
【００６６】
［実施例２］
本実施例では、本発明の第１の形態の垂直磁気記録媒体を製造した。
【００６７】
軟磁性裏打ち層２および軟磁性層１ａの形成の際に、Ｎｉ₂₂Ｆｅ合金ターゲットを用いたこと以外は、実施例１と同様にして本発明の第１の形態の垂直磁気記録媒体を形成した。
【００６８】
得られた垂直磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、スパイクノイズの有無を調べた。結果を表１に示す。実施例１と同様に、磁壁の形成が阻止され、スパイクノイズの発生が抑制されていることがわかる。
【００６９】
［実施例３］
本実施例では、本発明の第２の形態の垂直磁気記録媒体を製造した。
【００７０】
非磁性基体として表面が平滑な化学強化ガラス基板（ＨＯＹＡ社製Ｎ−１０ガラス基板）を用い、これを洗浄後スパッタ装置内に導入した。引き続いてＣｏ₁₀Ｚｒ₅Ｎｂターゲットを用いて、膜厚１００ｎｍのＣｏＡｒＮｂ非晶質軟磁性下層２ａを形成した。次に、軟磁性下層２ａの内周および外周のそれぞれから約２ｍｍまでの範囲をマスキングして、Ｃｒターゲットを用いて膜厚５ｎｍのＣｒ非磁性層２ｂを形成した。次いで、マスキングを取り除き、Ｃｏ₁₀Ｚｒ₅Ｎｂターゲットを用いて非磁性層２ｂの外周および内周側面部に軟磁性層２ｄと、膜厚２００ｎｍのＣｏＺｒＮｂ非晶質軟磁性上層２ｃを形成した。軟磁性の各層は、その成膜の際に、実施例１と同様にしてターゲットのマグネトロンからのもれ磁場を利用することによって、磁化を基体面と平行方向に配向させた。
【００７１】
これらの各層の成膜は全てＡｒガス圧５ｍＴｏｒｒ下で、ＤＣマグネトロンスパッタ法により行った。
【００７２】
このようにして軟磁性裏打ち層２を形成した場合の層構造と、磁化の概念は図４に示した通りである。
【００７３】
引き続き、実施例１と同様にしてＡｒガス圧５ｍＴｏｒｒ下で、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、厚さ１０ｎｍのＴｉ下地層（図示せず）、膜厚３０ｎｍのＣｏ₂₀Ｃｒ₁₀Ｐｔ垂直磁気記録層３、および膜厚１０ｎｍのカーボン保護膜４を形成した。次いで、真空装置から取り出した媒体上に、パーフルオロポリエーテルよりなる、膜厚２ｎｍの液体潤滑材層５をディップ法により形成した。
【００７４】
このようにして、本発明の第２の形態の垂直磁気記録媒体を製造した。
【００７５】
実施例１と同様にして、得られた垂直磁気記録媒体のスパイクノイズの有無を調べた。結果を表１に示す。
【００７６】
本実施例に示した方法でも、実施例１および実施例２と同様に磁壁の形成が阻止され、スパイクノイズの発生が抑制されていることがわかる。
【００７７】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、軟磁性裏打ち層の磁化を、基体の表面から裏面、または非磁性層を挟んだ軟磁性層の２層間で還流させることで、ノイズ源となる軟磁性裏打ち層の磁壁形成の抑止を行うことができる。軟磁性層の磁化容易軸は半径方向へ配向させる必要があるが、実施例で取り上げたような軟磁性体では異方性が小さいため、ターゲットのマグネトロンの漏れ磁場で十分であり、特に外部磁場を印加する必要がなく、非常に容易な方法で実行可能である。また、反強磁性層を用いる従来の方法と比較しても、熱処理などの必要がないことから、大量生産にも非常に適している。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の形態の一例を示す垂直磁気記録媒体の層構成を示す断面模式図である。
【図２】（ａ）は本発明の第１の形態の一例を示す垂直磁気記録媒体のうち、非磁性基体上に軟磁性裏打ち層を設けたときの磁化の概念図であり、（ｂ）は、（ａ）の２−２′の弧に対応する扇形部分の拡大図である。
【図３】本発明の第２の形態の一例を示す垂直磁気記録媒体の層構成を示す断面模式図である。
【図４】（ａ）は本発明の第２の形態の一例を示す垂直磁気記録媒体のうち、非磁性基体上に軟磁性裏打ち層を設けたときの磁化の概念図であり、（ｂ）は、（ａ）の４−４′の弧に対応する扇形部分の拡大図である。
【符号の説明】
１非磁性基体
１ａ軟磁性層
２軟磁性裏打ち層
２ａ軟磁性下層
２ｂ非磁性層
２ｃ軟磁性上層
２ｄ軟磁性層
３垂直磁気記録層
４保護膜
５液体潤滑材層

Claims

中心に孔を有する円盤形状の非磁性基体上に少なくとも軟磁性裏打ち層、磁気記録層、保護膜、および液体潤滑材層が順次積層された構造を有する垂直磁気記録媒体であって、前記軟磁性裏打ち層が、軟磁性下層、非磁性層、および軟磁性上層の順に積層した３層構造をしており、前記非磁性層は、前記非磁性基体の内周より大きい内周と、前記非磁性基体の外周より小さい外周とを有しており、かつ外周および内周側面に軟磁性層を形成しており、前記軟磁性上層および軟磁性下層は、磁化容易軸が半径方向に平行に配向しており、前記軟磁性上層と軟磁性下層とが、前記非磁性層の外周および内周側面に設けられた軟磁性層を介して接続することを特徴とする垂直磁気記録媒体。
中心に孔を有する円盤形状の非磁性基体上に少なくとも軟磁性裏打ち層、磁気記録層、保護膜、および液体潤滑材層が順次積層された構造を有する垂直磁気記録媒体の製造方法であって、非磁性基体上に軟磁性裏打ち層を形成する工程において、
非磁性基体上に軟磁性下層を形成し、同時に軟磁性下層に基体の半径方向に平行な数１０〜数１００Gaussの磁場を印加する工程と、前記軟磁性下層の上に、非磁性層を設ける工程と、
前記軟磁性下層の上であり、かつ前記非磁性層の外周および内周側面に軟磁性層を設ける工程と、
前記非磁性層および軟磁性層の上に軟磁性上層を形成し、同時に軟磁性上層に基体の半径方向に平行な数１０〜数１００Gaussの磁場を印加する工程と
を具える軟磁性裏打ち層を形成する工程と、
前記軟磁性裏打ち層の上に垂直磁気記録層を形成する工程と、
前記垂直磁気記録層の上に保護膜を形成する工程と、
前記保護膜の上に液体潤滑材層を形成する工程と、
を具えることを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
前記軟磁性下層および軟磁性上層に磁場を印加する工程は、ターゲットのマグネトロンからのもれ磁場を利用することを特徴とする請求項２に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。