JPH0757261A

JPH0757261A - 磁気記録媒体及び磁気ヘッド並びにその製造方法及び製造装置

Info

Publication number: JPH0757261A
Application number: JP20333693A
Authority: JP
Inventors: Akira Ishikawa; 石川　　晃; Yoshihiro Shiroishi; 芳博城石; Yuzuru Hosoe; 譲細江; Kiwamu Tanahashi; 究棚橋
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1993-08-17
Filing date: 1993-08-17
Publication date: 1995-03-03

Abstract

(57)【要約】【目的】ヘッド低浮上が可能で、高密度記録が可能な
磁気記録媒体及び高感度な磁気抵抗効果素子を有する磁
気ヘッドを提供する。【構成】複数の蒸着用ターゲット２３〜２５から選択
されたターゲット２３にレーザー光２０２を照射して蒸
発させ、蒸発したターゲット材料粒子２０５のうち高エ
ネルギーの帯電粒子を蒸着粒子運動エネルギー制御部２
０６で除去した後、赤外線ランプ２０１によって所定温
度に加熱され、回転軸２９に支持されて回転駆動される
基板２８の表面に堆積させることによって、磁気記録媒
体あるいは磁気ヘッドの下地膜、磁性膜、保護膜の少な
くとも一つの膜を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は磁気ドラム、磁気テー
プ、磁気ディスク、磁気カード等の磁気記録媒体及び磁
気ヘッド、並びにそれらを用いた磁気記録装置に係り、
特に高密度の磁気記録再生に好適な磁気抵抗効果型磁気
ヘッド、薄膜型磁気記録媒体、及びこれらを用いた小型
で大容量の磁気記録装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子計算機等の情報処理装置の小
型化・高速化に伴い、磁気ディスク装置その他の外部記
憶装置の大容量化、及び高速アクセス化に対する要求が
高まっている。特に、磁気ディスク記録装置は高密度化
・高速化に適した情報記憶装置であり、その需要は一段
と強まりつつある。磁気ディスク装置に用いられる記録
媒体としては、酸化物磁性体の粉末を基板上に塗布する
ことにより形成した媒体と、例えば雑誌ＩＥＥＥＴｒ
ａｎｓ. Ｍａｇｎ.,ｖｏｌ.ＭＡＧ−３（１９６７）の
第２０５頁、特開昭５８−７８０６号公報、特開昭６０
−１１１３２３号公報に示されるように、金属磁性体薄
膜を基板上にスパッタリング法により形成した薄膜媒体
が開発されている。

【０００３】この中で薄膜媒体は、塗布型の媒体に比べ
磁気記録膜に含まれる磁性体の密度が高く、磁気記録膜
を薄く形成できるため高密度の記録再生に適している。
薄膜媒体のディスク基板としては通常Ｎｉ−Ｐ膜がめっ
きされたＡｌ−Ｍｇ合金が用いられ、さらに基板表面に
は磁気ヘッドの粘着防止、あるいは基板円周方向の磁気
特性向上の目的で表面中心線平均粗さ（以後Ｒａと略記
する）が２〜１００ｎｍ程度のテクスチャーと呼ばれる
微細な溝や突起が形成される場合がある。

【０００４】薄膜媒体の磁性体材料としては主に結晶磁
気異方性定数の大きいＣｏ基合金が用いられる。Ｃｏ基
合金は六方最密充填型（hexagonal close-packed：以後
ｈｃｐと略記する）の結晶構造を有し、磁化容易方向が
ｈｃｐ構造のｃ軸と平行であるため、この方向に高い保
磁力Ｈｃ、残留磁化Ｍｒ、及び角形比Ｓを有する。この
ため、媒体形成に際してはＣｏ基合金のｃ軸がディスク
面と略平行な成分を多く有するように結晶成長させる必
要がある。この目的のため、磁性膜の下地膜として体心
立方構造（body-centered cubic：以後ｂｃｃと略記す
る）のＣｒあるいはＣｒ基合金膜を形成し、Ｃｏ基合金
の結晶配向性を制御する方法が用いられている。

【０００５】また、媒体ノイズを低減するために磁性膜
を２膜以上に多層化することが知られている。特に、Ｃ
ｒ等の非磁性中間膜で磁性膜を多層化すると、媒体ノイ
ズが著しく減少する。さらに、媒体の信頼性を確保する
ための保護膜として、カーボン、水素添加カーボン、Ｗ
−Ｃ、（Ｗ−Ｍｏ）−Ｃ等の炭化物、（Ｚｒ−Ｎｂ）−
Ｎ、Ｓｉ₃Ｎ₄等の窒化物、ＳｉＯ₂、ＺｒＯ₂等の酸化
物、Ｂ、Ｂ₄Ｃ、ＭｏＳ₂、Ｒｈ等の非磁性材料が１０〜
５０ｎｍの膜厚で形成される。

【０００６】一方、高密度記録に適した磁気ヘッドとし
て、再生部に磁気抵抗効果型あるいは巨大磁気抵抗効果
型（以後、これらをＭＲと略記する）素子を用いたもの
が開発されている。このＭＲヘッドは従来の誘導型の磁
気ヘッドに比べて再生感度が著しく高いため、記録密度
の増加に伴い記録ビットの面積が減少しても充分な再生
出力が得られ、媒体の記録密度を飛躍的に向上すること
ができる。ＭＲヘッドの再生部においては、媒体側表面
にカーボン等の保護膜が膜厚２０ｎｍ程度形成される場
合がある。これは、ヘッドが浮上中に媒体と一時的に接
触した時に、再生部の温度が上昇して再生信号中にノイ
ズとして検出されるのを防ぎ、かつ、耐食性を向上させ
るためである。

【０００７】これらの磁気記録薄膜物品における下地
膜、磁性膜、保護膜、ＭＲ膜、あるいは電極膜等の薄膜
の工業的生産には、主に生産性や組成制御性に優れたメ
ッキ法やスパッタリング法が用いられる。また、磁性薄
膜形成法として、真空蒸着法〔例えば、ＩＥＥＥＴｒ
ａｎｓ. Ｍａｇｎ.,ｖｏｌ.ＭＡＧ−３（１９６７）の
第２０５頁にＣｏ／Ｃｒ積層膜の例が記載〕や、イオン
ビームスパッタ蒸着法〔例えば、ＩＥＥＥＴｒａｎ
ｓ. Ｍａｇｎ.,ｖｏｌ.ＭＡＧ−１９（１９８３）の第
１６４４頁や、ＩＥＥＥＴｒａｎｓ. Ｍａｇｎ.,ｖｏ
ｌ.ＭＡＧ−２０（１９８４）の第７７６頁等にＣｏ−
Ｃｒ合金膜の例が記載〕が知られている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】今後、記録密度をさら
に向上するためには再生感度の高いＭＲヘッドの開発が
必須であり、さらに該ＭＲヘッドに適した媒体として低
ノイズで、ヘッド浮上量を低減すべく表面が平滑な磁気
記録媒体を開発することが重要である。ＭＲヘッドは磁
気シールド膜、バイアス印加膜、ＭＲ膜、電極膜、保護
膜等を有するが、バルクハウゼンノイズを低減するには
シールド膜、バイアス印加膜等の下地膜の表面を微視的
に凹凸の少ない平滑な面とすることが重要である。これ
は、下地膜を平滑化することによりＭＲ膜が膜厚変動の
少ない平滑な薄膜となり、膜内の局所的な応力が低減
し、バルクハウゼンノイズの発生を抑制できるためであ
る。また、ＭＲヘッド再生部の媒体側の表面にはカーボ
ン保護膜が形成されているが、この保護膜も微視的に凹
凸の少ない平滑な面とすることが重要である。これは、
保護膜を平滑化することによりＭＲヘッドの浮上性や耐
食性が向上するためである。

【０００９】しかし、従来のスパッタリング法による膜
形成では成膜用の真空槽内にＡｒガスを例えば１〜３０
ｍＴｏｒｒの範囲で導入する必要があるため、蒸着源で
あるターゲットからスパッタリングされた蒸着粒子がＡ
ｒ原子やＡｒイオンと高い頻度で衝突し、不規則な方向
に散乱されて基板表面に到達するとともにＡｒガスが膜
中に含有される。その結果、形成された膜の表面は結晶
粒に対応した、粗さ１〜１００ｎｍ程度の凹凸が不可避
的に生じ、磁化の分散が大きくなり、さらに膜中に取り
込まれたＡｒガスのため欠陥が生じ、磁気特性も低下す
る。メッキ法による場合にはＰやＳ等が不純物として膜
中に取り込まれ、表面の凹凸についてはスパッタリング
法と同様である。

【００１０】さらに、ヘッド浮上量を低減するには、平
滑なディスク基板を用いるとともに、下地膜や磁性膜を
微視的な凹凸の少ない、均一な膜厚とすることが有効で
ある。しかし、非磁性下地膜、非磁性中間膜や磁性膜は
従来よりメッキ法やスパッタリング法により形成され、
上述のごとく、メッキ法ではイオンが、スパッタリング
法ではターゲットからスパッタリングされた蒸着粒子は
Ａｒ原子、Ａｒイオンと高い頻度で衝突し、不規則な方
向に散乱される。このため、得られる膜の表面は粗さ１
〜１００ｎｍ程度の凹凸が不可避的に生じる。このよう
に非磁性下地膜、非磁性中間膜や磁性膜表面に微細な凹
凸が生じると、特に、磁性膜を多膜化する際に各膜を膜
厚５〜１０ｎｍで均一に形成することが困難となり、磁
性層間で交換相互作用が働いてしまい、ノイズが増大し
てしまう。特に、非磁性中間膜の膜厚を３ｎｍ以下とす
る場合には、非磁性中間膜形成前の磁性膜表面を微視的
に平滑化する必要がある。

【００１１】また、磁気ディスク基板としてテクスチャ
ー溝を形成した基板を用いる場合、下地膜や磁性膜をス
パッタリング法により形成すると、テクスチャーの突起
部で結晶粒が異常成長し、膜表面に突起を生じやすい。
その結果、磁性膜を多膜化する際に各膜を均一な膜厚で
形成することが困難となるとともに、ヘッド浮上性が低
下する問題もある。

【００１２】また、媒体の保護膜も下地膜や磁性膜と同
様、均一な膜厚で高強度に形成し、浮上量０．０１〜
０．１μｍでヘッドが安定に浮上するよう成膜する必要
がある。しかし、上記と同様の原因により従来のスパッ
タリング法では保護膜表面に凹凸が生じやすく、低浮上
時の信頼性を充分に確保できないという問題がある。成
膜時に成膜装置内にＡｒ等のガスを導入しない方法とし
ては、電子ビームや抵抗加熱による真空蒸着法やイオン
ビームスパッタ蒸着法が知られている。しかし、真空蒸
着法では合金膜を蒸着する際に蒸着源の組成が時間と共
に変化するため、得られる膜の組成が変化する等、組成
制御性が悪いという問題がある。また、イオンビームス
パッタ蒸着法では装置が複雑化する上、イオンビームの
径が数ｃｍ程度と小さいため、得られる膜の膜厚分布が
非常に大きいことや、面内記録媒体として用いる場合に
保磁力が５００Ｏｅ程度以下と、充分に高い保磁力が得
られないという問題がある。

【００１３】以上の課題及び状況を鑑み、本発明の第一
の目的は、再生感度の高いＭＲヘッド、及びＳ／Ｎの高
い記録媒体を提供することである。すなわち、ＭＲヘッ
ドの浮上量０．０１μｍ〜０．１μｍにおいて線記録密
度１００ｋＢＰＩ以上、トラック密度３．５ｋＴＰＩ以
上（面記録密度で３５０Ｍｂ／ｉｎ² 以上）での記録再
生時のＳ／Ｎの値が４以上のＭＲヘッド、磁気記録媒体
を提供することである。さらに、第二の目的はこのよう
なＭＲヘッド、磁気記録媒体を再現性良く製造する方法
及び装置を提供することであり、第三の目的は、このよ
うな媒体を用いた大容量で高信頼性の磁気記録装置を提
供することである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明者らは各種の薄膜
形成技術と、薄膜の膜厚均一性及び磁気特性の関係を評
価した結果、光線を熱源とする蒸着法によりＭＲヘッド
あるいは磁気記録媒体の下地膜、磁性膜、保護膜の少な
くとも一種類の膜を形成することにより、膜中にＡｒ、
Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｐ、Ｓ等の不純物が取り込ま
れることなく、上記目的が達せられることを見出した。

【００１５】光線としては、集光したレーザー光を用い
ると蒸着速度が向上し、生産性が向上するので好まし
い。レーザーは連続発振のものもパルス発振のものも利
用可能である。パルス発振レーザーを用いる場合、蒸着
源に照射するレーザーの１パルスあたりのエネルギー密
度を５〜１００Ｊ／ｃｍ² とすると蒸着が安定に進行
し、膜厚が均一な薄膜が得られるので好ましい。レーザ
ー１パルスあたりの成膜量は０．００１〜０．１ｎｍと
すると膜厚や膜質均一性が向上するので好ましい。パル
ス発振レーザーの発振周波数は、１〜１００Ｈｚとする
と成膜速度の制御が容易となるので好ましい。また、蒸
着中に蒸着源上のレーザー照射位置を０．１ｍｍ／ｓ〜
１ｃｍ／ｓ以下の速度で移動すると、蒸着源が均一に消
耗され、蒸着源の使用効率が向上するとともに膜厚の均
一性が向上するので好ましい。蒸着源と基板間の最短距
離を５〜３０ｃｍとすることにより、蒸着粒子が均一に
基板上に付着するので膜厚の均一性をさらに向上でき
る。蒸着源と基板の間隔を５ｃｍ以下とすると膜厚分布
すなわち膜厚変動は５％以上となり、間隔を３０ｃｍ以
上とするとレーザー１パルスあたりの成膜量が０．００
１ｎｍ未満となって成膜速度が遅くなり、実用性に欠け
るので好ましくない。

【００１６】磁気記録媒体を形成する場合には、成膜中
にディスク基板を２５０℃以上、５５０℃以下に加熱す
ると、蒸着膜の付着強度、膜厚の均一性、及び磁気特性
が向上するので好ましい。成膜装置内の基板とターゲッ
トの間に、磁場発生部や偏向電極からなる帯電電蒸着粒
子運動エネルギー制御部を設けることにより、運動エネ
ルギーの高い帯電した蒸着粒子を取り除き、基板に到達
する蒸着粒子の運動エネルギーを０．１〜５０ｅＶとす
ると、磁性膜結晶がｈｃｐ構造となり、Ｈｃ等の磁気特
性が向上するので好ましい。

【００１７】本方法により作成した薄膜媒体において
は、円周方向に測定した磁性膜の残留磁化Ｂｒ₁と膜厚
δの積Ｂｒ₁δが過度に大きいと、ＭＲ膜の磁化回転が
不安定となるためバルクハウゼンノイズが発生する。ま
た、Ｂｒ₁δを増すと記録ビットの遷移領域において反
磁界Ｈｄが増して磁化の揺らぎが大きくなるため、再生
感度が高いＭＲヘッドを用いた場合に媒体ノイズＮｄが
著しく大きくなる。また、ＭＲヘッドは再生感度が高い
ため、Ｂｒ₁δが１８０Ｇμｍを超えると再生出力が飽
和して出力信号の波形が非対称となる。一方、Ｂｒ₁δ
が５Ｇμｍ未満では再生出力が小さく、媒体ノイズの大
きさと同程度となるため高い信号Ｓ／Ｎが得られない。
従って、使用するＭＲヘッドの再生感度に合わせて媒体
のＢｒ₁δを５〜１８０Ｇμｍの範囲に制御することが
高いＳ／Ｎを得る上で好ましい。

【００１８】さらに、円周方向に測定した磁性膜の残留
磁化Ｂｒ₁ と半径方向に測定した残留磁化Ｂｒ₂ との比
Ｂｒ₁ ／Ｂｒ₂ が１〜１．２である略等方的な磁気特性
を有する従来媒体では、線記録密度が１００ｋＢＰＩ以
上になると媒体からヘッドに流れ込む漏洩磁束量が減少
し、ＭＲヘッドの感度を増しても高い信号Ｓ／Ｎが得ら
れない。しかし、Ｂｒ₁ ／Ｂｒ₂ を１．３〜３とする
と、磁化遷移領域の磁化変化が急峻となるため、線記録
密度を増した場合でも媒体からの出力が減少せず、高い
Ｓ／Ｎが得られる。一方、Ｂｒ₁ ／Ｂｒ₂ が３．１を上
回ると、磁化遷移領域間の磁気的相互作用が急激に大き
くなるため、媒体ノイズが増加して高い信号Ｓ／Ｎが得
られない。また、媒体の記録トラック密度を３．５ｋＴ
ＰＩ以上とすると、等方的な磁気特性を有する従来媒体
では１００ｋＢＰＩ程度の高記録密度では記録トラック
幅が減少する傾向がある。このため、ＭＲヘッドのトラ
ック幅が小さい場合に充分な記録トラック幅が確保でき
ない。しかし、Ｂｒ₁ ／Ｂｒ ₂ を１．３〜３とすると、
トラック幅方向の書きにじみ量が従来媒体より増加する
ため、ＭＲヘッドのトラック幅が小さい場合でも充分な
記録トラック幅が確保できる。

【００１９】また、上記磁気記録媒体において、総磁性
膜厚δを５ｎｍ以上、６０ｎｍ以下とし、保磁力Ｈｃを
１８００Ｏｅ以上とすると、磁化遷移領域の幅が減少し
て出力半減記録密度Ｄ₅₀が向上するため、高線記録密度
時にも高い出力が得られ、同時に媒体ノイズＮｄが減少
するため再生信号のＳ／Ｎが向上する。また、Ｈｃを３
５００Ｏｅよりも高くするとオーバーライト特性が２０
ｄＢ以下となるので、Ｈｃを３５００Ｏｅ以下とするこ
とが好ましい。ここで、媒体の総磁性膜厚δを５ｎｍ以
下とすると、δが減少するに従い磁性膜の結晶粒径が小
さくなり熱ゆらぎの効果等により室温での保磁力Ｈｃは
低下する。また、磁性膜厚δを６０ｎｍ以上とすると、
磁性膜が垂直方向に磁化しやすくなるため面内方向に測
定されたＨｃは低下する。従って、Ｈｃを１８００Ｏｅ
以上とするためには、δを５ｎｍ以上、６０ｎｍ以下の
値とする必要がある。

【００２０】媒体からの磁束をＭＲヘッドで有効に検出
するためには、ヘッドの浮上量を減少することが効果的
である。上記磁気記録媒体において、ヘッド走行方向と
垂直の方向に測定した媒体保護膜表面の中心線平均粗さ
Ｒａを３ｎｍ以下とすると浮上量が０．０１〜０．１μ
ｍにおいてヘッドが安定に浮上するため好ましい。また
磁性膜表面の、ヘッド走行方向と垂直の方向に測定した
中心線平均粗さＲａを１．９ｎｍ以下とすると媒体表面
が平滑となるので、ヘッドが安定に低浮上する。ここ
で、媒体表面の中心線平均粗さＲａは針先径が０．２μ
ｍ以下の触針式表面粗さ計、走査トンネル顕微鏡、電子
線三次元粗さ測定装置等により求められ、測定距離は１
０μｍ以上であることが正確な測定値を得る上で好まし
い。

【００２１】上記中心線平均粗さを有する基板において
Ｂｒ₁ ／Ｂｒ₂ を１．３〜３とするためには、基板表面
のヘッド走行方向と垂直方向に測定される溝の平均密度
を高くすることが有効である。すなわち、磁気異方性付
与に有効な深さ１ｎｍ〜５０ｎｍのテクスチャー溝の、
ヘッド走行方向と垂直方向の距離１μｍ中の平均密度Ｎ
を０．３〜１００とすることが好ましい。また、溝の方
向、間隔を不規則とすると、均一なテクスチャーを形成
した媒体に比べてＢｒの配向比が向上すると共に、ヘッ
ド媒体間の接触面積が減少しコンタクト・スタート・スト
ップ（以後、ＣＳＳと略記する）時のヘッドの粘着力が
抑制されるので好ましい。さらに、媒体回転時のヘッド
位置制御用サーボ信号のゆらぎも低減でき、フォロイン
グ精度が向上する利点があるので好ましい。

【００２２】媒体を形成するにあたっては、出力密度３
０〜１０００ｍＷ／ｃｍ² のアルゴンプラズマにより基
板をエッチングすると、非磁性下地層もしくは磁性膜の
結晶性が向上し、ヘッド走行方向の磁気異方性が向上す
るため、Ｂｒの配向比が高くなる。さらに、成膜真空槽
の排気速度や膜の成長速度を増したり、基板に負のバイ
アス電圧を１０〜５００Ｖ印加して成膜すると、磁性膜
や下地膜中に混入する水や酸素等の不純物濃度が低減し
て下地層もしくは磁性膜の結晶性がさらに向上するた
め、ヘッド走行方向の磁気異方性が一層向上してＢｒの
配向比が著しく向上する。

【００２３】また、Ｃｏ系の合金からなる磁性膜にＮ
ｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｓｉ、
Ｐｔ、Ｂ又はＰのいずれか少なくとも１種の元素を添加
すると、高いＨｃが得られるので好ましい。また、媒体
成膜時の基板温度を２００〜５００℃とすると、磁性膜
中の偏析構造が促進されてＨｃが向上するので好まし
い。

【００２４】さらに、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｔａ、Ｎ
ｂ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｂ、Ｂｅ、Ｃ、Ｎｉ−Ｐの少なくとも
一つを主たる成分として、膜厚が０．５〜５ｎｍである
非磁性中間膜により、磁性膜を２膜以上に多膜化すると
単膜の磁性膜に比べて媒体ノイズＮｄが低下するので好
ましい。また、Ｃｒ、Ｍｏ、あるいはＷを主たる成分と
し、Ｔｉ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｖ、Ｐのい
ずれか少なくとも１種の元素を添加した合金下地膜を膜
厚１〜５００ｎｍとなるよう形成すると、媒体ノイズＮ
ｄが低下するので好ましい。

【００２５】磁性膜としてはＣｏ、Ｆｅ、Ｎｉもしくは
これらを主たる成分とする合金が望ましく、特にＣｏ−
Ｎｉ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｍｏ、Ｃｏ−
Ｗ、Ｃｏ−Ｒｅ等の合金を主たる成分とし、磁化容易軸
であるｃ軸を実質的に基板面内の方向に配向させるとヘ
ッド走行方向の磁気異方性が向上し、Ｂｒの配向比が向
上するので好ましい。また、優れた耐食性を求める場合
には磁性膜を構成する磁性体としてＣｏ−Ｎｉ−Ｚｒ、
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐ
ｔを主たる成分とする合金を用いることが望ましい。

【００２６】さらに、磁性膜の保護膜としてカーボン、
水素添加カーボン、もしくはカーボンを主たる成分とす
る非磁性材料を膜厚１０〜５０ｎｍ形成し、さらに吸着
性のパーフルオロアルキルポリエーテル等の潤滑膜を膜
厚３〜２０ｎｍ設けることにより信頼性が高く、高密度
記録が可能な磁気記録媒体が得られる。保護膜にはＷ−
Ｃ、（Ｗ−Ｍｏ）−Ｃ等の炭化物、（Ｚｒ−Ｎｂ）−
Ｎ、Ｓｉ₃Ｎ₄ 等の窒化物、ＳｉＯ₂ 、ＺｒＯ₂ 等の酸
化物、あるいはＢ、Ｂ₄Ｃ、ＭｏＳ₂ 、Ｒｈ等を用いる
と耐摺動性、耐食性を向上できるので好ましい。

【００２７】また、媒体表面の中心線平均粗さＲａを上
記範囲の値とした場合に、ＣＳＳ動作時のヘッドの粘着
を抑制するには、磁性膜上に保護膜を形成した後に微細
マスクを用いてプラズマエッチングすることで、表面に
高さ２０ｎｍ以下の微細な突起を面積比で１〜２０％の
大きさで設けるか、Ｗ−Ｃ等の化合物や、ＷとＣとの混
合物等のターゲットを用いて保護膜表面に微細な突起を
生じせしめたり、あるいは熱処理によって表面に微細な
凹凸を形成すると、ヘッドと媒体と接触面積、摩擦力が
低減するため、ヘッドが媒体に粘着する問題が回避され
る。従って、上記処理等により保護膜が磁性膜表面に比
べて大きな面粗さを有するよう成膜することが好まし
い。

【００２８】本発明による媒体はＳ／Ｎが極めて高いた
め、トラック幅が５μｍ以下のＭＲヘッドを用い、磁気
ヘッドの浮上量を０．０１〜０．１μｍとし、媒体の線
記録度を１００ｋＢＰＩ以上、記録トラック密度を３．
５ｋＴＰＩ以上とした場合にＳ／Ｎが４以上となり、大
容量で高信頼性の磁気記録装置を提供することができ
る。また、最尤復号法による信号処理回路とを組み合わ
せるとさらに記録密度を向上できるのでより好ましい。

【００２９】

【作用】レーザー光を熱源とするレーザー蒸着法により
ＭＲヘッドあるいは磁気記録媒体の下地膜、磁性膜、保
護膜の少なくとも一種類の膜を形成する場合は、従来の
スパッタリング法のように成膜真空槽内にＡｒガスを導
入する必要がないため、蒸着源であるターゲットからス
パッタリングされた蒸着粒子は散乱されずに基板表面に
到達する。その結果、得られた膜の表面は従来技術によ
る膜に比べ緻密で結晶粒が小さく、平滑なものとなり、
膜中にＡｒ等の不活性ガス取り込まれることがなくな
る。従って、下地膜、ＭＲ膜、磁気記録膜、非磁性中間
膜、保護膜を極めて薄い膜厚で、しかも優れた膜厚均一
性で高強度に、かつ不均一歪がなく形成することが可能
となる。膜中に取り込まれるＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、
Ｒｎ不活性ガスの総量、もしくはＰ、Ｓの総量のいずれ
かが０．１ａｔ％以下であれば本効果は認められた。

【００３０】レーザーのエネルギー密度を５〜１００Ｊ
／ｃｍ² とすると、レーザー１パルスあたりの成膜量が
０．００１〜０．１ｎｍと制御しやすい成膜条件となる
上、膜厚の均一性が向上する。また、爆発的蒸着により
粒径の大きな異物が薄膜中に混入することが防げる。レ
ーザーの発振周波数を１〜１００Ｈｚとすると成膜速度
の制御が容易となる。

【００３１】また、蒸着中にレーザー光を光学系により
走査したり、蒸着源をレーザー光に対して相対的に移動
することにより、蒸着源上のレーザー光照射位置を０．
１ｍｍ／ｓ〜１ｃｍ／ｓの速度で走査させると、蒸着源
が均一に消耗されるため、蒸着源の使用効率や膜厚の均
一性が向上する。特に、レーザー光照射位置を成膜面積
に応じた方向及び距離だけ、基板位置に対して相対的に
走査することにより、膜厚変動を５％以下にすることが
できる。例えば、ディスク基板に成膜する場合は、レー
ザー光照射位置を基板の半径方向に、基板の直径程度の
距離走査しながら、同時にディスク基板を回転すると、
基板全面に蒸発粒子を付着することが可能となるため、
膜厚変動は５％以下となる。

【００３２】蒸着源とターゲットの距離を５〜３０ｃｍ
とすると基板表面の広い範囲にわたって蒸着粒子が均一
に付着し、膜厚分布がさらに向上するので好ましい。成
膜中にディスク基板を２５０〜５５０℃に加熱すること
により、結晶性の向上や応力制御、組成偏析の促進効果
により磁気特性を制御することが可能となる。

【００３３】また、本発明の方法を用いてＭＲ膜素子を
有する薄膜磁気ヘッドを形成すると、シールド膜、バイ
アス印加膜等の下地膜、ＭＲ膜の表面は、スパッタリン
グ法により形成された従来の薄膜に比べ微視的凹凸が少
なく、中心線平均面粗さの波長が１〜４０ｎｍと膜厚変
動が少なく、その波長も短い平滑な薄膜となる。その結
果、膜厚の揺らぎに起因するＭＲ膜と磁化バイアス膜と
の余分な磁気的な相互作用や、膜内の局所的な応力の発
生が抑制され、再生出力感度が高められるとともに、バ
ルクハウゼンノイズを低減できる。また、ＭＲ膜素子の
媒体側表面に本発明の方法によりカーボン等の保護膜を
形成すると、スパッタリング法により形成された従来の
保護膜に比べ緻密で高強度の保護膜が得られる。このた
め、膜厚を５〜１０ｎｍと薄くしても腐食や、媒体に接
触した時の温度変化による出力変動を抑えることがで
き、ヘッド−媒体間のスペーシングを低減できる。

【００３４】また、本発明の方法により磁気記録媒体を
形成すると、下地膜や磁性膜を微視的な凹凸の少ない、
均一な膜厚とすることが可能である。その結果、磁気ヘ
ッドの浮上量を０．０１〜０．１μｍに低減した場合で
もヘッドと媒体の接触が起こらず、信頼性が向上する。
特に、磁気ディスク基板としてテクスチャー溝が形成さ
れた基板を用いる場合でも、本発明の方法によればテク
スチャー突起部での結晶粒の異常成長が抑制され、従来
より平滑な膜表面が得られる。また、本発明の方法によ
り磁性膜内に非磁性中間膜を有する媒体を形成する場
合、磁性膜や非磁性中間膜を極めて薄い膜厚で、しかも
優れた膜厚均一性で形成することが可能である。特に、
非磁性中間膜の膜厚を１ｎｍ以下とする場合でも、連続
的な非磁性中間膜の形成が可能である。

【００３５】本発明の方法により磁気記録媒体を形成す
る際、成膜中に基板に到達する蒸着粒子の運動エネルギ
ーを０．１〜５０ｅＶとすると、下地Ｃｒ膜の結晶がｂ
ｃｃ構造、磁性膜結晶がｈｃｐ構造となり、高いＨｃが
得られる。もし、蒸着粒子の運動エネルギーが上記範囲
以上になると、下地Ｃｒ膜が実質的に非晶質となる。ま
た、磁性膜結晶は面心立方構造（face-centered cubi
c：以後ｆｃｃと略記する）となり、Ｈｃが５００Ｏｅ
以下と低くなり、記録媒体として好ましくない。

【００３６】ただし、本発明の方法により磁気ヘッド用
の軟磁性膜を形成する場合は、Ｈｃが低い方が好ましい
ため、上記蒸着粒子の運動エネルギー制御は必ずしも必
要がない場合もある。

【００３７】

【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳細に説
明する。〔実施例１〕図１は、本発明に係る薄膜媒体の断面構造
を模式的に示したものである。同図において、符号１１
はＡｌ−Ｍｇ合金、化学強化ガラス、有機樹脂、Ｔｉ、
Ｓｉ、カーボン、あるいはＴｉＯ₂ 、ＳｉＣ等のセラミ
ックス等からなる磁気ディスク基板、１２及び１２’は
基板１１の両面に形成したＮｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ｗ−Ｐ等か
らなる非磁性メッキ層である。Ａｌ−Ｍｇ合金を基板と
して用いた場合にはこのようなメッキ層を備えたものを
基板として用いる。１３及び１３’はＣｒ、Ｍｏ、Ｗ、
又はＣｒ、Ｍｏ、Ｗのいずれかを主な成分とする合金か
らなる非磁性下地膜、１４及び１４’は当該下地膜の上
に形成したＣｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｆｅ、Ｃｏ
−Ｍｏ、Ｃｏ−Ｗ、Ｃｏ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｒｅ、Ｃｏ−
Ｐ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｚｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｃｒ
−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ａｌ、Ｃｏ−
Ｃｒ−Ｎｂ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐ、又はＣｏ−Ｃｒ−Ｓｉ等
からなる金属磁性層、１５及び１５’は当該磁性膜の上
に形成したカーボン、Ｗ−Ｃ、（Ｗ−Ｍｏ）−Ｃ、（Ｗ
−Ｚｒ）−Ｃ、ＳｉＣ、（Ｚｒ−Ｎｂ）−Ｎ、Ｓｉ₃Ｎ₄
、ＳｉＯ₂ 、ＺｒＯ₂ 、ボロン、Ｂ₄Ｃ、ＭｏＳ₂ 、又
はＲｈ等からなる非磁性保護膜をそれぞれ示す。

【００３８】外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍ、厚さ０．６
４ｍｍのＡｌ−４Ｍｇ（原子記号の前に付した数字は当
該素材の含有量を示す。この場合の含有量の単位は重量
％）からなるディスク基板の両面にＮｉ−１２Ｐ（重量
％）からなるメッキ層を膜厚１０μｍ形成した。この非
磁性基板の表面をラッピングマシンを用いて中心線平均
粗さＲａが１．５ｎｍとなるまで平滑に研磨し、洗浄及
び乾燥した。次に、テープポリッシングマシンを用い、
砥粒平均径１μｍ以下の研磨剤を有する研磨テープをコ
ンタクトロールを通してディスク基板１１を回転させな
がらディスク面の両側に押しつけることにより、基板表
面にヘッド走行方向に深さや密度が不規則なテクスチャ
ー溝を形成した。その後、基板に付着した研磨剤等の汚
れを洗浄して乾燥した。表面に形成された溝の中心線平
均粗さＲａを半径方向に測定した値は０．３ｎｍ、ヘッ
ド走行方向と略垂直方向の距離１μｍにおける、深さ１
ｎｍ以上、５０ｎｍ以下のテクスチャー溝の平均密度Ｎ
は３０本〜５０本の範囲とし、溝の方向は円周方向に対
して０〜±４５度の範囲で無秩序とした。

【００３９】上記ディスク基板を真空装置内で、真空槽
体積当りの水蒸気の排気速度３００ｌ／ｓ以上の排気ポ
ンプを用いて真空保持しながら、２５０℃まで加熱した
後、アルゴンガスを用いてプラズマ出力密度１００ｍＷ
／ｃｍ² においてプラズマエッチングし、表面の酸化物
等の汚染皮膜を除去した。その後、該基板を真空中で搬
送し、図２に示すレーザー蒸着室内に装着した。

【００４０】図２において、符号２１はレーザー発振装
置、２２は集光走査レンズ系、２３は非磁性下地膜蒸着
源、２４は磁性膜蒸着源、２５は非磁性保護膜蒸着源、
２６はこれらの蒸着源を装着して回転可能な蒸着源移動
系、２７はシャッター、２８は基板、２９は基板回転
軸、２０１は基板加熱用赤外線ランプ、２０３は石英
窓、２０４は蒸着室、２０６は電荷を有する蒸着粒子の
運動エネルギー制御部である。蒸着粒子運動エネルギー
制御部２０６は、図３に示すように、帯電粒子を偏向し
て除去するための磁場発生部３１及び偏向電極３２を組
み込んでいる。磁場発生部と偏向電極は、必ずしも両方
を備える必要はなく、いずれか一方を備えるだけでもよ
い。

【００４１】成膜時には、図示しない排気手段により蒸
着室２０４内を５０ｍＴｏｒｒ以下に真空排気した。レ
ーザー発振装置２１は、充填するガス種を変えることに
より波長、エネルギーの異なるレーザー光を発振可能で
ある。一例として、純度９９．９９％のＨｅを１７２６
Ｔｏｒｒ、純度９９．９９％のＫｒを９０Ｔｏｒｒ、純
度９９．９％のＨｅ（９５ｍｏｌ％）−Ｆ₂（５ｍｏｌ
％）混合ガスを６０Ｔｏｒｒ充填することにより、波長
２４８ｎｍのエキシマレーザー光を２５Ｈｚでパルス発
振した。この時のレーザー光１パルスあたりのエネルギ
ーは約５００ｍＪである。

【００４２】非磁性下地膜蒸着源２３にはＣｒ、金属磁
性膜蒸着源２４にはＣｏ−２５Ｃｒ−２０Ｐｔ合金（以
後、合金膜組成の単位は原子％で表す）、非磁性保護膜
蒸着源２５にはＣからなる板状ターゲット材を用い、タ
ーゲット背面を水冷した。また、各蒸着源の表面は研磨
により鏡面状に平滑加工した。レーザー光をレンズ系２
２によりスポット径１〜５ｍｍ程度に集光し、Ｃｒ蒸着
源２３上を０．１ｍｍ／ｓ以上、１ｃｍ／ｓ以下の速度
で二次元的に往復走査させ、Ｃｒ蒸着源表面が均一に蒸
発するようにした。この時の、蒸着源上のレーザー照射
エネルギー密度はレーザー光１パルスあたり２０Ｊ／ｃ
ｍ² であり、これによりＣｒ粒子が２０５に示すように
蒸発して、レーザー光１パルスあたりの成膜量０．００
５ｎｍにおいて、蒸着源より７ｃｍ離れたディスク基板
２８上に堆積した。その際、蒸着粒子の運動エネルギー
制御部２０６により、成膜中に基板に到達する帯電した
蒸着粒子の運動エネルギーを０．１ｅＶ以上、５０ｅＶ
以下とした。成膜中は基板回転軸２９により基板を１０
０ｒｐｍで回転し、基板上の膜厚分布を均一化した。上
述のようなレーザー光走査及び基板回転を行うことによ
り、Ｃｒ膜の膜厚分布は±３％と実用上充分に小さくす
ることが可能であった。成膜中は赤外線ランプ２０１に
より基板の温度を約３００℃に保った。膜厚の制御はシ
ャッター２７の開閉により行った。

【００４３】本方法によりＣｒ下地膜を膜厚５０ｎｍ形
成した後、蒸着源移動系２６により蒸着源の位置を移動
し、Ｃｏ−２５Ｃｒ−２０Ｐｔ合金蒸着源２４上にレー
ザー光を集光、二次元走査しながら照射し、膜厚１０ｎ
ｍの該合金膜を上述のＣｒ膜上に成膜した。その後、蒸
着源移動系２６により蒸着源の位置を移動し、Ｃｒ蒸着
源２３上にレーザー光を照射し、膜厚１ｎｍの非磁性中
間Ｃｒ膜をＣｏ−２５Ｃｒ−２０Ｐｔ合金磁性膜上に成
膜した。さらに、蒸着源移動系２６により蒸着源を移動
し、Ｃｏ−２５Ｃｒ−２０Ｐｔ合金蒸着源２４上にレー
ザー光を照射し、膜厚１０ｎｍのＣｏ−２５Ｃｒ−２０
Ｐｔ合金磁性膜を非磁性中間Ｃｒ膜上に成膜した。さら
に、蒸着源移動系２６により蒸着源を移動し、Ｃ蒸着源
２５上にレーザー光を照射し、膜厚１０ｎｍのＣ保護膜
をＣｏ−２５Ｃｒ−２０Ｐｔ合金磁性膜上に成膜した。
最後に保護膜上に吸着性のパーフルオロアルキルポリエ
ーテル等の潤滑層を形成した。

【００４４】また、従来技術を用いた比較例として、上
記媒体試料と全く同じ膜厚構成の試料を、直流マグネト
ロンスパッタリング法によりアルゴン圧１５ｍＴｏｒｒ
において成膜し、イオンビームスパッタリング法により
アルゴン圧０．２ｍＴｏｒｒにおいて成膜した。媒体の
静磁気特性（Ｈｃ、Ｂｒ）を最大印加磁界１４ｋＯｅの
振動式磁化測定機（ＶＳＭ）により求めた。また、記録
再生特性をヘッド浮上量０．０８μｍ、実効ギャップ長
０．４μｍ、トラック幅３μｍで再生部にＭＲ素子を有
する複合型薄膜磁気ヘッドを用いて線記録密度１００ｋ
ＢＰＩにおいて再生信号のＳ／Ｎの値を求めた。

【００４５】異なる種類のレーザーを用いた蒸着法、及
び比較例としてのスパッタリング法、及びイオンビーム
スパッタリング法により作成した磁気記録媒体の特性を
表１に示す。ここでは、透過電子顕微鏡により求めたＣ
ｒ下地膜、磁性膜の平均結晶粒径、非磁性Ｃｒ中間膜の
膜厚分布、半径方向に測定した媒体表面の中心線平均粗
さＲａ、浮上量０．０５μｍにおいてヘッドを媒体内周
から外周まで１０万回シーク試験した時のヘッド−媒体
間の接触回数、Ｘ線回折分析によるＣｒ下地膜の（２０
０）格子面及び磁性膜の（１１０）格子面の回折ピーク
強度、円周方向に測定した保磁力Ｈｃ、円周方向に測定
した磁性膜の残留磁化Ｂｒ₁と膜厚δとの積Ｂｒ₁δ、円
周方向に測定した磁性膜の残留磁化Ｂｒ₁ と半径方向に
測定した残留磁化Ｂｒ₂ との比Ｂｒ₁ ／Ｂｒ₂ 、再生信
号のＳ／Ｎを示した。本実施例による磁気記録媒体にお
ける中心線平均面粗さの微細な変動の波長は、いずれも
３０ｎｍ程度であった。

【００４６】

【表１】

【００４７】表１から明らかなように、スパッタリング
法を用いた比較例に較べ、本実施例のレーザー蒸着法に
よる試料では結晶粒径が小さいため、Ｃｒ中間膜の膜厚
分布、媒体表面の中心線平均粗さ、及びヘッドシーク試
験時の接触回数を著しく小さい値とすることができた。
また、Ｃｒ下地膜及び磁性膜のＸ線回折ピーク強度が比
較例より増した。これはレーザー蒸着により得られた膜
が比較例より緻密であること、及び結晶粒径が比較例よ
り小さいため膜表面が平滑となり、格子面が実質的に基
板面と平行となるためである。従って、この時には磁性
膜の磁化容易方向であるｃ軸は実質的に基板面と平行で
ある。本実施例では膜中のＡｒガスの成分は０．０５ａ
ｔ％以下であった。

【００４８】以上のような結晶配向性の結果、レーザー
蒸着法による試料ではＨｃ及びＢｒ ₁／Ｂｒ₂が比較例に
比べ向上している。さらに、再生信号のＳ／Ｎもレーザ
ー蒸着法による試料の方が比較例に較べ増加した。これ
は、上述の磁性膜の結晶粒径の微細化、非磁性中間層の
膜厚均一化、結晶配向性の向上、Ｈｃ及びＢｒ₁ ／Ｂｒ
₂ の向上、及びＡｒガスの混入による欠陥等がないこと
によるものである。

【００４９】以上の効果はレーザーの種類を変えた場合
でも同様に認められ、１パルスあたりのエネルギー密度
を１Ｊ／ｃｍ² 以上、１００Ｊ／ｃｍ² 以下、発振周波
数を１Ｈｚ以上、１００Ｈｚ以下とした場合でも同様に
認められた。また、磁性膜にＣｏ−１０Ｎｉ−１０Ｃｒ
（原子％）、Ｃｏ−４０Ｎｉ−５Ｚｒ（原子％）、Ｃｏ
−３０Ｎｉ−２０Ｐｔ（原子％）を用いた場合でも上記
効果は確認された。

【００５０】上記磁気記録媒体の磁性膜のみをレーザー
蒸着法により作成し、それ以外の膜を従来のマグネトロ
ンスパッタリングにより作成した場合でも、全ての膜を
マグネトロンスパッタリングにより作成した比較例に較
べ、媒体表面の中心線平均粗さＲａが２０〜４０％低減
し、その結果、ヘッド浮上量０．０５μｍにおける接触
回数が２０〜４０％減少し、再生信号のＳ／Ｎが増加す
るなどの特性向上が確認された。

【００５１】上記磁気記録媒体のカーボン、Ｗ−Ｃ、
（Ｗ−Ｍｏ）−Ｃ、（Ｗ−Ｚｒ）−Ｃ、ＳｉＣ、（Ｚｒ
−Ｎｂ）−Ｎ、Ｓｉ₃Ｎ₄ 、ＳｉＯ₂ 、ＺｒＯ₂ 、ボロ
ン、Ｂ₄Ｃ、ＭｏＳ₂ 、又はＲｈ等の保護膜のみをレー
ザー蒸着法により作成し、それ以外の膜を従来のマグネ
トロンスパッタリングにより作成した場合でも、全ての
膜をマグネトロンスパッタリングにより作成した比較例
に較べ、媒体表面の中心線平均粗さＲａが２０〜４０％
低減し、その結果、ヘッド浮上量０．０５μｍにおける
接触回数が２０〜４０％減少するなどの特性向上が確認
された。また、下地膜を形成せずとも同等の特性のもの
が得られた。

【００５２】〔実施例２〕外径４８ｍｍ、内径１２ｍ
ｍ、厚さ０．４４ｍｍのカーボンディスク基板上に実施
例１と同様のレーザー蒸着装置を用いて、膜厚５０ｎｍ
のＮｉ−３０Ｐ（原子％）下地膜、その上に膜厚１５０
ｎｍのＣｒ−２０Ｔｉ（原子％）下地膜を形成した。さ
らに下地膜上に膜厚１５ｎｍのＣｏ−２５Ｃｒ−２０Ｐ
ｔ（原子％）合金系磁性膜、及び膜厚２０ｎｍの水素含
有カーボン保護膜を形成した。この時、蒸着源上の１パ
ルスあたりのレーザー照射エネルギー密度は１０Ｊ／ｃ
ｍ² 、発振周波数は１００Ｈｚ、蒸着源と基板との間隔
は１０ｃｍ、レーザー１パルスあたりの成膜量は０．０
０１ｎｍとした。最後に保護膜上に吸着性のパーフルオ
ロアルキルポリエーテル等の潤滑層を形成した。

【００５３】上記方法により形成された磁気記録媒体を
Ｘ線回折分析した結果、Ｃｒ下地層では体心立方構造の
（１１０）結晶格子面が基板面と略並行となるよう結晶
が配向成長していた。また、磁性層では六方晶構造の
（１００）面がディスク基板表面と略並行となるよう配
向していた。また、膜中に不活性ガスは０．０１ａｔ％
以下の感度で全く認められなかった。

【００５４】本実施例の媒体を用いて、浮上量０．０３
μｍにおいてＭＲヘッドを媒体内周から外周まで１０万
回シークした結果、ヘッドと媒体の接触は全く起こらな
いことが確認された。また、比較例として、上記媒体試
料と全く同じ膜厚構成の試料を、直流マグネトロンスパ
ッタリング法を用いてアルゴン圧１５ｍＴｏｒｒで形成
し、本実施例のレーザー蒸着法により作成した試料と比
較した。また、本媒体の静磁気特性、及びＭＲヘッドを
用いた場合の記録再生特性を実施例１と同様に求めた。

【００５５】下地膜及び磁性膜を形成する際の基板加熱
温度と記録再生信号のＳ／Ｎの関係を図４に示す。基板
加熱温度を２５０℃以上、５５０℃以下とすることによ
りＳ／Ｎは４以上となり、従来技術による比較例のＳ／
Ｎの値１．５に較べ高い値を示した。以上の効果はＴｉ
Ｏ₂基板、Ｔｉ基板、ＳｉＣ基板、化学強化ガラス基板
でも同様に認められた。また、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｔ
ａ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｂ、Ｂｅ、Ｃ、Ｎｉ−Ｐの少な
くとも一つを主たる成分として、膜厚が０．５ｎｍ〜５
ｎｍである非磁性中間膜により磁性膜を２膜以上に多膜
化すると、単膜の磁性膜に比べて媒体ノイズＮｄは約４
０％低減した。また、Ｃｒ、Ｍｏ、あるいはＷを主たる
成分とし、Ｔｉ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｖ、
Ｐのいずれか少なくとも１種の元素を添加した合金下地
膜を膜厚１ｎｍ以上、５００ｎｍ以下となるよう形成し
た場合も、同様の結果が得られた。

【００５６】〔実施例３〕実施例１と同等の特性を有す
る磁気記録媒体のカーボン保護膜表面に開口部のピッチ
が１〜１００μｍに分布している粒子状マスクを設置し
た。その後、マスクに覆われない部分のカーボン保護膜
を酸素プラズマエッチングにより深さ１ｎｍ以上、２０
ｎｍ未満エッチングした。こうして得られた磁気記録媒
体の縦断面構造を図５に示す。図５において符号５１は
磁気ディスク基板、５２は非磁性第１下地膜、５３は非
磁性第２下地膜、５４は金属磁性膜、５５は非磁性中間
膜、５６は非磁性保護膜、５７は保護膜エッチング部で
あり、保護膜表面にピッチ１μｍ以上、１００μｍ以下
の凹凸が形成された。

【００５７】本実施例の媒体を用いてヘッドの浮上性、
及び耐摺動信頼性を測定した。ロードアンロード方式に
よりヘッドを浮上した場合には、本媒体は実施例１と同
等の耐摺動信頼性を示したが、特に、コンタクト・スタ
ート・ストップ方式でヘッドを浮上させた場合には、実
施例１の媒体よりヘッドの粘着を低減することができ、
寿命は２倍に向上した。ヘッドの浮上性は実施例１の媒
体と同等であった。また、保護膜としてＷ−Ｃ、（Ｗ−
Ｍｏ）−Ｃ、（Ｗ−Ｚｒ）−Ｃ、ＳｉＣ、（Ｚｒ−Ｎ
ｂ）−Ｎ、Ｓｉ₃Ｎ₄ 、ＳｉＯ₂ 、ＺｒＯ₂ 、ボロン、
Ｂ₄Ｃ、ＭｏＳ₂ 等を用いた場合にも上記と同様の効果
が認められた。

【００５８】〔実施例４〕再生部にＭＲ素子を有する複
合型薄膜磁気ヘッドを、従来、スパッタリング法や真空
蒸着法等を用いていた薄膜形成プロセスを、実施例１と
同様の装置を用いたレーザー蒸着法により形成した。蒸
着源にはそれぞれの薄膜と同じ組成を有するターゲット
を用いた。また、パターン形成法、ヘッド切り出し法
等、薄膜形成プロセス以外の工程は従来と同じ方法によ
ってヘッドを形成した。

【００５９】ヘッドを浮上面側から見た構造を図６に示
す。再生ヘッド部６１は２枚の磁気シールド６２に挾ま
れ、両端に電極６３を設けた磁気抵抗効果素子６４から
なる。記録ヘッド部６５はメッキ法によるコイルを挾ん
だ、スパッタリング法によるＣｏ−Ｔａ−Ｚｒ、メッキ
法によるＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ等の合金を用いた２つの記録
用磁極６６からなる。記録用磁極はスパッタリング法、
メッキ法のいずれで形成してもよい。本実施例では記録
トラック幅は５μｍ、再生トラック幅は４μｍとし、磁
気シールド及び記録磁極には膜厚２μｍのＣｏ系アモル
ファス膜、もしくはＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜を用いた。６６
と６２は兼用してもよいことは言うまでもない。磁気抵
抗効果素子６４には膜厚２０ｎｍのパーマロイを用い
た。また、パーマロイ素子の両端にはＦｅ−Ｍｎ反強磁
性膜を設けて単磁区化し、さらにバイアス磁界を印加す
るために、図中には省略して示していないが、磁気抵抗
効果膜に隣接して膜厚１５ｎｍのＴａ導電膜、及び膜厚
２０ｎｍのＮｉ−Ｆｅ−Ｒｈ−Ｃｏ膜を設け、これに分
流した電流でバイアス磁界を印加した。磁気抵抗効果素
子の長さは１５μｍ、高さは３μｍとした。磁気抵抗効
果素子の上下に設けた絶縁膜には膜厚１５０ｎｍのアル
ミナを使用した。磁気抵抗効果素子の両端に設けた電極
６３には膜厚１５０ｎｍの銅を用いた。さらに、ヘッド
スライダー部を加工した後、浮上面にスパッタリング法
によりカーボン保護膜を膜厚１０ｎｍ形成した。Ｃｏ−
Ｔａ−Ｚｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ、カーボン保護膜以外に
はＡｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ、Ｒｎの総量、もしくはＰ、
Ｓの総量は０．０１ａｔ％以下しか認められなかった。

【００６０】本方法により形成したＭＲヘッドは、従来
のスパッタリング法により形成したヘッドに比べ各層の
膜厚変動及び平坦性を１／２以下に低減することができ
た。このため、バルクハウゼンノイズの発生を完全に抑
えることができ、さらにスパッタリング法によるヘッド
に比べて１．５倍の再生感度が得られた。また、上記Ｍ
Ｒヘッドにおいて、レーザー蒸着法により磁気抵抗効果
素子のみを形成し、その他の部分を従来のスパッタリン
グ法等により形成した場合も、全ての部分を従来のスパ
ッタリング法等により形成したヘッドに比べ、バルクハ
ウゼンノイズの発生を完全に抑えることができ、さらに
スパッタリング法によるヘッドに比べて１．３倍の再生
感度が得られた。

【００６１】さらに、素子部の表面に保護膜としてカー
ボン、Ｗ−Ｃ、（Ｗ−Ｍｏ）−Ｃ、（Ｗ−Ｚｒ）−Ｃ、
ＳｉＣ、（Ｚｒ−Ｎｂ）−Ｎ、Ｓｉ₃Ｎ₄ 、ＳｉＯ₂ 、
ＺｒＯ₂ 、ボロン、Ｂ₄Ｃ、ＭｏＳ₂ 等を本発明のレー
ザー蒸着法により形成することにより、従来のスパッタ
リング法により形成した場合に比べてヘッドが媒体に接
触した際のノイズの発生を１／２に低減でき、また、耐
食性も２倍に向上した。

【００６２】〔実施例５〕再生部に巨大磁気抵抗効果膜
を有する複合型薄膜磁気ヘッドを、従来、イオンビーム
スパッタリング法による薄膜形成プロセスを、実施例１
と同様の装置を用いたレーザー蒸着法により形成した。
蒸着源にはそれぞれの薄膜と同じ組成を有するターゲッ
トを用いた。また、パターン形成法、ヘッド切り出し法
等、薄膜形成プロセス以外の工程は従来と同じ方法によ
ってヘッドを形成した。

【００６３】本発明で形成した巨大磁気抵抗効果膜の断
面構造を図７に示す。基板７１にはＳｉ（１００）を用
い、バッファ層７２として厚さ５ｎｍのＨｆを用いた。
磁性層７３及び７５には、厚さ３ｎｍのＮｉ−２０Ｆｅ
（原子％）合金を用いた。非磁性層７４には、厚さ２ｎ
ｍのＣｕを用いた。また、反強磁性層７６には、厚さ５
ｎｍのＦｅ−４０Ｍｎ（原子％）合金を用いた。また、
保護層７７には、厚さ５ｎｍのＨｆを用いた。膜形成速
度は、０．１〜０．２ｎｍ／ｓである。また、膜中のＡ
ｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ、Ｒｎの総量、もしくはＰ、Ｓの
総量は０．０１ａｔ％以下しか認められなかった。

【００６４】本発明のレーザー蒸着法を用いて作成した
場合には、従来のイオンビームスパッタリング法等によ
り形成した場合に比べ、各層の膜厚変動及び平坦性を１
／２以下に低減することができた。このため、バルクハ
ウゼンノイズの発生を完全に抑えることができ、さらに
スパッタリング法によるヘッドに比べて１．４倍の再生
感度が得られた。

【００６５】〔実施例６〕実施例１〜３に示した媒体４
枚と、実施例４〜５に示した再生部に磁気抵抗効果素子
を有する複合型薄膜磁気ヘッド７個と、Ｎｉ−Ｆｅ合金
を記録再生用磁極とするサーボ用の薄膜ヘッドとを組み
合わせた磁気記録装置を試作した。本装置は、図８に示
すように磁気記録媒体８１、磁気記録媒体駆動部８２、
磁気ヘッド８３、磁気ヘッド駆動部８４、記録再生信号
処理系８５などの部品から構成される。

【００６６】この磁気記録装置を使用し、スペーシング
０．０５μｍにおいてエラーが発生するまでの平均時間
を求めたところ、スパッタリング法などの従来の方法の
みを用いて製造した磁気記録部品からなる磁気記録装置
の場合の約２倍になり、信頼性が極めて高いことを実証
できた。また、本実施例で試作した磁気記録装置はヘッ
ド浮上量が低いため、信号の記録再生における位相マー
ジンが広くなり、比較例の媒体を用いた浮上量０．１２
μｍの装置に比べて面記録密度を３倍に高めることがで
き、小形で大容量の磁気記録装置を提供できた。本実施
例の装置を用いてトラック幅が５μｍ以下のＭＲヘッド
で再生した場合に１００ｋＢＰＩ以上の高い記録密度に
おいてＳ／Ｎが４以上、さらに、オーバーライト（Ｏ／
Ｗ）特性が２６ｄＢ以上の大容量磁気記録装置が得られ
た。特に、３．５ｋＴＰＩ以上の高記録密度時にも本実
施例の媒体はトラック幅方向の書きにじみが充分に行わ
れるため、高いＳ／Ｎが得られた。また、基板表面のテ
クスチャー形状が小さく、高密度であり、方向が無秩序
であるためサーボ信号の品位も高く、良好なヘッド位置
決めが可能であった。

【００６７】前記実施例では、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅもしく
はＣｏ−Ｔａ−Ｚｒ合金を磁極材とする薄膜磁気ヘッド
を用いた場合について説明したが、Ｎｉ−Ｆｅ、Ｆｅ−
Ａｌ合金磁性膜、もしくはこれらを用いた多層磁性膜等
を記録用磁極材とする録再分離型薄膜磁気ヘッド、Ｃｏ
−Ｔａ−Ｚｒ、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金等をギャップ部に
設けたメタル・イン・ギャップ型（ＭＩＧ）録再分離複
合磁気ヘッド、さらには誘導型薄膜ヘッド又はＭＩＧヘ
ッドを用いた場合にも同様の効果が得られることを確認
した。

【００６８】

【発明の効果】本発明によれば、下地膜、ＭＲ膜、磁気
記録膜、非磁性中間膜、保護膜等を結晶粒が小さく緻密
にして極めて薄い膜厚で、しかも優れた膜厚均一性で高
強度に、かつ不均一歪がなく形成することができ、Ｓ／
Ｎが極めて高く高密度記録が可能な磁気記録媒体、及び
膜厚の揺らぎに起因するＭＲ膜と磁化バイアス膜との余
分な磁気的な相互作用や膜内の局所的な応力の発生を抑
制して再生出力感度を高めると共にバルクハウゼンノイ
ズを低減した薄膜磁気ヘッドを得ることができ、さらに
これらの磁気記録媒体及び磁気ヘッドを用いて小形で大
容量かつ高信頼性の磁気記録装置を実現することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の薄膜型磁気記録媒体の縦断
面構造図。

【図２】本発明の一実施例のレーザー蒸着室の構造図。

【図３】本発明の一実施例のレーザー蒸着室の蒸発粒子
運動エネルギー制御部の構造図。

【図４】本発明の一実施例の基板加熱温度とＳ／Ｎの関
係を示す図。

【図５】本発明の一実施例の薄膜型磁気記録媒体の縦断
面構造図。

【図６】本発明の一実施例の複合型薄膜磁気ヘッドの構
造図。

【図７】本発明の一実施例の巨大磁気抵抗効果素子の断
面構造図。

【図８】本発明の一実施例の磁気記録装置の縦断面構
造。

【符号の説明】

１１…磁気ディスク基板、１２，１２’…非磁性メッキ
層、１３，１３’…非磁性下地膜、１４，１４’…金属
磁性膜、１５，１５’…非磁性保護膜、２１…レーザー
発振装置、２２…集光走査レンズ系、２３…非磁性下地
膜蒸着源、２４…磁性膜蒸着源、２５…非磁性保護膜蒸
着源、２６…蒸着源移動系、２７…シャッター、２８…
基板、２９…基板回転軸、３１…磁場発生部、３２…偏
向電極、５１…磁気ディスク基板、５２…非磁性第１下
地膜、５３…非磁性第２下地膜、５４…金属磁性膜、５
５…非磁性中間膜、５６…非磁性保護膜、５７…保護膜
エッチング部、６１…再生ヘッド部、６２…磁気シール
ド、６３…電極、６４…磁気抵抗効果素子、６５…記録
ヘッド部、６６記録用磁極、７１…基板、７２…バッフ
ァ層、７３，７５…磁性層、７４…非磁性層、７６…反
強磁性層、７７…保護層、８１…磁気記録媒体、８２…
磁気記録媒体駆動部、８３…磁気ヘッド、８４…磁気ヘ
ッド駆動部、８５…記録再生信号処理系、２０１…基板
加熱用赤外線ランプ、２０２…レーザー光、２０３…石
英窓、２０４…蒸着室、２０５…蒸発粒子、２０６…蒸
発粒子運動エネルギー制御部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｇ１１Ｂ 5/66 9196−5Ｄ 5/82 9196−5Ｄ (72)発明者棚橋究東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性基板上に直接又は少なくとも一層
の下地膜を介して磁性膜を形成する工程と、更にその上
に保護膜を形成する工程を含む磁気記録媒体の製造方法
において、真空排気した容器内に前記基板を配置すると共に前記基
板面に蒸着用ターゲットを対向配置し、該ターゲットの
前記基板対向面に光照射してターゲットを蒸発させ、蒸
発したターゲット材料粒子を堆積させることによって前
記基板上の前記下地膜、磁性膜、保護膜の少なくとも一
種類の膜を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製
造方法。
【請求項２】前記光照射のための光源としてレーザー
を使用することを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒
体の製造方法。
【請求項３】前記レーザーとしてパルスレーザーを使
用することを特徴とする請求項２記載の磁気記録媒体の
製造方法。
【請求項４】前記ターゲットに照射するレーザー光の
１パルスあたりのエネルギー密度を５Ｊ／ｃｍ² 以上、
１００Ｊ／ｃｍ² 以下とすることを特徴とする請求項３
記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】レーザー光１パルスあたりの成膜量を
０．００１ｎｍ以上、０．１ｎｍ以下とすることを特徴
とする請求項３又は４記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】レーザーの発振周波数を１Ｈｚ以上、１
００Ｈｚ以下とすることを特徴とする請求項３、４又は
５記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項７】ターゲット上のレーザー光照射位置を
０．１ｍｍ／ｓ以上、１ｃｍ／ｓ以下の速度で移動させ
ることを特徴とする請求項２〜６のいずれか１項記載の
磁気記録媒体の製造方法。
【請求項８】ターゲットと基板の間隔を５ｃｍ以上、
３０ｃｍ以下とすることを特徴とする請求項１〜７のい
ずれか１項記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項９】成膜中に基板を２５０℃以上、５５０℃
以下に加熱することを特徴とする請求項１〜８のいずれ
か１項記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１０】成膜中に基板に到達する帯電蒸着粒子
の運動エネルギーが０．１ｅＶ以上、５０ｅＶ以下であ
ることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項記載の
磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１１】基板上に直接又は少なくとも一層の下
地膜を介して磁性膜を形成する工程と、表面に保護膜を
形成する工程を含む磁気ヘッドの製造方法において、真空排気した容器内に前記基板を配置すると共に前記基
板面に蒸着用ターゲットを対向配置し、該ターゲットの
前記基板対向面に光照射してターゲットを蒸発させ、蒸
発したターゲット材料粒子を堆積させることによって前
記基板上の前記下地膜、磁性膜、保護膜の少なくとも一
種類の膜を形成することを特徴とする磁気ヘッドの製造
方法。
【請求項１２】再生部に磁気抵抗効果膜を形成するこ
とを特徴とする請求項１１記載の磁気ヘッドの製造方
法。
【請求項１３】再生部に巨大磁気抵抗効果膜を形成す
ることを特徴とする請求項１１記載の磁気ヘッドの製造
方法。
【請求項１４】前記光照射のための光源としてレーザ
ーを使用することを特徴とする請求項１１、１２又は１
３記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１５】前記レーザーとしてパルスレーザーを
使用することを特徴とする請求項１４記載の磁気ヘッド
の製造方法。
【請求項１６】前記ターゲットに照射するレーザー光
の１パルスあたりのエネルギー密度を５Ｊ／ｃｍ² 以
上、１００Ｊ／ｃｍ² 以下とすることを特徴とする請求
項１５記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１７】レーザー光１パルスあたりの成膜量を
０．００１ｎｍ以上、０．１ｎｍ以下とすることを特徴
とする請求項１５又は１６記載の磁気ヘッドの製造方
法。
【請求項１８】レーザーの発振周波数を１Ｈｚ以上、
１００Ｈｚ以下とすることを特徴とする請求項１５、１
６又は１７記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１９】ターゲット上のレーザー光照射位置を
０．１ｍｍ／ｓ以上、１ｃｍ／ｓ以下の速度で移動させ
ることを特徴とする請求項１４〜１８のいずれか１項記
載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２０】ターゲットと基板の間隔を５ｃｍ以
上、３０ｃｍ以下とすることを特徴とする請求項１１〜
１９のいずれか１項記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２１】成膜中に基板を２５０℃以上、５５０
℃以下に加熱することを特徴とする請求項１１〜２０の
いずれか１項記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２２】成膜中に基板に到達する帯電蒸着粒子
の運動エネルギーが０．１ｅＶ以上、５０ｅＶ以下であ
ることを特徴とする請求項１１〜２１のいずれか１項記
載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２３】基板を回転可能に支持する支持手段、
前記支持手段を回転駆動する手段、基板を所定温度に加
熱する手段、複数の蒸着用ターゲットを支持すると共に
選択されたターゲットを前記基板に対向配置させるター
ゲット駆動手段、及び前記基板に配向配置されたターゲ
ットと前記基板の間に位置し高エネルギーの帯電粒子を
除去するための蒸着粒子運動エネルギー制御部を内部に
収容し光学窓を有する蒸着室と、該蒸着室を真空排気す
る手段と、レーザー光源と、光走査手段とを含み、前記レーザー光源からのレーザー光を前記光走査手段を
通した後、真空排気された前記蒸着室の光学窓を介して
前記蒸着室に入射させ、前記基板に対向配置されたター
ゲットの表面に集光させると共に前記光走査手段によっ
てターゲット表面上を２次元的に走査させ、該ターゲッ
トから蒸発した粒子を前記蒸着粒子運動エネルギー制御
部を通過させた後、前記基板表面に堆積させることを特
徴とするレーザー蒸着装置。
【請求項２４】蒸着粒子運動エネルギー制御部は運動
エネルギーの高い帯電蒸着粒子を除去するための磁場発
生部を有することを特徴とする請求項２３記載のレーザ
ー蒸着装置。
【請求項２５】蒸着粒子運動エネルギー制御部は運動
エネルギーの高い荷電蒸着粒子を除去するための偏向電
極を有することを特徴とする請求項２３記載のレーザー
蒸着装置。
【請求項２６】請求項１〜１０のいずれか１項記載の
製造方法により製造された磁気記録媒体であって、ヘッ
ド走行方向と垂直の方向に測定した媒体表面の中心線平
均粗さが０．３ｎｍ以上、３ｎｍ以下であることを特徴
とする磁気記録媒体。
【請求項２７】請求項１〜１０のいずれか１項記載の
製造方法により製造された磁気記録媒体であって、非磁
性ディスク基板とＣｏを主たる元素とする磁性膜との間
にＣｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｔａのいずれか又はそれを主
たる成分とする合金からなる膜厚１ｎｍ以上、５００ｎ
ｍ以下の下地膜を磁性膜に隣接して設けたことを特徴と
する磁気記録媒体。
【請求項２８】請求項１〜１０のいずれか１項記載の
製造方法により製造された磁気記録媒体であって、Ｃ
ｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｂ、Ｂ
ｅ、Ｃ、Ｎｉ−Ｐの少なくとも一つを主たる成分とする
膜厚０．５ｎｍ以上、５ｎｍ以下の非磁性中間膜により
磁性膜を２膜以上に多膜化したことを特徴とする磁気記
録媒体。
【請求項２９】請求項１〜１０のいずれか１項記載の
製造方法により製造された磁気記録媒体であって、磁性
膜の磁化容易軸が実質的に基板面内の方向に配向してい
ることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項３０】請求項１〜１０のいずれか１項記載の
製造方法により製造された磁気記録媒体であって、六方
晶構造を有する磁性膜のｃ軸が実質的に基板面内の方向
に配向していることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項３１】請求項１〜１０のいずれか１項記載の
製造方法により製造された磁気記録媒体であって、磁性
膜がＣｏ−Ｎｉ−Ｚｒ系、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系、Ｃｏ−
Ｃｒ−Ｎｉ系、又はＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系の合金を主たる
成分とすることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項３２】膜中に含有されるＡｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、
Ｋｒ、Ｘｅ、Ｒｎの総量、もしくはＰ、Ｓの総量のいず
れもが０．１ａｔ％以下である薄膜を少なくとも１種含
む磁気記録媒体。
【請求項３３】膜表面の微細中心線平均面粗さの波長
が１ｎｍ以上、４０ｎｍ以下である薄膜を少なくとも１
種含む磁気記録媒体。
【請求項３４】請求項１１〜２２のいずれか１項記載
の製造方法により製造された磁気ヘッド。
【請求項３５】膜中に含有されるＡｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、
Ｋｒ、Ｘｅ、Ｒｎの総量、もしくはＰ、Ｓの総量のいず
れもが０．１ａｔ％以下である薄膜を少なくとも１種含
む磁気ヘッド。
【請求項３６】膜表面の微細中心線平均面粗さの波長
が１ｎｍ以上、４０ｎｍ以下である薄膜を少なくとも１
種含む磁気ヘッド。
【請求項３７】請求項２６〜３３のいずれか１項記載
の磁気記録媒体と、磁気記録媒体駆動部と、請求項３４
〜３６のいずれか１項記載の磁気ヘッドと、磁気ヘッド
駆動部と、記録再生信号処理系と含み、磁気記録媒体表
面に対する磁気ヘッドの浮上量が０．０１μｍ以上、
０．１μｍ以下であることを特徴とする磁気記録装置。
【請求項３８】磁気記録媒体と、磁気記録媒体駆動部
と、磁気抵抗効果型再生部を有する磁気ヘッドと、磁気
ヘッド駆動部と、記録再生信号処理系とを含む磁気記録
装置において、請求項２６〜３３のいずれか１項記載の
磁気記録媒体、又は請求項３４〜３６のいずれか１項記
載の磁気ヘッドの少なくとも一つを備えることを特徴と
する磁気記録装置。
【請求項３９】線記録密度が１００ｋＢＰＩ以上であ
る請求項２６〜３３のいずれか１項記載の磁気記録媒体
と磁気抵抗効果素子を備える磁気ヘッドとを含むことを
特徴とする磁気記録装置。
【請求項４０】記録トラック密度が３．５ｋＴＰＩ以
上である請求項２６〜３３のいずれか１項記載の磁気記
録媒体と磁気抵抗効果素子を備える磁気ヘッドとを含む
ことを特徴とする磁気記録装置。