JP2000348326A - 垂直磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 - Google Patents
垂直磁気記録媒体及び磁気記録再生装置Info
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- JP2000348326A JP2000348326A JP11162051A JP16205199A JP2000348326A JP 2000348326 A JP2000348326 A JP 2000348326A JP 11162051 A JP11162051 A JP 11162051A JP 16205199 A JP16205199 A JP 16205199A JP 2000348326 A JP2000348326 A JP 2000348326A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高速で高密度磁気記録に適するように改良さ
れた垂直磁気記録媒体及びこれを用いた記録再生装置を
提供する。 【解決手段】 ２層垂直媒体の裏打磁性膜を３層以上の
多層膜（１２〜１５）とすることにより、垂直磁気記録
媒体の表面平坦性、媒体Ｓ／Ｎ、高周波記録特性を改善
する。
れた垂直磁気記録媒体及びこれを用いた記録再生装置を
提供する。 【解決手段】 ２層垂直媒体の裏打磁性膜を３層以上の
多層膜（１２〜１５）とすることにより、垂直磁気記録
媒体の表面平坦性、媒体Ｓ／Ｎ、高周波記録特性を改善
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高密度磁気記録に
適する垂直磁気記録媒体及びこれを用いた磁気記録再生
装置に関する。
適する垂直磁気記録媒体及びこれを用いた磁気記録再生
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在実用化されている磁気ディスク装置
は面内磁気記録方式を採用しており、ディスク基板面と
平行な方向に磁化し易い面内磁気記録媒体に基板と平行
な面内磁区を高密度に形成することが技術課題となって
いる。この方式で面記録密度、特に線記録密度を伸ばす
ためには、面内磁気記録媒体の保磁力を向上するととも
に記録磁性膜の厚さを低減することが必要である。磁性
膜の保磁力が４ｋＯｅを超えると、磁気ヘッドによる記
録が困難になり、また磁性膜の厚さがＣｏ合金系磁性膜
では１５ｎｍ以下になると、熱揺らぎのために記録磁化
強度が時間の経過につれて減少する問題が発生する。面
内記録方式は、隣接する記録ビットの磁化が互いに向あ
っており境界に幅をもった磁化遷移領域が形成されると
いう本質的な問題があるため、主として前記の理由が原
因で３０Ｇｂ／ｉｎ2以上の面記録密度を実現するため
には、技術的な困難が予想されている。
は面内磁気記録方式を採用しており、ディスク基板面と
平行な方向に磁化し易い面内磁気記録媒体に基板と平行
な面内磁区を高密度に形成することが技術課題となって
いる。この方式で面記録密度、特に線記録密度を伸ばす
ためには、面内磁気記録媒体の保磁力を向上するととも
に記録磁性膜の厚さを低減することが必要である。磁性
膜の保磁力が４ｋＯｅを超えると、磁気ヘッドによる記
録が困難になり、また磁性膜の厚さがＣｏ合金系磁性膜
では１５ｎｍ以下になると、熱揺らぎのために記録磁化
強度が時間の経過につれて減少する問題が発生する。面
内記録方式は、隣接する記録ビットの磁化が互いに向あ
っており境界に幅をもった磁化遷移領域が形成されると
いう本質的な問題があるため、主として前記の理由が原
因で３０Ｇｂ／ｉｎ2以上の面記録密度を実現するため
には、技術的な困難が予想されている。
【０００３】垂直磁気記録方式は、薄膜媒体の膜面に垂
直に磁化を形成する方式であり、記録原理や媒体ノイズ
の発現機構が従来の面内磁気記録媒体の場合とは異な
る。垂直磁気記録方式は、隣接する磁化が逆平行になる
ために、本質的に高密度磁気記録に適した方式として注
目され、垂直磁気記録に適した媒体の構造などが提案さ
れている。垂直磁気記録方式には、単層の垂直磁化膜を
用いる方式と垂直磁化膜に裏打磁性膜を設ける方式があ
る。裏打磁性膜を持つ２層垂直磁気記録媒体を用いる技
術は、例えばIEEE Transaction on Magnetics, Vol.MAG
-20, No.5, September 1984, pp.657-662, "Perpendicu
lar Magnetic Recording-Evolution and Future"に記述
されている。この方式の垂直磁気記録媒体としてはパー
マロイなどの軟磁性膜層からなる裏打層上にＣｏ−Ｃｒ
合金からなる垂直磁化膜を設けた媒体が検討されてい
る。
直に磁化を形成する方式であり、記録原理や媒体ノイズ
の発現機構が従来の面内磁気記録媒体の場合とは異な
る。垂直磁気記録方式は、隣接する磁化が逆平行になる
ために、本質的に高密度磁気記録に適した方式として注
目され、垂直磁気記録に適した媒体の構造などが提案さ
れている。垂直磁気記録方式には、単層の垂直磁化膜を
用いる方式と垂直磁化膜に裏打磁性膜を設ける方式があ
る。裏打磁性膜を持つ２層垂直磁気記録媒体を用いる技
術は、例えばIEEE Transaction on Magnetics, Vol.MAG
-20, No.5, September 1984, pp.657-662, "Perpendicu
lar Magnetic Recording-Evolution and Future"に記述
されている。この方式の垂直磁気記録媒体としてはパー
マロイなどの軟磁性膜層からなる裏打層上にＣｏ−Ｃｒ
合金からなる垂直磁化膜を設けた媒体が検討されてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】２層垂直磁気記録媒体
を用いる垂直磁気記録方式により３０Ｇｂ／ｉｎ2以上
の高密度磁気記録が可能な磁気記録再生装置を実用化す
るためには、媒体ノイズの低下と媒体表面の平坦化が不
可欠である。媒体ノイズは、垂直磁化膜と裏打磁性膜の
双方から発生しており、特に裏打磁性膜から発生するス
パイク状のノイズが問題となっていた。このようなノイ
ズの例は、例えばIEEE Transaction on Magnetics, Vo
l.MAG-20, No.5, September 1984, pp.663-668, "Cruci
al Points in Perpendicular Recording"に記述されて
いる。
を用いる垂直磁気記録方式により３０Ｇｂ／ｉｎ2以上
の高密度磁気記録が可能な磁気記録再生装置を実用化す
るためには、媒体ノイズの低下と媒体表面の平坦化が不
可欠である。媒体ノイズは、垂直磁化膜と裏打磁性膜の
双方から発生しており、特に裏打磁性膜から発生するス
パイク状のノイズが問題となっていた。このようなノイ
ズの例は、例えばIEEE Transaction on Magnetics, Vo
l.MAG-20, No.5, September 1984, pp.663-668, "Cruci
al Points in Perpendicular Recording"に記述されて
いる。
【０００５】このような問題に対して、裏打磁性膜の下
部に面内磁化膜を形成する方法が、例えば日本応用磁気
学会誌，Vol.21, Supplement No.S1, pp.104-108, "３
層垂直媒体の高Ｓ／Ｎ化及び記録信号の安定性" に見ら
れるように提案されているが、３０Ｇｂ／ｉｎ2以上の
高密度磁気記録が可能な磁気記録再生装置を実用化する
ためには必ずしも十分ではなかった。さらに高密度記録
のために必要な媒体としての条件である、表面の平坦化
に関しては有効な方法は殆ど提案されていない。本発明
の目的は、３０Ｇｂ／ｉｎ2以上の高密度記録密度を実
現するための低ノイズ特性、表面の平坦性を持つ垂直磁
気記録媒体を提供し、高密度記録再生装置の実現を容易
ならしめることにある。
部に面内磁化膜を形成する方法が、例えば日本応用磁気
学会誌，Vol.21, Supplement No.S1, pp.104-108, "３
層垂直媒体の高Ｓ／Ｎ化及び記録信号の安定性" に見ら
れるように提案されているが、３０Ｇｂ／ｉｎ2以上の
高密度磁気記録が可能な磁気記録再生装置を実用化する
ためには必ずしも十分ではなかった。さらに高密度記録
のために必要な媒体としての条件である、表面の平坦化
に関しては有効な方法は殆ど提案されていない。本発明
の目的は、３０Ｇｂ／ｉｎ2以上の高密度記録密度を実
現するための低ノイズ特性、表面の平坦性を持つ垂直磁
気記録媒体を提供し、高密度記録再生装置の実現を容易
ならしめることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】低ノイズ特性と表面の平
坦性を持つ垂直磁気記録媒体を実現するために、本発明
では非磁性基板上に裏打磁性膜層を介して垂直磁化膜、
保護潤滑膜が設けられた垂直磁気記録媒体において、裏
打磁性膜層を少なくとも１種の軟磁性膜と少なくとも１
種のＬ１0型結晶の磁性材料を含むグラニュラー構造を
持つ硬磁性膜からなる２層以上の多層膜から構成する。
軟磁性膜は、例えば保磁力で定義するとき、数十Ｏｅ以
下の膜であり、硬磁性膜は数百Ｏｅ以上の膜である。
坦性を持つ垂直磁気記録媒体を実現するために、本発明
では非磁性基板上に裏打磁性膜層を介して垂直磁化膜、
保護潤滑膜が設けられた垂直磁気記録媒体において、裏
打磁性膜層を少なくとも１種の軟磁性膜と少なくとも１
種のＬ１0型結晶の磁性材料を含むグラニュラー構造を
持つ硬磁性膜からなる２層以上の多層膜から構成する。
軟磁性膜は、例えば保磁力で定義するとき、数十Ｏｅ以
下の膜であり、硬磁性膜は数百Ｏｅ以上の膜である。
【０００７】裏打磁性膜に起因するノイズを低減するた
めには、磁性膜の磁区構造を微細化するとともに磁性膜
中に存在する磁壁が容易に動かないように固定すること
が必要である。これは、裏打磁性膜を少なくとも１種の
軟磁性膜と少なくとも１種の硬磁性膜からなる２層以上
の多層膜とし、軟磁性膜を非晶質膜、硬磁性膜をグラニ
ュラー構造を持つ膜から構成することにより可能とな
る。
めには、磁性膜の磁区構造を微細化するとともに磁性膜
中に存在する磁壁が容易に動かないように固定すること
が必要である。これは、裏打磁性膜を少なくとも１種の
軟磁性膜と少なくとも１種の硬磁性膜からなる２層以上
の多層膜とし、軟磁性膜を非晶質膜、硬磁性膜をグラニ
ュラー構造を持つ膜から構成することにより可能とな
る。
【０００８】裏打磁性膜を構成する非晶質軟磁性膜と硬
磁性膜を、接触もしくは極薄の非磁性膜を介して形成す
ると、２種類の磁性膜間には磁気的相互作用が存在す
る。このため、軟磁性膜中に磁壁が存在しても相互作用
のために外部磁界中でも磁壁の移動が抑制される。ま
た、Ｌ１0構造を持つ強磁性材料と酸化物等の非磁性材
料から構成されるグラニュラー型の硬磁性膜上に軟磁性
膜を形成すると、軟磁性膜中に入る磁区構造が微細化さ
れる傾向がある。さらにグラニュラー型の膜の表面平坦
性は、膜厚が同様のＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金等の多結晶型
の磁性膜の平坦性よりも優れている。また、Ｌ１0構造
を持つ強磁性材料と酸化物等の非磁性材料から構成され
るグラニュラー型の硬磁性膜の磁気異方性エネルギーは
Ｃｏ−Ｃｒ−ＰｔなどのＣｏ基合金膜の磁気異方性エネ
ルギーよりも１０倍程度大きいためより薄い膜厚でも高
い保磁力を実現することができる。一般に、膜厚が大き
くなるほど膜の表面平坦性は劣化するため、上記グラニ
ュラー型の硬磁性膜は一定の保磁力を達成してしかも膜
厚を薄くするのに有効である。この硬磁性膜の上に直接
もしくは極薄の非磁性膜を介して非晶質構造を持つ軟磁
性膜を形成すると、表面平坦性にも優れた裏打磁性膜を
実現することができる。
磁性膜を、接触もしくは極薄の非磁性膜を介して形成す
ると、２種類の磁性膜間には磁気的相互作用が存在す
る。このため、軟磁性膜中に磁壁が存在しても相互作用
のために外部磁界中でも磁壁の移動が抑制される。ま
た、Ｌ１0構造を持つ強磁性材料と酸化物等の非磁性材
料から構成されるグラニュラー型の硬磁性膜上に軟磁性
膜を形成すると、軟磁性膜中に入る磁区構造が微細化さ
れる傾向がある。さらにグラニュラー型の膜の表面平坦
性は、膜厚が同様のＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金等の多結晶型
の磁性膜の平坦性よりも優れている。また、Ｌ１0構造
を持つ強磁性材料と酸化物等の非磁性材料から構成され
るグラニュラー型の硬磁性膜の磁気異方性エネルギーは
Ｃｏ−Ｃｒ−ＰｔなどのＣｏ基合金膜の磁気異方性エネ
ルギーよりも１０倍程度大きいためより薄い膜厚でも高
い保磁力を実現することができる。一般に、膜厚が大き
くなるほど膜の表面平坦性は劣化するため、上記グラニ
ュラー型の硬磁性膜は一定の保磁力を達成してしかも膜
厚を薄くするのに有効である。この硬磁性膜の上に直接
もしくは極薄の非磁性膜を介して非晶質構造を持つ軟磁
性膜を形成すると、表面平坦性にも優れた裏打磁性膜を
実現することができる。
【０００９】Ｌ１0構造を持つ強磁性材料としては、Ｃ
ｏ−ＰｔxもしくはＦｅ−Ｐｔy合金、もしくはこれらの
合金に他の元素を添加して得られる材料が適当である。
ここで、Ｌ１0構造を持つ強磁性材料の化学量論組成は
いずれもｘ及びｙの値は５０ａｔ％であるが、一般にあ
る程度の固溶範囲を持つため、２０ａｔ％＜ｘ＜６０ａ
ｔ％，２０ａｔ％＜ｙ＜６０ａｔ％の範囲が可能であ
る。また、添加元素として数ａｔ％程度のＢ，Ｓｉ，
Ｃ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｃｒなどを添加することも可能であ
る。グラニュラー構造を形成するための非磁性材料とし
ては、ＳｉＯ2，ＺｒＯ2，Ａｌ2Ｏ3などの酸化物やこれ
らの混晶酸化物が適当である。
ｏ−ＰｔxもしくはＦｅ−Ｐｔy合金、もしくはこれらの
合金に他の元素を添加して得られる材料が適当である。
ここで、Ｌ１0構造を持つ強磁性材料の化学量論組成は
いずれもｘ及びｙの値は５０ａｔ％であるが、一般にあ
る程度の固溶範囲を持つため、２０ａｔ％＜ｘ＜６０ａ
ｔ％，２０ａｔ％＜ｙ＜６０ａｔ％の範囲が可能であ
る。また、添加元素として数ａｔ％程度のＢ，Ｓｉ，
Ｃ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｃｒなどを添加することも可能であ
る。グラニュラー構造を形成するための非磁性材料とし
ては、ＳｉＯ2，ＺｒＯ2，Ａｌ2Ｏ3などの酸化物やこれ
らの混晶酸化物が適当である。
【００１０】また軟磁性膜としては、Ｆｅ−Ｎｉパーマ
ロイ膜等よりも電気抵抗の高い非晶質材料のＣｏ−Ｎｂ
−Ｘ（Ｘ＝Ｚｒ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｗ），Ｎｉ−Ｃｏ
−Ｙ（Ｙ＝Ｚｒ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｗ），Ｆｅ−Ｓｉ
−Ｚ（Ｚ＝Ｂ，Ａｌ）合金膜が望ましい。これらの磁性
膜は一般に微細構造が非晶質であるため、平坦な表面を
持つ膜を得る点で適当である。
ロイ膜等よりも電気抵抗の高い非晶質材料のＣｏ−Ｎｂ
−Ｘ（Ｘ＝Ｚｒ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｗ），Ｎｉ−Ｃｏ
−Ｙ（Ｙ＝Ｚｒ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｗ），Ｆｅ−Ｓｉ
−Ｚ（Ｚ＝Ｂ，Ａｌ）合金膜が望ましい。これらの磁性
膜は一般に微細構造が非晶質であるため、平坦な表面を
持つ膜を得る点で適当である。
【００１１】媒体表面を平坦化するためには、裏打磁性
膜の表面を平坦化することが必要不可欠である。一般
に、垂直磁気記録においてヘッドの記録効率を上げるた
めには、裏打磁性膜の厚さは１μｍ以上と厚いことが望
ましいとされている。同一材料でこのような厚い膜を形
成すると、膜形成の過程で膜の構造的な揺らぎが膜厚の
増大につれて拡大するため、表面の起伏Ｒａが増大す
る。この傾向は、特に多結晶構造を持つ膜の場合顕著で
ある。この問題に対しては、前述のように非晶質膜及び
グラニュラー型の磁性膜を用いることである程度対応で
きるが、これらの膜を多層化することにより更に平坦な
膜を得ることができる。
膜の表面を平坦化することが必要不可欠である。一般
に、垂直磁気記録においてヘッドの記録効率を上げるた
めには、裏打磁性膜の厚さは１μｍ以上と厚いことが望
ましいとされている。同一材料でこのような厚い膜を形
成すると、膜形成の過程で膜の構造的な揺らぎが膜厚の
増大につれて拡大するため、表面の起伏Ｒａが増大す
る。この傾向は、特に多結晶構造を持つ膜の場合顕著で
ある。この問題に対しては、前述のように非晶質膜及び
グラニュラー型の磁性膜を用いることである程度対応で
きるが、これらの膜を多層化することにより更に平坦な
膜を得ることができる。
【００１２】３０Ｇｂ／ｉｎ2以上の面記録密度を実現
するためには、磁気記録装置における磁気ヘッドと磁気
記録媒体表面の距離を１５ｎｍ以下にすることが必要で
ある。このためには、媒体表面の起伏Ｒａをクリアラン
スを考慮すると３ｎｍ以下としなければならず、このた
めには裏打磁性膜の表面起伏Ｒａはこの値以下にしなけ
ればならない。裏打磁性膜の全膜厚として１０μｍ以上
も原理的には可能であるが、媒体表面の起伏Ｒａを３ｎ
ｍ以下とするためには裏打磁性膜の全膜厚は最大でも１
μｍ、望ましくは２００ｎｍ以下とすることが必要であ
る。また。表面平坦化のためには膜厚は小さいほど良
い。裏打磁性膜を構成する硬磁性膜の厚さは上記グラニ
ュラー型の膜を用いると、膜配向制御用の非磁性膜を含
んだ場合でも２０ｎｍ程度に低減することができる。ま
た軟磁性膜の厚さは、垂直磁気記録における裏打磁性膜
のメリットを出すためには少なくとも１０ｎｍは必要で
ある。したがって本発明の場合、裏打磁性膜厚の範囲は
３０ｎｍ以上１μｍ以下が可能となる。膜形成の時間等
のプロセス条件等を考慮すると、より望ましい膜厚範囲
は３０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。
するためには、磁気記録装置における磁気ヘッドと磁気
記録媒体表面の距離を１５ｎｍ以下にすることが必要で
ある。このためには、媒体表面の起伏Ｒａをクリアラン
スを考慮すると３ｎｍ以下としなければならず、このた
めには裏打磁性膜の表面起伏Ｒａはこの値以下にしなけ
ればならない。裏打磁性膜の全膜厚として１０μｍ以上
も原理的には可能であるが、媒体表面の起伏Ｒａを３ｎ
ｍ以下とするためには裏打磁性膜の全膜厚は最大でも１
μｍ、望ましくは２００ｎｍ以下とすることが必要であ
る。また。表面平坦化のためには膜厚は小さいほど良
い。裏打磁性膜を構成する硬磁性膜の厚さは上記グラニ
ュラー型の膜を用いると、膜配向制御用の非磁性膜を含
んだ場合でも２０ｎｍ程度に低減することができる。ま
た軟磁性膜の厚さは、垂直磁気記録における裏打磁性膜
のメリットを出すためには少なくとも１０ｎｍは必要で
ある。したがって本発明の場合、裏打磁性膜厚の範囲は
３０ｎｍ以上１μｍ以下が可能となる。膜形成の時間等
のプロセス条件等を考慮すると、より望ましい膜厚範囲
は３０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。
【００１３】このような構造を持つ裏打磁性膜の上に形
成する垂直磁化膜としては、Ｃｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｃｒ−
Ｔａ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａなど
のＣｏ基合金垂直磁化膜、Ｐｔ／Ｃｏ，Ｐｄ／Ｃｏ，Ｐ
ｔ／Ｃｏ合金，Ｐｄ／Ｃｏ合金などの多層膜垂直磁化
膜、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｆｅ−Ｐｔなどの非晶質もしく
は微結晶垂直磁化膜のいずれも可能である。また、裏打
磁性膜と垂直磁化膜の間に必要に応じて膜構造制御用の
中間層を導入することも可能である。さらに、３０Ｇｂ
／ｉｎ2以上の面記録密度を実現するためには、使用す
る最大線記録密度は３００ｋＦＣＩ以上とすることが望
ましく、この場合、最短ビット長は８０ｎｍとなる。こ
れ以下の長さのビット長を実現するための垂直磁化膜の
厚さは、ビット長さの半分以下であること、すなわち４
０ｎｍ以下であることが必要である。しかし、膜厚が１
０ｎｍ以下になると熱揺らぎのために記録磁化強度が時
間の経過につれて減少する問題が発生するため、膜厚は
少なくとも１０ｎｍ以上とすることが望まれる。
成する垂直磁化膜としては、Ｃｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｃｒ−
Ｔａ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａなど
のＣｏ基合金垂直磁化膜、Ｐｔ／Ｃｏ，Ｐｄ／Ｃｏ，Ｐ
ｔ／Ｃｏ合金，Ｐｄ／Ｃｏ合金などの多層膜垂直磁化
膜、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｆｅ−Ｐｔなどの非晶質もしく
は微結晶垂直磁化膜のいずれも可能である。また、裏打
磁性膜と垂直磁化膜の間に必要に応じて膜構造制御用の
中間層を導入することも可能である。さらに、３０Ｇｂ
／ｉｎ2以上の面記録密度を実現するためには、使用す
る最大線記録密度は３００ｋＦＣＩ以上とすることが望
ましく、この場合、最短ビット長は８０ｎｍとなる。こ
れ以下の長さのビット長を実現するための垂直磁化膜の
厚さは、ビット長さの半分以下であること、すなわち４
０ｎｍ以下であることが必要である。しかし、膜厚が１
０ｎｍ以下になると熱揺らぎのために記録磁化強度が時
間の経過につれて減少する問題が発生するため、膜厚は
少なくとも１０ｎｍ以上とすることが望まれる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。 ［実施の形態１］直径２．５インチのガラス基板を用い
て、マグネトロンスパッタ法によって、図１に示す断面
構造を持つ垂直磁気記録媒体を作製した。基板１１上
に、膜厚３ｎｍのシード層１２、膜厚１０ｎｍの下地層
１３、膜厚１０ｎｍの硬磁性膜層１４、膜厚２００ｎｍ
の軟磁性膜層１５からなる裏打磁性膜を形成し、その上
に垂直磁化膜１６を２５ｎｍ、保護膜１７を５ｎｍの厚
さこの順序で形成した。シード用にはＭｇＯターゲッ
ト、下地層用にはＣｒターゲット、硬磁性膜層用にはＣ
ｏ−３５ａｔ％Ｐｔターゲット上にＳｉＯ2ペレットを
表面積比で７：３とした複合ターゲット、軟磁性膜用に
はＣｏ−５ａｔ％Ｚｒ−６ａｔ％Ｎｂターゲット、垂直
磁化膜用にＣｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−８ａｔ％Ｐｔ−４ａ
ｔ％Ｔａターゲット，保護膜用にカーボンターゲットを
用いた。スパッタのＡｒガス圧力を３ｍＴｏｒｒ、スパ
ッターパワー１０Ｗ／ｃｍ2、基板温度３００℃の条件
で形成した。ＭｇＯターゲット及び複合ターゲットを用
いた膜形成では高周波マグネトロンスパッター法を、そ
の他のターゲットではＤＣマグネトロンスパッター法を
採用した。
施の形態を説明する。 ［実施の形態１］直径２．５インチのガラス基板を用い
て、マグネトロンスパッタ法によって、図１に示す断面
構造を持つ垂直磁気記録媒体を作製した。基板１１上
に、膜厚３ｎｍのシード層１２、膜厚１０ｎｍの下地層
１３、膜厚１０ｎｍの硬磁性膜層１４、膜厚２００ｎｍ
の軟磁性膜層１５からなる裏打磁性膜を形成し、その上
に垂直磁化膜１６を２５ｎｍ、保護膜１７を５ｎｍの厚
さこの順序で形成した。シード用にはＭｇＯターゲッ
ト、下地層用にはＣｒターゲット、硬磁性膜層用にはＣ
ｏ−３５ａｔ％Ｐｔターゲット上にＳｉＯ2ペレットを
表面積比で７：３とした複合ターゲット、軟磁性膜用に
はＣｏ−５ａｔ％Ｚｒ−６ａｔ％Ｎｂターゲット、垂直
磁化膜用にＣｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−８ａｔ％Ｐｔ−４ａ
ｔ％Ｔａターゲット，保護膜用にカーボンターゲットを
用いた。スパッタのＡｒガス圧力を３ｍＴｏｒｒ、スパ
ッターパワー１０Ｗ／ｃｍ2、基板温度３００℃の条件
で形成した。ＭｇＯターゲット及び複合ターゲットを用
いた膜形成では高周波マグネトロンスパッター法を、そ
の他のターゲットではＤＣマグネトロンスパッター法を
採用した。
【００１５】同様な条件で、硬磁性膜用にＣｏ−３５ａ
ｔ％Ｐｔターゲット上に、ＺｒＯ2ペレット、Ａｌ2Ｏ3
ペレット、Ｓｉ3Ｎ4ペレットをそれぞれ表面積比で７：
３とした複合ターゲットを用いた以外は前記と同様な垂
直磁気記録媒体を作製した。また、同様な条件で、硬磁
性膜用にＦｅ−４５ａｔ％Ｐｔターゲット上に、ＳｉＯ
2ペレット、ＺｒＯ2ペレット、Ａｌ2Ｏ3ペレット、Ｓｉ
3Ｎ4ペレットをそれぞれ表面積比で７：３とした複合タ
ーゲットを用いた以外は前記と同様な垂直媒体を作製し
た。
ｔ％Ｐｔターゲット上に、ＺｒＯ2ペレット、Ａｌ2Ｏ3
ペレット、Ｓｉ3Ｎ4ペレットをそれぞれ表面積比で７：
３とした複合ターゲットを用いた以外は前記と同様な垂
直磁気記録媒体を作製した。また、同様な条件で、硬磁
性膜用にＦｅ−４５ａｔ％Ｐｔターゲット上に、ＳｉＯ
2ペレット、ＺｒＯ2ペレット、Ａｌ2Ｏ3ペレット、Ｓｉ
3Ｎ4ペレットをそれぞれ表面積比で７：３とした複合タ
ーゲットを用いた以外は前記と同様な垂直媒体を作製し
た。
【００１６】Ｘ線回折法及び電子顕微鏡法で各々の硬磁
性膜とＣｏ−５ａｔ％Ｚｒ−６ａｔ％Ｎｂ膜の構造を調
べた結果、前者は結晶粒径が８ｎｍから２５ｎｍの磁性
金属相と酸化物相が混在したグラニュラー構造を持ち、
後者は非晶質であることを確認した。
性膜とＣｏ−５ａｔ％Ｚｒ−６ａｔ％Ｎｂ膜の構造を調
べた結果、前者は結晶粒径が８ｎｍから２５ｎｍの磁性
金属相と酸化物相が混在したグラニュラー構造を持ち、
後者は非晶質であることを確認した。
【００１７】比較試料１として、ガラス基板上に厚さ２
００ｎｍのＣｏ−５ａｔ％Ｚｒ−６ａｔ％Ｎｂ膜の単層
からなる裏打磁性膜を形成し、その上に厚さ２５ｎｍの
Ｃｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−８ａｔ％Ｐｔ−４ａｔ％Ｔａか
らなる垂直磁化膜、厚さ５ｎｍのカーボンからなる保護
膜を形成した試料を、同様のスパッタ条件で作成した。
比較試料２として、ガラス基板上に厚さ１５ｎｍのＣｒ
下地膜、厚さ３０ｎｍのＣｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−１０ａ
ｔ％Ｐｔ硬磁性膜、厚さ２００ｎｍのＣｏ−５ａｔ％Ｚ
ｒ−６ａｔ％Ｎｂ膜からなる裏打磁性膜を形成し、その
上に厚さ２５ｎｍ厚のＣｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−８ａｔ％
Ｐｔ−４ａｔ％Ｔａからなる垂直磁化膜、厚さ５ｎｍの
カーボンからなる保護膜を形成した試料を、同様のスパ
ッタ条件で作成した。
００ｎｍのＣｏ−５ａｔ％Ｚｒ−６ａｔ％Ｎｂ膜の単層
からなる裏打磁性膜を形成し、その上に厚さ２５ｎｍの
Ｃｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−８ａｔ％Ｐｔ−４ａｔ％Ｔａか
らなる垂直磁化膜、厚さ５ｎｍのカーボンからなる保護
膜を形成した試料を、同様のスパッタ条件で作成した。
比較試料２として、ガラス基板上に厚さ１５ｎｍのＣｒ
下地膜、厚さ３０ｎｍのＣｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−１０ａ
ｔ％Ｐｔ硬磁性膜、厚さ２００ｎｍのＣｏ−５ａｔ％Ｚ
ｒ−６ａｔ％Ｎｂ膜からなる裏打磁性膜を形成し、その
上に厚さ２５ｎｍ厚のＣｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−８ａｔ％
Ｐｔ−４ａｔ％Ｔａからなる垂直磁化膜、厚さ５ｎｍの
カーボンからなる保護膜を形成した試料を、同様のスパ
ッタ条件で作成した。
【００１８】これらの試料の表面起伏Ｒａを原子間力顕
微鏡、記録再生特性を記録再生分離型の磁気ヘッドを用
いて測定した。記録ヘッドは単磁極型の薄膜ヘッドであ
り、トラック幅は０．５μｍ，磁極厚さは０．２μｍ、
再生用ヘッドは巨大磁気抵抗効果型（ＧＭＲ）ヘッドで
そのシールド間隔は０．１５μｍ、再生素子のトラック
幅は０．４５μｍ、測定時のスペーシングは０．０１５
μｍとした。３００ｋＦＣＩの磁気記録を行なった場合
の媒体のＳ／Ｎは、比較試料のＳ／Ｎに対する相対値と
して、記録分解能は低線記録密度の再生出力が半減する
記録密度（Ｄ50ｋＦＣＩ）として測定した。これらの結
果を表１に示す。
微鏡、記録再生特性を記録再生分離型の磁気ヘッドを用
いて測定した。記録ヘッドは単磁極型の薄膜ヘッドであ
り、トラック幅は０．５μｍ，磁極厚さは０．２μｍ、
再生用ヘッドは巨大磁気抵抗効果型（ＧＭＲ）ヘッドで
そのシールド間隔は０．１５μｍ、再生素子のトラック
幅は０．４５μｍ、測定時のスペーシングは０．０１５
μｍとした。３００ｋＦＣＩの磁気記録を行なった場合
の媒体のＳ／Ｎは、比較試料のＳ／Ｎに対する相対値と
して、記録分解能は低線記録密度の再生出力が半減する
記録密度（Ｄ50ｋＦＣＩ）として測定した。これらの結
果を表１に示す。
【００１９】
【表１】
【００２０】表１から分かるように、本実施の形態の垂
直磁気記録媒体は、比較例に比べて表面起伏Ｒａが大幅
に改善し、しかも媒体Ｓ／Ｎが向上しており、高密度磁
気記録媒体として望ましい。本実施の形態で作製した磁
気記録媒体を用いて、ディスク直径２．５インチの磁気
記録再生装置を作製した。磁気記録再生装置は、図３
（ａ）に概略平面図を、図３（ｂ）にそのＡ−Ａ断面図
を示すように、磁気記録媒体５１、これを回転駆動する
磁気記録媒体駆動部５２、記録ヘッド及び再生ヘッドを
備える磁気ヘッド５３、磁気ヘッド駆動部５４、磁気ヘ
ッドの記録再生信号を処理する信号処理部５５等を有し
てなる周知の構成を持つ磁気記録再生装置である。再生
ヘッドの再生素子としてＧＭＲヘッドを用いるとき、面
記録密度３５Ｇｂ／ｉｎ2の条件でエラーレート１０-9
がいずれの試料でも確保でき、超高密度記録再生装置と
して動作することを確認した。
直磁気記録媒体は、比較例に比べて表面起伏Ｒａが大幅
に改善し、しかも媒体Ｓ／Ｎが向上しており、高密度磁
気記録媒体として望ましい。本実施の形態で作製した磁
気記録媒体を用いて、ディスク直径２．５インチの磁気
記録再生装置を作製した。磁気記録再生装置は、図３
（ａ）に概略平面図を、図３（ｂ）にそのＡ−Ａ断面図
を示すように、磁気記録媒体５１、これを回転駆動する
磁気記録媒体駆動部５２、記録ヘッド及び再生ヘッドを
備える磁気ヘッド５３、磁気ヘッド駆動部５４、磁気ヘ
ッドの記録再生信号を処理する信号処理部５５等を有し
てなる周知の構成を持つ磁気記録再生装置である。再生
ヘッドの再生素子としてＧＭＲヘッドを用いるとき、面
記録密度３５Ｇｂ／ｉｎ2の条件でエラーレート１０-9
がいずれの試料でも確保でき、超高密度記録再生装置と
して動作することを確認した。
【００２１】［実施の形態２］直径２．５インチのシリ
コン基板を用いて、マグネトロンスパッタ法によって、
図２に示す断面構造を持つ垂直磁気記録媒体を作製し
た。基板２１上に、シード層２２を５ｎｍ厚、下地層２
３を５ｎｍ厚、硬磁性膜層２４を１０ｎｍ厚形成した。
その上に、１ｎｍ厚の非磁性膜２５と５０ｎｍ厚の軟磁
性膜２６の積層膜を４組形成した。さらに、垂直磁化膜
２７を２５ｎｍ厚、カーボン保護膜２８を６ｎｍ厚形成
した。シード層用にＭｇＯターゲット、下地層用にＣｒ
ターゲット、硬磁性膜層用にＦｅ−５０ａｔ％Ｐｔター
ゲットとその上に置いたＺｒＯ2ペレットの面積比が
８：２である複合ターゲット、非磁性膜用にＨｆターゲ
ット、軟磁性膜用にＣｏ−６ａｔ％Ｚｒ−３ａｔ％Ｔｉ
ターゲット、垂直磁化膜用にＣｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−１
２ａｔ％Ｐｔ−２ａｔ％Ｔａ−１ａｔ％Ｎｂターゲッ
ト、保護膜用にカーボンターゲットを用いた。スパッタ
のＡｒガス圧力を２．５ｍＴｏｒｒ、スパッターパワー
１０Ｗ／ｃｍ2、基板温度３１０℃の条件で形成した。
Ｘ線回折及び電子顕微鏡観察で調べた硬磁性膜の構造は
磁性材料と非磁性材料が混在するグラニュラー構造であ
った。
コン基板を用いて、マグネトロンスパッタ法によって、
図２に示す断面構造を持つ垂直磁気記録媒体を作製し
た。基板２１上に、シード層２２を５ｎｍ厚、下地層２
３を５ｎｍ厚、硬磁性膜層２４を１０ｎｍ厚形成した。
その上に、１ｎｍ厚の非磁性膜２５と５０ｎｍ厚の軟磁
性膜２６の積層膜を４組形成した。さらに、垂直磁化膜
２７を２５ｎｍ厚、カーボン保護膜２８を６ｎｍ厚形成
した。シード層用にＭｇＯターゲット、下地層用にＣｒ
ターゲット、硬磁性膜層用にＦｅ−５０ａｔ％Ｐｔター
ゲットとその上に置いたＺｒＯ2ペレットの面積比が
８：２である複合ターゲット、非磁性膜用にＨｆターゲ
ット、軟磁性膜用にＣｏ−６ａｔ％Ｚｒ−３ａｔ％Ｔｉ
ターゲット、垂直磁化膜用にＣｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−１
２ａｔ％Ｐｔ−２ａｔ％Ｔａ−１ａｔ％Ｎｂターゲッ
ト、保護膜用にカーボンターゲットを用いた。スパッタ
のＡｒガス圧力を２．５ｍＴｏｒｒ、スパッターパワー
１０Ｗ／ｃｍ2、基板温度３１０℃の条件で形成した。
Ｘ線回折及び電子顕微鏡観察で調べた硬磁性膜の構造は
磁性材料と非磁性材料が混在するグラニュラー構造であ
った。
【００２２】ここで、軟磁性層の材料をＣｏ−６ａｔ％
Ｎｂ−３ａｔ％Ｈｆ，Ｃｏ−５ａｔ％Ｎｂ−４ａｔ％Ｔ
ｉ，Ｃｏ−５ａｔ％Ｎｂ−４ａｔ％Ｈｆ，Ｃｏ−５ａｔ
％Ｎｂ−２ａｔ％Ｗ，Ｎｉ−１０ａｔ％Ｃｏ−３ａｔ％
Ｚｒ，Ｎｉ−２９ａｔ％Ｃｏ−３ａｔ％Ｔｉ，Ｎｉ−５
ａｔ％Ｃｏ−６ａｔ％Ｈｆ，Ｎｉ−９ａｔ％Ｃｏ−２ａ
ｔ％Ｍｏ，Ｎｉ−１２ａｔ％Ｃｏ−２ａｔ％Ｗ，Ｆｅ−
４ａｔ％Ｓｉ−２ａｔ％Ｂ，Ｆｅ−４ａｔ％Ｓｉ−３ａ
ｔ％Ａｌとした以外は同様の垂直磁気記録媒体を前記と
同様の条件で作製した。
Ｎｂ−３ａｔ％Ｈｆ，Ｃｏ−５ａｔ％Ｎｂ−４ａｔ％Ｔ
ｉ，Ｃｏ−５ａｔ％Ｎｂ−４ａｔ％Ｈｆ，Ｃｏ−５ａｔ
％Ｎｂ−２ａｔ％Ｗ，Ｎｉ−１０ａｔ％Ｃｏ−３ａｔ％
Ｚｒ，Ｎｉ−２９ａｔ％Ｃｏ−３ａｔ％Ｔｉ，Ｎｉ−５
ａｔ％Ｃｏ−６ａｔ％Ｈｆ，Ｎｉ−９ａｔ％Ｃｏ−２ａ
ｔ％Ｍｏ，Ｎｉ−１２ａｔ％Ｃｏ−２ａｔ％Ｗ，Ｆｅ−
４ａｔ％Ｓｉ−２ａｔ％Ｂ，Ｆｅ−４ａｔ％Ｓｉ−３ａ
ｔ％Ａｌとした以外は同様の垂直磁気記録媒体を前記と
同様の条件で作製した。
【００２３】また、比較試料として、裏打磁性膜が厚さ
２００ｎｍの単独のＣｏ−６ａｔ％Ｚｒ−３ａｔ％Ｔ
ｉ，Ｃｏ−６ａｔ％Ｎｂ−３ａｔ％Ｈｆ，Ｃｏ−５ａｔ
％Ｎｂ−４ａｔ％Ｔｉ，Ｃｏ−５ａｔ％Ｎｂ−４ａｔ％
Ｈｆ，Ｃｏ−５ａｔ％Ｎｂ−２ａｔ％Ｗ，Ｎｉ−１０ａ
ｔ％Ｃｏ−３ａｔ％Ｚｒ，Ｎｉ−２９ａｔ％Ｃｏ−３ａ
ｔ％Ｔｉ，Ｎｉ−５ａｔ％Ｃｏ−６ａｔ％Ｈｆ，Ｎｉ−
９ａｔ％Ｃｏ−２ａｔ％Ｍｏ，Ｎｉ−１２ａｔ％Ｃｏ−
２ａｔ％Ｗ，Ｆｅ−４ａｔ％Ｓｉ−２ａｔ％Ｂ，Ｆｅ−
４ａｔ％Ｓｉ−３ａｔ％Ａｌである他は上記と同様の垂
直磁気記録媒体を作製した。
２００ｎｍの単独のＣｏ−６ａｔ％Ｚｒ−３ａｔ％Ｔ
ｉ，Ｃｏ−６ａｔ％Ｎｂ−３ａｔ％Ｈｆ，Ｃｏ−５ａｔ
％Ｎｂ−４ａｔ％Ｔｉ，Ｃｏ−５ａｔ％Ｎｂ−４ａｔ％
Ｈｆ，Ｃｏ−５ａｔ％Ｎｂ−２ａｔ％Ｗ，Ｎｉ−１０ａ
ｔ％Ｃｏ−３ａｔ％Ｚｒ，Ｎｉ−２９ａｔ％Ｃｏ−３ａ
ｔ％Ｔｉ，Ｎｉ−５ａｔ％Ｃｏ−６ａｔ％Ｈｆ，Ｎｉ−
９ａｔ％Ｃｏ−２ａｔ％Ｍｏ，Ｎｉ−１２ａｔ％Ｃｏ−
２ａｔ％Ｗ，Ｆｅ−４ａｔ％Ｓｉ−２ａｔ％Ｂ，Ｆｅ−
４ａｔ％Ｓｉ−３ａｔ％Ａｌである他は上記と同様の垂
直磁気記録媒体を作製した。
【００２４】これらの磁気記録媒体の表面平坦性Ｒａ、
媒体Ｓ／Ｎ、記録分解能（Ｄ50ｋＦＣＩ）を実施の形態
１と同様の条件で測定した。それぞれの軟磁性膜材料に
対して、本発明の垂直磁気記録媒体と比較例について、
上記特性の比較をした。なお、媒体Ｓ／Ｎに関しては、
本発明の垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎを各々の比較試料の
Ｓ／Ｎに対する相対値として表示した。結果を表２に示
す。
媒体Ｓ／Ｎ、記録分解能（Ｄ50ｋＦＣＩ）を実施の形態
１と同様の条件で測定した。それぞれの軟磁性膜材料に
対して、本発明の垂直磁気記録媒体と比較例について、
上記特性の比較をした。なお、媒体Ｓ／Ｎに関しては、
本発明の垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎを各々の比較試料の
Ｓ／Ｎに対する相対値として表示した。結果を表２に示
す。
【００２５】
【表２】
【００２６】表２に示されているように、本実施の形態
の垂直磁気記録媒体は、それぞれの比較例に比べて表面
平坦性Ｒａ、媒体Ｓ／Ｎ及び記録分解能（Ｄ50ｋＦＣ
Ｉ）が総合的に見て大幅に改善されており、高密度磁気
記録媒体として望ましいことがわかった。
の垂直磁気記録媒体は、それぞれの比較例に比べて表面
平坦性Ｒａ、媒体Ｓ／Ｎ及び記録分解能（Ｄ50ｋＦＣ
Ｉ）が総合的に見て大幅に改善されており、高密度磁気
記録媒体として望ましいことがわかった。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、垂直磁気記録媒体の表
面平坦性、媒体Ｓ／Ｎ及び記録分解能を改善することが
でき、この結果、高密度磁気記録が可能な磁気ディスク
装置を得ることができる。特に、３０Ｇｂ／ｉｎ2以上
の高密度磁気記録が可能となり、装置の小型化や大容量
化が容易になる。
面平坦性、媒体Ｓ／Ｎ及び記録分解能を改善することが
でき、この結果、高密度磁気記録が可能な磁気ディスク
装置を得ることができる。特に、３０Ｇｂ／ｉｎ2以上
の高密度磁気記録が可能となり、装置の小型化や大容量
化が容易になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による垂直磁気記録媒体の一例の断面
図。
図。
【図２】本発明による垂直磁気記録媒体の他の例の断面
図。
図。
【図３】磁気記録再生装置の概略図。
１１…基板、１２…シード層、１３…下地層、１４…硬
磁性膜、１５…軟磁性膜、１６…垂直磁化膜、１７…保
護膜、２１…基板、２２…シード層、２３…下地膜、２
４…硬磁性膜、２５…非磁性膜、２６…軟磁性膜、２７
…垂直磁化膜、２８…保護膜、５１…磁気記録媒体、５
２…磁気記録媒体駆動部、５３…磁気ヘッド、５４…磁
気ヘッド駆動部、５５…信号処理部
磁性膜、１５…軟磁性膜、１６…垂直磁化膜、１７…保
護膜、２１…基板、２２…シード層、２３…下地膜、２
４…硬磁性膜、２５…非磁性膜、２６…軟磁性膜、２７
…垂直磁化膜、２８…保護膜、５１…磁気記録媒体、５
２…磁気記録媒体駆動部、５３…磁気ヘッド、５４…磁
気ヘッド駆動部、５５…信号処理部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平山 義幸 東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 菊川 敦 東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 Ｆターム(参考） 5D006 BB02 CA01 CA03 CA05 CA06 DA03 DA04 DA08 FA09 5E049 AA01 AA04 AA07 AA09 AC00 AC05 BA08 BA12
Claims (5)
- 【請求項１】 非磁性基板上に裏打磁性膜層を介して設
けられた垂直磁化膜を有する垂直磁気記録媒体におい
て、 前記裏打磁性膜層が少なくとも１種の軟磁性膜と少なく
とも１種のＬ１0型結晶の磁性材料を含むグラニュラー
構造を持つ硬磁性膜とを含む２層以上の多層膜から構成
されていることを特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 【請求項２】 請求項１記載の垂直磁気記録媒体におい
て、前記Ｌ１0型結晶構造を持つ材料がＦｅ−Ｐｔ合金
又はＣｏ−Ｐｔ合金であることを特徴とする垂直磁気記
録媒体。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の垂直磁気記録媒体
において、前記軟磁性膜がＣｏ−Ｎｂ−Ｘ（Ｘ＝Ｚｒ，
Ｔｉ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｗ），Ｎｉ−Ｃｏ−Ｙ（Ｙ＝Ｚｒ，
Ｔｉ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｗ）又はＦｅ−Ｓｉ−Ｚ（Ｚ＝Ｂ，
Ａｌ）であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれか１項記載の垂直
磁気記録媒体において、前記裏打磁性膜層の厚さが３０
ｎｍ以上５００ｎｍ以下、前記垂直磁化膜の厚さが１０
ｎｍ以上４０ｎｍ以下、前記垂直磁化膜の表面で測定し
た起伏Ｒａが３ｎｍ以下であることを特徴とする垂直磁
気記録媒体。 - 【請求項５】 磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体を回
転駆動する磁気記録媒体駆動部と、記録ヘッド及び再生
ヘッドを備える磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドを駆動す
る磁気ヘッド駆動部と、磁気ヘッドの記録再生信号を処
理する信号処理部とを含む磁気記録再生装置において、 前記磁気記録媒体として請求項１〜４のいずれか１項記
載の垂直磁気記録媒体を用い、前記記録ヘッドは薄膜ヘ
ッド、前記再生ヘッドはＧＭＲ効果を利用するヘッドで
あり、磁気ヘッドと前記垂直磁気記録媒体の距離が２０
ｎｍ以下になるように調整された条件で面記録密度３０
Ｇｂ／ｉｎ2以上を達成することを特徴とする磁気記録
再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16205199A JP3308239B2 (ja) | 1999-06-09 | 1999-06-09 | 垂直磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16205199A JP3308239B2 (ja) | 1999-06-09 | 1999-06-09 | 垂直磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000348326A true JP2000348326A (ja) | 2000-12-15 |
| JP3308239B2 JP3308239B2 (ja) | 2002-07-29 |
Family
ID=15747168
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16205199A Expired - Fee Related JP3308239B2 (ja) | 1999-06-09 | 1999-06-09 | 垂直磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3308239B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008090988A (ja) * | 2006-10-05 | 2008-04-17 | Konica Minolta Opto Inc | 磁気記録媒体用基板 |
| JP2008159177A (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-10 | Canon Inc | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JP2010257565A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-11-11 | Wd Media Singapore Pte Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
| JP2013012271A (ja) * | 2011-06-29 | 2013-01-17 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体 |
-
1999
- 1999-06-09 JP JP16205199A patent/JP3308239B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008090988A (ja) * | 2006-10-05 | 2008-04-17 | Konica Minolta Opto Inc | 磁気記録媒体用基板 |
| JP2008159177A (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-10 | Canon Inc | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JP4641524B2 (ja) * | 2006-12-25 | 2011-03-02 | キヤノン株式会社 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JP2010257565A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-11-11 | Wd Media Singapore Pte Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
| JP2013012271A (ja) * | 2011-06-29 | 2013-01-17 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3308239B2 (ja) | 2002-07-29 |
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