JP3220116B2 - 垂直磁気記録媒体および磁気記憶装置 - Google Patents
垂直磁気記録媒体および磁気記憶装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高密度磁気記録に
適する磁性膜を有する磁気記録媒体およびこれを用いた
磁気記憶装置に関する。
適する磁性膜を有する磁気記録媒体およびこれを用いた
磁気記憶装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在実用化されている磁気ディスク装置
は、面内磁気記録方式を採用している。この方式では、
ディスク基板面と平行な方向に磁化し易い面内磁気記録
媒体に基板と平行な面内磁区を高密度に形成することが
技術課題となっている。面内記録では、磁化が互いに逆
向きで隣接するため、線記録密度を伸ばすためには、記
録膜の保磁力を増大させるとともに膜厚を減少していく
ことが必要である。記録膜の膜厚が小さくなると熱揺ら
ぎのために記録磁化強度が減少し、極端な場合には記録
情報が失われるという問題が発生する。面内記録方式の
場合は、従来から用いられているＣｏ合金系の記録膜を
用いた場合、２０Ｇｂ／ｉｎ2以上の面記録密度の実現
が困難になる。
は、面内磁気記録方式を採用している。この方式では、
ディスク基板面と平行な方向に磁化し易い面内磁気記録
媒体に基板と平行な面内磁区を高密度に形成することが
技術課題となっている。面内記録では、磁化が互いに逆
向きで隣接するため、線記録密度を伸ばすためには、記
録膜の保磁力を増大させるとともに膜厚を減少していく
ことが必要である。記録膜の膜厚が小さくなると熱揺ら
ぎのために記録磁化強度が減少し、極端な場合には記録
情報が失われるという問題が発生する。面内記録方式の
場合は、従来から用いられているＣｏ合金系の記録膜を
用いた場合、２０Ｇｂ／ｉｎ2以上の面記録密度の実現
が困難になる。
【０００３】垂直磁気記録方式は薄膜媒体の膜面に垂直
に磁化を形成する方式で、記録原理や媒体ノイズの発現
機構が従来の面内磁気記録媒体の場合とは異なるが、隣
接する磁化が向き合わないために、本質的に高密度磁気
記録に適した方式として注目され、垂直磁気記録に適し
た媒体の構造などが提案されている。Ｃｏ合金材料から
なる垂直磁化膜の垂直配向性を改善するために垂直磁化
膜と基板との間に非磁性材料下地を設ける方法が検討さ
れている。例えば、特開昭５８−７７０２５号公報、特
開昭５８−１４１４３５号公報にはＣｏ−Ｃｒ磁性膜の
下地層としてＴｉ膜を形成する方法が、特開昭６０−２
１４４１７号公報には下地層としてＧｅ，Ｓｉ材料を用
いる方法が、特開昭６０−０６４４１３号公報にはＣｏ
Ｏ，ＮｉＯ等の酸化物下地層材料が開示されている。こ
のような単層の垂直磁化膜からなる単層垂直磁気記録媒
体は、記録用に薄膜リングヘッドが用いられる。
に磁化を形成する方式で、記録原理や媒体ノイズの発現
機構が従来の面内磁気記録媒体の場合とは異なるが、隣
接する磁化が向き合わないために、本質的に高密度磁気
記録に適した方式として注目され、垂直磁気記録に適し
た媒体の構造などが提案されている。Ｃｏ合金材料から
なる垂直磁化膜の垂直配向性を改善するために垂直磁化
膜と基板との間に非磁性材料下地を設ける方法が検討さ
れている。例えば、特開昭５８−７７０２５号公報、特
開昭５８−１４１４３５号公報にはＣｏ−Ｃｒ磁性膜の
下地層としてＴｉ膜を形成する方法が、特開昭６０−２
１４４１７号公報には下地層としてＧｅ，Ｓｉ材料を用
いる方法が、特開昭６０−０６４４１３号公報にはＣｏ
Ｏ，ＮｉＯ等の酸化物下地層材料が開示されている。こ
のような単層の垂直磁化膜からなる単層垂直磁気記録媒
体は、記録用に薄膜リングヘッドが用いられる。
【０００４】垂直磁気記録の記録効率をあげるために
は、単磁極型の記録ヘッドと磁性膜が２層からなる２層
垂直磁気記録媒体を組み合わせるのが有効である。２垂
直磁気記録媒体の例としては、基板と垂直磁化膜の間に
パーマロイやＣｏ合金系の軟磁性膜を設けた媒体が検討
されている。しかし、２層垂直磁気記録媒体は単層垂直
磁気記録媒体に比べて記録磁性膜の垂直磁気異方性強度
が不十分であった。
は、単磁極型の記録ヘッドと磁性膜が２層からなる２層
垂直磁気記録媒体を組み合わせるのが有効である。２垂
直磁気記録媒体の例としては、基板と垂直磁化膜の間に
パーマロイやＣｏ合金系の軟磁性膜を設けた媒体が検討
されている。しかし、２層垂直磁気記録媒体は単層垂直
磁気記録媒体に比べて記録磁性膜の垂直磁気異方性強度
が不十分であった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】２０Ｇｂ／ｉｎ2以上
の高密度磁気記録が可能な垂直磁気記録媒体としては、
線記録密度分解能が大きいこと、媒体ノイズが小さいこ
と、さらに薄膜ヘッドによる記録が有効に行われること
が必要である。このためには、垂直磁化膜の磁性結晶粒
を微細化し、さらに垂直磁気異方性を増大させるととも
に磁気ヘッドの記録磁界が有効に媒体内部に侵入するこ
とが必要である。本発明は、３０Ｇｂ／ｉｎ2以上の高
記録密度を実現するための高分解能で低ノイズ特性をも
つ垂直磁気記録媒体を提供し、高密度磁気記憶装置の実
現を容易ならしめることを目的とする。
の高密度磁気記録が可能な垂直磁気記録媒体としては、
線記録密度分解能が大きいこと、媒体ノイズが小さいこ
と、さらに薄膜ヘッドによる記録が有効に行われること
が必要である。このためには、垂直磁化膜の磁性結晶粒
を微細化し、さらに垂直磁気異方性を増大させるととも
に磁気ヘッドの記録磁界が有効に媒体内部に侵入するこ
とが必要である。本発明は、３０Ｇｂ／ｉｎ2以上の高
記録密度を実現するための高分解能で低ノイズ特性をも
つ垂直磁気記録媒体を提供し、高密度磁気記憶装置の実
現を容易ならしめることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】磁気ヘッドによる記録効
率が高い垂直磁気記録媒体は２層垂直磁気記録媒体であ
る。本発明では、上記の目的を達成するために基板に形
成された裏打磁性膜と六方稠密構造を持つＣｏ合金系の
垂直磁化膜の間に極薄のＭｇＯ膜を導入することを特徴
とする。本発明の目的をより確実に達成するために、Ｍ
ｇＯ膜の下部もしくは上部に特定の材料からなる極薄の
非磁性膜を形成するものである。
率が高い垂直磁気記録媒体は２層垂直磁気記録媒体であ
る。本発明では、上記の目的を達成するために基板に形
成された裏打磁性膜と六方稠密構造を持つＣｏ合金系の
垂直磁化膜の間に極薄のＭｇＯ膜を導入することを特徴
とする。本発明の目的をより確実に達成するために、Ｍ
ｇＯ膜の下部もしくは上部に特定の材料からなる極薄の
非磁性膜を形成するものである。
【０００７】２層垂直磁気記録媒体で用いられる裏打磁
性膜はパーマロイ等のＮｉを主成分とする多結晶膜、あ
るいはセンダストのようなＦｅを主成分とする多結晶
膜、Ｃｏ−Ｎｂ−ＺｒようなＣｏ合金膜が一般的であ
る。このような裏打磁性膜の上に直接Ｃｏ合金系の垂直
磁化膜を形成すると、薄膜の成長初期には結晶成長が乱
れた垂直磁化膜として望ましくない初期成長層が含まれ
てしまう。このため垂直磁気異方性が低下したり、垂直
磁化膜を構成する磁性結晶粒間の磁気分離が不十分とな
り、保磁力の低下やノイズの増大を招いていた。
性膜はパーマロイ等のＮｉを主成分とする多結晶膜、あ
るいはセンダストのようなＦｅを主成分とする多結晶
膜、Ｃｏ−Ｎｂ−ＺｒようなＣｏ合金膜が一般的であ
る。このような裏打磁性膜の上に直接Ｃｏ合金系の垂直
磁化膜を形成すると、薄膜の成長初期には結晶成長が乱
れた垂直磁化膜として望ましくない初期成長層が含まれ
てしまう。このため垂直磁気異方性が低下したり、垂直
磁化膜を構成する磁性結晶粒間の磁気分離が不十分とな
り、保磁力の低下やノイズの増大を招いていた。
【０００８】この問題に対し、本発明者らは裏打磁性膜
とＣｏ合金からなる垂直磁化膜の間に極薄のＭｇＯ膜を
導入することが有効であることを見い出した。非晶質構
造を持つ裏打磁性膜の上にＭｇＯ膜を形成すると、（１
００）面が基板と平行なＭｇＯ微結晶粒が生成され、こ
の結果、おおむね（１００）面を基板と平行にする多結
晶ＭｇＯ配向膜が成長する。この配向膜上にＣｏ合金系
の垂直磁化膜を形成すると磁化容易軸の［０００１］軸
を基板と垂直に持つ六方稠密構造を持つ磁性結晶粒が成
長するため、垂直磁気異方性が増大する。
とＣｏ合金からなる垂直磁化膜の間に極薄のＭｇＯ膜を
導入することが有効であることを見い出した。非晶質構
造を持つ裏打磁性膜の上にＭｇＯ膜を形成すると、（１
００）面が基板と平行なＭｇＯ微結晶粒が生成され、こ
の結果、おおむね（１００）面を基板と平行にする多結
晶ＭｇＯ配向膜が成長する。この配向膜上にＣｏ合金系
の垂直磁化膜を形成すると磁化容易軸の［０００１］軸
を基板と垂直に持つ六方稠密構造を持つ磁性結晶粒が成
長するため、垂直磁気異方性が増大する。
【０００９】このような効果を生ぜしめるのに必要なＭ
ｇＯ膜の厚さは１ｎｍ以上である。ＭｇＯ膜の厚さを大
きくしすぎると、裏打磁性膜と垂直磁化膜の間の距離が
増大するために、磁気ヘッドで記録する際の記録効率が
低下する。３０Ｇｂ／ｉｎ2以上の面記録密度を達成す
るために必要な線記録密度は３００ｋＦＣＩ以上である
が、このような高い線記録密度で記録ヘッドの効率を上
げるためには両磁性膜の間隔を２０ｎｍ以下とする必要
がある。また、ＭｇＯ膜の結晶粒は膜厚が増大するほど
大きくなる。この結晶粒の上に成長する磁性結晶粒もＭ
ｇＯの結晶粒径の影響を受けるため、高い線記録密度で
磁気記録を行う媒体としては磁性膜を構成する結晶粒の
直径を２０ｎｍ以下、望ましくは１５ｎｍ以下とする必
要があり、ＭｇＯ膜の厚さは望ましくは１３ｎｍ未満で
あるのが良い。
ｇＯ膜の厚さは１ｎｍ以上である。ＭｇＯ膜の厚さを大
きくしすぎると、裏打磁性膜と垂直磁化膜の間の距離が
増大するために、磁気ヘッドで記録する際の記録効率が
低下する。３０Ｇｂ／ｉｎ2以上の面記録密度を達成す
るために必要な線記録密度は３００ｋＦＣＩ以上である
が、このような高い線記録密度で記録ヘッドの効率を上
げるためには両磁性膜の間隔を２０ｎｍ以下とする必要
がある。また、ＭｇＯ膜の結晶粒は膜厚が増大するほど
大きくなる。この結晶粒の上に成長する磁性結晶粒もＭ
ｇＯの結晶粒径の影響を受けるため、高い線記録密度で
磁気記録を行う媒体としては磁性膜を構成する結晶粒の
直径を２０ｎｍ以下、望ましくは１５ｎｍ以下とする必
要があり、ＭｇＯ膜の厚さは望ましくは１３ｎｍ未満で
あるのが良い。
【００１０】裏打磁性膜が多結晶構造を持つ場合、およ
び非晶質構造を持つ場合でもＭｇＯ多結晶膜の（１０
０）配向性を向上するためには、裏打磁性膜とＭｇＯ膜
の間に極薄の非磁性膜を導入することが有効である。特
に非晶質構造を持つ非磁性膜が、この目的のためには望
ましい。膜厚が１０ｎｍ以下の極薄領域でこのような望
ましい効果を発揮する材料は、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｃ
ｒ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｖ，Ｗ、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｂ，Ｃもしくは
これらの元素を主成分とする合金、ＳｉＯ2，Ａｌ2O3，
ＺｒＯ2の群からなる酸化物である。このような非磁性
材料の膜を介してＭｇＯ膜を形成すると、その（１０
０）配向性が大幅に改善される。
び非晶質構造を持つ場合でもＭｇＯ多結晶膜の（１０
０）配向性を向上するためには、裏打磁性膜とＭｇＯ膜
の間に極薄の非磁性膜を導入することが有効である。特
に非晶質構造を持つ非磁性膜が、この目的のためには望
ましい。膜厚が１０ｎｍ以下の極薄領域でこのような望
ましい効果を発揮する材料は、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｃ
ｒ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｖ，Ｗ、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｂ，Ｃもしくは
これらの元素を主成分とする合金、ＳｉＯ2，Ａｌ2O3，
ＺｒＯ2の群からなる酸化物である。このような非磁性
材料の膜を介してＭｇＯ膜を形成すると、その（１０
０）配向性が大幅に改善される。
【００１１】（１００）配向したＭｇＯ多結晶膜の上に
直接Ｃｏ合金からなる垂直磁化膜を形成しても良いが、
磁気記録媒体の低ノイズ化を促進するためにはＭｇＯ配
向膜の上に数ｎｍ以下の六方稠密構造を持つ極薄の非磁
性膜を設けることが有効である。このような非磁性膜を
介在させることにより、特に初期成長領域のＣｏ合金垂
直磁化膜の磁性結晶粒間の磁気分離を促進できる。両者
は同じ六方稠密構造を持つため結晶格子が連続して成長
する、いわゆるエピタキシャル成長が実現される。この
ようなエピタキシャル成長は磁性膜に入る結晶歪を制御
して望ましい保磁力を実現するのにも有効である。
直接Ｃｏ合金からなる垂直磁化膜を形成しても良いが、
磁気記録媒体の低ノイズ化を促進するためにはＭｇＯ配
向膜の上に数ｎｍ以下の六方稠密構造を持つ極薄の非磁
性膜を設けることが有効である。このような非磁性膜を
介在させることにより、特に初期成長領域のＣｏ合金垂
直磁化膜の磁性結晶粒間の磁気分離を促進できる。両者
は同じ六方稠密構造を持つため結晶格子が連続して成長
する、いわゆるエピタキシャル成長が実現される。この
ようなエピタキシャル成長は磁性膜に入る結晶歪を制御
して望ましい保磁力を実現するのにも有効である。
【００１２】このような効果を持つ六方稠密構造を持つ
非磁性材料としては、Ｃｏに添加する非磁性元素の添加
量が３０ａｔ％を超えるＣｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｘ
（Ｘ＝Ｍｎ，Ｖ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｗ，Ｓｉ，
Ｂ，Ｔａ，Ｃｕ）、あるいはＲｕ，Ｒｕ−Ｙ合金（Ｙ＝
Ｍｎ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｃｕ），Ｔｉ，Ｔｉ−Ｚ合金（Ｚ＝
Ｃｏ，Ｎｉ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ａｌ）などがある。
非磁性材料としては、Ｃｏに添加する非磁性元素の添加
量が３０ａｔ％を超えるＣｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｘ
（Ｘ＝Ｍｎ，Ｖ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｗ，Ｓｉ，
Ｂ，Ｔａ，Ｃｕ）、あるいはＲｕ，Ｒｕ−Ｙ合金（Ｙ＝
Ｍｎ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｃｕ），Ｔｉ，Ｔｉ−Ｚ合金（Ｚ＝
Ｃｏ，Ｎｉ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ａｌ）などがある。
【００１３】３０Ｇｂ／ｉｎ2以上の記録密度を実現す
るための磁気記録媒体としては、いずれにしても裏打磁
性膜とＣｏ合金からなる垂直磁化膜の間の距離を２０ｎ
ｍ以下とする必要がある。このときの可能なＭｇＯ膜の
厚さは１ｎｍ以上１５ｎｍ以下、さらに望ましくは１３
ｎｍ未満である。また、（１００）配向した多結晶Ｍｇ
Ｏ膜の上に直接、もしくは六方稠密構造を持つ非磁性膜
を介してＣｏ合金からなる垂直磁化膜を形成するが、必
要に応じて垂直磁化膜の上に他の結晶構造を持つ垂直磁
化膜を積層しても良い。
るための磁気記録媒体としては、いずれにしても裏打磁
性膜とＣｏ合金からなる垂直磁化膜の間の距離を２０ｎ
ｍ以下とする必要がある。このときの可能なＭｇＯ膜の
厚さは１ｎｍ以上１５ｎｍ以下、さらに望ましくは１３
ｎｍ未満である。また、（１００）配向した多結晶Ｍｇ
Ｏ膜の上に直接、もしくは六方稠密構造を持つ非磁性膜
を介してＣｏ合金からなる垂直磁化膜を形成するが、必
要に応じて垂直磁化膜の上に他の結晶構造を持つ垂直磁
化膜を積層しても良い。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。 ［実施の形態１］直径２．５インチのガラス基板を用い
て、マグネトロンスパッタ法によって、図１に断面構造
を示す垂直磁気記録媒体を作製した。基板１１上に、接
着強化層１２を形成した後、軟磁性膜（裏打磁性膜）１
３、ＭｇＯ膜１４、垂直磁化膜１５、保護膜１６を形成
した。接着強化層１２用にはＣｒターゲット、軟性膜１
３用にはＣｏ−８ａｔ％Ｎｂ−４ａｔ％Ｔａターゲッ
ト、ＭｇＯ膜１４用にはＭｇＯターゲット、垂直磁化膜
１５用にはＣｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−１０ａｔ％Ｐｔ−
１．５ａｔ％Ｔａターゲット、保護膜用にはカーボンタ
ーゲットを用いた。スパッタのＡｒガス圧力を３ｍＴｏ
ｒｒ、スパッターパワー１０Ｗ／ｃｍ2、基板温度２８
０℃の条件でＣｒ膜を２０ｎｍ、Ｃｏ−Ｎｂ−Ｔａ膜を
２００ｎｍ、ＭｇＯ膜を１０ｎｍ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−
Ｔａ垂直磁化膜を２５ｎｍ、カーボン膜を５ｎｍの厚さ
形成した。
施の形態を説明する。 ［実施の形態１］直径２．５インチのガラス基板を用い
て、マグネトロンスパッタ法によって、図１に断面構造
を示す垂直磁気記録媒体を作製した。基板１１上に、接
着強化層１２を形成した後、軟磁性膜（裏打磁性膜）１
３、ＭｇＯ膜１４、垂直磁化膜１５、保護膜１６を形成
した。接着強化層１２用にはＣｒターゲット、軟性膜１
３用にはＣｏ−８ａｔ％Ｎｂ−４ａｔ％Ｔａターゲッ
ト、ＭｇＯ膜１４用にはＭｇＯターゲット、垂直磁化膜
１５用にはＣｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−１０ａｔ％Ｐｔ−
１．５ａｔ％Ｔａターゲット、保護膜用にはカーボンタ
ーゲットを用いた。スパッタのＡｒガス圧力を３ｍＴｏ
ｒｒ、スパッターパワー１０Ｗ／ｃｍ2、基板温度２８
０℃の条件でＣｒ膜を２０ｎｍ、Ｃｏ−Ｎｂ−Ｔａ膜を
２００ｎｍ、ＭｇＯ膜を１０ｎｍ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−
Ｔａ垂直磁化膜を２５ｎｍ、カーボン膜を５ｎｍの厚さ
形成した。
【００１５】この垂直磁気記録媒体の構造を透過型電子
顕微鏡とＸ線回折で調べた結果、ＭｇＯ膜は平均結晶粒
径が８ｎｍの（１００）配向膜であり、またＣｏ−Ｃｒ
−Ｐｔ−Ｔａ垂直磁化膜はＭｇＯ結晶粒上にエピタキシ
ャル的に成長し、［０００１］方位を優先成長方位に持
つことを確認した。比較試料１として、ＭｇＯ膜を設け
ない垂直磁気記録媒体を、また比較試料２として軟磁性
膜を省略した単層垂直磁気記録媒体を作製した。２層垂
直磁気記録媒体の記録用には単磁極型の薄膜ヘッドを、
単層垂直磁気記録媒体用には記録ヘッドのギャップ長
０．２μｍのヘッドを用いた。再生用にはヘッドのシー
ルド間隔が０．１５μｍの巨大磁気抵抗効果型（ＧＭ
Ｒ）ヘッドを用い、測定時のヘッドと媒体表面のスペー
シングは０．０１５μｍとした。特性評価項目として、
記録分解能、低記録密度の再生出力、媒体Ｓ／Ｎ、飽和
記録に必要なヘッド起磁力を測定した。記録分解能は低
周波の再生出力の半分になる出力半減記録密度（Ｄ50）
を測定し、再生出力は１０ｋＦＣＩの記録を行ったとき
の再生出力の比較試料２に対する相対値を、媒体Ｓ／Ｎ
は３００ｋＦＣＩの磁気記録を行なった場合のＳ／Ｎの
比較試料２に対する相対値を測定した。これらの結果を
表１に示す。
顕微鏡とＸ線回折で調べた結果、ＭｇＯ膜は平均結晶粒
径が８ｎｍの（１００）配向膜であり、またＣｏ−Ｃｒ
−Ｐｔ−Ｔａ垂直磁化膜はＭｇＯ結晶粒上にエピタキシ
ャル的に成長し、［０００１］方位を優先成長方位に持
つことを確認した。比較試料１として、ＭｇＯ膜を設け
ない垂直磁気記録媒体を、また比較試料２として軟磁性
膜を省略した単層垂直磁気記録媒体を作製した。２層垂
直磁気記録媒体の記録用には単磁極型の薄膜ヘッドを、
単層垂直磁気記録媒体用には記録ヘッドのギャップ長
０．２μｍのヘッドを用いた。再生用にはヘッドのシー
ルド間隔が０．１５μｍの巨大磁気抵抗効果型（ＧＭ
Ｒ）ヘッドを用い、測定時のヘッドと媒体表面のスペー
シングは０．０１５μｍとした。特性評価項目として、
記録分解能、低記録密度の再生出力、媒体Ｓ／Ｎ、飽和
記録に必要なヘッド起磁力を測定した。記録分解能は低
周波の再生出力の半分になる出力半減記録密度（Ｄ50）
を測定し、再生出力は１０ｋＦＣＩの記録を行ったとき
の再生出力の比較試料２に対する相対値を、媒体Ｓ／Ｎ
は３００ｋＦＣＩの磁気記録を行なった場合のＳ／Ｎの
比較試料２に対する相対値を測定した。これらの結果を
表１に示す。
【００１６】
【表１】
【００１７】本実施の形態の磁気記録媒体は、比較試料
１に比べて記録分解能と媒体Ｓ／Ｎが大幅に改善されて
おり、また比較試料２に比べて低密度再生出力、ヘッド
起磁力が大きく改善されている。本実施の形態で作製し
た磁気記録媒体を用いて、記録用にトラック幅が０．４
μｍの単磁極型薄膜ヘッドを再生素子としてトラック幅
０．３２μｍのＧＭＲヘッドを用いた２．５インチの磁
気記憶装置を作製した。面記録密度３０Ｇｂ／ｉｎ2の
条件でエラーレート１０-9が確保でき、超高密度磁気記
憶装置として動作することを確認した。
１に比べて記録分解能と媒体Ｓ／Ｎが大幅に改善されて
おり、また比較試料２に比べて低密度再生出力、ヘッド
起磁力が大きく改善されている。本実施の形態で作製し
た磁気記録媒体を用いて、記録用にトラック幅が０．４
μｍの単磁極型薄膜ヘッドを再生素子としてトラック幅
０．３２μｍのＧＭＲヘッドを用いた２．５インチの磁
気記憶装置を作製した。面記録密度３０Ｇｂ／ｉｎ2の
条件でエラーレート１０-9が確保でき、超高密度磁気記
憶装置として動作することを確認した。
【００１８】［実施の形態２］直径２．５インチのガラ
ス基板を用いて、マグネトロンスパッタ法によって、図
２に示す断面構造を持つ垂直磁気記録媒体を作製した。
基板２１上に、接着強化層２２を形成した後、軟磁性膜
（裏打磁性膜）２３、シード層２４、ＭｇＯ膜２５、垂
直磁化膜２６、保護膜２７を形成した。接着強化層２２
用にはＺｒターゲット、軟性膜２３用にはＦｅ−８ａｔ
％Ｓｉ−３ａｔ％Ａｌターゲット、シード層２４用には
Ｈｆターゲット、ＭｇＯ膜２５用にはＭｇＯターゲッ
ト、垂直磁化膜２６用にはＣｏ−２１ａｔ％Ｃｒ−８ａ
ｔ％Ｐｔ−２ａｔ％Ｎｂターゲット、保護膜２７用には
カーボンターゲットを用いた。スパッタのＡｒガス圧力
を３ｍＴｏｒｒ、スパッターパワー１０Ｗ／ｃｍ2、基
板温度３００℃の条件でＺｒ膜を２０ｎｍ、Ｆｅ−Ｓｉ
−Ａｌ膜を４００ｎｍ，Ｈｆ膜を３ｎｍ、ＭｇＯ膜を１
２ｎｍ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｎｂ垂直磁化膜を２５ｎ
ｍ、カーボン膜を５ｎｍの厚さ形成した。
ス基板を用いて、マグネトロンスパッタ法によって、図
２に示す断面構造を持つ垂直磁気記録媒体を作製した。
基板２１上に、接着強化層２２を形成した後、軟磁性膜
（裏打磁性膜）２３、シード層２４、ＭｇＯ膜２５、垂
直磁化膜２６、保護膜２７を形成した。接着強化層２２
用にはＺｒターゲット、軟性膜２３用にはＦｅ−８ａｔ
％Ｓｉ−３ａｔ％Ａｌターゲット、シード層２４用には
Ｈｆターゲット、ＭｇＯ膜２５用にはＭｇＯターゲッ
ト、垂直磁化膜２６用にはＣｏ−２１ａｔ％Ｃｒ−８ａ
ｔ％Ｐｔ−２ａｔ％Ｎｂターゲット、保護膜２７用には
カーボンターゲットを用いた。スパッタのＡｒガス圧力
を３ｍＴｏｒｒ、スパッターパワー１０Ｗ／ｃｍ2、基
板温度３００℃の条件でＺｒ膜を２０ｎｍ、Ｆｅ−Ｓｉ
−Ａｌ膜を４００ｎｍ，Ｈｆ膜を３ｎｍ、ＭｇＯ膜を１
２ｎｍ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｎｂ垂直磁化膜を２５ｎ
ｍ、カーボン膜を５ｎｍの厚さ形成した。
【００１９】この垂直磁気記録媒体の構造を透過型電子
顕微鏡とＸ線回折で調べた結果、ＭｇＯ膜は平均結晶粒
径が１０ｎｍの（１００）配向膜であり、またＣｏ−Ｃ
ｒ−Ｐｔ−Ｎｂ垂直磁化膜はＭｇＯ結晶粒上にエピタキ
シャル的に成長し、［０００１］方位を優先成長方位に
持つことを確認した。次に、シード層膜形成用にＴｉ，
Ｚｒ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｖ，Ｗ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｂ，
Ｃ，ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，ＺｒＯ2のターゲットを用いた
以外は同様の構成の垂直磁気記録媒体を作製した。
顕微鏡とＸ線回折で調べた結果、ＭｇＯ膜は平均結晶粒
径が１０ｎｍの（１００）配向膜であり、またＣｏ−Ｃ
ｒ−Ｐｔ−Ｎｂ垂直磁化膜はＭｇＯ結晶粒上にエピタキ
シャル的に成長し、［０００１］方位を優先成長方位に
持つことを確認した。次に、シード層膜形成用にＴｉ，
Ｚｒ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｖ，Ｗ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｂ，
Ｃ，ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，ＺｒＯ2のターゲットを用いた
以外は同様の構成の垂直磁気記録媒体を作製した。
【００２０】比較試料として、ＭｇＯ膜を設けない垂直
磁気記録媒体を同様な条件で作製した。これらの垂直磁
気記録媒体の記録再生特性を以下の条件で測定した。記
録用には単磁極型の薄膜ヘッドを、再生用にはヘッドの
シールド間隔が０．１５μｍの巨大磁気抵抗効果型（Ｇ
ＭＲ）ヘッドを用い、測定時のヘッドと媒体表面のスペ
ーシングは０．０１５μｍとした。特性評価項目とし
て、記録分解能、低記録密度の再生出力、媒体Ｓ／Ｎを
測定した。記録分解能は低周波の再生出力の半分になる
出力半減記録密度（Ｄ50）を測定し、再生出力は１０ｋ
ＦＣＩの記録を行ったときの再生出力の比較試料に対す
る相対値を、媒体Ｓ／Ｎは３００ｋＦＣＩの磁気記録を
行なった場合のＳ／Ｎの比較試料に対する相対値を測定
した。これらの結果を表２に示す。
磁気記録媒体を同様な条件で作製した。これらの垂直磁
気記録媒体の記録再生特性を以下の条件で測定した。記
録用には単磁極型の薄膜ヘッドを、再生用にはヘッドの
シールド間隔が０．１５μｍの巨大磁気抵抗効果型（Ｇ
ＭＲ）ヘッドを用い、測定時のヘッドと媒体表面のスペ
ーシングは０．０１５μｍとした。特性評価項目とし
て、記録分解能、低記録密度の再生出力、媒体Ｓ／Ｎを
測定した。記録分解能は低周波の再生出力の半分になる
出力半減記録密度（Ｄ50）を測定し、再生出力は１０ｋ
ＦＣＩの記録を行ったときの再生出力の比較試料に対す
る相対値を、媒体Ｓ／Ｎは３００ｋＦＣＩの磁気記録を
行なった場合のＳ／Ｎの比較試料に対する相対値を測定
した。これらの結果を表２に示す。
【００２１】
【表２】
【００２２】本実施の形態の磁気記録媒体は、比較試料
に比べて記録分解能と媒体Ｓ／Ｎが大幅に改善されてい
る。 ［実施の形態３］直径２．５インチのガラス基板を用い
て、マグネトロンスパッタ法によって、図３に示す断面
構造を持つ垂直磁気記録媒体を作製した。基板３１上
に、接着強化層３２を形成した後、裏打磁性膜としての
硬磁性膜３３及び軟磁性膜３４、シード層３５、ＭｇＯ
膜３６、非磁性六方稠密構造材料膜３７、垂直磁化膜３
８、保護膜３９を形成した。接着強化層３２用にはＣｒ
−１０ａｔ％Ｚｒターゲット、硬磁性膜３３用にはＦｅ
−３５ａｔ％Ｐｔターゲット、軟性膜３４用にはＮｉ−
１６ａｔ％Ｆｅ−３ａｔ％Ｍｏターゲット、シード層３
５用にはＧｅ−３５ａｔ％Ｓｉターゲット、ＭｇＯ膜３
６用にはＭｇＯターゲット、非磁性六方稠密構造材料膜
３７用にはＣｏ−２８ａｔ％Ｃｒ−８ａｔ％Ｍｎターゲ
ット、垂直磁化膜３８用にはＣｏ−２１ａｔ％Ｃｒ−８
ａｔ％Ｐｔ−２ａｔ％Ｎｂターゲット、保護膜用にはカ
ーボンターゲットを用いた。スパッタのＡｒガス圧力を
３ｍＴｏｒｒ、スパッターパワー１０Ｗ／ｃｍ2、基板
温度３００℃の条件でＣｒ−Ｚｒ膜を２０ｎｍ、Ｆｅ−
Ｐｔ膜を１０ｎｍ、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｍｏ膜を１５０ｎｍ、
Ｇｅ−Ｓｉ膜を５ｎｍ、ＭｇＯ膜を８ｎｍ、Ｃｏ−Ｃｒ
−Ｍｎ膜を６ｎｍ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｎｂ垂直磁化膜
を２５ｎｍ、カーボン膜を５ｎｍの厚さ形成した。
に比べて記録分解能と媒体Ｓ／Ｎが大幅に改善されてい
る。 ［実施の形態３］直径２．５インチのガラス基板を用い
て、マグネトロンスパッタ法によって、図３に示す断面
構造を持つ垂直磁気記録媒体を作製した。基板３１上
に、接着強化層３２を形成した後、裏打磁性膜としての
硬磁性膜３３及び軟磁性膜３４、シード層３５、ＭｇＯ
膜３６、非磁性六方稠密構造材料膜３７、垂直磁化膜３
８、保護膜３９を形成した。接着強化層３２用にはＣｒ
−１０ａｔ％Ｚｒターゲット、硬磁性膜３３用にはＦｅ
−３５ａｔ％Ｐｔターゲット、軟性膜３４用にはＮｉ−
１６ａｔ％Ｆｅ−３ａｔ％Ｍｏターゲット、シード層３
５用にはＧｅ−３５ａｔ％Ｓｉターゲット、ＭｇＯ膜３
６用にはＭｇＯターゲット、非磁性六方稠密構造材料膜
３７用にはＣｏ−２８ａｔ％Ｃｒ−８ａｔ％Ｍｎターゲ
ット、垂直磁化膜３８用にはＣｏ−２１ａｔ％Ｃｒ−８
ａｔ％Ｐｔ−２ａｔ％Ｎｂターゲット、保護膜用にはカ
ーボンターゲットを用いた。スパッタのＡｒガス圧力を
３ｍＴｏｒｒ、スパッターパワー１０Ｗ／ｃｍ2、基板
温度３００℃の条件でＣｒ−Ｚｒ膜を２０ｎｍ、Ｆｅ−
Ｐｔ膜を１０ｎｍ、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｍｏ膜を１５０ｎｍ、
Ｇｅ−Ｓｉ膜を５ｎｍ、ＭｇＯ膜を８ｎｍ、Ｃｏ−Ｃｒ
−Ｍｎ膜を６ｎｍ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｎｂ垂直磁化膜
を２５ｎｍ、カーボン膜を５ｎｍの厚さ形成した。
【００２３】この垂直磁気記録媒体の構造を透過型電子
顕微鏡とＸ線回折で調べた結果、ＭｇＯ膜は平均結晶粒
径が８．７ｎｍの（１００）配向膜であり、またＣｏ−
Ｃｒ−Ｐｔ−Ｎｂ垂直磁化膜は非磁性六方稠密構造材料
膜３７を介してＭｇＯ結晶粒上にエピタキシャル的に成
長し、［０００１］方位を優先成長方位に持つことを確
認した。
顕微鏡とＸ線回折で調べた結果、ＭｇＯ膜は平均結晶粒
径が８．７ｎｍの（１００）配向膜であり、またＣｏ−
Ｃｒ−Ｐｔ−Ｎｂ垂直磁化膜は非磁性六方稠密構造材料
膜３７を介してＭｇＯ結晶粒上にエピタキシャル的に成
長し、［０００１］方位を優先成長方位に持つことを確
認した。
【００２４】次に、非磁性六方稠密構造材料膜用にＣｏ
−３３ａｔ％Ｃｒ，Ｃｏ−３０ａｔ％Ｃｒ−５ａｔ％Ｍ
ｎ，Ｃｏ−３０ａｔ％Ｃｒ−４ａｔ％Ｖ，Ｃｏ−３０ａ
ｔ％Ｃｒ−６ａｔ％Ｚｒ，Ｃｏ−３０ａｔ％Ｃｒ−４ａ
ｔ％Ｈｆ，Ｃｏ−３０ａｔ％Ｃｒ−５ａｔ％Ｎｂ，Ｃｏ
−３０ａｔ％Ｃｒ−２ａｔ％Ｍｏ，Ｃｏ−３０ａｔ％Ｃ
ｒ−２ａｔ％Ｗ，Ｃｏ−３０ａｔ％Ｃｒ−２ａｔ％Ｓ
ｉ，Ｃｏ−３０ａｔ％Ｃｒ−３ａｔ％Ｂ，Ｃｏ−３０ａ
ｔ％Ｃｒ−４ａｔ％Ｔａ，Ｃｏ−３０ａｔ％Ｃｒ−６ａ
ｔ％Ｃｕ，Ｒｕ，Ｒｕ−１０ａｔ％Ｍｎ，Ｒｕ−４ａｔ
％Ｃｒ，Ｒｕ−３ａｔ％Ａｌ，Ｒｕ−５ａｔ％Ｃｕ，Ｔ
ｉ，Ｔｉ−６ａｔ％Ｍｎのターゲットを用いた以外は同
様の構成の垂直磁気記録媒体を作製した。また、比較試
料として、シード層３５、ＭｇＯ膜３６、非磁性六方稠
密構造材料膜３７を設けないで軟磁性膜３４の上に直接
垂直磁化膜３８を設けた垂直磁気記録媒体を同様な条件
で作製した。 これらの垂直磁気記録媒体の記録再生特
性を、以下の条件で測定した。記録用には単磁極型の薄
膜ヘッドを、再生用にはヘッドのシールド間隔が０．１
２μｍの巨大磁気抵抗効果型（ＧＭＲ）ヘッドを用い、
測定時のヘッドと媒体表面のスペーシングは０．０１４
μｍとした。特性評価項目として、記録分解能、低記録
密度の再生出力、媒体Ｓ／Ｎを測定した。記録分解能は
低周波の再生出力の半分になる出力半減記録密度
（Ｄ50）を測定し、再生出力は１０ｋＦＣＩの記録を行
ったときの再生出力の比較試料に対する相対値を、媒体
Ｓ／Ｎは３００ｋＦＣＩの磁気記録を行なった場合のＳ
／Ｎの比較試料に対する相対値を測定した。これらの結
果を表３に示す。
−３３ａｔ％Ｃｒ，Ｃｏ−３０ａｔ％Ｃｒ−５ａｔ％Ｍ
ｎ，Ｃｏ−３０ａｔ％Ｃｒ−４ａｔ％Ｖ，Ｃｏ−３０ａ
ｔ％Ｃｒ−６ａｔ％Ｚｒ，Ｃｏ−３０ａｔ％Ｃｒ−４ａ
ｔ％Ｈｆ，Ｃｏ−３０ａｔ％Ｃｒ−５ａｔ％Ｎｂ，Ｃｏ
−３０ａｔ％Ｃｒ−２ａｔ％Ｍｏ，Ｃｏ−３０ａｔ％Ｃ
ｒ−２ａｔ％Ｗ，Ｃｏ−３０ａｔ％Ｃｒ−２ａｔ％Ｓ
ｉ，Ｃｏ−３０ａｔ％Ｃｒ−３ａｔ％Ｂ，Ｃｏ−３０ａ
ｔ％Ｃｒ−４ａｔ％Ｔａ，Ｃｏ−３０ａｔ％Ｃｒ−６ａ
ｔ％Ｃｕ，Ｒｕ，Ｒｕ−１０ａｔ％Ｍｎ，Ｒｕ−４ａｔ
％Ｃｒ，Ｒｕ−３ａｔ％Ａｌ，Ｒｕ−５ａｔ％Ｃｕ，Ｔ
ｉ，Ｔｉ−６ａｔ％Ｍｎのターゲットを用いた以外は同
様の構成の垂直磁気記録媒体を作製した。また、比較試
料として、シード層３５、ＭｇＯ膜３６、非磁性六方稠
密構造材料膜３７を設けないで軟磁性膜３４の上に直接
垂直磁化膜３８を設けた垂直磁気記録媒体を同様な条件
で作製した。 これらの垂直磁気記録媒体の記録再生特
性を、以下の条件で測定した。記録用には単磁極型の薄
膜ヘッドを、再生用にはヘッドのシールド間隔が０．１
２μｍの巨大磁気抵抗効果型（ＧＭＲ）ヘッドを用い、
測定時のヘッドと媒体表面のスペーシングは０．０１４
μｍとした。特性評価項目として、記録分解能、低記録
密度の再生出力、媒体Ｓ／Ｎを測定した。記録分解能は
低周波の再生出力の半分になる出力半減記録密度
（Ｄ50）を測定し、再生出力は１０ｋＦＣＩの記録を行
ったときの再生出力の比較試料に対する相対値を、媒体
Ｓ／Ｎは３００ｋＦＣＩの磁気記録を行なった場合のＳ
／Ｎの比較試料に対する相対値を測定した。これらの結
果を表３に示す。
【００２５】
【表３】
【００２６】本実施の形態の磁気記録媒体は、比較例に
比べて記録分解能と媒体Ｓ／Ｎが大幅に改善されてい
る。実施の形態３で試作した垂直磁気記録媒体とトンネ
ル型磁気抵抗効果（ＴＭＲ）を利用する高感度再生素子
を持つ録再分離ヘッドを用いて図４に示す磁気記憶装置
を作製した。この磁気記憶装置は、図４（ａ）に概略平
面図を、図４（ｂ）にそのＡＡ′断面図を示すように、
磁気記録媒体駆動部４２により回転駆動される磁気記録
媒体４１、磁気ヘッド駆動部４４により駆動されて磁気
記録媒体４１に対して記録及び再生を行う磁気ヘッド４
３、磁気ヘッド４３の記録信号及び再生信号を処理する
信号処理部４５を備える周知の構成の装置である。
比べて記録分解能と媒体Ｓ／Ｎが大幅に改善されてい
る。実施の形態３で試作した垂直磁気記録媒体とトンネ
ル型磁気抵抗効果（ＴＭＲ）を利用する高感度再生素子
を持つ録再分離ヘッドを用いて図４に示す磁気記憶装置
を作製した。この磁気記憶装置は、図４（ａ）に概略平
面図を、図４（ｂ）にそのＡＡ′断面図を示すように、
磁気記録媒体駆動部４２により回転駆動される磁気記録
媒体４１、磁気ヘッド駆動部４４により駆動されて磁気
記録媒体４１に対して記録及び再生を行う磁気ヘッド４
３、磁気ヘッド４３の記録信号及び再生信号を処理する
信号処理部４５を備える周知の構成の装置である。
【００２７】記録ヘッドのトラック幅０．３μｍ、再生
用のＴＭＲヘッド素子のトラック幅０．２６μｍ、ヘッ
ドと媒体のスペーシング１５ｎｍとした。信号処理とし
てＥＥＰＲ４方式を採用し、５５Ｇｂ／ｉｎ2の面記録
密度の条件で装置を動作させたところ、１０-8以下の誤
り率が得られた。
用のＴＭＲヘッド素子のトラック幅０．２６μｍ、ヘッ
ドと媒体のスペーシング１５ｎｍとした。信号処理とし
てＥＥＰＲ４方式を採用し、５５Ｇｂ／ｉｎ2の面記録
密度の条件で装置を動作させたところ、１０-8以下の誤
り率が得られた。
【００２８】
【発明の効果】本発明によれば、垂直磁気記録媒体の分
解能の向上とノイズ低減が可能となり、高いＳ／Ｎ比が
得られるので、磁気ディスク装置の高密度化が可能とな
る、特に３０Ｇｂ／ｉｎ2以上の高密度磁気記録が可能
となり、装置の小型化や大容量化が容易になる。
解能の向上とノイズ低減が可能となり、高いＳ／Ｎ比が
得られるので、磁気ディスク装置の高密度化が可能とな
る、特に３０Ｇｂ／ｉｎ2以上の高密度磁気記録が可能
となり、装置の小型化や大容量化が容易になる。
【図１】本発明による垂直磁気記録媒体の一例の断面模
式図。
式図。
【図２】本発明による垂直磁気記録媒体の他の例の断面
模式図。
模式図。
【図３】本発明による垂直磁気記録媒体の他の例の断面
模式図。
模式図。
【図４】磁気記憶装置の概略構成図。
１１…基板、１２…接着強化層、１３…軟磁性膜、１４
…ＭｇＯ膜、１５…垂直磁化膜、１６…保護膜、２１…
基板、２２…接着強化層、２３…軟磁性膜、２４…シー
ド層、２５…ＭｇＯ膜、２６…垂直磁化膜、２７…保護
膜、３１…基板、３２…接着強化層、３３…硬磁性膜、
３４…軟磁性層、３５…シード層、３６…ＭｇＯ膜、３
７…六方稠密構造材料膜、３８…垂直磁化膜、３９…保
護膜、４１…磁気記録媒体、４２…磁気記録媒体駆動
部、４３…磁気ヘッド、４４…磁気ヘッド駆動部、４５
…信号処理部。
…ＭｇＯ膜、１５…垂直磁化膜、１６…保護膜、２１…
基板、２２…接着強化層、２３…軟磁性膜、２４…シー
ド層、２５…ＭｇＯ膜、２６…垂直磁化膜、２７…保護
膜、３１…基板、３２…接着強化層、３３…硬磁性膜、
３４…軟磁性層、３５…シード層、３６…ＭｇＯ膜、３
７…六方稠密構造材料膜、３８…垂直磁化膜、３９…保
護膜、４１…磁気記録媒体、４２…磁気記録媒体駆動
部、４３…磁気ヘッド、４４…磁気ヘッド駆動部、４５
…信号処理部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 菊川 敦 東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地 株式会社 日立製作所 中央研究所内 (56)参考文献 特開2000−30236（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−28453（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−320847（ＪＰ，Ａ) 特開2000−348327（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 5/667 G11B 5/738
Claims (5)
- 【請求項１】 非磁性基板上に裏打磁性膜を介して垂直
磁化膜が設けられた垂直磁気記録媒体において、前記裏
打磁性膜と前記垂直磁化膜との間に（１００）面を基板
とおおむね平行に持つ多結晶ＭｇＯ膜が挿入されてお
り、前記多結晶ＭｇＯ膜の上に形成される部分の垂直磁
化膜が六方稠密構造を持つことを特徴とする垂直磁気記
録媒体。 - 【請求項２】 非磁性基板上に裏打磁性膜を介して垂直
磁化膜が設けられた垂直磁気記録媒体において、前記裏
打磁性膜の上に（１００）面を基板とおおむね平行に持
つ多結晶ＭｇＯ膜が設けられ、前記多結晶ＭｇＯ膜の上
に六方稠密構造を持つ非磁性膜が設けられ、前記非磁性
膜の上に垂直磁化膜が設けられ、前記多結晶ＭｇＯ膜の
上に前記非磁性膜を介して形成される部分の垂直磁化膜
が六方稠密構造を持つことを特徴とする垂直磁気記録媒
体。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の垂直磁気記録媒体
において、前記裏打磁性膜と前記多結晶ＭｇＯ膜との間
にＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｖ，Ｗ，Ｓ
ｉ，Ｇｅ，Ｂ，Ｃもしくはこれらの元素を主成分とする
合金、ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，ＺｒＯ2の群からなる酸化
物、の中から選ばれた非磁性膜が設けられていることを
特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれか１項記載の垂直
磁気記録媒体において、前記裏打磁性膜と前記垂直磁化
膜の間に形成される非磁性膜の膜厚の総和が２ｎｍ以上
２０ｎｍ未満であり、しかも前記多結晶ＭｇＯ膜の厚さ
が１ｎｍ以上１３ｎｍ未満であることを特徴とする垂直
磁気記録媒体。 - 【請求項５】 磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体を駆
動する磁気記録媒体駆動部と、前記磁気記録媒体に対し
て記録及び再生を行う磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドを
駆動する磁気ヘッド駆動部と、前記磁気ヘッドの記録信
号及び再生信号を処理する記録再生信号処理系とを備え
る磁気記憶装置において、 前記磁気記録媒体として請求項１〜４のいずれか１項記
載の垂直磁気記録媒体を用い、前記磁気ヘッドは薄膜型
の記録用ヘッドと巨大磁気抵抗効果もしくは磁気トンネ
ル効果を用いた再生用素子を備え、面記録密度３０Ｇｂ
／ｉｎ2以上で磁気記録再生を行なうことを特徴とする
磁気記憶装置。
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|---|---|---|---|
| JP19155199A JP3220116B2 (ja) | 1999-07-06 | 1999-07-06 | 垂直磁気記録媒体および磁気記憶装置 |
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|---|---|
| JP2001023140A JP2001023140A (ja) | 2001-01-26 |
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| US6833975B2 (en) | 2001-08-08 | 2004-12-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium and apparatus including a soft magnetic layer, an at least 20 nm thick non-magnetic layer, and a 50-90 nm gap length |
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| AU2002343968A1 (en) * | 2002-10-10 | 2004-05-04 | Fujitsu Limited | Polycrystal structure film and method for producing the same |
| JP4136590B2 (ja) | 2002-10-23 | 2008-08-20 | キヤノン株式会社 | 配向膜、配向膜を利用した磁気記録媒体、及び磁気記録再生装置 |
| US7598555B1 (en) * | 2003-08-22 | 2009-10-06 | International Business Machines Corporation | MgO tunnel barriers and method of formation |
| WO2005088745A1 (ja) | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Japan Science And Technology Agency | 磁気抵抗素子及びその製造方法 |
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| US8685547B2 (en) | 2009-02-19 | 2014-04-01 | Seagate Technology Llc | Magnetic recording media with enhanced writability and thermal stability |
| US9142240B2 (en) | 2010-07-30 | 2015-09-22 | Seagate Technology Llc | Apparatus including a perpendicular magnetic recording layer having a convex magnetic anisotropy profile |
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| JPS5877025A (ja) | 1981-10-29 | 1983-05-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS58141435A (ja) | 1982-02-17 | 1983-08-22 | Sony Corp | 垂直磁化記録媒体 |
| JPS6064413A (ja) | 1983-09-19 | 1985-04-13 | Hitachi Ltd | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JPH0618059B2 (ja) | 1984-04-11 | 1994-03-09 | 株式会社日立製作所 | 垂直磁気記録媒体 |
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1999
- 1999-07-06 JP JP19155199A patent/JP3220116B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-07-05 US US09/610,455 patent/US6562453B1/en not_active Expired - Fee Related
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2003
- 2003-04-02 US US10/404,446 patent/US6770389B2/en not_active Expired - Fee Related
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