JPH0618059B2 - 垂直磁気記録媒体 - Google Patents
垂直磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH0618059B2 JPH0618059B2 JP59070888A JP7088884A JPH0618059B2 JP H0618059 B2 JPH0618059 B2 JP H0618059B2 JP 59070888 A JP59070888 A JP 59070888A JP 7088884 A JP7088884 A JP 7088884A JP H0618059 B2 JPH0618059 B2 JP H0618059B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- intermediate layer
- substrate
- based alloy
- magnetic recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 37
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 7
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 8
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 3
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910020647 Co-O Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910020704 Co—O Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018553 Ni—O Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910020516 Co—V Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020515 Co—W Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017082 Fe-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017133 Fe—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020018 Nb Zr Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910008310 Si—Ge Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- FPVKHBSQESCIEP-JQCXWYLXSA-N pentostatin Chemical compound C1[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@H]1N1C(N=CNC[C@H]2O)=C2N=C1 FPVKHBSQESCIEP-JQCXWYLXSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
- G11B5/656—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing Co
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/1278—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive specially adapted for magnetisations perpendicular to the surface of the record carrier
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
- G11B5/672—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers having different compositions in a plurality of magnetic layers, e.g. layer compositions having differing elemental components or differing proportions of elements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
- G11B5/7377—Physical structure of underlayer, e.g. texture
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73911—Inorganic substrates
- G11B5/73921—Glass or ceramic substrates
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73923—Organic polymer substrates
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73923—Organic polymer substrates
- G11B5/73927—Polyester substrates, e.g. polyethylene terephthalate
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B2005/0002—Special dispositions or recording techniques
- G11B2005/0026—Pulse recording
- G11B2005/0029—Pulse recording using magnetisation components of the recording layer disposed mainly perpendicularly to the record carrier surface
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/90—Magnetic feature
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12465—All metal or with adjacent metals having magnetic properties, or preformed fiber orientation coordinate with shape
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12674—Ge- or Si-base component
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は垂直記録方式に適した磁気記録媒体に関する。
垂直磁気記録方式は、記録媒体膜面に垂直方向に記録を
行なうものであり、高密度記録の際の各ビツト内の反磁
界が小さいため記録密度を上げるのに適した方式であ
る。この目的のために使用される磁気記録媒体として
は、Ｃｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｖ，Ｃｏ−Ｍｏ，Ｃｏ−Ｗ，Ｃ
ｏ−Ｒｅ，Ｃｏ−Ｏ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｏ−Ｃｒ−
Ｒｕ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏ膜などのＣｏ基合金膜がある。こ
れらＣｏ基合金はいずれもｈ・ｃ・ｐ構造を持ち、薄膜
を構成する微結晶粒がＣ軸配向し易いという特長を持
つ。磁気記録特性を上げるためには、これら薄膜のＣ軸
配向度を上げることが必要である。
行なうものであり、高密度記録の際の各ビツト内の反磁
界が小さいため記録密度を上げるのに適した方式であ
る。この目的のために使用される磁気記録媒体として
は、Ｃｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｖ，Ｃｏ−Ｍｏ，Ｃｏ−Ｗ，Ｃ
ｏ−Ｒｅ，Ｃｏ−Ｏ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｏ−Ｃｒ−
Ｒｕ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏ膜などのＣｏ基合金膜がある。こ
れらＣｏ基合金はいずれもｈ・ｃ・ｐ構造を持ち、薄膜
を構成する微結晶粒がＣ軸配向し易いという特長を持
つ。磁気記録特性を上げるためには、これら薄膜のＣ軸
配向度を上げることが必要である。
現在用いられている垂直磁気記録媒体は、非磁性基板上
に直接に、あるいはパーマロイ等の軟磁性薄膜を介して
前記Ｃｏ基合金膜を付着せしめたものである。非磁性基
板として、ポリイミドあるいはポリエチレンテレフタレ
ート等のプラスチツクフイルム類、Ａｌ、ガラス板など
が用いられている。これらの基板上にＣｏ基合金膜を形
成する場合、基板との密着性が良く、しかもＣ軸配向度
の良いＣｏ基合金膜を形成しなければならない。しか
し、Ｃｏ基合金膜をプラスチツクフイルムやガラス板に
直接蒸着法で付着した場合は付着強度が十分でなくＣｏ
基合金膜が基板から剥離し易く、またＣ軸配向性も基板
の清浄度の微妙な差によってばらつくという問題点があ
る。またＣｏ基合金膜をＡｌ等の金属基板あるいはパー
マロイ等の軟磁性金属膜上に付着せしめる場合は、下地
金属の結晶配向がその上に付着されるＣｏ基合金のＣ軸
配向度に悪影響を及ぼす。たとえばＡｌ、パーマロイは
ｆ・ｃ・ｃ結晶構造を持つが、ｆ・ｃ・ｃの（１１１）
面内配向が良いほどその上に付着するＣｏ基合金のＣ軸
配向も良いことが知られている。しかしながら実際の基
板もしくは軟磁性金属薄膜の（１１１）配向性はそれ程
良くないため、Ｃｏ基合金のＣ軸配向度がプラスチツク
やガラス基板に付着した場合よりも悪くなるという問題
点がある。さらに、特開昭56-70618号公報に示されてい
るように、六方晶の結晶構造を有する物質のＣ軸が基板
表面に垂直に配向するよう形成した後、この上にＣｏ−
Ｃｒ合金膜を形成するとＣｏ−Ｃｒ合金膜のＣ軸配向度
が改善される。しかし、この場合も、下地の六方晶構造
の物質の結晶配向が問題となるので、Ｃｏ基合金の特性
は下地膜の結晶配向性に左右されることになり、好まし
くない。
に直接に、あるいはパーマロイ等の軟磁性薄膜を介して
前記Ｃｏ基合金膜を付着せしめたものである。非磁性基
板として、ポリイミドあるいはポリエチレンテレフタレ
ート等のプラスチツクフイルム類、Ａｌ、ガラス板など
が用いられている。これらの基板上にＣｏ基合金膜を形
成する場合、基板との密着性が良く、しかもＣ軸配向度
の良いＣｏ基合金膜を形成しなければならない。しか
し、Ｃｏ基合金膜をプラスチツクフイルムやガラス板に
直接蒸着法で付着した場合は付着強度が十分でなくＣｏ
基合金膜が基板から剥離し易く、またＣ軸配向性も基板
の清浄度の微妙な差によってばらつくという問題点があ
る。またＣｏ基合金膜をＡｌ等の金属基板あるいはパー
マロイ等の軟磁性金属膜上に付着せしめる場合は、下地
金属の結晶配向がその上に付着されるＣｏ基合金のＣ軸
配向度に悪影響を及ぼす。たとえばＡｌ、パーマロイは
ｆ・ｃ・ｃ結晶構造を持つが、ｆ・ｃ・ｃの（１１１）
面内配向が良いほどその上に付着するＣｏ基合金のＣ軸
配向も良いことが知られている。しかしながら実際の基
板もしくは軟磁性金属薄膜の（１１１）配向性はそれ程
良くないため、Ｃｏ基合金のＣ軸配向度がプラスチツク
やガラス基板に付着した場合よりも悪くなるという問題
点がある。さらに、特開昭56-70618号公報に示されてい
るように、六方晶の結晶構造を有する物質のＣ軸が基板
表面に垂直に配向するよう形成した後、この上にＣｏ−
Ｃｒ合金膜を形成するとＣｏ−Ｃｒ合金膜のＣ軸配向度
が改善される。しかし、この場合も、下地の六方晶構造
の物質の結晶配向が問題となるので、Ｃｏ基合金の特性
は下地膜の結晶配向性に左右されることになり、好まし
くない。
本発明の目的は、前記従来技術の難点を解消し、プラス
チツクやガラス等の非金属基板においてはその上に付着
するＣｏ基合金膜との付着強度を向上させ、かつＣｏ基
合金膜のＣ軸配向度の向上を可能ならしめ、Ａｌ等の金
属基板および軟磁性金属膜上に付着する場合においては
Ｃｏ基合金膜のＣ軸配向度を改善した垂直磁気記録媒体
を提供するにある。
チツクやガラス等の非金属基板においてはその上に付着
するＣｏ基合金膜との付着強度を向上させ、かつＣｏ基
合金膜のＣ軸配向度の向上を可能ならしめ、Ａｌ等の金
属基板および軟磁性金属膜上に付着する場合においては
Ｃｏ基合金膜のＣ軸配向度を改善した垂直磁気記録媒体
を提供するにある。
本発明者らの実験によれば、Ｃｏ基合金の付着に先立っ
て基板上に半金属であるＳｉ，Ｇｅ、もしくはその合金
薄膜からなる中間層を形成し、ついでＣｏ基合金膜を付
着した場合にＣ軸配向性の良い膜が再現性よく得られる
ことがわかった。Ｓｉ，Ｇｅ、もしくはその合金薄膜を
付着した場合のＣｏ基合金のＣ軸配向度は基板の種類に
よらず、ほぼ一定の値となる傾向があった。この傾向は
蒸着法、スパツタ法、イオンビームスパツタ法のいずれ
でも認められた。また、プラスチツクやガラスなどの非
金属材料上にＣｏ基合金を付着するとき、両者の間にＳ
ｉ，Ｇｅ、もしくはその合金属を形成することにより付
着強度が向上し、Ｃｏ基合金膜の剥離あるいはクラツク
発生の防止に有効であることがわかった。なお、Ｓｉな
どの中間層の付着とＣｏ基合金膜の付着は同一真空装置
内で連続して行なうことが望ましい。中間層を付着して
から大気に暴すとその表面が酸化されたり、汚染された
りするため、Ｃｏ基合金のＣ軸配向度が悪化することに
なる。
て基板上に半金属であるＳｉ，Ｇｅ、もしくはその合金
薄膜からなる中間層を形成し、ついでＣｏ基合金膜を付
着した場合にＣ軸配向性の良い膜が再現性よく得られる
ことがわかった。Ｓｉ，Ｇｅ、もしくはその合金薄膜を
付着した場合のＣｏ基合金のＣ軸配向度は基板の種類に
よらず、ほぼ一定の値となる傾向があった。この傾向は
蒸着法、スパツタ法、イオンビームスパツタ法のいずれ
でも認められた。また、プラスチツクやガラスなどの非
金属材料上にＣｏ基合金を付着するとき、両者の間にＳ
ｉ，Ｇｅ、もしくはその合金属を形成することにより付
着強度が向上し、Ｃｏ基合金膜の剥離あるいはクラツク
発生の防止に有効であることがわかった。なお、Ｓｉな
どの中間層の付着とＣｏ基合金膜の付着は同一真空装置
内で連続して行なうことが望ましい。中間層を付着して
から大気に暴すとその表面が酸化されたり、汚染された
りするため、Ｃｏ基合金のＣ軸配向度が悪化することに
なる。
本発明における、Ｓｉおよび／もしくはＧｅを主成分と
する中間層膜はＣｏ基合金膜形成のための新たな基板表
面を形成し、かつＣ軸配向性の良い膜を得るために望ま
しい性質を有しているものである。この様な中間層を設
けることは、プラスチツクなどほとんどあらゆる基板材
料上に再現性良く、Ｃ軸配向性の良いＣｏ基合金膜を形
成するうえで極めて有効である。なお前記材料の中間層
の膜厚が１００Å未満のときは基板材料の影響の除去が
不十分となるので、１００Å以上にすることが必要であ
る。前述の効果は中間層の膜厚が１μｍ以上と大きくな
っても同様であるが、膜形成のための時間が長くなった
り、あるいはプラスチツクフイルム上に膜を形成する場
合は膜にクラツクが入り易くなる。したがって、も膜厚
は１μｍ以下が望ましく、実用的にさらに望ましい膜厚
の範囲は１５０Å以上1000Å以下である。
する中間層膜はＣｏ基合金膜形成のための新たな基板表
面を形成し、かつＣ軸配向性の良い膜を得るために望ま
しい性質を有しているものである。この様な中間層を設
けることは、プラスチツクなどほとんどあらゆる基板材
料上に再現性良く、Ｃ軸配向性の良いＣｏ基合金膜を形
成するうえで極めて有効である。なお前記材料の中間層
の膜厚が１００Å未満のときは基板材料の影響の除去が
不十分となるので、１００Å以上にすることが必要であ
る。前述の効果は中間層の膜厚が１μｍ以上と大きくな
っても同様であるが、膜形成のための時間が長くなった
り、あるいはプラスチツクフイルム上に膜を形成する場
合は膜にクラツクが入り易くなる。したがって、も膜厚
は１μｍ以下が望ましく、実用的にさらに望ましい膜厚
の範囲は１５０Å以上1000Å以下である。
また、基板と垂直磁化層との間に設ける前記中間層を構
成する材料は、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｉ−Ｇｅ合金（組成比は
特に制限されない）であり、またこれらを主成分として
さらに他の元素を加えてもよい。
成する材料は、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｉ−Ｇｅ合金（組成比は
特に制限されない）であり、またこれらを主成分として
さらに他の元素を加えてもよい。
さらに、本発明で、垂直磁化膜のＣｏ基合金としては垂
直磁気記録用として用いられるものがすべて用いられる
が、特にＣｏ−Ｃｒ合金（特公昭５８−９１号公報参
照）が一般的であり、その他、Ｖ，Ｍｏ，Ｗ，Ｒｅ，
Ｏ，Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｒ−Ｒｕ，もしくはＮｉ−Ｏを含む
Ｃｏ合金等が知られている。
直磁気記録用として用いられるものがすべて用いられる
が、特にＣｏ−Ｃｒ合金（特公昭５８−９１号公報参
照）が一般的であり、その他、Ｖ，Ｍｏ，Ｗ，Ｒｅ，
Ｏ，Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｒ−Ｒｕ，もしくはＮｉ−Ｏを含む
Ｃｏ合金等が知られている。
以下、本発明を実施例によって説明する。
実施例１ ポリイミドフイルムを基板に用いて、第１図に示す構造
の膜を以下の手順で作製した。１×１０−６Torrの真空
中でポリイミドフイルムからなる基板１を１５０℃に加
熱し、まず中間層材料としてＳｉを１０Å／ｓの速度で
３００Å真空蒸着して中間層２を形成した。ついで同一
真空容器中でＣｏ−２２ｗｔ・％Ｃｒを８０Å／ｓの速
度で５０００Å真空蒸着してＣｏ基合金膜３とし、第１
図に示す構造を持つ垂直磁気記録媒体を作製した。
の膜を以下の手順で作製した。１×１０−６Torrの真空
中でポリイミドフイルムからなる基板１を１５０℃に加
熱し、まず中間層材料としてＳｉを１０Å／ｓの速度で
３００Å真空蒸着して中間層２を形成した。ついで同一
真空容器中でＣｏ−２２ｗｔ・％Ｃｒを８０Å／ｓの速
度で５０００Å真空蒸着してＣｏ基合金膜３とし、第１
図に示す構造を持つ垂直磁気記録媒体を作製した。
以下、同様の条件で中間層材料として、Ｇｅ，Ｓｉ−１
０ｗｔ・％Ｇｅ、Ｓｉ−２ｗｔ・％Ｔｉ，Ｇｅ−１ｗｔ
・％Ｔｉを用いてそれぞれ第１図に示す構造の膜を作製
した。
０ｗｔ・％Ｇｅ、Ｓｉ−２ｗｔ・％Ｔｉ，Ｇｅ−１ｗｔ
・％Ｔｉを用いてそれぞれ第１図に示す構造の膜を作製
した。
比較試料として１５０℃の基板温度に保ったポリイミド
フイルムに８０Å／ｓの速度で直接Ｃｏ−２２ｗｔ・％
Ｃｒ膜を5000Å付着した試料を作製した。
フイルムに８０Å／ｓの速度で直接Ｃｏ−２２ｗｔ・％
Ｃｒ膜を5000Å付着した試料を作製した。
第１表に、各々のＣｏ−Ｃｒ膜のＣ軸配向度とクラツク
の発生状況を比較して示す。Ｃ軸配向はＣｏ−Ｃｒ合金
ｈ・ｃ・ｐ相の（0002）面によるＸ線回折線のロツキン
グ曲線半値幅Δθ５０（度）によって評価した。Δθ
５０の値が小さい程、Ｃｏ−ＣｒのＣ軸配向度が良い。
また第１表において、○印はＣｏ−Ｃｒ膜にクラツクの
発生が全く認められなかった場合、×印はクラツクの発
生がわずかでも存在した場合を示す。
の発生状況を比較して示す。Ｃ軸配向はＣｏ−Ｃｒ合金
ｈ・ｃ・ｐ相の（0002）面によるＸ線回折線のロツキン
グ曲線半値幅Δθ５０（度）によって評価した。Δθ
５０の値が小さい程、Ｃｏ−ＣｒのＣ軸配向度が良い。
また第１表において、○印はＣｏ−Ｃｒ膜にクラツクの
発生が全く認められなかった場合、×印はクラツクの発
生がわずかでも存在した場合を示す。
第１表より明らかなように、中間層を設けた場合はΔθ
５０の値が設けない場合に比べて改善され、またクラツ
クの発生が無い良質なＣｏ−Ｃｒ膜が得られた。磁気特
性はいずれも垂直磁気異法性があり、垂直磁化膜であつ
た。
５０の値が設けない場合に比べて改善され、またクラツ
クの発生が無い良質なＣｏ−Ｃｒ膜が得られた。磁気特
性はいずれも垂直磁気異法性があり、垂直磁化膜であつ
た。
なお、中間層は、Ｘ線回折により、非晶質と認められ
た。
た。
実施例２ ポリイミドフイルムを基板にして、第２図に示す構造の
膜を以下の手順で作製した。３×１０−６Torrの真空中
でポリイミドフイルムからなる基板１を１７０℃に加熱
し、まず軟磁性材料のパーマロイ（Ｎｉ−２０ｗｔ・％
Ｆｅ）を５０Å／ｓの速度で４０００Å蒸着し軟磁性材
料膜４とした。ついで同一真空容器中で中間層材料とし
てＳｉを１５Å／ｓの速度で５００Å蒸着して中間層２
を形成し、さらにＣｏ−２５ｗｔ・％Ｃｒを１００Å／
ｓの速度で2000Å蒸着しＣｏ基合金膜３として第２図に
示す構造の膜を作製した。
膜を以下の手順で作製した。３×１０−６Torrの真空中
でポリイミドフイルムからなる基板１を１７０℃に加熱
し、まず軟磁性材料のパーマロイ（Ｎｉ−２０ｗｔ・％
Ｆｅ）を５０Å／ｓの速度で４０００Å蒸着し軟磁性材
料膜４とした。ついで同一真空容器中で中間層材料とし
てＳｉを１５Å／ｓの速度で５００Å蒸着して中間層２
を形成し、さらにＣｏ−２５ｗｔ・％Ｃｒを１００Å／
ｓの速度で2000Å蒸着しＣｏ基合金膜３として第２図に
示す構造の膜を作製した。
以下、同様の条件で中間素材料としてＧｅ，Ｓｉ−２５
ｗｔ・％Ｇｅ，Ｓｉ−０．５ｗｔ・％Ｔｉ，Ｇｅ−０．
７ｗｔ・％Ｚｒを用いてそれぞれ第２図に示す構造の膜
を作製した。
ｗｔ・％Ｇｅ，Ｓｉ−０．５ｗｔ・％Ｔｉ，Ｇｅ−０．
７ｗｔ・％Ｚｒを用いてそれぞれ第２図に示す構造の膜
を作製した。
比較試料として１７０℃の基板温度に保ったポリイミド
フイルムに５０Å／ｓの速度でパーマロイを4000Å、つ
いで１００Å／ｓの速度でＣｏ−２５ｗｔ・％Ｃｒを20
00Å蒸着した試料を作製した。
フイルムに５０Å／ｓの速度でパーマロイを4000Å、つ
いで１００Å／ｓの速度でＣｏ−２５ｗｔ・％Ｃｒを20
00Å蒸着した試料を作製した。
第２表に、各々のＣｏ−Ｃｒ膜の特性を比較して示す。
特性の評価は、実施例１と同様に行なった。中間層を設
けることによって、Ｃ軸配向度の良い、垂直磁気異方性
を持つＣｏ−Ｃｒ膜を製造することができた。
特性の評価は、実施例１と同様に行なった。中間層を設
けることによって、Ｃ軸配向度の良い、垂直磁気異方性
を持つＣｏ−Ｃｒ膜を製造することができた。
なお、中間層は、Ｘ線回折により、非晶質と認められ
た。
た。
実施例３ 実施例２におけるポリイミドフイルムの代りにポリエチ
レンテレフタレートフイルムを使用し、フイルム温度１
００℃に保って同様な試料を作製した。Δθ５０値を測
定したところ、中間層を設けない場合はΔθ５０＝１４
度であったのに比べ、中間層を設けた場合はいずれもΔ
θ５０＝４〜６度の範囲でありＣ軸配向性の良いＣｏ−
Ｃｒ膜が得られていた。
レンテレフタレートフイルムを使用し、フイルム温度１
００℃に保って同様な試料を作製した。Δθ５０値を測
定したところ、中間層を設けない場合はΔθ５０＝１４
度であったのに比べ、中間層を設けた場合はいずれもΔ
θ５０＝４〜６度の範囲でありＣ軸配向性の良いＣｏ−
Ｃｒ膜が得られていた。
なお、中間層は、Ｘ線回折により、非晶質と認められ
た。
た。
実施例４ Ａｌを基板に用いてスパツタ法によって、第２図に示す
構造の膜を以下の手順で作製した。高周波スパツタ装置
を用いて、まず軟磁性材料のＦｅ−６ｗｔ・％Ａｌ−１
０ｗｔ・％ＳｉをＡｒ圧力５ｍTorr、スパツタの高周波
出力４Ｗ／cm2の条件で5000Å付着した。ついで中間層
２としてＳｉをＡｒ圧力３ｍTorr、スパツタの高周波出
力２Ｗ／cm2の条件で６００Å付着し、さらにＣｏ−１
８ｗｔ・％ＣｒをＡｒ圧力３ｍＴｏｒｒ、高周波出力８
ｗ／cm2で3500Å付着し、第２図に示す構造を持つ膜を
得た。
構造の膜を以下の手順で作製した。高周波スパツタ装置
を用いて、まず軟磁性材料のＦｅ−６ｗｔ・％Ａｌ−１
０ｗｔ・％ＳｉをＡｒ圧力５ｍTorr、スパツタの高周波
出力４Ｗ／cm2の条件で5000Å付着した。ついで中間層
２としてＳｉをＡｒ圧力３ｍTorr、スパツタの高周波出
力２Ｗ／cm2の条件で６００Å付着し、さらにＣｏ−１
８ｗｔ・％ＣｒをＡｒ圧力３ｍＴｏｒｒ、高周波出力８
ｗ／cm2で3500Å付着し、第２図に示す構造を持つ膜を
得た。
以下、同様の条件で中間層材料としてＧｅ，Ｓｉ−８０
ｗｔ・％Ｇｅ，Ｓｉ−０．３ｗｔ・％Ｔｉ，Ｇｅ−０．
１ｗｔ・％Ｂを用いてそれぞれ同様な構造の膜を作製し
た。
ｗｔ・％Ｇｅ，Ｓｉ−０．３ｗｔ・％Ｔｉ，Ｇｅ−０．
１ｗｔ・％Ｂを用いてそれぞれ同様な構造の膜を作製し
た。
比較材料として同様の条件で中間層を省いた膜を作製し
た。第３表中に、各々のＣｏ−Ｃｒ膜の特性を比較して
示す。中間層を設けることによって、Ｃ軸配向度の良
い、垂直磁気異法方を持つＣｏ−Ｃｒ膜を製造すること
ができた。
た。第３表中に、各々のＣｏ−Ｃｒ膜の特性を比較して
示す。中間層を設けることによって、Ｃ軸配向度の良
い、垂直磁気異法方を持つＣｏ−Ｃｒ膜を製造すること
ができた。
なお、中間層は、Ｘ線回折により非晶質と認められた。
実施例５ 基板として石英ガラスを用い、基板温度を400℃にし
て、中間層に、ＳｉおよびＧｅを用いたこと以外は実施
例１と同様にして（Ｃｏ−Ｃｒ合金の被着には１５０℃
の基板温度とした）、垂直磁気記録媒体を作製し、Ｃｏ
−Ｃｒ合金の配向度とクラツク状況を調べたが実施例１
と同様であった。なお、この場合の中間層は、微細な
（粒径が、Ｇｅは約2000Å以下、Ｓｉは約８００Å以
下）多結晶膜であった。
て、中間層に、ＳｉおよびＧｅを用いたこと以外は実施
例１と同様にして（Ｃｏ−Ｃｒ合金の被着には１５０℃
の基板温度とした）、垂直磁気記録媒体を作製し、Ｃｏ
−Ｃｒ合金の配向度とクラツク状況を調べたが実施例１
と同様であった。なお、この場合の中間層は、微細な
（粒径が、Ｇｅは約2000Å以下、Ｓｉは約８００Å以
下）多結晶膜であった。
以上の実施例ではＣｏ基合金の一例としてＣｏ−Ｃｒ合
金の場合について述べたが、他のＣｏ基合金のＣｏ−
Ｖ，Ｃｏ−Ｍｏ，Ｃｏ−Ｏ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｏ−
Ｃｒ−Ｒｕなどでも中間層を設けることによってＣ軸配
向度が向上する効果が認められた。また、軟磁性材料層
としてＦｅ−Ｓｉ，Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ合金など他の材料
を用いた場合にも同等の効果が認められた。
金の場合について述べたが、他のＣｏ基合金のＣｏ−
Ｖ，Ｃｏ−Ｍｏ，Ｃｏ−Ｏ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｏ−
Ｃｒ−Ｒｕなどでも中間層を設けることによってＣ軸配
向度が向上する効果が認められた。また、軟磁性材料層
としてＦｅ−Ｓｉ，Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ合金など他の材料
を用いた場合にも同等の効果が認められた。
これまでの説明から明らかなように、Ｃｏ基合金膜の付
着に先立ってＳｉ，Ｇｅ、もしくはその合金から成る中
間層を設けておけば、基板あるいは下地の軟磁性材料の
如何にかかわらずＣ軸配向性の良いＣｏ合金膜を再現性
良く製造することができる。
着に先立ってＳｉ，Ｇｅ、もしくはその合金から成る中
間層を設けておけば、基板あるいは下地の軟磁性材料の
如何にかかわらずＣ軸配向性の良いＣｏ合金膜を再現性
良く製造することができる。
第１図および第２図は本発明による垂直磁気記録媒体の
断面構造を示す図である。 １……基板、２……中間層、３……Ｃｏ基合金膜、４…
…軟磁性材料膜。
断面構造を示す図である。 １……基板、２……中間層、３……Ｃｏ基合金膜、４…
…軟磁性材料膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 上坂 保太郎 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 吉田 和悦 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭58−14318（ＪＰ，Ａ)
Claims (5)
- 【請求項１】基板上に、ＳｉおよびＧｅからなる群より
選択した少なくとも１元素を主成分とする材料からなる
中間層を設け、該中間層上にＣｏ基合金からなる垂直磁
化膜を設けてなり、かつ前記中間層は非晶質構造または
多結晶構造を有することを特徴とする垂直磁気記録媒
体。 - 【請求項２】前記基板の少なくとも一表面が軟磁性材料
からなる特許請求の範囲第１項記載の垂直磁気記録媒
体。 - 【請求項３】前記中間層の厚さは１００Å以上１μｍ以
下である特許請求の範囲第１項又は第２項記載の垂直磁
気記録媒体。 - 【請求項４】前記中間層の厚さは１５０Å以上１０００
Å以下である特許請求の範囲第３項記載の垂直磁気記録
媒体。 - 【請求項５】前記中間層はＳｉ−１０wt%Ｇｅ、Ｓｉ−
２５wt%Ｇｅ、Ｓｉ−８０wt%Ｇｅ、Ｓｉ−０．３wt%Ｔ
ｉ、Ｓｉ−０．５wt%Ｔｉ、Ｓｉ−２wt%Ｔｉ、Ｇｅ−１
wt%Ｔｉ、Ｇｅ−０．７wt%ＺｒおよびＧｅ−０．１wt%
Ｂから成る群から選ばれた一種である特許請求の範囲第
１項乃至第４項のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59070888A JPH0618059B2 (ja) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | 垂直磁気記録媒体 |
| KR1019850002227A KR900006482B1 (ko) | 1984-04-11 | 1985-04-03 | 수직자기기록매체 |
| EP85104338A EP0158338B2 (en) | 1984-04-11 | 1985-04-10 | Perpendicular magnetic recording medium |
| DE8585104338T DE3566849D1 (en) | 1984-04-11 | 1985-04-10 | Perpendicular magnetic recording medium |
| US06/721,715 US4707756A (en) | 1984-04-11 | 1985-04-10 | Perpendicular magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59070888A JPH0618059B2 (ja) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | 垂直磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60214417A JPS60214417A (ja) | 1985-10-26 |
| JPH0618059B2 true JPH0618059B2 (ja) | 1994-03-09 |
Family
ID=13444512
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59070888A Expired - Lifetime JPH0618059B2 (ja) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | 垂直磁気記録媒体 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4707756A (ja) |
| EP (1) | EP0158338B2 (ja) |
| JP (1) | JPH0618059B2 (ja) |
| KR (1) | KR900006482B1 (ja) |
| DE (1) | DE3566849D1 (ja) |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4677032A (en) * | 1985-09-23 | 1987-06-30 | International Business Machines Corporation | Vertical magnetic recording media with multilayered magnetic film structure |
| JPS62208412A (ja) * | 1986-03-07 | 1987-09-12 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
| US4786553A (en) * | 1986-03-28 | 1988-11-22 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium |
| US4847161A (en) * | 1986-12-19 | 1989-07-11 | Siemens Aktiengesellschaft | Magnetically anisotropic recording medium |
| JP2791015B2 (ja) * | 1986-12-24 | 1998-08-27 | 株式会社日立製作所 | 磁気記録媒体 |
| DE3644823A1 (de) * | 1986-12-31 | 1988-07-14 | Basf Ag | Magnetische aufzeichnungstraeger |
| US4786564A (en) * | 1987-02-25 | 1988-11-22 | Komag, Inc. | Method for manufacturing a magnetic disk having reduced bit shift, minimized noise, increased resolution and uniform magnetic characteristics, and the resulting disk |
| JPS63237210A (ja) * | 1987-03-25 | 1988-10-03 | Sony Corp | 磁気記録媒体 |
| JP2579184B2 (ja) * | 1987-03-30 | 1997-02-05 | 日立マクセル株式会社 | 磁気記録媒体 |
| JPS6464114A (en) * | 1987-09-03 | 1989-03-10 | Ricoh Kk | Magnetic recording medium |
| KR920001981B1 (ko) * | 1987-10-09 | 1992-03-07 | 미쓰비시전기 주식회사 | 자기기록매체 |
| US5060097A (en) * | 1989-01-06 | 1991-10-22 | Hitachi, Ltd. | Magnetic disc file including a slider which exhibits reduced deformation during operation |
| DE69031250T2 (de) * | 1989-06-09 | 1997-12-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetisches Material |
| US5112699A (en) * | 1990-03-12 | 1992-05-12 | International Business Machines Corporation | Metal-metal epitaxy on substrates and method of making |
| JPH0594611A (ja) * | 1991-09-30 | 1993-04-16 | Nec Corp | 磁気記録媒体 |
| JPH07141640A (ja) * | 1993-11-17 | 1995-06-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| US5479097A (en) * | 1993-12-29 | 1995-12-26 | Storage Technology Corporation | Data corruption detector for magnetic media |
| KR19980024169A (ko) * | 1996-09-04 | 1998-07-06 | 가나이 츠토무 | 수직자기기록매체 및 그것을 사용한 자기기록 재생장치 |
| US6403203B2 (en) | 1997-05-29 | 2002-06-11 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and magnetic recording apparatus using the same |
| US6183893B1 (en) | 1998-04-06 | 2001-02-06 | Hitachi, Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium and magnetic storage apparatus using the same |
| JP3220116B2 (ja) | 1999-07-06 | 2001-10-22 | 株式会社日立製作所 | 垂直磁気記録媒体および磁気記憶装置 |
| JP3665261B2 (ja) | 2000-09-01 | 2005-06-29 | 株式会社日立製作所 | 垂直磁気記録媒体および磁気記憶装置 |
| US7166375B2 (en) | 2000-12-28 | 2007-01-23 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium utilizing a multi-layered soft magnetic underlayer, method of producing the same and magnetic recording and reproducing device |
| JP3625428B2 (ja) * | 2001-03-12 | 2005-03-02 | 株式会社東芝 | 垂直磁気記録媒体 |
| US20040072027A1 (en) * | 2002-09-30 | 2004-04-15 | Seagate Technology Llc | Intermediate layer for perpendicular magnetic recording media |
| CN108786839A (zh) * | 2018-01-18 | 2018-11-13 | 合肥小小作为信息科技有限公司 | 一种催化剂用金属载体的制备方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1358761A (fr) * | 1963-05-27 | 1964-04-17 | Matériau magnétique en couches minces magnétiques et non magnétiques | |
| JPS54145505A (en) * | 1978-05-04 | 1979-11-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic recording medium |
| JPS55163630A (en) * | 1979-06-07 | 1980-12-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic recording medium |
| JPS5634143A (en) * | 1979-08-25 | 1981-04-06 | Hitachi Maxell Ltd | Magnetic recording medium |
| JPS5724022A (en) * | 1980-07-16 | 1982-02-08 | Toshiba Corp | Production of magnetic recording substance |
| JPS5758226A (en) * | 1980-09-22 | 1982-04-07 | Toshiba Corp | Magnetic recording medium |
| JPS57149706A (en) * | 1981-03-12 | 1982-09-16 | Tdk Corp | Magnetic recording medium |
| JPS57173917A (en) * | 1981-04-20 | 1982-10-26 | Canon Inc | Magnetic recording medium |
| JPS6063710A (ja) * | 1983-09-19 | 1985-04-12 | Hitachi Ltd | 磁気ディスク媒体 |
| US4661420A (en) * | 1984-02-06 | 1987-04-28 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Optical magnetic recording member |
-
1984
- 1984-04-11 JP JP59070888A patent/JPH0618059B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-04-03 KR KR1019850002227A patent/KR900006482B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1985-04-10 DE DE8585104338T patent/DE3566849D1/de not_active Expired
- 1985-04-10 EP EP85104338A patent/EP0158338B2/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-04-10 US US06/721,715 patent/US4707756A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR900006482B1 (ko) | 1990-09-01 |
| EP0158338A2 (en) | 1985-10-16 |
| US4707756A (en) | 1987-11-17 |
| DE3566849D1 (en) | 1989-01-19 |
| KR850007504A (ko) | 1985-12-04 |
| EP0158338A3 (en) | 1987-01-14 |
| JPS60214417A (ja) | 1985-10-26 |
| EP0158338B2 (en) | 1993-02-24 |
| EP0158338B1 (en) | 1988-12-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0618059B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
| US4833020A (en) | Magnetic recording medium | |
| US4743491A (en) | Perpendicular magnetic recording medium and fabrication method therefor | |
| US20010044018A1 (en) | Sputtering target for production of magnetic recording medium, method for producing magnetic recording medium using same, and magnetic recording medium | |
| JPH0557646B2 (ja) | ||
| US5516547A (en) | Method for fabricating magnetic recording medium | |
| US5939202A (en) | Magnetic recording medium and method for manufacturing the same | |
| US5851628A (en) | Magnetic recording medium and method for manufacturing the same | |
| JP4716534B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| US4663193A (en) | Process for manufacturing magnetic recording medium | |
| US6183832B1 (en) | CoCrPtB alloys with increased boron content and method of producing same | |
| JP3018551B2 (ja) | 面内磁気記録媒体 | |
| US4645690A (en) | Method of manufacturing a magnetic media | |
| JPH0658734B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
| JPH0814889B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
| US4753852A (en) | Magnetic recording medium comprising a magnetic Co-Ni-Cr alloy thin layer | |
| EP0187169B1 (en) | Process of manufacturing magnetic recording media and the media | |
| JPH0867966A (ja) | 磁気抵抗効果膜 | |
| USRE38474E1 (en) | CoCrPtB alloys with increased boron content and method of producing same | |
| JP2001503180A (ja) | ニッケル―アルミニウムまたは鉄―アルミニウムの下層を含んで成る磁気記録媒体 | |
| JP2559984B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0721543A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS63193322A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH02154323A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH0680524B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |