JPS60214417A - 垂直磁気記録媒体 - Google Patents
垂直磁気記録媒体Info
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- JPS60214417A JPS60214417A JP59070888A JP7088884A JPS60214417A JP S60214417 A JPS60214417 A JP S60214417A JP 59070888 A JP59070888 A JP 59070888A JP 7088884 A JP7088884 A JP 7088884A JP S60214417 A JPS60214417 A JP S60214417A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は垂直記録方式に適した磁気記録媒体に関する。
垂直磁気記録方式は、記録媒体膜面に垂直方向に記録を
行なうものであり、高密度記録の際の各ビット内の反磁
界が小さいため記録密度を上げるのに適した方式である
。この目的のために使用される磁気記録媒体としては、
Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｖ 、 Ｃｏ −Ｍ ｏ 、 Ｃｏ
−’Ｗ 、 、 Ｃｏ Ｒｅ 、 Ｃｏ −０、Ｃｏ
−Ｃｒ −Ｒｈ 、 Ｇ ｏ −Ｃｒ −Ｒｕ 、
Ｃ。
行なうものであり、高密度記録の際の各ビット内の反磁
界が小さいため記録密度を上げるのに適した方式である
。この目的のために使用される磁気記録媒体としては、
Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｖ 、 Ｃｏ −Ｍ ｏ 、 Ｃｏ
−’Ｗ 、 、 Ｃｏ Ｒｅ 、 Ｃｏ −０、Ｃｏ
−Ｃｒ −Ｒｈ 、 Ｇ ｏ −Ｃｒ −Ｒｕ 、
Ｃ。
−Ｎ １−ＯｌｌなどのＣｏ基合金膜がある。これらＣ
ｏ基合金はいずれもｈ−ｃ−Ｐ構造を持ち、薄膜を構成
する微結晶粒がＣ軸配向し易いという特長を持つ。磁気
記録特性を上げるためには、これら薄膜のＣ軸配向底を
上げることが必要である。
ｏ基合金はいずれもｈ−ｃ−Ｐ構造を持ち、薄膜を構成
する微結晶粒がＣ軸配向し易いという特長を持つ。磁気
記録特性を上げるためには、これら薄膜のＣ軸配向底を
上げることが必要である。
現在用いられている垂直磁気記録媒体は、非磁性基板上
に直接に、あるいはパーマロイ等の軟磁性薄膜を介して
前記Ｃｏ基合金膜を付着せしめたものである。非磁性基
板として、ポリイミドあるいはポリエチレンテレフタレ
ート等のプラスチックフィルム類、ＡＱ、ガラス板など
が用いられている。これらの基板上にＣｏ基合金膜を形
成する場合、基板との密着性が良く、しかもＣ軸配向底
の良いＣｏ基合金膜を形成しなければならない。
に直接に、あるいはパーマロイ等の軟磁性薄膜を介して
前記Ｃｏ基合金膜を付着せしめたものである。非磁性基
板として、ポリイミドあるいはポリエチレンテレフタレ
ート等のプラスチックフィルム類、ＡＱ、ガラス板など
が用いられている。これらの基板上にＣｏ基合金膜を形
成する場合、基板との密着性が良く、しかもＣ軸配向底
の良いＣｏ基合金膜を形成しなければならない。
しかし、Ｃｏ基合金膜をプラスチックフィルムやガラス
板に直接蒸着法で付着した場合は付着強度が十分でな（
Ｃｏ基合金膜が基板から剥離し易く、またＣ軸配向性も
基板の清浄度の微妙な差によってばらつくという問題点
がある。またＣｏ基合金膜をＡＱ等の金属基板あるいは
パーマロイ等の軟磁性金属膜上に付着せしめる場合は、
下地金属の結晶配向がその上に付着されるＣｏ基合金の
Ｃ軸配向底に悪影響を及ぼす。たとえばＡｆｌ、パーマ
は ロイ１ｆ−Ｃ−Ｃ結晶構造を持つが、ｆ−Ｃ−Ｃの（ｔ
ｉ ｔ）面内配向が良いほどその上に付着するＣｏ基
合金のＣ軸配向も良いことが知られている。しかしなが
ら実際の基板もしくは軟磁性金属薄膜の（１１１）配向
性はそれ程良くないため、Ｃｏ基合金のＣ軸配向底がプ
ラスチックやガラス基板に付着した場合よりも悪くなる
という問題点がある。さらに、特開昭５６−７０６１８
号公報に示されているように、六方晶の結晶構造を有す
る物質のＣ軸が基板表面に垂直に配向するよう形成した
後、この上にＣｏ−Ｃｒ合金膜を形成するとＣ。
板に直接蒸着法で付着した場合は付着強度が十分でな（
Ｃｏ基合金膜が基板から剥離し易く、またＣ軸配向性も
基板の清浄度の微妙な差によってばらつくという問題点
がある。またＣｏ基合金膜をＡＱ等の金属基板あるいは
パーマロイ等の軟磁性金属膜上に付着せしめる場合は、
下地金属の結晶配向がその上に付着されるＣｏ基合金の
Ｃ軸配向底に悪影響を及ぼす。たとえばＡｆｌ、パーマ
は ロイ１ｆ−Ｃ−Ｃ結晶構造を持つが、ｆ−Ｃ−Ｃの（ｔ
ｉ ｔ）面内配向が良いほどその上に付着するＣｏ基
合金のＣ軸配向も良いことが知られている。しかしなが
ら実際の基板もしくは軟磁性金属薄膜の（１１１）配向
性はそれ程良くないため、Ｃｏ基合金のＣ軸配向底がプ
ラスチックやガラス基板に付着した場合よりも悪くなる
という問題点がある。さらに、特開昭５６−７０６１８
号公報に示されているように、六方晶の結晶構造を有す
る物質のＣ軸が基板表面に垂直に配向するよう形成した
後、この上にＣｏ−Ｃｒ合金膜を形成するとＣ。
−Ｃｒ合金膜のＣ軸配向底が改善される。しかし、この
場合も、下地の六方晶構造の物質の結晶配向が問題とな
るので、Ｃｏ基合金の特−性は下地膜のい。
場合も、下地の六方晶構造の物質の結晶配向が問題とな
るので、Ｃｏ基合金の特−性は下地膜のい。
本発明の目的は、前記従来技術の難点を解消し、プラス
チックやガラス等の非金属基板においてはその上に付着
するＣｏ基合金膜との付着強度を向上させ、かつＣｏ基
合金膜のＣ軸配向底の向上を可能ならしめ、ＡＱ等の金
属基板および軟磁性金属膜上に付着する場合においては
Ｃｏ基合金膜のＣ軸配向底を改善した垂直磁気記録媒体
を提供するにある。
チックやガラス等の非金属基板においてはその上に付着
するＣｏ基合金膜との付着強度を向上させ、かつＣｏ基
合金膜のＣ軸配向底の向上を可能ならしめ、ＡＱ等の金
属基板および軟磁性金属膜上に付着する場合においては
Ｃｏ基合金膜のＣ軸配向底を改善した垂直磁気記録媒体
を提供するにある。
本発明者らの実験によれば、Ｃｏ基合金の付着に先立っ
て基板上に半金属であるＳｔ、Ｑｅ、もしくはその合金
薄膜からなる中間層を形成し、ついでＣｏ基合金膜を付
着した場合にＣ軸配向性の合のＣｏ基合金のＣ軸配向底
は基板の種類によらず、はぼ一定の値となる傾向があっ
た。この傾向は蒸着法、スパッタ法、イオンビームスパ
ッタ法のいずれでも認められた。また、プラスチックや
ガラスなどの非金属材料上にＣｏ基合金を付着するとき
、両者の間にＳｔ、Ｇａ、もしくはその合金層を形成す
ることにより付着強度が向上し、Ｃｏ基合金膜の剥離あ
るいはクラック発生の防止に有効であることがわかった
。なお、Ｓｉなどの中間層の付着とＣｏ基合金膜の付着
は同一真空装置内で連続して行なうことが望ましい。中
間層を付着してから大気に暴すとその表面が酸化された
り、汚染されたりするため、Ｃｏ基合金のＣ軸配向底が
悪化することになる。
て基板上に半金属であるＳｔ、Ｑｅ、もしくはその合金
薄膜からなる中間層を形成し、ついでＣｏ基合金膜を付
着した場合にＣ軸配向性の合のＣｏ基合金のＣ軸配向底
は基板の種類によらず、はぼ一定の値となる傾向があっ
た。この傾向は蒸着法、スパッタ法、イオンビームスパ
ッタ法のいずれでも認められた。また、プラスチックや
ガラスなどの非金属材料上にＣｏ基合金を付着するとき
、両者の間にＳｔ、Ｇａ、もしくはその合金層を形成す
ることにより付着強度が向上し、Ｃｏ基合金膜の剥離あ
るいはクラック発生の防止に有効であることがわかった
。なお、Ｓｉなどの中間層の付着とＣｏ基合金膜の付着
は同一真空装置内で連続して行なうことが望ましい。中
間層を付着してから大気に暴すとその表面が酸化された
り、汚染されたりするため、Ｃｏ基合金のＣ軸配向底が
悪化することになる。
本発明における、Ｓｔおよび／もしくはＧｅを主成分と
する中間層膜はＣｏ基合金膜形成のための新たな基板表
面を形成し、かつＣ軸配向性の良い膜を得るために望ま
しい性質を有しているものである。この様な中間層を設
けることは、プラスチックなどほとんどあらゆる基板材
料上に再現性良く、Ｃ軸配向性の良いＣｏ基合金膜を形
成するうえで極めて有効である。なお前記材料の中間層
の膜厚が１００Ａ未満のときは基板材料の影響の除去が
不十分となるので、１００Ａ以上にすることが必要であ
る。前述の効果は中間層の膜厚が１μｍ以上と大きくな
っても同様であるが、膜形成のための時間が長くなった
り、あるいはプラスチックフィルム上に膜を形成する場
合は膜にクラックが入り易くなる。したがって、膜厚は
１μｍ以下が望ましく、実用的にさらに望ましい膜厚の
範囲は１５０Ａ以上１０００Ａ以下である。
する中間層膜はＣｏ基合金膜形成のための新たな基板表
面を形成し、かつＣ軸配向性の良い膜を得るために望ま
しい性質を有しているものである。この様な中間層を設
けることは、プラスチックなどほとんどあらゆる基板材
料上に再現性良く、Ｃ軸配向性の良いＣｏ基合金膜を形
成するうえで極めて有効である。なお前記材料の中間層
の膜厚が１００Ａ未満のときは基板材料の影響の除去が
不十分となるので、１００Ａ以上にすることが必要であ
る。前述の効果は中間層の膜厚が１μｍ以上と大きくな
っても同様であるが、膜形成のための時間が長くなった
り、あるいはプラスチックフィルム上に膜を形成する場
合は膜にクラックが入り易くなる。したがって、膜厚は
１μｍ以下が望ましく、実用的にさらに望ましい膜厚の
範囲は１５０Ａ以上１０００Ａ以下である。
また、基板と垂直磁化層との間↓こ設ける前記中間層を
構成する材料は、Ｓ ｉ、 Ｇｅ、 Ｓ １−−Ｇａ合
金（組成比は特に制限されない）であり、またこれらを
主成分としてさらに他の元素を加えてもよい。
構成する材料は、Ｓ ｉ、 Ｇｅ、 Ｓ １−−Ｇａ合
金（組成比は特に制限されない）であり、またこれらを
主成分としてさらに他の元素を加えてもよい。
さらに、本発明で、垂直磁化膜のＣｏ基合金としては垂
直磁気記録用として用いられるものがすべて用いられる
が、特にＣｏ−Ｃｒ合金（特公昭５８−９１号公報参照
）が一般的であり、その他、〔発明の実施例〕 以下、本発明を実施例によって説明する。
直磁気記録用として用いられるものがすべて用いられる
が、特にＣｏ−Ｃｒ合金（特公昭５８−９１号公報参照
）が一般的であり、その他、〔発明の実施例〕 以下、本発明を実施例によって説明する。
実施例１
ポリイミドフィルムを基板に用いて、第１図に示す構造
の膜を以下の手順で作製した。１×１０− ” Ｔｏｒ
ｒの真空中でポリイミドフィルムからなる基板１を１５
０℃に加熱し、まず中間層材料としてＳ５をＩＯＡ／ｓ
の速度で３０ＯＡ真空蒸着して中間層２を、形成した。
の膜を以下の手順で作製した。１×１０− ” Ｔｏｒ
ｒの真空中でポリイミドフィルムからなる基板１を１５
０℃に加熱し、まず中間層材料としてＳ５をＩＯＡ／ｓ
の速度で３０ＯＡ真空蒸着して中間層２を、形成した。
ついで同一真空容器中でＣｏ −２２ｗ ｔ ・％Ｃｒ
を８ＯＡ／８の速度で５００ＯＡ真空蒸着してＣｏ基金
合金膜３し、第１図に示す構造を持つ垂直磁気記録媒体
を作製した。
を８ＯＡ／８の速度で５００ＯＡ真空蒸着してＣｏ基金
合金膜３し、第１図に示す構造を持つ垂直磁気記録媒体
を作製した。
以下、同様の条件で中間層材料として、Ｇｅ。
Ｓｉ−１０ｗｔ・％Ｇｅ、Ｓ １−２ｗｔ ・％Ｔ ｉ
。
。
Ｇｅ−１ｗｔ・％Ｔｉを用いてそれぞれ第１図に示す構
造の膜を作製した。
造の膜を作製した。
比較試料として１５０℃の基板温度に保ったポリイミド
フィルムに８０ Ａ ／ ｓの速度で直接Ｃ。
フィルムに８０ Ａ ／ ｓの速度で直接Ｃ。
−２２ｗ ｔ・％Ｃｒ膜を５００ＯＡ付着した試料を作
製した。
製した。
第１表に、各々のＣｏ−Ｃｒ膜のＣ軸配向度とクラック
の発生状況を比較して示す、Ｃ軸配向度はＣｏ−Ｃｒ合
金ｈ−ｃ−ｐ相の（０００２）面によるＸ線回折線のロ
ッキング曲線半値幅Δθ （度）Ｏ によって評価した。Ａθ、。の値が小さい程、Ｇ。
の発生状況を比較して示す、Ｃ軸配向度はＣｏ−Ｃｒ合
金ｈ−ｃ−ｐ相の（０００２）面によるＸ線回折線のロ
ッキング曲線半値幅Δθ （度）Ｏ によって評価した。Ａθ、。の値が小さい程、Ｇ。
−ＣｒのＣ軸配向度が良い。また第１表において、０印
はＧ ｏ −Ｃｒ膜にクランクの発生が全く認められな
力１７つた場合、ｘ印はクラックの発生がわずかでも存
在した場合を示す。
はＧ ｏ −Ｃｒ膜にクランクの発生が全く認められな
力１７つた場合、ｘ印はクラックの発生がわずかでも存
在した場合を示す。
第１表より明らかなように、中間層を設けた場合はΔθ
５ｏの値が設けない場合に比べて改善され、またクラッ
クの発生が無い良質なｃｏ−ｃｒＩｌｉが得られた。磁
気特性はいずれも垂直磁気異方性があり、垂直磁化膜で
あった。
５ｏの値が設けない場合に比べて改善され、またクラッ
クの発生が無い良質なｃｏ−ｃｒＩｌｉが得られた。磁
気特性はいずれも垂直磁気異方性があり、垂直磁化膜で
あった。
なお、中間層は、Ｘ線回折により、非晶質と認められた
。
。
実施例２
ポリイミドフィルムを基板にして、第２図に示す構造の
膜を以下の手順で作製した。３Ｘ１０−’Ｔｏｒｒの真
空中でポリイミドフィルムからなる基板１を１７０℃に
加熱し、まず軟磁性材料のパーマロイ（Ｎｉ−２０ｗｔ
・％Ｆｅ）を５ＯＡ／８の速度で４００ＯＡ蒸着し軟磁
性材料膜４とした。ついで同一真空容器中で中間層材料
としてＳｉを１５Ａ／ｓの速度で５０ＯＡ蒸着して中間
層２を形成し、さらにＧ ｏ −２５Ｗ ｔ ・％Ｃｒ
を１０ＯＡ ／ ｓの速度で２００ＯＡ蒸着しＣｏ基金
合金膜３して第２図に示す構造の膜を作製した。
膜を以下の手順で作製した。３Ｘ１０−’Ｔｏｒｒの真
空中でポリイミドフィルムからなる基板１を１７０℃に
加熱し、まず軟磁性材料のパーマロイ（Ｎｉ−２０ｗｔ
・％Ｆｅ）を５ＯＡ／８の速度で４００ＯＡ蒸着し軟磁
性材料膜４とした。ついで同一真空容器中で中間層材料
としてＳｉを１５Ａ／ｓの速度で５０ＯＡ蒸着して中間
層２を形成し、さらにＧ ｏ −２５Ｗ ｔ ・％Ｃｒ
を１０ＯＡ ／ ｓの速度で２００ＯＡ蒸着しＣｏ基金
合金膜３して第２図に示す構造の膜を作製した。
以下、同様の条件で中間層材料としてＧｅ。
Ｓｉ−２５ｗｔ・％Ｇｅ、Ｓ ｉ−０，５ｗｔ ・％Ｔ
ｉ、Ｇｅ−０．７ｗｔ ・％Ｚｒ を用いてそれぞリイ
ミドフイルムに５ ＯＡ ／ ｓの速度でパーマロイを
４００ＯＡ、ついで１Ｏ−ＯＡ／ｓの速度でＧ ｏ −
２５ｗｔ・％Ｃ，ｒを２００ＯＡ蒸着した試料を作製し
た。
ｉ、Ｇｅ−０．７ｗｔ ・％Ｚｒ を用いてそれぞリイ
ミドフイルムに５ ＯＡ ／ ｓの速度でパーマロイを
４００ＯＡ、ついで１Ｏ−ＯＡ／ｓの速度でＧ ｏ −
２５ｗｔ・％Ｃ，ｒを２００ＯＡ蒸着した試料を作製し
た。
第２表に、各々のＣｏ−Ｃｒ膜の特性を比較して示す、
特性の評価は、実施例１と同様に行なった。中間層を設
けることによって、Ｃ軸配向度の良い、垂直磁気異方性
を持つＣｏ −Ｃｒ膜を製造することができた。
特性の評価は、実施例１と同様に行なった。中間層を設
けることによって、Ｃ軸配向度の良い、垂直磁気異方性
を持つＣｏ −Ｃｒ膜を製造することができた。
なお、中間層は、Ｘ線回折により、非晶質と認められた
。
。
実施例３
実施例２におけるポリイミドフィルムの代りにポリエチ
レンテレフタレートフィルムを使用し、フィルム温度１
１０℃に保って同様な試料を作製した。Δθ、。値を測
定したところ、中間層を設けない場合はΔθ、。＝１４
度であったのに比べ、中間層を設けた場合はいずれも“
Δθ、。＝４〜６度の範囲でありＣ軸配向性の良いＧ
ｏ −Ｃｒ膜が得られていた。
レンテレフタレートフィルムを使用し、フィルム温度１
１０℃に保って同様な試料を作製した。Δθ、。値を測
定したところ、中間層を設けない場合はΔθ、。＝１４
度であったのに比べ、中間層を設けた場合はいずれも“
Δθ、。＝４〜６度の範囲でありＣ軸配向性の良いＧ
ｏ −Ｃｒ膜が得られていた。
なお、中間層は、Ｘ線回折により、非晶質と認められた
。
。
実施例４
ＡＱを基板に用いてスパッタ法によって、第２図に示す
構造の膜を以下の手順で作製した。高周波スパッタ装置
を用いて、まず軟磁性材料のＦｅ６ｗｔ−％ＡＱ−１０
ｗｔ・％ＳｉをＡｒ圧力５ｍＴｏｒｒ、スパッタの高周
波出力４Ｗ／ｄの条件で５００ＯＡ付着した。ついで中
間層２としてＳｉをＡｒ圧力３ ｍ Ｔｏｒｒ 、スパ
ッタの高周波出力２Ｗ／ｃｄの条件で６００Ａ付着し、
さらにＧ ｏ −１８ｗｔ−％ＣｒをＡｒ圧力３ ｍ
Ｔ ｏｒｒ 、高周波出力８Ｗ／ｄで３５０ＯＡ付着し
、第２図に示す構造を持つ膜を得た。
構造の膜を以下の手順で作製した。高周波スパッタ装置
を用いて、まず軟磁性材料のＦｅ６ｗｔ−％ＡＱ−１０
ｗｔ・％ＳｉをＡｒ圧力５ｍＴｏｒｒ、スパッタの高周
波出力４Ｗ／ｄの条件で５００ＯＡ付着した。ついで中
間層２としてＳｉをＡｒ圧力３ ｍ Ｔｏｒｒ 、スパ
ッタの高周波出力２Ｗ／ｃｄの条件で６００Ａ付着し、
さらにＧ ｏ −１８ｗｔ−％ＣｒをＡｒ圧力３ ｍ
Ｔ ｏｒｒ 、高周波出力８Ｗ／ｄで３５０ＯＡ付着し
、第２図に示す構造を持つ膜を得た。
以下、同様の条件で中間層材料としてＧｅ。
Ｓ ｉ −８０ｗ ｔ・％Ｇｇ、Ｓ ｉ−０，３ｗｔ・
％Ｔｉ、Ｇｅ−０．１ｗｔ ・％Ｂ を用いてそれぞれ
同様な構造の膜を作製した。
％Ｔｉ、Ｇｅ−０．１ｗｔ ・％Ｂ を用いてそれぞれ
同様な構造の膜を作製した。
比較材料として同様の条件で中間層を省いた膜を作製し
た。第３表中に、各々のＧ ｏ −Ｃｒ ｗＡの特性を
比較して示す、中間層を設けることによって、Ｃ軸配向
度の良い、垂直磁気異方性を持つＣｏ −Ｃｒ膜を製造
することができた。
た。第３表中に、各々のＧ ｏ −Ｃｒ ｗＡの特性を
比較して示す、中間層を設けることによって、Ｃ軸配向
度の良い、垂直磁気異方性を持つＣｏ −Ｃｒ膜を製造
することができた。
なお、中間層は、Ｘ線回折により非晶質と認められた。
実施例５
基板として石英ガラスを用い、基板温度を４００℃にし
て、中間層に、ＳＳおよびＧｏを用いたこと以外は実施
例１と同様にして（Ｃｏ−Ｃｒ合金の被着には１５０℃
の基板温度とした）、垂直磁気記録媒体を作製し、Ｇ
ｏ −Ｃｒ合金膜の配向度とクラック状況を調べたが実
施例１と同様であった６なお、この場合の中間層は、微
細な（粒径が、Ｇｅは約２０００ Ａ以下、Ｓｉは約８
００Ａ以下）多結晶膜であった。
て、中間層に、ＳＳおよびＧｏを用いたこと以外は実施
例１と同様にして（Ｃｏ−Ｃｒ合金の被着には１５０℃
の基板温度とした）、垂直磁気記録媒体を作製し、Ｇ
ｏ −Ｃｒ合金膜の配向度とクラック状況を調べたが実
施例１と同様であった６なお、この場合の中間層は、微
細な（粒径が、Ｇｅは約２０００ Ａ以下、Ｓｉは約８
００Ａ以下）多結晶膜であった。
以上の実施例ではＧｏ基合金の一例としてＣ。
−Ｃｒ合金の場合について述べたが、他のＣＯ基合金の
Ｇ ｏ −Ｖ 、 Ｇ ｏ −Ｍ ｏ 、 Ｃｏ −０
、Ｇ ｏ −Ｃｒ −Ｒｈ 、 Ｇ ｏ −Ｃｒ −Ｒ
ｕなとでも中間層を設けることによってＣ軸配向度が向
上する効果が認められた。また、軟磁性材料層としてＦ
ａ−５ｉ、Ｇｏ−Ｎｂ−Ｚｒ合金など他の材料を用いた
場合にも同等の効果が認めら九た。
Ｇ ｏ −Ｖ 、 Ｇ ｏ −Ｍ ｏ 、 Ｃｏ −０
、Ｇ ｏ −Ｃｒ −Ｒｈ 、 Ｇ ｏ −Ｃｒ −Ｒ
ｕなとでも中間層を設けることによってＣ軸配向度が向
上する効果が認められた。また、軟磁性材料層としてＦ
ａ−５ｉ、Ｇｏ−Ｎｂ−Ｚｒ合金など他の材料を用いた
場合にも同等の効果が認めら九た。
これまでの説明から明らかなように、Ｃｏ基合金膜の付
着に先立ってＳｉ、Ｇｅ、もしくはその合金から成る中
間層を設けておけば、基板あるいは下地の軟磁性材料の
如何にかかわらずＣ軸配向性の良いＧｏ合金膜を再現性
良く製造することができる。
着に先立ってＳｉ、Ｇｅ、もしくはその合金から成る中
間層を設けておけば、基板あるいは下地の軟磁性材料の
如何にかかわらずＣ軸配向性の良いＧｏ合金膜を再現性
良く製造することができる。
第１図および第２図は本発明による垂直磁気記録媒体の
断面構造を示す図である。 １・・・基板、２・・・中間層、３・・・Ｃｏ基合金膜
、４・・・軟磁性材料膜。
断面構造を示す図である。 １・・・基板、２・・・中間層、３・・・Ｃｏ基合金膜
、４・・・軟磁性材料膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に、ＳｉおよびＧｅからなる群より選択した
少なくとも１元素を主成分とする材料かになる中間層を
設け、該中間層上にＣｏ基合金からなる垂直磁化膜を設
けてなることを特徴とする垂直磁気記録媒体。 ２、前記基板の少なくとも一表面が軟磁性材料からなる
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の垂直磁気
記録媒体。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59070888A JPH0618059B2 (ja) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | 垂直磁気記録媒体 |
| KR1019850002227A KR900006482B1 (ko) | 1984-04-11 | 1985-04-03 | 수직자기기록매체 |
| EP85104338A EP0158338B2 (en) | 1984-04-11 | 1985-04-10 | Perpendicular magnetic recording medium |
| DE8585104338T DE3566849D1 (en) | 1984-04-11 | 1985-04-10 | Perpendicular magnetic recording medium |
| US06/721,715 US4707756A (en) | 1984-04-11 | 1985-04-10 | Perpendicular magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59070888A JPH0618059B2 (ja) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | 垂直磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60214417A true JPS60214417A (ja) | 1985-10-26 |
| JPH0618059B2 JPH0618059B2 (ja) | 1994-03-09 |
Family
ID=13444512
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59070888A Expired - Lifetime JPH0618059B2 (ja) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | 垂直磁気記録媒体 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4707756A (ja) |
| EP (1) | EP0158338B2 (ja) |
| JP (1) | JPH0618059B2 (ja) |
| KR (1) | KR900006482B1 (ja) |
| DE (1) | DE3566849D1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63217525A (ja) * | 1987-02-25 | 1988-09-09 | コマッグ・インコーポレイテッド | 磁気ディスク構造及びその製造方法 |
| JPS6464114A (en) * | 1987-09-03 | 1989-03-10 | Ricoh Kk | Magnetic recording medium |
| JPH0594611A (ja) * | 1991-09-30 | 1993-04-16 | Nec Corp | 磁気記録媒体 |
| US6183893B1 (en) | 1998-04-06 | 2001-02-06 | Hitachi, Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium and magnetic storage apparatus using the same |
| US6403203B2 (en) | 1997-05-29 | 2002-06-11 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and magnetic recording apparatus using the same |
| US6562453B1 (en) | 1999-06-07 | 2003-05-13 | Hitachi, Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium and magnetic recording apparatus |
| US6759148B2 (en) | 2000-09-01 | 2004-07-06 | Hitachi, Ltd. | Perpendicular magnetic recording media and magnetic storage apparatus using the same |
| US7166375B2 (en) | 2000-12-28 | 2007-01-23 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium utilizing a multi-layered soft magnetic underlayer, method of producing the same and magnetic recording and reproducing device |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4677032A (en) * | 1985-09-23 | 1987-06-30 | International Business Machines Corporation | Vertical magnetic recording media with multilayered magnetic film structure |
| JPS62208412A (ja) * | 1986-03-07 | 1987-09-12 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
| US4786553A (en) * | 1986-03-28 | 1988-11-22 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium |
| US4847161A (en) * | 1986-12-19 | 1989-07-11 | Siemens Aktiengesellschaft | Magnetically anisotropic recording medium |
| JP2791015B2 (ja) * | 1986-12-24 | 1998-08-27 | 株式会社日立製作所 | 磁気記録媒体 |
| DE3644823A1 (de) * | 1986-12-31 | 1988-07-14 | Basf Ag | Magnetische aufzeichnungstraeger |
| JPS63237210A (ja) * | 1987-03-25 | 1988-10-03 | Sony Corp | 磁気記録媒体 |
| JP2579184B2 (ja) * | 1987-03-30 | 1997-02-05 | 日立マクセル株式会社 | 磁気記録媒体 |
| KR920001981B1 (ko) * | 1987-10-09 | 1992-03-07 | 미쓰비시전기 주식회사 | 자기기록매체 |
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| US5479097A (en) * | 1993-12-29 | 1995-12-26 | Storage Technology Corporation | Data corruption detector for magnetic media |
| KR19980024169A (ko) * | 1996-09-04 | 1998-07-06 | 가나이 츠토무 | 수직자기기록매체 및 그것을 사용한 자기기록 재생장치 |
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| FR1358761A (fr) * | 1963-05-27 | 1964-04-17 | Matériau magnétique en couches minces magnétiques et non magnétiques | |
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-
1984
- 1984-04-11 JP JP59070888A patent/JPH0618059B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-04-03 KR KR1019850002227A patent/KR900006482B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1985-04-10 EP EP85104338A patent/EP0158338B2/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-04-10 US US06/721,715 patent/US4707756A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-04-10 DE DE8585104338T patent/DE3566849D1/de not_active Expired
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Also Published As
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| EP0158338A3 (en) | 1987-01-14 |
| JPH0618059B2 (ja) | 1994-03-09 |
| EP0158338B1 (en) | 1988-12-14 |
| KR900006482B1 (ko) | 1990-09-01 |
| EP0158338B2 (en) | 1993-02-24 |
| US4707756A (en) | 1987-11-17 |
| KR850007504A (ko) | 1985-12-04 |
| EP0158338A2 (en) | 1985-10-16 |
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