JPS63217525A - 磁気ディスク構造及びその製造方法 - Google Patents
磁気ディスク構造及びその製造方法Info
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- JPS63217525A JPS63217525A JP62289246A JP28924687A JPS63217525A JP S63217525 A JPS63217525 A JP S63217525A JP 62289246 A JP62289246 A JP 62289246A JP 28924687 A JP28924687 A JP 28924687A JP S63217525 A JPS63217525 A JP S63217525A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は金属皮膜からなる磁気媒体を用いる磁気ディス
ク構造及びその製造方法に関する。
ク構造及びその製造方法に関する。
〈従来の技術〉
磁気記録の技術分野に於ては、酸化鉄その他の金属性粒
子をバインダ内に拡散させた従来形式の磁気ディスクよ
りも、金属薄膜を用いた磁気ディスクが、より高い記録
密度を達成する能力を有することが良く知られている。
子をバインダ内に拡散させた従来形式の磁気ディスクよ
りも、金属薄膜を用いた磁気ディスクが、より高い記録
密度を達成する能力を有することが良く知られている。
これは、磁性金属薄膜が、高い飽和磁化モーメントを有
し、従って高い残留磁気を有することから、バインダを
用いる磁気媒体よりもずっと薄くできることによるもの
である。一般的な磁性金属皮膜の材料としては、蒸着に
より形成された、Ｃｏ−Ｎ ｉ 、 Ｃｏ−Ｎ １−Ｃ
ｒ、Ｃｏ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ、Ｃｏ−８ｍ、Ｃｏ
−Ｒｅ等のコバルト合金がある。磁気媒体が高い線形記
録密度を達成するためには、薄膜の厚さを小さくシく例
えば１０００Å以下）、磁気保持度Ｈｃを、単位長さ当
り可及的に高密度に磁束を反転し得るように十分に高く
しなければならない。例えば、２５．４ｍｍ（１インチ
）当り１万回乃至数万回の磁束の反転を伴う充填密度を
達成するためには、磁気保持度が６００乃至２゜０００
エルステツド（Ｏｅ）であることを要する。
し、従って高い残留磁気を有することから、バインダを
用いる磁気媒体よりもずっと薄くできることによるもの
である。一般的な磁性金属皮膜の材料としては、蒸着に
より形成された、Ｃｏ−Ｎ ｉ 、 Ｃｏ−Ｎ １−Ｃ
ｒ、Ｃｏ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ、Ｃｏ−８ｍ、Ｃｏ
−Ｒｅ等のコバルト合金がある。磁気媒体が高い線形記
録密度を達成するためには、薄膜の厚さを小さくシく例
えば１０００Å以下）、磁気保持度Ｈｃを、単位長さ当
り可及的に高密度に磁束を反転し得るように十分に高く
しなければならない。例えば、２５．４ｍｍ（１インチ
）当り１万回乃至数万回の磁束の反転を伴う充填密度を
達成するためには、磁気保持度が６００乃至２゜０００
エルステツド（Ｏｅ）であることを要する。
しかも、磁気媒体が高密度の記録を行う用途に用いられ
る場合、記録密度が高いにも拘らず、読出しに際して大
きな出力信号を発生し得るものであることを要する。
る場合、記録密度が高いにも拘らず、読出しに際して大
きな出力信号を発生し得るものであることを要する。
磁気媒体が、読出し時に大きな出力信号を発生し得るた
めには、磁気媒体が、例えばｌｃｃ当り４００磁気ユニ
ツト（ｅｍｕ ： ｅ ｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ
ｕｎｉｔ）以上、好ましくは８００ ｅ ｍ ｕ
／ ｃ ｃ以上の高い飽和磁気Ｍｓを有することを要す
る。また、磁気媒体は、高い残留磁気Ｍｒを示すべく、
少なくとも８０％であるようなヒステリシスループの四
角さの度合Ｓ （Ｓ＝Ｍｒ／Ｍｓ）を有することを要す
る。読出しヘッドが受ける磁界の強さは、皮膜の厚さＴ
と残留磁気Ｍｒとの積に比例する。Ｍｒ−Ｔは、実際的
な磁気ディスクとして利用可能であるためには、約２Ｘ
ＩＯｅｍｕ／ｃｍ２よりも大きくなければならない。
めには、磁気媒体が、例えばｌｃｃ当り４００磁気ユニ
ツト（ｅｍｕ ： ｅ ｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ
ｕｎｉｔ）以上、好ましくは８００ ｅ ｍ ｕ
／ ｃ ｃ以上の高い飽和磁気Ｍｓを有することを要す
る。また、磁気媒体は、高い残留磁気Ｍｒを示すべく、
少なくとも８０％であるようなヒステリシスループの四
角さの度合Ｓ （Ｓ＝Ｍｒ／Ｍｓ）を有することを要す
る。読出しヘッドが受ける磁界の強さは、皮膜の厚さＴ
と残留磁気Ｍｒとの積に比例する。Ｍｒ−Ｔは、実際的
な磁気ディスクとして利用可能であるためには、約２Ｘ
ＩＯｅｍｕ／ｃｍ２よりも大きくなければならない。
上起した磁気パラメータに関しては、“’Ｔｈ１ｎ Ｆ
ｉｌｍ ？ｏｒ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｒｅｃｏｒ
ｄｉｎｇ 丁ｅｃｈｎｏｌｏｇｙ： Ａ Ｒｅｖ
ｉｅｗ ” 、Ｊ、 Ｋ、 Ｈｏｗａｌｄ、 Ｊｏｕｒ
ｎａｌ ｏｆ Ｖａｃｕｕｍ ５ｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ
丁ｅｃｈｎｏｌｏ 、 １９８５年１月、に於いて
詳しく議論されている。
ｉｌｍ ？ｏｒ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｒｅｃｏｒ
ｄｉｎｇ 丁ｅｃｈｎｏｌｏｇｙ： Ａ Ｒｅｖ
ｉｅｗ ” 、Ｊ、 Ｋ、 Ｈｏｗａｌｄ、 Ｊｏｕｒ
ｎａｌ ｏｆ Ｖａｃｕｕｍ ５ｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ
丁ｅｃｈｎｏｌｏ 、 １９８５年１月、に於いて
詳しく議論されている。
磁気記録は、磁気媒体の内部で異なる極性に磁化された
領域からなる一連の小さなセルを形成することによりデ
ータを記憶するものである。この領域の大きさは、磁気
誘導性の書込ヘッドの幅により決定され、−ａに長さが
約１μであって、幅が１０μ以上である。記憶された１
ビットのデータは、２つの異なる方向に磁化された領域
間の変化により表される。２つの異なる極性に磁化され
た２つの領域間に形成される遷移区間には、２っの異な
る極性に磁化された磁気ダイポールが存在することによ
る脱磁効果の影響を受けることから、成る固有な物理的
長さを有する。この遷移区間の固有の長さは、一般に遷
移長さしと呼ばれ、最小の遷移長さＬｍｉｎは、”Ａｎ
ａｌｙｓｉｓ ｏｆ Ｓａｔｕｒａｔｉｏｎｔ４ａｇｎ
ｅｔｉｃ ＲｅＣＯｒｄｉｎｇ Ｂａ５ｅｄ Ｏｎ Ａ
ｒＣｔａｎＵｅｎｔ Ｈａｇｎｅｔｉｚａｔｉｏｎ Ｔ
ｒａｎｓｉｓｔｉｏｎ ” 、Ｒ，１，Ｐｏｔｔｅｒ、
Ｊ、 Ａ匣［」瓜ム、Ｖｏｌ、４１．１６４７〜１６
５１頁、１９７０年、或いは、”Ａ ｒｈｅｏｒｙ ｏ
ｆ Ｄｉｇｉｔａｌ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｒｅｃｏｒｄ
ｉｎａ ｏｎ Ｍｅｔａｌｌｉｃ Ｆｉ１ｍｓ″、Ｐ。
領域からなる一連の小さなセルを形成することによりデ
ータを記憶するものである。この領域の大きさは、磁気
誘導性の書込ヘッドの幅により決定され、−ａに長さが
約１μであって、幅が１０μ以上である。記憶された１
ビットのデータは、２つの異なる方向に磁化された領域
間の変化により表される。２つの異なる極性に磁化され
た２つの領域間に形成される遷移区間には、２っの異な
る極性に磁化された磁気ダイポールが存在することによ
る脱磁効果の影響を受けることから、成る固有な物理的
長さを有する。この遷移区間の固有の長さは、一般に遷
移長さしと呼ばれ、最小の遷移長さＬｍｉｎは、”Ａｎ
ａｌｙｓｉｓ ｏｆ Ｓａｔｕｒａｔｉｏｎｔ４ａｇｎ
ｅｔｉｃ ＲｅＣＯｒｄｉｎｇ Ｂａ５ｅｄ Ｏｎ Ａ
ｒＣｔａｎＵｅｎｔ Ｈａｇｎｅｔｉｚａｔｉｏｎ Ｔ
ｒａｎｓｉｓｔｉｏｎ ” 、Ｒ，１，Ｐｏｔｔｅｒ、
Ｊ、 Ａ匣［」瓜ム、Ｖｏｌ、４１．１６４７〜１６
５１頁、１９７０年、或いは、”Ａ ｒｈｅｏｒｙ ｏ
ｆ Ｄｉｇｉｔａｌ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｒｅｃｏｒｄ
ｉｎａ ｏｎ Ｍｅｔａｌｌｉｃ Ｆｉ１ｍｓ″、Ｐ。
１、 ａｏｎｙｈａｒｄｅｔ ａｔ、 、ＩＥＥＥ ｒ
ｒａｎｓ ＨａＱｎ、、Ｖ。
ｒａｎｓ ＨａＱｎ、、Ｖ。
１、ＭＡＧ−２，１〜５頁、１９６６年、に記載された
ようなアークタンジェント（ａｒｃｔａｎ）遷移モデル
に基づく飽和記録の場合には、記録媒体のパラメータの
影響をうける。このモデルは、次の式により表される。
ようなアークタンジェント（ａｒｃｔａｎ）遷移モデル
に基づく飽和記録の場合には、記録媒体のパラメータの
影響をうける。このモデルは、次の式により表される。
Ｌｍｉｎ ＝２ｒＭｒＴ／Ｈｃ （１）
但しＭｒは残留磁気であって、Ｔは磁性薄膜の厚さであ
って、Ｈｅが磁性薄膜の磁気保持度である。
但しＭｒは残留磁気であって、Ｔは磁性薄膜の厚さであ
って、Ｈｅが磁性薄膜の磁気保持度である。
この式は、マクロ磁気理論に基づくもので、固有の遷移
長さしと磁気媒体のパラメータとの間の関係を与える。
長さしと磁気媒体のパラメータとの間の関係を与える。
固有遷移長さしが小さい磁気媒体は、隣接するビットに
よる影響を受は難いことから、高い線形充填密度を達成
することができる。
よる影響を受は難いことから、高い線形充填密度を達成
することができる。
尚、第１式は、遷移長さしく即ち充填密度）の、磁気媒
体の厚さ、残留磁気及び保持度に対する依存度を定性的
に予測するものであるが、磁性金属薄膜からなる磁気媒
体に関して、この依存度を定１的に与えるものではない
。これは、第１式が、遷移領域に存在する複雑なマイク
ロ磁気領域の状態を考慮しないマクロ磁気的考慮に基づ
くものであることによる。
体の厚さ、残留磁気及び保持度に対する依存度を定性的
に予測するものであるが、磁性金属薄膜からなる磁気媒
体に関して、この依存度を定１的に与えるものではない
。これは、第１式が、遷移領域に存在する複雑なマイク
ロ磁気領域の状態を考慮しないマクロ磁気的考慮に基づ
くものであることによる。
マイクロ磁気構造を研究する多くの論文に於て、磁性金
属薄膜からなる磁気媒体の遷移領域は、第１式を理論的
に導入するために用いられた「ドメイン−壁状」境界と
呼ばれる円滑な境界を有するのでなく、むしろ「鋸歯状
」の入り組んだマイクロ磁気境界構造を有する旨が報告
されている。例えば、“Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ Ｒｅｇ
ｉｏｎ ｉｎ Ｒｅｃｏｒｄｅｄ Ｍａｇｎｅｔｉｚａ
ｔｉｏｎ Ｐａｔｔｅｒｎ ” 、Ｃｕｒｌａｎｄ ｅ
ｔ ａｌ、、ム」理ムｌ匠ム、Ｖｏｌ、４１．１０９９
〜１１０１頁、１９７０年、“Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｈｉ
ｃｒｏｓｃｏｐｙ ｏｎ ｌｌｉｇｈ Ｃ。
属薄膜からなる磁気媒体の遷移領域は、第１式を理論的
に導入するために用いられた「ドメイン−壁状」境界と
呼ばれる円滑な境界を有するのでなく、むしろ「鋸歯状
」の入り組んだマイクロ磁気境界構造を有する旨が報告
されている。例えば、“Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ Ｒｅｇ
ｉｏｎ ｉｎ Ｒｅｃｏｒｄｅｄ Ｍａｇｎｅｔｉｚａ
ｔｉｏｎ Ｐａｔｔｅｒｎ ” 、Ｃｕｒｌａｎｄ ｅ
ｔ ａｌ、、ム」理ムｌ匠ム、Ｖｏｌ、４１．１０９９
〜１１０１頁、１９７０年、“Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｈｉ
ｃｒｏｓｃｏｐｙ ｏｎ ｌｌｉｇｈ Ｃ。
ｅｒｃｉｖｅ Ｆｏｒｃｅ Ｃｏ−Ｃｒ Ｃｏｍｐｏｓ
ｉｔｅ Ｆｉ１ｍ″ＤａＶａｌ ｅｔａｌ、ＩＥＥＥ
ｒｒａｎｓ、 Ｈａ ｎ、 、Ｖｏ ｌ 、 ＭＡＧ
−６，７０８〜７７３頁、１９７０年、或いは“Ａ ５
ｔｕｄｙ ｏｆ Ｄｅｇｉｔａｌｌｙ Ｒｅｃｏｒｄｅ
ｄ Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ ｉｎ Ｔｈ１ｎ ＨａＱｎ
ｅｔｉｃ Ｆｉｌｍ” 、叶ｅｓｓｌｅｒ ｅｔ ａｌ
、 、ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ２旭凹工、Ｖｏｌ、ＭＡＧ
−１０，６７４〜６７７頁、１９７４年、を参照された
い。「鋸歯状」の遷移領域が形成される理由は、“旧ｇ
ｈ ＣＯｅｒＣｉＶｔｙ ａｎｄ Ｈｉｇｈ ｔｌｙｓ
ｔｅｒｅｓｉｓ Ｌｏｏｐ ５ｑｕａｒｅｎｅｓｓ ｏ
ｆ ５ｐｕｔｔｅｒｅｄ Ｃｏ−Ｒｅ Ｔ１ｎＦｉ
１ｍ ” 、 ｃｈｅｎ ｅｔ ａｔ、 、
Ｊ。
ｉｔｅ Ｆｉ１ｍ″ＤａＶａｌ ｅｔａｌ、ＩＥＥＥ
ｒｒａｎｓ、 Ｈａ ｎ、 、Ｖｏ ｌ 、 ＭＡＧ
−６，７０８〜７７３頁、１９７０年、或いは“Ａ ５
ｔｕｄｙ ｏｆ Ｄｅｇｉｔａｌｌｙ Ｒｅｃｏｒｄｅ
ｄ Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ ｉｎ Ｔｈ１ｎ ＨａＱｎ
ｅｔｉｃ Ｆｉｌｍ” 、叶ｅｓｓｌｅｒ ｅｔ ａｌ
、 、ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ２旭凹工、Ｖｏｌ、ＭＡＧ
−１０，６７４〜６７７頁、１９７４年、を参照された
い。「鋸歯状」の遷移領域が形成される理由は、“旧ｇ
ｈ ＣＯｅｒＣｉＶｔｙ ａｎｄ Ｈｉｇｈ ｔｌｙｓ
ｔｅｒｅｓｉｓ Ｌｏｏｐ ５ｑｕａｒｅｎｅｓｓ ｏ
ｆ ５ｐｕｔｔｅｒｅｄ Ｃｏ−Ｒｅ Ｔ１ｎＦｉ
１ｍ ” 、 ｃｈｅｎ ｅｔ ａｔ、 、
Ｊ。
Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、、Ｖｏｌ、５０．４２８５〜
４２９０頁、１９７９年、に於て報告されているように
、磁性結晶粒子の強い粒子間相互作用を原因とする磁気
クラスタの形成と関係がある。磁気クラスタとは、概ね
同一の磁化方向を有する多数の粒子からなる磁気媒体の
部分を示す。これらの磁気クラスタは、”Ｔｈｅ ）ｌ
ｉｃｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏ
ｆ ｔｌｉｇｈ−Ｃｏｅｒｃｉｖｉｔｙ ）ｌｅｔａ
ｌｌｉｃ 丁ｈｉｎ Ｆｉｌｍｓ ａｎｄ 丁
ｈｅｉｒＥｆｆｅｃｔｓ ｏｎ ｔｈｅ Ｌｉｍ１ｔ
ｏｆ Ｐａｃｋｉｎｇ Ｄｅｎｓｉｔｙ ｉｎ Ｄｉｇ
ｉｔａｌ Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ” 、Ｃｈｅｎ ｅｔ
ａｌ、 、ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ２起凹工、Ｖｏｌ、
ＭＡＧ−１７，１１８１〜１１９１頁、１９８１年、に
於て報告されているように、遷移領域に複雑な渦状のド
メイン構造を形成し、鋸歯状の境界構造を形成するもの
と見られる。
４２９０頁、１９７９年、に於て報告されているように
、磁性結晶粒子の強い粒子間相互作用を原因とする磁気
クラスタの形成と関係がある。磁気クラスタとは、概ね
同一の磁化方向を有する多数の粒子からなる磁気媒体の
部分を示す。これらの磁気クラスタは、”Ｔｈｅ ）ｌ
ｉｃｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏ
ｆ ｔｌｉｇｈ−Ｃｏｅｒｃｉｖｉｔｙ ）ｌｅｔａ
ｌｌｉｃ 丁ｈｉｎ Ｆｉｌｍｓ ａｎｄ 丁
ｈｅｉｒＥｆｆｅｃｔｓ ｏｎ ｔｈｅ Ｌｉｍ１ｔ
ｏｆ Ｐａｃｋｉｎｇ Ｄｅｎｓｉｔｙ ｉｎ Ｄｉｇ
ｉｔａｌ Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ” 、Ｃｈｅｎ ｅｔ
ａｌ、 、ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ２起凹工、Ｖｏｌ、
ＭＡＧ−１７，１１８１〜１１９１頁、１９８１年、に
於て報告されているように、遷移領域に複雑な渦状のド
メイン構造を形成し、鋸歯状の境界構造を形成するもの
と見られる。
遷゛移領域に渦状のマイクロ磁気ドメイン構造を形成し
、遷移領域の境界に鋸歯状の入り組んだ構造を形成する
ことは、遷移領域の長さを増大させ、高い充填密度を達
成できなくするばかりでなく、磁気媒体のノイズ及びビ
ットシフトを増大させる原因となる。ビットシフトは、
磁気セル間の遷移領域が所望の位置からずれたときに発
生する。遷移領域が過度に大きな距離をもってずれた場
合には、磁気ディスク上のデータの読出しに誤りが発生
する。遷移領域が入り組んだ構造となることによる磁気
媒体のノイズ、ビットシフト及び遷移領域の長さの増加
を低減するためには、このような入り組んだ遷移領域の
大きさを最小化するような磁気媒体の製造方法を開発す
る必要がある。この目的を達成するためには、磁気ディ
スクを製造する際に、磁気結晶材料の結晶の成長及びマ
イクロ構造の形態を制御する必要がある。
、遷移領域の境界に鋸歯状の入り組んだ構造を形成する
ことは、遷移領域の長さを増大させ、高い充填密度を達
成できなくするばかりでなく、磁気媒体のノイズ及びビ
ットシフトを増大させる原因となる。ビットシフトは、
磁気セル間の遷移領域が所望の位置からずれたときに発
生する。遷移領域が過度に大きな距離をもってずれた場
合には、磁気ディスク上のデータの読出しに誤りが発生
する。遷移領域が入り組んだ構造となることによる磁気
媒体のノイズ、ビットシフト及び遷移領域の長さの増加
を低減するためには、このような入り組んだ遷移領域の
大きさを最小化するような磁気媒体の製造方法を開発す
る必要がある。この目的を達成するためには、磁気ディ
スクを製造する際に、磁気結晶材料の結晶の成長及びマ
イクロ構造の形態を制御する必要がある。
ノイズ及びビットシフトを過大にすることにより磁気媒
体の性能を損い得る別のファクタとしては、磁気ディス
クの表面に於ける、他の部分とは異なる磁気的性買を有
する小さな異常領域の形成がある。前記したように、磁
気ディスクに記憶されたデータは、一般に、１μの長さ
及び１０μの幅を有する一連の小さな磁気セルとして表
される。
体の性能を損い得る別のファクタとしては、磁気ディス
クの表面に於ける、他の部分とは異なる磁気的性買を有
する小さな異常領域の形成がある。前記したように、磁
気ディスクに記憶されたデータは、一般に、１μの長さ
及び１０μの幅を有する一連の小さな磁気セルとして表
される。
金属薄膜を用いる５１７４インチの直径を有する高性能
の固定ディスクは、その片面に１０８ピツ１〜以上のデ
ータを記憶することができる。磁性薄膜が、このような
セルの寸法のオーダの異常領域を有する場合（異常領域
は、磁性薄膜の他の部分とは異なる磁気特性を有する）
、異常領域は、磁気ディスクの表面の他の部分とは異な
る記憶特性を有することとなる。このような異常領域は
、磁気ディスクの性能を損う。
の固定ディスクは、その片面に１０８ピツ１〜以上のデ
ータを記憶することができる。磁性薄膜が、このような
セルの寸法のオーダの異常領域を有する場合（異常領域
は、磁性薄膜の他の部分とは異なる磁気特性を有する）
、異常領域は、磁気ディスクの表面の他の部分とは異な
る記憶特性を有することとなる。このような異常領域は
、磁気ディスクの性能を損う。
例えば、磁気ディスクの異常領域の保持度Ｈｃ及びヒス
テリシスループの四角さの度合Ｓが、磁気ディスクの他
の部分のそれらと異なる場合、一定の書込みの条件の下
にあっても、異常領域の各セルの遷移領域は、その周囲
の正常な領域のセルの遷移領域とは異なる磁化状態を有
し、かつ異なる位置を占めることとなる。これは、特に
、正常領域と異常領域との間の境界に於て顕著であって
、セル間の遷移領域が正常領域と異常領域との間の保持
度Ｈｃの差により、所望の位置からずれる場合がある。
テリシスループの四角さの度合Ｓが、磁気ディスクの他
の部分のそれらと異なる場合、一定の書込みの条件の下
にあっても、異常領域の各セルの遷移領域は、その周囲
の正常な領域のセルの遷移領域とは異なる磁化状態を有
し、かつ異なる位置を占めることとなる。これは、特に
、正常領域と異常領域との間の境界に於て顕著であって
、セル間の遷移領域が正常領域と異常領域との間の保持
度Ｈｃの差により、所望の位置からずれる場合がある。
従って、異常領域に記憶されたビットは、過大なビット
シフトを示し、信号を検出可能なウィンドウのマージン
を小さくしてしまう。信号検出ウィンドウとは、データ
を正しく読出すために遷移領域が検出されなければなら
ない時間のウィンドウを表す。信号検出ウィンドウのマ
ージンとは、遷移領域の検出と、信号検出ウィンドウの
端部との間の時間の差を表す。しがも、異常領域は、そ
の周囲の正常な領域とは異なるＳＮ比、解像度及びオー
バーライド特性を有する。
シフトを示し、信号を検出可能なウィンドウのマージン
を小さくしてしまう。信号検出ウィンドウとは、データ
を正しく読出すために遷移領域が検出されなければなら
ない時間のウィンドウを表す。信号検出ウィンドウのマ
ージンとは、遷移領域の検出と、信号検出ウィンドウの
端部との間の時間の差を表す。しがも、異常領域は、そ
の周囲の正常な領域とは異なるＳＮ比、解像度及びオー
バーライド特性を有する。
異常領域が読出し時にノイズを発生する典型的な例は、
ディスクの異常領域の保持度Ｈｃが、他のディスク表面
の平均保持度に比較して大幅に高いときに見られる。こ
の場合、セルの磁気が書込みヘッドによって飽和せず、
従って異常領域の続出しに際して読出しヘッドからの出
力信号の振幅が、ディスクの他の部分から得られる出力
信号よりも小さくなる。更に、この高い保持度Ｈｃを有
する異常領域をオーバーライドすることが困難となり、
異常領域はディスクの他の部分に比べてよ ・り低い
ＳＮ比を有するようになる。逆に、異常領域の保持度が
磁気ディスクの他の部分よりも低い場合、異常領域の解
像度が低下する。
ディスクの異常領域の保持度Ｈｃが、他のディスク表面
の平均保持度に比較して大幅に高いときに見られる。こ
の場合、セルの磁気が書込みヘッドによって飽和せず、
従って異常領域の続出しに際して読出しヘッドからの出
力信号の振幅が、ディスクの他の部分から得られる出力
信号よりも小さくなる。更に、この高い保持度Ｈｃを有
する異常領域をオーバーライドすることが困難となり、
異常領域はディスクの他の部分に比べてよ ・り低い
ＳＮ比を有するようになる。逆に、異常領域の保持度が
磁気ディスクの他の部分よりも低い場合、異常領域の解
像度が低下する。
一般的に、市販されている磁気ディスクドライブに於て
は、読出しヘッド及び書込みヘッドは、特定の保持度に
対して最適となるように選択されており、このようなデ
ィクドライブは、±５０Ｏｅよりも大きい保持度の偏差
を許容しない。保持度が許容値以上に偏移した場合、こ
れは一般に位相マージンエラー（即ちソフトエラー）と
して表れるが、これは遷移領域を現す磁気ディスクの出
力信号パルスが、信号検出ウィンドウの外側にずれてし
まうことにより発生するものである。
は、読出しヘッド及び書込みヘッドは、特定の保持度に
対して最適となるように選択されており、このようなデ
ィクドライブは、±５０Ｏｅよりも大きい保持度の偏差
を許容しない。保持度が許容値以上に偏移した場合、こ
れは一般に位相マージンエラー（即ちソフトエラー）と
して表れるが、これは遷移領域を現す磁気ディスクの出
力信号パルスが、信号検出ウィンドウの外側にずれてし
まうことにより発生するものである。
ヒステリシスループの四角さの度合Ｓが局部的に変化し
た場合、出力信号の振幅に比例する残留磁気Ｍｒも変化
し、信号が変調される。異常領域の残留磁気が、ヒステ
リシスループの四角さの度合が不十分であることにより
に、磁気ディスクの他の部分よりも低い場合、異常領域
から得られる出力信号の振幅が過度に小さくなる。従っ
て、磁気ディスクの表面には、磁気ディスクの他の部分
とは大きく異なる磁気特性を有する数８Ｍ以上の異常領
域が発生しないようにしておかなければならない。
た場合、出力信号の振幅に比例する残留磁気Ｍｒも変化
し、信号が変調される。異常領域の残留磁気が、ヒステ
リシスループの四角さの度合が不十分であることにより
に、磁気ディスクの他の部分よりも低い場合、異常領域
から得られる出力信号の振幅が過度に小さくなる。従っ
て、磁気ディスクの表面には、磁気ディスクの他の部分
とは大きく異なる磁気特性を有する数８Ｍ以上の異常領
域が発生しないようにしておかなければならない。
磁性薄膜媒体の磁気特性は、例えば粒子の大きさ、結晶
の向き、粒子の分離の度合及び粒子の向き等の薄膜のマ
イクロ構造と関係がある。一般に、真空蒸着された磁性
薄膜の最終的な構造を決定する上では、各形成過程を制
御することが主要なファクタであることが広く認められ
ている。更に、皮膜を形成するべき基層表面の組成、結
晶構造及び形態が、各形成過程を制御する上での重要な
ファクタとなっている。このように、同様な過程により
形成された磁気薄膜であっても、その基層の表面の条件
に応じて全く異なるマイクロ構造を有する場合があり、
従って全く異なる磁気特性を有する場合がある。
の向き、粒子の分離の度合及び粒子の向き等の薄膜のマ
イクロ構造と関係がある。一般に、真空蒸着された磁性
薄膜の最終的な構造を決定する上では、各形成過程を制
御することが主要なファクタであることが広く認められ
ている。更に、皮膜を形成するべき基層表面の組成、結
晶構造及び形態が、各形成過程を制御する上での重要な
ファクタとなっている。このように、同様な過程により
形成された磁気薄膜であっても、その基層の表面の条件
に応じて全く異なるマイクロ構造を有する場合があり、
従って全く異なる磁気特性を有する場合がある。
磁気ディスクを製造するために用いられる基層の表面特
性は種々のファクタの影響を受ける。例えば、基層を清
浄化する過程に於て用いられる溶剤、水、或いは、基層
を乾燥させる過程に於て用いられるガスを吸収したり、
或いはこれらと反応することにより表面が汚染される場
合がある。このような汚染は、基層上に被着された磁気
薄膜の結晶構造に対して影響を与え、従って、薄膜の磁
気特性に対して成る影響を与える。
性は種々のファクタの影響を受ける。例えば、基層を清
浄化する過程に於て用いられる溶剤、水、或いは、基層
を乾燥させる過程に於て用いられるガスを吸収したり、
或いはこれらと反応することにより表面が汚染される場
合がある。このような汚染は、基層上に被着された磁気
薄膜の結晶構造に対して影響を与え、従って、薄膜の磁
気特性に対して成る影響を与える。
更に、基層表面は一般にヘッドが円滑に飛翔し得るよう
な空力特性を備えるべく、磁性薄膜を被着する前に研磨
される。このような研磨過程により、歪みが発生し、基
層の微視的な変化を引き起こすことにより、磁性薄膜の
結晶の成長に影響を及ぼす場合がある。このような汚染
及び表面の歪みは。ディスクの全表面に亘って均一に分
布していなかったり、基層の組成がその全表面に亘って
均一・でない場合には、その上に成層された薄膜は非均
−・な磁気特性を有するようになり、異常な磁気特性を
示す部分を有することとなる。
な空力特性を備えるべく、磁性薄膜を被着する前に研磨
される。このような研磨過程により、歪みが発生し、基
層の微視的な変化を引き起こすことにより、磁性薄膜の
結晶の成長に影響を及ぼす場合がある。このような汚染
及び表面の歪みは。ディスクの全表面に亘って均一に分
布していなかったり、基層の組成がその全表面に亘って
均一・でない場合には、その上に成層された薄膜は非均
−・な磁気特性を有するようになり、異常な磁気特性を
示す部分を有することとなる。
磁性薄膜が非均−な磁気特性を有するようになるもう１
つの７アクタは、結晶性基層を用いた場合に、基層の結
晶構造即ち形態が非均−であることによるものである。
つの７アクタは、結晶性基層を用いた場合に、基層の結
晶構造即ち形態が非均−であることによるものである。
磁気ディスクの基層が非均−となることを抑制するため
に現在２つの方法が行われている。その１つは、磁性薄
膜を蒸着する直前に基層に、スパッタエツチングまたは
プラズマエツチングを行うことである。この過程の間に
、基層表面の一部が除去される。残念ながら、上記した
エツチング技術は、基層に負の電圧を与えることを必要
とし、基層表面の全体に亘って均一な負の電位を与える
ことが困難であることから、その実施が困難である。
に現在２つの方法が行われている。その１つは、磁性薄
膜を蒸着する直前に基層に、スパッタエツチングまたは
プラズマエツチングを行うことである。この過程の間に
、基層表面の一部が除去される。残念ながら、上記した
エツチング技術は、基層に負の電圧を与えることを必要
とし、基層表面の全体に亘って均一な負の電位を与える
ことが困難であることから、その実施が困難である。
基層表面の非均一性を抑制する第２の方法は、磁性薄膜
を形成する直前に基層表面に薄いクロムの層をスパッタ
することである。これは、Ｃｏ−Ｎｉ若しくはＣｏ−Ｎ
ｉ−Ｃｒ合金を含む磁性薄膜を形成する場合に用いられ
るのが普通である。
を形成する直前に基層表面に薄いクロムの層をスパッタ
することである。これは、Ｃｏ−Ｎｉ若しくはＣｏ−Ｎ
ｉ−Ｃｒ合金を含む磁性薄膜を形成する場合に用いられ
るのが普通である。
この過程に於て、クロム層の第１の目的は、基層表面の
非均一性を覆うことではなく、むしろＣ。
非均一性を覆うことではなく、むしろＣ。
−Ｎｉ若しくはＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合金の保持度を制御し
増大させることにある。（例えば、”ＴｈｉｒｉＦｉｌ
ｍ Ｍｅｍｏｒｙ Ｄｉｓｃ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ
” 、０ｐｆｅｒ ｅｔ ａ１６、ｔｌｅｗｌｅｔｔ
Ｐａｃｋａｒｄ Ｊｏｕｒｎａｌ 、１９８５年１１
月、を参照されたい。）しかしながら、２次的な効果と
して、クロム層は基層表面の非均一性を部分的に覆う。
増大させることにある。（例えば、”ＴｈｉｒｉＦｉｌ
ｍ Ｍｅｍｏｒｙ Ｄｉｓｃ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ
” 、０ｐｆｅｒ ｅｔ ａ１６、ｔｌｅｗｌｅｔｔ
Ｐａｃｋａｒｄ Ｊｏｕｒｎａｌ 、１９８５年１１
月、を参照されたい。）しかしながら、２次的な効果と
して、クロム層は基層表面の非均一性を部分的に覆う。
クロム層は、基層表面の形態による影響を受けるような
結晶粒子を有する。従って、クロム結晶構造は、基層表
面の状態による影響を強く受ける場合があり、基層表面
の条件を磁性薄膜に伝達する場合がある。従って、クロ
ム層を基層と磁気媒体との間に介在させた場合でも、基
層表面の非均一性が、依然として、磁気媒体の磁気特性
の非均一性を引き起こす場合がある。
結晶粒子を有する。従って、クロム結晶構造は、基層表
面の状態による影響を強く受ける場合があり、基層表面
の条件を磁性薄膜に伝達する場合がある。従って、クロ
ム層を基層と磁気媒体との間に介在させた場合でも、基
層表面の非均一性が、依然として、磁気媒体の磁気特性
の非均一性を引き起こす場合がある。
要するに、金属薄膜を用いる磁気記録媒体は高い線形充
填密度を達成することができる。しかしながら、基層表
面の非均一性により、異常な磁気特性を示す小さな異常
領域が形成される場合がある。その結果、過大なビット
シフト及びノイズが発生し、高密度記録に於ける磁気媒
体の性能を低下させる場合がある。更に、磁性薄膜媒体
の遷移領域の理論的長さは、バインダを用いる形式の媒
体に比べて小さいかもしれないが、遷移領域が鋸歯状を
なす入り組んだ構造を有するため、高密度記憶を行おう
とした場合にビットシフト及びノイズが過大となる場合
がある。これらの入り組んだ遷移領域は、磁性金属薄膜
により達成される記憶密度を低下させる。
填密度を達成することができる。しかしながら、基層表
面の非均一性により、異常な磁気特性を示す小さな異常
領域が形成される場合がある。その結果、過大なビット
シフト及びノイズが発生し、高密度記録に於ける磁気媒
体の性能を低下させる場合がある。更に、磁性薄膜媒体
の遷移領域の理論的長さは、バインダを用いる形式の媒
体に比べて小さいかもしれないが、遷移領域が鋸歯状を
なす入り組んだ構造を有するため、高密度記憶を行おう
とした場合にビットシフト及びノイズが過大となる場合
がある。これらの入り組んだ遷移領域は、磁性金属薄膜
により達成される記憶密度を低下させる。
このような問題を解消するために、ディスクの全表面に
亘って均一な結晶構造を有する金属磁性薄膜を形成し、
結晶構造の構造及び形態を、入り組んだ遷移領域を可及
的に発生しないようなものとするのが望ましい。
亘って均一な結晶構造を有する金属磁性薄膜を形成し、
結晶構造の構造及び形態を、入り組んだ遷移領域を可及
的に発生しないようなものとするのが望ましい。
〈発明が解決しようとする問題点〉
本発明に基づく方法は、磁気媒体の結晶ＷＩ造の核形成
及び成長を制御し、基層表面の非均一性が磁気媒体の磁
気特性に対して悪影響を及ぼすことのないように、磁気
薄膜を被着する前に基層表面に薄いアモルファス若しく
は殆どアモルファスであるような薄膜をスパッタリング
により成層する過程を含む。この薄膜は、−ｍにニッケ
ル−リン合金を含む。ニッケル−リン合金とは、ニッケ
ル及びリンを任意の割合で含む合金の総称である。
及び成長を制御し、基層表面の非均一性が磁気媒体の磁
気特性に対して悪影響を及ぼすことのないように、磁気
薄膜を被着する前に基層表面に薄いアモルファス若しく
は殆どアモルファスであるような薄膜をスパッタリング
により成層する過程を含む。この薄膜は、−ｍにニッケ
ル−リン合金を含む。ニッケル−リン合金とは、ニッケ
ル及びリンを任意の割合で含む合金の総称である。
ニッケル−リン薄膜は、ニッケル−リン溶液の非電界メ
ッキにより形成されたものであって良いニッケル−リン
合金のスパッタリングターゲットからスパッタされたも
のからなるのが一般的である。
ッキにより形成されたものであって良いニッケル−リン
合金のスパッタリングターゲットからスパッタされたも
のからなるのが一般的である。
スパッタリングターゲットは、リンを所望の割合で含む
ように、Ｎｉ２Ｐ、Ｎ１５Ｐ２及びＮ ｉ ３Ｐ２等種
々の組成を有するニッケル−リン組成体を焼結してなる
ものであっても良い。スパッタされたニッケル−リン薄
膜中のリンの組成は、５〜３０重量％であるのが良く、
特に１０〜２０重量％であるのが望ましい。
ように、Ｎｉ２Ｐ、Ｎ１５Ｐ２及びＮ ｉ ３Ｐ２等種
々の組成を有するニッケル−リン組成体を焼結してなる
ものであっても良い。スパッタされたニッケル−リン薄
膜中のリンの組成は、５〜３０重量％であるのが良く、
特に１０〜２０重量％であるのが望ましい。
スパッタされたニッケル−リン層は、殆どアモルファス
であって、薄膜の厚さは、その下側に位置する基層表面
の状態がが磁気層に伝達されるのを阻止するのに十分な
大きさく例えば５〜２００ｎｍ）を有する。しかも、ス
パッタされたニッケル−リン層は、磁気媒体の各形成及
び結晶成長を可能にするような再現性を有し、かつ均一
な表面を有する層として形成される。従って、このニッ
ケル−リンアンダーコート層は、磁気媒体の結晶構造が
所望のマイクロ構造及び形態を有するようにする働きを
有する。その結果、高品質の磁気記録特性、小さいビッ
トシフト、高い解像度、低いノイズ、ディスクの全面に
亘って高い均一性を有する磁気特性を有する磁性薄膜が
形成される。
であって、薄膜の厚さは、その下側に位置する基層表面
の状態がが磁気層に伝達されるのを阻止するのに十分な
大きさく例えば５〜２００ｎｍ）を有する。しかも、ス
パッタされたニッケル−リン層は、磁気媒体の各形成及
び結晶成長を可能にするような再現性を有し、かつ均一
な表面を有する層として形成される。従って、このニッ
ケル−リンアンダーコート層は、磁気媒体の結晶構造が
所望のマイクロ構造及び形態を有するようにする働きを
有する。その結果、高品質の磁気記録特性、小さいビッ
トシフト、高い解像度、低いノイズ、ディスクの全面に
亘って高い均一性を有する磁気特性を有する磁性薄膜が
形成される。
〈実施例〉
以下、本発明の好適実施例を添付の図面について詳しく
説明する。
説明する。
第１図は本発明に基づく磁気ディスク構造の一実施例を
示す断面図である。第１図に於て、アルミニウムからな
る基層１０の表面にはニッケル−リン合金からなる第１
の層１１が被着されている。
示す断面図である。第１図に於て、アルミニウムからな
る基層１０の表面にはニッケル−リン合金からなる第１
の層１１が被着されている。
ニッケル−リン層１１は、基層１０の表面に無電解メッ
キ過程により形成されるのが一般的であって、約１０〜
２０μｍの厚さに形成されている。
キ過程により形成されるのが一般的であって、約１０〜
２０μｍの厚さに形成されている。
重要なことは、ニッケル−リン合金層１１が機械的に強
固であって、容易に表面処理可能であって、引っかき傷
が付き難いことである。更に、ニッケル−リン合金層１
１は、その上に形成される磁気媒体に対する支持構造を
提供し、完成された磁気ディスクが、その表面に衝突す
る読出し／書込みヘッドの衝撃による損傷を受は難くす
るものである。ニッケル−リン１１１の表面は、従来技
術に基づく方法により研磨及び清浄化される。更に、層
１１の表面を、読出し／書込みヘッドがその表面を飛翔
し得るように表面加工される。
固であって、容易に表面処理可能であって、引っかき傷
が付き難いことである。更に、ニッケル−リン合金層１
１は、その上に形成される磁気媒体に対する支持構造を
提供し、完成された磁気ディスクが、その表面に衝突す
る読出し／書込みヘッドの衝撃による損傷を受は難くす
るものである。ニッケル−リン１１１の表面は、従来技
術に基づく方法により研磨及び清浄化される。更に、層
１１の表面を、読出し／書込みヘッドがその表面を飛翔
し得るように表面加工される。
更に、第２のニッケル−リン層１２が層１１の上にスパ
ッタリングにより被着される。成る実施例に於ては、層
１２は５〜２００ｎｍの厚さに形成される。層１１が十
分に覆われるためには、ニッケル−リンＮ１２が少なく
とも５ａｍの厚さを有するのが望ましい。更に、ニッケ
ル−リンスバッタリングターゲットが消耗する速度を最
小化するために、層１２が２００ｎｍ以下の厚さを有す
るようにしておくのが望ましい。ニッケル−リン層１２
を層１１上にスパッタリングする際、多量のニッケル−
リンが、大量のスパッタリングが行われれば行われる程
、ニッケル−リン合金がスパ ゛ツタリング装置の一部
分に被着され、より頻繁にスパッタリング装置を開き、
それを清浄化する必要が生じる。従って、層１２の厚さ
を小さくすることにより、スパッタリング装置を清浄化
する必要頻度を低減することができる。層１２を形成す
るために用いたスパッタリングターゲットは、ニッケル
−リン溶液を無電解メッキし、或いはニッケル−リン粉
末を焼結することにより形成することができる。
ッタリングにより被着される。成る実施例に於ては、層
１２は５〜２００ｎｍの厚さに形成される。層１１が十
分に覆われるためには、ニッケル−リンＮ１２が少なく
とも５ａｍの厚さを有するのが望ましい。更に、ニッケ
ル−リンスバッタリングターゲットが消耗する速度を最
小化するために、層１２が２００ｎｍ以下の厚さを有す
るようにしておくのが望ましい。ニッケル−リン層１２
を層１１上にスパッタリングする際、多量のニッケル−
リンが、大量のスパッタリングが行われれば行われる程
、ニッケル−リン合金がスパ ゛ツタリング装置の一部
分に被着され、より頻繁にスパッタリング装置を開き、
それを清浄化する必要が生じる。従って、層１２の厚さ
を小さくすることにより、スパッタリング装置を清浄化
する必要頻度を低減することができる。層１２を形成す
るために用いたスパッタリングターゲットは、ニッケル
−リン溶液を無電解メッキし、或いはニッケル−リン粉
末を焼結することにより形成することができる。
層１２を形成した直後に、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金からな
る層１３を、このニッケル−リン層１２上に、約３０〜
７０ｎｍの厚さにスパッタリングする。成る実施例に於
て、合金層１３はＣＯＢ□Ｎｉ１ｏＰｔ１ｏからなる。
る層１３を、このニッケル−リン層１２上に、約３０〜
７０ｎｍの厚さにスパッタリングする。成る実施例に於
て、合金層１３はＣＯＢ□Ｎｉ１ｏＰｔ１ｏからなる。
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金は磁気記録媒体として機能する。
本発明の別の実施例に於いては、磁気媒体として、他の
コバルト系若しくは鉄系の合金、例えばＣｏ−Ｐｔ、Ｆ
ｅ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｒｅ及びＣｏ−Ｃｒ等が用いられる。
コバルト系若しくは鉄系の合金、例えばＣｏ−Ｐｔ、Ｆ
ｅ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｒｅ及びＣｏ−Ｃｒ等が用いられる。
このような合金は、一般に、６００〜２．０００Ｏｅ程
度の高い固有保持度を有し、高い記憶密度可能にする。
度の高い固有保持度を有し、高い記憶密度可能にする。
層１３は、ニッケル−リン層１１上に層１２を形成した
直後に、ニッケル−リン１１２上に形成される。従って
、磁気ディスクは、ニッケル−リン層１２が形成された
時点と、磁気媒体１３が形成される間、同一スパッタリ
ング装置内から収り出されることなくそのまま静置され
る。従って、磁気媒体１３が形成される前に、汚染物買
が、ニッケル−リン層１２に付着したり、反応したりす
る等の悪影響を及ぼす心配がない。別の実施例に於ては
、層１２．１３を形成する過程の間に磁気ディスクがス
パッタリング装置から取り外されるが、１１２を形成し
た後に、ディスクを乾燥した保護カセット内に収容する
ことにより、ニッケル−リン層１２の表面の汚染を防止
するべく注意が払われる。
直後に、ニッケル−リン１１２上に形成される。従って
、磁気ディスクは、ニッケル−リン層１２が形成された
時点と、磁気媒体１３が形成される間、同一スパッタリ
ング装置内から収り出されることなくそのまま静置され
る。従って、磁気媒体１３が形成される前に、汚染物買
が、ニッケル−リン層１２に付着したり、反応したりす
る等の悪影響を及ぼす心配がない。別の実施例に於ては
、層１２．１３を形成する過程の間に磁気ディスクがス
パッタリング装置から取り外されるが、１１２を形成し
た後に、ディスクを乾燥した保護カセット内に収容する
ことにより、ニッケル−リン層１２の表面の汚染を防止
するべく注意が払われる。
次に、カーボン層１４等の保護層が、例えば２０〜３０
ｎｍ程度の厚さに記憶媒体層１３上にスパッタリングさ
れる。層１４は、Ｙ２Ｏ３等のスタビライザーを含むＺ
ｒ Ｏ２等をスパッタしてなるセラミック材料であっ
ても良い。スタビライザーは、Ｚ ｒ Ｏ２が単斜晶系
に変態するのを防止し、Ｚ ｒ Ｏ２スパツタリングタ
ーゲツト及び形成された薄膜の脆さを改善する働きを有
する。層１４は硬質であって、その下側に位置する磁気
媒体層１３を保護する。
ｎｍ程度の厚さに記憶媒体層１３上にスパッタリングさ
れる。層１４は、Ｙ２Ｏ３等のスタビライザーを含むＺ
ｒ Ｏ２等をスパッタしてなるセラミック材料であっ
ても良い。スタビライザーは、Ｚ ｒ Ｏ２が単斜晶系
に変態するのを防止し、Ｚ ｒ Ｏ２スパツタリングタ
ーゲツト及び形成された薄膜の脆さを改善する働きを有
する。層１４は硬質であって、その下側に位置する磁気
媒体層１３を保護する。
ニッケル−リン層１２はアモルファス（即ち非結晶性）
または殆どアモルファスであって、その下側にメッキさ
れたニッケル−リン層１１の形態の非均一性をマスクす
る働きを有する。ニッケル−リン層１２が結晶構造を有
しておらず、合金層１３が層１２に従つて挙動する傾向
を有することから、ニッケル−リン層１２が、スパッタ
され成長するＣｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金１３のためのアモル
ファスであって均一な核形成面として機能する。
または殆どアモルファスであって、その下側にメッキさ
れたニッケル−リン層１１の形態の非均一性をマスクす
る働きを有する。ニッケル−リン層１２が結晶構造を有
しておらず、合金層１３が層１２に従つて挙動する傾向
を有することから、ニッケル−リン層１２が、スパッタ
され成長するＣｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金１３のためのアモル
ファスであって均一な核形成面として機能する。
更に、前記したような磁気セル間の境界の入り組んだ鋸
歯状構造の形成の原因となるような薄膜内の結晶のマイ
クロ構造の条件を抑制することができる。
歯状構造の形成の原因となるような薄膜内の結晶のマイ
クロ構造の条件を抑制することができる。
第２ａ図はガラスの基層２１上に形成された１０重量％
のリンを含む２００ｎｍの厚さを有するニッケル−リン
層１９の表面によるＸ線の反射光によりの得られたＸ線
回折パターンを示す（第２ｂ図）。第２ａ図に示された
パターンは、第２ｂ図に示された層１９が、アモルファ
ス若しくは殆どフモルファスであることを示している。
のリンを含む２００ｎｍの厚さを有するニッケル−リン
層１９の表面によるＸ線の反射光によりの得られたＸ線
回折パターンを示す（第２ｂ図）。第２ａ図に示された
パターンは、第２ｂ図に示された層１９が、アモルファ
ス若しくは殆どフモルファスであることを示している。
第２ｂ図は、第２ａ図に示されたデータを生成するため
に用いられた装置を示す。第２ｂ図に示されるように、
銅からなるターゲットを有する３５ｋＶのＸ線源１６は
、スパッタリングされたニッケル−リン層１９の表面に
投射されかつ反射されるようなＸ線１７を発生する。Ｘ
線検出装置２０は、Ｘ線の強度を検出する。カラス製基
層２１及び検出装置２０は、Ｘ線源１６に対して回転可
能であるように支持されている。基層２１及び検出装置
２０が回転するのに伴い、検出装置２０により検出され
るＸ線の強度が測定される。第２ａ図は、反射角２θと
、この反射角度に於けるＸ線の強度との関係を示すグラ
フである。第２ｂ図に示されているように、角度２θは
、ニッケル−リン層１９により覆われた基層２１を通過
するＸ線と、ニッケル−リン層１０により反射され、検
出装置２０に投射されるＸ線との間に形成される角度で
ある。
に用いられた装置を示す。第２ｂ図に示されるように、
銅からなるターゲットを有する３５ｋＶのＸ線源１６は
、スパッタリングされたニッケル−リン層１９の表面に
投射されかつ反射されるようなＸ線１７を発生する。Ｘ
線検出装置２０は、Ｘ線の強度を検出する。カラス製基
層２１及び検出装置２０は、Ｘ線源１６に対して回転可
能であるように支持されている。基層２１及び検出装置
２０が回転するのに伴い、検出装置２０により検出され
るＸ線の強度が測定される。第２ａ図は、反射角２θと
、この反射角度に於けるＸ線の強度との関係を示すグラ
フである。第２ｂ図に示されているように、角度２θは
、ニッケル−リン層１９により覆われた基層２１を通過
するＸ線と、ニッケル−リン層１０により反射され、検
出装置２０に投射されるＸ線との間に形成される角度で
ある。
ニッケル−リン層１９が結晶性であれば、第２ａ図は、
”Ｅｌｅｍｅｎｔａｒｙ ）ｌｏｄｃｒｎ Ｐｈｙｓｉ
ｃｓ ” 、Ａｌｔｅｒｎａｔｅ ５ｅｃｏｎｄ Ｅｄ
ｉｔｉｏｎ、 Ｗｉｅｄｎｅｒ ｅｔ ａｌ、、Ａ１１
ｙｎａｎｄ Ｂａｃｏｎ、 Ｉｎｃ、１９７４年、１４
５〜１４９頁、に記載されているようなブラッグの回折
パターンを示すはずである。しかるに、第２ａ図に示さ
れているように、このグラフは比較的平坦であって、第
２ｂ図に示されたニッケル−リン層１９のＷＩ造がアモ
ルファス若しくは殆どアモルファスであることが解る。
”Ｅｌｅｍｅｎｔａｒｙ ）ｌｏｄｃｒｎ Ｐｈｙｓｉ
ｃｓ ” 、Ａｌｔｅｒｎａｔｅ ５ｅｃｏｎｄ Ｅｄ
ｉｔｉｏｎ、 Ｗｉｅｄｎｅｒ ｅｔ ａｌ、、Ａ１１
ｙｎａｎｄ Ｂａｃｏｎ、 Ｉｎｃ、１９７４年、１４
５〜１４９頁、に記載されているようなブラッグの回折
パターンを示すはずである。しかるに、第２ａ図に示さ
れているように、このグラフは比較的平坦であって、第
２ｂ図に示されたニッケル−リン層１９のＷＩ造がアモ
ルファス若しくは殆どアモルファスであることが解る。
第１図に示された層１２のようなスパッタリングされた
ニッケル−リン層は、第２ａ図及び第２ｂ図に示された
１１９と同様な殆どアモルファス構造を有するものと考
えられる。
ニッケル−リン層は、第２ａ図及び第２ｂ図に示された
１１９と同様な殆どアモルファス構造を有するものと考
えられる。
前記したように、本発明に基づきスパッタリングにより
形成されたニッケル−リン層は、ビットシフトの量を減
らし、ビットシフトによるエラーの数を減少させる。第
３ａ図は、スパッタリングされたニッケル−リンアンダ
ーコート層を用いることなく、一般的なＣｕ Ｂ□Ｎ
１１０Ｐ ｔ １ａ合金層２２が、メッキにより形成さ
れたニッケル−リン層２３上に被着された場合（第３ｂ
図）のビットシフトのプロットを示す。Ｃ０８ｏＮｉ１
ｏＰｔ１ｏ合金層２２は、６０ｎｍの厚さを有し、約１
，１００Ｏｅの保持度を有する。第３ａ図のデータを得
るために用いられた第３ｂ図のディスクは、機械的な保
護のためのスパッタリングされた炭素からなる保護膜を
有する。第３ａ図に於けるＸ軸は、ナノ秒（ｎｓ）を単
位とするビットシフトの景を示し、Ｙ軸はその大きさの
ビットシフトが発生した頻度を示す。従って、第３図に
於ける曲線３０に於ては、１０９ビット中の１ビットは
少なくとも１５．０ｎｓのビットシフトを有し、曲線３
１に於ては、１０９ビット中の１ビットは少なくとも約
１３．６ｎｓのビットシフトを有する。曲線３０により
表されるデータは、Ｂ６Ｄ９ （ヘキサデシマル）から
なるビットパターンを繰り返し記憶し、それを繰り返し
読出すことにより得られた。
形成されたニッケル−リン層は、ビットシフトの量を減
らし、ビットシフトによるエラーの数を減少させる。第
３ａ図は、スパッタリングされたニッケル−リンアンダ
ーコート層を用いることなく、一般的なＣｕ Ｂ□Ｎ
１１０Ｐ ｔ １ａ合金層２２が、メッキにより形成さ
れたニッケル−リン層２３上に被着された場合（第３ｂ
図）のビットシフトのプロットを示す。Ｃ０８ｏＮｉ１
ｏＰｔ１ｏ合金層２２は、６０ｎｍの厚さを有し、約１
，１００Ｏｅの保持度を有する。第３ａ図のデータを得
るために用いられた第３ｂ図のディスクは、機械的な保
護のためのスパッタリングされた炭素からなる保護膜を
有する。第３ａ図に於けるＸ軸は、ナノ秒（ｎｓ）を単
位とするビットシフトの景を示し、Ｙ軸はその大きさの
ビットシフトが発生した頻度を示す。従って、第３図に
於ける曲線３０に於ては、１０９ビット中の１ビットは
少なくとも１５．０ｎｓのビットシフトを有し、曲線３
１に於ては、１０９ビット中の１ビットは少なくとも約
１３．６ｎｓのビットシフトを有する。曲線３０により
表されるデータは、Ｂ６Ｄ９ （ヘキサデシマル）から
なるビットパターンを繰り返し記憶し、それを繰り返し
読出すことにより得られた。
曲線３１は、ＦＦＦＦ （ヘキサデシマル）からなるビ
ットパターンを同じく書込み、それを読出すことにより
得られた。これらのパターンは、５１７４インチディス
クに於ける最も内側のトラックであるトラック２４００
（即ち半径１．２インチの位置）に書込まれたもので
ある。このデータは、ディスクが３６００ｒｐｍにて回
転している時に毎秒６００万ビットの割合で書込まれた
ものである。
ットパターンを同じく書込み、それを読出すことにより
得られた。これらのパターンは、５１７４インチディス
クに於ける最も内側のトラックであるトラック２４００
（即ち半径１．２インチの位置）に書込まれたもので
ある。このデータは、ディスクが３６００ｒｐｍにて回
転している時に毎秒６００万ビットの割合で書込まれた
ものである。
第４図は第３図に示された薄膜２２と同一であって、保
持度Ｈｃ及び厚さＴを有するＣ０８ｏ−Ｎｉ Ｐｊ
１０合金からなる磁性薄膜についてのとットシフトプロ
ットを示す。しかしながら、第４図に示されたグラフに
対応する薄膜は、第１図に示されたような、スパッタリ
ングにより形成されたニッケル−リンからなるアンダー
コート層を有する。スパッタリングされたニッケル−リ
ンアンダーコート層は約１２０ｎｍの厚さを有する。こ
のスパッタリングされたニッケル−リンアンダーコート
層を形成するために用いられたスパッタリングターゲッ
トは、１０重景％のリンを含むニッケル−リン合金を無
電解メッキにより形成してなるものである。
持度Ｈｃ及び厚さＴを有するＣ０８ｏ−Ｎｉ Ｐｊ
１０合金からなる磁性薄膜についてのとットシフトプロ
ットを示す。しかしながら、第４図に示されたグラフに
対応する薄膜は、第１図に示されたような、スパッタリ
ングにより形成されたニッケル−リンからなるアンダー
コート層を有する。スパッタリングされたニッケル−リ
ンアンダーコート層は約１２０ｎｍの厚さを有する。こ
のスパッタリングされたニッケル−リンアンダーコート
層を形成するために用いられたスパッタリングターゲッ
トは、１０重景％のリンを含むニッケル−リン合金を無
電解メッキにより形成してなるものである。
第４図に於て、ビットパターンＢ６Ｄ９ （ヘキサデシ
マル）及びビットパターンＦＦＦＦ （、ヘキサデシマ
ル）をそれぞれ記憶することにより、２つの曲線３２．
３３が得られた。図示されているように、第４図の磁気
ディスクは、第３図の磁気ディスクに比較して極めて僅
かなビットシフトを（−行余白） 示している。特に、第４図に示された磁気ディスに於て
は、１０９ビット中の１ビットが、両ビットパターンＢ
６Ｄ９、ＦＦＦＦ （ヘキサデシマル）について、１２
．０ｎｓのビットシフトを伴うのに対し、第３図に示さ
れたディスクについては、ビットパターンＢ６Ｄ９につ
いては、１０９ビット中の１ビットが１４．９ｎｓのビ
ットシフトを伴い、ビットパターンＦＦＦＦについては
１０９ビット中の１ビットが１３．６ｎｓのビットシフ
トを伴う。これは、磁気ディスクのビットシフト特性に
於ける大幅な改善であるということができる。
マル）及びビットパターンＦＦＦＦ （、ヘキサデシマ
ル）をそれぞれ記憶することにより、２つの曲線３２．
３３が得られた。図示されているように、第４図の磁気
ディスクは、第３図の磁気ディスクに比較して極めて僅
かなビットシフトを（−行余白） 示している。特に、第４図に示された磁気ディスに於て
は、１０９ビット中の１ビットが、両ビットパターンＢ
６Ｄ９、ＦＦＦＦ （ヘキサデシマル）について、１２
．０ｎｓのビットシフトを伴うのに対し、第３図に示さ
れたディスクについては、ビットパターンＢ６Ｄ９につ
いては、１０９ビット中の１ビットが１４．９ｎｓのビ
ットシフトを伴い、ビットパターンＦＦＦＦについては
１０９ビット中の１ビットが１３．６ｎｓのビットシフ
トを伴う。これは、磁気ディスクのビットシフト特性に
於ける大幅な改善であるということができる。
第５図に示されたデータは、スパッタリングされたニッ
ケル−リンアンダーコート層が、（２０重量％のリンを
含む）焼結されたＮ１２Ｐにより形成された点を除いて
、第４図の磁気ディスクと同様なディスクにより得られ
たものである。第５図に示されているように、ビットパ
ターンＢ６Ｄ９（曲線３４）を書込んだ場合には、１０
９ビット中の１ビットが１２．０ｎｓのビットシフトを
伴い、ビットパターンＦＦＦＦ （曲線３５）を書込ん
だ場合には、１０９ビット中の１ピツ１〜が１０．４ｎ
ｓのビットシフトを伴った。このように、第４図及び第
５図に示されたように、スパッタリングされたニッケル
−リンアンダーコート層を有する磁気ディスクは、この
ようなスパッタリングされたニッケル−リンアンダーコ
ート層を有していない磁気ディスクに比較して極めて僅
かなビットシフトが発生するのみであることが分る。
ケル−リンアンダーコート層が、（２０重量％のリンを
含む）焼結されたＮ１２Ｐにより形成された点を除いて
、第４図の磁気ディスクと同様なディスクにより得られ
たものである。第５図に示されているように、ビットパ
ターンＢ６Ｄ９（曲線３４）を書込んだ場合には、１０
９ビット中の１ビットが１２．０ｎｓのビットシフトを
伴い、ビットパターンＦＦＦＦ （曲線３５）を書込ん
だ場合には、１０９ビット中の１ピツ１〜が１０．４ｎ
ｓのビットシフトを伴った。このように、第４図及び第
５図に示されたように、スパッタリングされたニッケル
−リンアンダーコート層を有する磁気ディスクは、この
ようなスパッタリングされたニッケル−リンアンダーコ
ート層を有していない磁気ディスクに比較して極めて僅
かなビットシフトが発生するのみであることが分る。
以上述べたように、スパッタリングされたニッケル−リ
ンからなるアンダーコート膜を有する本発明に基づく磁
気ディスクは、高いＳＮ比を有する。第６ａ図及び第６
ｂ図は、スパッタリングされたニッケル−リンアンダー
コート膜を有する磁気ディスク及びそれを有していない
磁気ディスクから得られた出力信号のスペクトルを比較
のために示す。第６ａ図及び第６ｂ図に示されたスパイ
クは信号成分を示し、スペクトルのそれ以外の部分は出
力信号のノイズ成分を示す。信号成分を表すスパイクと
は相反する側の、第６ａ図及び第６ｂ図に示されたスペ
クトル曲線の下側の部分の面積を”比較することにより
解るように、第６ａ図の信号のノイズ成分は、第６ｂ図
の信号のノイズ成分よりも大きい。
ンからなるアンダーコート膜を有する本発明に基づく磁
気ディスクは、高いＳＮ比を有する。第６ａ図及び第６
ｂ図は、スパッタリングされたニッケル−リンアンダー
コート膜を有する磁気ディスク及びそれを有していない
磁気ディスクから得られた出力信号のスペクトルを比較
のために示す。第６ａ図及び第６ｂ図に示されたスパイ
クは信号成分を示し、スペクトルのそれ以外の部分は出
力信号のノイズ成分を示す。信号成分を表すスパイクと
は相反する側の、第６ａ図及び第６ｂ図に示されたスペ
クトル曲線の下側の部分の面積を”比較することにより
解るように、第６ａ図の信号のノイズ成分は、第６ｂ図
の信号のノイズ成分よりも大きい。
第７図は、ビットシフトとスパッタリングされたニッケ
ル−リンアンターコート膜の厚さとの関係を示す。第７
図に示されたアンダーコート膜を形成するために用いら
れたスパッタリングターゲットは１０重景％のリンを含
み、無電解メッキにより形成されたものである。第７ｂ
図のグラフに示されたデータは、種々の厚さのニッケル
−リンについて、１０９ビット中の１ビットに発生する
ビットシフトの量を測定することにより得られたもので
ある。第７図は、ビットパターンＢ６Ｄ７を記録するこ
とにより得られた第１の曲線４０及びビットパターンＦ
ＦＦＦを記録することにより得られた第２の曲線４１を
含む。このグラフに示されているように、スパッタリン
グされたニッケル−リン皮膜の厚さが０（即ちニッケル
−リン薄膜が用いられない場合）最大のビットシフトが
発生し、ニッケル−リン薄膜の厚さが１２０ｎｍに達す
るまで、薄膜の厚さの増大に応じてビットシフトが徐々
に減少する。ニッケル−リン薄膜の厚さが１２０ｎｍを
越えると、この薄膜の厚さの増大分に対するビットシフ
トの減少量がごく僅かとなる。
ル−リンアンターコート膜の厚さとの関係を示す。第７
図に示されたアンダーコート膜を形成するために用いら
れたスパッタリングターゲットは１０重景％のリンを含
み、無電解メッキにより形成されたものである。第７ｂ
図のグラフに示されたデータは、種々の厚さのニッケル
−リンについて、１０９ビット中の１ビットに発生する
ビットシフトの量を測定することにより得られたもので
ある。第７図は、ビットパターンＢ６Ｄ７を記録するこ
とにより得られた第１の曲線４０及びビットパターンＦ
ＦＦＦを記録することにより得られた第２の曲線４１を
含む。このグラフに示されているように、スパッタリン
グされたニッケル−リン皮膜の厚さが０（即ちニッケル
−リン薄膜が用いられない場合）最大のビットシフトが
発生し、ニッケル−リン薄膜の厚さが１２０ｎｍに達す
るまで、薄膜の厚さの増大に応じてビットシフトが徐々
に減少する。ニッケル−リン薄膜の厚さが１２０ｎｍを
越えると、この薄膜の厚さの増大分に対するビットシフ
トの減少量がごく僅かとなる。
第８図は、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ膜を形成する前にＮｉ２Ｐ
膜がスパッタリングにより形成された点を除いて第７図
と同様である。第７図の場合と同様に、第８図に於ける
Ｎ ｉ ２ Ｐ膜の厚さが０であるときにビットシフト
が最大となり、Ｎ１２ＰＪＩｉの厚さが４０ｎｍに達す
るまでその増大量に従ってビットシフトの量が減少する
。Ｎｉ２Ｐ膜の厚さが４０ｎｍを越えると、それ以上Ｎ
ｉ２Ｐ膜の厚さを増大させても殆どビットシフトが減少
しなくなる。
膜がスパッタリングにより形成された点を除いて第７図
と同様である。第７図の場合と同様に、第８図に於ける
Ｎ ｉ ２ Ｐ膜の厚さが０であるときにビットシフト
が最大となり、Ｎ１２ＰＪＩｉの厚さが４０ｎｍに達す
るまでその増大量に従ってビットシフトの量が減少する
。Ｎｉ２Ｐ膜の厚さが４０ｎｍを越えると、それ以上Ｎ
ｉ２Ｐ膜の厚さを増大させても殆どビットシフトが減少
しなくなる。
本発明の別の実施例に於ては、ニッケル−リン合金から
なるアンダーコート膜をスパッタリングにより形成する
代りに、他の組成を有するニッケル組成物若しくはニッ
ケル合金が用いられている。
なるアンダーコート膜をスパッタリングにより形成する
代りに、他の組成を有するニッケル組成物若しくはニッ
ケル合金が用いられている。
例えば、アンダーコート膜を形成するために用いられる
スパッタリングターゲットは、ニッケル及びＢ、Ａｌ、
Ｇａ、Ｉｎ、Ｃ，Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、、 Ｐ、Ａ
ｓ、 Ｓｂ、 Ｂｉ、 Ｓ、 Ｓｅ、 Ｔｉ等の周期律
表に於けるＩ［ＩＢ、ＩＶＢ、ＶＢ及びＶＩＢ族に属す
る元素を含むものであってよい。このようにしてスパッ
タリングにより形成されたアンダーコート膜はアモルフ
ァス若しくは殆どアモルファスである。
スパッタリングターゲットは、ニッケル及びＢ、Ａｌ、
Ｇａ、Ｉｎ、Ｃ，Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、、 Ｐ、Ａ
ｓ、 Ｓｂ、 Ｂｉ、 Ｓ、 Ｓｅ、 Ｔｉ等の周期律
表に於けるＩ［ＩＢ、ＩＶＢ、ＶＢ及びＶＩＢ族に属す
る元素を含むものであってよい。このようにしてスパッ
タリングにより形成されたアンダーコート膜はアモルフ
ァス若しくは殆どアモルファスである。
以上本発明を特定の実施例について説明したが、当業者
であれば本発明の概念から逸脱することなく種々の変形
実施例に思い至るであろう。例えば、ニッケル及びリン
の含有量が種々異なるニッケル−リン合金を基層上にス
パッタリングすることができる。また、スパッタリング
に代えて、蒸着等信の手段によりアンダーコート膜を形
成することもできる。また、アルミニウムからなる基層
にニッケル−リンを無電解メッキにより被着してなる材
料以外の材料、例えばガラス若しくはセラミック基層、
或いはテープからなる基層に対してニッケル−リン合金
をスパッタリングすることもできる。このような変形・
変更は本発明の概念から逸脱するものではないことを了
解されたい。
であれば本発明の概念から逸脱することなく種々の変形
実施例に思い至るであろう。例えば、ニッケル及びリン
の含有量が種々異なるニッケル−リン合金を基層上にス
パッタリングすることができる。また、スパッタリング
に代えて、蒸着等信の手段によりアンダーコート膜を形
成することもできる。また、アルミニウムからなる基層
にニッケル−リンを無電解メッキにより被着してなる材
料以外の材料、例えばガラス若しくはセラミック基層、
或いはテープからなる基層に対してニッケル−リン合金
をスパッタリングすることもできる。このような変形・
変更は本発明の概念から逸脱するものではないことを了
解されたい。
第１図は本発明に基づくスパッタリングされたニッケル
−リン合金からなるアンダーコート膜を有する磁気ディ
スク構造を示す断面図である。 第２ａ図はガラスからなる基層上にスパッタリングされ
た２００ｎｍの厚さを有するニッケル−リン合金膜によ
り得られたＸ線回折パターンを示す。 第２ｂ図は第２ａ図に示された回折パターンを得るため
に用いられた装置を示す。 第３ａ図はスパッタリングされたニッケル−リンアンダ
ーコート膜を用いない従来技術に基づくＣ゛ｏ −Ｎ
ｉ −Ｐ を合金からなる磁性薄膜について得られたビ
ットシフトのプロットである。 第３ｂ図は第３ａ図のビットシフト曲線を得るために用
いられた磁気ディスク構造を示す断面図である。 第４図は１０重量％のリンを含む無電解メッキされたニ
ッケル−リンスバッタリングターゲットからスパッタリ
ングされたニッケル−リンアンダーコート膜上に形成さ
れたＣｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金からなる磁性薄膜について得
られたビットシフトプロットである。 第５図は２０重量％のリンを含む焼結Ｎｉ２Ｐターゲッ
トからスパッタリングされたニッケル−リンアンダーコ
ート膜上に形成されたＣｏ−Ｎ１−ｐｔ合金磁性薄膜に
ついて得られたビットシフトのプロットである。 第６ａ図はスパッタリングされたニッケル−リンアンダ
ーコート膜を用いない従来技術に基づくＣｏ−Ｎｉ−Ｐ
ｔ膜を用いる磁気ディスクについて得られた出力信号の
信号／ノイズスペクトル図である。 第６ｂ図はスパッタリングされたニッケル−リンアンダ
ーコート膜上に形成されたＣｏ−Ｎｉ−Ｐｔ１ｌｉにつ
いて得られた出力信号の信号／ノイズスペクトル図であ
る。 第７図は１０重１％のリンを含む無電解メッキされたニ
ッケル−リンターゲットからスパッタリングされたニッ
ケル−リン合金アンダーコート膜の厚さとビットシフト
の量との間の関係を示すグラフである。 第８図は焼結Ｎｉ２Ｐターゲットからスパッタリングさ
れたＮｉ２Ｐアンダーコート脱の厚さと磁気ディスクの
ビットシフトの量との間の関係を示すグラフである。
−リン合金からなるアンダーコート膜を有する磁気ディ
スク構造を示す断面図である。 第２ａ図はガラスからなる基層上にスパッタリングされ
た２００ｎｍの厚さを有するニッケル−リン合金膜によ
り得られたＸ線回折パターンを示す。 第２ｂ図は第２ａ図に示された回折パターンを得るため
に用いられた装置を示す。 第３ａ図はスパッタリングされたニッケル−リンアンダ
ーコート膜を用いない従来技術に基づくＣ゛ｏ −Ｎ
ｉ −Ｐ を合金からなる磁性薄膜について得られたビ
ットシフトのプロットである。 第３ｂ図は第３ａ図のビットシフト曲線を得るために用
いられた磁気ディスク構造を示す断面図である。 第４図は１０重量％のリンを含む無電解メッキされたニ
ッケル−リンスバッタリングターゲットからスパッタリ
ングされたニッケル−リンアンダーコート膜上に形成さ
れたＣｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金からなる磁性薄膜について得
られたビットシフトプロットである。 第５図は２０重量％のリンを含む焼結Ｎｉ２Ｐターゲッ
トからスパッタリングされたニッケル−リンアンダーコ
ート膜上に形成されたＣｏ−Ｎ１−ｐｔ合金磁性薄膜に
ついて得られたビットシフトのプロットである。 第６ａ図はスパッタリングされたニッケル−リンアンダ
ーコート膜を用いない従来技術に基づくＣｏ−Ｎｉ−Ｐ
ｔ膜を用いる磁気ディスクについて得られた出力信号の
信号／ノイズスペクトル図である。 第６ｂ図はスパッタリングされたニッケル−リンアンダ
ーコート膜上に形成されたＣｏ−Ｎｉ−Ｐｔ１ｌｉにつ
いて得られた出力信号の信号／ノイズスペクトル図であ
る。 第７図は１０重１％のリンを含む無電解メッキされたニ
ッケル−リンターゲットからスパッタリングされたニッ
ケル−リン合金アンダーコート膜の厚さとビットシフト
の量との間の関係を示すグラフである。 第８図は焼結Ｎｉ２Ｐターゲットからスパッタリングさ
れたＮｉ２Ｐアンダーコート脱の厚さと磁気ディスクの
ビットシフトの量との間の関係を示すグラフである。
Claims (18)
- （１）基層と、真空蒸着により前記基層上に成層された
、ニッケル及びＢ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ
、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｉ
からなる群から選ばれた少なくとも１つの元素を含む第
１の層と、前記第１の層の上に成層された磁気記録媒体
とを有することを特徴とする磁気ディスク構造。 - （２）前記第１の層がスパッタリングにより形成された
ニッケル−リン合金を含むことを特徴とす特許請求の範
囲第１項に記載の磁気ディスク構造。 - （３）前記磁気媒体の表面に保護膜が形成されているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項若しくは第２項に
記載の磁気ディスク構造。 - （４）基層と、前記基層上に成層された第１の層と、前
記第１の層上に成層された磁気記録媒体からなる層とを
有し、前記第１の層を設けることにより、前記磁気記録
媒体がビットシフトを引き起こし難くしたことを特徴と
する磁気ディスク構造。 - （５）前記第１の層を設けることにより、前記磁気記録
媒体のビットシフトを少なくとも約１ｎｓ小さくしたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第４項に記載の磁気ディ
スク構造。 - （６）前記記録媒体の表面に保護膜が形成されているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第４項若しくは第５項に
記載の磁気ディスク構造。 - （７）磁気ディスクを製造するための方法であって、 基層を準備する過程と、 ニッケル及びＢ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、
Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｉか
らなる群から選ばれた少なくとも１つの元素を含む第１
の層を真空蒸着により前記基層上に成層する過程と、 前記第１の層上に磁気記録媒体からなる層を成層する過
程とを有することを特徴とする方法。 - （８）前記第１の層がニッケル−リン層を含むことを特
徴とする特許請求の範囲第７項に記載の製造方法。 - （９）前記ニッケル−リン層がスパッタリングにより形
成されることを特徴とする特許請求の範囲第８項に記載
の製造方法。 - （１０）前記磁気記録媒体の層を形成する過程が、磁気
記録媒体をスパッタリングする過程からなることを特徴
とする特許請求の範囲第９項に記載の製造方法。 - （１１）前記磁気記録媒体が、約６００Ｏｅよりも大き
な固有保持度を有することを特徴とする特許請求の範囲
第７項に記載の製造方法。 - （１２）前記磁気記録媒体がコバルト及び白金を含む合
金からなることを特徴とする特許請求の範囲第７項に記
載の製造方法。 - （１３）前記基層が、ガラス、セラミック、アルミニウ
ム及びニッケル−リンがメッキされたアルミニウムから
なる群から選ばれた材料を含むことを特徴とする特許請
求の範囲第７項に記載の製造方法。 - （１４）前記基層がテープからなることを特徴とする特
許請求の範囲第７項に記載の製造方法。 - （１５）前記磁気媒体の表面に保護膜を形成する過程を
含むことを特徴とする特許請求の範囲第７項に記載の製
造方法。 - （１６）前記保護膜が、スパッタリングされた炭素、Ｚ
ｒＯ＿２、ＳｉＯ＿２、ＴｉＯ＿２及びＴａＯからなる
群から選ばれた材料からなることを特徴とする特許請求
の範囲第１５項に記載の製造方法。 - （１７）磁気ディスクの製造方法であって、基層を準備
する過程と、 前記基層上に第１の層を成層する過程と、 前記第１の層上に磁気記録媒体からなる層を成層する過
程とを有し、 前記第１の層が前記磁気記録媒体のビットシフトの量を
低減するものであることを特徴とする製造方法。 - （１８）前記磁気記録媒体により引き起こされる、１０
＾９ビット中の１ビットに発生するビットシフトの量を
、前記第１の層により少なくとも約１ｎｓ低減させるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１７項に記載の製造方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/018,650 US4786564A (en) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | Method for manufacturing a magnetic disk having reduced bit shift, minimized noise, increased resolution and uniform magnetic characteristics, and the resulting disk |
| US018,650 | 1987-02-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63217525A true JPS63217525A (ja) | 1988-09-09 |
| JP2601491B2 JP2601491B2 (ja) | 1997-04-16 |
Family
ID=21789056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62289246A Expired - Lifetime JP2601491B2 (ja) | 1987-02-25 | 1987-11-16 | 磁気ディスク構造及びその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4786564A (ja) |
| EP (1) | EP0280438B1 (ja) |
| JP (1) | JP2601491B2 (ja) |
| DE (1) | DE3888990T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2002190108A (ja) * | 2000-10-13 | 2002-07-05 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
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