JPS629526A - デイスクの媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、一般に磁性ディスクに関し、さらに詳しくは
、薄いフィルムのディスクのための改良された支持体に
関する。

磁性ディスク媒体の貯蔵密度の有意の増加は。

記録技術の改良および磁性媒体の改良から生じた。後者
に関すると、最も有意な最近の改良はいわゆる薄いフィ
ルムのディスクであり、ここで１または２以上のめっき
された（あるいはスパッターされた）金属層が初期のデ
ィスクにおいて使用された回転被覆された粒状の（鉄酸
化物）層の代わりに用いられている。金属層はしばしば
非磁性（例えば、クロム）層および磁性（コバルト）層
を含む複合構造を形成する。このような薄いフィルムの
媒体はより耐久性であり、よりすぐれた信号対ノイズ比
を有し、そして究極的に粒状媒体よりも安価であるべき
である。

粒状の被覆技術に無関係に、適当な支持体は引き続く層
のために必要である。市販の薄いフィルムのディスクの
製作において、アルミニウムほぼ万能に近い、非磁性ニ
ッケル合金（例えば、ニッケルーリン）層はみがかれた
アルミニウム支持体の上に無電解めっき法により８〜２
０ミクロンの厚さに析出される。次いで、ニッケル合金
表面を平らに（例えば、２５０Ａまたは１ミクロンイン
チより小さい荒さに）非常に微細な研磨剤を使用してみ
がいて５〜１５ミクロン程度の厚さを有する仕上げられ
た層を形成する。めっきされかつみがかれた構造体は仕
上げられた支持体を提供し。

次いでこれはそれ以上のめつきまたはスパッター工程に
かけて磁性層を析出する。耐摩耗性オーバーコートは通
常磁性層の上に形成される。仕上げられたディスク内の
その位置をかんがみて。

ニッケル合金層はアンダーコートと呼ばれる。

もちろん、支持体の製作および磁性被覆は同一の工場に
おいであるいは同一の実体（ｃｎｔｉｔｙ）により実施
される必要はない、事実、支持体は１つの製造者により
製造され、そして磁性被覆および試験のために他の製造
者に供給されることは一層典型的である。

本発明は、従来技術より優れた品質および低いコストを
生ずる薄いフィルムのディスクの製作法および構造を提
供する。

広義には、本発明はスパッターされたアンダーコートを
包含する。より詳しくは、アルミニウム支持体を微細な
みがき工程にかけ、そして比較的薄いアンダーコートを
スパッターにより析出させる。これはそれ以上の被覆工
程にかけて最終ディスクを形成することのできる仕上げ
られた支持体を提供する。

アンダーコートの析出にスパッター技術を使用すると、
全被覆順序をインラインで実施することができ、ここで
他の層がまたスパッターされる。

すなわち、いったん高度にみがかれたアルミニウム支持
体が得られると、アンダーコート、磁性層およびオーバ
ーコートを単一の製作ラインにおいて順次のスパッター
作業により析出（ｄｅｐｏｓｉｔ）することができる。

これは製作過程の垂直の統合を許し、それに付随して経
済性が得られる。その上、スパッターされる支持体は磁
性層を受取る前に製作ラインの注意してコントロールさ
れた条件を残さないので、品質のコントロールはより容
易に維持されうる。

アンダーコーＩ・をスパッターすると、匹敵するめっき
工程よりすぐれた他の利点が得られる。

めっきは、湿式法であり、温度制御、一定の溶液密度の
維持、不純物の同伴および化学的廃物の処理において重
大な問題を生ずる。スパッターは、他方において、比較
的清澄な方法であり、そのパラメーターは容易にコント
ロールできる。結局、スパッター工程は均一な所望の組
成および厚さを有する比較的薄い層を形成する。これは
比較的高い処理量を可能としかつオフラインで実施しな
くてはならない別のみがき工程を排除する。薄いスパッ
ター層の使用は多少高度のみがきをアルミニウム支持体
について必要とするが、このようなコストは比較的小さ
い。

好ましいアンダーコートはニッケル−バナジウム合金（
７％のバナジウムの程度）の０．３〜３ミクロンの層で
ある。普通に使用されている材料、例えば、めっきされ
たニッケルーリンに比較して、スパッターされたニッケ
ル−バナジウムのアンダーコートは腐食を受る程度がか
なり少なく、そしてより厳密な組成のコントロールを可
能とする。また、ニッケル−バナジウムはニッケルーリ
ンのアンダーコートより高い最大保磁力に導く。

好ましい記録層は、クロム層およびコバルト−クロム合
金（８０〜９０％のコバルト）の上に横たわる層からな
るスパッターされた複合構造体である。クロム層は一般
に約５００〜３００ＯＡの厚さであり、一方コパルトー
クロム層は一般に約５００〜２０００Ａの厚さである。

好ましいオーバーコートは一般に約２００〜１００ＯＡ
の厚さの炭素層である。

記録層の性質は、ある種の追加の処理工程を実施するこ
とにより改良されることが発見された。

例えば、変調（ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）効果（信号の強
さの変動）は、ニッケル−バナジウムのアンダーコート
のスパッターの前にアルミニウム支持体を加熱すること
により、そしてオーバーコート層の析出の前にアンダー
コートを酸化することにより実質的に排除できることが
発見された。

本発明の性質および利点のそれ以上の理解は、この明細
書の残部および図面を参照すると実現されるであろう。

第１Ａ図は１本発明に包含される薄いフィルムのディス
ク１０の斜視図である。ディスク１０は、よく知られて
いるように、中央開口１３が形成されておりかつ磁性記
録層をその上に支持する上表面１５ａおよび下表面１５
ｂを有する剛性の環状要素１２である。全体のディスク
の寸法は本発明の特定の部分を構成しないが、１つの標
準のディスクは外径１３．３４ｃｍ（５，２５インチ）
、開口直径４０　ｍ　ｍ、および厚さ０゜１９１ｃｍ（
７５ミル）を有することをついでに述べることができる
。使用において、ディスク１０はディスクドライブ、例
えば、ウィンチェスタ−（Ｗｉｎｃｈｅｓｔｅｒ）　　
ドライブ中に組み込まれる。

第１Ｂ図は、第１Ａ図の線ＩＢ−ＩＨに沿って取った部
分断面図であり、ディスクｌＯを構成する層の組成およ
び配置を示す、明確とするために、上表面１５ａ付近の
区域が示されており、そして下表面１５ｂ付近の区域は
鏡像である。広義には、ディスク１０はみがかれたアル
ミニウム支持体上に順次に析出されたある数の薄い層か
ら構成されている０代表的な実施態様において、４つの
このような層が存在し、それらの合計の厚さは約１〜３
ミクロンである（一般に合計のディスクの厚さのわずか
に約ｉ　ｏｏｏ分の１のみである）。

ディスク１０が支持体２０からなり、その上に、次の順
序で、アンダーコート２２、層２７および２８を有する
複合記録層２５．およびオーバーコート３０が配置され
ている。これらの層の意義および詳細を後述する。

支持体２０の目的は複合記録層２５に剛性および機械的
安定性を提供することである。支持体２０は好ましくは
アルミニウムであり、そして例えば、ＫＳＩディスク・
プロダクツ（ＫＳＩＤｉｓｃ　　Ｐｒｏｄｕｃｔｓ、Ｃ
ｈｉｎａ。

Ｃａ１ｆｏｒｎｉａ）から購入できるような市販物品を
表わす、支持体２０上に析出される層は比較的薄いので
、支持体の表面は高度にみがかれており、好ましくは荒
さが約１ミクロンインチ（ほぼ２５０オングストローム
）より小さいことが重要である。

アンダーコート２２の目的は堅さおよび平滑さを提供す
ること、および記録層の接着を高めることである。こう
して、アンダーコート２２は高い引張強さを有する非磁
性材料から形成しなくてはならない、好ましいアンダー
コート材料はニッケル−バナジウム合金（７％のバナジ
ウム）である。厚さは析出（後述する）が不合理に長く
ならないようにするために約１０ミクロンより小である
べきである。適当な厚さは０．３〜３ミクロン、好まし
くは約０．５〜１．５ミクロンである。

複合記録層２５はディスク１０の使用部分である。なぜ
なら、交互して磁゛化される区域の形のディジタルデー
タが貯蔵されるのはこの部分内であるからである。この
目的に、層の少なくとも１つは磁化可能な材料から形成
しなくてはならない。水平の記録のために、磁化のゆる
やかな軸（ｃａｓｙ　　ａｘｉｓ）はディスクの平面内
に存在すべきである０層２７は好ましくは（非磁性）ク
ロムの０．０５〜０．３ミクロン（５００〜３０００Ａ
）の層であり１層２８は好ましくは（磁性）コバルト−
クロム合金（１０〜２０％のクロム）の０．０５〜０．
２ミクロン（５００〜２０００Ａ）の層である。コバル
ト−クロムの代わりに、コバルト−ニッケル（１５〜３
０％のニッケル）またはコバルト−レニウム（１０〜３
０％のレニウム）を使用することができる。

オーバーコー）３０の目的は、非常に堅い耐摩耗性の被
膜を提供して磁性層２８を保護することである。この目
的に、オーバーコート３０は０゜０２〜０．１ミクロン
（２００〜１００ＯＡ）の厚さを有する炭素から形成す
ることができる。

第２図は、前述の構造を有するディスク１０を製作する
ために使用する工程の順序を示すブロック線図である。

まず、前述のように、適当にみがかれたアルミニウム支
持体を準備する（１０１）。支持体はその荒さがほぼ２
５０オンゲスドロ□−ムより小さいようにみがかなくて
はならない、この支持体はこの程度にみがかれたものを
販売者から入手することができ、あるいは最後のみがき
を別の工程として実施することができる。いずれの場合
においても、みがかれた支持体は次いで清浄され（１０
２）、好ましくはそれを溶媒および洗剤の浴に暴露して
、表面からほこりまたは他の汚染物質を除去する。これ
はウルトアテッチ（Ｕｌｔｒａｔｅｃｈ、Ｓａｎ　　Ｃ
ａｒｌｏｓ。

Ｃａ１ｉｆｏｒｎｉａ）から販売されている型の市販デ
ィスククリーナー中で実施することができる。

−Ｑに、種々の層を真空蒸着工程、すなわち、スパッタ
ーにより析出する。スパッターは多ステージ耀ンのスパ
ッター装置、例えば、シルクイツ・プロセシング・アパ
ラタス・インコーホレーテッド（ｃｉｒｃｕｉｔｓ　　
Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　　Ａｐ’ｐａｒａｔｕｓ、Ｉｎ
ｃ、、Ｆｒｅｍ。

ｎｔ　、Ｃａ１ｉｆｏｒｎｉａ）により製作された装置
により実施される。ディスクはコンベヤーのシステム上
の適当なキャリヤー中に支持される。

コンベヤー・システムは、ディスクを対向する標的を通
過して運搬し、これによりディスクの両側は同時に被覆
されうる。特定のスパッター装置の配置は全体の処理の
要求に基づいて選択される。

考察は所望の処理量およびスパッターすべき層の数およ
び型を包含する。

標的は組成および大きさにより特定され、そしてマテリ
アルズ・リサーチ拳コーポレーション（Ｍａｔｅｒｉａ
ｌｓ　　Ｒｅ５ｅａｃｈＣｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ、Ｏｒ
ａｎｇｅｂｕｒｇ、Ｎｅｗ　　Ｙｏ丁ｋ）から購入する
ことができる０代表的な標的の大きさは３７．７８３ｃ
ｍＸ１２．０７ｃｍ　（１４，８７５’　Ｘ４．７５”
）である、適当な標的の厚さは、次の通りである：ニッ
ケル−バナジウム層　０．９５３ｃｍ（０，３７５″） クロム　　　　　　　　　０．６３５ｃｍ（０，２５”
） コバルト−クロム　　　　０．２５４ｃｍ（０，１０″
） 炭素　　　　　　　　　　０．６３５ｃｍ（０，２５”
） 製造の目的で、コバルト−クロム合金の標的は層２Ｂの
スパッターに好ましい、しかしながら、発現相の間、コ
バルト−クロム層２８は密接に位置するＶ形の配置に整
列されたコバルトおよびクロムの標的を用いてスパッタ
ーされた。

後述する理由で、支持体はスパッター標的の通過前に輻
射的に予熱される（１０３）、予熱は真空室内の１また
は２以上の電気的ヒーターにより提供される。加熱は真
空内であるので、ディスクは引き続く析出の間所望の高
温に維持される。

予熱されたニッケル−バナジウム合金の標的を通過し、
その時アンダーコート２２は析出される（１０４）、引
き続くスパッター工程に関すると、標的の大きさおよび
電力をコンベヤーの速度に関係づけて所望厚さのスパッ
ターされる層を形成する。多の考察はそれ以上の拘束を
付与するであろう０例えば、後述するように、ニッケル
−バナジウムのアンダーコートの析出速度を限定するこ
とが有利であることがある。このような場合において、
支持体を延長されたアンダーコーティングの工程にかけ
る。この工程は多数の標的ステーションにより提供され
うる。

追加の層を析出する前に、ニッケル−バナジウム層を酸
化する（１０５）、試験の目的に、酸化はニッケル−バ
ナジウム被覆された支持体をスパッター装置から取り出
し、それを所望の時間の長さの間周囲空気に暴露し、次
いで引き続く工程のためスパッター装置の中にそれを再
導入することにより実施した。明らかなように、このよ
うな取り出しおよび再導入は実質的な中断を表わし、そ
して処理量に悪影響を及ぼすであろう、こうして、酸化
を生産の間に実施する場合、スパッターライン中に別の
室を設け、ここでディスクを酸素に暴露することが望ま
しい。

ニッケル−バナジウム被覆された支持体は、複合記録層
がその上に析出される仕上げられた支持体と見ることが
できる（１０６）、前述のように、記録媒体は実際に２
層の複合体２５として析出され、そしてこの複合体はク
ロム層２７およびコバルト−クロム層２８を含む、炭素
のオーバーコート３０を次いで析出して（１０７）製作
サイクルを完結する。

次いで、仕上げられたディスクを適当な試験（１０８）
に付し、その後ディスｉはディスクドライブに組み込む
ことが１きると考えることができる。前述のように、デ
ィスク１０の関連する性質は磁性層２８の性質である。

しかしながら、下において理解されるように、他の層は
磁性層の性質における所望の変化を生ずるようにそれら
の性質を変更することができることにおいて関連性があ
る。

仕上げられたディスクの重要な特性は１表面全体にわた
る記録層の均一性である。とくに、トラックがディスク
上に書かれるとき、磁化の程度は方位座標とともに変化
すべきではない、換言すると、水平方向の記録について
、磁化のゆるやかな軸（ｃａｓｙ　　ａｘｉｓ）はディ
スクの平面中に存在すべきであるが、平面における好ま
しい配向を有すべきではない。

記録特性の均一性は、順次の交互する１および０（交互
する磁化）を全体のトラックにわたって書き、ディスク
を読み、そして電圧の信号の振幅を感知することにより
測定することができる。電圧の出力は磁束の変化の時間
速度に対して比例し、そして一定速度の回転について、
振幅は磁化の強さの測度を提供する。記録層の系統的異
方性はそれ自体信号において現れ、その強さは方位位置
とともに変化する。変調をその最大における信号の振幅
対その最小における信号の振幅の比として定義すると、
変調が１を超える程度は異方性の測度である。

スパッター法は、有意の変調係数（ｍｏｄｕｌａｔｉｏ
ｎ　　ｆａｃｔｏｒ）により特徴づけられる異方性の層
を生成する傾向があることが発見された（それを低下さ
せる工程を取らなかったと仮定すると、１．３７程度に
高い）、異方性はスパッター装置の配置［ｇｅｏｍｅｔ
ｒｙ）に関係づけられることがわかった。とくに、磁化
のゆるやかな軸はスパッター装置を通る動きの方向と優
先的に整列することが発見され、それはスパッター標的
と関連する磁石の磁場の方向と一致する。

しかしながら、変調は処理のパラメーターの１または２
以上を適当の操作することにより１゜０に非常に近接し
て減少できることが決定された０表１〜５はそれぞれの
実験順序についての試験結果を示し、ここで方法のパラ
メーターのすべては操作した特定のものを除外して一定
に維持された。こうして各表は特定の方法のパラメータ
ーについての変調の依存性を示す、変調の値は一番右の
「変調」と題する欄に記載されている。

所定の実験についての主要なパラメーターは、方法の異
る点におけるディスクの速度、スパッター標的の電力（
ｐ　ｏｗｅ　ｒ）　、および予熱電流である。速度は０
ｍ７分、標的の電力はｋｗであり、そしてヒーターの電
流はアンペアである。特定のパラメーターの値は特定の
スパッター装置および立体的配置（ｃｏｎｆｉｇｕｒａ
ｔｉｏｎ）について実施する方法について適当であるこ
とを理解すべきである。異る装置または立体的配置につ
いての特定のパラメーターは、簡単な実験により決定さ
れるべきであろう、しかしながら、考察する相対的値お
よび機能的関係は一般的応用性をもつ傾向がある。

表１は、他の層を析出する前に、ニッケル−バナジウム
のアンダーコート２２を酸化する効果を示す・アンダー
コートを酸化しない２つの試料について、変調は１．３
５以上であることがわかった・周囲への５分の暴露は変
調を１．ｌＯに減少させた（これは大抵の目的に許容さ
れうる）、より長い酸化時間（−夜）は変調を１．０５
以下に減少させた。アンダーコート２２の酸化は引き続
いて析出されるクロム層２７の粒度を増加させ、次いで
コバルト−クロム層の析出をそうでない場合よりも等方
性とさせると信じられる。

表２は、ニッケル−バナジウム層２２の析出前に、支持
体２０を予熱する効果を示す、理解されるように、感知
されうる変調の減少はディスクを約２００℃以上に加熱
することにより達成できるが、これより高い温度（例え
ば、２５０℃以上）への加熱はより劇的な減少が得られ
る。認められるように、試験において使用したヒーター
は単一通過でより高い温度を提供するほど強力ではなく
、多数回の通過が必要であった。アルミニウム支持体の
予熱はニッケル−バナジウムの粒度を増加させ、これに
より他の層の粒度を増加し、結局コバルト−クロム層の
究極の析出はいっそう等方性となる傾向があると信じら
れる。

表３はアンダーコートの電力の変調への効果を示す、理
解されうるように、低い電力でアンダーコートをスパッ
ターすると、約１．０５以下の変調を有するディスクを
製造することができる。しかしながら、析出速度は一般
に電力に比例するので、低い電力は低い処理量を伴う。

処理量におけるこのような犠牲は、各々が低い電力で作
動する１系列のニッケル−バナジウムの標的ステーショ
ンを設けることにより排除することができる。

ニッケル−バナジウム層の析出が早すぎると、内部応力
が発生し、これにより磁性層が異方性となると信じられ
る。

表４はクロム層の析出直前の予熱の効果を示す、この時
点における予熱は実際に変調を増加させることがわかる
。しかしながら、これらのデータはある程度の予熱が望
ましいことあるという可能性を妨げない。

表５はクロム標的の電力の変調への効果を示す、実現さ
れる改良は、アンダーコートの標的の電力を減少するこ
とにより実現されるものに一致する。

表６は、異るアンダーコートについての最大保磁力（Ｈ
ｃ）および残留モーメン）（Ｍｒ）を比較し、そしてニ
ッケルーリンの代わりにニッケル−バナジウムを使用す
ることにより得られる予期されえない利益を示す、スパ
ッターされたニッケル−バナジウムのアンダーコートを
有するディスクをめっきされたニッケルーリンのアンダ
ーコートを有するものと比較すると、前者は有意に高い
最大保磁力（Ｈｅ）を有することがわかった。高い最大
保磁力は記録密度を高くする。

前述の試験結果を再検討すると明らかなように、方法の
パラメーターのいくつかの異る組を使用して許容されう
るほどに低い変調により特徴づけられるディスクを製造
することができる。全体的に最良を思われる２組のパラ
メーターは表１におけるディスク＃Ｂ−３８および表３
におけるディスク＃Ｂ−４６についてのものであり、そ
して好ましいパラメーターの代表であると考えることが
できる。前者の組は酸化を明記し、試験においてスパッ
ター装置からのディスクの取り出しを伴った。第２組は
遅い析出を明記し、試験において多数回の通過を伴った
０両者は不便を表わすが、前述のように、好ましい装置
はこのような不便を排除する。こうして、好ましい装置
において、酸化をインラインで実施し、そして遅い析出
は直列に配置された多数の標的を用いて達成される。

要約すると、本発明は高い品質のディスクを再現性をも
って製作することのできる清浄なかつ高度に融通性のあ
る方法を提供する０以上は本発明の詳細な説明を提供す
るが、別の構成、変更、および同等物を本発明の精神お
よび範囲を逸脱しないで用いることができることが理解
されるであろう０例えば、示した層の厚さは例示のみを
目的としかつ適当な範囲内で変化させることができると
同時に本発明の利益をなお保持することができル、すら
に、（クロム）／（コバルト−クロム）複合記録構造は
好ましい実施態様であるが、広範な種類の記録構造が知
られておりかつそれらを利用することができるであろう
、それらは単一層ならびに二重層の構造を包含するであ
ろう、したがって、本発明の範囲は前述の説明および例
示に限定されず、特許請求の範囲により定められる。

【図面の簡単な説明】

第１Ａ図は、は本発明に従い製作された薄いフィルムの
ディスクの斜視図である。 第１８１は、第１Ａ図の線ＩＢ−ＩＢに沿って取ったデ
ィスクの部分断面図である。 第２図は、第１Ａ図および第１Ｂ図のディスクの製作法
のブロック線図である。 ｌＯ薄いフィルムのディスク １２　　剛性の環状要素 １３　　中央開口 １５ａ　　上表面 １５ｂ　　下表面 ２０　　支持体 ２２　　アンダーコート ２５　　複合記録層 ２７　　　Ｃｒ層 ２８Ｃｏ−Ｃｒ層 ３０　　オーバーコート

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、工程、 （ａ）約２５０Ａより小さい表面荒さを有する支持体を
   準備し、 （ｂ）実質的に非磁性のニッケル−バナジウム層をほぼ
   １０ミクロン以下の厚さにスパッターし、そして （ｃ）少なくとも１つの磁性層を析出してディスクに固
   有の記録媒体を形成する、 ことを特徴とする薄いフィルムのディスクを製作する方
   法。 ２、前記スパッター工程（ｂ）を実施して０．３〜３ミ
   クロンの範囲の厚さを有する層を形成する特許請求の範
   囲第１項記載の方法。 ３、前記スパッター工程（ｂ）を約７％のバナジウムを
   含有するニッケル−バナジウム標的を用いて実施する特
   許請求の範囲第１項記載の方法。 ４、析出工程（ｃ）は少なくとも１つの層をスパッター
   する工程を含む特許請求の範囲第１項記載の方法。 ５、前記析出工程（ｃ）は、補助工程、 （ｉ）約５００〜３０００Ａの厚さのクロム層をスパッ
   ターし、そして （ｉｉ）約５００〜２０００Ａの厚さのコバルト−クロ
   ム層をスパッターする、 からなる特許請求の範囲第１項記載の方法。 ６、前記析出工程（ｃ）の後実施する工程、（ｄ）耐摩
   耗性のオーバーコートを析出す る、 をさらに含む特許請求の範囲第１項記載の方法。 ７、前記準備工程（ａ）の後にかつ前記スパッター工程
   （ｂ）の前に実施する工程、 （ｄ）アルミニウム支持体を約２００℃以上の温度に加
   熱する、 をさらに含む特許請求の範囲第１項記載の方法。 ８、前記スパッター工程（ｂ）の後にかつ前記析出工程
   （ｃ）の前に実施する工程、 （ｄ）非磁性層の外部を酸化する、 をさらに含む特許請求の範囲第１項記載の方法。 ９、次の構成成分、 支持体、 前記支持体上に析出された実質的に非磁性のニッケル−
   バナジウム合金のスパッターされたアンダーコート、お
   よび 前記アンダーコートの上の横たわってディスクに固有の
   記録媒体を形成する少なくとも１つのスパッターされた
   磁性層、 からなることを特徴とする薄いフィルムのディスク。 １０、前記支持体は約２５０Ａより小さい荒さを有する
   アルミニウムである特許請求の範囲第９項記載の薄いフ
   ィルムのディスク。 １１、前記アンダーコートは０．３〜３ミクロンの範囲
   の厚さを有する特許請求の範囲第９項記載の薄いフィル
   ムのディスク。 １２、工程、 （ａ）約２５０Ａより小さい表面荒さを有する支持体を
   準備し、 （ｂ）ほぼ０．３〜３ミクロンの厚さに実質的に非磁性
   のニッケル−バナジウム層をスパッターし、 （ｃ）少なくとも１つの磁性層をスパッターしてディス
   クに固有の記録媒体を形成し、そして（ｄ）耐摩耗性の
   オーバーコートを析出す る、 からなることを特徴とする薄いフィルムのディスクを製
   作する方法。 １３、前記スパッター工程（ｂ）を実施して０．５〜１
   ．５ミクロンの範囲の厚さを有する層を形成する特許請
   求の範囲第１２項記載の方法。 １４、前記スパッター工程（ｂ）を約７％のバナジウム
   を含有するニッケル−バナジウム標的を用いて実施する
   特許請求の範囲第１２項記載の方法。 １５、工程、 （ａ）約２５０Ａより小さい表面荒さを有する支持体を
   準備し、 （ｂ）ほぼ０．５〜１．５ミクロンの厚さに実質的に非
   磁性のニッケル合金層をスパッターし、そして （ｃ）少なくとも１つの磁性層をスパッターしてディス
   クに固有の記録媒質を形成する、 からなり、前記工程（ｂ）および（ｃ）を、中間のみが
   き工程を用いないで、インライン順序で実施することを
   特徴とする薄いフィルムのディスクを製作する方法。 １６、次の構成成分、 約２５０Ａより小さい荒さを有する支持体、前記支持体
   上に析出された０．３〜３ミクロンの厚さの実質的に非
   磁性のニッケル−バナジウム合金のスパッターされたア
   ンダーコート、 前記アンダーコートの上の横たわってディスクに固有の
   記録媒体を形成する少なくとも１つのスパッターされた
   磁性層、および 耐摩耗性アンダーコート、 からなることを特徴とする薄いフィルムのディスク。 １７、前記アンダーコートは０．５〜１．５ミクロンの
   範囲の厚さを有する特許請求の範囲第１６項記載の薄い
   フィルムのディスク。 １８、前記ニッケル−バナジウム合金は約７％のバナジ
   ウムを含有する特許請求の範囲第１６項記載の薄いフィ
   ルムのディスク。 １９、次の構成成分、 約２５０Ａより小さい荒さを有する支持体、前記支持体
   上に析出された０．５〜１．５ミクロンの厚さの実質的
   に非磁性のニッケル合金のスパッターされたアンダーコ
   ート、 前記アンダーコートの上の横たわってディスクに固有の
   記録媒体を形成する少なくとも１つのスパッターされた
   磁性層、および 耐摩耗性アンダーコート、 からなることを特徴とする薄いフィルムのディスク。 ２０、前記非磁性のニッケル合金は約７％のバナジウム
   を含有するニッケル−バナジウム合金である特許請求の
   範囲第１９項記載の薄いフィルムのディスク。