JP2002074639A

JP2002074639A - 垂直磁気記録媒体及び磁気記憶装置

Info

Publication number: JP2002074639A
Application number: JP2000254168A
Authority: JP
Inventors: Yukio Honda; 幸雄本多; Kiwamu Tanahashi; 究棚橋; Atsushi Kikukawa; 敦菊川; Yoshiyuki Hirayama; 義幸平山; Masaaki Futamoto; 正昭二本
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 2000-08-24
Filing date: 2000-08-24
Publication date: 2002-03-15

Abstract

(57)【要約】【課題】優れた低ノイズ特性と記録磁化の安定性を有
し、超高密度磁気記録に好適な垂直磁気記録媒体及び磁
気記憶装置を提供する。【解決手段】基板１１上に裏打磁性層１３，２２、垂
直磁化膜１５、保護膜１６の順に形成した垂直磁気記録
媒体において、裏打磁性層に含まれる軟磁性膜は、非柱
状多結晶構造の平均粒径が１〜１０ｎｍの範囲の磁性微
結晶粒からなる薄膜で構成する。また、軟磁性膜と垂直
磁化膜の間に１〜１０ｎｍの範囲の非磁性中間層を設け
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、再生ノイズが小さ
く、記録分解能特性に優れた超高密度磁気記録に好適な
垂直磁気記録媒体及び磁気記憶装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】現在、実用的に用いられている磁気記録
方式は、磁気記録媒体面に平行に、かつ磁極のＮ極とＮ
極、Ｓ極とＳ極を互いに突き合わせる方向に磁化して磁
気記録を行う面内磁気記録方式である。面内磁気記録方
式において線記録密度を向上するには、記録時の反磁界
の影響を減少するために記録媒体である磁性膜の残留磁
化Ｂｒと磁性膜厚ｔの積（Ｂｒ・ｔ）を小さくし、保磁
力を増大する必要がある。また、磁化遷移から発生する
媒体ノイズを減少するために、磁性膜の磁化容易軸を基
板面に平行に配向させると共に、結晶粒径の制御が必要
である。

【０００３】面内磁気記録用の磁性膜としては、Ｃｏを
主成分とし、これにＣｒ，Ｔａ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｔ
ｉ，Ｎｉ，Ｎｂ，Ｈｆなどを添加したＣｏ合金薄膜が用
いられる。磁性薄膜を構成するＣｏ合金は、主として六
方稠密格子構造（以下、ｈｃｐ構造という）の材料を用
いる。この結晶のｃ軸は＜００．１＞方向に磁化容易軸
を持ち、この磁化容易軸を面内方向に配向させる。磁性
薄膜の結晶配向性や粒径を制御するために、基板と磁性
膜の間に構造制御用の下地層を形成する。下地層として
は、Ｃｒを主成分とし、これにＴｉ，Ｍｏ，Ｖ，Ｗ，Ｐ
ｔ，Ｐｄなどを添加した材料を用いる。磁性薄膜は真空
蒸着法やスパッタリング法により形成する。また、ガラ
ス基板などを用いたとき面内磁化膜の結晶配向や磁気特
性改善のために前記Ｃｒ合金下地層の下層にＮｉ−Ａｌ
合金やＣｏ−Ｃｒ−Ｚｒ合金などのプリコートを形成し
た媒体が用いられる。

【０００４】前記したように、面内磁気記録において媒
体ノイズを小さくし線記録密度を向上するには、磁性膜
の残留磁化Ｂｒと磁性膜厚ｔの積を小さくする必要があ
り、このために磁性膜の膜厚を２０ｎｍ以下まで薄く
し、結晶粒径を１０〜１５ｎｍまで微細化することが必
要である。しかし、このような磁性結晶粒を微細化した
媒体では、熱揺らぎにより記録磁化が減少するという極
めて重大な問題があり、高密度記録の障害となってい
る。

【０００５】一方、垂直磁気記録方式は、記録媒体面に
垂直に、かつ隣り合う記録ビットが互いに反平行になる
ように磁区を形成する磁気記録方式であり、記録ビット
の境界での反磁界が小さくなり高密度記録ほど磁化が安
定に保たれ易い利点があり、高密度磁気記録の有力な手
段の一つである。面内磁気記録による高密度記録のため
には、前記したように磁性膜の厚さを２０ｎｍ以下に
し、磁性結晶粒径の微細化と均一化をする必要がある
が、この場合、熱的緩和により記録磁化が消失する問題
がある。これに対して垂直磁気記録では、面内磁気記録
に比べて磁性膜厚を厚くでき、記録磁化を安定に保持で
きる利点がある。垂直磁気記録により線記録密度を向上
するためには、記録ビット内部及び磁化遷移領域に形成
される不規則構造の磁区から発生する媒体ノイズを減少
することが必要である。このためには、磁性膜の磁化容
易軸を基板面に垂直に配向させると共に、磁化容易軸の
配向分散を小さくし、垂直磁化膜の結晶粒径を制御する
ことが必要である。

【０００６】垂直磁化膜としては、Ｃｏを主成分とし、
これにＣｒ，Ｔａ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｎ
ｂ，Ｈｆなどを添加したＣｏ合金薄膜、又はＣｏに希土
類元素を添加した例えばＴｅ−Ｆｅ−Ｃｏ非晶質材料、
ＣｏとＰｔやＰｄの多層膜材料などが用いられる。磁性
薄膜を構成するＣｏ合金としては、主としてｈｃｐ構造
の材料を用いる。Ｃｏ合金薄膜は、この結晶のｃ軸、＜
００．１＞方向に磁化容易軸を持ち、この磁化容易軸を
垂直方向に配向させる。磁性薄膜は真空蒸着法やスパッ
タリング法により形成する。磁気記録したときの線記録
密度や再生出力を向上し、再生ノイズを減少させて磁気
記録特性を向上するために、上記のＣｏ合金薄膜のｃ軸
の垂直配向性を向上すると共に、結晶粒径の制御が必要
であり、このために基板と磁性膜の間に構造制御用の下
地層を形成するなどの改善策が従来から行われている。

【０００７】垂直磁気記録媒体には、基板上に構造制御
層を介して垂直磁化膜を形成した単層垂直磁気記録媒体
と、基板上に軟磁性膜を形成し、この上に構造制御層を
介して垂直磁化膜を形成した２層垂直磁気記録媒体があ
る。前者の場合、媒体ノイズの主因は、反磁界の影響に
より記録ビット内部及び磁化遷移領域に形成される不規
則構造の磁区である。一方、後者の２層垂直磁気記録媒
体の場合、媒体ノイズは、記録ビット内部及び磁化遷移
領域に形成される不規則構造の磁区に加えて、垂直磁化
膜の下層に設けた軟磁性膜など裏打磁性層の磁区構造の
乱れによっても発生する。すなわち垂直磁化膜と軟磁性
膜の間には磁気的な相互作用が働き、軟磁性膜の磁区構
造の乱れがこの上に形成した垂直磁化膜の磁区構造の乱
れを増大し媒体ノイズを大きくする原因となっている。
また上記の２層垂直磁気記録媒体では、媒体周囲の浮遊
磁界によって軟磁性膜の磁化が変動し、その結果垂直磁
化膜の記録信号が劣化する問題が指摘されている。

【０００８】軟磁性膜の磁区構造を制御、浮遊磁界によ
るする記録信号劣化を防止する方式として、例えば特開
平１１−１９１２１７号公報「垂直磁気記録媒体の製造
方法」のように、軟磁性膜の下層に磁化容易軸が面内方
向に配向した硬磁性膜を形成する方法が提案されてい
る。この方法によれば、外部磁界による軟磁性膜の磁区
構造の変化をある程度低下できる効果は認められるが、
軟磁性膜の下層に直接面内配向の硬磁性膜を接して形成
したとき硬磁性膜の磁区の乱れがこの上の軟磁性膜に転
写され、その結果、軟磁性膜から発生したノイズが垂直
磁化膜の再生信号の中に含まれて高密度記録の障害にな
る問題がある。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】垂直磁気記録媒体、特
に裏面に軟磁性裏打層を備えた２層垂直磁気記録媒体に
より超高密度磁気記録を実現するには、線記録密度の向
上の他に再生信号に含まれるノイズ、特に媒体の微細構
造に起因する媒体ノイズを低減することが重要である。
本発明は、このような問題認識のもとに、従来技術の欠
点を解消し、優れた低ノイズ特性と記録磁化の安定性を
有し超高密度磁気記録に好適な垂直磁気記録媒体及び磁
気記憶装置を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、裏打磁性
層を備えた垂直磁気記録媒体における媒体ノイズの原因
と記録分解能特性に及ぼす軟磁性膜の影響について詳細
に検討した結果、裏打磁性層の構造と裏打磁性層表面の
磁区構造が磁気記録したときの垂直磁気記録媒体表面の
漏洩磁界分布に影響し、媒体ノイズを増大させ、記録分
解能特性を阻害していることを見出した。

【００１１】裏打磁性層を備えた垂直磁気記録媒体にお
いて、前記裏打磁性層は、（１）垂直磁気記録の際の記
録ヘッドの記録効率向上のためのリターンパスの役割
と、（２）垂直磁化膜からの再生信号出力向上、を主た
る目的として従来用いられている。本発明では、裏打磁
性層の構造と表面の磁区構造の関係、及び裏打磁性層と
垂直磁化膜の相互作用による磁区構造の関係、特に裏打
磁性層に含まれる軟磁性膜の微細構造と磁区構造の関係
を系統的に調べ、垂直磁気記録媒体の媒体ノイズ低減と
記録密度特性向上に好適な手段を見い出した。

【００１２】本発明においては、垂直磁化膜の結晶配向
及び結晶粒径制御に加えて垂直磁化膜の下層に形成する
裏打磁性層、特に軟磁性膜の構造を制御することによっ
て、裏打磁性層表面の磁区構造を制御し、磁気記録した
とき垂直磁化膜表面に形成される不規則構造の磁区を低
減することにより前記目的を達成する。具体的には、基
板上に裏打磁性層、垂直磁化膜、保護膜の順に形成した
垂直磁気記録媒体において、裏打磁性層の一部を構成す
る軟磁性膜の微細構造と表面の磁区構造の関係を系統的
に調べることにより、媒体ノイズの小さい記録磁化の安
定性に優れた超高密度磁気記録に好適な垂直磁気記録媒
体を提供する。

【００１３】すなわち、本発明による垂直磁気記録媒体
は、基板の片面もしくは両面上に裏打磁性層を介して垂
直磁化膜を設けた垂直磁気記録媒体において、裏打磁性
層は、基板面に平行な断面及び基板面に垂直な断面で計
測した粒子面積をそれと同じ面積の円に近似したときの
平均粒径が１〜１０ｎｍの範囲である軟磁性粒子を含む
軟磁性膜を備えることを特徴とする。

【００１４】本発明による垂直磁気記録媒体は、また、
基板の片面もしくは両面上に裏打磁性層を介して垂直磁
化膜を設けた垂直磁気記録媒体において、裏打磁性層は
非柱状多結晶構造の磁性微結晶粒を含む軟磁性膜を備え
ることを特徴とする。軟磁性膜と垂直磁化膜の間に厚さ
１〜１０ｎｍの範囲の非磁性中間層を設けたことが好ま
しい。

【００１５】裏打磁性層は上層に軟磁性膜、下層に保磁
力１ｋＯｅ以上の硬磁性膜を有する構造をとることもで
きる。軟磁性膜はＦｅ又はＣｏを主成分とし、これにＴ
ａ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｃ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｓｉ，Ｂ，Ｒ
ｕの中から選ばれる少なくとも１種類の元素を含む合
金、もしくはこれらの合金の積層膜で構成することがで
きる。

【００１６】また、軟磁性膜の下層に設けられる硬磁性
層は、Ｃｏを主成分としこれにＣｒ，Ｐｔ，Ｔａ，Ｈ
ｆ，Ｓｍの何れかを添加した合金とすることができる。
本発明による磁気記憶装置は、磁気記録媒体と、単磁極
型の磁気記録用ヘッドと、磁気抵抗効果型、スピンバル
ブ型もしくは磁気トンネル型の信号再生用ヘッドとを備
える磁気記憶装置において、垂直磁気記録媒体として、
基板の片面もしくは両面上に裏打磁性層を介して垂直磁
化膜が設けられ、裏打磁性層は基板面に平行な断面及び
基板面に垂直な断面で計測した粒子面積をそれと同じ面
積の円に近似したときの平均粒径が１〜１０ｎｍの範囲
である軟磁性粒子を含む軟磁性膜を備える垂直磁気記録
媒体を用いたことを特徴とする。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下に本発明の実施例を挙げ、図
面を参照しながら詳細に説明する。図において、同一の
符号を付した部分は、同様の性能特性を有する部分を示
す。本発明による垂直磁気記録媒体は、基板面の片面も
しくは両面に記録層を設けることが可能である。図１
に、本発明による垂直磁気記録媒体の基本構造の断面模
式図の一例を示す。

【００１８】図１（ａ）に断面構造を模式的に示す垂直
磁気記録媒体は、基板１１上にプリコート層１２、裏打
軟磁性膜１３、非磁性中間層１４、垂直磁化膜１５、及
び保護膜１６を有する。プリコート層１２は、この上に
形成する裏打軟磁性膜１３の初期成長層の構造を制御
し、磁性粒子の粒径や軟磁気特性を改善するために用い
る。プリコート層としては非磁性材料が望ましく、Ｔ
ｉ，Ｈｆ，ＴａやＣｒ−Ｘ合金（Ｘ：Ｔｉ，Ｎｉ，Ｍ
ｏ，Ｗ，Ｃｏ，Ｒｕ）、あるいはＳｉ，Ｇｅなどの薄膜
が使用できる。プリコート層の膜厚は５〜３０ｎｍが望
ましい。

【００１９】図１（ｂ）に断面構造を模式的に示す垂直
磁気記録媒体は、基板１１上に裏打磁性層２２、非磁性
中間層１４、垂直磁化膜１５、及び保護膜１６を有す
る。裏打磁性層２２は、高保磁力の硬磁性膜２３と軟磁
性膜２４で構成される積層構造である。高保磁力の硬磁
性膜２３は、この上に形成する軟磁性膜２４の磁区構造
が外部磁界によって変化するのを防止する役割があり、
その保磁力は上部に形成する軟磁性膜より大きく２０〜
４０００Ｏｅの範囲、望ましくは１０００〜４０００Ｏ
ｅの範囲が良い。硬磁性層はＣｏを主成分とし、これに
Ｃｒ，Ｐｔ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｓｍの何れかを添加した合金
を使用する。

【００２０】軟磁性膜１３及び２４の保磁力は、２０Ｏ
ｅ以下が良く、１Ｏｅ以下が望ましい。軟磁性膜は、Ｆ
ｅ又はＣｏを主成分とし、これにＴａ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｚ
ｒ，Ｃ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｓｉ，Ｂ，Ｒｕの中から選ばれる
少なくとも１種類の元素を含む合金、もしくはこれらの
積層膜で構成される。

【００２１】非磁性中間層１４は、軟磁性膜上に形成す
る垂直磁化膜の結晶構造を制御する役割と、軟磁性膜と
垂直磁化膜の間の磁気的相互作用を弱め、媒体ノイズを
低減する役割がある。非磁性中間層としては、Ｔｉ，Ｈ
ｆ，Ｔｉ−Ｃｒ合金、Ｈｆ−Ｃｒ合金、Ｎｉ−Ｃｒ合
金、非磁性のＣｏ−Ｃｒ合金あるいはＳｉ，Ｇｅ，Ｃな
どの非晶質材料などを用いることができる。

【００２２】垂直磁化膜１５としては、Ｃｏを主成分と
し、これにＣｒ，Ｔａ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｔｉ，Ｎ
ｉ，Ｎｂ，Ｈｆなどを添加したＣｏ合金薄膜、又はＣｏ
に希土類元素を添加した例えばＴｅ−Ｆｅ−Ｃｏ非晶質
材料、ＣｏとＰｔやＰｄの多層膜材料などを用いること
ができる。

【００２３】図１に示した本発明による垂直磁気記録媒
体の記録再生特性の評価に用いた磁気記憶装置の一例を
図２により説明する。磁気記憶装置は、磁気ディスク３
１、記録再生用の磁気ヘッド３２、磁気ヘッドを支持す
るサスペンジョン３３、アクチュエータ３４、ボイスコ
イルモータ３５、記録再生回路３６、位置決め回路３
７、インターフェース制御回路３８などで構成される。
磁気ディスク３１は図１にて説明した垂直磁気記録媒体
からなり、保護膜上には潤滑膜が被覆されている。磁気
ヘッド３２は、スライダー、この上に設けられた磁気記
録用ヘッド及び信号再生用の磁気抵抗効果型、巨大磁気
抵抗効果型もしくはスピンバルブ型素子あるいは磁気ト
ンネル型素子からなる再生用ヘッドで構成される。記録
信号再生用の磁気ヘッドのギャップ長は、高分解能の再
生信号を得るために０．２５μｍ以下とし、望ましくは
０．０８〜０．１５μｍとする。磁気記録用のヘッド
は、単磁極型ヘッドを用いた。再生用ヘッドのトラック
幅は、記録用ヘッド磁極のトラック幅より狭くし、記録
トラック両端部から生じる再生ノイズを低減する。本装
置を用いて、垂直磁気記録媒体の媒体ノイズ特性や記録
再生特性評価を行った。

【００２４】〔実施例１〕図１（ａ）に断面構造を示す
垂直磁気記録媒体を、インライン型の高速形成スパッタ
リング装置により作製した。洗浄したガラス基板１１を
スパッタリング装置に設置し、赤外線ランプ加熱ヒータ
に１２００ワットの電力を投入し、約１０秒間基板表面
の予備加熱（約３００℃）を行った。続いて同一真空中
で膜厚２０ｎｍのプリコート層１２を形成した。プリコ
ート層としては前記のいずれの材料を用いても良いが、
本実施例では一例としてＴｉ−１０ａｔ％Ｃｒ合金を用
いた。このプリコート層の上に膜厚４００ｎｍの軟磁性
膜１３を形成した。軟磁性膜は、Ｆｅ又はＣｏを主成分
とし、これにＴａ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｃ，Ａｌ，Ｃ
ｒ，Ｓｉ，Ｂ，Ｒｕの中から選ばれる少なくとも１種類
以上元素を含む合金を用いたが、ここではＦｅ−８ａｔ
％Ｔａ−１２ａｔ％Ｃ−３ａｔ％Ａｌ合金の例で説明す
る。

【００２５】軟磁性膜形成の後、再び赤外線ランプ加熱
ヒータに１２００ワット〜１６００ワットの電力を投入
し、軟磁性膜の表面を約１０秒間加熱（約３００℃〜約
４５０℃）した。この加熱処理により、軟磁性膜の磁気
特性（飽和磁束密度、保磁力、透磁率）が改善され、例
えば上記加熱温度範囲（約３００℃〜約４５０℃）にお
いて温度上昇と共に飽和磁束密度は０．８Ｔ（テスラ）
から１．７Ｔに向上した。すなわち、加熱温度が約３０
０℃のとき軟磁性膜の飽和磁束密度は０．８Ｔとなり、
加熱温度が約４５０℃のとき飽和磁束密度は１，７Ｔと
なった。

【００２６】引き続き同一真空中で膜厚５ｎｍの非磁性
中間層１４、膜厚２５ｎｍの垂直磁化膜１５を連続して
形成した。ここでは一例として非磁性中間層１４にＴｉ
−１０ａｔ％Ｃｒ合金、垂直磁化膜１５にＣｏ−２２ａ
ｔ％Ｃｒ−１２ａｔ％Ｐｔ合金を用いた例で説明する。
垂直磁化膜１５の形成に引き続いて、赤外線ランプ加熱
ヒータに１２００ワットの電力を投入し、約１０秒間媒
体表面を加熱（約３００℃）し、そののち垂直磁化膜１
５形成用スパッタリングターゲット前面で約４０秒間試
料を保持し、スパッタリングターゲットの後方に設置さ
れたマグネットの漏洩磁界による磁場中冷却処理を行っ
た。垂直磁化膜１５形成用スパッタリングターゲット前
面には５０〜３００ガウスの半径方向の漏洩磁界があ
り、軟磁性膜はこの磁界方向に磁気異方性を付与され
る。上記の後、垂直磁化膜の表面に保護膜１６として膜
厚５ｎｍのカーボン膜を形成した。本実施例における各
薄膜の形成速度は約１０ｎｍ／秒であった。

【００２７】上記の形成プロセスにおいて、軟磁性膜形
成後の加熱条件と軟磁性膜の磁性粒径の関係を調べるた
めに、１６００ワット／１０秒間の加熱を１サイクルと
して、１〜９サイクルの加熱処理をした試料を作製し
た。上記の高速形成スパッタリング装置を用いて、ガラ
ス基板１１、プリコート層１２、非磁性中間層１４、垂
直磁化膜１５及び保護膜１６を同じ材料を用い、同様の
形成プロセスにより軟磁性膜１３としてＦｅ−８ａｔ％
Ｈｆ−１２ａｔ％Ｃ−３ａｔ％ＳｉとＦｅ−８ａｔ％Ｔ
ａ−１２ａｔ％Ｃ−３ａｔ％Ｂを用いた試料を作製し
た。

【００２８】比較のためにバッチ型の高真空ＤＣマグネ
トロンスパッタリング装置により、図１（ａ）に断面構
造を示す媒体を作製した。加熱方式は、基板ホルダの背
面からヒータで加熱する方式を採用した。洗浄したガラ
ス基板１１をスパッタリング装置に設置し、Ｔｉ−１０
ａｔ％Ｃｒ合金からなる膜厚２０ｎｍのプリコート層１
２を形成した。この上に同一真空中で膜厚４００ｎｍの
Ｆｅ−８ａｔ％Ｔａ−１２ａｔ％Ｃ−３ａｔ％Ａｌ合金
からなる軟磁性膜１３を形成した。軟磁性膜の形成速度
は約０．６ｎｍ／秒であった。軟磁性膜１３を形成した
後、同一真空中で４５０℃で１５分間加熱した。この加
熱により飽和磁束密度１．７Ｔの軟磁性膜が得られた。
引き続き３５０℃において前記軟磁性膜の上に膜厚５ｎ
ｍのＴｉ−１０ａｔ％Ｃｒ非磁性中間層１４、膜厚２５
ｎｍのＣｏ−２２ａｔ％Ｃｒ−１２ａｔ％Ｐｔ合金垂直
磁化膜１５を形成し、この垂直磁化膜形成用スパッタリ
ングターゲットの上面において約１０分間試料を保持し
たのち、垂直磁化膜の表面に保護膜１６として膜厚５ｎ
ｍのカーボン膜を形成した。

【００２９】また上記のバッチ型の高真空ＤＣマグネト
ロンスパッタリング装置により、ガラス基板１１、プリ
コート層１２、非磁性中間層１４、垂直磁化膜１５及び
保護膜１６を同じ材料を用い、同様の形成プロセスによ
り軟磁性膜１３としてＦｅ−８ａｔ％Ｈｆ−１２ａｔ％
Ｃ−３ａｔ％ＳｉとＦｅ−８ａｔ％Ｔａ−１２ａｔ％Ｃ
−３ａｔ％Ｂを用いた試料を作製した。

【００３０】本実施例で作製した試料の断面と基板面に
平行な面での軟磁性膜の透過電子顕微鏡像の観察を行
い、観察視野における１００個以上の粒子の軟磁性膜の
結晶粒径の測定を行い、平均粒径を求めた。通常、結晶
粒は図３（ａ）に示したように不規則な形状をしてい
る。本実施例では、図３（ａ）に示した不規則構造の結
晶粒の形状をデジタル画像として処理し、不規則構造の
結晶粒のピクセル数（すなわち面積）を測定した。続い
て図３（ｂ）に示したように、上記不規則構造の結晶粒
のピクセル数（すなわち面積）と同じピクセル数（すな
わち面積）を有する円を近似して、この円の直径を求め
た。同様の処理を観察視野における１００個以上の軟磁
性膜の結晶粒に対して実施し、平均粒径を求めた。

【００３１】図４は、本実施例で作製した試料におい
て、軟磁性膜の形成条件と軟磁性粒子の平均粒径の関係
を比較した結果の一例を示す図である。図から明らかな
ように、軟磁性膜の形成条件（例えば加熱サイクルや加
熱時間）により軟磁性膜の結晶粒径が変化することが明
らかである。

【００３２】図５は、図４と同様の試料に図２に示した
磁気録装置より磁気記録を行い、媒体ノイズと記録分解
能特性を測定した結果の一例を示す図である。ここで媒
体ノイズは、線記録密度４００ｋＦＣＩ（kilo Flux Ch
ange per Inch）で磁気記録を行い、０〜５０ＭＨｚの
範囲のノイズパワーを測定し、このノイズパワーを低記
録密度（５ｋＦＣＩ）の出力信号で規格化した値で示し
た。記録分解能は、低記録密度（５ｋＦＣＩ）の出力信
号に対して５０％の出力信号になるときの線記録密度
（Ｄ₅₀）で定義した。図の比較から明らかなように、軟
磁性膜の形成条件（例えば加熱サイクルや加熱時間）に
より軟磁性膜の結晶粒径が変化し、これと共に媒体ノイ
ズや記録分解能特性が変化することがわかる。特に軟磁
性膜の平均結晶粒径を１０ｎｍ以下にすることにより、
規格化媒体ノイズ約８Ｖｒｍｓ／Ｖｐｐ以下、記録分解
能２００ｋＦＣＩ以上の媒体を提供できることがわか
る。一方、軟磁性膜の平均結晶粒径を１ｎｍ以下に微細
化し過ぎると軟磁性膜の磁気特性、例えば飽和磁束密度
の低下、透磁率の低下などが生じ望ましくない。

【００３３】本実施例で作製した試料の軟磁性膜の断面
側と平面側の透過電子顕微鏡観察を行った。図６に、平
面側から観察した透過電子顕微鏡像の一例を比較して示
す。なお、軟磁性膜の構造は断面側と平面側からの観察
結果はほぼ同じ構造で、いずれも柱状構造は観察されな
かった。図６（ａ）は平均粒径約５ｎｍのＦｅ−８ａｔ
％Ｔａ−１２ａｔ％Ｃ−３ａｔ％Ａｌ軟磁性膜の透過電
子顕微鏡像、図６（ｂ）は比較用媒体である平均粒径約
２０ｎｍのＦｅ−８ａｔ％Ｔａ−１２ａｔ％Ｃ−３ａｔ
％Ａｌ軟磁性膜の透過電子顕微鏡像である。この透過電
子顕微鏡像から明らかなように、軟磁性膜結晶は柱状構
造ではなく、むしろ粒状の構造であることがわかる。ま
た形成条件により軟磁性膜の粒径を制御でき、軟磁性膜
結晶の微細化により低ノイズ化と高記録分解能化ができ
ることを示す。他の軟磁性膜でもほぼ同様の傾向が認め
られた。本実施例で作製した試料の軟磁性膜の構造をＸ
線回折法により測定した結果、Ｆｅの（１１０）及び
（２００）回折に対応するピークが検出された。

【００３４】図７は、平均粒径の異なる軟磁性膜の上に
図１（ａ）に示した構成のＣｏＣｒＰｔ垂直磁化膜を形
成した試料表面の磁化状態を磁気力顕微鏡で観察し、表
面に形成された不規則構造の磁区の大きさを測定し比較
した結果の一例である。図において実線は図６（ａ）に
示した平均粒径約５ｎｍのＦｅ−８ａｔ％Ｔａ−１２ａ
ｔ％Ｃ−３ａｔ％Ａｌ軟磁性膜の上にＣｏＣｒＰｔ垂直
磁化膜を形成した試料、破線は図６（ｂ）に示した比較
用媒体である平均粒径約２０ｎｍのＦｅ−８ａｔ％Ｔａ
−１２ａｔ％Ｃ−３ａｔ％Ａｌ軟磁性膜の上にＣｏＣｒ
Ｐｔ垂直磁化膜を形成した試料である。

【００３５】図７の横軸は磁気力顕微鏡で観察した不規
則構造磁区の直径を示す。不規則構造磁区の直径は次の
ようにして求めた。図３（ａ）に示した不規則構造の磁
区の形状をデジタル画像として処理し、不規則構造の磁
区のピクセル数（すなわち面積）を測定した。続いて図
３（ｂ）に示したように上記不規則構造の磁区のピクセ
ル数（すなわち面積）と同じピクセル数（すなわち面
積）を有する円を近似して、この円の直径を求めた。同
様の処理を観察視野における１００個以上の不規則構造
の磁区に対して実施し、平均粒径を求めた。また図７の
縦軸は、小さい面積を有する不規則構造磁区から大きい
面積を有する磁区に向かって順次積算して、全面積に対
する割合を示している。平均粒径が小さい軟磁性膜を用
いたとき不規則磁区の平均直径は約８５ｎｍに対して、
平均粒径が大きい軟磁性膜を用いたとき不規則磁区の平
均直径は約１２５ｎｍである。

【００３６】図７の比較から明らかなように、同じ構成
のＣｏＣｒＰｔ垂直磁化膜であっても、平均粒径が小さ
い軟磁性膜を用いることにより記録膜表面に形成される
不規則磁区の直径を微細化ができ、その結果、磁気記録
をしたとき媒体ノイズの低減と記録分解能の向上ができ
る。

【００３７】〔実施例２〕図１（ａ）に断面構造を示す
垂直磁気記録媒体をインライン型の高速形成スパッタリ
ング装置により作製した。洗浄したガラス基板１１をス
パッタリング装置に設置し、赤外線ランプ加熱ヒータに
１２００ワットの電力を投入し、約１０秒間基板表面の
予備加熱（約３００℃）を行った。続いて同一真空中で
膜厚２０ｎｍのプリコート層１２を形成した。プリコー
ト層としては前記のいずれの材料を用いても良いが、本
実施例では一例としてＴｉ−１０ａｔ％Ｃｒ合金を用い
た。このプリコート層の上に膜厚４００ｎｍの軟磁性膜
１３を形成した。軟磁性膜はＦｅ又はＣｏを主成分と
し、これにＴａ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｃ，Ａｌ，Ｃｒ，
Ｓｉ，Ｂ，Ｒｕの中から選ばれる少なくとも１種類以上
元素を含む合金の積層膜用いたが、ここではＦｅ−８ａ
ｔ％Ｔａ−１２ａｔ％Ｃ合金とＲｕの積層膜とした例で
説明する。

【００３８】上記のプリコート層の上に膜厚１ｎｍのＲ
ｕ，膜厚２０ｎｍのＦｅ−８ａｔ％Ｔａ−１２ａｔ％Ｃ
合金膜の順に順次積層した構造の全膜厚４００ｎｍの軟
磁性膜を形成した。この積層構造の軟磁性膜形成の後、
再び赤外線ランプ加熱ヒータに１６００ワットの電力を
投入し、前記軟磁性膜の表面を約１０秒間加熱（４５０
℃）した。この加熱処理により、軟磁性膜の磁気特性
（飽和磁束密度、保磁力、透磁率）が改善され、例えば
上記加熱温度条件（約４５０℃）において飽和磁束密度
は１．６Ｔ（テスラ）、保磁力０．２Ｏｅ、透磁率２０
００の軟磁性膜が形成された。

【００３９】引き続き同一真空中で膜厚５ｎｍの非磁性
中間層１４、膜厚２５ｎｍの垂直磁化膜１５を連続して
形成した。ここでは一例として非磁性中間層１４にＴｉ
−１０ａｔ％Ｃｒ合金、垂直磁化膜１５にＣｏ−２２ａ
ｔ％Ｃｒ−１２ａｔ％Ｐｔ合金を用いた例で説明する。
垂直磁化膜１５の形成に引き続いて、赤外線ランプ加熱
ヒータに１２００ワットの電力を投入し、約１０秒間媒
体表面を加熱（約３００℃）し、垂直磁化膜１５形成用
スパッタリングターゲット前面で約４０秒間試料を保持
し、スパッタリングターゲットの後方に設置されたマグ
ネットの漏洩磁界による磁場中冷却処理を行った。垂直
磁化膜１５形成用スパッタリングターゲット前面には５
０〜３００ガウスの半径方向の漏洩磁界があり、前記軟
磁性膜はこの磁界方向に磁気異方性を付与される。上記
の後、垂直磁化膜の表面に保護膜１６として膜厚５ｎｍ
のカーボン膜を形成した。本実施例における薄膜の形成
速度は約１０ｎｍ／秒であった。

【００４０】上記の高速形成スパッタリング装置を用い
て、ガラス基板１１、プリコート層１２、非磁性中間層
１４、垂直磁化膜１５及び保護膜１６を同じ材料を用
い、同様の形成プロセスにより上記のプリコート層１２
の上に軟磁性膜１３として膜厚２０ｎｍのＦｅ−８ａｔ
％Ｈｆ−１２ａｔ％Ｃと膜厚１ｎｍのＳｉの積層膜、膜
厚２０ｎｍのＦｅ−１２ａｔ％Ａｌ−５ａｔ％Ｓｉと膜
厚１ｎｍのＣの積層膜からなる全膜厚４００ｎｍの軟磁
性膜を作製した。この積層構造の軟磁性膜形成の後、再
び赤外線ランプ加熱ヒータに１６００ワットの電力を投
入し、前記軟磁性膜の表面を約２０秒間加熱（４５０
℃）した。この加熱処理により、軟磁性膜の磁気特性
（飽和磁束密度、保磁力、透磁率）が改善された。すな
わち、軟磁性膜に必要な特性、飽和磁束密度１．４Ｔ以
上、保磁力２０Ｏｅ以下、透磁率１００〜２０００の条
件を満たすようになった。

【００４１】この形成プロセスにおいて、軟磁性膜形成
後の加熱条件と軟磁性膜の磁性粒径の関係を調べるため
に、１６００ワット／１０秒間の加熱を１サイクルとし
て、１〜９サイクルの加熱処理をした試料を作製した。
本実施例で作製した試料の軟磁性膜の断面側と平面側の
透過電子顕微鏡観察を行ったところ、軟磁性膜にはいず
れも柱状構造は観察されなかった。また軟磁性膜の構造
をＸ線回折法により測定した結果、Ｆｅの（１１０）及
び（２００）回折に対応するピークが検出された。

【００４２】図８は、本実施例で作製した試料につい
て、軟磁性膜の形成条件と軟磁性粒子の平均粒径の関係
と、図２に示した磁気録装置より磁気記録を行い、媒体
ノイズと記録分解能特性を測定した結果の一例を比較し
て示した図である。ここで媒体ノイズは、線記録密度４
００ｋＦＣＩ（kilo Flux Change per Inch）で磁気記
録を行い、０〜５０ＭＨｚの範囲のノイズパワーを測定
し、このノイズパワーを低記録密度（５ｋＦＣＩ）の出
力信号で規格化した値で示した。記録分解能は、低記録
密度（５ｋＦＣＩ）の出力信号に対して５０％の出力信
号になるときの線記録密度（Ｄ₅₀）で定義した。

【００４３】図の比較から明らかなように、軟磁性膜の
形成条件（例えば加熱サイクルや加熱時間）により軟磁
性膜の結晶粒径が変化し、これと共に媒体ノイズや記録
分解能特性が変化することがわかる。特に軟磁性膜の平
均結晶粒径を１０ｎｍ以下にすることにより、規格化媒
体ノイズ約８Ｖｒｍｓ／Ｖｐｐ以下、記録分解能２００
ｋＦＣＩ以上の媒体を提供できることがわかる。

【００４４】〔実施例３〕図１（ａ）に断面構造を示す
媒体をインライン型の高速形成スパッタリング装置によ
り作製した。洗浄したガラス基板１１をスパッタリング
装置に設置し、赤外線ランプ加熱ヒータに１２００ワッ
トの電力を投入し、約１０秒間基板表面の予備加熱（約
３００℃）を行った。続いて同一真空中で膜厚２０ｎｍ
のプリコート層１２を形成した。プリコート層としては
前記のいずれの材料を用いても良いが、本実施例では一
例としてＴｉ−１０ａｔ％Ｃｒ合金を用いた。このプリ
コート層の上に膜厚４００ｎｍの軟磁性膜１３を形成し
た。

【００４５】ここでは、軟磁性膜の構造（すなわち非晶
質構造、柱状構造及び非柱状多結晶構造）による比較を
した。非晶質構造軟磁性膜の一例としてＣｏ−１０ａｔ
％Ｔａ−２ａｔ％Ｚｒを用いた試料Ａ、柱状構造軟磁性
膜の一例としてＦｅ−１２ａｔ％Ａｌ−５ａｔ％Ｓｉを
用いた試料Ｂ、非柱状多結晶構造軟磁性膜の一例として
Ｆｅ−８ａｔ％Ｔａ−１２ａｔ％Ｃ−２ａｔ％Ｂを用い
た試料Ｃの例で説明する。

【００４６】上記のプリコート層の上に軟磁性膜を形成
した後、再び赤外線ランプ加熱ヒータに１６００ワット
の電力を投入し、試料Ａ，Ｂ，Ｃの前記軟磁性膜の表面
を約１０秒間加熱（４５０℃）した。引き続き同一真空
中で膜厚２０ｎｍの非磁性中間層１４、膜厚２５ｎｍの
垂直磁化膜１５を連続して形成した。ここでは一例とし
て非磁性中間層１４にＣｏ−３５ａｔ％Ｃｒ合金、垂直
磁化膜１５にＣｏ−２２ａｔ％Ｃｒ−１４ａｔ％Ｐｔ合
金を用いた例で説明する。垂直磁化膜１５の形成に引き
続いて、赤外線ランプ加熱ヒータに１２００ワットの電
力を投入し、約１０秒間媒体表面を加熱（約３００℃）
し、そののち垂直磁化膜１５形成用スパッタリングター
ゲット前面で約４０秒間試料を保持し、スパッタリング
ターゲットの後方に設置されたマグネットの漏洩磁界に
よる磁場中冷却処理を行った。垂直磁化膜１５形成用ス
パッタリングターゲット前面には５０〜３００ガウスの
半径方向の漏洩磁界があり、前記軟磁性膜はこの磁界方
向に磁気異方性を付与される。上記の後、垂直磁化膜の
表面に保護膜１６として膜厚５ｎｍのカーボン膜を形成
した。本実施例における薄膜の形成速度は約１０ｎｍ／
秒であった。

【００４７】図９は、軟磁性膜の構造の異なる上記試料
Ａ、試料Ｂ、及び試料Ｃの断面構造を透過電子顕微鏡で
観察した結果の一例を示す図である。図９（ａ）は非晶
質構造の軟磁性膜を用いた試料Ａの断面構造、（ｂ）は
柱状構造の軟磁性膜を用いた試料Ｂの断面構造、（ｃ）
は本発明の非柱状多結晶構造の軟磁性膜を用いた試料Ｃ
の断面構造である。Ｘ線回折法により試料Ａ、試料Ｂ、
及び試料Ｃの軟磁性膜の構造を調べた結果、試料Ａの軟
磁性膜は非晶質構造、試料Ｂの軟磁性膜はＦｅの（１１
０）及び（２００）回折に対応するピーク、試料Ｃの軟
磁性膜はＦｅの（１１０）及び（２００）回折に対応す
るピークがそれぞれ観察された。

【００４８】図１０は、上記試料Ａ、試料Ｂ、及び試料
Ｃの垂直磁化膜表面の磁区構造を磁気力顕微鏡で観察
し、表面に形成された不規則構造磁区の大きさを比較し
た結果の一例を示す図である。図１０の横軸は、磁気力
顕微鏡で観察した不規則構造磁区の直径である。不規則
構造磁区の直径は次のようにして求めた。図３（ａ）に
示したような不規則構造の磁区の形状をデジタル画像と
して処理し、不規則構造の磁区のピクセル数（すなわち
面積）を測定した。続いて図３（ｂ）に示したように上
記不規則構造の磁区のピクセル数（すなわち面積）と同
じピクセル数（すなわち面積）を有する円を近似して、
この円の直径を求めた。同様の処理を観察視野における
１００個以上の不規則構造の磁区に対して実施し、平均
粒径を求めた。また図１０の縦軸は、小さい面積を有す
る不規則構造磁区から大きい面積を有する磁区に向かっ
て順次積算して、全面積に対する割合を示している。

【００４９】図１０から明らかなように、柱状構造の軟
磁性膜を用いた試料Ｂは、垂直磁化膜表面に大きなサイ
ズの不規則磁区が形成され易く、不規則磁区の平均直径
は約３５０ｎｍと大きい。一方、本発明の非柱状多結晶
構造の軟磁性膜を用いた試料Ｃは、垂直磁化膜表面の不
規則磁区の直径を小さくでき、不規則磁区の平均直径は
約９０ｎｍである。また非晶質構造の軟磁性膜を用いた
試料Ａは、試料Ｂに比べて垂直磁化膜表面の不規則磁区
のサイズは小さくできるが（平均直径は約１２０ｎ
ｍ）、本発明の媒体に比べて大きなサイズの不規則磁区
が形成され易い傾向が認められる。

【００５０】本実施例で作製した３種類の試料Ａ，Ｂ，
Ｃに図２に示した磁気録装置より磁気記録を行い、媒体
ノイズと記録分解能特性を測定した。媒体ノイズは、線
記録密度４００ｋＦＣＩ（kilo Flux Change per Inc
h）で磁気記録を行い、０〜５０ＭＨｚの範囲のノイズ
パワーを測定し、このノイズパワーを低記録密度（５ｋ
ＦＣＩ）の出力信号で規格化した値で示した。記録分解
能は、低記録密度（５ｋＦＣＩ）の出力信号に対して５
０％の出力信号になるときの線記録密度（Ｄ₅₀）で定義
した。この方法で測定した試料Ａの規格化ノイズと記録
分解能はそれぞれ１０Ｖｒｍｓ／Ｖｐｐ、２５４ｋＦＣ
Ｉ、試料Ｂの規格化ノイズと記録分解能はそれぞれ４０
Ｖｒｍｓ／Ｖｐｐ、１１５ｋＦＣＩ、一方本発明の試料
Ｃの規格化ノイズと記録分解能はそれぞれ７Ｖｒｍｓ／
Ｖｐｐ、３１２ｋＦＣＩであった。

【００５１】〔実施例４〕インライン型の高速形成スパ
ッタリング装置により図１（ｂ）に示した高保磁力の硬
磁性膜２３と軟磁性膜２４で構成される積層構造の裏打
磁性層２２を備えた試料Ｄを作製した。高保磁力の硬磁
性膜２３は、この上に形成する軟磁性膜２４の磁区構造
が外部磁界によって変化するのを防止し、スパイク状ノ
イズの原因となる磁区が軟磁性膜に形成されるのを防止
する役割があり、その保磁力は上部に形成する軟磁性膜
より大きく２０〜４０００Ｏｅの範囲、望ましくは１０
００〜４０００Ｏｅの範囲が良い。硬磁性層はＣｏを主
成分としこれにＣｒ，Ｐｔ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｓｍの何れか
を添加した合金を使用する。

【００５２】洗浄した直径２．５インチのガラス基板１
１をスパッタリング装置に設置し、赤外線ランプ加熱ヒ
ータに１２００ワットの電力を投入し、約１０秒間基板
表面の予備加熱（約３００℃）を行った。続いて同一真
空中でプリコート層として膜厚２０ｎｍのＮｉＡｌ膜と
膜厚５ｎｍのＣｒ−１０ａｔ％Ｔｉ膜を形成した。この
上に膜厚２０ｎｍのＣｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−１４ａｔ％
Ｐｔ合金からなる硬磁性膜２３を形成した。この硬磁性
膜２３は面内方向の磁気異方性を有し保磁力は２３００
Ｏｅであった。硬磁性膜２３の上に膜厚１ｎｍのＲｕ層
を形成した後、膜厚４００ｎｍの軟磁性膜２４を形成し
た。軟磁性膜２４として非柱状多結晶構造軟磁性膜であ
るＦｅ−８ａｔ％Ｔａ−１２ａｔ％Ｃ−２ａｔ％Ｂを用
いた。軟磁性膜を形成した後、再び赤外線ランプ加熱ヒ
ータに１６００ワットの電力を投入し、前記軟磁性膜の
表面を約１０秒間加熱（４５０℃）した。軟磁性膜は、
この加熱処理によって、軟磁性膜に必要な特性、飽和磁
束密度１．４Ｔ以上、保磁力２０Ｏｅ以下、透磁率１０
０〜２０００の条件を満たすようになった。

【００５３】引き続き同一真空中で膜厚５ｎｍの非磁性
中間層１４、膜厚２５ｎｍの垂直磁化膜１５を連続して
形成した。ここでは一例として非磁性中間層１４にＴｉ
−１０ａｔ％Ｃｒ合金、垂直磁化膜１５にＣｏ−２２ａ
ｔ％Ｃｒ−１４ａｔ％Ｐｔ合金を用いた例で説明する。
垂直磁化膜１５の形成に引き続いて、赤外線ランプ加熱
ヒータに１２００ワットの電力を再び投入し、約１０秒
間媒体表面を加熱（約３００℃）し、そののち垂直磁化
膜１５形成用スパッタリングターゲット前面で約４０秒
間試料を保持し、スパッタリングターゲットの後方に設
置されたマグネットの漏洩磁界による磁場中冷却処理を
行った。垂直磁化膜１５形成用スパッタリングターゲッ
ト前面には５０〜３００ガウスの半径方向の漏洩磁界が
あり、前記軟磁性膜はこの磁界方向に磁気異方性を付与
される。上記の後、垂直磁化膜の表面に保護膜１６とし
て膜厚５ｎｍのカーボン膜を形成した。本実施例におけ
る薄膜の形成速度は約１０ｎｍ／秒であった。

【００５４】比較のために、インライン型の高速形成ス
パッタリング装置により高保磁力の硬磁性膜２３を備え
ていない図１（ａ）に示した構成の試料Ｅを作製した。
洗浄した直径２．５インチのガラス基板１１をスパッタ
リング装置に設置し、赤外線ランプ加熱ヒータに１２０
０ワットの電力を投入し、約１０秒間基板表面の予備加
熱（約３００℃）を行った。続いて同一真空中でプリコ
ート層として膜厚２０ｎｍのＮｉＡｌ膜と膜厚５ｎｍの
Ｃｒ−１０ａｔ％Ｔｉ膜を形成した。この上に膜厚１ｎ
ｍのＲｕ層を形成した後、膜厚４００ｎｍの軟磁性膜１
３を形成した。軟磁性膜１３として非柱状多結晶構造軟
磁性膜であるＦｅ−８ａｔ％Ｔａ−１２ａｔ％Ｃ−２ａ
ｔ％Ｂを用いた。軟磁性膜を形成した後、再び赤外線ラ
ンプ加熱ヒータに１６００ワットの電力を投入し、前記
軟磁性膜の表面を約１０秒間加熱（４５０℃）した。

【００５５】引き続き同一真空中で膜厚５ｎｍの非磁性
中間層１４、膜厚２５ｎｍの垂直磁化膜１５を連続して
形成した。非磁性中間層１４にはＴｉ−１０ａｔ％Ｃｒ
合金、垂直磁化膜１５にはＣｏ−２２ａｔ％Ｃｒ−１４
ａｔ％Ｐｔ合金を用いた。垂直磁化膜１５の形成に引き
続いて、赤外線ランプ加熱ヒータに１２００ワットの電
力を再び投入し、約１０秒間媒体表面を加熱（約３００
℃）し、そののち垂直磁化膜１５形成用スパッタリング
ターゲット前面で約４０秒間試料を保持し、スパッタリ
ングターゲットの後方に設置されたマグネットの漏洩磁
界による磁場中冷却処理を行った。垂直磁化膜１５形成
用スパッタリングターゲット前面には５０〜３００ガウ
スの半径方向の漏洩磁界があり、前記軟磁性膜はこの磁
界方向に磁気異方性を付与される。上記の後、垂直磁化
膜の表面に保護膜１６として膜厚５ｎｍのカーボン膜を
形成した。本実施例における薄膜の形成速度は約１０ｎ
ｍ／秒であった。

【００５６】垂直磁化膜の裏面に軟磁性裏打層を備えた
垂直磁気記録媒体では、図１１に示したような磁区が軟
磁性膜にしばしば形成されることが知られている。軟磁
性膜にこような磁区が形成されると磁気記録再生におい
て、スパイク状ノイズとして検出され磁気記録特性を低
下させる原因の一つとなる。

【００５７】上記の試料Ｄと試料Ｅを図２に示した記録
再生装置に搭載し、スパイク状ノイズ特性の評価をし
た。周速度６０００ｒｐｍで回転する磁気ディスクの半
径２４ｍｍの位置に磁気ヘッド移動し、この位置で巨大
磁気抵抗型再生ヘッドで１周当たりに検出されるスパイ
ク状ノイズの数を数えた。その結果、裏打磁性層に硬磁
性膜を設けた試料Ｄでは１周当たりに検出されるスパイ
ク状ノイズの数は１２個であった。一方、裏打磁性層に
硬磁性膜を設けない試料Ｅでは、１周当たりに検出され
るスパイク状ノイズの数は２６個であった。更に試料Ｄ
と試料Ｅを図２に示した記録再生装置に搭載し、線記録
密度５００ｋＦＣＩで磁気記録したときのエラーレート
を測定した。その結果、試料Ｄでは１×１０^−６、一方
試料Ｅでは８×１０^−５であった。

【００５８】また、記録再生プロセスにおいて媒体に外
部磁界を印加して記録磁化の安定性を評価した。その結
果、裏打磁性層に硬磁性膜を設けない試料Ｅでは約１０
ガウスの磁界により約１０％の出力減少が観察された。
一方、裏打磁性層に硬磁性膜を設けた試料Ｄでは約１０
０ガウスの磁界を印加しても出力減少は１０％以下であ
った。

【００５９】〔実施例５〕インライン型の高速形成スパ
ッタリング装置により、図１（ｂ）に示した高保磁力の
硬磁性膜２３と軟磁性膜２４で構成される積層構造の裏
打磁性層２２を備えた試料Ｆ（１，２，３，４，５，
６）を作製した。

【００６０】洗浄した直径２．５インチのガラス基板１
１をスパッタリング装置に設置し、赤外線ランプ加熱ヒ
ータに１２００ワットの電力を投入し、約１０秒間基板
表面の予備加熱（約３００℃）を行った。続いて同一真
空中でプリコート層として膜厚２０ｎｍのＮｉＡｌ膜と
膜厚５ｎｍのＣｒ−１０ａｔ％Ｔｉ膜を形成した。この
上に膜厚２０ｎｍのＣｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−１４ａｔ％
Ｐｔ合金からなる硬磁性膜２３を形成した。この硬磁性
膜２３は面内方向の磁気異方性を有し保磁力は２３００
Ｏｅであった。硬磁性膜２３の上に膜厚１ｎｍのＲｕ層
を形成した後、膜厚４００ｎｍの軟磁性膜２４を形成し
た。軟磁性膜２４として非柱状多結晶構造軟磁性膜であ
るＦｅ−８ａｔ％Ｔａ−１２ａｔ％Ｃ−２ａｔ％Ｂを用
いた。軟磁性膜を形成した後、再び赤外線ランプ加熱ヒ
ータに１６００ワットの電力を投入し、前記軟磁性膜の
表面を約１０秒間加熱（４５０℃）した。この加熱処理
により、軟磁性膜は必要な特性、すなわち飽和磁束密度
１．４Ｔ以上、保磁力２０Ｏｅ以下、透磁率１００〜２
０００の条件を満たすようになった。

【００６１】引き続き同一真空中で膜厚を０，１，２，
５，１０，２０ｎｍと変化した非磁性中間層１４、及び
膜厚２５ｎｍの垂直磁化膜１５を連続して形成した。非
磁性中間層１４の膜厚が０，１，２，５，１０，２０ｎ
ｍの媒体をそれぞれ試料Ｆ（１，２，３，４，５，６）
とする。ここでは一例として非磁性中間層１４にＴｉ−
１０ａｔ％Ｃｒ合金、垂直磁化膜１５にＣｏ−２２ａｔ
％Ｃｒ−１４ａｔ％Ｐｔ合金を用いた例で説明する。垂
直磁化膜１５の形成に引き続いて、赤外線ランプ加熱ヒ
ータに１２００ワットの電力を再び投入し、約１０秒間
媒体表面を加熱（約３００℃）し、そののち垂直磁化膜
１５形成用スパッタリングターゲット前面で約４０秒間
試料を保持し、スパッタリングターゲットの後方に設置
されたマグネットの漏洩磁界による磁場中冷却処理を行
った。上記の後、垂直磁化膜の表面に保護膜１６として
膜厚５ｎｍのカーボン膜を形成した。本実施例における
薄膜の形成速度は約１０ｎｍ／秒であった。

【００６２】また、インライン型の高速形成スパッタリ
ング装置により、高保磁力の硬磁性膜２３を備えていな
い図１（ａ）に示した構成の試料Ｇ（１，２，３，４，
５，６）を作製した。洗浄した直径２．５インチのガラ
ス基板１１をスパッタリング装置に設置し、赤外線ラン
プ加熱ヒータに１２００ワットの電力を投入し、約１０
秒間基板表面の予備加熱（約３００℃）を行った。続い
て同一真空中でプリコート層として膜厚２０ｎｍのＮｉ
Ａｌ膜と膜厚５ｎｍのＣｒ−１０ａｔ％Ｔｉ膜を形成し
た。この上に膜厚１ｎｍのＲｕ層を形成した後、膜厚４
００ｎｍの軟磁性膜１３を形成した。軟磁性膜１３とし
て非柱状多結晶構造軟磁性膜であるＦｅ−８ａｔ％Ｔａ
−１２ａｔ％Ｃ−２ａｔ％Ｂを用いた。軟磁性膜を形成
した後、再び赤外線ランプ加熱ヒータに１６００ワット
の電力を投入し、前記軟磁性膜の表面を約１０秒間加熱
（４５０℃）した。この加熱処理により、軟磁性膜は必
要な特性、すなわち飽和磁束密度１．４Ｔ以上、保磁力
２０Ｏｅ以下、透磁率１００〜２０００の条件を満たす
ようになった。

【００６３】引き続き同一真空中で膜厚を０，１，２，
５，１０，２０ｎｍと変化した非磁性中間層１４、及び
膜厚２５ｎｍの垂直磁化膜１５を連続して形成した。非
磁性中間層１４の膜厚が０，１，２，５，１０，２０ｎ
ｍの媒体をそれぞれ試料Ｇ（１，２，３，４，５，６）
とする。ここでは一例として非磁性中間層１４はＴｉ−
１０ａｔ％Ｃｒ合金、垂直磁化膜１５はＣｏ−２２ａｔ
％Ｃｒ−１４ａｔ％Ｐｔ合金を用いた例で説明する。垂
直磁化膜１５の形成に引き続いて、赤外線ランプ加熱ヒ
ータに１２００ワットの電力を再び投入し、約１０秒間
媒体表面を加熱（約３００℃）し、そののち垂直磁化膜
１５形成用スパッタリングターゲット前面で約４０秒間
試料を保持し、スパッタリングターゲットの後方に設置
されたマグネットの漏洩磁界による磁場中冷却処理を行
った。上記の後、垂直磁化膜の表面に保護膜１６として
膜厚５ｎｍのカーボン膜を形成した。本実施例における
薄膜の形成速度は約１０ｎｍ／秒であった本実施例で作
製した媒体に図２に示した磁気録装置より磁気記録を行
い、媒体ノイズと記録分解能特性を測定した。媒体ノイ
ズは、線記録密度４００ｋＦＣＩ（kilo Flux Change p
er Inch）で磁気記録を行い、０〜５０ＭＨｚの範囲の
ノイズパワーを測定し、このノイズパワーを低記録密度
（５ｋＦＣＩ）の出力信号で規格化した値で示した。記
録分解能は、低記録密度（５ｋＦＣＩ）の出力信号に対
して５０％の出力信号になるときの線記録密度（Ｄ₅₀）
で定義した。

【００６４】測定結果の一例を図１２に示す。図１２の
横軸は、軟磁性膜と垂直磁化膜の間に挿入する非磁性中
間層１４の膜厚である。縦軸は規格化媒体ノイズと記録
分解能特性を示す。図１２から明らかなように、非磁性
中間層の膜厚が０ｎｍでは磁気記録の際にヘッドと補助
磁極として作用する裏打磁性層とのスペーシングが小さ
くなるため記録効率が向上し、高い記録分解能が得られ
る。しかし、一方では軟磁性膜と垂直磁化膜の間の磁気
的な相互作用が強く媒体ノイズが増大する欠点がある。
非磁性中間層を挿入することにより媒体ノイズが大幅に
低減できることがわかる。しかし非磁性中間層の膜厚が
厚くなり過ぎると磁気記録の際にヘッドと媒体間のスペ
ーシングが大きくなるため記録効率が低下し、記録分解
能が低下する傾向が認められる。媒体ノイズ低減と高記
録分解能を同時に実現するのに適した非磁性中間層の膜
厚は、１〜１０ｎｍであり、望ましくは１〜５ｎｍであ
る。上記実施例では、垂直磁化膜、構造制御層、軟磁性
膜、硬磁性膜の一例を挙げて内容の説明を行ったが、実
施例に記述した他の材料のいずれを組み合わせて用いて
も同様の効果が得られることは言うまでもない。

【００６５】

【発明の効果】本発明によると、媒体ノイズの原因とな
る軟磁性膜表面の磁区の微細化を促進し、垂直磁化膜媒
表面における不規則磁区の寸法の微細化が可能となり、
媒体ノイズが小さく記録分解能が高い、また記録磁化の
安定性に優れた超高密度磁気記録に好適な垂直磁気記録
媒体を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による垂直磁気記録媒体の基本構造の一
例を示す断面模式図。

【図２】磁気記憶装置の説明図。

【図３】粒径と不規則磁区直径の計測法の説明図。

【図４】形成条件と軟磁性膜結晶粒径の関係の説明図。

【図５】形成条件と媒体ノイズ、記録分解能の関係の説
明図。

【図６】軟磁性膜の透過電子顕微鏡像の一例の説明図。

【図７】軟磁性膜結晶粒径と垂直磁化膜表面の不規則磁
区径の関係の説明図。

【図８】形成条件と軟磁性膜結晶粒径、媒体ノイズ、記
録分解能の関係の説明図。

【図９】本発明による媒体と比較用媒体の軟磁性膜の透
過電子顕微鏡像の説明図。

【図１０】軟磁性膜の構造と垂直磁化膜表面の不規則磁
区径の関係の説明図。

【図１１】軟磁性膜表面の磁区構造の一例の説明図。

【図１２】非磁性中間層の膜厚と媒体ノイズ、記録分解
能の関係の説明図。

【符号の説明】

１１：基板、１２：プリコート層、１３：軟磁性膜、１
４：非磁性中間層、１５：垂直磁化膜、１６：保護層、
２２：裏打磁性層、２３：硬磁性膜、２４：軟磁性膜、
３１：磁気ディスク、３２：磁気ヘッド、３３：サスペ
ンジョン、３４：アクチュエータ、３５：ボイスコイル
モータ、３６：記録再生回路、３７：位置決め回路、３
８：インターフェース制御回路。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考） // Ｈ０１Ｆ 41/18 Ｈ０１Ｆ 41/18 (72)発明者菊川敦東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者平山義幸東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者二本正昭東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内Ｆターム(参考） 5D006 BB07 BB08 CA03 CA05 CA06 FA09 5E049 AA01 AA04 AA09 AC00 AC05 BA08 BA12 DB04 DB12 GC01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板の片面もしくは両面上に裏打磁性層
を介して垂直磁化膜を設けた垂直磁気記録媒体におい
て、前記裏打磁性層は、基板面に平行な断面及び基板面に垂
直な断面で計測した粒子面積をそれと同じ面積の円に近
似したときの平均粒径が１〜１０ｎｍの範囲である軟磁
性粒子を含む軟磁性膜を備えることを特徴とする垂直磁
気記録媒体。
【請求項２】基板の片面もしくは両面上に裏打磁性層
を介して垂直磁化膜を設けた垂直磁気記録媒体におい
て、前記裏打磁性層は非柱状多結晶構造の磁性微結晶粒を含
む軟磁性膜を備えることを特徴とする垂直磁気記録媒
体。
【請求項３】請求項１又は２項記載の垂直磁気記録媒
体において、前記軟磁性膜と前記垂直磁化膜の間に厚さ
１〜１０ｎｍの範囲の非磁性中間層を設けたことを特徴
とする垂直磁気記録媒体。
【請求項４】請求項１〜３のいずれか１項記載の垂直
磁気記録媒体において、前記裏打磁性層は上層に軟磁性
膜、下層に保磁力１ｋＯｅ以上の硬磁性膜を有すること
を特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項５】請求項１〜４のいずれか１項記載の垂直
磁気記録媒体において、前記軟磁性膜はＦｅ又はＣｏを
主成分とし、これにＴａ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｃ，Ａ
ｌ，Ｃｒ，Ｓｉ，Ｂ，Ｒｕの中から選ばれる少なくとも
１種類の元素を含む合金、もしくはこれらの合金の積層
膜で構成されることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項６】磁気記録媒体と、単磁極型の磁気記録用
ヘッドと、磁気抵抗効果型、スピンバルブ型もしくは磁
気トンネル型の信号再生用ヘッドとを備える磁気記憶装
置において、前記垂直磁気記録媒体として、基板の片面もしくは両面
上に裏打磁性層を介して垂直磁化膜が設けられ、前記裏
打磁性層は基板面に平行な断面及び基板面に垂直な断面
で計測した粒子面積をそれと同じ面積の円に近似したと
きの平均粒径が１〜１０ｎｍの範囲である軟磁性粒子を
含む軟磁性膜を備える垂直磁気記録媒体を用いたことを
特徴とする磁気記憶装置。