JPS58185026A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPS58185026A JPS58185026A JP57067717A JP6771782A JPS58185026A JP S58185026 A JPS58185026 A JP S58185026A JP 57067717 A JP57067717 A JP 57067717A JP 6771782 A JP6771782 A JP 6771782A JP S58185026 A JPS58185026 A JP S58185026A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
- G11B5/676—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers having magnetic layers separated by a nonmagnetic layer, e.g. antiferromagnetic layer, Cu layer or coupling layer
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B9/00—Exposure-making shutters; Diaphragms
- G03B9/08—Shutters
- G03B9/10—Blade or disc rotating or pivoting about axis normal to its plane
- G03B9/24—Adjusting size of aperture formed by members when fully open so as to constitute a virtual diaphragm that is adjustable
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
I 発明の背景
A技術分野
本発明は磁気記録媒体に関する。 さらに詳しくは、C
o −P系またはCo −Ni −P系のスパッタ薄膜
などの気相被着薄膜を磁性層とする多層構造の連続薄膜
形の磁気記録媒体に関する。
o −P系またはCo −Ni −P系のスパッタ薄膜
などの気相被着薄膜を磁性層とする多層構造の連続薄膜
形の磁気記録媒体に関する。
B 先行技術とその問題点
近年、金属磁性薄膜を磁性層とする連続薄膜形の磁気記
録媒体が注目を集めている。
録媒体が注目を集めている。
このような連続薄膜形の磁気記録媒体の一つとして、本
発明者らは、先に、Co −P系ないしCo −Ni
−P系の薄膜を、基体上K、スパッタリング等の気相被
着によって形成したものを提案している。
発明者らは、先に、Co −P系ないしCo −Ni
−P系の薄膜を、基体上K、スパッタリング等の気相被
着によって形成したものを提案している。
このようなCo −P系ないしCo −Ni −P系の
気相被着薄膜を磁性層とする媒体は、良好な磁気特性を
示し、また118度が高い等、種々のすぐれた特性をも
つ。
気相被着薄膜を磁性層とする媒体は、良好な磁気特性を
示し、また118度が高い等、種々のすぐれた特性をも
つ。
しかし、このような媒体も、特に、オーディオ用の磁気
記録媒体に適用したときバイアスノイズ、1KHz程度
の中域でのバイアスノイズが大きいという欠点がある。
記録媒体に適用したときバイアスノイズ、1KHz程度
の中域でのバイアスノイズが大きいという欠点がある。
ところで、Co−Ni糸等の気相被着薄mia性層をも
つ通常の連続薄膜形の&気記録媒体では、バイアスノイ
ズを減少させ、保磁力を向上させるために、磁性層の被
着と非磁性層との被着を交互に行い、各磁性層の厚さを
小さクシ、これを500A程度の厚さの非磁性層な介し
、所定の飽和磁化が得られるまで頃次積層することが行
われている。
つ通常の連続薄膜形の&気記録媒体では、バイアスノイ
ズを減少させ、保磁力を向上させるために、磁性層の被
着と非磁性層との被着を交互に行い、各磁性層の厚さを
小さクシ、これを500A程度の厚さの非磁性層な介し
、所定の飽和磁化が得られるまで頃次積層することが行
われている。
そこで、本発明者らは、Co −P系ないしCo −N
i −P系の気相被着薄膜を磁性層とし、上記のように
、非磁性層と磁性層とを交互に積層して、オーディオ用
の媒体を作−しだとるが、接着強度および機械的強度が
低く、長時間の使用に耐えないという事実が判明した。
i −P系の気相被着薄膜を磁性層とし、上記のように
、非磁性層と磁性層とを交互に積層して、オーディオ用
の媒体を作−しだとるが、接着強度および機械的強度が
低く、長時間の使用に耐えないという事実が判明した。
璽 発明の目的
本発明は、このような実状[1i11みなされたもので
あって、その主たる目的は、オーディオ用の媒体として
用いたとき、41(中斌〜為域のバイアスノイズが小さ
く、接着強度および機械的強度が高い。Co−P系また
はCo −Ni−P系の気相被着薄膜を磁性層とする多
層構造の連続薄膜形の磁気記録媒体を提供すること(あ
る。
あって、その主たる目的は、オーディオ用の媒体として
用いたとき、41(中斌〜為域のバイアスノイズが小さ
く、接着強度および機械的強度が高い。Co−P系また
はCo −Ni−P系の気相被着薄膜を磁性層とする多
層構造の連続薄膜形の磁気記録媒体を提供すること(あ
る。
本発明者らは、このような目的につき種々検討を行った
結果、Co −P系またはCo−N1−P系の磁性層間
に間I挿する非磁性層材質として、TiまたはTi合金
のみが、選択的にこのような目的を達成することを見出
し、本発明をなすに至った。
結果、Co −P系またはCo−N1−P系の磁性層間
に間I挿する非磁性層材質として、TiまたはTi合金
のみが、選択的にこのような目的を達成することを見出
し、本発明をなすに至った。
すなわち1本発明は占と)r)、の基体上に、C。
−P系またはCo −Ni −P系の磁性層と、チタン
またはチタン合金からなる非磁性層とを交互に積層して
なることを特徴とする磁気記録媒体である。
またはチタン合金からなる非磁性層とを交互に積層して
なることを特徴とする磁気記録媒体である。
厘 発明の具体的構成
以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。
本発明において用いる基体は、非磁性のものであり、可
とう性の、%に、ポリエステル、ポリイミド、ポリアミ
ド等の高分子成形物からなるものである。 また、その
厚さは糧々のものとすることができる。 さらに、その
形状としては1本発明の媒体は、オーディオ用として有
用である点で、通常、テープ状とされる。
とう性の、%に、ポリエステル、ポリイミド、ポリアミ
ド等の高分子成形物からなるものである。 また、その
厚さは糧々のものとすることができる。 さらに、その
形状としては1本発明の媒体は、オーディオ用として有
用である点で、通常、テープ状とされる。
このような基体上には、非磁性層と磁性層とが交互に積
層される。
層される。
本発明における磁性層は、Co −P系またはCo −
rNi −P系合金からなる。
rNi −P系合金からなる。
Co −P系またはCo −Ni −P系合金の組成と
しては、下記式で表わさねろものであることが好ましい
。
しては、下記式で表わさねろものであることが好ましい
。
式 xloo ’
−x x
上式において、Xは、(0、または(OおよびN1を表
わす。
わす。
この場合、Ni/(Co+へ1)重量比(y)は0また
は35重量%であることが好ま【−(。
は35重量%であることが好ま【−(。
yが35重普%を超えると、磁気特性、制に保磁力He
が低下してしまうからである。
が低下してしまうからである。
そして、検出力HcO点で、yが0または30重量%以
下、特に0または28重量う以下であれば、より好まし
い結果を得る。
下、特に0または28重量う以下であれば、より好まし
い結果を得る。
一方、X、すなわちP含量は、0より犬で8重量%以下
であることが好ましい。 8重量%を超えると、やはり
磁気特性、特に保磁力Hcが低下してしまう。 そして
、保磁力Hcの点では、yが1〜8重t%、より好まし
くは1.5〜7重量%であれば、好ましい結果を得る。
であることが好ましい。 8重量%を超えると、やはり
磁気特性、特に保磁力Hcが低下してしまう。 そして
、保磁力Hcの点では、yが1〜8重t%、より好まし
くは1.5〜7重量%であれば、好ましい結果を得る。
なお、以上のような組成において、薄膜中には、さらに
、例えばCo、Ni以外の他の遥遷金属元木等、例えば
Fe、Cr、Mn、Moなどの1種以上が、全体の10
重量%以下の範囲で含有されていてもよい。
、例えばCo、Ni以外の他の遥遷金属元木等、例えば
Fe、Cr、Mn、Moなどの1種以上が、全体の10
重量%以下の範囲で含有されていてもよい。
このよ5た組成の磁性層の形成は、気相被着法によれば
よく、スパッタリングの他、蒸着、イオンブレーティン
グを用いることもで欠る。
よく、スパッタリングの他、蒸着、イオンブレーティン
グを用いることもで欠る。
ただ、特性上、最も好ましいのは、スパッタリングによ
る場合である。
る場合である。
用イるX バッタリングとしては、衝撃イオンにより、
ターゲットをスパッタし、通常、数eν〜約100eV
程度の運動エネルギーにテターケット物質を蒸散させる
公知のスパッタリングはいずれも使用可能である。
ターゲットをスパッタし、通常、数eν〜約100eV
程度の運動エネルギーにテターケット物質を蒸散させる
公知のスパッタリングはいずれも使用可能である。
従って、Ar等の不活、性ガス雰囲気中で、異常クロー
放電によるAr等のイオンによって、ターゲットをスパ
ッタするプラズマ法を用いても、ターゲットにAr等の
イオンビームを照射して行うイオンビーム法を用いても
よい。
放電によるAr等のイオンによって、ターゲットをスパ
ッタするプラズマ法を用いても、ターゲットにAr等の
イオンビームを照射して行うイオンビーム法を用いても
よい。
プラズマ法によるときには、いわゆるR F’スパッタ
であっても、また、いわゆるDCスパッタであってもよ
く、その装置構成も2榛、4極等いずれであってもよい
。 さらKは。
であっても、また、いわゆるDCスパッタであってもよ
く、その装置構成も2榛、4極等いずれであってもよい
。 さらKは。
いわゆるマグネトロンスバッタヲ用いてもよ(・。 ま
た場合によっては、P婢を流しながら行へ、いわゆる反
応性スパッタによることもできる。さらに、イオンビ−
ム法としては、穐々の方式に従へことができる。
た場合によっては、P婢を流しながら行へ、いわゆる反
応性スパッタによることもできる。さらに、イオンビ−
ム法としては、穐々の方式に従へことができる。
用いるターゲラ1としては5通常の場合は、上記組成の
Co −PないしCo −Ni −Pの焼結体を用いれ
ばよい。
Co −PないしCo −Ni −Pの焼結体を用いれ
ばよい。
一方、衝撃イオンのイオン源としては、通常、A「、K
r、Xe等の不活性ガスなどを用いねばよい。 そして
、これらの不活性ガス等ハ、動作時にオイテ、2XIO
”Torr以上の圧力に維持することが好ましい。 こ
のような圧力未満では、得られる磁性層薄膜の磁気特性
、特に保磁力が低下してしまうからである。 一方、動
作時の圧力を上げねば、スパッタレートは低下してしま
)。 このため。
r、Xe等の不活性ガスなどを用いねばよい。 そして
、これらの不活性ガス等ハ、動作時にオイテ、2XIO
”Torr以上の圧力に維持することが好ましい。 こ
のような圧力未満では、得られる磁性層薄膜の磁気特性
、特に保磁力が低下してしまうからである。 一方、動
作時の圧力を上げねば、スパッタレートは低下してしま
)。 このため。
動作時の圧力は、一般に5X10−1〜2X10 ’’
l’orr程度とすることが好ましい。
l’orr程度とすることが好ましい。
なお、フレート電圧、プレート電流、極間間隙等には特
別の制限はなく、とtlらは、条件に応じ、任意の値に
設定することができる。
別の制限はなく、とtlらは、条件に応じ、任意の値に
設定することができる。
このような磁性層と交互に積層される非磁性層は、チタ
ンまたはチタン合金からなる。
ンまたはチタン合金からなる。
チタンσ)他、本発明において用いられるチタン合金と
しては、チタンを主成分とする各樵合金を用いることが
できる。 これらのうち、特に好適なものとしては、
At%−y。
しては、チタンを主成分とする各樵合金を用いることが
できる。 これらのうち、特に好適なものとしては、
At%−y。
CrおよびFeのうちの少なくとも1種を、好ましくは
4owt%以下、より好ましくは01〜4Qwt%、さ
らに好ましくは1〜3 Q wt%含trものを挙げる
ことができる。
4owt%以下、より好ましくは01〜4Qwt%、さ
らに好ましくは1〜3 Q wt%含trものを挙げる
ことができる。
こσ)ような非磁性層を形成するには、スパッタリング
、蒸着、イオンブレーティング等の捏々の気相被着によ
ればよいが、%K、磁性層をスパッタリング九より被着
するのが好ましいので、製造の容易さの点で、スパッタ
リングによることが好ましい。
、蒸着、イオンブレーティング等の捏々の気相被着によ
ればよいが、%K、磁性層をスパッタリング九より被着
するのが好ましいので、製造の容易さの点で、スパッタ
リングによることが好ましい。
このような磁性層と非磁性層は交互に積層されるもので
あるが、基体には、直接磁性層が破着して(・ても、前
記非磁性層が直接基体に被着して、下地層として機能し
ていてもよい。 あるいは、基体面に別途、各種金属、
化合物等の下地層を設け、この上に、磁性層を設けても
よく、さらには、場合によっては、下地層上に本発明に
おける非磁性層を形成しでもよい。
あるが、基体には、直接磁性層が破着して(・ても、前
記非磁性層が直接基体に被着して、下地層として機能し
ていてもよい。 あるいは、基体面に別途、各種金属、
化合物等の下地層を設け、この上に、磁性層を設けても
よく、さらには、場合によっては、下地層上に本発明に
おける非磁性層を形成しでもよい。
最下層の磁性層と基体との関に、下地層を形成すれば、
磁性層の膜の均−性等が向上する。
磁性層の膜の均−性等が向上する。
そして1本発明におけるチタンまたはチタン合金からな
る非磁性層を、下地層として直11’A!体面に被着す
れば、製造上有利となる上。
る非磁性層を、下地層として直11’A!体面に被着す
れば、製造上有利となる上。
接着強度はきわめて高いものとなり、好ましい請求を得
る。
る。
なお、幕体と磁性層との間に、このようにF地層を11
41神する場合、その厚さは、一般に50〜5000A
程rHとされる。
41神する場合、その厚さは、一般に50〜5000A
程rHとされる。
一方、磁性層は、磁性層間に非l性層を間挿した状態で
、綺、計2〜6層、特に、3または4層積層される。
、綺、計2〜6層、特に、3または4層積層される。
そして、覆数に分割された41i1性階の厚さの1計は
、2000〜6000に、%[30[)O〜5000A
とされる。
、2000〜6000に、%[30[)O〜5000A
とされる。
これにより、10 ”〜、3xlo ”emu/−の
最適の飽和磁化が得られ、オーディオ用の媒体としてき
わめて好ましい特性をもつ。
最適の飽和磁化が得られ、オーディオ用の媒体としてき
わめて好ましい特性をもつ。
さらに、各1性層の厚さは、500〜2000A、より
好ましくは600〜1500Aとすることか好ましい。
好ましくは600〜1500Aとすることか好ましい。
磁性層の厚さが1早くなるとバイアスノイズが菌くなり
、またうずくなると保磁力が小さくなる相同にあるが、
このような磁性層厚とれl すると、十分な保磁力が得られ、また、バイアスノイズ
がンわめて小さくなるからである。
、またうずくなると保磁力が小さくなる相同にあるが、
このような磁性層厚とれl すると、十分な保磁力が得られ、また、バイアスノイズ
がンわめて小さくなるからである。
なお、co−Ni系等の斜め蒸着による薄膜等の本発明
と異なる通常の磁性層では、磁性層の厚さをうすくする
に従い、保磁力が向上するか、本発明におけるCo−P
系またはCo−陥−P系の磁性層では、上記のようにこ
れとは異なる挙動を示し、S性層の厚さと保磁力との関
係は、他におけるものと特異なものであるといえる。
と異なる通常の磁性層では、磁性層の厚さをうすくする
に従い、保磁力が向上するか、本発明におけるCo−P
系またはCo−陥−P系の磁性層では、上記のようにこ
れとは異なる挙動を示し、S性層の厚さと保磁力との関
係は、他におけるものと特異なものであるといえる。
他す、磁性層間に間挿さねるチタンまたはチタン合金か
らなる非磁性層の厚さは、30〜200Aとすることが
好ましい。
らなる非磁性層の厚さは、30〜200Aとすることが
好ましい。
200Aをこえると1周波数特性が悪くなってくる。
また、30′A未満となると、保磁力が低下し、バイア
スノイズ、特に中域〜Amのバイアスノイズが増大して
くる。
スノイズ、特に中域〜Amのバイアスノイズが増大して
くる。
そして、1vさが50〜150Aとなると、バイアスノ
イズがきわめて小さくなり、庵波数特性がきわめて良好
となる。 しかも、このとき保磁力の低下はない。
イズがきわめて小さくなり、庵波数特性がきわめて良好
となる。 しかも、このとき保磁力の低下はない。
なお、 Co−山系等の本発明とは異なる磁性)−を用
いるととには、中間j−の膜17は500久程紅が最適
であるとされており、本発明のようにうすい中間層を用
いるときには、保母力がきわめて低くなってしまう。
いるととには、中間j−の膜17は500久程紅が最適
であるとされており、本発明のようにうすい中間層を用
いるときには、保母力がきわめて低くなってしまう。
従って1本発明における中間層としての非出性層の11
さと保磁力との関係も、本発明とは異なる磁性層を用い
るときとは異なるもσ)である。
さと保磁力との関係も、本発明とは異なる磁性層を用い
るときとは異なるもσ)である。
さらに、本発明の媒体において、その最上ノーには、磁
性)−が位置しても、あるいはチタンまたはチタン合金
からなる非磁性層か位置してもよい。 さらには、別途
、種々の材質からなる保一層が形成されていてもよい。
性)−が位置しても、あるいはチタンまたはチタン合金
からなる非磁性層か位置してもよい。 さらには、別途
、種々の材質からなる保一層が形成されていてもよい。
最上1−として、本発明における非8性層あるいは保一
層が存在する場合、その厚さは、通常、100OA程度
以下とされる。
層が存在する場合、その厚さは、通常、100OA程度
以下とされる。
■ 発明の具体的作用効果
本gqのs気記録媒体は、バイアスノイズ%に、I K
Hz程度以上の中ν〜^城のパイアメノイズが身わめ
て少ない。
Hz程度以上の中ν〜^城のパイアメノイズが身わめ
て少ない。
しかも、被着膜の接着強度および機械的強度がきわダ)
てSt <、長幼間の使用によっても、出力レヘルの低
下等が少ない。 また、寿命が艮い。
てSt <、長幼間の使用によっても、出力レヘルの低
下等が少ない。 また、寿命が艮い。
この場合、このような効果は、チタンないしその合金以
外の他の金楓からなる非出性層で4i爽境しな(・。
外の他の金楓からなる非出性層で4i爽境しな(・。
さらに、にo −pないしCo −Ni −P系の気相
被着薄膜を磁性1−とするので、膜の均一性も良好で、
走行にともなう出力変動中も少なく、また出力も高く、
さらKは、負荷後の!%貿伸びも小さい。
被着薄膜を磁性1−とするので、膜の均一性も良好で、
走行にともなう出力変動中も少なく、また出力も高く、
さらKは、負荷後の!%貿伸びも小さい。
そして、チタンまたはチタン合量からなる非磁性層のう
ち中間層として用いるものの厚さを、30〜200 A
とすると、きわめて良好な周波数特性を示し、しかもバ
イアスノイズはより一層少なくなる。
ち中間層として用いるものの厚さを、30〜200 A
とすると、きわめて良好な周波数特性を示し、しかもバ
イアスノイズはより一層少なくなる。
また、磁性層の厚さの総計を2000〜6000Aとす
れば、最適の残留磁化が得られ、オーFイオ用の媒体と
してきわめて有用なものとなる。
れば、最適の残留磁化が得られ、オーFイオ用の媒体と
してきわめて有用なものとなる。
さらに、各磁性層のI¥さを、500〜2000Aとす
ると、保磁力が高くなり、しかもバイアスノイズが低下
する。
ると、保磁力が高くなり、しかもバイアスノイズが低下
する。
加えて、チタ:/またはチタン合金からなる非磁性層を
下地層として設ければ、膜の均一性が向上し、接着強度
がより一層高いものとなる。
下地層として設ければ、膜の均一性が向上し、接着強度
がより一層高いものとなる。
■ 発明の具体的実施例
以F1本発明の具体的実施例を示し1本発明をさらに詳
細に説明する。
細に説明する。
実施例1
基体として、連続長尺の9μ儒厚の1丁とう性のポリエ
チレンテレフタレートフィルムtIOs 種類用意した。
チレンテレフタレートフィルムtIOs 種類用意した。
これら各基体のうち、1檀はそのまま、また他の9椙の
基体上には、スパッタリングにより、100OA厚にて
、下記表1に示される金属下地層を形成した。 なお、
試料嶌8〜lOのチタン合金の組成は重量%にて表わさ
れている。
基体上には、スパッタリングにより、100OA厚にて
、下記表1に示される金属下地層を形成した。 なお、
試料嶌8〜lOのチタン合金の組成は重量%にて表わさ
れている。
次いで、これらのうちの下地層な形成しなかった一つに
ついては、(C00J5NIfile ) 、’F P
3の組成の磁性層を4000Aの厚さに形成した(g、
料A61)。
ついては、(C00J5NIfile ) 、’F P
3の組成の磁性層を4000Aの厚さに形成した(g、
料A61)。
また、残りの9樵については、上記と同一の組成の磁性
層を、総計400OAの厚さとなるように、スパッタリ
ングにより、3層に分割して形成し、各磁性層間に、下
記表1に示される組成の各at磁性層からなる中間層を
2鳩、それぞれ100Aの厚さにて、スパッタリングに
より形成した(試料/i62〜10)。
層を、総計400OAの厚さとなるように、スパッタリ
ングにより、3層に分割して形成し、各磁性層間に、下
記表1に示される組成の各at磁性層からなる中間層を
2鳩、それぞれ100Aの厚さにて、スパッタリングに
より形成した(試料/i62〜10)。
この場合、磁性層の形成は、DCマグネトロンスパッタ
リングによって行った。 ソシn て、ターゲットとしては、対応する組成の焼結体を用い
、プレート電圧は2KV、投入電力は3.8W/61.
動作アルゴン圧は7X10”Torrとした。
リングによって行った。 ソシn て、ターゲットとしては、対応する組成の焼結体を用い
、プレート電圧は2KV、投入電力は3.8W/61.
動作アルゴン圧は7X10”Torrとした。
次しτ、こtlら6種の試料それぞれを、3.8層鋼幅
にスリットし、、C−120カセツトテーグを作製した
。
にスリットし、、C−120カセツトテーグを作製した
。
このように作製した各試料の残留磁化φ【は25X10
’emu/−であり、保磁力)lc &を下6己41に
示さねるとおりである。
’emu/−であり、保磁力)lc &を下6己41に
示さねるとおりである。
コノ債、各試料のバイアスノイズを測定した。
すなわち、市販のカセットデツキにて、ノーマルポジシ
ョニ/のバイアスで、イコフイザーを120μSに設定
し、チー1速度4.75aw/seeで走行させ、IK
Hzおよび10kt(zの周波数にて記録した後、消去
ヘッドで消去して出力とノイズとの差を求め、IKHz
とIQKHxでCハ中域〜病域のバイアスノイズを算出
シた。
ョニ/のバイアスで、イコフイザーを120μSに設定
し、チー1速度4.75aw/seeで走行させ、IK
Hzおよび10kt(zの周波数にて記録した後、消去
ヘッドで消去して出力とノイズとの差を求め、IKHz
とIQKHxでCハ中域〜病域のバイアスノイズを算出
シた。
結束を表1に示す。
また、30℃、相対湿度70%で、4.75 tx/s
ecの走行を1000回行い、その後再生して5dtj
以上のレベル低下が何回あるかを−j定し、接着強rf
、を評価した。 結末を表1に併記する。
ecの走行を1000回行い、その後再生して5dtj
以上のレベル低下が何回あるかを−j定し、接着強rf
、を評価した。 結末を表1に併記する。
表1にボされる結果から、チタンまたはチダ/合金から
なる非磁性層を用いたときのみ、バイアスノイズが低く
、シかも接着強度のきj・)めて高い媒体が実現するこ
とがわかる。
なる非磁性層を用いたときのみ、バイアスノイズが低く
、シかも接着強度のきj・)めて高い媒体が実現するこ
とがわかる。
こねに対し、他の金属を用いたときには、接着強度の点
で全く不十分であることがわかる。
で全く不十分であることがわかる。
実施例2
′:J!施例1施封1て、磁性層を下記表2に示される
組成にかえ、また、中間層および下地層の材質を表2に
示されるものにかえた他は同仔にして、各種媒体を作製
した(試料A11〜16)。
組成にかえ、また、中間層および下地層の材質を表2に
示されるものにかえた他は同仔にして、各種媒体を作製
した(試料A11〜16)。
各媒体の特性を表2に示す。
t【お、バイアスはハイポジショントシタ。
表2に示される結果から1本発明の効果があざらかであ
る。
る。
なお、磁性層組成を他のCo −P系またはCo −N
i −P系Kかえたときにも、このような効果が同様に
再現することが確認されている。
i −P系Kかえたときにも、このような効果が同様に
再現することが確認されている。
実施例3
実施例1において、試料ム7のチタン中間層の厚さを下
記表3のようにかえて、各種媒体(7麺1l−14)を
作製し、保磁力Hc、レベル低下回数、およびlKH2
でのバイアスノイズを測定した。
記表3のようにかえて、各種媒体(7麺1l−14)を
作製し、保磁力Hc、レベル低下回数、およびlKH2
でのバイアスノイズを測定した。
また、各媒体の、人力レベルがOdBのときの、IKH
zと10KHzの出力差を求め1周波数特性(f’l?
)を評価した。
zと10KHzの出力差を求め1周波数特性(f’l?
)を評価した。
これらの結果を、表3に示す。
表3に示される結果から、チタンまたはチタン合金から
なる中間層非磁性層の厚さが30〜200Aとなったと
きのみ、バイアスノイズが少なく、しかも良好なf%が
得られることがわかる。
なる中間層非磁性層の厚さが30〜200Aとなったと
きのみ、バイアスノイズが少なく、しかも良好なf%が
得られることがわかる。
実施例4
実施例2の試料ム12にて、磁性層の厚さをかえ、磁性
層の厚さの総計が400OAとなるように、磁性層の厚
さと、磁性層および中間層の数をかえ、保磁力Hcおよ
び1HHzでのバイアスノイズを測定した。
層の厚さの総計が400OAとなるように、磁性層の厚
さと、磁性層および中間層の数をかえ、保磁力Hcおよ
び1HHzでのバイアスノイズを測定した。
結果を表4に示す。
なお、各試料の各中間層の厚さは100Aにした。
表4に示される結果から、保磁力およびバイアスノイズ
の点で、磁性層の厚さは500〜2000Aであること
が好ましいことがわかる。
の点で、磁性層の厚さは500〜2000Aであること
が好ましいことがわかる。
なお、試料A624では、バイアスが不足しテ、ノイズ
の測定ができなかった。
の測定ができなかった。
出願人 東京電気化学工業株式会社
代坤人 弁理士 石 井 陽 −
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 μ工とう性の基体上に、Co −P系またはCo
−Ni −P系の磁性層と、チタンまたはチタン合金か
らなる非出性層とを交互に積層してなることを%像とす
る磁気記録媒体。 2、 Mi性層間に間挿される非磁性層の厚さが30
〜200Aである特許請求の範囲第1項に記載の磁気記
録媒体。 3、(I数の磁性層の厚さの總計が2000〜6000
Aである特許請求の範囲第1墳または第2項に記載の磁
気記録媒体。 4、各磁性層の厚さが500〜2000Aである%許請
求の範囲第1項ないし第3項のいずれかに記載の磁気記
録媒体。 5、 基体ヒに、チタンまたはチタン合金からなる非磁
性層を下地l−として有する%許−求の範1!!第1項
ないし第4項のいずれかに記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57067717A JPS58185026A (ja) | 1982-04-22 | 1982-04-22 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57067717A JPS58185026A (ja) | 1982-04-22 | 1982-04-22 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58185026A true JPS58185026A (ja) | 1983-10-28 |
JPH0323968B2 JPH0323968B2 (ja) | 1991-04-02 |
Family
ID=13352981
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57067717A Granted JPS58185026A (ja) | 1982-04-22 | 1982-04-22 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58185026A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63217525A (ja) * | 1987-02-25 | 1988-09-09 | コマッグ・インコーポレイテッド | 磁気ディスク構造及びその製造方法 |
-
1982
- 1982-04-22 JP JP57067717A patent/JPS58185026A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63217525A (ja) * | 1987-02-25 | 1988-09-09 | コマッグ・インコーポレイテッド | 磁気ディスク構造及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0323968B2 (ja) | 1991-04-02 |
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