JPS58182129A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPS58182129A JPS58182129A JP57065964A JP6596482A JPS58182129A JP S58182129 A JPS58182129 A JP S58182129A JP 57065964 A JP57065964 A JP 57065964A JP 6596482 A JP6596482 A JP 6596482A JP S58182129 A JPS58182129 A JP S58182129A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 17
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 15
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- -1 Cu-Be Chemical class 0.000 description 4
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 4
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 4
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 4
- 229910020630 Co Ni Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910002440 Co–Ni Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- 229910001096 P alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017532 Cu-Be Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 241000282806 Rhinoceros Species 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000012271 agricultural production Methods 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 229920005570 flexible polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005242 forging Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
- G11B5/676—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers having magnetic layers separated by a nonmagnetic layer, e.g. antiferromagnetic layer, Cu layer or coupling layer
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
■ 発明の背景
A技術分野
本発明は磁気記録媒体に関する。 更に詳しくは、Co
−P系またはCo −Ni −P系のスパッタ薄膜環の
気相被着薄膜を磁性層とする多層構造の連続薄膜形の磁
気記録媒体に関する。
−P系またはCo −Ni −P系のスパッタ薄膜環の
気相被着薄膜を磁性層とする多層構造の連続薄膜形の磁
気記録媒体に関する。
B 先行技術とその問題点
近年、金属磁性薄膜を磁性層とする連続薄膜形の磁気記
録媒体が注目を集めている。
録媒体が注目を集めている。
このような連続薄膜形の磁気記録媒体の1つとして1本
発明者らは先に、Co−P系ないしCo −Ni −P
系の薄膜を、基体上に、スパッタリング等の気相被着に
よって形成したものを提案している。
発明者らは先に、Co−P系ないしCo −Ni −P
系の薄膜を、基体上に、スパッタリング等の気相被着に
よって形成したものを提案している。
このようなco −P系なしL% Co −Ni −P
系気相被着薄膜を磁性層とする媒体は、良好な磁気特性
を示し、また膜強度が高い等1種々のすぐれた特性をも
つ。
系気相被着薄膜を磁性層とする媒体は、良好な磁気特性
を示し、また膜強度が高い等1種々のすぐれた特性をも
つ。
しかし、このような媒体も、*に、オーデのバイアスノ
イズが大きいという欠点がある。
イズが大きいという欠点がある。
ところで、Co−Ni系等の気相被着薄膜磁性層をもつ
通常の連続薄膜形の磁気記鍮媒体では、バイアスノイズ
を減少させるために、磁性層の被着と非磁性層との被着
な交互に行い、各磁性層の厚さを小さくし、これを非磁
性中間層を介し、所定の膜厚が得られるまで積層するこ
とが行われている。 そして、このように各磁性層の厚
さを薄くしていくと、保磁力Hcが向上する。 そし
て、このようなときの磁性層間に間挿される非磁性の中
間層の厚さは、500A@度とされ、中n4m厚かうす
くなるとHeは低下する。
通常の連続薄膜形の磁気記鍮媒体では、バイアスノイズ
を減少させるために、磁性層の被着と非磁性層との被着
な交互に行い、各磁性層の厚さを小さくし、これを非磁
性中間層を介し、所定の膜厚が得られるまで積層するこ
とが行われている。 そして、このように各磁性層の厚
さを薄くしていくと、保磁力Hcが向上する。 そし
て、このようなときの磁性層間に間挿される非磁性の中
間層の厚さは、500A@度とされ、中n4m厚かうす
くなるとHeは低下する。
このような事実に鑑み、本発明者らは、C。
−P系ないしco−Ni−P系の気相被着薄膜を磁性層
として、上記のように非磁性中間層と磁性層とを交互に
積層してオーディオ用の媒体を作製して、その特性を評
価してみた。
として、上記のように非磁性中間層と磁性層とを交互に
積層してオーディオ用の媒体を作製して、その特性を評
価してみた。
ることか確認された。
しかし、このように構成しても1周波数特性が悪く、実
用上満足できないことが判明している。
用上満足できないことが判明している。
■ 発明の目的
本発明は、このような実状に鑑みなされたものであって
、その主たる目的は、オーディオ用の媒体として用いた
とき、特に中域〜高域テのバイアスノイズが小さく、ま
た周波数特性が良好な、Co −Pまたはco−Ni−
P系の気相被着薄膜を磁性層とする連続薄膜形の多部構
造の磁気記鎌媒体を提供することにある。
、その主たる目的は、オーディオ用の媒体として用いた
とき、特に中域〜高域テのバイアスノイズが小さく、ま
た周波数特性が良好な、Co −Pまたはco−Ni−
P系の気相被着薄膜を磁性層とする連続薄膜形の多部構
造の磁気記鎌媒体を提供することにある。
本発明者らは、このような目的につき種々検討を行った
結果、磁性層間に間挿する非磁性層厚の最適寸法を見出
し1本発明をなすに至った。
結果、磁性層間に間挿する非磁性層厚の最適寸法を見出
し1本発明をなすに至った。
すなわち1本発明は、基体上に、複数のC。
−P糸またはCo −Ni −P系磁性層を、30〜2
00Aの厚さの非磁性の中間層を介して積層してなるこ
とを特徴とする磁気記碌媒体である。
00Aの厚さの非磁性の中間層を介して積層してなるこ
とを特徴とする磁気記碌媒体である。
鳳 発明の具体的構成
以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。
本発明において用いる基体は、非磁性のものでありさえ
すればよいが、可撓性の、特に、ポリエステル、ポリイ
ミド、ポリアミド等の高分子成形物からなるものである
ことが好ましい。 また、その厚さは種々のものとする
ことができる。 さらに、その形状も檀々のものであっ
てよいが、本発明の媒体は、オーディオ用として有用で
ある点で、一般にテープ状とされる。
すればよいが、可撓性の、特に、ポリエステル、ポリイ
ミド、ポリアミド等の高分子成形物からなるものである
ことが好ましい。 また、その厚さは種々のものとする
ことができる。 さらに、その形状も檀々のものであっ
てよいが、本発明の媒体は、オーディオ用として有用で
ある点で、一般にテープ状とされる。
このような基体上には、好ましくは被磁性の下地層が設
けられ、接着性や膜の均一性の向上等が図られる。
けられ、接着性や膜の均一性の向上等が図られる。
下地層の材質としては、特に制限はなく、At、 At
、Cu%SnlMo、Zn、Ni 、 Cr。
、Cu%SnlMo、Zn、Ni 、 Cr。
Cu −Be等の各禮単−金属ないし合金や、Sin、
、 At、(J3等の酸化物などの各種化合物等いず
れを用いてもよい。 ただ、通常は、製造の容易さから
、後述の非磁性の中間層と同一の材質とする。
、 At、(J3等の酸化物などの各種化合物等いず
れを用いてもよい。 ただ、通常は、製造の容易さから
、後述の非磁性の中間層と同一の材質とする。
このような下地層の厚さについてIl#に制限がないが
1通常は、50〜5000A@度とされる。
1通常は、50〜5000A@度とされる。
また、下地層の形成は、スパッタリング、蒸着、イオン
ル−ティング、いずれの気相被着法によってもよいが、
磁性層の形成は、後述のように、スパッタリングを用い
るのが好ましいので、製造の容易さからすると、スパッ
タリングに従うのがよい。
ル−ティング、いずれの気相被着法によってもよいが、
磁性層の形成は、後述のように、スパッタリングを用い
るのが好ましいので、製造の容易さからすると、スパッ
タリングに従うのがよい。
このように基体上、好ましくは基体く形成された下地層
上には、磁性層と非磁性の中間層とが形成される。
上には、磁性層と非磁性の中間層とが形成される。
磁性層は、Co −P系またはCo −Ni +P系合
金からなる。
金からなる。
Go−P糸またはCo −Ni −P系合金の組成とし
ては、下記式で表わされるものであることが好ましい。
ては、下記式で表わされるものであることが好ましい。
式 X□。。−xPx
E式において、Xは、Co 、またはCoおよびNiを
表わす。
表わす。
この場合、Ni /(Co+Ni )重量比(y)は0
または35重i%以下であることが好ましい。
または35重i%以下であることが好ましい。
yが35重量%を超えると、磁気特性、特に保磁力Hc
低下してしまうからである。
低下してしまうからである。
そして、保磁力Hcの点で%yが0または3011量%
以下、特に0または28重量%以下であれば、より好ま
しい結果を得る。
以下、特に0または28重量%以下であれば、より好ま
しい結果を得る。
−万、X、すなわちP含量は、0より大で8At%以下
であることが好ましい。
であることが好ましい。
8重量%を超えると、やはり磁気特性、特に保磁力Hc
が低下してしまう。
が低下してしまう。
そして、保磁力Hcの点では、yが1〜8重量%、より
好ましくは1.5〜7重量%であれば、好ましい結果を
得る。
好ましくは1.5〜7重量%であれば、好ましい結果を
得る。
種以上が、全体の10重量%以下の範囲で含有されてい
てもよい。
てもよい。
このような組成の磁性層の形成は、気相被着法によれば
よく、スパッタリングの他、蒸着、イオンブレーティン
グを用いることもで傘る。
よく、スパッタリングの他、蒸着、イオンブレーティン
グを用いることもで傘る。
ただ、%柱上、最も好ましいのは、スパッタリングによ
る場合である。
る場合である。
用いるスパッタリングとしては、lI撃イオンにより、
ターゲットをスパッタし1通常、数eV〜約100 e
V程度の運動エネルギーにてターゲット物質を蒸散させ
る公知のスパッタリングはいずれも使“用可能である。
ターゲットをスパッタし1通常、数eV〜約100 e
V程度の運動エネルギーにてターゲット物質を蒸散させ
る公知のスパッタリングはいずれも使“用可能である。
従って、Ar等の不活性ガス零囲気中で、異常グロー放
電によるAr等のイオンによって、ターゲットをスパッ
タするプラズマ法を用いても、ターゲットにAr等のイ
オンビームを照射して行5イオンビーム法を用いてもよ
い。
電によるAr等のイオンによって、ターゲットをスパッ
タするプラズマ法を用いても、ターゲットにAr等のイ
オンビームを照射して行5イオンビーム法を用いてもよ
い。
プラズマ法によるときには、いわゆる)LFスパッタで
あっても、また、いわゆるDCスパッタであってもよく
、その装置構成も2極、4極等いずれであってもよい。
あっても、また、いわゆるDCスパッタであってもよく
、その装置構成も2極、4極等いずれであってもよい。
また、いわゆるマグネトロンスパッタを用いてもよい
。
。
さらには、P等を流しながら行う、いわゆる反応性スパ
ッタによることもできる。 なお、イオンビーム法とし
ては、樵々の方式に従うことができる。
ッタによることもできる。 なお、イオンビーム法とし
ては、樵々の方式に従うことができる。
用いるターゲットとしては、通常の場合は、」1記組成
のCo −PないしCo−N1−PI)焼結体等を用い
ればよい。
のCo −PないしCo−N1−PI)焼結体等を用い
ればよい。
一方、衝撃イオンのイオン源としては、通常、Ar、K
r%Xe等の不活性ガス等を用いればよい。
r%Xe等の不活性ガス等を用いればよい。
そして、これらの不活性ガス等は、−作時において、
2X 10−” Torr以上の圧力に維持することが
好ましい。
2X 10−” Torr以上の圧力に維持することが
好ましい。
このような圧力未満では、得られる磁性層薄膜の磁気特
性、 411に保磁力が低下してしまうからである。
一方、動作時の圧力を上げれば、スパッタレートは低下
してしまう。
性、 411に保磁力が低下してしまうからである。
一方、動作時の圧力を上げれば、スパッタレートは低下
してしまう。
このため、動作時の圧力は、一般に2X10−”〜2X
10 ’Torr程度とすることが好ましい。
10 ’Torr程度とすることが好ましい。
なお、プレート電圧、プレート電流、fi間間隙等には
特別の制限はなく、これらは1条件に応じ、任意の値に
設定することができる。
特別の制限はなく、これらは1条件に応じ、任意の値に
設定することができる。
これに対し、複数の磁性層間に間挿される非磁性の中間
層としては、その材質に41に制限はなく、At、Af
、 Cu、 Sn、Zn、Ni 。
層としては、その材質に41に制限はなく、At、Af
、 Cu、 Sn、Zn、Ni 。
Mo 、Cr 、 Cu −B@等の各種単一金属ない
し合金や、S iO,、Az、03等の酸化物等の各種
化合物等いずれを用いてもよい。
し合金や、S iO,、Az、03等の酸化物等の各種
化合物等いずれを用いてもよい。
また、その被着は気相被着によればよいが11#に、磁
性層をスパッタリングにより被着するのが好ましいので
、II造の容易さの点で、スパッタリングによることが
好ましい。
性層をスパッタリングにより被着するのが好ましいので
、II造の容易さの点で、スパッタリングによることが
好ましい。
このような前提の下で、磁性層間に間挿される一つまた
は二つ以上の非磁性の中間層はその厚さを30〜200
^とされる。
は二つ以上の非磁性の中間層はその厚さを30〜200
^とされる。
200Aをこえると1周波数特性がきわめて急くなる。
マタ、30A未満となると、バイアスノイズが増大する
。
。
このような場合、厚さが50〜150Aとなると、バイ
アスノイズがきわめて少なくなり1周波数特性がきわめ
て良好となる。 しかも。
アスノイズがきわめて少なくなり1周波数特性がきわめ
て良好となる。 しかも。
このとき保磁力の低下はない。
程度が最適であるとされており、本発明のようにうすい
中間層を用いるときKは、*@カがきわめて低くなって
しまう。
中間層を用いるときKは、*@カがきわめて低くなって
しまう。
他方、値数に分割さ、れた磁性層の厚さの総計は、20
00〜600QA、%に3000〜5000Aとされる
。
00〜600QA、%に3000〜5000Aとされる
。
これにより、10−”〜3X10 ”emu/−の最
適の残留磁化が得られ、オーディオ用の媒体としてきわ
めて好ましい特性をもつ。
適の残留磁化が得られ、オーディオ用の媒体としてきわ
めて好ましい特性をもつ。
なお、磁性層は、一般に、2〜6層、%に3または4層
に分割されることが好ましい。
に分割されることが好ましい。
そして、各磁性層の厚さは、500〜2000とが好ま
しい。
しい。
これは、厚さが大きくなるとバイアスノイズが高くなり
、また、厚さがうすくなると保磁力が小さくなる傾向に
あるが、このような厚さとすると、十分な保磁力が得ら
れ、またバイアスノイズがきわめて小さくなるからであ
る。
、また、厚さがうすくなると保磁力が小さくなる傾向に
あるが、このような厚さとすると、十分な保磁力が得ら
れ、またバイアスノイズがきわめて小さくなるからであ
る。
なお、Co−Ni系等の斜め蒸着による場合などの本発
明と異なる磁性層では、磁性層の厚さをうすくするに従
い、^い保磁力が得られるものであり、この点で、本発
明におけるCo−PまたはCo −Ni −P系の磁性
層を用いるときの、磁性層の層上による影響は特異なも
のである。
明と異なる磁性層では、磁性層の厚さをうすくするに従
い、^い保磁力が得られるものであり、この点で、本発
明におけるCo−PまたはCo −Ni −P系の磁性
層を用いるときの、磁性層の層上による影響は特異なも
のである。
なお、鍛上層としては、無機ないし有機物質等の檀々の
材質からなる保一層を設けることができる。
材質からなる保一層を設けることができる。
■ 発明の具体的作用効果
本発明の磁気記am体は、バイアスノイズ特に中域〜高
域でのバイアスノイズがきわめて少ない。
域でのバイアスノイズがきわめて少ない。
また、きわめて良好な周波数特性をもつ。
そして、このようなすぐれた特性は、中間層の厚さを3
0〜200Aとしたときのみ実現する。
0〜200Aとしたときのみ実現する。
さらに、co −PないしCo −Ni −P系の気相
被着薄膜を磁性層とするので、−の均一性も良好で、走
行にともなう出力蛮動巾も少なく、また出力も^く、さ
らには可撓性基体を用いても、負荷後の残留伸びも小さ
い。
被着薄膜を磁性層とするので、−の均一性も良好で、走
行にともなう出力蛮動巾も少なく、また出力も^く、さ
らには可撓性基体を用いても、負荷後の残留伸びも小さ
い。
そして、磁性層の厚さの総針を2000〜goo。
人とすれば、最適の残留磁化が得られ、オーディオ用の
媒体としてきわめて有用なものとなる。
媒体としてきわめて有用なものとなる。
また、各磁性層の厚さを、500〜2000Aとすると
、保磁力が高くなり、しかもバイアスノイズが低くなる
。
、保磁力が高くなり、しかもバイアスノイズが低くなる
。
さらに、基体表面に下地層を設ければ、接着性や農の均
一性が向上する。
一性が向上する。
V 発明の異体的実施例
以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明をさらに詳
細に説明する。
細に説明する。
実施例1
基体として、連続長尺の94慟厚の可撓性のポリエチレ
ンテレフタレートフィルムt−661類用意した。
ンテレフタレートフィルムt−661類用意した。
これら各基体上に、スパッタリングにより。
1000A犀にて、アルミニウム下地層を形成した。
次いで、これらのうちの1つKついては、CC0Qal
SN&+118 ) 9’F P3の総成り磁性層を4
000大の厚さに形成した(試料溝イ)。
SN&+118 ) 9’F P3の総成り磁性層を4
000大の厚さに形成した(試料溝イ)。
また、残りの5攬については、上記と同一の組成の磁性
層を、総計400OAの厚さとなるように、スパッタリ
ングにより、3層に勢分割して形成し、各磁性層間に、
下記表IK示される厚さのアルミニウム中間層を2層、
スパッタリングにより形成した(試料A2〜6)。
層を、総計400OAの厚さとなるように、スパッタリ
ングにより、3層に勢分割して形成し、各磁性層間に、
下記表IK示される厚さのアルミニウム中間層を2層、
スパッタリングにより形成した(試料A2〜6)。
この場合、磁性層の形成は、DCマグネトロンスパッタ
リングによって行った。 ソシて、ターゲットとしては
、対応する組成の焼結体を用い、グレート電圧は2KV
、投入電力は3.8 W/cd、動作アルゴン圧は7X
10 ’Torrとした。
リングによって行った。 ソシて、ターゲットとしては
、対応する組成の焼結体を用い、グレート電圧は2KV
、投入電力は3.8 W/cd、動作アルゴン圧は7X
10 ’Torrとした。
次に、これら6種の試料それぞれを、3.81−幅にス
リットし、C−120カセツトテーグを作製した。
リットし、C−120カセツトテーグを作製した。
このよ1m作製した各試料の残留磁化φrは24xl□
”emu/−であり、保磁力Hcは下記1jkIK示
されるとおりである。
”emu/−であり、保磁力Hcは下記1jkIK示
されるとおりである。
この後、各試料のバイアスノイズを測定した。
すなわち、市販のカセットデツキにて、ノーマルポジシ
ョンのバイアスで、イコライザーを1204sに設定し
、テープ速度4.7551/Secで走行させ、1KH
zおよび1QKHzの周波数にて記録した後、消去ヘッ
ドで消去して、出力とノイズとの差を求め、lKHgと
IOKHgでの中域〜高域Qバイアスノイズを算出した
。 結果をfllIK示す。
ョンのバイアスで、イコライザーを1204sに設定し
、テープ速度4.7551/Secで走行させ、1KH
zおよび1QKHzの周波数にて記録した後、消去ヘッ
ドで消去して、出力とノイズとの差を求め、lKHgと
IOKHgでの中域〜高域Qバイアスノイズを算出した
。 結果をfllIK示す。
また、入力レベルがOdBのときのIKHlと10KH
zの出力差を求めて得られた周波数特性(f特)を表1
K″併記する。
zの出力差を求めて得られた周波数特性(f特)を表1
K″併記する。
1lIIK、示される結果から、非磁性の中間層の厚さ
が30〜200人となったときのみ、パ・イアスノイズ
が少なく、シかも良好なf+%が得られることがわかる
。
が30〜200人となったときのみ、パ・イアスノイズ
が少なく、シかも良好なf+%が得られることがわかる
。
実施例2
実施例1において、磁性層を下記$1!2に示されるよ
うな組成にかえ、また、中間層を下記表2に示されるよ
うに亜鉛またはスズにかえ、非磁性の中間層をもたない
試料(A67および/161)と、下記表2に示される
厚さの2層の中間層をもつ試料(A 8.9.11.1
2. )とを作製した。
うな組成にかえ、また、中間層を下記表2に示されるよ
うに亜鉛またはスズにかえ、非磁性の中間層をもたない
試料(A67および/161)と、下記表2に示される
厚さの2層の中間層をもつ試料(A 8.9.11.1
2. )とを作製した。
この場合、磁性層の、形成は、実施例1と同様%DCマ
グネトロンスパッタリングによす。
グネトロンスパッタリングによす。
動作°アルゴン圧は8X10 ”Torr、投入電力は
3.7 W/aJとした。 また、磁性層の纒計厚は各
試料とも4000Aとし、残留磁化φrは、各試料とも
25 X ] Oemuとした。
3.7 W/aJとした。 また、磁性層の纒計厚は各
試料とも4000Aとし、残留磁化φrは、各試料とも
25 X ] Oemuとした。
実施例と同様に、C−120カセツトテープを作製し、
1にHzおよび10にHzでのパイアスノイズとf%と
を測定した。 ただし、ノ(イアスは/・イポジション
とした。
1にHzおよび10にHzでのパイアスノイズとf%と
を測定した。 ただし、ノ(イアスは/・イポジション
とした。
結果を懺2に示す。
なお、表2には、各試料の保磁力Hcも併記される。
&2に示される結果から1本発明の効果があきらかであ
る。
る。
なお、磁性層組成を他のCo−PまたはCO−Nj −
P系にかえたとき、あるいは他の材質の非磁性中間層を
用いたときくも、このような効果が四様に再現すること
が確認されている。
P系にかえたとき、あるいは他の材質の非磁性中間層を
用いたときくも、このような効果が四様に再現すること
が確認されている。
実施例3
実施例20試料ム8にて、磁性層の厚さをかえ、磁性層
の厚さの総計が400OAとなるように、磁性層の厚さ
と、磁性層および中間層の数をかえ、保磁力Hcおよび
1KHzでのバイアスノイズを測定した。
の厚さの総計が400OAとなるように、磁性層の厚さ
と、磁性層および中間層の数をかえ、保磁力Hcおよび
1KHzでのバイアスノイズを測定した。
結果を表3に示す。
なお、各試料の各中間層の厚さは100人にした。
表3に示される結果から、保磁力およびパイfスノイズ
の点で、磁性層の厚さは500〜200OAであること
が好ましいことがわかる。
の点で、磁性層の厚さは500〜200OAであること
が好ましいことがわかる。
なお、試料A14では、バイアスが不足して、ノイズの
測定ができなかった。
測定ができなかった。
出願人 東京電気化学工業株式金社
代理人 弁理士 石 井 陽 −
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 基体上に、複数のCo −P系またはco −N
i−P基磁性層を、30〜200Aの厚さの非磁性の中
間層を介して積層し【なることを特徴とする磁気記録媒
体。 2、 複数の磁性層の厚さの総計が2000〜6000
Aである特許請求の範囲第1項に記載の磁気記録媒体。 3、各磁性層の厚さが500〜2000Aである特許請
求の範囲第1項または@2項に記載の磁気記録媒体。 4 基体が下地層を有する特許請求の範囲第1項ないし
第3項のいずれかに記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57065964A JPS58182129A (ja) | 1982-04-20 | 1982-04-20 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57065964A JPS58182129A (ja) | 1982-04-20 | 1982-04-20 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58182129A true JPS58182129A (ja) | 1983-10-25 |
Family
ID=13302182
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57065964A Pending JPS58182129A (ja) | 1982-04-20 | 1982-04-20 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58182129A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61172218A (ja) * | 1985-01-25 | 1986-08-02 | Nec Corp | 磁気記憶体 |
FR2584847A1 (fr) * | 1985-07-15 | 1987-01-16 | Bull Sa | Support d'enregistrement perpendiculaire magnetiquement anisotrope |
JPS63136318A (ja) * | 1986-11-28 | 1988-06-08 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 磁気記録媒体 |
JPS63217525A (ja) * | 1987-02-25 | 1988-09-09 | コマッグ・インコーポレイテッド | 磁気ディスク構造及びその製造方法 |
-
1982
- 1982-04-20 JP JP57065964A patent/JPS58182129A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61172218A (ja) * | 1985-01-25 | 1986-08-02 | Nec Corp | 磁気記憶体 |
FR2584847A1 (fr) * | 1985-07-15 | 1987-01-16 | Bull Sa | Support d'enregistrement perpendiculaire magnetiquement anisotrope |
JPS63136318A (ja) * | 1986-11-28 | 1988-06-08 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 磁気記録媒体 |
JPS63217525A (ja) * | 1987-02-25 | 1988-09-09 | コマッグ・インコーポレイテッド | 磁気ディスク構造及びその製造方法 |
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