JPS59177726A - 垂直磁気デイスク記録媒体 - Google Patents
垂直磁気デイスク記録媒体Info
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- JPS59177726A JPS59177726A JP58051978A JP5197883A JPS59177726A JP S59177726 A JPS59177726 A JP S59177726A JP 58051978 A JP58051978 A JP 58051978A JP 5197883 A JP5197883 A JP 5197883A JP S59177726 A JPS59177726 A JP S59177726A
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は表面精度が高く、垂直磁化記録層のC軸配向特
性の優れた垂直磁気ディスク記録媒体に関する。
性の優れた垂直磁気ディスク記録媒体に関する。
近時、磁気記録媒体の記録面に垂直な方向の残留磁化を
利用して高密度な記録を行う垂直磁化記録が注目されて
いる。しかして、この垂直磁化記録に用いられる記録媒
体としては、その記録面に垂直な方向に磁化容易軸を有
する必要があり、従来より専ら、スパッタリング法によ
って形成されたCo−Cr系″fJ、膜が多く用いられ
ている。
利用して高密度な記録を行う垂直磁化記録が注目されて
いる。しかして、この垂直磁化記録に用いられる記録媒
体としては、その記録面に垂直な方向に磁化容易軸を有
する必要があり、従来より専ら、スパッタリング法によ
って形成されたCo−Cr系″fJ、膜が多く用いられ
ている。
ところで、垂直磁化記録用のノ・−ド・ディスクを実現
する場合、従来一般的なノ・−ド・ディスク用のディス
ク基板として用いられているA7合金を用いることが考
えられる。然し乍ら、A/=合金の硬度が低い為、通常
その表面を陽極酸化処理してアルマイト層を形成し、こ
の高硬度のアルマイト層を研摩して表面精度を高くする
ことが行われている。この為には、上記At合金基板の
表面精度の影響を除外するべく、上記アルマイト層を厚
く、しかも均一に形成することが必要となるが、At合
金基板中の不純物がアルマイト層の安定な形成を妨げる
ので、上記kt合金組成の厳密な管理が必要となり、そ
の製作性に問題があった。
する場合、従来一般的なノ・−ド・ディスク用のディス
ク基板として用いられているA7合金を用いることが考
えられる。然し乍ら、A/=合金の硬度が低い為、通常
その表面を陽極酸化処理してアルマイト層を形成し、こ
の高硬度のアルマイト層を研摩して表面精度を高くする
ことが行われている。この為には、上記At合金基板の
表面精度の影響を除外するべく、上記アルマイト層を厚
く、しかも均一に形成することが必要となるが、At合
金基板中の不純物がアルマイト層の安定な形成を妨げる
ので、上記kt合金組成の厳密な管理が必要となり、そ
の製作性に問題があった。
一方、垂直磁化記録用のハード・ディスクとしては、磁
気記録層としてのCo−Cr系薄膜のC軸配向がその記
録特性を大きく左右するが、上述した表面アルマイト層
処理したAt合金基板上に直接スパッタリングによって
Co−Cr系薄膜層を形成しても、垂直磁化記録に適し
た良好なC軸配向が得られないと云う問題がある。そこ
で、上記Co−Cr系薄膜層とアルマイト層との間にT
i層を設けることで上記C軸配向の改善を図ることが考
えられているが、内部応力の増大や製造工程の複雑化等
の問題が生じた。
気記録層としてのCo−Cr系薄膜のC軸配向がその記
録特性を大きく左右するが、上述した表面アルマイト層
処理したAt合金基板上に直接スパッタリングによって
Co−Cr系薄膜層を形成しても、垂直磁化記録に適し
た良好なC軸配向が得られないと云う問題がある。そこ
で、上記Co−Cr系薄膜層とアルマイト層との間にT
i層を設けることで上記C軸配向の改善を図ることが考
えられているが、内部応力の増大や製造工程の複雑化等
の問題が生じた。
更には上記Co−0r系薄膜が有する磁気特性のうち、
特に垂直方向の抗磁力u、Lが垂直磁化記録に対して重
要な役割を果す。そしてこの抗磁力H′:は基板温度に
依存することから、高い抗磁力aLを得るべく前記基板
を高温にしてCo−Cr系薄膜を形成すると、前記アル
マイト層の厚さによってはAt合金とアルマイト層との
熱膨張差によって上記アルマイト層にクラックが発生す
ることもあった。このように、表向をアルマイト処理し
たA、a合金をディスク基板として用いるには多くの問
題があった。
特に垂直方向の抗磁力u、Lが垂直磁化記録に対して重
要な役割を果す。そしてこの抗磁力H′:は基板温度に
依存することから、高い抗磁力aLを得るべく前記基板
を高温にしてCo−Cr系薄膜を形成すると、前記アル
マイト層の厚さによってはAt合金とアルマイト層との
熱膨張差によって上記アルマイト層にクラックが発生す
ることもあった。このように、表向をアルマイト処理し
たA、a合金をディスク基板として用いるには多くの問
題があった。
本発明はこのような事情を考励、してなされたもので、
その目的とするところは、表面精度が高く、しかも磁気
記録層のC軸配向が優れて良好な垂直磁化記録特性を有
する製作性に優れた垂直磁気ディスク記録媒体を提供す
ることにあふ。
その目的とするところは、表面精度が高く、しかも磁気
記録層のC軸配向が優れて良好な垂直磁化記録特性を有
する製作性に優れた垂直磁気ディスク記録媒体を提供す
ることにあふ。
本発明はAt合金からなるディスク基板の表面をアルマ
イト処理することに代えて、上記ディスク基板表面にメ
ッキ法によってN1−P層を形成し、とのN1−P層の
平滑化処理された表面にCo−Cr系溝膜等の強磁性C
o系垂直磁化記録層を形成した構造の垂直磁気ディスク
記録媒体にある。
イト処理することに代えて、上記ディスク基板表面にメ
ッキ法によってN1−P層を形成し、とのN1−P層の
平滑化処理された表面にCo−Cr系溝膜等の強磁性C
o系垂直磁化記録層を形成した構造の垂直磁気ディスク
記録媒体にある。
かくして本発明によれば、N1−P層によって表面精度
を十分高くすることができる上、上記N1−P層上に形
成されたCo−Cr系薄膜のC軸配向が良好であるから
、その垂直磁化記録特性を十分に発揮することができる
。しかも、構成が簡単であり、安価に製作できる等の利
点が奏される。
を十分高くすることができる上、上記N1−P層上に形
成されたCo−Cr系薄膜のC軸配向が良好であるから
、その垂直磁化記録特性を十分に発揮することができる
。しかも、構成が簡単であり、安価に製作できる等の利
点が奏される。
以下、図面を参照して本発明の実施例につき説明する。
図は実施例に係る垂直磁気ディスク記録媒体の構造を模
式的に示す断面図である。図中1はAt合金からなるデ
ィスク基板であり、適尚な表面精度に研摩処理されてい
る。このAt合金からなるディスク基板1の表面に、メ
ッキ法によってN1−P層2,3が50μm程度の膜厚
に形成される。このN1−P層2,3はディスク基板1
の両面に設けられ、内部的な応力の発生を相殺するもの
となっている。しかしてN1−P層2゜3の硬さは、そ
のメッキ法やP濃度にもよるが、一般にグイッカース硬
度で約400程度に設定される。尚、P濃度(wt係)
は5乃〜25チの範囲であることが望才しい。即ち、P
が25%以上となるメッキ法ではこれをNiに入れるこ
とは困維であり、また5チ以下ではN1−Pはアモルフ
ァス状態でも強磁性でかつ硬度も低いからである。尚、
とのNi −P層2,3を熱処理して、更に高硬度化す
ることも可能である。このようにして形成されたN1−
P層2,3の表面を研摩。
式的に示す断面図である。図中1はAt合金からなるデ
ィスク基板であり、適尚な表面精度に研摩処理されてい
る。このAt合金からなるディスク基板1の表面に、メ
ッキ法によってN1−P層2,3が50μm程度の膜厚
に形成される。このN1−P層2,3はディスク基板1
の両面に設けられ、内部的な応力の発生を相殺するもの
となっている。しかしてN1−P層2゜3の硬さは、そ
のメッキ法やP濃度にもよるが、一般にグイッカース硬
度で約400程度に設定される。尚、P濃度(wt係)
は5乃〜25チの範囲であることが望才しい。即ち、P
が25%以上となるメッキ法ではこれをNiに入れるこ
とは困維であり、また5チ以下ではN1−Pはアモルフ
ァス状態でも強磁性でかつ硬度も低いからである。尚、
とのNi −P層2,3を熱処理して、更に高硬度化す
ることも可能である。このようにして形成されたN1−
P層2,3の表面を研摩。
研削加工等を施してその面精度を十分に高くする。しか
るのち、上記N1−P層52の平滑化された表面に磁化
記録層としてのCo−Cr系薄膜4をス・Pツタリング
によって1μm以下の厚さに形成して垂直磁気ディスク
記録媒体が完成される。
るのち、上記N1−P層52の平滑化された表面に磁化
記録層としてのCo−Cr系薄膜4をス・Pツタリング
によって1μm以下の厚さに形成して垂直磁気ディスク
記録媒体が完成される。
尚、上記Co−Cr系薄膜4のス・七ツタリング形成は
、例えば圧力5mTorrのArガス雰囲気中で、前記
ディスク基板1の温度を120〜220℃に加熱して行
われる。
、例えば圧力5mTorrのArガス雰囲気中で、前記
ディスク基板1の温度を120〜220℃に加熱して行
われる。
次表は、このようにして製作される磁気ディスク記録媒
体のCo−Cr系薄膜層4についてその磁気特性を、従
来構造のものと対比して示したものである。
体のCo−Cr系薄膜層4についてその磁気特性を、従
来構造のものと対比して示したものである。
尚、上記表中のC軸分微角は、X線集合組織測定装置に
より測定されたロッキング曲線の半値幅を示している。
より測定されたロッキング曲線の半値幅を示している。
この表に示されるように、本発明に係る磁気ディスク記
録媒体によれば、従来構造のものに比較してCo−Cr
膜4のC軸配向が良好であると云える。そしてペストモ
ードにあってはC軸分微角を35程度にまで設定できる
ことが確認された。しかも、上記Co−Crf3欣層4
の垂直抗磁力を10000e(エルステッド)以上にす
ることもでき、垂直磁化記録に十分的した基本特性を有
することが判る。
録媒体によれば、従来構造のものに比較してCo−Cr
膜4のC軸配向が良好であると云える。そしてペストモ
ードにあってはC軸分微角を35程度にまで設定できる
ことが確認された。しかも、上記Co−Crf3欣層4
の垂直抗磁力を10000e(エルステッド)以上にす
ることもでき、垂直磁化記録に十分的した基本特性を有
することが判る。
これに対し、アルマイト層を形成し/こディスク基板上
にCo−Cr薄膜層を形成した場合、そのC軸配向は非
常に悪い。このことは垂直磁化記録に適した基本特性が
発揮されないことを意味する。まだアルマイト層にチタ
ン(’ri)iを介してCo−Cr薄膜層を形成した場
合、本発明構造のものと同程度若しくはやや低いC軸配
向を示し、かつTi層の形成等、その製造工程が棲雑で
ある等の不利な点が多い、 以上のように本発明によれば、N1−P層によって、そ
の表面精度を高くした上でCo−Cr層を形成すること
ができ、その磁気記録特性を優れたものとすることがで
きる1、しかもTi層等の中間層を設けることなしに、
NiP層上に@接Co−Cr層を形成することができる
ので、その製造工程が非常に簡単である。故に、垂直磁
化記録に適したディスク記録媒体を安価に安定に供給す
ることが可能となり、実用上絶大なる効果が奏せられる
。
にCo−Cr薄膜層を形成した場合、そのC軸配向は非
常に悪い。このことは垂直磁化記録に適した基本特性が
発揮されないことを意味する。まだアルマイト層にチタ
ン(’ri)iを介してCo−Cr薄膜層を形成した場
合、本発明構造のものと同程度若しくはやや低いC軸配
向を示し、かつTi層の形成等、その製造工程が棲雑で
ある等の不利な点が多い、 以上のように本発明によれば、N1−P層によって、そ
の表面精度を高くした上でCo−Cr層を形成すること
ができ、その磁気記録特性を優れたものとすることがで
きる1、しかもTi層等の中間層を設けることなしに、
NiP層上に@接Co−Cr層を形成することができる
ので、その製造工程が非常に簡単である。故に、垂直磁
化記録に適したディスク記録媒体を安価に安定に供給す
ることが可能となり、実用上絶大なる効果が奏せられる
。
尚、本廓明は上記実゛施例に限定されるものではなく、
各層の膜厚や、その形成法は仕様に応じて定めればよい
。要するに本発明はその要旨を逸脱しない範囲で種々変
形して実施できる。
各層の膜厚や、その形成法は仕様に応じて定めればよい
。要するに本発明はその要旨を逸脱しない範囲で種々変
形して実施できる。
図は本発明の一実施例に係る垂直磁気ディスク記録媒体
の構造を模式的に示す断面図である。 1・・・ディスク基板(At合金)、2.3・・・N1
−P層、4・・・Co−Cr薄膜層。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦手 続 ネ市
正 書 1.事件の表示 特願昭58−51978号 2、発明の名称 垂直磁気ディスク記録媒体 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 (307)株式会社 東芝 4、代理人 東京都港区虎ノ門1丁目26番5号第17森ヒル6、補
正の対象 (1)特許請求の範囲を別紙の通り訂正する。 (2)明細書、第5頁第11行目に1図は」とあるを「
第1図は」と訂正する。 (3)同、第6頁第2行目に「(wt%)」とあるを「
(atn+ic%)」と訂正する。 (4,)同、第6頁第18行目に「行われる。」とある
次に「このような温度範囲に設定すると、第2図および
第3図から明らかなように、垂直方向抗磁力)−1cv
およびC軸分敗色の優れた記録媒体を得ることができる
。」なる文章を挿入する。 (5)同、第9頁第9行目乃至同頁第10行目に「図は
・・・である。」とあるを[第1図は本発明の一実施例
に°係る垂直磁気ディスク記録媒体の構造を模式的に示
す断面図、第2図は記録媒体の基板温度に対する垂直方
向抗磁力の関係を示す図、第3図は基板温度に対するC
軸分敗色の関係を示す図である。」と訂正する。 (6)添附図面を別紙の通り第1図とし、第2図および
第3図を別紙の通り追加する。 2、特許請求の範囲 (1)テーイスク基扱と、このディスク基板上(胆成さ
れたN ;−p層と、このN i−P層の平滑化処理さ
れた表面に形成された強磁性CO系垂直磁化記録層とを
具備したことを特徴とする垂直磁気ディスク記録媒体。 (2)強磁性CO系垂直磁化記録層は、N ;−p層表
面にスパッタリング形成されたco−Cr膜からなるも
のである特許請求の範囲N1項記載の垂直磁気ディスク
記録媒体。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 (aO)八)H’nβ1β博宴I叩 (’6ap)虻’4r’!t〜つ =149
の構造を模式的に示す断面図である。 1・・・ディスク基板(At合金)、2.3・・・N1
−P層、4・・・Co−Cr薄膜層。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦手 続 ネ市
正 書 1.事件の表示 特願昭58−51978号 2、発明の名称 垂直磁気ディスク記録媒体 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 (307)株式会社 東芝 4、代理人 東京都港区虎ノ門1丁目26番5号第17森ヒル6、補
正の対象 (1)特許請求の範囲を別紙の通り訂正する。 (2)明細書、第5頁第11行目に1図は」とあるを「
第1図は」と訂正する。 (3)同、第6頁第2行目に「(wt%)」とあるを「
(atn+ic%)」と訂正する。 (4,)同、第6頁第18行目に「行われる。」とある
次に「このような温度範囲に設定すると、第2図および
第3図から明らかなように、垂直方向抗磁力)−1cv
およびC軸分敗色の優れた記録媒体を得ることができる
。」なる文章を挿入する。 (5)同、第9頁第9行目乃至同頁第10行目に「図は
・・・である。」とあるを[第1図は本発明の一実施例
に°係る垂直磁気ディスク記録媒体の構造を模式的に示
す断面図、第2図は記録媒体の基板温度に対する垂直方
向抗磁力の関係を示す図、第3図は基板温度に対するC
軸分敗色の関係を示す図である。」と訂正する。 (6)添附図面を別紙の通り第1図とし、第2図および
第3図を別紙の通り追加する。 2、特許請求の範囲 (1)テーイスク基扱と、このディスク基板上(胆成さ
れたN ;−p層と、このN i−P層の平滑化処理さ
れた表面に形成された強磁性CO系垂直磁化記録層とを
具備したことを特徴とする垂直磁気ディスク記録媒体。 (2)強磁性CO系垂直磁化記録層は、N ;−p層表
面にスパッタリング形成されたco−Cr膜からなるも
のである特許請求の範囲N1項記載の垂直磁気ディスク
記録媒体。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 (aO)八)H’nβ1β博宴I叩 (’6ap)虻’4r’!t〜つ =149
Claims (2)
- (1) At合金からなるディスク基板と、このディ
スク基板上にメッキ法によって形成されたN1−P 層
と、このN1−P 層の平滑化処理された表面に形成さ
れた強磁性CO系垂直磁化記録層とを具備したことを特
徴とする垂直磁気ディスク記録媒体。 - (2)強磁性Co系垂直磁化記録層は、N1−P層表面
にスパッタリング形成されたCo−Cr膜からなるもの
である特許請求の範囲第1項記載の垂直磁気ディスク記
録媒体。
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