JPS59177726A - 垂直磁気デイスク記録媒体 - Google Patents
垂直磁気デイスク記録媒体Info
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- JPS59177726A JPS59177726A JP58051978A JP5197883A JPS59177726A JP S59177726 A JPS59177726 A JP S59177726A JP 58051978 A JP58051978 A JP 58051978A JP 5197883 A JP5197883 A JP 5197883A JP S59177726 A JPS59177726 A JP S59177726A
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は表面精度が高く、垂直磁化記録層のＣ軸配向特
性の優れた垂直磁気ディスク記録媒体に関する。
性の優れた垂直磁気ディスク記録媒体に関する。
近時、磁気記録媒体の記録面に垂直な方向の残留磁化を
利用して高密度な記録を行う垂直磁化記録が注目されて
いる。しかして、この垂直磁化記録に用いられる記録媒
体としては、その記録面に垂直な方向に磁化容易軸を有
する必要があり、従来より専ら、スパッタリング法によ
って形成されたＣｏ−Ｃｒ系″ｆＪ、膜が多く用いられ
ている。
利用して高密度な記録を行う垂直磁化記録が注目されて
いる。しかして、この垂直磁化記録に用いられる記録媒
体としては、その記録面に垂直な方向に磁化容易軸を有
する必要があり、従来より専ら、スパッタリング法によ
って形成されたＣｏ−Ｃｒ系″ｆＪ、膜が多く用いられ
ている。
ところで、垂直磁化記録用のノ・−ド・ディスクを実現
する場合、従来一般的なノ・−ド・ディスク用のディス
ク基板として用いられているＡ７合金を用いることが考
えられる。然し乍ら、Ａ／＝合金の硬度が低い為、通常
その表面を陽極酸化処理してアルマイト層を形成し、こ
の高硬度のアルマイト層を研摩して表面精度を高くする
ことが行われている。この為には、上記Ａｔ合金基板の
表面精度の影響を除外するべく、上記アルマイト層を厚
く、しかも均一に形成することが必要となるが、Ａｔ合
金基板中の不純物がアルマイト層の安定な形成を妨げる
ので、上記ｋｔ合金組成の厳密な管理が必要となり、そ
の製作性に問題があった。
する場合、従来一般的なノ・−ド・ディスク用のディス
ク基板として用いられているＡ７合金を用いることが考
えられる。然し乍ら、Ａ／＝合金の硬度が低い為、通常
その表面を陽極酸化処理してアルマイト層を形成し、こ
の高硬度のアルマイト層を研摩して表面精度を高くする
ことが行われている。この為には、上記Ａｔ合金基板の
表面精度の影響を除外するべく、上記アルマイト層を厚
く、しかも均一に形成することが必要となるが、Ａｔ合
金基板中の不純物がアルマイト層の安定な形成を妨げる
ので、上記ｋｔ合金組成の厳密な管理が必要となり、そ
の製作性に問題があった。
一方、垂直磁化記録用のハード・ディスクとしては、磁
気記録層としてのＣｏ−Ｃｒ系薄膜のＣ軸配向がその記
録特性を大きく左右するが、上述した表面アルマイト層
処理したＡｔ合金基板上に直接スパッタリングによって
Ｃｏ−Ｃｒ系薄膜層を形成しても、垂直磁化記録に適し
た良好なＣ軸配向が得られないと云う問題がある。そこ
で、上記Ｃｏ−Ｃｒ系薄膜層とアルマイト層との間にＴ
ｉ層を設けることで上記Ｃ軸配向の改善を図ることが考
えられているが、内部応力の増大や製造工程の複雑化等
の問題が生じた。
気記録層としてのＣｏ−Ｃｒ系薄膜のＣ軸配向がその記
録特性を大きく左右するが、上述した表面アルマイト層
処理したＡｔ合金基板上に直接スパッタリングによって
Ｃｏ−Ｃｒ系薄膜層を形成しても、垂直磁化記録に適し
た良好なＣ軸配向が得られないと云う問題がある。そこ
で、上記Ｃｏ−Ｃｒ系薄膜層とアルマイト層との間にＴ
ｉ層を設けることで上記Ｃ軸配向の改善を図ることが考
えられているが、内部応力の増大や製造工程の複雑化等
の問題が生じた。
更には上記Ｃｏ−０ｒ系薄膜が有する磁気特性のうち、
特に垂直方向の抗磁力ｕ、Ｌが垂直磁化記録に対して重
要な役割を果す。そしてこの抗磁力Ｈ′：は基板温度に
依存することから、高い抗磁力ａＬを得るべく前記基板
を高温にしてＣｏ−Ｃｒ系薄膜を形成すると、前記アル
マイト層の厚さによってはＡｔ合金とアルマイト層との
熱膨張差によって上記アルマイト層にクラックが発生す
ることもあった。このように、表向をアルマイト処理し
たＡ、ａ合金をディスク基板として用いるには多くの問
題があった。
特に垂直方向の抗磁力ｕ、Ｌが垂直磁化記録に対して重
要な役割を果す。そしてこの抗磁力Ｈ′：は基板温度に
依存することから、高い抗磁力ａＬを得るべく前記基板
を高温にしてＣｏ−Ｃｒ系薄膜を形成すると、前記アル
マイト層の厚さによってはＡｔ合金とアルマイト層との
熱膨張差によって上記アルマイト層にクラックが発生す
ることもあった。このように、表向をアルマイト処理し
たＡ、ａ合金をディスク基板として用いるには多くの問
題があった。
本発明はこのような事情を考励、してなされたもので、
その目的とするところは、表面精度が高く、しかも磁気
記録層のＣ軸配向が優れて良好な垂直磁化記録特性を有
する製作性に優れた垂直磁気ディスク記録媒体を提供す
ることにあふ。
その目的とするところは、表面精度が高く、しかも磁気
記録層のＣ軸配向が優れて良好な垂直磁化記録特性を有
する製作性に優れた垂直磁気ディスク記録媒体を提供す
ることにあふ。
本発明はＡｔ合金からなるディスク基板の表面をアルマ
イト処理することに代えて、上記ディスク基板表面にメ
ッキ法によってＮ１−Ｐ層を形成し、とのＮ１−Ｐ層の
平滑化処理された表面にＣｏ−Ｃｒ系溝膜等の強磁性Ｃ
ｏ系垂直磁化記録層を形成した構造の垂直磁気ディスク
記録媒体にある。
イト処理することに代えて、上記ディスク基板表面にメ
ッキ法によってＮ１−Ｐ層を形成し、とのＮ１−Ｐ層の
平滑化処理された表面にＣｏ−Ｃｒ系溝膜等の強磁性Ｃ
ｏ系垂直磁化記録層を形成した構造の垂直磁気ディスク
記録媒体にある。
かくして本発明によれば、Ｎ１−Ｐ層によって表面精度
を十分高くすることができる上、上記Ｎ１−Ｐ層上に形
成されたＣｏ−Ｃｒ系薄膜のＣ軸配向が良好であるから
、その垂直磁化記録特性を十分に発揮することができる
。しかも、構成が簡単であり、安価に製作できる等の利
点が奏される。
を十分高くすることができる上、上記Ｎ１−Ｐ層上に形
成されたＣｏ−Ｃｒ系薄膜のＣ軸配向が良好であるから
、その垂直磁化記録特性を十分に発揮することができる
。しかも、構成が簡単であり、安価に製作できる等の利
点が奏される。
以下、図面を参照して本発明の実施例につき説明する。
図は実施例に係る垂直磁気ディスク記録媒体の構造を模
式的に示す断面図である。図中１はＡｔ合金からなるデ
ィスク基板であり、適尚な表面精度に研摩処理されてい
る。このＡｔ合金からなるディスク基板１の表面に、メ
ッキ法によってＮ１−Ｐ層２，３が５０μｍ程度の膜厚
に形成される。このＮ１−Ｐ層２，３はディスク基板１
の両面に設けられ、内部的な応力の発生を相殺するもの
となっている。しかしてＮ１−Ｐ層２゜３の硬さは、そ
のメッキ法やＰ濃度にもよるが、一般にグイッカース硬
度で約４００程度に設定される。尚、Ｐ濃度（ｗｔ係）
は５乃〜２５チの範囲であることが望才しい。即ち、Ｐ
が２５％以上となるメッキ法ではこれをＮｉに入れるこ
とは困維であり、また５チ以下ではＮ１−Ｐはアモルフ
ァス状態でも強磁性でかつ硬度も低いからである。尚、
とのＮｉ −Ｐ層２，３を熱処理して、更に高硬度化す
ることも可能である。このようにして形成されたＮ１−
Ｐ層２，３の表面を研摩。
式的に示す断面図である。図中１はＡｔ合金からなるデ
ィスク基板であり、適尚な表面精度に研摩処理されてい
る。このＡｔ合金からなるディスク基板１の表面に、メ
ッキ法によってＮ１−Ｐ層２，３が５０μｍ程度の膜厚
に形成される。このＮ１−Ｐ層２，３はディスク基板１
の両面に設けられ、内部的な応力の発生を相殺するもの
となっている。しかしてＮ１−Ｐ層２゜３の硬さは、そ
のメッキ法やＰ濃度にもよるが、一般にグイッカース硬
度で約４００程度に設定される。尚、Ｐ濃度（ｗｔ係）
は５乃〜２５チの範囲であることが望才しい。即ち、Ｐ
が２５％以上となるメッキ法ではこれをＮｉに入れるこ
とは困維であり、また５チ以下ではＮ１−Ｐはアモルフ
ァス状態でも強磁性でかつ硬度も低いからである。尚、
とのＮｉ −Ｐ層２，３を熱処理して、更に高硬度化す
ることも可能である。このようにして形成されたＮ１−
Ｐ層２，３の表面を研摩。
研削加工等を施してその面精度を十分に高くする。しか
るのち、上記Ｎ１−Ｐ層５２の平滑化された表面に磁化
記録層としてのＣｏ−Ｃｒ系薄膜４をス・Ｐツタリング
によって１μｍ以下の厚さに形成して垂直磁気ディスク
記録媒体が完成される。
るのち、上記Ｎ１−Ｐ層５２の平滑化された表面に磁化
記録層としてのＣｏ−Ｃｒ系薄膜４をス・Ｐツタリング
によって１μｍ以下の厚さに形成して垂直磁気ディスク
記録媒体が完成される。
尚、上記Ｃｏ−Ｃｒ系薄膜４のス・七ツタリング形成は
、例えば圧力５ｍＴｏｒｒのＡｒガス雰囲気中で、前記
ディスク基板１の温度を１２０〜２２０℃に加熱して行
われる。
、例えば圧力５ｍＴｏｒｒのＡｒガス雰囲気中で、前記
ディスク基板１の温度を１２０〜２２０℃に加熱して行
われる。
次表は、このようにして製作される磁気ディスク記録媒
体のＣｏ−Ｃｒ系薄膜層４についてその磁気特性を、従
来構造のものと対比して示したものである。
体のＣｏ−Ｃｒ系薄膜層４についてその磁気特性を、従
来構造のものと対比して示したものである。
尚、上記表中のＣ軸分微角は、Ｘ線集合組織測定装置に
より測定されたロッキング曲線の半値幅を示している。
より測定されたロッキング曲線の半値幅を示している。
この表に示されるように、本発明に係る磁気ディスク記
録媒体によれば、従来構造のものに比較してＣｏ−Ｃｒ
膜４のＣ軸配向が良好であると云える。そしてペストモ
ードにあってはＣ軸分微角を３５程度にまで設定できる
ことが確認された。しかも、上記Ｃｏ−Ｃｒｆ３欣層４
の垂直抗磁力を１００００ｅ（エルステッド）以上にす
ることもでき、垂直磁化記録に十分的した基本特性を有
することが判る。
録媒体によれば、従来構造のものに比較してＣｏ−Ｃｒ
膜４のＣ軸配向が良好であると云える。そしてペストモ
ードにあってはＣ軸分微角を３５程度にまで設定できる
ことが確認された。しかも、上記Ｃｏ−Ｃｒｆ３欣層４
の垂直抗磁力を１００００ｅ（エルステッド）以上にす
ることもでき、垂直磁化記録に十分的した基本特性を有
することが判る。
これに対し、アルマイト層を形成し／こディスク基板上
にＣｏ−Ｃｒ薄膜層を形成した場合、そのＣ軸配向は非
常に悪い。このことは垂直磁化記録に適した基本特性が
発揮されないことを意味する。まだアルマイト層にチタ
ン（’ｒｉ）ｉを介してＣｏ−Ｃｒ薄膜層を形成した場
合、本発明構造のものと同程度若しくはやや低いＣ軸配
向を示し、かつＴｉ層の形成等、その製造工程が棲雑で
ある等の不利な点が多い、 以上のように本発明によれば、Ｎ１−Ｐ層によって、そ
の表面精度を高くした上でＣｏ−Ｃｒ層を形成すること
ができ、その磁気記録特性を優れたものとすることがで
きる１、しかもＴｉ層等の中間層を設けることなしに、
ＮｉＰ層上に＠接Ｃｏ−Ｃｒ層を形成することができる
ので、その製造工程が非常に簡単である。故に、垂直磁
化記録に適したディスク記録媒体を安価に安定に供給す
ることが可能となり、実用上絶大なる効果が奏せられる
。
にＣｏ−Ｃｒ薄膜層を形成した場合、そのＣ軸配向は非
常に悪い。このことは垂直磁化記録に適した基本特性が
発揮されないことを意味する。まだアルマイト層にチタ
ン（’ｒｉ）ｉを介してＣｏ−Ｃｒ薄膜層を形成した場
合、本発明構造のものと同程度若しくはやや低いＣ軸配
向を示し、かつＴｉ層の形成等、その製造工程が棲雑で
ある等の不利な点が多い、 以上のように本発明によれば、Ｎ１−Ｐ層によって、そ
の表面精度を高くした上でＣｏ−Ｃｒ層を形成すること
ができ、その磁気記録特性を優れたものとすることがで
きる１、しかもＴｉ層等の中間層を設けることなしに、
ＮｉＰ層上に＠接Ｃｏ−Ｃｒ層を形成することができる
ので、その製造工程が非常に簡単である。故に、垂直磁
化記録に適したディスク記録媒体を安価に安定に供給す
ることが可能となり、実用上絶大なる効果が奏せられる
。
尚、本廓明は上記実゛施例に限定されるものではなく、
各層の膜厚や、その形成法は仕様に応じて定めればよい
。要するに本発明はその要旨を逸脱しない範囲で種々変
形して実施できる。
各層の膜厚や、その形成法は仕様に応じて定めればよい
。要するに本発明はその要旨を逸脱しない範囲で種々変
形して実施できる。
図は本発明の一実施例に係る垂直磁気ディスク記録媒体
の構造を模式的に示す断面図である。 １・・・ディスク基板（Ａｔ合金）、２．３・・・Ｎ１
−Ｐ層、４・・・Ｃｏ−Ｃｒ薄膜層。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦手 続 ネ市
正 書 １．事件の表示 特願昭５８−５１９７８号 ２、発明の名称 垂直磁気ディスク記録媒体 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （３０７）株式会社 東芝 ４、代理人 東京都港区虎ノ門１丁目２６番５号第１７森ヒル６、補
正の対象 （１）特許請求の範囲を別紙の通り訂正する。 （２）明細書、第５頁第１１行目に１図は」とあるを「
第１図は」と訂正する。 （３）同、第６頁第２行目に「（ｗｔ％）」とあるを「
（ａｔｎ＋ｉｃ％）」と訂正する。 （４，）同、第６頁第１８行目に「行われる。」とある
次に「このような温度範囲に設定すると、第２図および
第３図から明らかなように、垂直方向抗磁力）−１ｃｖ
およびＣ軸分敗色の優れた記録媒体を得ることができる
。」なる文章を挿入する。 （５）同、第９頁第９行目乃至同頁第１０行目に「図は
・・・である。」とあるを［第１図は本発明の一実施例
に°係る垂直磁気ディスク記録媒体の構造を模式的に示
す断面図、第２図は記録媒体の基板温度に対する垂直方
向抗磁力の関係を示す図、第３図は基板温度に対するＣ
軸分敗色の関係を示す図である。」と訂正する。 （６）添附図面を別紙の通り第１図とし、第２図および
第３図を別紙の通り追加する。 ２、特許請求の範囲 （１）テーイスク基扱と、このディスク基板上（胆成さ
れたＮ ；−ｐ層と、このＮ ｉ−Ｐ層の平滑化処理さ
れた表面に形成された強磁性ＣＯ系垂直磁化記録層とを
具備したことを特徴とする垂直磁気ディスク記録媒体。 （２）強磁性ＣＯ系垂直磁化記録層は、Ｎ ；−ｐ層表
面にスパッタリング形成されたｃｏ−Ｃｒ膜からなるも
のである特許請求の範囲Ｎ１項記載の垂直磁気ディスク
記録媒体。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 （ａＯ）八）Ｈ’ｎβ１β博宴Ｉ叩 （’６ａｐ）虻’４ｒ’！ｔ〜つ ＝１４９
の構造を模式的に示す断面図である。 １・・・ディスク基板（Ａｔ合金）、２．３・・・Ｎ１
−Ｐ層、４・・・Ｃｏ−Ｃｒ薄膜層。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦手 続 ネ市
正 書 １．事件の表示 特願昭５８−５１９７８号 ２、発明の名称 垂直磁気ディスク記録媒体 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （３０７）株式会社 東芝 ４、代理人 東京都港区虎ノ門１丁目２６番５号第１７森ヒル６、補
正の対象 （１）特許請求の範囲を別紙の通り訂正する。 （２）明細書、第５頁第１１行目に１図は」とあるを「
第１図は」と訂正する。 （３）同、第６頁第２行目に「（ｗｔ％）」とあるを「
（ａｔｎ＋ｉｃ％）」と訂正する。 （４，）同、第６頁第１８行目に「行われる。」とある
次に「このような温度範囲に設定すると、第２図および
第３図から明らかなように、垂直方向抗磁力）−１ｃｖ
およびＣ軸分敗色の優れた記録媒体を得ることができる
。」なる文章を挿入する。 （５）同、第９頁第９行目乃至同頁第１０行目に「図は
・・・である。」とあるを［第１図は本発明の一実施例
に°係る垂直磁気ディスク記録媒体の構造を模式的に示
す断面図、第２図は記録媒体の基板温度に対する垂直方
向抗磁力の関係を示す図、第３図は基板温度に対するＣ
軸分敗色の関係を示す図である。」と訂正する。 （６）添附図面を別紙の通り第１図とし、第２図および
第３図を別紙の通り追加する。 ２、特許請求の範囲 （１）テーイスク基扱と、このディスク基板上（胆成さ
れたＮ ；−ｐ層と、このＮ ｉ−Ｐ層の平滑化処理さ
れた表面に形成された強磁性ＣＯ系垂直磁化記録層とを
具備したことを特徴とする垂直磁気ディスク記録媒体。 （２）強磁性ＣＯ系垂直磁化記録層は、Ｎ ；−ｐ層表
面にスパッタリング形成されたｃｏ−Ｃｒ膜からなるも
のである特許請求の範囲Ｎ１項記載の垂直磁気ディスク
記録媒体。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 （ａＯ）八）Ｈ’ｎβ１β博宴Ｉ叩 （’６ａｐ）虻’４ｒ’！ｔ〜つ ＝１４９
Claims (2)
- （１） Ａｔ合金からなるディスク基板と、このディ
スク基板上にメッキ法によって形成されたＮ１−Ｐ 層
と、このＮ１−Ｐ 層の平滑化処理された表面に形成さ
れた強磁性ＣＯ系垂直磁化記録層とを具備したことを特
徴とする垂直磁気ディスク記録媒体。 - （２）強磁性Ｃｏ系垂直磁化記録層は、Ｎ１−Ｐ層表面
にスパッタリング形成されたＣｏ−Ｃｒ膜からなるもの
である特許請求の範囲第１項記載の垂直磁気ディスク記
録媒体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58051978A JPS59177726A (ja) | 1983-03-28 | 1983-03-28 | 垂直磁気デイスク記録媒体 |
| US06/588,881 US4629660A (en) | 1983-03-28 | 1984-03-12 | Perpendicular magnetic-recording medium |
| EP84102804A EP0120413B1 (en) | 1983-03-28 | 1984-03-14 | Perpendicular magnetic-recording medium and method of manufacturing the same |
| DE8484102804T DE3461738D1 (en) | 1983-03-28 | 1984-03-14 | Perpendicular magnetic-recording medium and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58051978A JPS59177726A (ja) | 1983-03-28 | 1983-03-28 | 垂直磁気デイスク記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59177726A true JPS59177726A (ja) | 1984-10-08 |
Family
ID=12901951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58051978A Pending JPS59177726A (ja) | 1983-03-28 | 1983-03-28 | 垂直磁気デイスク記録媒体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4629660A (ja) |
| EP (1) | EP0120413B1 (ja) |
| JP (1) | JPS59177726A (ja) |
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