JPH0159359B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

（産業上の利用分野） 本発明は磁気デイスク用基盤の製造技術に係
り、より詳細には、アルミ合金基盤上に無電解
Ni−Ｐメツキにより下地メツキ層を形成した磁
気デイスク用基盤の耐食性向上方法に関する。 （従来の技術及び解決しようとする問題点） 一般に、磁気デイスク用基盤としては、金属製
デイスク基盤上に磁性層を形成して製造される
が、記録密度の高密度化に伴つて磁気デイスク用
基盤と磁気ヘツドとの間隔はますます小さくな
り、0.1μm程度狭くするよう要請されてきてい
る。そのため、基盤表面の欠陥はできるだけ小さ
く、かつ表面粗度もできるだけ小さいことが要求
される等、基盤の平滑度が重要な特性となつてい
る。 一方、磁気デイスクは、データの長期フアイリ
ング用として使用されるものであるため、保存中
に基盤の腐食によりふくれや生成物等が僅ずかで
も発生すると、ヘツドクラツシユの発生、記録の
消失などによつて記録媒体として用をなさなくな
ることから、基盤の耐食性が重要な因子の１つと
なつている。 これらの要請を考慮し、最近では、磁気デイス
ク用基盤として、非磁性で、高速回転に耐える剛
性を有し、優れた耐食性と良好な加工性を備えて
いる等の観点から、アルミ合金に無電解Ni−Ｐ
メツキを施して下地メツキ層を形成した基盤が使
われ始めてきている。 ところで、上記無電解Ni−Ｐメツキによる下
地Ni−Ｐ皮膜の耐食性の評価方法の１つとして、
この下地メツキ層を施したアルミ合金基盤を塩酸
溶液中に一定時間浸漬する方法がある。この方法
によれば、耐食性が悪い場合にはNi−Ｐメツキ
皮膜表面にふくれが発生し、著しい場合にはアル
ミ素地を完全に溶かし、Ni−Ｐメツキ皮膜が脱
落することになる。 しかし、この耐食性の問題は従来より指摘され
ていないから、これまでの無電解Ni−Ｐメツキ
アルミ合金基盤は必ずしも耐食性が良好とは云え
ず、そのため、様々な耐食性向上方法が試みられ
てはいるが、有効な解決手段がないのが現状であ
る。 本発明は、かゝる状況に鑑みてなされたもので
あつて、アルミ合金基盤上に無電解Ni−Ｐメツ
キによつて下地メツキ層を形成した磁気デイスク
用基盤の耐食性、特に耐酸性を向上し得る新規な
方法を提供することを目的とするものである。 （問題点を解決するための手段） 上記目的を達成するため、本発明者は、無電解
Ni−Ｐメツキアルミ合金基盤に種々の表面処理、
熱処理等を施す実験研究を重ねた結果、その原理
は必ずしも明らかではないが、該メツキ基盤を特
定条件で熱処理することにより可能であることを
見い出したものである。 すなわち、本発明に係る磁気デイスク用無電解
Ni−Ｐメツキ基盤の耐食性向上方法は、アルミ
合金基盤上に無電解Ni−Ｐメツキを施した後、
該基盤全体を少なくとも１回以上の頻度で100℃
以上、260℃未満の温度に加熱することを特徴と
するものである。 以下に本発明を実施例に基づいて詳述する。 本発明法が対象とする磁気デイスク用基盤は、
従来と同様にして、アルミ合金基盤を製造し、無
電解Ni−Ｐメツキを施したものであり、特に製
造条件、メツキ条件等々は制限されない。 無電解Ni−Ｐメツキ処理後に加熱するに際し
ては、加熱温度は100℃以上必要であるが、しか
し、該メツキ層の磁化転移温度（260℃）未満の
温度、望ましくは150〜250℃とし、かつ該温度で
少なくとも１回以上加熱する。なお、100℃未満
では耐食性改善の効果が少なく、また磁化転移温
度以上に加熱すると下地Ni−Ｐメツキ皮膜に構
成変化が起こるので、磁化転移温度以上での加熱
は避けなければならない。すなわち、磁気デイス
ク用下地として用いられる無電解Ni−Ｐ皮膜は、
通常メツキのまゝの状態ではアモルフアスのため
非磁性を保つているが、磁気転移温度以上に加熱
すると急激に結晶化が進んで磁性を帯び、磁気デ
イスク用の下地基盤として用いることができなく
なるためである。 なお、本発明における磁化転移温度とは、その
温度で特定時間加熱した後の残留磁束密度（Br）
が２ガウス以下となる温度と定義されるもので、
Ni−Ｐの成膜速度のコントロール等によつてＰ
濃度を高くすれば磁化転移温度を高めることが可
能である。通常の条件での無電解Ni−Ｐメツキ
皮膜の磁化転移温度は概ね260℃程度であるが、
本発明における加熱温度は高いほど望ましいの
で、260℃以上の磁化転移温度となるような条件
でメツキするのが望ましい。 また、１回の加熱時間は加熱温度により異な
り、高温側では10分以上で良いが、品質の安定
性、作業性等を考慮すると30〜60分が適当であ
る。 勿論、上記加熱条件によつては、加熱を２回以
上繰り返しても同様の効果が得られる。 次に本発明の実施例を示す。 （実施例） ５インチサイズのアルミ合金サブストレート上
に無電解Ni−ＰメツキによりNi−Ｐ皮膜（磁化
転移温度260℃）を形成した基盤を試料とし、恒
温槽を用いて大気中に示す温度で60分間加熱し
た。 次いで、加熱後の試料について耐塩酸試験を実
施した。試験は、35℃±１℃の温度に加熱した５
％濃度の塩酸溶液に24時間浸漬して行い、試験後
の試料の表面外観の変化を調べた。また、振動試
料型磁力計を用いて帯磁性を測定し、加熱による
影響を調べ、更に、加熱後のメツキ基盤の歪を測
定して基盤の平坦度を調べた。これらの結果は第
１表に併記する。 同表よりわかるように、無電解Ni−Ｐメツキ
アルミ合金基盤に加熱処理をしない従来例（No.
１）では試料全面にふくれが発生したが、加熱温
度を高めることによりふくれの数は少なくなり
（No.２）、適切な加熱処理をした本発明例（No.３〜
５）はいずれも全くふくれが発生せず、しかも帯
磁性も良好であり、基盤の平坦度も優れている。
なお、加熱温度が高すぎるとふくれ発生は認めら
れないものの、帯磁性が悪化すると共に基盤の平
坦度も劣化している（比較例No.６〜No.10）。

【表】 （発明の効果） 以上説明したように、本発明によれば、磁気デ
イスク用下地Ni−Ｐメツキアルミ合金基盤を所
定の温度で加熱処理するので、下地Ni−Ｐメツ
キ皮膜にふくれ、脱落等が全く起こらず、皮膜特
性を損なうことなく、極めて優れた耐食性を付与
することができる。したがつて、磁気デイスクを
長期使用しても基盤の平滑度を維持でき、ヘツド
クラツシユ、記録の消失性を防止可能となる。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ アルミ合金基盤上に無電解Ni−Ｐメツキを
   施した後、該基盤全体を少なくとも１回以上の頻
   度で100℃以上、260℃未満の温度に加熱すること
   を特徴とする磁気デイスク用無電解Ni−Ｐメツ
   キ基盤の耐食性向上方法。