JPS61224118A - 磁気デイスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、電子計算機の記憶装置として用いる磁気ディ
スクに関するものである。

（従来の技術） 最近の電子計算機の発達にしたがい、外部記憶装置とし
て、磁気ディスク装置が多く用いられているが、現在の
磁気媒体塗布型のディスクでは媒体を薄くかつ磁束密度
を高めることが困難なため、記碌密度をこれ以上大きく
できないのが問題になっているｎ そこで、スパッタや蒸着、メッキ等によりて付与した薄
膜磁気媒体を有する磁気ディスクが開発されている。こ
れらの磁気ディスクは、軽量、低価格および高強度の点
から、非磁性基板としてアルミニウム合金が主に用いら
れているが、前記薄膜磁気媒体を直接アルミニウム合金
に付与すると、フライングヘッドの衝突によりて、媒体
および基板に大きな穴を生じ磁気ディスクとしての使用
に耐えられなくなる。したがってアルミニウム合金上に
非磁性で、かつ、硬く、緻密な下地膜を付与する必要性
が生じる。

現在、その下地膜として無電解ニッケルメッキ（電気を
流さない純化学的に膜を付着させるメッキ）膜や陽極酸
化（アルマイト処理）膜等を用いた磁気ディスクが試作
発表されている０だが、ｒ−Ｆｅｗ　Ｏｘ　、　Ｇｏ　
−Ｎｉ等の磁気媒体の磁気特性を良好なものにしようと
すると、熱処理（例えば３００℃ｘ３ｈｒ）が必要であ
るため、フライングヘッドの衝突に耐える強度に加え、
熱処理しても変形。

変質しない性質をもつ下地膜が要請される。この点を鑑
みると前記無電解ニッケルメッキ膜（遷元剤として次亜
リン酸ナトリウムを用いる）は、熱処理により磁気を帯
び、陽極酸化膜は、加熱によってクラックが生じ強度が
足りず、両者とも二つの要請を満足するものではない。

％に、前者の場合１０Ｇ以上に磁化するとノイズが大き
くなり、磁気記録としてのＳ／Ｎ比が規定値より小さく
なる。このため、現在は、熱処理温度を低くシ、磁気特
性が好ましくない（例えば角形比０．６９）ものを用い
ている。

また、無電解ニッケルメッキは、安価で緻密な膜が安定
にできる方法なので広く用いられているが、ある温度以
上で帯びる磁化を問題にして改良された公知例はほとん
どない。電解ニッケルメッキとしては、膜中にタングス
テンを６５チ近くいれて高温でも非磁性にした例（例え
ば特開昭４８−９０５０６号公報参照）があるが、無電
解ニッケルメッキとしては、リン濃度を高めれば高める
ほど磁化しにくくなることが一般に知られている程度で
ある。リン濃度は、最高１３重量％まで膜中にいれられ
、磁化開始温度は、約２７０℃まで高められる。また、
非磁性な無電解ニッケルメッキ膜は、常温ではアモルフ
ァス状態にあり、結晶化開始温度で磁化をはじめ、Ｎ１
５Ｐになるとされている。つまり、磁化開始温度は、結
晶化温度とほぼ等しいことが知られている。

（発明が解決しようとする問題点） 本発明は、上記無電解ニッケルメッキ膜の磁化開始温度
を高め、磁化によるノイズが小さい磁気ディスクを提供
することである。

（問題点を解決するための手段） 本発明は、前記問題点を解決するために、非磁性基板、
下地処理膜、磁性膜および保護膜からなる磁気ディスク
において、前記下地処理膜をＭｏ　。

Ｎｂ　ｔ　Ｔａ　、　Ｗの少なくとも一種を重量比で１
〜２０チ含む無電解ニッケル膜で形成するようにした磁
気ディスクにある。

即ち、本発明は、無電解ニッケルメッキ膜の磁化開始温
度を高めるためには結晶化温度を高めればよいというこ
とを見出し、そのために、無電解ニッケルメッキ膜中に
、隅＊　Ｍｏ　＃　Ｔａ　ｐＷの金属を固溶させてアモ
ルファス状態を高温でも実現させた下地処理膜を有する
磁気ディスクに関するものである。このＮｂ　ｅ　Ｍｏ
　、　Ｔａ　ｐＷは、少なくとも１種をメッキ浴組成に
あわせて、膜中に１〜２０チ固溶させれば、結晶化温度
を１重量％に対し５〜１０℃上昇させることができる。

なお、これらを２０％以上いれると、浴が不安定になり
分解を生じる。また、これらを１ｔｓ以上いれれば、結
晶化温度は濃度にほぼ比例して増加するが、微量だとそ
の効果は小さい。

（実施例） 第１表は、本発明の実施例を示すものである。

第１表 これらの基板は、すべてアルミニアム３重ｆ％マグネシ
ウム合金で、表面を研磨したものを用いた。

第２表は、第１表の条件で作成した膜の磁化開始温度を
３ｈｒの熱処理で、１０Ｇを超える磁化が生じる温度を
示したものである。

第　　　２　　　表 膜中にＮｂ　ｔ　Ｍｏ　、　Ｗを入れるといずれも磁化
開始温度は上昇する。なお、第２表に膜成分を示す。

浴番号チ、すでわかるように、浴成分にＷを多くすると
、膜内のＷは増加するか、Ｐが逆に減少する傾向がある
。

第１図は、隅の濃度と磁化開始温度との関係を示すもの
で、１重ｆ％に対し９℃上昇している。

また、温度と磁化との関係を第２図に示す。浴番号口は
磁化曲線が高温側にずれている。なお、これらのメッキ
膜は、表面は緻密であり、密着性もディスクとして十分
実用に耐えうるものであった。

また、浴番号イ９口、ハのメッキ膜に対しては、表面を
軽く研磨した後、Ｆｅ５Ｏｎ（含Ｃｏ　３チ）を厚み１
８００Ａになるようスパッタし、γ−Ｆｅ＊Ｏｓにする
ため３００℃Ｘ　３　ｈｒで熱処理した後のＢ　−Ｈ曲
線を第３図に、Ｃｏ　−Ｎｆを１５０ＯＡになるようＮ
２含有Ａｒ雰囲気中でスパッタして、真空中で熱処理し
た後のＢ−Ｈ曲線を第４図にそれぞれ示した。第３図、
第４図のＢ−Ｈ曲線より、Ｍｏ　＋　Ｎｂを入れないと
下地膜の磁化の影響が現われ、磁気特性が、磁気記録に
使用しにくいものになることがわかる。

（発明の効果） 以上述べたように、本発明は、非磁性基板、下地処理膜
、磁性膜および保護膜からなる磁気ディスクにおいて、
下地処理膜をＭｏ　ｒ　Ｎｂ　＋　Ｔａ　、　Ｗの少な
くとも１種を１〜２０％未満含む無電解ニッケルメッキ
膜で形成すると、磁気特性が良好である磁気ディスクが
得られる効果を有す。

【図面の簡単な説明】

第１図は、無電解ニッケルメッキ膜に含まれたＮｂ濃度
と磁化開始温度との関係を示す図、第２図は、３ｈｒの
熱処理温度と残留磁化との関係を示す図、第３図は、従
来方法の下地処理膜と本発明による下地処理膜を用いた
ｒＦｅｚＱｓ媒体磁気ディスクの熱処理後の磁気特性を
示す図、第４図は、第６図と同じ下地膜のＣｏ　−Ｎｉ
媒体磁気ディスクの熱処理後の磁気特性を示す図である
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Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 非磁性基板、下地処理膜、磁性膜および保護膜からなる
   磁気ディスクにおいて、前記下地処理膜をＭｏ、Ｎｂ、
   Ｔａ、Ｗの少なくとも一種を重量比で１〜２０％含む無
   電解ニッケルメッキ膜で形成することを特徴とする磁気
   ディスク。