JPS61276115A - 磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は磁気記録媒体及びその製造方法に係り、特に基
板上に下地層と磁性膜層とが形成され。

た磁気記録媒体及びその製造方法に関するものである。

［従来の技術］ 近年、コンピュータの小型化や処理能力の増大化に伴い
、外部メモリ装置の記憶容量を更に増大されることが要
求されてきている。この要求を満足させるためには、外
部メモリ装置に用いられる磁気ディスクも、更に記録密
度を増加させる必要があり、このためには、記録層を形
成する磁性薄膜の磁気特性の向上と記録層のより一層の
薄膜化を促進しなければらない。

そこで、スパッタリング法によりコバルト又はコバルト
ニッケル（ＣｏＮｉ）合金の薄膜層を形成したものが提
案されており（Ｊ、Ａｐｐｌ。

Ｐｈｙ　ｓ　、５３　（５）、１９８２、特開昭５７−
７２３０号公報等）、その他、コバルト−白金系のもの
も公知である。

而してアルミニウム基合金の基板上に、上記の如き磁性
薄膜を形成するに際しては、一般に、まず基板上に下地
層を形成し、この下地層の上に磁性薄膜を形成するよう
にしている。この下地層は、ヘッドがディスク面に衝突
する際の衝撃に耐え、該ディスク面の変形を防ぐための
ものであるので十分な硬度を有することが要求される。

従来、磁気ディスクにおいては、下地層として、アルマ
イト膜やニッケルーリン無電解メッキ膜（Ｎｉ−Ｐ膜）
等が使用されている。

［発明が解決しようとする問題点］ 従来、下地層として用いられているＮｉ−Ｐ膜は、硬度
は十分に高いものの、２００ないし２５０℃以上の温度
で帯磁し、ノイズが大さくなるので、磁気記録媒体製造
時の条件にかなりの制約を受けるという問題がある。

また、アルマイト膜は、加熱しても帯磁はしないものの
、十分な衝撃耐力を得るためには膜厚を大きくとらねば
ならず、これがために温度の昇降に際して内部熱応力が
過大となって亀裂が発生し易くなる。

一方、従来、磁性膜層として用いられているＣｏＮｉ合
金薄膜は、磁化容易軸の膜面内方向への配向性が低く、
それだけ磁気特性が低かった。

［問題点を解決するための手段］ 上記従来技術の問題点を解決するために、本発明は、 ディスク形基板の板面上に、下地層及び磁性膜層が形成
された磁気記録媒体において、下地層は、厚さが６〜１
５μｍでビッカース硬度Ｈｖが３００以上の多孔質のア
ルマイト質であり、 磁性膜は、 （イ）　Ｎｉ含有率が１０〜３５原子％であるＣｏ−Ｎ
ｉ合金であり、 （ロ）　　　１００〜５００Ａの粒径の結晶粒を主体と
し、 （／’）　　　（００２）面（７）Ｘ線回折強度と（１
００）面のＸ線回折強度との比、即ちＩ（００２）／Ｉ
（１００）で定義されるＲ値がＯ≦Ｒ≦３の範囲にある
。

ことを特徴とする磁気記録媒体、 及び アルミニウム又はアルミニウム合金のディスク形基板を
クロム酸含有混合液中で陽極酸化して、厚さが６〜１５
μｍでビッカース硬度Ｈｖが３００以上の多孔質のアル
マイト質の下地層を形成した後、Ｎ２及び／又は０２を
含むＡｒガス雰囲気中でＧ　ｏ−Ｎ　ｉ合金薄膜を成膜
し、次いで熱処理することにより、 （イ）　Ｎｉ含有率が１０〜３５原子％であるＣｏ−Ｎ
ｉ合金であり、 （ロ）　　　１００〜５００Ａの粒径の結晶を主体とし
、 （ハ）　　　（００２）面（７）Ｘ線回折強度と（１０
Ｏ）面のＸ線回折強度との比、即ちＩ（００２）／Ｉ（
１００）で定義されるＲ値が０≦Ｒ≦３の範囲にある。

磁性膜を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造
方法、 を要旨とするものである。

以下本発明につき更に詳細に説明する。

本発明の磁気記録媒体は、アルミニウム基合金等の基板
上に下地層と磁性膜層とが形成されている。

基板の材質としては、アルミニウム又はアルミニウムを
主成分とし、これにその他の金属元素を加えて強度、剛
性、耐食性等の特性のうち１又は２以上の特性を改良す
るようにしたものが好適に用いられ、例えばマグネシウ
ムを７重量％以下、例えば３〜４重量％含むものが用い
られる。なおシリコンは、二酸化珪素として析出し易い
ので、不純物中のシリコン含有量の小さいものが好まし
い。

この基板上に形成される下地層は多孔質のアルマイト質
のものである。この下地層は、後述の如く、陽極酸化等
によってアルミニウム又はアルミニウム基合金の基板表
面を酸化することによって容易に形成されるのであるが
、この酸化に際して、基板に含まれるアルミニウム以外
の金属の酸化によって生じた酸化物が下地層中に混在さ
れるようになり、従って、通常、被膜中の酸化アルミニ
ウム以外の金属酸化物の種類及び量は基板中のアルミニ
ウム以外の金属の種類及び含有率に影響される。

この下地層の厚さは、６μｍ〜１５＃Ｌｍとされる。６
μｍよりも薄い場合には、ヘッドの衝突に対する耐力が
小さく、いわゆるヘッドクラッシュを生ずるおそれがあ
り、一方１５４ｍよりも大きい場合には、製造時等にお
ける温度の昇降によって生ずる内部熱応力が過大になっ
て亀裂を生じさせるおそれがある。

このアルマイト下地層は、多孔質のものであり、かつ耐
熱性を有するものであるが、このようなアルマイト下地
層は、アルミニウム又はアルミニウム基合金の基板を、
クロム酸溶液を用いて電解酸化すると共に、このときの
条件を調整することにより製造することができる。

下地層の多孔の程度は、相対密度が７０〜９０％程度の
ものが好適である。７０％よりも相対密度が小さいと衝
撃耐力が小さくなってヘッドクラッシュを生ずるおそれ
がある。また、９０％よりも、大きいときには、内部熱
応力を小さくする作用が小さくなって、亀裂を発生させ
るおそれがある。Ｉ４に好ましい相対密度は７５〜９０
％程度である。この相対密度は、下地層の断面の電子顕
微鏡写真を撮影し、空孔部の面積を測定することにより
求めることができる。

なお、下地層に含まれる気孔は、なるべく小径で、かつ
均一径のものが好ましい、アルマイト下地の空孔が比較
的多く、衝撃耐力を高めるためＯｒなどの高硬度非磁性
下地膜を付加するか、アルマイトボアにＯｒなどの高硬
度非磁性金属を電解析出させてもよい。

下地層はビッカース硬度Ｈｖが３００以上のものが用い
られる。Ｈｖが３００よりも小さい場合には衝撃耐力が
小さくなる。

下地層の上に形成される磁性層としては、（イ）　Ｎｉ
含有率が１０〜３５原子％であるＣｏ−Ｎｉ合金であり
、 （ロ）　　　ｉｏｏ〜５００Ａの粒径の結晶粒を主体と
し、 （ハ）　　　（００２）面のＸ線回折強度と（１００）
面のＸ線回折強度との比、即ちＩ（００２）／Ｉ（１０
０）で定義されるＲ値がＯ≦Ｒ≦３の範囲にある、 ものが用いられる。

以下に、この（イ）〜（ハ）の要件について説明する。

（イ）　　Ｃｏの一部をＮｉで置換することによりＨｃ
を変化させ、媒体の要求特性に応じたＨｃの調整を容易
にできる。Ｎｉの含有率が１０原子％よりも低い場合に
は、この作用が小さい、一方、Ｎｉの含有率が３５原子
％を超えるときには、飽和磁束密度Ｂｓが低下し、また
結晶系がｈｃｐからｆｃｃに変り、膜面内の角形比Ｓが
低下するようになる。

なお、本発明においては、Ｃｏ−Ｎｉ合金薄膜媒体中の
Ｃｏの一部を、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｈｆ。

Ｒｕ　、Ｐｔの単独或いはこれらの２種以上を複合して
、合計量で２〜２０ａｔ％の範囲内で置換しても差支え
ない。

（ロ）　　　１００〜５００人の粒径の結晶粒を主体と
することにより、磁気特性が優れたものになる。即ち、
結晶粒の主体が３０ＯＡよりも小さくなると、Ｈｃが小
さくなり、一方５００Ａよりも大きくなると、ノイズが
大きくなり、高密度記録に不適となる。特に好ましいの
は２００〜３００Ａであり、Ｈｃが高くノイズの小さい
磁性膜層となる。

なお、本明細書において、「主体」とは、５０％以上の
数の粒子が当該粒径範囲に含まれることをいい、この粒
径の測定は電子顕微鏡によって観察することにより行わ
れる。

（ハ）　Ｒ値即ちＩ　（００２）／Ｉ　（１００）を０
≦Ｒ≦３とすることにより磁化容易軸（Ｃ軸）の膜面内
配向性を高めることかで′きる。

基板上に形成された種々のＣｏ−ＮＬ膜のＣ軸方向につ
いて検討したところ、上記Ｒ値とＣ軸の配向性との間に
は極めて密接な関係があリ、Ｒ＝Ｏでは、Ｃ軸が完全に
膜面内方向に配向し、Ｒ＝３では、Ｃ軸方向の分布が完
全にランダムであり、全く配向性を示さないこと、０＜
Ｒ＜３の範囲では、Ｃ軸が膜面内方向にある粒子の数の
方が多くなり、Ｒ＞３の範囲では、Ｃ軸が膜面との垂直
方向にある粒子の方が多くなることが認められた。従っ
て、０≦Ｒ≦３とすることにより、磁化容易軸の面内配
向性を高めることができる。（なお、Ｒ＝３であっても
、垂直方向には配向していないので、本発明において採
用し得る。） 第１図はＮ２＋Ａ２中でスパッタしたＣｏ−Ｎｉ膜のＸ
線回折チャートの一例を示し、ｗＩＪ２図はこれを３５
０℃Ｘ３Ｈｒ真空中熱処理後のＸ線回折チャートの一例
を示すものである。第１図においてはＲ，ｗ３、第２図
においてはＲ，＝１．３であり、熱処理によりＣ軸の面
内配向性が向上している。

本発明では、Ｎ及びＯの含有率がそれぞれ１原子％以下
となるようにすることにより、Ｈｃを大きくすることが
できる０本発明の磁気記録媒体は、後述のように、基板
上に下地層を形成し、更にその上に、Ｎ２及び／又は０
２を含む雰囲気中でスパッタリングすることによりＮ及
び／又は０を含んだＣｏ−Ｎｉ膜を形成し、これを熱処
理する工程を経て製造することができるのであるが、こ
の熱処理工程においてＮ、０が離脱すると共に粒成長が
生ずる。そして、残留するＮ、０がそれぞれ１原子％以
下となるような熱処理を施すことにより、所定粒径にま
で粒成長した、磁気特性の良い磁性膜層が形成される゛
のである。

Ｎと９とは、ＣｏＮとＣｏＯの双方がＸ線的には検出さ
れないように、十分な脱Ｎ及び／又は脱Ｏ熟処理を施す
のが好ましい。

このような本発明の磁気記録媒体は、本発明の方法に従
って、例えば次のようにして製造することができる。

即ち、アルミニウム又はアルミニウム基合金基板をクロ
ム酸を例えば５〜３０ｗｔ％程度含む混合液中で陽極酸
化し、基板表面に多孔質のアルマイト層を形成する。次
に、Ｎ２を含むＡｒガス雰囲気中でスパッタリング等の
成膜法によってＣｏ−Ｎｉ合金薄膜を基板上に形成し、
然る後熱処理し、Ｎを放出させてＮ含有率を１原子％と
するものである。

このスパッタリングを行なうには、通常のスパッタリン
グ装置、即ち、ターゲット及び試料設置台を有する装置
ケーシング、このケーシング内を加熱するためのヒータ
、このケーシング内を減圧するための真空ポンプ及びケ
ーシングに接続されたガスボンベを備えて構成されたも
のが好適に用いられる。このターゲットとしては、形成
する膜の合金組成と完全に又はほぼ一致した合金組成の
ものが好適である。

スパッタリングは、Ａｒのほかに０２及び／又はＮ２を
含む雰囲気で行なわれる。雰囲気圧は、全圧でｌ　〜ｌ
ｏＯｍＴｏｒｒ、とりわけ５〜５０ｍＴｏｒｒとするの
が好適である。なお、予定するスパッタリング雰囲気を
形成するに先立って、一旦、ｔｏ−５Ｔｏｒｒ以下の真
空に減圧するのが好適である。スパッタリング時の全圧
に対する０２及び／又はＮ２の分圧は１０〜９０％、と
りわけ２０〜８０％が好ましい。

スパッタリングを行なうときには、基板を加熱しても良
く、室温のまましにしても良い。基板を加熱する場合は
、２５０℃以下、とりわけ２２０℃以下とするのが好ま
しい、スパッリング時間は、形成しようとする膜厚を、
平均的な膜形成速度で購り算することにより決定される
。

スパッタリング装置としては、上記のような温度、雰囲
気、雰囲気圧力等の条件を種々調節できるものが好適で
ある。良く知られており、本発明で用い得るスパッタリ
ング装置としては、高周波マグネトロンスパッタリング
装置、円型マグネトロンスパッタリング装置、平板型マ
グネトロンスタッパリング装置、同軸円筒電極型マグネ
トロンスパッタリング装置、イオンビームスパッタリン
グ装置、高周波スパッタリング装置、直流２極スパツタ
リング装置などが挙げられる。

本発明の製造方法において、基板上にまず形成する薄膜
中のＮの含有率は２０原子％以上例えば４０〜５０原子
％とするのが好ましい、このようにスパッタリング時に
多量のＮを薄膜に含有させると、アモルファス状又は粒
径５０Ａ〜１５０Ａ程度の微結晶体より成る薄膜が形成
され、この薄膜は後工程の熱処理で結晶化又は粒径１０
０〜５００Ａ程度に粒成長し適度なＨｃを有しかつ高角
形比の磁気記録媒体を形成するようになる。

この熱処理の温度としては３００〜６００℃程度が好ま
しい、熱処理の温度が３００℃を下回る場合には、脱Ｎ
の速度が小さくなり、薄膜の結晶化も不充分となりやす
い、また熱処理温度が６００　’Ｏを超える場合には、
脱Ｎが過度に早く進行し、かつ結晶粒径が大きくなり保
持力Ｈｅが低下する。特に好ましい熱処理条件は３２０
〜５００℃Ｘ０．２ｈｒ　〜３ｈｒ程度であり、このよ
うにすることにより磁気特性の優れたものを安価に製造
することが可能となる。

なお、本発明者らの研究によれば、スパッタリング時に
は上記のＮ２の代わりに０２を用いても全く同様にして
、本発明の磁気記録媒体が製造できた。そして、Ｎ２の
代りにＮ２と０２との混合気体でも良いことも認められ
た。

本発明において用いられる基板としては、非磁性基板で
あるならば従来から用いられている各種のものが採用で
き、前述のアルミニウム又はアルミニウム基合金基板（
例えばアルミニウムに数％以下程度のＭｇを添加した合
金やチタン合金の基板）のほか、各種のガラス又はセラ
ミック基板なども用いられる。

なお基板と磁性薄膜との間に下地層の他、磁性薄膜の付
着強度を増大させる各種の中間層、具体的にはＣｒ　、
　Ｖ　、　Ｍ　ｎ等の暦を５０ないし５００八程度設け
てもよい、また磁性薄膜上に炭素、ポリ珪酸等の保護膜
を設けてもよい、さらに、この保護膜上に潤滑剤、具体
的にはパーフロロアルキルポリエーテルを塗布しても良
い。

［作用］ 本発明においては。

■　下地層の膜厚が大きく、かつ硬質であるので、ヘッ
ドクラッシュに対する耐性が高い、■　下地層が多孔質
であるので、熱応力による亀裂の発生がない、 ■　下地層がアルマイト質であるので、高温で熱処理し
ても帯磁しない、 等の作用効果が奏される。

また、磁性膜層は、 ■　結晶粒径が適当であり、Ｈｅが高く、ノイズが小さ
い。

■　磁化容易軸の面内配向性が高いので、膜面内磁性の
角形比が高い、 ■　そのため、高記録密度を達成できる、等の作用効果
が奏される。

従って、本発明によれば高密度記録媒体としての特性を
具備した実用性の高い記録媒体が提供される。

なお、本発明は１インチないし２インチのような極めて
小さなディスク径のものから、１０インチ又はそれ以上
の大きなディスク径の磁気記録媒体にも適用できる。

［実施例］ 以下、本発明を具体的実施例によって詳細に説明する。

なお以下に述べる実施例はマグネトロンｒ、ｆ、スパッ
タ装置によったｐく、イオン工学的に同様のことが言え
るイオンビームスパッタリング等によって本発明の効果
を得ることが可能であることは勿論である。

実施例１ マグネシウムを４％含むアルミニウム合金基板（大きさ
：直径１３０ｍｍ、内径４０ｍｍ、厚さ１．９ｍｍ）を
クロム酸を含む酸浴中で電解処理し、その表面に厚さ８
〜１７ＩＬｍのアルマイト質の下地層を形成し、かつそ
の表面を２μｍ程度研磨し平坦にした。この下地層のビ
ッカース硬度Ｈｖ及び相対密度は第１表の通りであった
。

次に、平板マグネトロンｒ、ｆ、スパッタ装置を用い、
下記条件にて下地層上にＮを含むＣｏ−Ｎｉ薄膜を形成
した。

初期排気　　　　　　１〜２Ｘ１０−″”Ｔｏｒｒ全雰
囲気圧（Ａｒ＋Ｎ２）　１５〜３０ｍＴ　ｏ　ｒ　ｒ雰
囲気中Ｎ２ガス濠度 （全圧に対するＮ２分圧の％）３５〜７５％投入電力　
　　　　　　　　　　１ｋｗターゲット組成　　　　　
　　　Ｃｏ−Ｎｉ（目標とする薄膜の組成に一致 させる０例えば、Ｃｏ　／　Ｎ　１ ＝９０／１０（原子％比）の 薄膜を形成する場合には、 Ｃｏ９０原子％、Ｎｉ　１０原 子％のターゲットを用いる。） 極間隔　　　　　　　　　　　　１０８ｍｍ薄膜形成速
度　　　１００〜３００Ａ／ｍｉ　ｎ膜　　厚　　　　
　　　　　　　　　　　　　　７００Ａ基板温度　　　
　　　　　　　　２００℃この膜形成処理後、真空中に
て３２０〜５００’ＯＸ０．５〜１ｌｈｒの熱処理を行
ない、Ｓを結晶化ないし結晶粒成長させると共に、窒素
を放出させた。この磁性膜からは、ＣｏＮがｘｌｌ的に
は検出されなかった。その後、カーボン保護膜を５０Ｏ
Ａ厚さとなるようにスパッタリングして形成し、磁気記
録媒体とした。

これらの磁気記録媒体の磁気特性を上記以外の条件と共
に第１表Ｎｏ、ｌ、２，３，４，５，８゜１５に示す。

比較例１ 下地層の膜厚、磁性膜層の組成及び膜厚、スパッタリン
グ時の雰囲気のＮ２ガス濃度、熱処理条件等を第１表Ｎ
ｏ。８．７，９，１０，１１゜１２．１３・、１４のも
のとし、磁気記録媒体を製造した。その他の条件は実施
例ＩＮｏ、ｌと同様である。これらの特性の測定結果を
第１表Ｎｏ、６　。

７．９，１０，１１，１２，１３．１４に示す。

第１表より、本発明例に係るものは、いずれも磁気特性
に優れていることが認められる。

また、Ｎｏ、　　Ｌ〜Ｎｏ、　６のものについてＣＳＳ
特性を測定したところ第２表の通りであった。

第　　２　　表 第２表より、本発明に係るものは、Ｃ８Ｓ特性にも優れ
ることが明らかである。これは、下地層の衝撃耐力が高
いことによるものと推察される。

なおＣ８Ｓ試験は５％”φディスクを５バ゛φディスク
ドライブに装着して行った。用いたヘッドはＭ　ｎ　−
Ｚ　ｎウィンチェスタ−型であり、内周部Ｒ＝５０ｍｍ
でのヘッド浮上量を０．４５１Ｌｍ（３６００ｒｍ時）
に設定して、この点でテストを行った。ＣＳＳサイクル
は第３図によった。

ｍｃｓｓ性の寿命はスタート時対比再生出力が１０％低
下する時点あるいはエラーが１ケでも増大する時点とし
た。

実施例２ 実施例１の手順に従い、次の条件で、直径１３０ｍｍの
ディスク形の磁気記録媒体を作製した。

ターゲット　　Ｃｏ−Ｎｉ　（Ｎｉ２０原子％）全雰囲
気圧　　２０ｍＴｏｒｒ スパッタ雰囲気中　Ｎ２ガス濃度５０％熱処理条件　　
　　３４０℃Ｘ３ｈｒ 薄膜形成速度　　　１００Ａ／ｍ１ｎ （上記以外の条件は実施例ＩＮｏ、１と同じ）このよう
にして得られた磁気記録媒体の磁性薄膜は、Ｃｏ−Ｎｉ
　（２０原子％Ｎｉ）からなりＣｏＮがＸ線的には検出
されなかった。また、その磁気特性は次の値であった。

Ｂｓ：　　１２にガウス Ｈｃ　：　６８００ｅ ｓ　　：０．８５ また、この磁気記録媒体の電磁変換特性を次のようにし
て測定した。

使用ヘッド：　Ｍ　ｎ　−Ｚ　ｎフェライトミニウィン
チェスタ（トラック幅１６ＪＬｍ、ギャップ長１　、１
７ｔｍ、ギ＋−／プ深さ２０μｍ、巻数１４ＴＸ２） フライイングハイト：０．３４ＪＬｍ １Ｆ：１．２５ＭＨｚ ２Ｆ：２．５　　ＭＨｚ ディスク回転数：３６００ｒμｍ 測定箇所：ディスクの中心からＲ＝３０ｍｍの部分で測
定 この再生出力特性は次の通りであった。

再生出力Ｅ２Ｆ＝２．５ＭＨｚ　：　０．４２ｍＶ分解
能（Ｒ＝３０ｍｍ）：８５％ オーバーライドニー３６ｄＢ 以上のことから、この磁気記録媒体は高密度記録媒体と
しての特性を備えていることが判明し［発明の効果］ 以上詳述した通り、本発明の磁気記録媒体は。

ヘッドクラッシュに対する耐性が高く、熱応力による亀
裂の発生がない、また、高温で熱処理しても下地層が帯
磁しない等の特徴を有する。

また、磁性膜層は、Ｈｃが高く、ノイズが小さい、また
、膜面内角層比が高く、高記録密度を達成できる等の特
徴を有している。従って、本発明によれば高密度記録媒
体としての特性を具備した実用性の高い記録媒体が提供
される。

しかして、このような本発明の磁気記録媒体は、本発明
の方法により容易に製造される。

【図面の簡単な説明】

第１図はＮ　２　＋　Ａ　ｒ中スパッターＣｏ−Ｎｉ磁
性膜のスパッタ一時のＸ線回折チャートの一例を示す図
であり、第２図はこの磁性膜を３５０℃×３Ｈｒ真空中
熱処理した後のＸ線回折チャートの一例を示す図である
。また第３図は実施例及び比較例における耐Ｃ５Ｓテス
ト用ドライブの回転特性を示す図である。 哨Ｎｉ　（ｓｅｃ） 頁の続き ｐＩｎｔ、Ｃ１，４識別記号　　庁内整理番号５　明　
者　　中　尾　　　政　之　熊谷市三ケ尻５２０幡地内 ５　明　者　市　川　　　耕　司　熊谷市三ケ尻５２０
幡地内

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）ディスク形基板の板面上に、下地層及び磁性膜層
   が形成された磁気記録媒体において、下地層は、厚さが
   ６〜１５μｍでビッカース硬度Ｈｖが３００以上の多孔
   質のアルマイト質であり、 磁性膜は、 （イ）Ｎｉ含有率が１０〜３５原子％であるＣｏ−Ｎｉ
   合金であり、 （ロ）１００〜５００Åの粒径の結晶粒を主体とし、 （ハ）（００２）面のＸ線回折強度と（１００）面のＸ
   線回折強度との比、即ちＩ（００２）／Ｉ（１００）で
   定義されるＲ値が０≦Ｒ≦３の範囲にある、 ことを特徴とする磁気記録媒体。 （２）磁性膜はＣｏＮとＣｏＯの双方がＸ線的に検出さ
   れないことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
   磁気記録媒体。 （３）基板はアルミニウム基板又はアルミニウム基合金
   基板であることを特徴とする特許請求の範囲第１項又は
   第２項に記載の磁気記録媒体。 （４）基板は７重量％以下のマグネシウムを含有するア
   ルミニウム基合金基板であることを特徴とする特許請求
   の範囲第３項に記載の磁気記録媒体。 （５）下地層は相対密度７０〜９０％の多孔質であるこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第４項のい
   ずれか１項に記載の磁気記録媒体。 （６）下地層と磁性膜との間に、磁性膜の付着強度を増
   大させる層が設けられていることを特徴とする特許請求
   の範囲第１項ないし第５項のいずれか１項に記載の磁気
   記録媒体。 （７）磁性膜の上に保護膜が設けられていることを特徴
   とする特許請求の範囲第１項ないし第６項のいずれか１
   項に記載の磁気記録媒体。 （８）保護膜の上に潤滑剤が塗布されていることを特徴
   とする特許請求の範囲第７項に記載の磁気記録媒体。 （９）アルミニウム又はアルミニウム合金のディスク形
   基板をクロム酸含有混合液中で陽極酸化して、厚さが６
   〜１５μｍでビッカース硬度Ｈｖが３００以上の多孔質
   のアルマイト質の下地層を形成した後、Ｎ＿２及び／又
   はＯ＿２を含むＡｒガス雰囲気中でＣｏ−Ｎｉ合金薄膜
   を成膜し、次いで熱処理することにより、 （イ）Ｎｉ含有率が１０〜３５原子％であるＣｏ−Ｎｉ
   合金であり、 （ロ）１００〜５００Åの粒径の結晶を主体とし、 （ハ）（００２）面のＸ線回折強度と（１００）面のＸ
   線回折強度との比、即ちＩ（００２）／Ｉ（１００）で
   定義されるＲ値が０≦Ｒ≦３の範囲にある、 磁性膜を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造
   方法。 （１０）Ｃｏ−Ｎｉ合金薄膜をスパッタリングにより形
   成することを特徴とする特許請求の範囲第９項に記載の
   磁気記録媒体の製造方法。 （１１）成膜された熱処理前のＣｏ−Ｎｉ合金薄膜のＮ
   及び／又はＯ含有率は２０〜５０原子％であることを特
   徴とする特許請求の範囲第９項又は第１０項に記載の磁
   気記録媒体の製造方法。 （１２）熱処理温度は３００〜６００℃であることを特
   徴とする特許請求の範囲第９項ないし第１１項のいずれ
   か１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。 （１３）熱処理条件は３２０〜５００℃で ０．２〜３時間であることを特徴とする特許請求の範囲
   第１２項に記載の磁気記録媒体の製造方法。 （１４）基板はマグネシウムを７重量％以下含むアルミ
   ニウム合金であることを特徴とする特許請求の範囲第９
   項ないし第１３項のいずれか１項に記載の磁気記録媒体
   の製造方法。 （１５）熱処理後の磁性膜からはＣｏＮ及びＣｏＯがＸ
   線的に検出されないことを特徴とする特許請求の範囲第
   ９項ないし第１４項のいずれか１項に記載の磁気記録媒
   体の製造方法。 （１６）下地層と磁性膜との間に、磁性膜の付着強度を
   増大させる層が設けられていることを特徴とする特許請
   求の範囲第９項ないし第１５項のいずれか１項に記載の
   磁気記録媒体の製造方法。 （１７）磁性膜の上に保護膜が設けられていることを特
   徴とする特許請求の範囲第９項ないし第１６項のいずれ
   か１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。 （１８）保護膜の上に潤滑剤が塗布されていることを特
   徴とする特許請求の範囲第１７項に記載の磁気記録媒体
   の製造方法。 （１９）スパッタリングをマグネトロンスパッタリング
   装置又はイオンビームスパッタリング装置で行なうこと
   を特徴とする特許請求の範囲第１０項に記載の磁気記録
   媒体の製造方法。