JPS62125523A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS62125523A JPS62125523A JP26567785A JP26567785A JPS62125523A JP S62125523 A JPS62125523 A JP S62125523A JP 26567785 A JP26567785 A JP 26567785A JP 26567785 A JP26567785 A JP 26567785A JP S62125523 A JPS62125523 A JP S62125523A
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- JP
- Japan
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- layer
- magnetic
- chromium
- recording medium
- nickel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気記録媒体に係り、特にアルミニウム基合
金基板上に下地層と非磁性層と磁性層とが形成された磁
気記録媒体に関するものである。
金基板上に下地層と非磁性層と磁性層とが形成された磁
気記録媒体に関するものである。
近年、コンピュータの小型化や処理能力の増大化に伴い
、外部メモリ装置の記憶容ｉを更に増大させることが要
求されている。この要求を満足させるためには、外部メ
モリ装置に用いられる磁気ディスクも更に記録密度を増
加させる必要があり、このためには記録層を形成する磁
性薄膜の磁気特性の向上と記録層のより一層の薄膜化を
促進しなければならない。
、外部メモリ装置の記憶容ｉを更に増大させることが要
求されている。この要求を満足させるためには、外部メ
モリ装置に用いられる磁気ディスクも更に記録密度を増
加させる必要があり、このためには記録層を形成する磁
性薄膜の磁気特性の向上と記録層のより一層の薄膜化を
促進しなければならない。
そこで、かかる要求を満足させる１つの方法として、従
来Ｉ ＥＥＥ Ｔｒａｎｓ、 Ｍａｇｎ、 ＭＡＧ −
５、２０５（１９６７）に示される如く、Ｃｒ非磁性層
、Ｃｏ−Ｎｉ合合金磁性合金順次蒸着たはスパッタリン
グさせるものが提案されている０ 而してＡｔ基合金の基板上に、上記の如き磁性薄膜を形
成するに際しては、一般に下地層として二＋ッケルーリ
ン無電解メッキ膜が使用されている。
来Ｉ ＥＥＥ Ｔｒａｎｓ、 Ｍａｇｎ、 ＭＡＧ −
５、２０５（１９６７）に示される如く、Ｃｒ非磁性層
、Ｃｏ−Ｎｉ合合金磁性合金順次蒸着たはスパッタリン
グさせるものが提案されている０ 而してＡｔ基合金の基板上に、上記の如き磁性薄膜を形
成するに際しては、一般に下地層として二＋ッケルーリ
ン無電解メッキ膜が使用されている。
従来の製造方法においては第１図に示す如く成膜を常温
で行なうと極めて角型比の悪いものとなり、これは記録
減磁を誘引し易く、まだ出力低下を招くという不具合を
有する。このような不具合を解決するためには第２図に
示す如く、成膜時の基板温度を高める必要があるが、下
地層がＮｉ −Ｐ層の場合２００℃以上でアモルファス
状態から結晶化状態に至り磁性を帯びてしまう。これは
製品として使用した際の再生時ノイズ増大となり不都合
である。
で行なうと極めて角型比の悪いものとなり、これは記録
減磁を誘引し易く、まだ出力低下を招くという不具合を
有する。このような不具合を解決するためには第２図に
示す如く、成膜時の基板温度を高める必要があるが、下
地層がＮｉ −Ｐ層の場合２００℃以上でアモルファス
状態から結晶化状態に至り磁性を帯びてしまう。これは
製品として使用した際の再生時ノイズ増大となり不都合
である。
以上の如く、Ｎ１−Ｐ下地層上にＣｒ非磁性Ｍ。
Ｃｏ基合金が形成されて成る磁気記録媒体は、磁気特性
に劣るという不具合を有していた。
に劣るという不具合を有していた。
尚、上記不具合はＣｒ非磁性層厚を変化させても第３図
に示す如く改善されるものではない。
に示す如く改善されるものではない。
上記従来技術の問題点を解決するために、本発明は、ア
ルミニウム基合金基板上に、酸化アルミニウム質の下地
層が形成され、更にこの下地層の上にクロム非磁性層、
磁性膜層が順次形成された磁気記録媒体において、平均
直径が５００〜６０００Ａの穴が、前記下地層の非磁性
層と接する側の面に多数形成されてなることヲ符徴とす
る磁気記録媒体を要旨とするものである。
ルミニウム基合金基板上に、酸化アルミニウム質の下地
層が形成され、更にこの下地層の上にクロム非磁性層、
磁性膜層が順次形成された磁気記録媒体において、平均
直径が５００〜６０００Ａの穴が、前記下地層の非磁性
層と接する側の面に多数形成されてなることヲ符徴とす
る磁気記録媒体を要旨とするものである。
以下本発明につき更に詳細に説明する。
本発明の磁気記録媒体は、アルミニウム基合金基板上に
下地層とクロム非磁性層、磁性膜層とが形成されている
。
下地層とクロム非磁性層、磁性膜層とが形成されている
。
基板の材質としては、アルミニウムを主成分とし、これ
にその他の金属元素を加えて強度、剛性。
にその他の金属元素を加えて強度、剛性。
耐食性等の特性のうち１または２以上の特性を改良する
ようにしたものが好適に用いられ、例えばマグネシウム
を数重量％以下、例えば３〜４重量％含むものが用いら
れる。なお、シリコンは二酸化珪素として析出し易いの
で、不純物中のシリコン含有量の小さいものが好ましい
。
ようにしたものが好適に用いられ、例えばマグネシウム
を数重量％以下、例えば３〜４重量％含むものが用いら
れる。なお、シリコンは二酸化珪素として析出し易いの
で、不純物中のシリコン含有量の小さいものが好ましい
。
このアルミニウム基合金の基板上に形成される下地層は
酸化アルミニウム質、即ち酸化アルミニウムのみからな
るもの、あるいは、酸化アルミニウムと少量の他の金属
酸化物からなるものである。
酸化アルミニウム質、即ち酸化アルミニウムのみからな
るもの、あるいは、酸化アルミニウムと少量の他の金属
酸化物からなるものである。
この下地層の厚さは、特に限定されるものではなく、通
常数μｍ〜数１．０μｍ程度、例えば１０μｍ前後程度
とされる。
常数μｍ〜数１．０μｍ程度、例えば１０μｍ前後程度
とされる。
この下地層には、多数の穴が形成されるのであるが、穴
の直径は平均直径が５００〜３０００Ａにあることが好
ましい。この穴の平均直径が５０ＯＡよりも小さいと下
地層と非磁性層との付着強度及び磁気特性の増大効果が
乏しくなる。穴の平均直径が３００ＯＡを超えると、下
地層上に非磁性層及び磁性膜層が気相蒸着法によって形
成されるのであるが、所謂エッチ効果と称される角部へ
の蒸着量が増大する現象により、穴の周縁部への蒸着量
が過大となり膜の平担性を悪くする。まだ、そのような
穴が密集した際はエラー増大を招き易い。
の直径は平均直径が５００〜３０００Ａにあることが好
ましい。この穴の平均直径が５０ＯＡよりも小さいと下
地層と非磁性層との付着強度及び磁気特性の増大効果が
乏しくなる。穴の平均直径が３００ＯＡを超えると、下
地層上に非磁性層及び磁性膜層が気相蒸着法によって形
成されるのであるが、所謂エッチ効果と称される角部へ
の蒸着量が増大する現象により、穴の周縁部への蒸着量
が過大となり膜の平担性を悪くする。まだ、そのような
穴が密集した際はエラー増大を招き易い。
なお本発明において、穴の径は、走査型電子顕微鏡で下
地層表面の拡大写真を撮影し、この４質に撮影された多
数の穴についてその径を測定し、これを加重平均して求
められたものである。
地層表面の拡大写真を撮影し、この４質に撮影された多
数の穴についてその径を測定し、これを加重平均して求
められたものである。
穴の深さについては、特に限定されるものではないが、
深くなり過ぎると、穴の奥部への磁性膜の蒸着量が不足
する虞れがあるので、数μｍ以下、とりわけ１μｍない
し２００ＯＡよりも浅くするのが好ましい。甘た穴が浅
過ぎても、下地層と磁性膜層との付着特性を改善する効
果が小さくなるので、穴の直径と同程度以上の深さとす
るのが好ましい。なお穴の深さは、下地層を形成した基
板の断面全撮影した電子顕微鏡写真から測定される。
深くなり過ぎると、穴の奥部への磁性膜の蒸着量が不足
する虞れがあるので、数μｍ以下、とりわけ１μｍない
し２００ＯＡよりも浅くするのが好ましい。甘た穴が浅
過ぎても、下地層と磁性膜層との付着特性を改善する効
果が小さくなるので、穴の直径と同程度以上の深さとす
るのが好ましい。なお穴の深さは、下地層を形成した基
板の断面全撮影した電子顕微鏡写真から測定される。
穴の分布密度としては、穴同志の平均の間隔が３０Ａ〜
１μｍ程度となるようにするのが好ましい。
１μｍ程度となるようにするのが好ましい。
下地層の上に形成される非磁性層はクロムから成り蒸着
またはスパッタリング法により形成され、層厚の磁気特
性に及ぼす影響は第６図に示される如くでちるが、との
層厚は成膜時の雰囲気に強く依存するため一義的ではな
い。
またはスパッタリング法により形成され、層厚の磁気特
性に及ぼす影響は第６図に示される如くでちるが、との
層厚は成膜時の雰囲気に強く依存するため一義的ではな
い。
さらにこの非磁性層上に磁性膜が形成されるが、その成
分はニッケル３５原子チ以下、またはクロム２０原子チ
以下あるいはニッケルとクロムの総量が４０原子チ以下
残部コバルトの組成を有する。
分はニッケル３５原子チ以下、またはクロム２０原子チ
以下あるいはニッケルとクロムの総量が４０原子チ以下
残部コバルトの組成を有する。
上記成分に限定した理由は、ニッケルが３５％を超える
場合、磁性膜層はり、ｃ、ｐ−構造よりむしろｆ、ｃ、
ｃ、構造を取り易く磁気特性の劣化を招く。また、クロ
ムが２０原子チを超えると耐食性は増すが、飽和磁化の
減少に伴い再生時の出力が著しく低下するためであり好
ましくない。さらに、Ｃｏ −Ｎｉ系にさらに耐食性を
付与するためＣｒを添加してもよい７５＝、この際組成
範囲がＮｉ＋Ｃｒ≦４０原子チと限定されるのは上記２
つの事由からである。
場合、磁性膜層はり、ｃ、ｐ−構造よりむしろｆ、ｃ、
ｃ、構造を取り易く磁気特性の劣化を招く。また、クロ
ムが２０原子チを超えると耐食性は増すが、飽和磁化の
減少に伴い再生時の出力が著しく低下するためであり好
ましくない。さらに、Ｃｏ −Ｎｉ系にさらに耐食性を
付与するためＣｒを添加してもよい７５＝、この際組成
範囲がＮｉ＋Ｃｒ≦４０原子チと限定されるのは上記２
つの事由からである。
本発明の磁気記録媒体においては、この磁性膜層上に更
に、炭素等の保護膜を形成しても良い。
に、炭素等の保護膜を形成しても良い。
尚、クロム非磁性層上にＣｏ基合金を形成した際強い膜
面内異方性が得られるのは（１１０）Ｃｒ １１（００
０２）Ｃｏなるエピタキシャル成長のためであシ、本発
明の下地層が優れた磁気特性を有するのは点在する穴の
ためクロム層の応力が緩和され、より配向性が促された
ことによると推測される。
面内異方性が得られるのは（１１０）Ｃｒ １１（００
０２）Ｃｏなるエピタキシャル成長のためであシ、本発
明の下地層が優れた磁気特性を有するのは点在する穴の
ためクロム層の応力が緩和され、より配向性が促された
ことによると推測される。
実施例１゜
マグネシウムを４％含むアルミニウム合金基板をクロム
散を含む４０℃の溶液中にて、５０Ｖ。
散を含む４０℃の溶液中にて、５０Ｖ。
１ 、 ＯＡｌｄｒｒ？ の直流電流を流し、基板表
面に厚さ１０〜１５μｍの酸化アルミニウム質の下地層
を形成した。次いで、下地層表面を若干研摩し、その表
面を走査型電子顕微鏡にて写真撮影しく第４図）、穴の
径、密度等を測定した。
面に厚さ１０〜１５μｍの酸化アルミニウム質の下地層
を形成した。次いで、下地層表面を若干研摩し、その表
面を走査型電子顕微鏡にて写真撮影しく第４図）、穴の
径、密度等を測定した。
その結果は次の通りである。
穴の径 平均１２００Ａ
最大径約２０００Ａ
穴の形成密度 ２ Ｘ １ ［３フィル−穴の間隔
平 均 ３５００ Ａ 次に、平板マグネトロンｒ、ｆ、スパッタ装置を用い下
記条件にて下地層上にクロム非磁性層、次いでコバルト
−ニッケル系薄膜を形成した。
平 均 ３５００ Ａ 次に、平板マグネトロンｒ、ｆ、スパッタ装置を用い下
記条件にて下地層上にクロム非磁性層、次いでコバルト
−ニッケル系薄膜を形成した。
初期排気 ≦３ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ全雰囲気圧
５ｍＴｏｒｒ（クロムスパッタ）１８ ｍ Ｔｏｒｒ
（Ｃｏ−Ｎｉスパッタ）投入電力 ４００Ｗ（Ｃ
ｒスパッタ）３００ Ｗ （Ｃｏ−Ｎｉスパッタ） 磁性層ターゲット組成 １５〜ろＳａｔ％Ｎｉ 、Ｂａ
ｌ 、Ｃ。
５ｍＴｏｒｒ（クロムスパッタ）１８ ｍ Ｔｏｒｒ
（Ｃｏ−Ｎｉスパッタ）投入電力 ４００Ｗ（Ｃ
ｒスパッタ）３００ Ｗ （Ｃｏ−Ｎｉスパッタ） 磁性層ターゲット組成 １５〜ろＳａｔ％Ｎｉ 、Ｂａ
ｌ 、Ｃ。
極間隔 ６０簡
非磁性層厚 ０．１〜１μｍ
磁性層厚 ７００Ａ
膜形成速度 ２４ ＯＡ／ｍｉｎ （Ｃｒスパッタ）
１５０ Ａ／ｍｉｎ （Ｃｏ −Ｎｉ ／（バッタ）基
板温度 Ｒ，Ｔ、〜２００℃ この磁気記録媒体の磁気特性を第１図および第２図に示
す。
１５０ Ａ／ｍｉｎ （Ｃｏ −Ｎｉ ／（バッタ）基
板温度 Ｒ，Ｔ、〜２００℃ この磁気記録媒体の磁気特性を第１図および第２図に示
す。
比較例１゜
下地層を１０〜１５μｍのＮ１−Ｐ層としたこと以外は
、実施例１と同様にして磁気記録媒体を製造した。
、実施例１と同様にして磁気記録媒体を製造した。
このとき得られた磁気特性を第１図および第２図に示す
。
。
第１図および第２図に明らかな如く、本発明の磁気記録
媒体は、下地層に５００〜３０００Ａの微細な穴を多数
有し、従来使用されているＮ１−Ｐ下地層を用いた場合
に比べて良好な磁気特性を得ることが可能である。
媒体は、下地層に５００〜３０００Ａの微細な穴を多数
有し、従来使用されているＮ１−Ｐ下地層を用いた場合
に比べて良好な磁気特性を得ることが可能である。
第１図はクロム非磁性層厚１μｍにおける、ターゲット
組成と磁気特性の関係を表わしたものであシ、成膜基板
温度は１５０℃である。 第２図はクロム非磁性層厚１μｍにおける、成膜時基板
温度と磁気特性の関係を表わしたものであり、ターゲッ
ト組成Ｃｏ−３０ａｔ％Ｎｉである。 第３図は、成膜時基板温度１５０℃、ターゲット組成Ｃ
ｏ−３０ａｔチＮｉにおける、クロム層厚と磁気特性の
関係を表わしたものである。 第４図は下地層表面の金属組織走査電子顕微鏡写真であ
る。 垢゛／ 回 ターゲンＦの〃／°、伍Ａ’ （ａｌ吃りダ？面 θ １００ ２ａり
６ビジ１に差、７匁〔（°Ｃノ オ”３面 可暮閥／”／％／／怜 Ａ釆 磁力 （〜
組成と磁気特性の関係を表わしたものであシ、成膜基板
温度は１５０℃である。 第２図はクロム非磁性層厚１μｍにおける、成膜時基板
温度と磁気特性の関係を表わしたものであり、ターゲッ
ト組成Ｃｏ−３０ａｔ％Ｎｉである。 第３図は、成膜時基板温度１５０℃、ターゲット組成Ｃ
ｏ−３０ａｔチＮｉにおける、クロム層厚と磁気特性の
関係を表わしたものである。 第４図は下地層表面の金属組織走査電子顕微鏡写真であ
る。 垢゛／ 回 ターゲンＦの〃／°、伍Ａ’ （ａｌ吃りダ？面 θ １００ ２ａり
６ビジ１に差、７匁〔（°Ｃノ オ”３面 可暮閥／”／％／／怜 Ａ釆 磁力 （〜
Claims (1)
- （１）アルミニウム基合金基板上に、酸化アルミニウム
質の下地層が形成され、更にこの下地層の上にクロムか
ら成る非磁性層、磁性層が順次形成されて成る磁気記録
媒体において、平均直径が５００〜３０００Ａの穴が、
前記下地層の非磁性層と接する側の面に多数形成されて
なりさらに前記磁性膜層は、ニッケル３５原子％以下、
またはクロム２０原子％以下、あるいはニッケルとクロ
ムの総量が４０原子％以下、残部コバルトであり、保磁
力の面内成分が垂直成分より勝ることを特徴とする磁気
記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26567785A JPS62125523A (ja) | 1985-11-26 | 1985-11-26 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26567785A JPS62125523A (ja) | 1985-11-26 | 1985-11-26 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62125523A true JPS62125523A (ja) | 1987-06-06 |
Family
ID=17420463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26567785A Pending JPS62125523A (ja) | 1985-11-26 | 1985-11-26 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62125523A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6484436A (en) * | 1987-09-25 | 1989-03-29 | Fuji Electric Co Ltd | Production of magnetic recording medium |
-
1985
- 1985-11-26 JP JP26567785A patent/JPS62125523A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6484436A (en) * | 1987-09-25 | 1989-03-29 | Fuji Electric Co Ltd | Production of magnetic recording medium |
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