JPS6361409A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気ディスク装置などに用いられる磁気記録媒
体に係り、特に強磁性金属薄膜を磁性膜とする磁気記録
媒体において、耐食性が良好で、記録再生出力変動であ
るモジュレーションの値が小さく、耐久性ならびに磁気
特性に優れた信頼性の高い高密度磁気記録に好適な磁気
記録媒体に関する。

〔従来の技術〕

真空蒸着法、スパッタリング法、イオンブレーティング
法あるいは各種のメッキ法などで形成される強磁性金属
薄膜を磁性膜とする磁気記録媒体は、高密度磁気記録に
適した優れた磁気特性を有する反面、磁性膜が金属薄膜
であるため腐食され易く、そのために磁気特性が経時的
に劣化し、耐久性ならびに信頼性に劣るという欠点があ
った。

この欠点を解消するために、　Ｃｒ、　Ｔｉ、　Ｍｎ、
　Ｖなどの金属またはそれらの酸化物よりなる薄膜を。

金属磁性膜の下地Ｍ（中間層）あるいは被覆層（保護膜
）として設け、耐食性を改善した積層構造の磁気記録媒
体が特公昭５４−３３５２３号公報において提案されて
いる。また、ＣＯまたはＣｏ　　Ｎｉの磁性膜に第３元
素であるＣｒを２〜１５重量％添加して、磁気特性およ
び耐食性を改善する方法が特開昭５７−１５４０６号公
報に記載されている。しかし、これらの従来の磁気記録
媒体においては、耐食性は一応改善されるものの磁気特
性の向上という点においては未だ十分でなく、高密度記
録用の磁気記録媒体としての性能ならびに信頼性に劣る
ものであった。なお、最近、強磁性金属薄膜層の上に、
潤滑剤、酸化防止剤、有機バインダーなどを含むトップ
コート層（潤滑剤ｐ！ｊ）を塗布法によって形成し、そ
の表面粗度（Ｒｍａｘ）を２０〜２００人の範囲に調整
して、電磁変換特性の低下が少なく。

摩擦が小さく、削れかなく、走行性ならびに耐久性が良
好であるという磁気記録媒体（特開昭６０−２２３０２
５号公報）の提案がなされているが、これは主に磁気テ
ープに関するものであり、潤滑剤層であるトップコート
層を設けている理由は、磁気テープ表面の摩擦を小さく
シ、その走行安定性をはかることを主目的としているも
のである。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上述したごとく、従来の強磁性金属薄膜を磁性膜とする
磁気記録媒体の耐久性ならびに磁気特性の改善は、磁性
膜に下地層（中間Ｍ）または被覆層（保護膜）を設ける
もの、磁性膜にＯｒなどの第３元素を添加させるものな
どがあり、あるいは特定の表面粗さを持つ潤滑剤層を形
成させて摩擦を小さくし走行安定性をはかるものなどが
あるが、これらの磁気記録媒体は１、主にオーディオ、
ビデオまたはディジタルなどの記録分野で用いられるも
のが多く、耐食性ならびに耐久性は一応改善されるもの
の磁気特性の向上という点においては未だ十分でなく１
例えばコンピュータ用ハードディスクなどのように、よ
り高度の磁気特性、耐久性および信頼性が要求される高
密度記録用の磁気記録媒体としての厳しい仕様を満足す
るには至っていない。特に、磁気記録媒体の記録再生特
性の中で、モジュレーション（再生出力変動）と呼ばれ
る、磁気ディスクの記録再生時における同一円周上の再
生出力エンベロープ曲線の最大出力値Ｅ　ｍａｘと最小
出力値Ｅ　ｗｉｎからなるパラメータ（（Ｅｍａｘ−Ｅ
ｍｉｎ）　／　（Ｅｍａｘ＋Ｅｍｉｎ）　）で表わされ
る、いわゆるモジュレーションの値は、記録再生エラー
に大きな影響を与えることが知られており、このモジュ
レーションの値の低減化をはかることが強く要望されて
いた６ 本発明の目的は、特に記録再生出力変動を表わすモジュ
レーションの値の小さい優れた磁気特性を有し、かつ耐
食性が良好で耐久性ならびに信頼性の高いＣｏ−Ｎｉ系
もしくはＣｏ−Ｃｒ系合金を磁性膜とする強磁性金属薄
膜型の高密度記録に適した磁気記録媒体を提供すること
にある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明者らは、Ｃｏ−Ｎｉ系もしくはＧｏ−Ｃｒ系合金
薄膜を磁性膜とする強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体に
おける磁気特性ならびに耐食性の向上について鋭意研究
を重ねた結果、記録再生出力変動を表わすモジュレーシ
ョンの値は、磁気記録媒体を構成する磁性膜の磁気記録
方向に垂直な方向の中心線平均表面粗さＲａと最大表面
粗さＲｍａｘおよび磁性膜の面内の磁気異方性エネルギ
ー　Ｋ　ｕによって大きく変動することを知った。すな
わち、Ｒａが１ｎｍ≦Ｒａ≦２０ｎｍの範囲に対してＲ
ｍａｘがＲｍａｘ≦２５Ｒａで変化する場合は、面内の
磁気異方性エネルギーＫｕをＯ≦Ｋｕ≦８×０５ｅｒｇ
／ａｌの範囲とし、またＲ　ｆｆ１ａｘがＲｍａｘ≦８
Ｒａの範囲にある場合は、ＫｕをＯ≦Ｋｕ≦２　Ｘ　１
１０５ｅｒ／ｄの範囲とし、Ｒｍａｘが９Ｒａ≦Ｒｍａ
ｘ≦２５Ｒａの範囲にある場合は、Ｋｕを○≦Ｋｕ≦Ｆ
３　Ｘ　１０’ｅｒｇ／ｄの範囲とすることによって、
モジュレーションの値を低下させることができ、高密度
での記録再生特性に優れた磁気記録媒体が得られること
を見出した。さらに、Ｃｏ−Ｎｉ系もしくはＣｏ−Ｃｒ
系合金薄膜を磁性膜とする磁気記録媒体において、磁性
膜に第３元素としてＺｒ、Ｔｉの１種または２種を４〜
１５Ｍ子（ａｔ）％添加することによって、磁気異方性
エネルギーＫｕが低下すること、および磁性膜の下地層
（磁性膜と基板との中間層）として、　１５０〜５００
ｎａ＋のＣｒあるいはＣｒ合金薄膜を設けた場合には、
さらにＫｕが低下し、モジュレーションの値をさらに小
さくすることができ、高密度での記録再生特性に優れた
磁気記録媒体が得られることを確認した。

本発明の磁気記録媒体の磁性膜に設ける、記録方向に垂
直な方向の中心線平均表面粗さく平均表面粗さという）
Ｒａは、１ｎｍ未満では磁気記録媒体の作製が難しくな
りコスト高となるので好ましくなく、また２０ｎｍを超
えると表面が粗すぎて磁気ヘッドが安定して浮上しなく
なるので、Ｒａの範囲は１ｎｍ≦Ｒａ≦２０ｎｍで、最
大表面粗さＲｍａｘ≦２５Ｒａであることが望ましい。

そして。

磁気異方性エネルギーＫｕの値を０≦Ｋｕ≦２×１０’
ｅｒｇ／ｃｉ　とする場合の好ましいＲａおよびＲｍａ
ｘの範囲は、１ｎｍ≦Ｒａ≦２０ｎｍ、　Ｒｍａｘ≦８
Ｒａであり、より好ましいＲａおよびＲｍａｘの範囲は
、１．５ｎｍ≦Ｒａ≦４ｎｍ、６Ｒａ≦Ｒｍａｘ≦８Ｒ
ａであり、さらに好ましい範囲は、Ｒｍａｘの絶対値が
２０ｒ＋ｍを超え、１５０ｎｍ以下の範囲である。

さらに、磁性膜の面内の磁気異方性エネルギーＫｕの値
を０≦Ｋｕ≦８　Ｘ　１０’ｅｒｇ／　ａＡ　　とする
場合の好ましいＲａおよびＲｍａｘの範囲は、１ｒ＋ｍ
≦Ｒａ≦２０ｎｍ、　Ｒｍａｘ≦２５Ｒａであり、より
好ましくは１ｎｍ≦Ｒａ≦２０ｎｍ、９Ｒａ≦Ｒｍａｘ
≦２５Ｒａの範囲であり、さらに好ましい範囲は、４ｎ
ｍ≦Ｒａ≦８ｎｍ、９Ｒａ≦Ｒｍａｘ≦１６Ｒａである
。

本発明の磁気記録媒体の磁性膜に設ける表面粗さの形成
方法は５例えば所定の基板上に非磁性メッキ層などを設
けた基体の表面を、所望する表面粗さの形成が可能な適
度の大きさの研磨砥粒を用いて研磨加工し、その上に磁
性膜を成吸させることにより達成することができる。

本発明の磁気記録媒体の磁性膜であるＣｏ−Ｎｉ系合金
よりなる強磁性金属薄膜の組成は、Ｎｉの含有量がＧｏ
に対して、原子％で、２０％未満であると保磁力Ｈｅが
低くなり、また５０％を超えると飽和磁束密度Ｂｓが低
下するので、Ｎｉの含有量は２０〜５０％が好ましく、
より好ましい範囲は３３〜・１７％である。そして、Ｃ
ｏ−Ｎｉ系合金に添加するＺｒまたはＴｉ、およびＺｒ
とＴｉの添加量は、ＣｏとＮｉの合計量に対して原子％
で、４％未満では耐食性の向上効果が少なく、１５％を
超えるとＢｓが劣化する傾向にあるので、４〜１５％の
範囲が好ましく、より好ましい範囲は５〜１０％である
。

また、Ｃｏ−Ｃｒ系合金よりなる磁性膜の組成は、Ｃｒ
の含有量が２０％を超えるとＢｓが低下するので、Ｃｒ
含有量は２０％以下が好ましく、そしてＣｏ−Ｃｒ系合
金に添加するＺｒまたはＴｉ、お毒びＺｒとＴｉの添加
量は、上記Ｃｏ　　Ｎｉ系合金の場合と同様の理由で、
ＣＯとＣｒの合計量に対して、４〜１５％の範囲が好ま
しく、より好ましい範囲は５〜１０％である。

さらに、本発明の磁気記録媒体において、Ｃ。

−Ｎｉ系またはＣｏ　−Ｃｒ系合金からなる磁性膜の下
地層（基板と磁性膜との間の中間層）として、Ｃｒまた
はＣｒを主成分とする合金よりなる薄膜を設けると、磁
性膜の配向性がより高まり、　Ｋｕの値がさらに低下す
るので、モジュレーションの小さい高密度での記録再生
特性に優れた磁気記録媒体を安定して作製することが可
能である。そして、Ｃｒなどよりなる下地層の膜厚は、
１５０ｎｍ未満では磁性膜との密着性が悪化し、Ｋｕ値
が太きくＨｃが小さくなるので好ましくな（，５００ｎ
ｍを超えると磁気ヘッドなどとの耐摺動接触強度が低下
するので好ましくなく、その膜厚は１５０〜５００ｎｍ
の範囲が好ましく、より好ましい範囲は２００〜３００
ｎｍである。

〔作用〕

磁気ディスクなどの磁気記録媒体を作製した場合に、一
般に、磁気ディスクの円周方向の磁気特性は一定である
ことが望ましい。すなわち、円周方向の面内における磁
化容易軸の方向は一定で、しかも残留自発磁化の大きさ
が一定であることが、再生出力の一様性、およびモジュ
レーションエラー低減の点から望ましいと考えられてい
る。しかし、実際に作製される磁気記録媒体においては
、磁性膜の磁化容易軸が面内で種々の方向を向いたす、
すべて同じ方向を向いたりする。このとき、再生出力は
円周方向の各位置で変動し、再生出力波形のエンベロー
プはモジュレーションと呼ばれる変動を示す。一般に、
磁性膜の磁化容易軸の方向を制御することはプロセス上
困難である。しかし、磁性膜の面内の磁気異方性エネル
ギーＫＩＪの値を小さくすると共に、磁性層の表面粗さ
を制御すれば、上述のように磁化容易軸が望ましい方向
に向いていなくても、結果として磁気記録媒体の円周上
の位置による再生出力変動の幅を小さくすることができ
る。また、このとき磁気異方性エネルギーＫｕとモジュ
レーションの関係は、磁気記録媒体の磁性膜の表面粗さ
により大きな影響を受ける。例えば、一般に表面粗さが
１　ｎｍ（Ｒａ＜２０ｏｗｎ、Ｒｍａｘく８Ｒａの磁気
記録媒体と、磁気記録媒体の走行方向と垂直の方向にお
ける表面粗さが１　ｎｍ　＜　Ｒａ　り２０ｎｍ、９Ｒ
ａ〈Ｒｍａｘ（２５Ｒａの磁気記録媒体とを比較すると
、後者の方が、同じＪ（ｕで比較してモジュレーション
が小さくなる。このように、表面粗さによって磁気異方
性エネルギーＫｕに対する仕様が異なるのは、磁性膜を
磁気記録媒体の走行方向と垂直方向に意図的に面を粗く
することにより、媒体走行方向の形状磁気異方性を強め
、Ｋｕの影響を小さくすることができるものと考えられ
る。しかし、このような表面加工処理を磁気記録媒体に
施した場合、加工処理をしないときに比べて、磁気特性
は向上し、磁気ヘッドと媒体との粘着などの問題も少な
く、走行性が向上するという利点があるが、逆に浮上特
性の劣化や、磁気記録媒体の作製プロセスの追加による
経済性の低下などの問題があり、一長一短がある。

この選択は磁気ディスクなどの磁気記録媒体の仕様に応
じてなされる。

そして、上記の磁性膜の面内の磁気異方性エネルギーＫ
ｕは、本発明のＣｏ−Ｎｉ系もしくはＣＯ−Ｃｒ系合金
薄膜からなる磁気記録媒体の磁性膜においては、第３元
素としてＺｒまたはＴｉ、およびＺｒとＴｉを添加する
ことによって効果的にＫｕ　を小さくすることができる
。また、これらの本発明のＧｏ−Ｎｉ系、Ｃｏ−Ｃｒ系
合金からなる磁性膜は、表面に緻密な酸化膜が形成され
易く。

いわゆる不動態化処理により耐食性を著しく向上できる
利点がある。さらに、磁性膜と基板との間（磁性層の下
地層）にＣｒまたはＣｒ合金よりなる下地層を形成させ
ることにより、磁性膜の配向性が一段と高まりモジュレ
ーションのより小さい磁気記録媒体を安定して作製する
ことができる。

〔実施例〕

以下に本発明の一実施例を挙げ図面に基づいてさらに詳
細に説明する。

（実施例　１） 外径１５０ｍｍφ、内径４０ＩＩＩＩｌφ、厚さ１．９
ｎｎのＡ１合金からなる基板ｌの上に、厚さが２０ｐの
Ｎ　ｊ−ＰまたはＮｉ　　Ｗ　　Ｐなどからなる非磁性
メッキｍ２．２′を形成した。そして、非磁性メッキ層
２．２′の表面は、研磨砥粒径１／４〜１０ｐの歳２０
３研磨テープなどを用いて研磨し、磁気ディスクの磁性
膜に所定の平均表面粗さＲａおよび最大表面粗さＲｍａ
ｘが得られるように制御した。この非磁性メッキ層２．
２′を形成し表面粗さを制御した基体上に、基体温度１
８０℃、Ａｒガス圧５ｍＴｏｒｒ、ＲＦ投入電力密度４
　Ｗ／ｃｒＪの条件下でＣｒターゲットを用いスパッタ
リング法で、それぞれ所定の膜厚のＣｒ膜３．３′を形
成した。このＣｒ膜３．３′の上に、上記と同一条件の
スパッタリング法で、Ｃｏ−３０（ａｔ％を示す）Ｎｉ
合金ターゲットおよびＺｒまたはＴｉを８ａｔ％添加し
たＣ。

−３ＯＮＬ合金ターゲットを用いて、磁性膜４．４′を
６０ｎｍの厚さに成膜した。磁性膜４，４′の組成は、
はぼターゲットの組成と一致した。さらに、磁性膜４．
４′の上に、上記と同一条件のスパッタリング法で、Ｃ
からなる保護潤滑層５．５′を形成させた。

このようにして作製した磁気ディスクを、次に示す条件
で記録再生特性の測定を行った。

使用ヘッド・・・・・・・・・Ｍｎ−Ｚｎ　フェライト
ヘットへラドギャップ長・・・・・・０．３岸ヘツドン
享上量・・・・・・・・・・・０．２卯また、磁気異方
性エネルギーＫｕの測定は磁気トルクメータを用いて行
った。その結果を第１表に示す。

第　　１　　表 第１表に示す試料１〜５は、媒体の磁性膜の表面粗さＲ
ａとＲｍａｘとの関係が、１ｎｍ≦Ｒａ≦２０ｎｍに対
して、Ｒｍａｘ≦８Ｒａとなるように表面を研磨処理し
た基体を用い、Ｃｒ膜の膜厚をそれぞれ１００，２５０
．５００ｎｍとし、磁性膜としてＧｏ−３ＯＮＬ　Ｃｏ
−３ＯＮｉ　−８２ｒ、　Ｇｏ−３ＯＮｉ　−８Ｔｉ合
金薄膜を用いた磁気ディスクであり、その磁気異方性エ
ネルギーＫ　ｕ　（ｅｒｇ／　ａｌ　）とモジュレーシ
ョン（（Ｅｍａｘ−Ｅｍｉｎ）　／　（Ｅｍａｘ＋Ｅｍ
ｉｎ）　（％）〕との関係を第２図に示す。図から明ら
かなごとく。

Ｋｕの値がＯ≦Ｋｕ≦２　Ｘ　１０！′ｅｒｇ／　ｔｙ
ｊのときにモジュレーションの値が２０％未満になるこ
とを示している。

また、第１表に示す試料１と３．４を比較すると、Ｃｏ
−Ｎｉ系合金の磁性膜にＴｊ　やＺｒを７〜８ａｔ％添
加することにより、同一の成膜条件としたにもかかわら
すＫｕおよびモジュレーションの値が４０〜５０％程度
低下することを示している。

第１表に示す試料６〜１０は、媒体の磁性膜の表面粗さ
ＲａとＲｍａｘとの関係が、１ｎｍ≦Ｒａ≦２０ｎｍに
対して、９Ｒａ≦Ｒｍａｘ≦２５Ｒａ　となるように表
面を研磨処理した基体を用い、上記の試料１〜５と同様
の条件で作製した磁気ディスクであって、Ｋｕとモジュ
レーションの関係を第３図に示す。図から明らかなごと
く、同じＫｕ　（ｅｒｇ／ｃｆｆｌ）の媒体であっても
試料１〜５に比べて、さらにモジュレーション（％）が
減少し、Ｋｕの値が０≦Ｋｕ≦４　Ｘ　１１０５ｅｒ／
　ｃｌのとき、モジュレーション値が１０％未満となっ
た。この磁気ディスクの記録密度り、。（低記録密度に
おける再生出力の１／２になる記録密度）は、いずれも
２３ｋＦ（、Ｉ（１インチ当りの磁化反転密度）８度で
あったが、再生出力の大きさは２０％程度増大した。ま
た、試料６と、試料８、試料９とを比較すると、Ｃｏ−
Ｎｉ系合金磁性膜にＴｉやＺ「を７〜８ａｔ％添加する
と、同様の成膜条件にもかかわらず磁気異方性エネルギ
ーＫｕ　とモジュレーションの値が６０〜７０％低下す
ることを示している。

（実施例　２） 実施例１における試料１〜１０に用いた同様の基板１上
に非磁性メッキ層２．２′を形成させた基体を用い、基
体温度１５０°Ｃ，Ａｒガス圧１５ｍＴｏｒｒ、ＲＦ投
入電力密度６Ｗ／ｃａｒの条件下でスパッタリング法に
よって、所定の膜厚のＣｒ成膜、３′を形成させた。こ
のＣｒ成膜、３′の上に、上記と同一のスパッタリング
条件で、Ｃｏ−２０Ｘｉ、Ｃｏ−５ＯＮｉ合金のターゲ
ットおよびＺｒを５ａｔ％、１０ａｔ％、１５ａｔ％そ
れぞれ添加したＣｏ−２ＯＮｉ。

Ｃｏ−５ＯＮｉ合金をターゲットとして用い磁性層４．
４′を７０ｎｍの膜厚に成膜した。さらに、磁性層４，
４′の上には、実施例１と同様にして、膜厚が５０ｎｍ
のＣ膜である保護潤滑層５．５′を形成させ、第２表の
試料１１〜２５に示す磁気ディスクを作製した。このよ
うにして作製した磁気ディスクについて、実施例１と同
様の方法で記録再生特性および磁気異方性エネルギーＫ
ｕを肥定した。その結果を第２表に示す。

第２表に示す試料１１〜２５は、媒体の磁性膜の表面粗
さＲａ　とＲｍａｘ　との関係が、１ｎｍ≦Ｒａ≦２０
ｎｍおよびＲｍａｘ≦８Ｒａとなるように表面を研磨処
理した基体を用い、Ｃ「膜の膜厚をそれぞれ１５０．２
５０．５００ｎｍとし、磁性膜として膜厚が７００人の
Ｃｏ−４ＯＮｉ、　Ｃｏ−２ＯＮｉ　−５Ｚｒ、Ｃｏ−
２ＯＮｉ−１０２ｒ、　Ｃｏ−５ＯＮｉ　−５Ｚｒ、Ｃ
ｏ−５ＯＮｉ　−１５Ｚｒ合金薄膜を形成させた磁気デ
ィスクであり、第　　２　　表 そのモジュレーション（Ｅｍａｘ　−Ｅｍｉｎ／　Ｅｍ
ａｘ＋Ｅｍｉｎ（％）〕とＣｒ膜厚１−）との関係を第
４図に示す。図から明らかなごとく、Ｃｒ膜厚の増加と
共に磁気ディスクのモジュレーションが低下し、Ｃｒ膜
厚が０．１５峠から０．５ｕＩｎと変化するとき、モジ
ュレーションの値は、Ｇ　ｏ　−４０Ｎ　ｉでは３１％
から１９％へ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｚｒはいずれも２０％から
８％へと低下した。このとき、第２表に示す試料１１〜
１３のＣｏ−Ｎｉ系合金薄膜と試料１４〜２５のＣ。

Ｎｉ−Ｚｒ系合金薄膜とを比べると、後者の方が４０〜
５０％モジュレーションの低下を示している。

この傾向は、Ｚｒ添加だけに限られるわけでなく、Ｔｉ
添加の場合においても同様な結果が得られた。

さらに、Ｃｏ　　Ｎｉ合金にＴｉあるいはＺｒを添加し
た３元ないし４元合金は、Ｃｏ−Ｎｉ合金に比べて耐食
性も著しく向上した。また、Ｃｏ−Ｎｉ合金薄膜ではＣ
ｏ−２ＯＮｉ、Ｃｏ−５ＯＮｉ合金薄膜においても試料
１１〜１３と同様の効果が認められた。

そして、試料１１〜２５におけるＣｒ膜厚とモジュレー
ションの関係は、上述の第１表に示した試料２〜６に用
いた基体と同様の基体を使用した場合においても同様の
結果が得られた。

以上、本発明の実施例において、磁性膜を構成する薄膜
としてＣｏ−Ｎｉ系合金を例に挙げたが、Ｃｏ−Ｃｒ系
合金にＴｉまたはＺｒ、もしくはＴｉとＺｒを添加した
磁性膜においても上記実施例と同様の効果のあることを
確認している。

また、上記実施例において、非磁性メッキ（Ｎｉ−Ｐ、
Ｎ１−Ｗ−Ｐ）ｉを設けたＡ党基板による磁気ディスク
を例にして説明したが、本発明の効果はこの媒体に限る
わけではなく、セラミックス基板を用いた磁気ディスク
や、フロッピーディスク、磁気テープなどにも適用する
ことができる。

なお、成膜方法についてもスパッタリング法に限らず、
イオンビームスパッタリング法、イオンブレーティング
法、真空蒸着法、各種メッキ法など方法を適用すること
ができることは言うまでもない。

〔発明の効果〕

以上詳細に説明したごとく本発明によれば、磁気記録媒
体を構成する磁性膜に、記録方向に垂直な方向の中心線
平均表面粗さＲａ、および最大表面粗さＲｍａｘ　を所
定の範囲内に設定し、かつＺｒ、Ｔｉを添加したＣｏ　
　Ｎｉ系またはＣｏ−Ｃｒ系合金を磁性膜とし、さらに
磁性膜にＣｒなどからなる下地層を設けることによって
、磁性膜の面内の磁気異方性エネルギーＫｕ　を所定の
値以下とした本発明の磁気記録媒体は、耐食性が良く、
磁気記録再生時における出力変動であるモジュレーショ
ンの値を著しく小さくすることができるので、高密度磁
気記録に適した耐久性ならびに信頼性の高い磁気記録媒
体が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例において作製した磁気ディスク
の断面構造を示す模式図、第２図および第３図は実施例
１における磁気ディスクの面内の磁気異方性エネルギー
Ｋｕとモジュレーションの関係を示すグラフ、第４図は
実施例２におけるＣｒ膜厚とモジュレーションの関係を
示すグラフである。 １・・・基板 ２．２′・・・非磁性メッキ暦 ３．３′・・・Ｃｒ膜 ４．４′・・・磁性膜 ５．５′・・・保護潤滑層

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基板上に、直接もしくは下地層を介して形成された
   Ｃｏを主成分とする合金よりなる磁性膜を有する磁気記
   録媒体において、上記磁性膜の磁気記録方向に垂直な方
   向の中心線平均表面粗さＲａおよび最大表面粗さＲｍａ
   ｘが、１ｎｍ≦Ｒａ≦２０ｎｍおよびＲｍａｘ≦２５Ｒ
   ａの範囲にあって、上記磁性膜の面内の磁気異方性エネ
   ルギーＫｕが０≦Ｋｕ≦８×１０＾５ｅｒｇ／ｃｍ＾３
   の範囲にあることを特徴とする磁気記録媒体。 ２、平均表面粗さＲａおよび最大表面粗さＲｍａｘが、
   １ｎｍ≦Ｒａ≦２０ｎｍおよびＲｍａｘ≦８Ｒａの範囲
   にあって、磁性膜の面内の磁気異方性エネルギーＫｕが
   ０≦Ｋｕ≦２×１０＾５ｅｒｇ／ｃｍ＾３の範囲にある
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の磁気記
   録媒体。 ３、平均表面粗さＲａおよび最大表面粗さＲｍａｘが、
   １．５ｎｍ≦Ｒａ≦４ｎｍおよび６Ｒａ≦Ｒｍａｘ≦８
   Ｒａの範囲にあって、磁性膜の面内の磁気異方性エネル
   ギーＫｕが０≦Ｋｕ≦２×１０＾５ｅｒｇ／ｃｍ＾３の
   範囲にあることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
   載の磁気記録媒体。 ４、Ｒｍａｘの絶対値が２０ｎｍを超え、１５０ｎｍ以
   下の範囲にあって、磁性膜の面内の磁気異方性エネルギ
   ーＫｕが０≦Ｋｕ≦２×１０＾５ｅｒｇ／ｃｍ＾３の範
   囲にあることを特徴とする特許請求の範囲第３項に記載
   の磁気記録媒体。 ５、平均表面粗さＲａおよび最大表面粗さＲｍａｘが、
   １ｎｍ≦Ｒａ≦２０ｎｍおよび９Ｒａ≦Ｒｍａｘ≦２５
   Ｒａの範囲にあって、磁性膜の面内の磁気異方性エネル
   ギーＫｕが０≦Ｋｕ≦８×１０＾５ｅｒｇ／ｃｍ＾３の
   範囲内にあることを特徴とする特許請求の範囲第１項に
   記載の磁気記録媒体。 ６、平均表面粗さＲａおよび最大表面粗さＲｍａｘが、
   ４ｎｍ≦Ｒａ≦８ｎｍおよび９Ｒａ≦Ｒｍａｘ≦１６Ｒ
   ａの範囲にあって、磁性膜の面内の磁気異方性エネルギ
   ーＫｕが０≦Ｋｕ≦８×１０＾５ｅｒｇ／ｃｍ＾３の範
   囲内にあることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
   載の磁気記録媒体。 ７、Ｃｏを主成分とする合金よりなる磁性膜の組成が、
   原子％で、Ｃｏに対して２０〜５０％のＮｉを含有し、
   さらにＣｏとＮｉの合計量に対して４〜１５％のＺｒお
   よびＴｉのうちより選ばれる少なくとも１種の元素を含
   む合金よりなることを特徴とする特許請求の範囲第１項
   ないし第６項のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。 ８、Ｃｏを主成分とする合金よりなる磁性膜の組成が、
   原子％で、Ｃｏに対して２０％以下のＣｒを含有し、さ
   らにＣｏとＣｒの合計量に対して４〜１５％のＺｒおよ
   びＴｉのうちより選ばれる少なくとも１種の元素を含む
   合金よりなることを特徴とする特許請求の範囲第１項な
   いし第６項のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。 ９、磁性膜の下地層は、ＣｒもしくはＣｒを主成分とす
   る合金薄膜であって、上記下地層の膜厚は、１５０〜５
   ００ｎｍの範囲にあることを特徴とする特許請求の範囲
   第１項ないし第８項のいずれか１項に記載の磁気記録媒
   体。