JP2802017B2 - 金属薄膜型磁気記録媒体 - Google Patents
金属薄膜型磁気記録媒体Info
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- JP2802017B2 JP2802017B2 JP10156793A JP10156793A JP2802017B2 JP 2802017 B2 JP2802017 B2 JP 2802017B2 JP 10156793 A JP10156793 A JP 10156793A JP 10156793 A JP10156793 A JP 10156793A JP 2802017 B2 JP2802017 B2 JP 2802017B2
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- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク等の磁気記
録媒体に関する。
録媒体に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、磁気記録媒体の高密度記録化に伴
って、CoNiCr、CoCrTa等の一軸結晶磁気異
方性を有するCo合金からなる磁性層を非磁性基板上に
Cr下地層を介して成膜した金属薄膜型磁気記録媒体が
用いられている。従来、非磁性基板として、A1合金板
上に非晶質Ni−Pメッキ層が形成され、その表面にテ
キスチャーと呼ばれる微細凹凸が円周方向に沿って機械
的に加工されたものが使用されていた。機械的テキスチ
ャーは、ヘッド・媒体間の摩擦を軽減し、CSS(コン
スタント・スタート・ストップ)特性を向上させると共
に、その表面側に形成されるCo合金磁性層の周方向の
磁気的異方性を向上させ、保磁力を向上させる作用を有
する。一方、Cr下地層は、該下地層を構成するCrの
結晶構造が、その上に成膜されるCo合金磁性層の磁気
異方性を示す結晶軸を面内配向させるように作用し、保
磁力を向上させる作用を有する。
って、CoNiCr、CoCrTa等の一軸結晶磁気異
方性を有するCo合金からなる磁性層を非磁性基板上に
Cr下地層を介して成膜した金属薄膜型磁気記録媒体が
用いられている。従来、非磁性基板として、A1合金板
上に非晶質Ni−Pメッキ層が形成され、その表面にテ
キスチャーと呼ばれる微細凹凸が円周方向に沿って機械
的に加工されたものが使用されていた。機械的テキスチ
ャーは、ヘッド・媒体間の摩擦を軽減し、CSS(コン
スタント・スタート・ストップ)特性を向上させると共
に、その表面側に形成されるCo合金磁性層の周方向の
磁気的異方性を向上させ、保磁力を向上させる作用を有
する。一方、Cr下地層は、該下地層を構成するCrの
結晶構造が、その上に成膜されるCo合金磁性層の磁気
異方性を示す結晶軸を面内配向させるように作用し、保
磁力を向上させる作用を有する。
【0003】最近、ハードディスク装置の小型化と大容
量化に拍車がかかり、それに応じた磁気記録媒体の開発
が求められている。磁気記録媒体の高密度記録化が進む
と、記録ビットサイズが更に小さくなるために、磁気ヘ
ッドの浮上量をできるだけ下げて読み出し出力を上げな
ければならない。そのためには磁性層が成膜される非磁
性基板の平滑化を促進して、ヘッドの低浮上化を図る必
要がある。
量化に拍車がかかり、それに応じた磁気記録媒体の開発
が求められている。磁気記録媒体の高密度記録化が進む
と、記録ビットサイズが更に小さくなるために、磁気ヘ
ッドの浮上量をできるだけ下げて読み出し出力を上げな
ければならない。そのためには磁性層が成膜される非磁
性基板の平滑化を促進して、ヘッドの低浮上化を図る必
要がある。
【0004】このため、非磁性基板として、前記Al合
金/Ni−Pメッキ基板に代わってガラス基板が採用さ
れ、機械的加工による方向性のあるテキスチャーから化
学的腐食による無方向(等方向)性のテキスチャーが形
成されるようになった。機械的加工により形成したテキ
スチャーには微小なバリ状突起が形成され易く、これが
ヘッドの低浮上化を困難にしていたからである。
金/Ni−Pメッキ基板に代わってガラス基板が採用さ
れ、機械的加工による方向性のあるテキスチャーから化
学的腐食による無方向(等方向)性のテキスチャーが形
成されるようになった。機械的加工により形成したテキ
スチャーには微小なバリ状突起が形成され易く、これが
ヘッドの低浮上化を困難にしていたからである。
【0005】しかし、化学的腐食による無方向性のテキ
スチャーでは、形状効果による磁気的異方性の向上が期
待できないため、磁気記録媒体の高保磁力化に限界があ
った。この問題については、特開平3−23513号公
報に開示されているCoSm合金を用いて磁性層を形成
することにより、無方向性のテキスチャーであっても、
また低温スパッタリングによっても、従来のCo合金磁
性層と同程度以上の保磁力が得られる。
スチャーでは、形状効果による磁気的異方性の向上が期
待できないため、磁気記録媒体の高保磁力化に限界があ
った。この問題については、特開平3−23513号公
報に開示されているCoSm合金を用いて磁性層を形成
することにより、無方向性のテキスチャーであっても、
また低温スパッタリングによっても、従来のCo合金磁
性層と同程度以上の保磁力が得られる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、CoS
m合金を用いて磁性層を形成した場合、高保磁力を発現
させるには、Smをある程度以上含有させなければなら
ない。ところが、飽和磁化MsはSmの含有量が多くな
るほど低下する。このため、磁性層の再生出力の目安で
あるMr・t(Mr:残留磁化、t:層厚)が一定条件
の下では、tを大きくしなければならず、その結果リー
ド/ライト特性(R/W特性)が低下するという問題が
あった。
m合金を用いて磁性層を形成した場合、高保磁力を発現
させるには、Smをある程度以上含有させなければなら
ない。ところが、飽和磁化MsはSmの含有量が多くな
るほど低下する。このため、磁性層の再生出力の目安で
あるMr・t(Mr:残留磁化、t:層厚)が一定条件
の下では、tを大きくしなければならず、その結果リー
ド/ライト特性(R/W特性)が低下するという問題が
あった。
【0007】本発明はかかる問題に鑑みなされたもの
で、高Msおよび高保磁力を兼備した、Smを含有する
Co合金磁性層を備えた金属薄膜型磁気記録媒体を提供
することを目的とする。
で、高Msおよび高保磁力を兼備した、Smを含有する
Co合金磁性層を備えた金属薄膜型磁気記録媒体を提供
することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気記録媒体
は、非磁性基板の上に非磁性下地層、Co合金磁性層を
備えた磁気記録層が同順序で積層成膜された金属薄膜型
磁気記録媒体において、前記磁性層は、原子%(以下、
単に「%」と記す。)で、Fe:12%以下、Sm:7
〜25%を含有し、残部がCoからなるCo合金で形成
されている。
は、非磁性基板の上に非磁性下地層、Co合金磁性層を
備えた磁気記録層が同順序で積層成膜された金属薄膜型
磁気記録媒体において、前記磁性層は、原子%(以下、
単に「%」と記す。)で、Fe:12%以下、Sm:7
〜25%を含有し、残部がCoからなるCo合金で形成
されている。
【0009】
【作用】本発明にかかる磁性層を形成するCo合金には
Smの他に所定量のFeを含有するので、保磁力を向上
させるためにSm含有量を増加しても、保磁力を低下さ
せることなく、Msの低下を抑制し、むしろ向上させる
ことができる。この際、Fe含有量が12%を越えると
保磁力が低下するようになる。一方、Sm含有量が7%
未満では高保磁力が得難く、25%を越えても高保磁力
が得難くなる。尚、Feがかかる作用を奏する理由につ
いてはよく分かっていない。
Smの他に所定量のFeを含有するので、保磁力を向上
させるためにSm含有量を増加しても、保磁力を低下さ
せることなく、Msの低下を抑制し、むしろ向上させる
ことができる。この際、Fe含有量が12%を越えると
保磁力が低下するようになる。一方、Sm含有量が7%
未満では高保磁力が得難く、25%を越えても高保磁力
が得難くなる。尚、Feがかかる作用を奏する理由につ
いてはよく分かっていない。
【0010】尚、磁性層をCoCr系合金で成膜した場
合、CoをFeで置換することにより、Feの方がCo
よりも磁気モーメントが大きいため、Msが向上する。
しかし、数%の置換で保磁力が減少するようになるた
め、高保磁力が期待できない。
合、CoをFeで置換することにより、Feの方がCo
よりも磁気モーメントが大きいため、Msが向上する。
しかし、数%の置換で保磁力が減少するようになるた
め、高保磁力が期待できない。
【0011】
【実施例】図1は実施例に係る磁気記録媒体の要部断面
図を示しており、非磁性の基板1の上に、非磁性下地層
2が成膜されており、その上にCoFeSm合金磁性層
からなる磁気記録層3が成膜され、更にその上に非磁性
保護層4がスパッタリングにより積層成膜されている。
図を示しており、非磁性の基板1の上に、非磁性下地層
2が成膜されており、その上にCoFeSm合金磁性層
からなる磁気記録層3が成膜され、更にその上に非磁性
保護層4がスパッタリングにより積層成膜されている。
【0012】前記基板1としては、Al合金/Ni−P
メッキ基板やチタン等の金属基板、ガラス,セラミック
ス,カーボン,ポリマーなどの非金属基板が使用され
る。基板1の上に形成される非磁性下地層2は、Crや
Crと同様の結晶構造を有するCr合金、例えばCrC
u合金(Cu含有量15%以下)で形成され、該下地層
2の上に形成されるCo合金磁性層の面内方向の結晶磁
気異方性を向上させる。層厚は、通常、500〜200
0Å程度とされる。
メッキ基板やチタン等の金属基板、ガラス,セラミック
ス,カーボン,ポリマーなどの非金属基板が使用され
る。基板1の上に形成される非磁性下地層2は、Crや
Crと同様の結晶構造を有するCr合金、例えばCrC
u合金(Cu含有量15%以下)で形成され、該下地層
2の上に形成されるCo合金磁性層の面内方向の結晶磁
気異方性を向上させる。層厚は、通常、500〜200
0Å程度とされる。
【0013】前記磁気記録層3は、既述の通り、Msの
低下を抑制し、高保磁力が得られるCoFeSm合金に
より成膜される。尚、磁気記録層は所定のCoFeSm
合金磁性層を図例のように単層として形成したものに限
らず、CoFeSm合金磁性層と、Crや下地層を形成
する前記Cr合金からなる非磁性中間層とを交互に積層
形成したものでもよい。磁気記録層3の層厚(CoFe
Sm合金単層ならその層厚、複層ならCoFeSm合金
層の合計厚)は通常200〜800Å程度とされる。
低下を抑制し、高保磁力が得られるCoFeSm合金に
より成膜される。尚、磁気記録層は所定のCoFeSm
合金磁性層を図例のように単層として形成したものに限
らず、CoFeSm合金磁性層と、Crや下地層を形成
する前記Cr合金からなる非磁性中間層とを交互に積層
形成したものでもよい。磁気記録層3の層厚(CoFe
Sm合金単層ならその層厚、複層ならCoFeSm合金
層の合計厚)は通常200〜800Å程度とされる。
【0014】前記磁気記録層3の上にはカーボン、Si
O2 、又はCr/SiO2 等からなる非磁性保護層4が
200〜400Å程度形成されており、更にその上にフ
ッ素化ポリエーテル等の液体潤滑剤を20〜50Å程度
(単分子厚程度)塗布してもよい。尚、前記保護層4や
潤滑層は必要に応じて形成すればよい。非磁性下地層、
磁気記録層、非磁性保護層は、通常、スパッタリングに
より成膜される。スパッタリング条件は、通常、Arガ
ス分圧が10〜50mTorr、基板温度が室温〜10
0℃程度とされる。
O2 、又はCr/SiO2 等からなる非磁性保護層4が
200〜400Å程度形成されており、更にその上にフ
ッ素化ポリエーテル等の液体潤滑剤を20〜50Å程度
(単分子厚程度)塗布してもよい。尚、前記保護層4や
潤滑層は必要に応じて形成すればよい。非磁性下地層、
磁気記録層、非磁性保護層は、通常、スパッタリングに
より成膜される。スパッタリング条件は、通常、Arガ
ス分圧が10〜50mTorr、基板温度が室温〜10
0℃程度とされる。
【0015】次に具体的実施例を掲げる。 (1) RF3元スパッタリング装置を用いて、化学的腐食
により無方向性のテキスチャーを施したガラス基板の上
にCr下地層を1000Å、表1のCoSm合金磁性層
(従来例)あるいはCoFeSm合金磁性層(実施例、
比較例)からなる磁気記録層を500Å、さらにその上
にSiO2 保護層を200Å積層成膜した。成膜時の基
板温度は室温のままとし、成膜時のArガス分圧および
高周波電力は、下地層成膜時15mTorrで200
W、磁性層成膜時35mTorrで160W、保護層成
膜時15mTorrで200Wとした。
により無方向性のテキスチャーを施したガラス基板の上
にCr下地層を1000Å、表1のCoSm合金磁性層
(従来例)あるいはCoFeSm合金磁性層(実施例、
比較例)からなる磁気記録層を500Å、さらにその上
にSiO2 保護層を200Å積層成膜した。成膜時の基
板温度は室温のままとし、成膜時のArガス分圧および
高周波電力は、下地層成膜時15mTorrで200
W、磁性層成膜時35mTorrで160W、保護層成
膜時15mTorrで200Wとした。
【0016】
【表1】
【0017】(2) 得られた実施例、従来例、比較例の磁
気記録媒体を用いて、外部磁場10kOeの下で、媒体
の磁気特性をVSMを用いて測定した。その結果を表1
に併せて示す。表1より、実施例では保磁力、Msとも
高い値を示している。一方、Feを含有しない従来例の
No. 4は同Sm含有量のNo. 1と比較して、高保磁力で
はあるが、Msが720emu/ccとMsの低下が著
しい。また、Fe含有量が本発明範囲外の比較例のNo.
5は同Sm含有量の実施例のNo. 1と比較して、Msが
優れるものの、保磁力の低下が著しい。 (3) 次に、種々のFe含有量(但し、最少のFe含有量
0.1%)のCoFeSm合金磁性層を有する実施例の
磁気記録媒体を成膜して、Fe含有量が保磁力およびM
sに与える影響を調べた。但し、CoFeSm合金磁性
層のSm含有量は18%とした。その他の成膜条件、保
磁力測定条件は(1) 、(2) と同様である。その結果を図
2に示す。図2より、Feの含有量が12%までは保磁
力(白角で表示)の低下が認められないが、この値を越
えると急速に低下する。一方、Ms(黒丸で表示)はF
e含有量の増加に応じて漸次増加することが分かる。
気記録媒体を用いて、外部磁場10kOeの下で、媒体
の磁気特性をVSMを用いて測定した。その結果を表1
に併せて示す。表1より、実施例では保磁力、Msとも
高い値を示している。一方、Feを含有しない従来例の
No. 4は同Sm含有量のNo. 1と比較して、高保磁力で
はあるが、Msが720emu/ccとMsの低下が著
しい。また、Fe含有量が本発明範囲外の比較例のNo.
5は同Sm含有量の実施例のNo. 1と比較して、Msが
優れるものの、保磁力の低下が著しい。 (3) 次に、種々のFe含有量(但し、最少のFe含有量
0.1%)のCoFeSm合金磁性層を有する実施例の
磁気記録媒体を成膜して、Fe含有量が保磁力およびM
sに与える影響を調べた。但し、CoFeSm合金磁性
層のSm含有量は18%とした。その他の成膜条件、保
磁力測定条件は(1) 、(2) と同様である。その結果を図
2に示す。図2より、Feの含有量が12%までは保磁
力(白角で表示)の低下が認められないが、この値を越
えると急速に低下する。一方、Ms(黒丸で表示)はF
e含有量の増加に応じて漸次増加することが分かる。
【0018】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明の金属薄膜型
磁気記録媒体は、磁性層を特定組成のCoFeSm合金
で成膜するので、高保磁力と高Msとを兼備させること
ができ、ひいてはR/W特性を損なうことなく、記録密
度の高度化を図ることができる。
磁気記録媒体は、磁性層を特定組成のCoFeSm合金
で成膜するので、高保磁力と高Msとを兼備させること
ができ、ひいてはR/W特性を損なうことなく、記録密
度の高度化を図ることができる。
【図1】本発明の金属薄膜型磁気記録媒体の要部断面図
である。
である。
【図2】CoFeSm磁性層を備えた磁気記録媒体にお
けるFe含有量と保磁力Hc、残留磁化Msとの関係を
示すグラフ図である。
けるFe含有量と保磁力Hc、残留磁化Msとの関係を
示すグラフ図である。
1 基板 2 非磁性下地層 3 磁気記録層 4 保護層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01F 10/16
Claims (1)
- 【請求項1】 非磁性基板の上に非磁性下地層、Co合
金磁性層を備えた磁気記録層が同順序で積層成膜された
金属薄膜型磁気記録媒体において、 前記磁性層は、原子%で、Fe:12%以下、Sm:7
〜25%を含有し、残部がCoからなるCo合金で形成
されていることを特徴とする金属薄膜型磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10156793A JP2802017B2 (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | 金属薄膜型磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10156793A JP2802017B2 (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | 金属薄膜型磁気記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06310328A JPH06310328A (ja) | 1994-11-04 |
JP2802017B2 true JP2802017B2 (ja) | 1998-09-21 |
Family
ID=14303992
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10156793A Expired - Fee Related JP2802017B2 (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | 金属薄膜型磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2802017B2 (ja) |
-
1993
- 1993-04-27 JP JP10156793A patent/JP2802017B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06310328A (ja) | 1994-11-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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