JP3280463B2 - 金属薄膜型磁気記録媒体の製造法 - Google Patents
金属薄膜型磁気記録媒体の製造法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク等の金属薄
膜型磁気記録媒体の製造法に係り、特に重ね書き特性
(オーバーライト特性、Ｏ／Ｗ特性という。）の良好な
ものの製造法に関する。
膜型磁気記録媒体の製造法に係り、特に重ね書き特性
(オーバーライト特性、Ｏ／Ｗ特性という。）の良好な
ものの製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録媒体の高密度記録化に伴
って、ＣｏＮｉＣｒ，ＣｏＣｒＴａ等の一軸結晶磁気異
方性を有するＣｏ合金系強磁性金属の薄膜（磁性層）を
非磁性基体上に成膜した金属薄膜型磁気記録媒体が用い
られている。前記磁気記録媒体において、高密度記録化
を行うには、高い保磁力を具備する必要があり、磁性層
の薄膜化を促進しなければならない。しかし、薄膜化を
促進すると残留磁束密度Ｂｒと膜厚δとの積Ｂｒδが小
さくなり、再生出力が小さくなるという問題があった。
って、ＣｏＮｉＣｒ，ＣｏＣｒＴａ等の一軸結晶磁気異
方性を有するＣｏ合金系強磁性金属の薄膜（磁性層）を
非磁性基体上に成膜した金属薄膜型磁気記録媒体が用い
られている。前記磁気記録媒体において、高密度記録化
を行うには、高い保磁力を具備する必要があり、磁性層
の薄膜化を促進しなければならない。しかし、薄膜化を
促進すると残留磁束密度Ｂｒと膜厚δとの積Ｂｒδが小
さくなり、再生出力が小さくなるという問題があった。
【０００３】そこで、特開平１−217723号公報に開示さ
れているように、非磁性基体の上にＣｒからなる下地層
を設け、その上にスパッタリングによりＣｏ合金系磁性
層と非磁性層とを交互に積層した磁気記録媒体が開発さ
れるに至った。この媒体においては、高保磁力の薄膜磁
性層が多数形成されているため、各磁性層のＢｒδの総
和は大きな値となり、再生出力を損うことなく高密度記
録化が可能となった。
れているように、非磁性基体の上にＣｒからなる下地層
を設け、その上にスパッタリングによりＣｏ合金系磁性
層と非磁性層とを交互に積層した磁気記録媒体が開発さ
れるに至った。この媒体においては、高保磁力の薄膜磁
性層が多数形成されているため、各磁性層のＢｒδの総
和は大きな値となり、再生出力を損うことなく高密度記
録化が可能となった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記磁
性層を積層化した磁気記録媒体においては、Ｏ／Ｗ特性
について配慮されておらず、Ｏ／Ｗ特性に問題があっ
た。すなわち、磁気ヘッドの起磁力は磁気記録媒体の表
面（ヘッド対向面）から下方（基体側方向）にいくほど
小さくなるが、下層の磁性層においても保磁力が高いた
め、磁気ヘッドの起磁力の低下と相まって、新たなパタ
ン（情報）が下層まで重き込み難くなり、以前のパタン
の残留に起因するノイズにより新しいパタンのＳ／Ｎが
悪くなるという問題があった。
性層を積層化した磁気記録媒体においては、Ｏ／Ｗ特性
について配慮されておらず、Ｏ／Ｗ特性に問題があっ
た。すなわち、磁気ヘッドの起磁力は磁気記録媒体の表
面（ヘッド対向面）から下方（基体側方向）にいくほど
小さくなるが、下層の磁性層においても保磁力が高いた
め、磁気ヘッドの起磁力の低下と相まって、新たなパタ
ン（情報）が下層まで重き込み難くなり、以前のパタン
の残留に起因するノイズにより新しいパタンのＳ／Ｎが
悪くなるという問題があった。
【０００５】本発明はかかる問題に鑑みなされたもの
で、記録密度が高く、しかも良好なＯ／Ｗ特性を備えた
金属薄膜型磁気記録媒体の製造法を提供することを目的
とする。
で、記録密度が高く、しかも良好なＯ／Ｗ特性を備えた
金属薄膜型磁気記録媒体の製造法を提供することを目的
とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の製造法は、非磁
性基体の上に非磁性下地層を成膜し、該下地層の上に強
磁性Ｃｏ合金からなる磁性層とＣｒ若しくはＣｒ合金か
らなる非磁性中間層とを交互に積層成膜して磁気記録層
を形成し、前記非磁性中間層の成膜時に負のバイアス電
圧を表面側ほど高く印加する。
性基体の上に非磁性下地層を成膜し、該下地層の上に強
磁性Ｃｏ合金からなる磁性層とＣｒ若しくはＣｒ合金か
らなる非磁性中間層とを交互に積層成膜して磁気記録層
を形成し、前記非磁性中間層の成膜時に負のバイアス電
圧を表面側ほど高く印加する。
【０００７】この際、最基体側の非磁性中間層をＣｒ
層、ＣｒＸ層、ＣｒＹ層、ＣｒＸＹ層で形成し、それよ
り表面側の非磁性中間層をＣｒ層以外のＣｒ合金層で形
成するのがよい。但し、前記ＸはＳｉ、Ｐ、Ｃｕ、Ｇ
ｅ、希土類元素の内から一種以上選択したものであり、
前記ＹはＢ、Ｃ、Ｎの内から一種以上選択したものであ
る。また、Ｘ、Ｙの含有量は、ＣｒＸ層あるいはＣｒＹ
層を形成する場合、Ｘの総含有量を６原子％以下、Ｙの
総含有量を５原子％以下とし、一方ＣｒＸＹ層を形成す
る場合、Ｘの総含有量をｘ原子％、Ｙの総含有量をｙ原
子％としたとき、（ｘ＋５ｙ／６）を６原子％以下とす
る。
層、ＣｒＸ層、ＣｒＹ層、ＣｒＸＹ層で形成し、それよ
り表面側の非磁性中間層をＣｒ層以外のＣｒ合金層で形
成するのがよい。但し、前記ＸはＳｉ、Ｐ、Ｃｕ、Ｇ
ｅ、希土類元素の内から一種以上選択したものであり、
前記ＹはＢ、Ｃ、Ｎの内から一種以上選択したものであ
る。また、Ｘ、Ｙの含有量は、ＣｒＸ層あるいはＣｒＹ
層を形成する場合、Ｘの総含有量を６原子％以下、Ｙの
総含有量を５原子％以下とし、一方ＣｒＸＹ層を形成す
る場合、Ｘの総含有量をｘ原子％、Ｙの総含有量をｙ原
子％としたとき、（ｘ＋５ｙ／６）を６原子％以下とす
る。
【０００８】更に、非磁性中間層として前記Ｃｒ合金層
を形成する場合、表面側ほどＸ、Ｙの総含有量を高くす
るとよい。また、非磁性中間層を前記ＣｒＸ層で形成す
る場合は、バイアス電圧の印加の有無にかかわず、表面
側ほどＸの総含有量を高くするだけでもよい。
を形成する場合、表面側ほどＸ、Ｙの総含有量を高くす
るとよい。また、非磁性中間層を前記ＣｒＸ層で形成す
る場合は、バイアス電圧の印加の有無にかかわず、表面
側ほどＸの総含有量を高くするだけでもよい。
【０００９】
【作用】非磁性中間層は一般的にＣｒにより成膜され
る。これは、磁性層相互間の磁気的相互作用を緩和する
と共に、Ｃｒ層を構成する柱状晶の結晶配向が、その上
に成膜される磁性層の磁気異方性を示す結晶軸を面内配
向させるように作用し、保磁力が向上するからである。
また、Ｃｒを主成分としたＣｒ合金により非磁性中間層
を成膜した場合についても、磁性層相互間の磁気的相互
作用を緩和することができ、また磁性層の結晶配向性の
向上を期待できる。
る。これは、磁性層相互間の磁気的相互作用を緩和する
と共に、Ｃｒ層を構成する柱状晶の結晶配向が、その上
に成膜される磁性層の磁気異方性を示す結晶軸を面内配
向させるように作用し、保磁力が向上するからである。
また、Ｃｒを主成分としたＣｒ合金により非磁性中間層
を成膜した場合についても、磁性層相互間の磁気的相互
作用を緩和することができ、また磁性層の結晶配向性の
向上を期待できる。
【００１０】非磁性中間層の成膜に際し、表面側ほど負
のバイアス電圧を高く印加して成膜することにより、表
面側の非磁性中間層ほどＣｒ柱状晶の結晶配向性が向上
し、磁性層の面内配向作用が強化される。このため、表
面側の磁性層ほど保磁力が向上し、基体側の磁性層は表
面側の磁性層に対して保磁力が小さくなる。従って、磁
気ヘッドからの起磁力が弱まる基体側の磁性層において
も、磁気ヘッドからのパタンを容易に書き換えることが
でき、書き込み前のパタンの残留によるノイズを低下す
ることができ、Ｏ／Ｗ特性が向上する。
のバイアス電圧を高く印加して成膜することにより、表
面側の非磁性中間層ほどＣｒ柱状晶の結晶配向性が向上
し、磁性層の面内配向作用が強化される。このため、表
面側の磁性層ほど保磁力が向上し、基体側の磁性層は表
面側の磁性層に対して保磁力が小さくなる。従って、磁
気ヘッドからの起磁力が弱まる基体側の磁性層において
も、磁気ヘッドからのパタンを容易に書き換えることが
でき、書き込み前のパタンの残留によるノイズを低下す
ることができ、Ｏ／Ｗ特性が向上する。
【００１１】非磁性中間層をＣｒＸ合金、ＣｒＹ合金、
ＣｒＸＹ合金（Ｘ：Ｓｉ、Ｐ、Ｃｕ、Ｇｅ、希土類元素
の内から一種以上、Ｙ：Ｂ、Ｃ、Ｎの内から一種以
上。）で形成することにより、ＸあるいはＹがＣｒ柱状
晶の粒界に偏析し、同柱状晶の分離が促進されるため、
その上に成膜される磁性層中の磁性粒子相互間の磁気的
相互作用が緩和され、更に面内配向作用の向上効果がよ
り一層大きくなる。Ｘ、Ｙを夫々単独で含有させる場合
はＸの総含有量を６原子％以下、Ｙの総含有量を５原子
％以下とする。ＸはＣｒに固溶せず、Ｃｒ柱状晶の粒界
に容易に偏析するが、６原子％を越えるとＣｒ柱状晶内
における結晶配向性が崩れて磁性層の面内配向作用が劣
化するようになるからである。一方、ＹはＣｒに若干固
溶し、Ｘに比べてやや偏析し難いため、５原子％以下と
する。また、Ｘ、Ｙを複合して含有させる場合は、各成
分の許容量を考慮して、Ｘの総含有量をｘ原子％、Ｙの
総含有量をｙ原子％としたとき、（ｘ＋５ｙ／６）を６
原子％以下とする。
ＣｒＸＹ合金（Ｘ：Ｓｉ、Ｐ、Ｃｕ、Ｇｅ、希土類元素
の内から一種以上、Ｙ：Ｂ、Ｃ、Ｎの内から一種以
上。）で形成することにより、ＸあるいはＹがＣｒ柱状
晶の粒界に偏析し、同柱状晶の分離が促進されるため、
その上に成膜される磁性層中の磁性粒子相互間の磁気的
相互作用が緩和され、更に面内配向作用の向上効果がよ
り一層大きくなる。Ｘ、Ｙを夫々単独で含有させる場合
はＸの総含有量を６原子％以下、Ｙの総含有量を５原子
％以下とする。ＸはＣｒに固溶せず、Ｃｒ柱状晶の粒界
に容易に偏析するが、６原子％を越えるとＣｒ柱状晶内
における結晶配向性が崩れて磁性層の面内配向作用が劣
化するようになるからである。一方、ＹはＣｒに若干固
溶し、Ｘに比べてやや偏析し難いため、５原子％以下と
する。また、Ｘ、Ｙを複合して含有させる場合は、各成
分の許容量を考慮して、Ｘの総含有量をｘ原子％、Ｙの
総含有量をｙ原子％としたとき、（ｘ＋５ｙ／６）を６
原子％以下とする。
【００１２】非磁性中間層として、前記Ｃｒ合金層を用
いる場合、表面側の非磁性中間層ほど、Ｘ、Ｙ成分の含
有量を高める方がよい。前記成分範囲内では含有量が高
いほど、ＸあるいはＹのＣｒ柱状晶粒界への偏析が促進
される。この偏析の促進により、その上に成膜される磁
性層中の磁性粒子の相互作用が緩和され、更に面内配向
作用が強化されるため、負のバイアス電圧の増大と相ま
って、表面側の磁性層の保磁力をより一層向上させるこ
とができるからである。
いる場合、表面側の非磁性中間層ほど、Ｘ、Ｙ成分の含
有量を高める方がよい。前記成分範囲内では含有量が高
いほど、ＸあるいはＹのＣｒ柱状晶粒界への偏析が促進
される。この偏析の促進により、その上に成膜される磁
性層中の磁性粒子の相互作用が緩和され、更に面内配向
作用が強化されるため、負のバイアス電圧の増大と相ま
って、表面側の磁性層の保磁力をより一層向上させるこ
とができるからである。
【００１３】叙上の通り、ＸはＣｒに固溶せず、容易に
偏析する。この偏析は、バイアス電圧の印加の有無に係
わらず生じるので、非磁性中間層をＣｒＸ合金で成膜す
る場合は、表面側の非磁性中間層ほど、Ｘの含有量を高
めるだけでよい。
偏析する。この偏析は、バイアス電圧の印加の有無に係
わらず生じるので、非磁性中間層をＣｒＸ合金で成膜す
る場合は、表面側の非磁性中間層ほど、Ｘの含有量を高
めるだけでよい。
【００１４】
【実施例】以下、図１に示した金属薄膜型磁気記録媒体
の製造を例にとって説明する。この媒体は、非磁性の基
体３の上に非磁性下地層４が形成されており、その上に
一軸結晶磁気異方性を有する強磁性Ｃｏ合金からなる磁
性層５、７、９と非磁性中間層６、８とが交互に積層成
膜された磁気記録層１０が形成され、更にその上に保護
層１１が形成されている。
の製造を例にとって説明する。この媒体は、非磁性の基
体３の上に非磁性下地層４が形成されており、その上に
一軸結晶磁気異方性を有する強磁性Ｃｏ合金からなる磁
性層５、７、９と非磁性中間層６、８とが交互に積層成
膜された磁気記録層１０が形成され、更にその上に保護
層１１が形成されている。
【００１５】基体３としては、図１ではＡｌ合金製基板
１の上に、硬度を付与するため１０〜２０μm 程度の非
晶質Ｎｉ−Ｐメッキ層2 が形成されたものを示したが、
かかる構成に限らず、ガラスやセラミックスを利用して
も良い。尚、Ｎｉ−Ｐメッキ層２の上面は、通常、磁気
ヘッドとの接触抵抗を軽減するためにテキスチャーと呼
ばれる凹凸加工が施される。
１の上に、硬度を付与するため１０〜２０μm 程度の非
晶質Ｎｉ−Ｐメッキ層2 が形成されたものを示したが、
かかる構成に限らず、ガラスやセラミックスを利用して
も良い。尚、Ｎｉ−Ｐメッキ層２の上面は、通常、磁気
ヘッドとの接触抵抗を軽減するためにテキスチャーと呼
ばれる凹凸加工が施される。
【００１６】前記非磁性下地層４や磁気記録層１０は、
基体１にスパッタリングにより成膜されるが、この際、
基体３をホルダーに取付け、該ホルダーを介して前記基
体３に負のバイアス電圧を印加する。バイアス電圧の大
きさは、３５０Ｖ程度以下とされるが、少なくとも非磁
性中間層６、８を成膜するに際しては、表面側のもの８
ほどバイアス電圧が前記範囲内で大きく設定される。
尚、スパッタリング装置としては、基板に負のバイアス
電圧を印加することができるものであればよく、スパッ
タリング用電源としては直流電源、高周波電源のいずれ
でもよく、ターゲット裏面にマグネットを設けたマグネ
トロンスパッタ装置でもよい。また、スパッタリング条
件は、使用するスパッタリング装置、基体やターゲット
材の種類などにより異なるが、一般的にアルゴンガス分
圧１〜３０×１０-3Ｔｏｒｒ、基板温度１５０〜３００
℃程度とされる。
基体１にスパッタリングにより成膜されるが、この際、
基体３をホルダーに取付け、該ホルダーを介して前記基
体３に負のバイアス電圧を印加する。バイアス電圧の大
きさは、３５０Ｖ程度以下とされるが、少なくとも非磁
性中間層６、８を成膜するに際しては、表面側のもの８
ほどバイアス電圧が前記範囲内で大きく設定される。
尚、スパッタリング装置としては、基板に負のバイアス
電圧を印加することができるものであればよく、スパッ
タリング用電源としては直流電源、高周波電源のいずれ
でもよく、ターゲット裏面にマグネットを設けたマグネ
トロンスパッタ装置でもよい。また、スパッタリング条
件は、使用するスパッタリング装置、基体やターゲット
材の種類などにより異なるが、一般的にアルゴンガス分
圧１〜３０×１０-3Ｔｏｒｒ、基板温度１５０〜３００
℃程度とされる。
【００１７】基体３に成膜された非磁性下地層４はその
上に形成される磁性層５の強磁性Ｃｏ合金 (結晶構造ｈ
ｃｐ）のｃ軸（結晶磁気異方性を示す結晶軸）を面内配
向させるために形成されるもので、通常、Ｃｒ若しくは
Ｃｒを主成分としたＣｒ合金（Ｃｒと同様の結晶構造が
形成されるもの）により５００〜２０００Å程度の厚さ
に形成される。
上に形成される磁性層５の強磁性Ｃｏ合金 (結晶構造ｈ
ｃｐ）のｃ軸（結晶磁気異方性を示す結晶軸）を面内配
向させるために形成されるもので、通常、Ｃｒ若しくは
Ｃｒを主成分としたＣｒ合金（Ｃｒと同様の結晶構造が
形成されるもの）により５００〜２０００Å程度の厚さ
に形成される。
【００１８】前記磁気記録層１０の磁性層５、７、９を
形成する強磁性Ｃｏ合金としては、ｈｃｐ結晶構造を有
するものならいずれのものでもよく、例えばＣｏＮｉＣ
ｒ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔ等を挙げることができ
る。各磁性層５、７、９の層厚の合計は６００〜８００
Åとするのがよい。全層厚を６００〜８００Åとするの
は、再生出力の確保とノイズ低減のために磁気記録媒体
としてＢｒδが４５０〜６００Ｇ・μのものが要求され
ているからである。
形成する強磁性Ｃｏ合金としては、ｈｃｐ結晶構造を有
するものならいずれのものでもよく、例えばＣｏＮｉＣ
ｒ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔ等を挙げることができ
る。各磁性層５、７、９の層厚の合計は６００〜８００
Åとするのがよい。全層厚を６００〜８００Åとするの
は、再生出力の確保とノイズ低減のために磁気記録媒体
としてＢｒδが４５０〜６００Ｇ・μのものが要求され
ているからである。
【００１９】磁性層５、７、９の間に形成される非磁性
中間層６、８は、ＣｒやＣｒを主成分としたＣｒ合金
（Ｃｒと同様の結晶構造が形成されるもの）で成膜され
るが、既述の通り、ＣｒＸ合金、ＣｒＹ合金、ＣｒＸＹ
合金（Ｘ：Ｓｉ、Ｐ、Ｃｕ、Ｇｅ、希土類元素の内から
一種以上、Ｙ：Ｂ、Ｃ、Ｎの内から一種以上。）で形成
するのがよい。非磁性中間層６、８の成膜に際しては、
表面側のもの８ほどバイアス電圧が大きくされるが、
Ｘ、Ｙ成分の総含有量についても表面側のもの８ほど増
加するようにするとよい。非磁性中間層の層厚は、１５
〜１００Å程度でよい。１５Å未満では、磁性層相互間
の磁気的相互作用が強すぎるため、多層化による媒体ノ
イズの低減効果が現れ難い。一方、１００Åを越える
と、媒体ノイズが大きくなり、電気的特性も劣化するよ
うになる。尚、非磁性中間層をＣｒＸ合金で成膜する場
合は、バイアス電圧を必ずしも印加する必要はなく、ま
た各非磁性中間層に同一のバイアス電圧を印加してもよ
い。但し、いずれの場合も、Ｘの総含有量については表
面側のものほど増加するようにする。
中間層６、８は、ＣｒやＣｒを主成分としたＣｒ合金
（Ｃｒと同様の結晶構造が形成されるもの）で成膜され
るが、既述の通り、ＣｒＸ合金、ＣｒＹ合金、ＣｒＸＹ
合金（Ｘ：Ｓｉ、Ｐ、Ｃｕ、Ｇｅ、希土類元素の内から
一種以上、Ｙ：Ｂ、Ｃ、Ｎの内から一種以上。）で形成
するのがよい。非磁性中間層６、８の成膜に際しては、
表面側のもの８ほどバイアス電圧が大きくされるが、
Ｘ、Ｙ成分の総含有量についても表面側のもの８ほど増
加するようにするとよい。非磁性中間層の層厚は、１５
〜１００Å程度でよい。１５Å未満では、磁性層相互間
の磁気的相互作用が強すぎるため、多層化による媒体ノ
イズの低減効果が現れ難い。一方、１００Åを越える
と、媒体ノイズが大きくなり、電気的特性も劣化するよ
うになる。尚、非磁性中間層をＣｒＸ合金で成膜する場
合は、バイアス電圧を必ずしも印加する必要はなく、ま
た各非磁性中間層に同一のバイアス電圧を印加してもよ
い。但し、いずれの場合も、Ｘの総含有量については表
面側のものほど増加するようにする。
【００２０】尚、図例では磁性層を三層とし、非磁性中
間層を二層にしたものを示したが、層数は自由に設定す
ることができる。また、磁性層の成膜に際しても、バイ
アス電圧を表面側ほど順次増加してもよいことは勿論で
ある。Ｃｒを含有するＣｏ合金を用いる場合、バイアス
電圧が大きくなるほど、保磁力が向上するため、非磁性
中間層の磁性層の面内配向作用の向上効果と相まって、
Ｏ／Ｗ特性が一層向上する。
間層を二層にしたものを示したが、層数は自由に設定す
ることができる。また、磁性層の成膜に際しても、バイ
アス電圧を表面側ほど順次増加してもよいことは勿論で
ある。Ｃｒを含有するＣｏ合金を用いる場合、バイアス
電圧が大きくなるほど、保磁力が向上するため、非磁性
中間層の磁性層の面内配向作用の向上効果と相まって、
Ｏ／Ｗ特性が一層向上する。
【００２１】前記磁気記録層１０の上にはカーボン等か
らなる非磁性保護層１１が１００〜３００Å程度スパッ
タリングにより形成されており、更にその上にフッ素化
ポリエーテル等の液体潤滑剤を２０〜５０Å程度塗布し
てもよい。尚、前記保護層１１や潤滑層は必要に応じて
形成すればよい。尚、非磁性下地層、磁性層、非磁性中
間層、非磁性保護層は、所期層を成膜するためのターゲ
ット材を備えたスパッタリング装置を並設し、基体を各
スパッタリング装置に順次移動させて積層成膜すればよ
い。
らなる非磁性保護層１１が１００〜３００Å程度スパッ
タリングにより形成されており、更にその上にフッ素化
ポリエーテル等の液体潤滑剤を２０〜５０Å程度塗布し
てもよい。尚、前記保護層１１や潤滑層は必要に応じて
形成すればよい。尚、非磁性下地層、磁性層、非磁性中
間層、非磁性保護層は、所期層を成膜するためのターゲ
ット材を備えたスパッタリング装置を並設し、基体を各
スパッタリング装置に順次移動させて積層成膜すればよ
い。
【００２２】次に具体的実施例を掲げる。 (1) 基体として、Ａｌ基板にＮｉ−Ｐメッキ層が形成
され、その表面にテキスチャーが施されたものを用い
た。図１の膜構成となるように、基体３上にＣｒ下地層
４を１０００Å成膜し、その上に２１０Åの膜厚の磁性
層５、７、９を５０Åの非磁性中間層６、８を介して逐
次積層成膜した。上層の磁性層９を成膜後、更に、その
上にカーボン層を２００Å成膜した。成膜装置としては
ＤＣマグネトロンスパッタ装置を用いた。成膜条件はＡ
ｒガス圧１２ｍＴｏｒｒ、基体温度２２０℃とした。タ
ーゲットとして用いたＣｏ合金組成 (磁性層の組成) は
Ｃｏ86Ｃｒ12Ｔａ2 である。非磁性中間層組成、非磁性
中間層および磁性層のスパッタリング時のバイアス電圧
を下記表１に示す。
され、その表面にテキスチャーが施されたものを用い
た。図１の膜構成となるように、基体３上にＣｒ下地層
４を１０００Å成膜し、その上に２１０Åの膜厚の磁性
層５、７、９を５０Åの非磁性中間層６、８を介して逐
次積層成膜した。上層の磁性層９を成膜後、更に、その
上にカーボン層を２００Å成膜した。成膜装置としては
ＤＣマグネトロンスパッタ装置を用いた。成膜条件はＡ
ｒガス圧１２ｍＴｏｒｒ、基体温度２２０℃とした。タ
ーゲットとして用いたＣｏ合金組成 (磁性層の組成) は
Ｃｏ86Ｃｒ12Ｔａ2 である。非磁性中間層組成、非磁性
中間層および磁性層のスパッタリング時のバイアス電圧
を下記表１に示す。
【００２３】
【表１】
【００２４】(2) 成膜後の磁気記録媒体の保磁力（Ｈ
ｃ）、Ｏ／Ｗ特性を調べた。その結果を表１に併せて示
す。尚、Ｏ／Ｗ特性は媒体に１Ｆデータを書き込み、次
に直流消去することなく、２Ｆデータを重ね書きした
後、１Ｆと２Ｆの周波数成分をスペクトラム・アナライ
ザで測定し、下記式によって定義する値（Ｏ／Ｗ値）に
よって評価した。Ｏ／Ｗ値が小さい（絶対値は大）程、
書き込み前のパタンはきれいに消去されていることを示
す。測定条件は、磁気ヘッドとして薄膜ヘッドを用い、
浮上高さ0.13μm 、１Ｆデータ：1.75MHz 、２Ｆデー
タ：5.0MHzとした。
ｃ）、Ｏ／Ｗ特性を調べた。その結果を表１に併せて示
す。尚、Ｏ／Ｗ特性は媒体に１Ｆデータを書き込み、次
に直流消去することなく、２Ｆデータを重ね書きした
後、１Ｆと２Ｆの周波数成分をスペクトラム・アナライ
ザで測定し、下記式によって定義する値（Ｏ／Ｗ値）に
よって評価した。Ｏ／Ｗ値が小さい（絶対値は大）程、
書き込み前のパタンはきれいに消去されていることを示
す。測定条件は、磁気ヘッドとして薄膜ヘッドを用い、
浮上高さ0.13μm 、１Ｆデータ：1.75MHz 、２Ｆデー
タ：5.0MHzとした。
【００２５】
【数１】
【００２６】(3) 表１より、実施例は従来例に対して保
磁力の著しい向上が認められる。また、Ｏ／Ｗ特性も改
善されており、特に非磁性中間層としてＣｒ合金を用
い、合金成分含有量およびバイアス電圧を表面側ほど高
くしたものほど、改善が著しい。また、実施例のNo. ２
と比較例のNo. １２とから分かるように、バイアス電圧
を印加しない場合でも、Ｘ含有量を表面側ほど高くする
ことにより、磁気特性の向上が認められる。
磁力の著しい向上が認められる。また、Ｏ／Ｗ特性も改
善されており、特に非磁性中間層としてＣｒ合金を用
い、合金成分含有量およびバイアス電圧を表面側ほど高
くしたものほど、改善が著しい。また、実施例のNo. ２
と比較例のNo. １２とから分かるように、バイアス電圧
を印加しない場合でも、Ｘ含有量を表面側ほど高くする
ことにより、磁気特性の向上が認められる。
【００２７】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明の金属薄膜型
磁気記録媒体の製造法は、非磁性基体の上に非磁性下地
層を成膜し、該下地層の上に強磁性Ｃｏ合金からなる磁
性層とＣｒ若しくはＣｒ合金からなる非磁性中間層とを
交互に積層成膜して磁気記録層を形成し、前記非磁性中
間層の成膜時に負のバイアス電圧を表面側ほど高く印加
するので、表面側ほど非磁性中間層の結晶配向性が向上
し、その上に形成される磁性層のｃ軸の面内配向性ひい
ては表面側の磁性層の保磁力を向上させることができる
ため、磁気ヘッドから離れた基体側の磁性層に容易に新
しいパタンを書き込むことができ、オーバーライト特性
の向上並びに媒体として記録密度の向上を図ることがで
きる。この際、非磁性中間層をＣｒ結晶粒界に偏析の生
じ易い成分を含有した所定のＣｒ合金で形成することに
より、また表面側ほど該成分の含有量を増加することに
より、オーバーライト特性および記録密度のより一層の
向上を図ることができる。もっとも、非磁性中間層をＣ
ｒＸ合金（Ｘ：Ｓｉ、Ｐ、Ｃｕ、Ｇｅ、希土類元素の内
から一種以上）により成膜し、表面側の非磁性中間層ほ
どＸの総含有量を高める場合は、バイアス電圧の印加の
有無に係わらず、オーバーライト特性、記録密度の向上
を図ることができる。
磁気記録媒体の製造法は、非磁性基体の上に非磁性下地
層を成膜し、該下地層の上に強磁性Ｃｏ合金からなる磁
性層とＣｒ若しくはＣｒ合金からなる非磁性中間層とを
交互に積層成膜して磁気記録層を形成し、前記非磁性中
間層の成膜時に負のバイアス電圧を表面側ほど高く印加
するので、表面側ほど非磁性中間層の結晶配向性が向上
し、その上に形成される磁性層のｃ軸の面内配向性ひい
ては表面側の磁性層の保磁力を向上させることができる
ため、磁気ヘッドから離れた基体側の磁性層に容易に新
しいパタンを書き込むことができ、オーバーライト特性
の向上並びに媒体として記録密度の向上を図ることがで
きる。この際、非磁性中間層をＣｒ結晶粒界に偏析の生
じ易い成分を含有した所定のＣｒ合金で形成することに
より、また表面側ほど該成分の含有量を増加することに
より、オーバーライト特性および記録密度のより一層の
向上を図ることができる。もっとも、非磁性中間層をＣ
ｒＸ合金（Ｘ：Ｓｉ、Ｐ、Ｃｕ、Ｇｅ、希土類元素の内
から一種以上）により成膜し、表面側の非磁性中間層ほ
どＸの総含有量を高める場合は、バイアス電圧の印加の
有無に係わらず、オーバーライト特性、記録密度の向上
を図ることができる。
【図１】実施例に係る金属薄膜型磁気記録媒体の要部断
面図である。
面図である。
３ 基体 ４ 非磁性下地層 ５、７、９ 磁性層 ６、８ 非磁性中間層 １１ 保護層 １０ 磁気記録層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (73)特許権者 500117842 993 Ｈｉｇｈｌａｎｄ Ｃｉｒｃｌｅ, Ｌｏｓ Ａｌｔｏｓ，ＣＡ 94024，Ｕ. Ｓ．Ａ. (72)発明者 楊 興波 大阪府大阪市浪速区敷津東一丁目２番47 号 株式会社クボタ内 (56)参考文献 特開 平２−161617（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−154217（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 5/62 - 5/858
Claims (5)
- 【請求項１】 非磁性基体の上に非磁性下地層を成膜
し、該下地層の上に強磁性Ｃｏ合金からなる磁性層とＣ
ｒ若しくはＣｒ合金からなる非磁性中間層とを交互に積
層成膜して磁気記録層を形成し、前記非磁性中間層の成
膜時に負のバイアス電圧を表面側ほど高く印加すること
を特徴とする金属薄膜型磁気記録媒体の製造法。 - 【請求項２】 最基体側の非磁性中間層をＣｒ層または
ＣｒＸ層で形成し、それより表面側の非磁性中間層をＣ
ｒＸ層で形成し、前記ＸをＳｉ、Ｐ、Ｃｕの内から一種
以上選択し、総含有量を６原子％以下とする請求項１に
記載の金属薄膜型磁気記録媒体の製造法。 - 【請求項３】 最基体側の非磁性中間層をＣｒ層または
ＣｒＹ層で形成し、それより表面側の非磁性中間層をＣ
ｒＹ層で形成し、前記ＹをＢ、Ｃの内から一種以上選択
し、総含有量を５原子％以下とする請求項１に記載の金
属薄膜型磁気記録媒体の製造法。 - 【請求項４】 最基体側の非磁性中間層をＣｒ層または
ＣｒＸＹ層で形成し、それより表面側の非磁性中間層を
ＣｒＸＹ層で形成し、前記ＸをＳｉ、Ｐ、Ｃｕの内から
一種以上選択し、前記ＹをＢ、Ｃの内から一種以上選択
し、Ｘの総含有量をｘ原子％、Ｙの総含有量をｙ原子％
としたとき、（ｘ＋５ｙ／６）を６原子％以下とする請
求項１に記載の金属薄膜型磁気記録媒体の製造法。 - 【請求項５】 表面側の非磁性中間層ほどＸ、Ｙ成分の
総含有量を高くする請求項２、３又は４に記載の金属薄
膜型磁気記録媒体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10156493A JP3280463B2 (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | 金属薄膜型磁気記録媒体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10156493A JP3280463B2 (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | 金属薄膜型磁気記録媒体の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06309666A JPH06309666A (ja) | 1994-11-04 |
| JP3280463B2 true JP3280463B2 (ja) | 2002-05-13 |
Family
ID=14303913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10156493A Expired - Fee Related JP3280463B2 (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | 金属薄膜型磁気記録媒体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3280463B2 (ja) |
-
1993
- 1993-04-27 JP JP10156493A patent/JP3280463B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06309666A (ja) | 1994-11-04 |
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