JPH02162526A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH02162526A JPH02162526A JP63317704A JP31770488A JPH02162526A JP H02162526 A JPH02162526 A JP H02162526A JP 63317704 A JP63317704 A JP 63317704A JP 31770488 A JP31770488 A JP 31770488A JP H02162526 A JPH02162526 A JP H02162526A
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Landscapes
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は磁気記録媒体の製造法に係り、詳しくは、高い
保磁力を有する磁気記録媒体を製造する方法に関するも
のである。
保磁力を有する磁気記録媒体を製造する方法に関するも
のである。
［従来の技術］
近年、コンピュータ等の情報処理技術の発達に伴い、そ
の外部記憶装置に用いられる磁気ディスクなどの磁気記
録媒体に対し、高密度記録化への要求がますます高めら
れている。
の外部記憶装置に用いられる磁気ディスクなどの磁気記
録媒体に対し、高密度記録化への要求がますます高めら
れている。
現在、長手記録用磁気ディスクに用いられる磁気記録媒
体の磁性層としては、スパッタリング等によりＣ「下地
薄膜上に、エピタキシャル的に成膜されたＣＯ系合金薄
膜が主流となってきている。しかして、このＣｏ系合金
薄膜磁性層についても、高密度記録化への要求に対し、
磁気特性としてより高い保磁力を付与することが必要と
されており、従来より、その特性についての報告が、数
多くなされている。（例えば、“Ｎｅｗｌｏｎｇｉｔｕ
ｄｉｎａｌ ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ ｍｅｄｉａ Ｃｏｘ
ＮＥ、 Ｃｒ。
体の磁性層としては、スパッタリング等によりＣ「下地
薄膜上に、エピタキシャル的に成膜されたＣＯ系合金薄
膜が主流となってきている。しかして、このＣｏ系合金
薄膜磁性層についても、高密度記録化への要求に対し、
磁気特性としてより高い保磁力を付与することが必要と
されており、従来より、その特性についての報告が、数
多くなされている。（例えば、“Ｎｅｗｌｏｎｇｉｔｕ
ｄｉｎａｌ ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ ｍｅｄｉａ Ｃｏｘ
ＮＥ、 Ｃｒ。
ｆｒｏｍ ｈｉｇｈ ｒａｔｅ ５ｔａｔｉｃ ｍａｇ
ｎｅｔｒｏｎ ｓｐｕｔｔｅｒ−ｉｎｇｓｙｓｔｅｍ
ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ、 Ｍａｇｎ、 Ｍａｇ−２２
，Ｎｏ５゜（１９８６） 、３３４．特開昭６３−７９
２３３号公報；特開昭６３−７９９６８号公報。） ［発明が解決しようとする課題］ 従来報告されているように、Ｃｏ系合金薄膜磁性層の保
磁力は、Ｃｒ下地薄膜の膜厚とともに増大する。しかし
ながら、ある上限値を超えると飽和特性を示し、それ以
上の高保磁力化は困難である。例えば、特開昭６３−７
９９６８号公報には、Ｃｒ下地層薄膜の膜厚が１５００
Ａ以上では磁性層の保磁力がそれ以上上昇しない飽和傾
向が認められ、それ以下では磁性層の保磁力が著しく低
下し、実用上問題があることが示されている。
ｎｅｔｒｏｎ ｓｐｕｔｔｅｒ−ｉｎｇｓｙｓｔｅｍ
ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ、 Ｍａｇｎ、 Ｍａｇ−２２
，Ｎｏ５゜（１９８６） 、３３４．特開昭６３−７９
２３３号公報；特開昭６３−７９９６８号公報。） ［発明が解決しようとする課題］ 従来報告されているように、Ｃｏ系合金薄膜磁性層の保
磁力は、Ｃｒ下地薄膜の膜厚とともに増大する。しかし
ながら、ある上限値を超えると飽和特性を示し、それ以
上の高保磁力化は困難である。例えば、特開昭６３−７
９９６８号公報には、Ｃｒ下地層薄膜の膜厚が１５００
Ａ以上では磁性層の保磁力がそれ以上上昇しない飽和傾
向が認められ、それ以下では磁性層の保磁力が著しく低
下し、実用上問題があることが示されている。
また、この保磁力は、ＣＯ系合金薄膜の膜厚の低減によ
り増加する。しかしながら、膜厚の低減は再生出力値の
低下につながるため、実用上、所定の膜厚以下に薄くす
ることは困難である。更に、磁性層の成膜時における成
膜ガス圧力、基板温度などのスパッタ条件の選択により
、ある程度の保磁力の向上は可能であるが、その向上効
果は小さいものである。
り増加する。しかしながら、膜厚の低減は再生出力値の
低下につながるため、実用上、所定の膜厚以下に薄くす
ることは困難である。更に、磁性層の成膜時における成
膜ガス圧力、基板温度などのスパッタ条件の選択により
、ある程度の保磁力の向上は可能であるが、その向上効
果は小さいものである。
本発明は上記従来の問題点を解決し、著しく高い保磁力
を有する磁気記録媒体を製造する方法を提供することを
目的とする。
を有する磁気記録媒体を製造する方法を提供することを
目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、基板上にクロム下
地層薄膜及びコバルト系合金磁性薄膜を順次スパッタリ
ングによって形成する磁気記録媒体の製造方法において
、クロム下地層薄膜を１０〜１２０ＯＡの膜厚で形成さ
せた基板に、ターゲットの外周部近傍に設けた中間電極
を基板に対し正の電位に印加した状態で、コバルト（Ｃ
ｏ）を主成分とし、クロム（Ｃｒ）及びタンタル（Ｔａ
）を含むコバルト系合金磁性薄膜を形成することを特徴
とする。
地層薄膜及びコバルト系合金磁性薄膜を順次スパッタリ
ングによって形成する磁気記録媒体の製造方法において
、クロム下地層薄膜を１０〜１２０ＯＡの膜厚で形成さ
せた基板に、ターゲットの外周部近傍に設けた中間電極
を基板に対し正の電位に印加した状態で、コバルト（Ｃ
ｏ）を主成分とし、クロム（Ｃｒ）及びタンタル（Ｔａ
）を含むコバルト系合金磁性薄膜を形成することを特徴
とする。
即ち、本発明者等は上記従来の状況に鑑み、Ｃｒ下地層
薄膜の膜厚が１２００Ａ以下の薄膜においても磁気記録
媒体の保磁力を高いレベルに維持させるべく鋭意検討を
重ねた結果、基板上にＣｒ下地層薄膜を１２００Ａ以下
の膜厚で形成させ、次いでＣｏ％Ｃｒ及びＴａからなる
磁性層薄膜を特定の条件下でスパッタリングさせて形成
させることにより、磁気記録媒体の保磁力が高いレベル
に維持されることを見出し、本発明を完成するに至った
。
薄膜の膜厚が１２００Ａ以下の薄膜においても磁気記録
媒体の保磁力を高いレベルに維持させるべく鋭意検討を
重ねた結果、基板上にＣｒ下地層薄膜を１２００Ａ以下
の膜厚で形成させ、次いでＣｏ％Ｃｒ及びＴａからなる
磁性層薄膜を特定の条件下でスパッタリングさせて形成
させることにより、磁気記録媒体の保磁力が高いレベル
に維持されることを見出し、本発明を完成するに至った
。
以下、本発明につき詳細に説明する。
本発明に用いられる基板としては、一般にアルミニウム
又はアルミニウム合金のディスク状基板が用いられ、通
常、アルミニウム基板を所定の厚さに加工した後、その
表面を鏡面加工したものに、第１次下地層として硬質非
磁性金属、例えばＮ１−Ｐ合金を無電解メツキ或いは陽
極酸化処理により形成し、しかる後、第２次下地層とし
てＣｒをスパッタリングしたものが用いられる。基板と
しては、上記第１次下地層を形成せずに、鏡面加工した
アルミニウム基板上に直接下地層としてＣｒをスパッタ
リングしたものを用いることもできる。
又はアルミニウム合金のディスク状基板が用いられ、通
常、アルミニウム基板を所定の厚さに加工した後、その
表面を鏡面加工したものに、第１次下地層として硬質非
磁性金属、例えばＮ１−Ｐ合金を無電解メツキ或いは陽
極酸化処理により形成し、しかる後、第２次下地層とし
てＣｒをスパッタリングしたものが用いられる。基板と
しては、上記第１次下地層を形成せずに、鏡面加工した
アルミニウム基板上に直接下地層としてＣｒをスパッタ
リングしたものを用いることもできる。
本発明において、Ｃｒ下地層の膜厚は１０〜１２００Ａ
、好ましくは５０〜ｔｏｏｏＡ、更に好ましくは１００
〜５００Ａの範囲とする。上記膜厚がｒｏＡ未満では磁
性層の保磁力が著しく低下し、また１２００Ａより厚く
しても磁性層の保磁力はそれ以上増加せず、逆にコスト
アップにつながるので好ましくない。
、好ましくは５０〜ｔｏｏｏＡ、更に好ましくは１００
〜５００Ａの範囲とする。上記膜厚がｒｏＡ未満では磁
性層の保磁力が著しく低下し、また１２００Ａより厚く
しても磁性層の保磁力はそれ以上増加せず、逆にコスト
アップにつながるので好ましくない。
Ｃｒ下地層を形成するスパッタリング条件としては特に
制限はなく、通常のＣｒ下地層を形成する際に採用され
るスパッタリング条件及び後述する磁性層薄膜を形成す
るスパッタリング条件等を採用することができる。
制限はなく、通常のＣｒ下地層を形成する際に採用され
るスパッタリング条件及び後述する磁性層薄膜を形成す
るスパッタリング条件等を採用することができる。
本発明においては、このような所定厚さのＣｒ下地層を
基板上に形成させた後、ｃｏを主成分とし、Ｃｒ及びＴ
ａを含むＣｏ系合金磁性薄膜を特定条件にてスパッタリ
ングにより形成させる。
基板上に形成させた後、ｃｏを主成分とし、Ｃｒ及びＴ
ａを含むＣｏ系合金磁性薄膜を特定条件にてスパッタリ
ングにより形成させる。
以下にこの磁性薄膜の形成方法につき、図面を参照して
詳細に説明する。
詳細に説明する。
第１図は本発明の実施に好適なスパッタリング装置の一
例を示す概略構成図である。図中、ｌはターゲットであ
り、これに対向した位置に基板ホルダー２が設けられて
おり、基板ホルダー２上には基板３が装着されている。
例を示す概略構成図である。図中、ｌはターゲットであ
り、これに対向した位置に基板ホルダー２が設けられて
おり、基板ホルダー２上には基板３が装着されている。
基板ホルダー２は基板３を連続的に成膜できるように移
動可能とされている。ターゲット１の外周部近傍には中
間電極４が設置されている。５はターゲット１と中間電
極４に接続されるスパッタリング用電源である。
動可能とされている。ターゲット１の外周部近傍には中
間電極４が設置されている。５はターゲット１と中間電
極４に接続されるスパッタリング用電源である。
６は成膜装置本体の接地部と中間電極４に接続される中
間電極用電源である。
間電極用電源である。
これらスパッタリング用電源５及び中間電極用電源６と
しては直流電源が好ましいが、ＲＦ電源も使用できる。
しては直流電源が好ましいが、ＲＦ電源も使用できる。
スパッタ装置としては、通常のＤＣマグネトロンスパッ
タ装置又はＲＦマグネトロンスパッタ装置等が採用され
る。
タ装置又はＲＦマグネトロンスパッタ装置等が採用され
る。
ターゲット１としては、ＣＯを主成分とし、Ｃｒ及びＴ
ａからなる合金が用いられる。このＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ合
金としては、ＣＯニア０〜９５原子％、Ｃｒ：５〜２０
原子％及びＴａ：０．１〜１０原子％の組成のものが好
適である。
ａからなる合金が用いられる。このＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ合
金としては、ＣＯニア０〜９５原子％、Ｃｒ：５〜２０
原子％及びＴａ：０．１〜１０原子％の組成のものが好
適である。
第１図に示すスパッタリング装置を用いて、本発明の方
法に従って、磁気記録媒体を製造するには、まず、前述
のＣｒ下地層を形成した基板３を装置の基板ホルダー２
に取り付け、前記Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金のターゲット２
を用いて、アルゴン等の希ガスの存在下でスパッタリン
グを行なうが、この際、中間電極４に基板３に対して正
の電位、例えば、１００ＯＶ以下、好ましくは５０〜５
００ｖの電位を印加した状態でスパッタリングを行ない
、基板３上にＣｏ、Ｃｒ及びＴａからなる磁性薄膜を形
成する。
法に従って、磁気記録媒体を製造するには、まず、前述
のＣｒ下地層を形成した基板３を装置の基板ホルダー２
に取り付け、前記Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金のターゲット２
を用いて、アルゴン等の希ガスの存在下でスパッタリン
グを行なうが、この際、中間電極４に基板３に対して正
の電位、例えば、１００ＯＶ以下、好ましくは５０〜５
００ｖの電位を印加した状態でスパッタリングを行ない
、基板３上にＣｏ、Ｃｒ及びＴａからなる磁性薄膜を形
成する。
本発明において、スパッタリング条件としては、通常、
磁気記録媒体の磁性層を形成させる際に採用される条件
を採用することができる。例えば、真空排気したチャン
バー内圧力をｌＸｌ０−”Ｔｏｒｒ以下、Ａｒ等の希ガ
ス圧力を０．５×１０−”〜２ ｘ １０−２Ｔ ｏ
ｒ ｒ、望ましくは１×１０−３〜５ ｘ １０−”Ｔ
ｏ ｒ ｒの範囲で、基板温度を１５０℃以上、望ま
しくは２ｏｏ〜３ｏｏ℃の範囲の条件下でスパッタリン
グを実施することができる。
磁気記録媒体の磁性層を形成させる際に採用される条件
を採用することができる。例えば、真空排気したチャン
バー内圧力をｌＸｌ０−”Ｔｏｒｒ以下、Ａｒ等の希ガ
ス圧力を０．５×１０−”〜２ ｘ １０−２Ｔ ｏ
ｒ ｒ、望ましくは１×１０−３〜５ ｘ １０−”Ｔ
ｏ ｒ ｒの範囲で、基板温度を１５０℃以上、望ま
しくは２ｏｏ〜３ｏｏ℃の範囲の条件下でスパッタリン
グを実施することができる。
このようなスパッタリングにより形成する磁性薄膜層の
膜厚は、残留磁性密度（Ｂｒ）と磁性薄膜層（７）［厚
（１）との積（Ｂｒ−ｔ）が２ｏｏ〜７００Ｇ・μｍと
なるような膜厚とするのが好ましい。
膜厚は、残留磁性密度（Ｂｒ）と磁性薄膜層（７）［厚
（１）との積（Ｂｒ−ｔ）が２ｏｏ〜７００Ｇ・μｍと
なるような膜厚とするのが好ましい。
［作用］
膜厚１０〜１２００Ａの膜厚のＣｒ下地層を介して、基
板に対して正の電圧をターゲット近傍に印加した状態で
スパッタリングにより形成されたＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合
金磁性薄膜層により、高い保磁力を有する高特性磁性層
が形成される。
板に対して正の電圧をターゲット近傍に印加した状態で
スパッタリングにより形成されたＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合
金磁性薄膜層により、高い保磁力を有する高特性磁性層
が形成される。
［実施例］
以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をより具体的に
説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の
実施例に限定されるものではない。
説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の
実施例に限定されるものではない。
実施例１〜４、参考例１〜２、比較例１〜５第１図に示
す装置を用い、下地層として第１表に示す膜厚のＣｒ薄
膜をスパッタリングにより形成したアルミニウム基板３
及び、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金ターゲット１を用いて、中
間電極４に、基板３に対して第１表に示す電位を印加し
た状態で、チャンバー内到達圧力Ｉ Ｘ １０’″”Ｔ
ｏｒｒ以下、アルゴンガス圧力２ｘ １０−３Ｔｏ ｒ
ｒ、基板温度２５０℃の条件下でスパッタリングを行
ない、基板上に８６原子％Ｃｏ−１２原子％Ｃｒ−２原
子％Ｔａ磁性層（５５０Ｇ・μｍ）を形成した。
す装置を用い、下地層として第１表に示す膜厚のＣｒ薄
膜をスパッタリングにより形成したアルミニウム基板３
及び、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金ターゲット１を用いて、中
間電極４に、基板３に対して第１表に示す電位を印加し
た状態で、チャンバー内到達圧力Ｉ Ｘ １０’″”Ｔ
ｏｒｒ以下、アルゴンガス圧力２ｘ １０−３Ｔｏ ｒ
ｒ、基板温度２５０℃の条件下でスパッタリングを行
ない、基板上に８６原子％Ｃｏ−１２原子％Ｃｒ−２原
子％Ｔａ磁性層（５５０Ｇ・μｍ）を形成した。
得られた磁気ディスクの保磁力を試料振動型磁力計で測
定し、結果を第１表に示した。
定し、結果を第１表に示した。
比較例６〜１４
実施例１において、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金ターゲットに
代えてＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合金ターゲットを用い、第１表
に示す電圧にて基板上に７０原子％Ｃｏ−２０原子％Ｎ
ｉ−１０原子％Ｃｒ磁性層（５５０Ｇ・μｍ）を形成さ
せたこと以外は同様にして磁気ディスクを得、その保磁
力測定結果を第１表に示した。
代えてＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合金ターゲットを用い、第１表
に示す電圧にて基板上に７０原子％Ｃｏ−２０原子％Ｎ
ｉ−１０原子％Ｃｒ磁性層（５５０Ｇ・μｍ）を形成さ
せたこと以外は同様にして磁気ディスクを得、その保磁
力測定結果を第１表に示した。
［発明の効果］
以上詳述した通り、本発明の磁気記録媒体の製造方法に
よれば、高い保磁力を有する高特性ｂｎ磁気記録媒体容
易に製造することがでキ磁気記録媒体のより一層の高密
度記録化が可能とされる。
よれば、高い保磁力を有する高特性ｂｎ磁気記録媒体容
易に製造することがでキ磁気記録媒体のより一層の高密
度記録化が可能とされる。
第１図は本発明の実施に好適なスパッタリング装置の一
例を示す概略構成図である。 １・・・ターゲット、 ２・・・基板ホルダー ３・・・基板、 ４・・・中間電極、 ５・・・スパッタリング用電源、 ６・・・中間電極用電源。 代理人 弁理士 重 野 剛
例を示す概略構成図である。 １・・・ターゲット、 ２・・・基板ホルダー ３・・・基板、 ４・・・中間電極、 ５・・・スパッタリング用電源、 ６・・・中間電極用電源。 代理人 弁理士 重 野 剛
Claims (1)
- （１）基板上にクロム下地層薄膜及びコバルト系合金磁
性薄膜を順次スパッタリングによって形成する磁気記録
媒体の製造方法において、クロム下地層薄膜を１０〜１
２００Åの膜厚で形成させた基板に、ターゲットの外周
部近傍に設けた中間電極を基板に対し正の電位に印加し
た状態で、コバルトを主成分とし、クロム及びタンタル
を含むコバルト系合金磁性薄膜を形成することを特徴と
する磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63317704A JPH02162526A (ja) | 1988-12-16 | 1988-12-16 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| KR1019890009884A KR970002340B1 (ko) | 1988-07-15 | 1989-07-11 | 자기 기록 매체의 제조방법 |
| US07/378,963 US4997539A (en) | 1988-07-15 | 1989-07-12 | Method and apparatus for producing a magnetic recording medium |
| DE89112903T DE68913837D1 (de) | 1988-07-15 | 1989-07-13 | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines magnetischen Aufzeichnungsträgers. |
| EP89112903A EP0350940B1 (en) | 1988-07-15 | 1989-07-13 | Method and apparatus for producing a magnetic recording medium |
| SG113994A SG113994G (en) | 1988-07-15 | 1994-08-13 | Method and apparatus for producing a magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63317704A JPH02162526A (ja) | 1988-12-16 | 1988-12-16 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02162526A true JPH02162526A (ja) | 1990-06-22 |
| JPH0526250B2 JPH0526250B2 (ja) | 1993-04-15 |
Family
ID=18091098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63317704A Granted JPH02162526A (ja) | 1988-07-15 | 1988-12-16 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02162526A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5945190A (en) * | 1997-02-17 | 1999-08-31 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic disk device |
-
1988
- 1988-12-16 JP JP63317704A patent/JPH02162526A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5945190A (en) * | 1997-02-17 | 1999-08-31 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic disk device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0526250B2 (ja) | 1993-04-15 |
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