JP2906453B2 - 磁気記録媒体製造用スパッタリング装置 - Google Patents
磁気記録媒体製造用スパッタリング装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、基板上にスパッタリングによって金属又は
半導体の薄膜を形成させるために用いられるスパッタリ
ング装置に関する。詳しくは、基板上に磁性薄膜層及び
保護薄膜層を順次スパッタリングによって形成させて磁
気記録媒体を製造するのに好適なスパッタリング装置に
関する。
半導体の薄膜を形成させるために用いられるスパッタリ
ング装置に関する。詳しくは、基板上に磁性薄膜層及び
保護薄膜層を順次スパッタリングによって形成させて磁
気記録媒体を製造するのに好適なスパッタリング装置に
関する。
近年、コンピュータ等の情報処理技術の発達に伴い、
その外部記憶装置に用いられる磁気ディスクなどの磁気
記録媒体に対し、高密度記録化への要求がますます高め
られている。
その外部記憶装置に用いられる磁気ディスクなどの磁気
記録媒体に対し、高密度記録化への要求がますます高め
られている。
現在、長手記録用磁気ディスクに用いられる磁気記録
媒体の磁性層としては、スパッタリング等によりCr下地
薄膜上に、エピタキシャル的に成膜されたCo系合金薄膜
が主流となってきている。しかして、このCo系合金薄膜
磁性層についても、高密度記録化への要求に対し、磁気
特性としてより高い保磁力を付与することが必要とされ
ており、従来より、その特性についての報告が、数多く
なされている。（例えば、“New Tongitudinal recordi
ng media Cox Niy Crz from high rate static magnetr
on sputterigsystem"IEEE Trans.Magn.Mag−22,No5,（1
986）,334;特開昭63−79233号公報；特開昭63−79968号
公報。） 〔発明が解決しようとする課題〕 従来報告されているように、Co系合金薄膜磁性層の保
磁力は、Cr下地薄膜の膜厚とともに増大する。しかしな
がら、ある上限値を超えると飽和特性を示し、それ以上
の高保磁力化は困難である。例えば、特開昭63−79968
号公報には、Cr下地層薄膜の膜厚が1500Å以上では磁性
層の保持力がそれ以上上昇しない飽和傾向が認められ、
それ以下では磁性層の保持力が著しく低下し、実用上問
題があることが示されている。
媒体の磁性層としては、スパッタリング等によりCr下地
薄膜上に、エピタキシャル的に成膜されたCo系合金薄膜
が主流となってきている。しかして、このCo系合金薄膜
磁性層についても、高密度記録化への要求に対し、磁気
特性としてより高い保磁力を付与することが必要とされ
ており、従来より、その特性についての報告が、数多く
なされている。（例えば、“New Tongitudinal recordi
ng media Cox Niy Crz from high rate static magnetr
on sputterigsystem"IEEE Trans.Magn.Mag−22,No5,（1
986）,334;特開昭63−79233号公報；特開昭63−79968号
公報。） 〔発明が解決しようとする課題〕 従来報告されているように、Co系合金薄膜磁性層の保
磁力は、Cr下地薄膜の膜厚とともに増大する。しかしな
がら、ある上限値を超えると飽和特性を示し、それ以上
の高保磁力化は困難である。例えば、特開昭63−79968
号公報には、Cr下地層薄膜の膜厚が1500Å以上では磁性
層の保持力がそれ以上上昇しない飽和傾向が認められ、
それ以下では磁性層の保持力が著しく低下し、実用上問
題があることが示されている。
また、この保磁力は、Co系合金薄膜の膜厚の低減によ
り増加する。しかしながら、膜厚の低減は再生出力値の
低下につながるため、実用上、所定の膜厚以下に薄くす
ることは困難である。更に、磁性層の成膜時における成
膜ガス圧力、基板温度などのスパッタ条件の選択によ
り、ある程度の保磁力の向上は可能であるが、その向上
効果は小さいものである。
り増加する。しかしながら、膜厚の低減は再生出力値の
低下につながるため、実用上、所定の膜厚以下に薄くす
ることは困難である。更に、磁性層の成膜時における成
膜ガス圧力、基板温度などのスパッタ条件の選択によ
り、ある程度の保磁力の向上は可能であるが、その向上
効果は小さいものである。
また、上記磁性層の保磁力を向上させる方法として基
板に負のバイアス電圧を印加させた状態でスパッタリン
グする方法も知られているが、基板が移動する連続式製
膜装置においては移動する基板に負電位を印加させるた
めに装置が複雑となり、且つ、ターゲット近傍のみでな
く、広範囲に負電位を印加させる必要があり、このため
異常放電が発生し、製膜装置の損傷がつながる等、工業
的製膜装置としては種々の問題がある。
板に負のバイアス電圧を印加させた状態でスパッタリン
グする方法も知られているが、基板が移動する連続式製
膜装置においては移動する基板に負電位を印加させるた
めに装置が複雑となり、且つ、ターゲット近傍のみでな
く、広範囲に負電位を印加させる必要があり、このため
異常放電が発生し、製膜装置の損傷がつながる等、工業
的製膜装置としては種々の問題がある。
本発明は上記従来の問題点に解決し、著しく高い保持
力を有する磁気記録媒体を製造するのに用いられるスパ
ッタリング装置を提供することを目的とする。
力を有する磁気記録媒体を製造するのに用いられるスパ
ッタリング装置を提供することを目的とする。
本発明者等は上記従来の状況に鑑み、磁気記録媒体の
保磁力を更に向上させるべく鋭意検討を重ねた結課、基
板に対向して設けられたターゲットの近傍の特定位置に
正の電位を印加させる中間電極を設けたスパッタリング
装置に用いて、該中間電極に正の電位を印加した状態で
基板上にコバルト系磁性金属薄膜をスパッタリングによ
って形成することにより磁気記録媒体の保磁力が著しく
向上することを見出し、本発明を完成するに至った。
保磁力を更に向上させるべく鋭意検討を重ねた結課、基
板に対向して設けられたターゲットの近傍の特定位置に
正の電位を印加させる中間電極を設けたスパッタリング
装置に用いて、該中間電極に正の電位を印加した状態で
基板上にコバルト系磁性金属薄膜をスパッタリングによ
って形成することにより磁気記録媒体の保磁力が著しく
向上することを見出し、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明の要旨は基板上にスパッタリングによっ
て磁性層を含む薄膜を形成させるスパッタリング装置に
おいて、基板に対向して設けられたターゲットの近傍の
位置にターゲットのスパッタ−エロージョン端部の外周
部の少なくとも1/2を取り囲む形状の中間電極を有し、
該中間電極はターゲット表面を基準として基板方向にタ
ーゲット表面と基板との距離の1/3の距離離れた位置か
らターゲット表面を基準として基板と反対方向に30mm離
れた位置の範囲内に少なくともその一部が設けられ、且
つ該中間電極に50V以上の正の電位を印加させるための
電源を有してなることを特徴とする磁気記録媒体製造用
スパッタリング装置に存する。
て磁性層を含む薄膜を形成させるスパッタリング装置に
おいて、基板に対向して設けられたターゲットの近傍の
位置にターゲットのスパッタ−エロージョン端部の外周
部の少なくとも1/2を取り囲む形状の中間電極を有し、
該中間電極はターゲット表面を基準として基板方向にタ
ーゲット表面と基板との距離の1/3の距離離れた位置か
らターゲット表面を基準として基板と反対方向に30mm離
れた位置の範囲内に少なくともその一部が設けられ、且
つ該中間電極に50V以上の正の電位を印加させるための
電源を有してなることを特徴とする磁気記録媒体製造用
スパッタリング装置に存する。
以下に本発明のスパッタリング装置につき、図面を参
照して詳細に説明する。
照して詳細に説明する。
第１図は本発明のスパッタリング装置の一例を示す概
略構成図である。図中、１はターゲットであり、これに
対向した位置に基板ホルダー２が設けられており、基板
ホルダー２上には基板３が装着されている。基板ホルダ
ー２は基板３を連続的に成膜できるように移動可能とさ
れている。このターゲット１、基板２との間のスパッタ
ー放電空間を取り囲む形で、詳しくは、ターゲット１の
近傍の位置にターゲット１のスパッターエロージョン端
部の外周部の少なくとも1/2を取り囲む形で中間電極４
が設置されている。５はターゲット１と中間電極４に接
続されるスパッタリング用電源である。６は成膜装置本
体の接地部と中間電極４に接続される中間電極用電源で
ある。７はターゲット１のスパッターエロージョン部を
示す。
略構成図である。図中、１はターゲットであり、これに
対向した位置に基板ホルダー２が設けられており、基板
ホルダー２上には基板３が装着されている。基板ホルダ
ー２は基板３を連続的に成膜できるように移動可能とさ
れている。このターゲット１、基板２との間のスパッタ
ー放電空間を取り囲む形で、詳しくは、ターゲット１の
近傍の位置にターゲット１のスパッターエロージョン端
部の外周部の少なくとも1/2を取り囲む形で中間電極４
が設置されている。５はターゲット１と中間電極４に接
続されるスパッタリング用電源である。６は成膜装置本
体の接地部と中間電極４に接続される中間電極用電源で
ある。７はターゲット１のスパッターエロージョン部を
示す。
これらスパッタリング用電源５及び中間電極用電源６
としては直流電源が好ましいが、RF電源も使用できる。
スパッタ装置としては、通常のDCマグネトロンスパッタ
装置又はRFマグネトロンスパッタ装置等が採用される。
としては直流電源が好ましいが、RF電源も使用できる。
スパッタ装置としては、通常のDCマグネトロンスパッタ
装置又はRFマグネトロンスパッタ装置等が採用される。
第２図は第１図のスパッタリング装置の詳細図であ
る。８はマグネトロン用磁石、９はDCマグネロンの陰
極、10は成膜装置本体、11は成膜装置本体10の接地部で
ある。
る。８はマグネトロン用磁石、９はDCマグネロンの陰
極、10は成膜装置本体、11は成膜装置本体10の接地部で
ある。
第３図は中間電極４の位置及び形状の例を示す断面図
の一部であり、（Ａ）〜（Ｆ）はすべてターゲット１の
スパッターエロージョン端部の外周部の少なくとも1/2
を取り囲む形状とされている。該中間電極４はターゲッ
ト表面を基準として基板方向にターゲット表面と基板と
の距離の1/3、好ましくは1/4の距離離れた位置からター
ゲット表面を基準として基板と反対方向に30mm、好まし
くは20mm離れた位置の範囲内に少なくともその一部が設
けられ、且つ、ターゲットの平面方向に対し、ターゲッ
トのスパッターエロジョン端部の外周部から該外周部を
基準としてターゲットの外周方向に200mm好ましくは150
mm、さらに好ましくは120mm離れた位置までの範囲内
に、ターゲットのスパッターエロージョン端部の外周部
の少なくとも1/2、好ましくはターゲットの外周部全体
を取り囲む形で設けられている。該中間電極は特にター
ゲット表面を基準として基板方向に30mmの位置からター
ゲット表面を基準として基板と反対方向に20mmの位置
に、且つ、ターゲットの外周部から該外周部を基準とし
て外側方向に120mmの範囲内でターゲットの外周部全体
を取り囲む形で設けられているのが好適である。
の一部であり、（Ａ）〜（Ｆ）はすべてターゲット１の
スパッターエロージョン端部の外周部の少なくとも1/2
を取り囲む形状とされている。該中間電極４はターゲッ
ト表面を基準として基板方向にターゲット表面と基板と
の距離の1/3、好ましくは1/4の距離離れた位置からター
ゲット表面を基準として基板と反対方向に30mm、好まし
くは20mm離れた位置の範囲内に少なくともその一部が設
けられ、且つ、ターゲットの平面方向に対し、ターゲッ
トのスパッターエロジョン端部の外周部から該外周部を
基準としてターゲットの外周方向に200mm好ましくは150
mm、さらに好ましくは120mm離れた位置までの範囲内
に、ターゲットのスパッターエロージョン端部の外周部
の少なくとも1/2、好ましくはターゲットの外周部全体
を取り囲む形で設けられている。該中間電極は特にター
ゲット表面を基準として基板方向に30mmの位置からター
ゲット表面を基準として基板と反対方向に20mmの位置
に、且つ、ターゲットの外周部から該外周部を基準とし
て外側方向に120mmの範囲内でターゲットの外周部全体
を取り囲む形で設けられているのが好適である。
上記中間電極４の位置が上記範囲以外では磁気記録媒
体の保磁力の向上効果が著しく低下するので好ましくな
い。
体の保磁力の向上効果が著しく低下するので好ましくな
い。
また、中間電極４の形状はターゲット１の外周部を少
なくとも1/2取り囲む形状、例えば、リング状、筒状、
板状等が用いられる。該中間電極がターゲット１の外周
部を1/2未満取り囲んでいる場合には保磁力の向上効果
が小さくなるので好ましくない。
なくとも1/2取り囲む形状、例えば、リング状、筒状、
板状等が用いられる。該中間電極がターゲット１の外周
部を1/2未満取り囲んでいる場合には保磁力の向上効果
が小さくなるので好ましくない。
さらに中間電極の材質としては通常、ステンレス、ア
ルミニウム、銅等の金属が用いられる。
ルミニウム、銅等の金属が用いられる。
以下、本発明のスパッタリング装置を用いて、磁気記
録媒体の磁性層薄膜を製膜する場合につき説明する。
録媒体の磁性層薄膜を製膜する場合につき説明する。
第１図において、基板３としては、一般に金属、特に
アルミニウム又はアルミニウム合金のディスタ状基板が
用いられ、通常、アルミニウム基板を所定の厚さに加工
した後、その表面を鏡面加工したものに、第１次下地層
として硬質非磁性金属、例えばNi−Ｐ合金を無電解メッ
キ或いは陽極酸化処理により形成し、しかる後、次２次
下地層としてCrをスパッタリングしたものが用いられ
る。基板としては、上記第１次下地層を形成せずに、鏡
面加工したアルミニウム基板上に直接下地層としてCrを
スパッタリングしたものを用いることもできる。
アルミニウム又はアルミニウム合金のディスタ状基板が
用いられ、通常、アルミニウム基板を所定の厚さに加工
した後、その表面を鏡面加工したものに、第１次下地層
として硬質非磁性金属、例えばNi−Ｐ合金を無電解メッ
キ或いは陽極酸化処理により形成し、しかる後、次２次
下地層としてCrをスパッタリングしたものが用いられ
る。基板としては、上記第１次下地層を形成せずに、鏡
面加工したアルミニウム基板上に直接下地層としてCrを
スパッタリングしたものを用いることもできる。
ターゲット１としては、種々の金属又はその合金、特
にCo−Cr、Co−Cr−Ｘ、Co−Ni−Ｘ、Co−Ｗ−Ｘ等で表
わされるCoを主成分とするCo系合金が使用される。ここ
でＸとしてはLi、Si、Ｂ、Ca、Ti、Ｖ、Cr、Ni、As、
Ｙ、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Ag、Sb、Hf、Ta、Ｗ、Re、O
s、Ir、Pt、Au、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm及びEuよりな
る群から選ばれる１種又は２種以上の元素が用いられ
る。
にCo−Cr、Co−Cr−Ｘ、Co−Ni−Ｘ、Co−Ｗ−Ｘ等で表
わされるCoを主成分とするCo系合金が使用される。ここ
でＸとしてはLi、Si、Ｂ、Ca、Ti、Ｖ、Cr、Ni、As、
Ｙ、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Ag、Sb、Hf、Ta、Ｗ、Re、O
s、Ir、Pt、Au、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm及びEuよりな
る群から選ばれる１種又は２種以上の元素が用いられ
る。
第１図及び第２図に示すスパッタリング装置を用い
て、磁気記録媒体を製造するには、まず、上述の如き基
板３を装置の基板ホルダー２に取り付け、前記Co系合金
のターゲット１を用いて、Ar等の希ガスの存在下でスパ
ッタリングを行なうが、この際、中間電極４に、スパッ
タリング装置本体の接地部に対して50V以上の正の電
位、例えば50〜1000V、好ましくは50〜500V、更に好ま
しくは100〜400Vの電位を印加した状態でスパッタリン
グを行ない、基板３上にCo系合金の磁性金属薄膜を形成
する。
て、磁気記録媒体を製造するには、まず、上述の如き基
板３を装置の基板ホルダー２に取り付け、前記Co系合金
のターゲット１を用いて、Ar等の希ガスの存在下でスパ
ッタリングを行なうが、この際、中間電極４に、スパッ
タリング装置本体の接地部に対して50V以上の正の電
位、例えば50〜1000V、好ましくは50〜500V、更に好ま
しくは100〜400Vの電位を印加した状態でスパッタリン
グを行ない、基板３上にCo系合金の磁性金属薄膜を形成
する。
本発明において、スパッタリング条件としては、通
常、磁気記録媒体の磁性層を形成させる際に採用される
条件を採用することができる。例えば、真空排気したチ
ャンバー内圧力を１×10-6Torr以下、Ar等の希ガス圧力
を0.5×10-3〜２×10-2Torr、望ましくは１×10-3〜５
×1-3Torrの範囲で、基板温度を150℃以上、望ましくは
200〜300℃の範囲の条件下でスパッタリングを実施する
ことができる。
常、磁気記録媒体の磁性層を形成させる際に採用される
条件を採用することができる。例えば、真空排気したチ
ャンバー内圧力を１×10-6Torr以下、Ar等の希ガス圧力
を0.5×10-3〜２×10-2Torr、望ましくは１×10-3〜５
×1-3Torrの範囲で、基板温度を150℃以上、望ましくは
200〜300℃の範囲の条件下でスパッタリングを実施する
ことができる。
このようなスパッタリングにより形成する磁性合金薄
膜層の膜厚は、残留磁性密度（Br）と磁性合金薄膜層の
膜厚（ｔ）との積（Br・ｔ）が300〜700G・μｍとなる
ような膜厚とするのが好ましい。
膜層の膜厚は、残留磁性密度（Br）と磁性合金薄膜層の
膜厚（ｔ）との積（Br・ｔ）が300〜700G・μｍとなる
ような膜厚とするのが好ましい。
第４図〜第12図は本発明のスパッタリング装置のその
他の好適な例を示す概略構成図及び詳細図である。
他の好適な例を示す概略構成図及び詳細図である。
以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をより具体的
に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下
の実施例に限定されるものではない。
に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下
の実施例に限定されるものではない。
なお、以下の実施例及び比較例においては中間電極の
位置及び形状を特定するために図面中にａ〜ｅの符号を
付して示した。ｂはターゲット外周部から中間電極まで
の距離を示しているが、以下の実施例及び比較例におい
てはターゲットのスパッターエロージョン端部とターゲ
ット外周部が同一部分であることにより、ｂはターゲッ
トのスパッターエロージョン端部の外周部から中間電極
までの距離を示していると言える。
位置及び形状を特定するために図面中にａ〜ｅの符号を
付して示した。ｂはターゲット外周部から中間電極まで
の距離を示しているが、以下の実施例及び比較例におい
てはターゲットのスパッターエロージョン端部とターゲ
ット外周部が同一部分であることにより、ｂはターゲッ
トのスパッターエロージョン端部の外周部から中間電極
までの距離を示していると言える。
実施例１〜７、比較例１ 第１図及び第２図に示す装置を用い、下地層としてCr
薄膜（膜厚1000Å）を形成したアルミニウム基板３およ
び、Co−Cr−Ta合金ターゲット１を用いて、中間電極４
に基板に対して第１表に示す正の電位を印加した状態で
且つ、Arガスの存在下にチャンバー内到達圧力１×10-6
Torr以下、アルゴンガス圧力４×10-3Torr、基板温度21
0℃の条件下でスパッタリングを行ない、該基板上に86
原子％Co−12原子％Cr−２原子％Ta磁性層（400G・μ
ｍ）を形成した。得られた磁気ディスクの保持力を試料
振動型磁力計で測定した結果を第１表に示す。実施例よ
り中間電極に基板に対して正の電位を印加した状態でス
パッタリングした場合には得られる磁気ディスクの保磁
力が大幅に向上することが判明した。
薄膜（膜厚1000Å）を形成したアルミニウム基板３およ
び、Co−Cr−Ta合金ターゲット１を用いて、中間電極４
に基板に対して第１表に示す正の電位を印加した状態で
且つ、Arガスの存在下にチャンバー内到達圧力１×10-6
Torr以下、アルゴンガス圧力４×10-3Torr、基板温度21
0℃の条件下でスパッタリングを行ない、該基板上に86
原子％Co−12原子％Cr−２原子％Ta磁性層（400G・μ
ｍ）を形成した。得られた磁気ディスクの保持力を試料
振動型磁力計で測定した結果を第１表に示す。実施例よ
り中間電極に基板に対して正の電位を印加した状態でス
パッタリングした場合には得られる磁気ディスクの保磁
力が大幅に向上することが判明した。
第１図及び第２図において、中間電極の位置及び形状
は以下の通りである。
は以下の通りである。
ａ＝15mm,b＝50mm,c＝52mm,d＝3mm,e＝83mm 形状：ターゲットの外周部全体を取り囲む形状 実施例８〜12、比較例２ 第４及び第５図に示す装置を用い、下地層としてCr薄
膜（膜厚1000Å）をスパッタリングにより形成したアル
ミニウム基板３及び、Co−Cr−Ta合金ターゲット１を用
いて、中間電極４に、基板３に対して第２表に示す電位
を印加した状態で、チャンバー内到達圧力１×10-6Torr
以下、アルゴンガス圧力２×10-3Torr、基板温度250℃
の条件下でスパッタリングを行ない、基板上に86原子％
Co−12原子％Cr−２原子％Ta磁性層（550G・μｍ）を形
成した。
膜（膜厚1000Å）をスパッタリングにより形成したアル
ミニウム基板３及び、Co−Cr−Ta合金ターゲット１を用
いて、中間電極４に、基板３に対して第２表に示す電位
を印加した状態で、チャンバー内到達圧力１×10-6Torr
以下、アルゴンガス圧力２×10-3Torr、基板温度250℃
の条件下でスパッタリングを行ない、基板上に86原子％
Co−12原子％Cr−２原子％Ta磁性層（550G・μｍ）を形
成した。
得られた磁気ディスクの保持力を試料振動型磁力計で
測定し、結果を第２表に示した。
測定し、結果を第２表に示した。
第４図及び第５図において、中間電極の位置及び形状
は以下の通りである。
は以下の通りである。
ａ＝3mm,b＝5mm,c＝3mm,d＝43mm,e＝83mm 形状：ターゲットの外周部全体を取り囲む形状 実施例13〜18、比較例３ 第４及び第５図に示す装置を用いアルミニウム基板３
にCrターゲット及びCo−Cr−Ta合金ターゲットを用いて
中間電極４に基板３に対して第３表に示す電位を印加し
た状態でチャンバー内到達圧力１×10-6Torr以下、アル
ゴンガス圧力２×10-3Torr、基板温度250℃の条件下で
それぞれ順次スパッタリングを行ない、基板上にCr層
（膜厚1000Å）及び86原子％Co−12原子％Ta磁性層（55
0G・μｍ）を順次形成した。
にCrターゲット及びCo−Cr−Ta合金ターゲットを用いて
中間電極４に基板３に対して第３表に示す電位を印加し
た状態でチャンバー内到達圧力１×10-6Torr以下、アル
ゴンガス圧力２×10-3Torr、基板温度250℃の条件下で
それぞれ順次スパッタリングを行ない、基板上にCr層
（膜厚1000Å）及び86原子％Co−12原子％Ta磁性層（55
0G・μｍ）を順次形成した。
得られた磁気ディスクの保持力を試料振動型磁力計で
測定し、結果を第３表に示した。
測定し、結果を第３表に示した。
実施例19〜24、比較例４ 第６図に示す装置を用い、下地層としてCr薄膜（膜厚
1000Å）をスパッタリングにより形成したアルミニウム
基板３及び、Co−Cr−Ta合金ターゲット１を用いて、中
間電極４に、基板３に対して第４表に示す電位を印加し
た状態で、チャンバー内到達圧力２×10-6Torr以下、ア
ルゴンガス圧力２×10-3Torr、基板温度250℃の条件下
でスパッタリングを行ない、基板上に86原子％Co−12原
子％Cr−２原子％Ta磁性層（550G・μｍ）を形成した。
1000Å）をスパッタリングにより形成したアルミニウム
基板３及び、Co−Cr−Ta合金ターゲット１を用いて、中
間電極４に、基板３に対して第４表に示す電位を印加し
た状態で、チャンバー内到達圧力２×10-6Torr以下、ア
ルゴンガス圧力２×10-3Torr、基板温度250℃の条件下
でスパッタリングを行ない、基板上に86原子％Co−12原
子％Cr−２原子％Ta磁性層（550G・μｍ）を形成した。
得られた磁気ディスクの保磁力を試料振動型磁力計で
測定し、結果を第４表に示した。
測定し、結果を第４表に示した。
中間電極位置及び形状は以下の通りである。
ａ＝3mm,b＝5mm,C＝71mm,d＝100mm,e＝83mm 形状；ターゲット外周部全体を取り囲む形状 実施例25〜26、比較例５ 第７図に示す装置を用い、下地層としてCr薄膜（膜厚
1000Å）を形成したアルミニウム基板３及び、Co−Cr−
Ta合金ターゲット１を用いて中間電極４に第５表に示す
電位を印加した状態で、チャンバー内圧力１×10-6Torr
以下、アルゴンガス圧力２×10-3Torr、基板温度250℃
の条件下でスパッタリングを行ない、基板上に86原子％
Co−12原子％Cr−２原子％Ta磁性層（550G・μｍ）を形
成した。
1000Å）を形成したアルミニウム基板３及び、Co−Cr−
Ta合金ターゲット１を用いて中間電極４に第５表に示す
電位を印加した状態で、チャンバー内圧力１×10-6Torr
以下、アルゴンガス圧力２×10-3Torr、基板温度250℃
の条件下でスパッタリングを行ない、基板上に86原子％
Co−12原子％Cr−２原子％Ta磁性層（550G・μｍ）を形
成した。
得られた磁気ディスクの保磁力を試料振動型磁力計で
測定し、結果を第５表に示した。
測定し、結果を第５表に示した。
中間電極位置及び形状は以下の通りである。
ａ＝3mm,b＝102mm,c＝58mm,d＝3mm,e＝83mm 形状；ターゲット外周部全体を取り囲む形状 実施例27〜28、比較例６ 第８図に示す装置を用い、下地層としてCr薄膜（膜厚
1000Å）をスパッタリングにより形成したアルミニウム
基板３及び、Co−Cr−Ta合金ターゲット１を用いて、中
間電極４に、基板３に対して第６表に示す電位を印加し
た状態で、チャンバー内到達圧力１×10-6Torr以下、ア
ルゴンガス圧力２×10-3Torr基板温度250℃の条件下で
スパッタリングを行ない、基板上に86原子％Co−12原子
％Cr−２原子％Ta磁性層（550G・μｍ）を形成した。
1000Å）をスパッタリングにより形成したアルミニウム
基板３及び、Co−Cr−Ta合金ターゲット１を用いて、中
間電極４に、基板３に対して第６表に示す電位を印加し
た状態で、チャンバー内到達圧力１×10-6Torr以下、ア
ルゴンガス圧力２×10-3Torr基板温度250℃の条件下で
スパッタリングを行ない、基板上に86原子％Co−12原子
％Cr−２原子％Ta磁性層（550G・μｍ）を形成した。
得られた磁気ディスクの保持力を試料振動型磁力計で
測定し、結果を第６表に示した。
測定し、結果を第６表に示した。
中間電極位置及び形状は以下の通りである。
ａ＝3mm,b＝5mm,c＝58mm,d＝100mm,e＝83mm 形状；ターゲット外周部全体を取り囲む形状 実施例29〜31、比較例７ 第９図に示す装置を用い、下地層としてCr薄膜（膜厚
1000Å）をスパッタリングにより形成したアルミニウム
基板３及び、Co−Cr−Ta合金ターゲット１を用いて、中
間電極４に、基板３に対して第７表に示す電位を印加し
た状態で、チャンバー内到達圧力１×10-6Torr以下、ア
ルゴンガス圧力２×10-3Torr、基板温度250℃の条件下
でスパッタリングを行ない、基板上に86原子％Co−12原
子％Cr−２原子％Ta磁性層（550G・μｍ）を形成した。
1000Å）をスパッタリングにより形成したアルミニウム
基板３及び、Co−Cr−Ta合金ターゲット１を用いて、中
間電極４に、基板３に対して第７表に示す電位を印加し
た状態で、チャンバー内到達圧力１×10-6Torr以下、ア
ルゴンガス圧力２×10-3Torr、基板温度250℃の条件下
でスパッタリングを行ない、基板上に86原子％Co−12原
子％Cr−２原子％Ta磁性層（550G・μｍ）を形成した。
得られた磁気ディスクの保持力を試料振動型磁力計で
測定し、結果を第７表に示した。
測定し、結果を第７表に示した。
用いた装置の中間電極位置及び形状は以下の通りであ
る。
る。
ａ＝17mm,b＝10mm,c＝13mm,d＝13mm,e＝83mm 実施例29及び30;ターゲット近傍外周部を取り囲む形状 実施例31 ；ターゲット近傍外周部の60％を囲む形
状 実施例32、比較例８ 第10図に示す装置を用い、下地層として膜厚1000Åの
Cr薄膜をスパッタリングにより形成したアルミニウム基
板３及び、Co−Cr−Ta合金ターゲット１を用いて、中間
電極４に、基板３に対して第８表に示す電位を印加した
状態で、チャンバー内到達圧力１×10-6Torr以下、アル
ゴンガス圧力２×10-3Torr、基板温度250℃の条件下で
スパッタリングを行ない、基板上に86原子％Co−12原子
％Cr−２原子％Ta磁性層（550G・μｍ）を形成した。
状 実施例32、比較例８ 第10図に示す装置を用い、下地層として膜厚1000Åの
Cr薄膜をスパッタリングにより形成したアルミニウム基
板３及び、Co−Cr−Ta合金ターゲット１を用いて、中間
電極４に、基板３に対して第８表に示す電位を印加した
状態で、チャンバー内到達圧力１×10-6Torr以下、アル
ゴンガス圧力２×10-3Torr、基板温度250℃の条件下で
スパッタリングを行ない、基板上に86原子％Co−12原子
％Cr−２原子％Ta磁性層（550G・μｍ）を形成した。
得られた磁気ディスクの保磁力を試料振動型磁力計で
測定し、結果を第８表に示した。
測定し、結果を第８表に示した。
中間電極位置及び形状は以下の通りである。
ａ＝13mm,b＝53mm,c＝3mm,d＝52mm,e＝83mm 形状；ターゲット下方外周部全体を取り囲む形状 比較例９〜10 第11図に示す装置を用い、下地層としてCr薄膜（膜厚
1000Å）をスパッタリングにより形成したアルミニウム
基板３及び、Co−Cr−Ta合金ターゲット１を用いて、中
間電極４に、基板３に対して第９表に示す電位を印加し
た状態で、チャンバー内到達圧力１×10-6Torr以下、ア
ルゴンガス圧力２×10-3Torr、基板温度250℃の条件下
にスパッタリングを行ない、基板上に86原子％Co−12の
原子％Cr−２原子％Ta磁性層（550G・μｍ）を形成し
た。
1000Å）をスパッタリングにより形成したアルミニウム
基板３及び、Co−Cr−Ta合金ターゲット１を用いて、中
間電極４に、基板３に対して第９表に示す電位を印加し
た状態で、チャンバー内到達圧力１×10-6Torr以下、ア
ルゴンガス圧力２×10-3Torr、基板温度250℃の条件下
にスパッタリングを行ない、基板上に86原子％Co−12の
原子％Cr−２原子％Ta磁性層（550G・μｍ）を形成し
た。
得られた磁気ディスクの保磁力を試料振動型磁力計で
測定し、結果を第９表に示した。
測定し、結果を第９表に示した。
中間電極位置及び形状は以下の通りである。
ａ＝35mm,b＝10mm,c＝13mm,d＝13mm,e＝83mm 形状；ターゲットと基板の中間部領域を包囲する形状 比較例11〜12 第12図に示す装置を用い、下地層としてCr薄膜（膜厚
1000Å）をスパッタリングにより形成したアルミニウム
基板３及び、Co−Cr−Ta合金ターゲット１を用いて、中
間電極４に、基板３に対して第10表に示す電位を印加し
た状態で、チャンバー内到達圧力１×10-6Torr以下、ア
ルゴンガス圧力２×10-3Torr、基板温度250℃の条件下
でスパッタリングを行ない、基板上に86原子％Co−12原
子％Cr−２原子％Ta磁性層（550G・μｍ）を形成した。
1000Å）をスパッタリングにより形成したアルミニウム
基板３及び、Co−Cr−Ta合金ターゲット１を用いて、中
間電極４に、基板３に対して第10表に示す電位を印加し
た状態で、チャンバー内到達圧力１×10-6Torr以下、ア
ルゴンガス圧力２×10-3Torr、基板温度250℃の条件下
でスパッタリングを行ない、基板上に86原子％Co−12原
子％Cr−２原子％Ta磁性層（550G・μｍ）を形成した。
得られた磁気ディスクの保持力を試料振動型磁力計で
測定し、結果を第10表に示した。
測定し、結果を第10表に示した。
中間電極位置及び形状は以下の通りである。
ａ＝17mm,b＝10mm,c＝13mm,d＝13mm,e＝83mm 形状；ターゲット外周部近傍で該外周部の30％を囲む形
状 〔発明の効果〕 本発明のスパッタリング装置を用いて基板上にCo系合
金の磁性金属薄膜層を形成することにより、高密度記録
に好適な高い保磁力を有する磁気記録媒体が得られるた
め、工業的に有用である。
状 〔発明の効果〕 本発明のスパッタリング装置を用いて基板上にCo系合
金の磁性金属薄膜層を形成することにより、高密度記録
に好適な高い保磁力を有する磁気記録媒体が得られるた
め、工業的に有用である。
【図面の簡単な説明】 第１図は、本発明のスパッタリング装置の一例を示す概
略構成図であり、第２図はその詳細図である。図中、１
はターゲット、２は基板ホルダー、３は基板、４は中間
電極、５はスパッタリング用電源、６は中間電極用電
源、７はターゲット１のスパッターエロージョン部、８
はマグネトロン用磁石、９はDCマグネトロンの陰極、10
は成膜装置本体、11は成膜装置本体の接地部を示す。 第３図は、中間電極４の位置及び形状の例を示す断面図
の一部である。 第４図〜第12図は本発明の実施例及び比較例で用いたス
パッタリング装置を示す概略構成図及びその詳細図であ
る。
略構成図であり、第２図はその詳細図である。図中、１
はターゲット、２は基板ホルダー、３は基板、４は中間
電極、５はスパッタリング用電源、６は中間電極用電
源、７はターゲット１のスパッターエロージョン部、８
はマグネトロン用磁石、９はDCマグネトロンの陰極、10
は成膜装置本体、11は成膜装置本体の接地部を示す。 第３図は、中間電極４の位置及び形状の例を示す断面図
の一部である。 第４図〜第12図は本発明の実施例及び比較例で用いたス
パッタリング装置を示す概略構成図及びその詳細図であ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−79968（ＪＰ，Ａ) 実開 昭61−39156（ＪＰ，Ｕ) 特公 昭47−36151（ＪＰ，Ｂ１) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C23C 14/00 - 14/58 G11B 5/85 H01F 41/18
Claims (1)
- 【請求項１】基板上にスパッタリングによって磁性層を
含む薄膜を形成させるスパッタリング装置において、基
板に対向して設けられたターゲットの近傍の位置にター
ゲットのスパッタ−エロージョン端部の外周部の少なく
とも1/2を取り囲む形状の中間電極を有し、該中間電極
はターゲット表面を基準として基板方向にターゲット表
面と基板との距離の1/3の距離離れた位置からターゲッ
ト表面を基準として基板と反対方向に30mm離れた位置の
範囲内に少なくともその一部が設けられ、且つ該中間電
極に50V以上の正の電位を印加させるための電源を有し
てなることを特徴とする磁気記録媒体製造用スパッタリ
ング装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63-176255 | 1988-07-15 | ||
| JP17625588 | 1988-07-15 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02125871A JPH02125871A (ja) | 1990-05-14 |
| JP2906453B2 true JP2906453B2 (ja) | 1999-06-21 |
Family
ID=16010367
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1167750A Expired - Fee Related JPH0834002B2 (ja) | 1988-07-15 | 1989-06-29 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JP16774989A Expired - Fee Related JP2906453B2 (ja) | 1988-07-15 | 1989-06-29 | 磁気記録媒体製造用スパッタリング装置 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1167750A Expired - Fee Related JPH0834002B2 (ja) | 1988-07-15 | 1989-06-29 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JPH0834002B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04134719A (ja) * | 1990-09-27 | 1992-05-08 | Mitsubishi Kasei Corp | 磁気記録媒体 |
| DE19754821A1 (de) * | 1997-04-14 | 1998-10-15 | Cemecon Ceramic Metal Coatings | Verfahren und Vorrichtung für eine PVD-Beschichtung |
| JP4703828B2 (ja) * | 2000-09-07 | 2011-06-15 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置及び薄膜製造方法 |
| JP2019178367A (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-17 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62266731A (ja) * | 1986-05-15 | 1987-11-19 | Tohoku Metal Ind Ltd | 垂直磁気記録媒体の製造装置 |
-
1989
- 1989-06-29 JP JP1167750A patent/JPH0834002B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1989-06-29 JP JP16774989A patent/JP2906453B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02125871A (ja) | 1990-05-14 |
| JPH0834002B2 (ja) | 1996-03-29 |
| JPH02126424A (ja) | 1990-05-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |