JPH0664731B2 - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH0664731B2 JPH0664731B2 JP20734985A JP20734985A JPH0664731B2 JP H0664731 B2 JPH0664731 B2 JP H0664731B2 JP 20734985 A JP20734985 A JP 20734985A JP 20734985 A JP20734985 A JP 20734985A JP H0664731 B2 JPH0664731 B2 JP H0664731B2
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- magnetic
- thin film
- film
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、高密度磁気記録媒体として利用される金属薄
膜型の磁気記録媒体の製造方法に関するものである。
膜型の磁気記録媒体の製造方法に関するものである。
本発明は、非磁性支持体上に強磁性金属よりなる磁性薄
膜を形成し、その表面をプラズマ酸化処理した後、上記
磁性薄膜上に上記強磁性金属の酸化物膜を形成すること
により、 保護膜である酸化物膜と強磁性金属よりなる磁性薄膜と
の密着性を向上し、耐久性に優れた金属薄膜型の磁気記
録媒体を製造しようとするものである。
膜を形成し、その表面をプラズマ酸化処理した後、上記
磁性薄膜上に上記強磁性金属の酸化物膜を形成すること
により、 保護膜である酸化物膜と強磁性金属よりなる磁性薄膜と
の密着性を向上し、耐久性に優れた金属薄膜型の磁気記
録媒体を製造しようとするものである。
磁気記録の分野においては、記録信号の高密度記録化や
記録波長の短波長化が進められているが、これに対応し
て抗磁力Hcや残留磁束密度Brの大きな磁気記録媒体が要
望されている。
記録波長の短波長化が進められているが、これに対応し
て抗磁力Hcや残留磁束密度Brの大きな磁気記録媒体が要
望されている。
そこで従来、例えば、ポリエステルフィルム等の非磁性
支持体上にCo−Ni合金等の強磁性金属材料を真空蒸着法
やスパッタ法等の手法を用いて強磁性金属薄膜を直接被
着形成し、これを磁性層とした金属薄膜型の磁気記録媒
体が提案されている。この金属薄膜型の磁気記録媒体
は、抗磁力Hcや残留磁束密度Brが大きいばかりでなく、
磁性層の厚みを極めて薄くすることができるため記録減
磁や再生時の厚み損失が著しく小さいこと、磁性材料の
充填密度を高めることができること等、磁気特性の点で
数々の利点を有している。
支持体上にCo−Ni合金等の強磁性金属材料を真空蒸着法
やスパッタ法等の手法を用いて強磁性金属薄膜を直接被
着形成し、これを磁性層とした金属薄膜型の磁気記録媒
体が提案されている。この金属薄膜型の磁気記録媒体
は、抗磁力Hcや残留磁束密度Brが大きいばかりでなく、
磁性層の厚みを極めて薄くすることができるため記録減
磁や再生時の厚み損失が著しく小さいこと、磁性材料の
充填密度を高めることができること等、磁気特性の点で
数々の利点を有している。
あるいは、強磁性金属材料としてCo−Cr合金等を用い、
磁性層の厚さ方向の磁化により記録を行う垂直磁化記録
方式の磁気記録媒体も周知である。この垂直磁化記録方
式によれば、記録波長が短波長になるにしたがい減磁界
が小さくなることから、記録密度を飛躍的に高めること
ができ、特に短波長記録，高密度記録に非常に有利であ
る。
磁性層の厚さ方向の磁化により記録を行う垂直磁化記録
方式の磁気記録媒体も周知である。この垂直磁化記録方
式によれば、記録波長が短波長になるにしたがい減磁界
が小さくなることから、記録密度を飛躍的に高めること
ができ、特に短波長記録，高密度記録に非常に有利であ
る。
ところで、この種の磁気記録媒体においては、耐久性や
走行性に問題が多く、その改善が大きな課題となってい
る。これら磁気記録媒体を磁気テープあるいは磁気ディ
スクとして実用化するには、充分な耐久性が不可欠であ
る。
走行性に問題が多く、その改善が大きな課題となってい
る。これら磁気記録媒体を磁気テープあるいは磁気ディ
スクとして実用化するには、充分な耐久性が不可欠であ
る。
そのため、例えば特開昭52−153407号公報に記載される
ように、磁性薄膜の表面に金属酸化物の保護膜を設ける
ことが提案されている。
ように、磁性薄膜の表面に金属酸化物の保護膜を設ける
ことが提案されている。
しかしながら、単に金属酸化物の保護膜を磁性薄膜上に
堆積させるだけでは、この保護膜と磁性薄膜との密着性
が充分でなく、このため保護膜の膜厚を厚くしても保護
効果が充分に発揮されないという問題があった。高密度
磁気記録においては、スペーシングロスの悪影響は大き
な問題で、保護膜はできるだけ薄くする必要がある。
堆積させるだけでは、この保護膜と磁性薄膜との密着性
が充分でなく、このため保護膜の膜厚を厚くしても保護
効果が充分に発揮されないという問題があった。高密度
磁気記録においては、スペーシングロスの悪影響は大き
な問題で、保護膜はできるだけ薄くする必要がある。
このような理由で、金属酸化物を保護膜として用いた場
合には、スペーシングロスの点から出力を低下させた
り、波長特性を悪化させ、高密度磁気記録用の保護膜と
しては充分でなかった。
合には、スペーシングロスの点から出力を低下させた
り、波長特性を悪化させ、高密度磁気記録用の保護膜と
しては充分でなかった。
そこで本発明は、従来技術の前記欠点を解消するために
提案されたものであって、金属酸化物からなる保護膜と
強磁性金属からなる磁性薄膜との密着性を向上させ、膜
厚が薄くとも充分な保護効果を発揮させることが可能
で、したがって磁気特性を犠牲にすることなく実用化に
重要な耐久性を向上することが可能な磁気記録媒体の製
造方法を提供することを目的とする。
提案されたものであって、金属酸化物からなる保護膜と
強磁性金属からなる磁性薄膜との密着性を向上させ、膜
厚が薄くとも充分な保護効果を発揮させることが可能
で、したがって磁気特性を犠牲にすることなく実用化に
重要な耐久性を向上することが可能な磁気記録媒体の製
造方法を提供することを目的とする。
上述の目的を達成するために、本発明の製造方法は、非
磁性支持体上に強磁性金属よりなる磁性薄膜を形成し、
その表面をプラズマ酸化処理した後、上記磁性薄膜上に
上記強磁性金属の酸化物膜を形成することを特徴とする
ものである。
磁性支持体上に強磁性金属よりなる磁性薄膜を形成し、
その表面をプラズマ酸化処理した後、上記磁性薄膜上に
上記強磁性金属の酸化物膜を形成することを特徴とする
ものである。
本発明が適用される磁気記録媒体は、非磁性支持体上に
強磁性金属材料を直接被着し、磁性層となる磁性薄膜を
形成してなる磁気記録媒体であれば如何なるものであっ
てもよい。したがって、例えば垂直磁気記録用の金属薄
膜型磁気記録媒体や、あるいは面内方向記録用であって
も金属薄膜型磁気記録媒体であれば適用可能である。
強磁性金属材料を直接被着し、磁性層となる磁性薄膜を
形成してなる磁気記録媒体であれば如何なるものであっ
てもよい。したがって、例えば垂直磁気記録用の金属薄
膜型磁気記録媒体や、あるいは面内方向記録用であって
も金属薄膜型磁気記録媒体であれば適用可能である。
垂直磁気記録用の磁気記録媒体とする場合には、磁性層
を構成する強磁性金属材料としては、例えばCo−Cr合金
等が使用される。Crを10〜25原子％含み残部Coからなる
Co−Cr合金をスパッタ法や真空蒸着法で被着することに
より、垂直方向の配向に優れた磁性層が形成される。
を構成する強磁性金属材料としては、例えばCo−Cr合金
等が使用される。Crを10〜25原子％含み残部Coからなる
Co−Cr合金をスパッタ法や真空蒸着法で被着することに
より、垂直方向の配向に優れた磁性層が形成される。
面内方向記録用の磁気記録媒体とする場合に使用される
強磁性金属材料としては、鉄Fe,コバルトCo,ニッケルNi
等の金属、あるいはCo−Ni合金,Fe−Co合金、Fe−Ni合
金,Co−Pt合金,Co−Ni−Pt合金,Fe−Co−Ni合金,Fe−Co
−Ｂ合金,Co−Ni−Fe−Ｂ合金等の合金材料が挙げられ
る。
強磁性金属材料としては、鉄Fe,コバルトCo,ニッケルNi
等の金属、あるいはCo−Ni合金,Fe−Co合金、Fe−Ni合
金,Co−Pt合金,Co−Ni−Pt合金,Fe−Co−Ni合金,Fe−Co
−Ｂ合金,Co−Ni−Fe−Ｂ合金等の合金材料が挙げられ
る。
いずれにせよ、上記強磁性金属材料の被着手段として
は、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法
等の真空薄膜形成技術が採用される。ここで、真空蒸着
法は、10− ４〜10− ８Torrの真空下で上記強磁性金属材
料を、抵抗加熱，高周波加熱，電子ビーム加熱等により
蒸発させ、非磁性支持体上に蒸発金属を沈着するという
ものである。イオンプレーティング法も真空蒸着法の一
種であり、10− ４〜10− ３Torrの不活性ガス雰囲気中で
DCグロー放電,RFグロー放電を起こし、放電中で上記強
磁性金属材料を蒸発させるというものである。スパッタ
法は、10− ３〜10− １Torrのアルゴンを主成分とする雰
囲気中でグロー放電を起こし、生じたアルゴンイオンで
ターゲット表面の原子をたたき出すというもので、グロ
ー放電の方法により、直流２極,3極スパッタ法や、高周
波スパッタ法、マグネトロンを利用したマグネトロンス
パッタ法等がある。何れの場合にも、非磁性支持体上に
あらかじめBi,Tl,Sb,Ga,Ge等の下地金属層を形成してお
き、この下地金属層上に上記強磁性金属材料を垂直方向
から被着し、抗磁力の制御や生産性の向上等を図っても
よい。
は、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法
等の真空薄膜形成技術が採用される。ここで、真空蒸着
法は、10− ４〜10− ８Torrの真空下で上記強磁性金属材
料を、抵抗加熱，高周波加熱，電子ビーム加熱等により
蒸発させ、非磁性支持体上に蒸発金属を沈着するという
ものである。イオンプレーティング法も真空蒸着法の一
種であり、10− ４〜10− ３Torrの不活性ガス雰囲気中で
DCグロー放電,RFグロー放電を起こし、放電中で上記強
磁性金属材料を蒸発させるというものである。スパッタ
法は、10− ３〜10− １Torrのアルゴンを主成分とする雰
囲気中でグロー放電を起こし、生じたアルゴンイオンで
ターゲット表面の原子をたたき出すというもので、グロ
ー放電の方法により、直流２極,3極スパッタ法や、高周
波スパッタ法、マグネトロンを利用したマグネトロンス
パッタ法等がある。何れの場合にも、非磁性支持体上に
あらかじめBi,Tl,Sb,Ga,Ge等の下地金属層を形成してお
き、この下地金属層上に上記強磁性金属材料を垂直方向
から被着し、抗磁力の制御や生産性の向上等を図っても
よい。
そして本発明においては、上述の磁性薄膜を形成した
後、この磁性薄膜の表面に対してプラズマ酸化処理を施
す。
後、この磁性薄膜の表面に対してプラズマ酸化処理を施
す。
上記プラズマ酸化処理により、磁性薄膜の表面にこの磁
性薄膜の構成原子の酸化層がオージェ電子分光によって
明らかになっている。例えば、Co−Cr合金により磁性薄
膜を形成した場合には、プラズマ酸化の条件を適当に設
定すると、表面にCo酸化層が形成される。
性薄膜の構成原子の酸化層がオージェ電子分光によって
明らかになっている。例えば、Co−Cr合金により磁性薄
膜を形成した場合には、プラズマ酸化の条件を適当に設
定すると、表面にCo酸化層が形成される。
なお、上記プラズマ酸化処理の処理時間あるいは処理条
件等は、磁性薄膜を構成する原子の種類等に応じて設定
すればよいが、処理時間が長過ぎたり放電電圧が高すぎ
ると、磁性薄膜の表面のエッチングが進行するため、通
常は放電電圧を100〜500Vの間に設定し、なおかつ放電
時間を５分以内に設定すればよい。
件等は、磁性薄膜を構成する原子の種類等に応じて設定
すればよいが、処理時間が長過ぎたり放電電圧が高すぎ
ると、磁性薄膜の表面のエッチングが進行するため、通
常は放電電圧を100〜500Vの間に設定し、なおかつ放電
時間を５分以内に設定すればよい。
次に、プラズマ処理した磁性薄膜上に、この磁性薄膜を
構成する強磁性金属の酸化物を保護膜として被着する。
構成する強磁性金属の酸化物を保護膜として被着する。
上記酸化物の保護膜は、スパッタ法等の手法により上記
磁性薄膜上に被着されるが、本発明においては磁性薄膜
表面があらかじめプラズマ酸化処理され表面に金属酸化
層が形成されているので、酸化物保護膜の成長初期の段
階から連続膜として成長することが期待できる。したが
って、保護膜と磁性薄膜との密着性が向上し、保護膜の
効果が向上する。例えば、磁性薄膜をCo−Cr合金薄膜と
し保護膜をCo酸化物膜とすると、プラズマ酸化によって
磁性薄膜表面に保護膜と同一の層ができるため、膜厚が
薄くとも保護効果のあるCo酸化物保護膜を得ることがで
きる。
磁性薄膜上に被着されるが、本発明においては磁性薄膜
表面があらかじめプラズマ酸化処理され表面に金属酸化
層が形成されているので、酸化物保護膜の成長初期の段
階から連続膜として成長することが期待できる。したが
って、保護膜と磁性薄膜との密着性が向上し、保護膜の
効果が向上する。例えば、磁性薄膜をCo−Cr合金薄膜と
し保護膜をCo酸化物膜とすると、プラズマ酸化によって
磁性薄膜表面に保護膜と同一の層ができるため、膜厚が
薄くとも保護効果のあるCo酸化物保護膜を得ることがで
きる。
また、上記保護膜を磁性薄膜構成元素の酸化物膜とする
ことにより、磁気ヘッドの表面損傷や摩耗等も解消する
ことができる。すなわち、あまり機械的強度の高い保護
膜を磁性薄膜上に設けると、磁気ヘッドと保護膜との凝
着部付近の剪断がヘッド材料内部で起こり、磁気ヘッド
のほうに表面損傷，摩耗が起こる。そこで、さらに磁気
ヘッドの強度を増すと、今度は磁気記録媒体に表面損傷
や摩耗を生ずるという悪循環を繰り返すことになる。こ
れに対し、前述のように磁性薄膜構成元素の酸化物で保
護膜を形成すると、この保護膜がヘッド材料や磁性薄膜
よりも機械的に剪断しやすい物質である場合には、磁気
ヘッドと磁気記録媒体の凝着部で剪断が起こり、磁気ヘ
ッドや磁気記録媒体から削り取られる金属の量は極めて
少ないものとなる。したがって、表面損傷や摩耗は抑え
られ、耐久性が向上する。
ことにより、磁気ヘッドの表面損傷や摩耗等も解消する
ことができる。すなわち、あまり機械的強度の高い保護
膜を磁性薄膜上に設けると、磁気ヘッドと保護膜との凝
着部付近の剪断がヘッド材料内部で起こり、磁気ヘッド
のほうに表面損傷，摩耗が起こる。そこで、さらに磁気
ヘッドの強度を増すと、今度は磁気記録媒体に表面損傷
や摩耗を生ずるという悪循環を繰り返すことになる。こ
れに対し、前述のように磁性薄膜構成元素の酸化物で保
護膜を形成すると、この保護膜がヘッド材料や磁性薄膜
よりも機械的に剪断しやすい物質である場合には、磁気
ヘッドと磁気記録媒体の凝着部で剪断が起こり、磁気ヘ
ッドや磁気記録媒体から削り取られる金属の量は極めて
少ないものとなる。したがって、表面損傷や摩耗は抑え
られ、耐久性が向上する。
磁性薄膜の表面に対して予めプラズマ酸化処理を施し、
保護膜と同一の層である金属酸化層を形成した後、前記
磁性薄膜を構成する強磁性金属の酸化物膜を保護膜とし
て被着することにより、この保護膜が成長初期の段階か
ら前記金属酸化層の連続膜として成長し、上記磁性薄膜
に対して組成的に密着する。
保護膜と同一の層である金属酸化層を形成した後、前記
磁性薄膜を構成する強磁性金属の酸化物膜を保護膜とし
て被着することにより、この保護膜が成長初期の段階か
ら前記金属酸化層の連続膜として成長し、上記磁性薄膜
に対して組成的に密着する。
以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本
発明がこの実施例に限定されるものでないことは言うま
でもない。
発明がこの実施例に限定されるものでないことは言うま
でもない。
実施例 厚さ50μｍのベースフィルム上にCo−Crスパッタ膜を0.
4μｍ形成した磁気記録媒体（直径86mm,3.5インチフロ
ーピーシート）に対し、先ずその表面を酸素イオンでプ
ラズマ処理した。プラズマ酸化の条件は次の通りであ
る。
4μｍ形成した磁気記録媒体（直径86mm,3.5インチフロ
ーピーシート）に対し、先ずその表面を酸素イオンでプ
ラズマ処理した。プラズマ酸化の条件は次の通りであ
る。
プラズマ酸化条件 電源 13.56MHz 400V 30W 酸素圧 0.05Torr 放電時間 １分30秒 また、このプラズマ酸化に使用した反応装置の構成を膜
式的に第１図に示す。この反応装置を説明すると、反応
装置はプラズマ酸化反応のための反応室６を具備してな
り、この反応室６の内部に、ベースフィルム２上に強磁
性金属よりなる磁性薄膜（Co−Crスパッタ膜）３が形成
された磁気記録媒体４を、電極５に接合して装着するよ
うになっている。ここで、上記磁気記録媒体４は、上記
磁性薄膜３の表面が酸素雰囲気にさらされるように配置
される。また、上記電極５は、上記反応室６に外部にあ
る高周波電源７（発振周波数は13.56MHz）のマイナス側
に接続され、上記磁気記録媒体４が負電位に帯電するよ
うになっている。一方、上記反応室６内には、酸素ガス
源１が導入管が接続されており、反応室６内に酸素ガス
を供給できるようになっている。上述のように構成され
る反応装置を用い、先ず、反応室６内の空気を真空ポン
プにより充分に脱気して約10− ７〜10− ４Torr程度まで
減圧し、しかる後に酸素ガスを反応室６内に導入する。
次いで、上記酸素ガスを所定の流量で反応室６内に導入
しながら上記高周波電源７を作動させ、磁気記録媒体４
を負電圧に帯電させる。この場合、反応室６内は、放電
を良好に起こさせるため、一般に10− ３Torr〜3Torr程
度の真空状態とするのが望ましく、通常10− ２Torr程度
が採用される。以上の操作により磁性薄膜３の表面がプ
ラズマ酸化される。
式的に第１図に示す。この反応装置を説明すると、反応
装置はプラズマ酸化反応のための反応室６を具備してな
り、この反応室６の内部に、ベースフィルム２上に強磁
性金属よりなる磁性薄膜（Co−Crスパッタ膜）３が形成
された磁気記録媒体４を、電極５に接合して装着するよ
うになっている。ここで、上記磁気記録媒体４は、上記
磁性薄膜３の表面が酸素雰囲気にさらされるように配置
される。また、上記電極５は、上記反応室６に外部にあ
る高周波電源７（発振周波数は13.56MHz）のマイナス側
に接続され、上記磁気記録媒体４が負電位に帯電するよ
うになっている。一方、上記反応室６内には、酸素ガス
源１が導入管が接続されており、反応室６内に酸素ガス
を供給できるようになっている。上述のように構成され
る反応装置を用い、先ず、反応室６内の空気を真空ポン
プにより充分に脱気して約10− ７〜10− ４Torr程度まで
減圧し、しかる後に酸素ガスを反応室６内に導入する。
次いで、上記酸素ガスを所定の流量で反応室６内に導入
しながら上記高周波電源７を作動させ、磁気記録媒体４
を負電圧に帯電させる。この場合、反応室６内は、放電
を良好に起こさせるため、一般に10− ３Torr〜3Torr程
度の真空状態とするのが望ましく、通常10− ２Torr程度
が採用される。以上の操作により磁性薄膜３の表面がプ
ラズマ酸化される。
続いて、上記プラズマ処理した磁性薄膜上に膜厚20〜30
ÅのCo酸化物保護膜をスパッタリングにより形成した。
スパッタリング条件は次の通りである。
ÅのCo酸化物保護膜をスパッタリングにより形成した。
スパッタリング条件は次の通りである。
スパッタリング条件 RF電力 150W アルゴン圧 3mTorr 基板 水冷 ターゲット−基板間距離 60mm ターゲット Co３Ｏ４ 使用した装置の構成は第２図に示すようなものである。
このスパッタリング装置も先のプラズマ酸化のための反
応装置と同様の構成であるが、高周波電源７をターゲッ
ト８に接続し、このターゲット８と磁性薄膜３が対向す
るように磁気記録媒体４を配置している。なお、この第
２図において、先の第１図の装置と同一の部材には同一
の符号を付してある。
このスパッタリング装置も先のプラズマ酸化のための反
応装置と同様の構成であるが、高周波電源７をターゲッ
ト８に接続し、このターゲット８と磁性薄膜３が対向す
るように磁気記録媒体４を配置している。なお、この第
２図において、先の第１図の装置と同一の部材には同一
の符号を付してある。
比較例１ 厚さ50μｍのベースフィルム上にCo−Crスパッタ膜を0.
4μｍ形成した磁気記録媒体（直径86mm,3.5インチフロ
ーピーシート）上にCo酸化物保護膜を形成した。保護膜
形成条件は実施例と同様である。
4μｍ形成した磁気記録媒体（直径86mm,3.5インチフロ
ーピーシート）上にCo酸化物保護膜を形成した。保護膜
形成条件は実施例と同様である。
比較例2. 厚さ50μｍのベースフィルム上にCo−Crスパッタ膜を0.
4μｍ形成した磁気記録媒体（直径86mm,3.5インチフロ
ーピーシート）に対し、アルゴンイオンでプラズマ処理
を施した後、Co酸化物保護膜を形成した。アルゴンイオ
ンによるプラズマ処理の条件は次の通りである。
4μｍ形成した磁気記録媒体（直径86mm,3.5インチフロ
ーピーシート）に対し、アルゴンイオンでプラズマ処理
を施した後、Co酸化物保護膜を形成した。アルゴンイオ
ンによるプラズマ処理の条件は次の通りである。
プラズマ処理条件 電源 13.56MHz 1.2kV 200W アルゴン圧 20mTorr 放電時間 １分 また、保護膜形成条件は実施例と同様である。
上述の各実施例及び比較例で得られた磁気記録媒体につ
いて、それぞれ耐久試験を行った。ここで、耐久試験
は、フェライトヘッドを用いて波長約６μｍの信号を記
録し、そのRMS再生出力が−3dB低下するまでの回転数を
測定した。結果を次表に示す。
いて、それぞれ耐久試験を行った。ここで、耐久試験
は、フェライトヘッドを用いて波長約６μｍの信号を記
録し、そのRMS再生出力が−3dB低下するまでの回転数を
測定した。結果を次表に示す。
この表より、本発明を適用した実施例においては、耐久
性が大幅に向上したことがわかった。
性が大幅に向上したことがわかった。
以上の説明からも明らかなように、本発明においては、
磁性薄膜の表面に対し酸素プラズマ処理を施して金属酸
化層を形成した後、磁性薄膜を構成する強磁性金属と同
種の金属の酸化物膜を保護膜として被着形成しているの
で、酸化物膜が成長初期の段階から上記金属酸化層の連
続膜として成長し、この結果磁性薄膜に対する密着性の
優れた保護膜が形成される。したがって、膜厚が薄くと
も保護効果の高い保護膜が可能となり、耐久性に優れた
磁気記録媒体の提供が可能となる。
磁性薄膜の表面に対し酸素プラズマ処理を施して金属酸
化層を形成した後、磁性薄膜を構成する強磁性金属と同
種の金属の酸化物膜を保護膜として被着形成しているの
で、酸化物膜が成長初期の段階から上記金属酸化層の連
続膜として成長し、この結果磁性薄膜に対する密着性の
優れた保護膜が形成される。したがって、膜厚が薄くと
も保護効果の高い保護膜が可能となり、耐久性に優れた
磁気記録媒体の提供が可能となる。
第１図はプラズマ酸化処理に使用される反応装置の一例
を示す模式的な構成図であり、第２図はスパッタリング
装置の一例を示す模式的な構成図である。 ２……ベースフィルム（非磁性支持体） ３……磁性薄膜 ４……磁気記録媒体
を示す模式的な構成図であり、第２図はスパッタリング
装置の一例を示す模式的な構成図である。 ２……ベースフィルム（非磁性支持体） ３……磁性薄膜 ４……磁気記録媒体
フロントページの続き (72)発明者 本多 直樹 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 佐本 哲雄 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−63723（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】非磁性支持体上に強磁性金属よりなる磁性
薄膜を形成し、その表面をプラズマ酸化処理した後、 上記磁性薄膜上に上記強磁性金属の酸化物膜を形成する
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20734985A JPH0664731B2 (ja) | 1985-09-19 | 1985-09-19 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20734985A JPH0664731B2 (ja) | 1985-09-19 | 1985-09-19 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6266421A JPS6266421A (ja) | 1987-03-25 |
| JPH0664731B2 true JPH0664731B2 (ja) | 1994-08-22 |
Family
ID=16538264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20734985A Expired - Fee Related JPH0664731B2 (ja) | 1985-09-19 | 1985-09-19 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0664731B2 (ja) |
-
1985
- 1985-09-19 JP JP20734985A patent/JPH0664731B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6266421A (ja) | 1987-03-25 |
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