JPH0612650A - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents

磁気記録媒体およびその製造方法

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JPH0612650A
JPH0612650A JP16913292A JP16913292A JPH0612650A JP H0612650 A JPH0612650 A JP H0612650A JP 16913292 A JP16913292 A JP 16913292A JP 16913292 A JP16913292 A JP 16913292A JP H0612650 A JPH0612650 A JP H0612650A
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magnetic recording
magnetic
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recording medium
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JP16913292A
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Inventor
Hitoshi Sato
均 佐藤
Minoru Taikai
実 大開
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Mitsubishi Steel Mfg Co Ltd
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Mitsubishi Steel Mfg Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 磁気により信号の記録、再生を行う磁気記録
媒体およびその製造方法である。 【構成】 非磁性基体に、8〜16原子%のCr、1.
5〜6原子%のTa、0.01〜2原子%のY、残部が
実質的にCoからなる磁気記録層を設けたもの、並びに
該磁気記録媒体をマグネトロンスパッタリング法により
製造する方法およびそのための同組成からなるターゲッ
トである。 【効果】 Co−Cr−Ta−Y合金をターゲットとし
て用いたことにより比透磁率がかなり低くなり、その結
果歩留りが向上する。磁気記録層の磁気特性はCo−C
r−Ta組成の場合とほぼ同一の値を示し、優れてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気により信号の記
録、再生を行う磁気記録媒体およびその製造方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】近年、磁気ディスクは、小型化、大容量
化が急速に進められている。磁気ディスク磁気記録媒体
として高密度化の要求が高く、これを具現化するものと
して、磁気記録層の高保磁力化、薄膜化がされている。
磁気ディスクへの磁気記録層の形成方法は、塗布法、メ
ッキ法からマグネトロンスパッタリング法になり、これ
が現在主流になっている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】マグネトロンスパッタ
リング法により非磁性基体の表面に磁気記録層を形成す
る際に用いられるターゲットは、磁気記録層とほぼ同一
組成の強磁性体である。また、マグネトロンスパッタリ
ング法では、ターゲットの背面から磁界を印加し、ター
ゲット表面に発生した磁場中でスパッタリングするので
あるが、ターゲットが強磁性体の場合、表面磁場が不均
一になり、ターゲットは部分的にスパッタリングされ
る。したがって、ターゲットがスパッタリングに有効利
用できる部分は限定され、その歩留はかなり悪く、Ca
−Cr−Ta系ゲットの場合5〜10%程度である。
【0004】本発明は以上述べた課題を解決するために
なされたものであって、その第一の目的は、高密度化で
きる磁気記録媒体すなわち磁気特性の優れたターゲット
を得ることである。第二の目的は、ターゲットの磁場の
不均一性を材質的に解決するものである。すなわち、タ
ーゲットの強磁性を非磁性にできるだけ近づければ、比
透磁率は小さくなって磁場は均一化され、ターゲットの
歩留の向上をはかることである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するためのもので、非磁性体と磁気記録層からなる磁
気記録媒体において、磁気記録層が8〜16原子%のC
r、1.5〜6原子%のTa、0.01〜2原子%の
Y、残部が実質的にCoからなることを特徴とする磁気
記録媒体および上記組成の磁気記録層をマグネトロンス
パッタリング法により形成する方法並びに、マグネトロ
ンスパッタリングに用いる上記と同組成のターゲットで
ある。
【0006】現在、磁気記録媒体の形成に使用されてい
るターゲットの比透磁率は40以上である。本発明者
は、Co−Cr−Ta系で磁気記録媒体の保磁力・残留
磁束密度の磁気特性を損なわずに、比透磁率は20以下
にする組成について鋭意研究した結果、Yを0.01〜
2原子%の範囲に包含させることが有効であることを見
出し上記本発明に到達した。
【0007】本発明における磁気記録層並びにその形成
用ターゲットにおける成分の限定理由は次の通りであ
る。
【0008】Cr:Crは磁気特性の保持力を高くする
のに有用な元素であるが、8原子%未満では磁気記録媒
体に必要な保持力が得られず、16原子%を越えて添加
しても保磁力は高くならず、残留磁束密度を阻害するた
め、その範囲を8〜16原子%とした。特に保磁力の向
上に最適な範囲は11〜13%である。
【0009】Ta:Taは磁気特性の保磁力を高くする
のに有用な元素であり、1.5原子%未満では磁気記録
媒体に必要な保磁力は得られず、6原子%を越えて添加
しても保磁力は高くならず、残留磁束密度を阻害するた
め、その範囲を1.5〜6原子%とした。特に保磁力・
残留磁束密度の向上に最適な範囲は2〜5原子%であ
る。
【0010】Y:Yはターゲットの比透磁率を小さくす
るのに有用な元素であるが、0.01原子%未満ではそ
の効果がなく、2原子%を越えて添加しても、ターゲッ
トの比透磁率は小さくならず、磁気記録媒体の残留磁束
密度を阻害するため、その範囲を0.01〜2原子%と
した。特に比透磁率を小さくし残留磁束密度の向上に最
適な範囲は、0.05〜0.5原子%である。
【0011】本発明の磁気記録層並びにその製造用のタ
ーゲットは以上のような成分を有するものであるが、こ
れらの成分をCo中に含有させたものをターゲットとし
て、通常のマグネトロンスパッタリング法により非磁性
基体の表面に磁気記録層を形成すれば、磁気特性は損な
わずに、しかも製造時のターゲットの歩留りも従来より
大巾に向上する。
【0012】
【実施例】表1に示す試料A,Bを真空溶解し、10k
gのインゴットを作成した。そして、1,200℃×1
0時間熱処理して、鍛造、切断して6インチφ×3mm
tのターゲットを作成した。そのターゲットの磁気特性
を表1に併せて示す。比透磁率について、試料Aが4
6.0に対し、試料Bは14.4であり、Yを添加した
本発明の場合の方がかなり小さいことがわかる。
【0013】
【表1】
【0014】上記ターゲットを使用してマグネトロンス
パッタリング法により磁気記録層を作成した。スパッタ
条件はベース真空度5×10-7Torr、5×10-3
orr、Ar雰囲気中とした。得られた磁気記録層の磁
気特性を測定した結果、表2に示すとおりであった。
【0015】
【表2】
【0016】表2の結果から明らかなとおり、本発明で
はYの添加にもかかわらず磁気特性はほぼ同一の値であ
ることがわかる。そして、ターゲットの歩留りを測定し
た結果、試料Aは9%であったのに対し、試料Bは25
%となり、本発明では16%向上した。
【0017】
【発明の効果】本発明は、Co−Cr−Ta系合金にY
を添加することによりターゲットの比透磁率がかなり低
くなり、その結果歩留りが向上した。磁気記録層の磁気
特性は、Yの有無にかかわらず、ほぼ同一の値を示し、
優れている。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 非磁性基体と磁気記録層からなる磁気記
    録媒体において、磁気記録層が8〜16原子%のCr、
    1.5〜6原子%のTa、0.01〜2原子%のY、残
    部が実質的にCoからなることを特徴とする磁気記録媒
    体。
  2. 【請求項2】 非磁性基体上に、8〜16原子%のC
    r、1.5〜6原子%のTa、0.01〜2原子のY、
    残部が実質的にCoからなる磁気記録層をマグネトロン
    スパッタリング法により形成することを特徴とする磁気
    記録媒体の製造方法。
  3. 【請求項3】 8〜16原子%のCr、1.5〜6原子
    %のTa、0.01〜2原子%のY、残部が実質的にC
    oからなるターゲットを用いてマグネトロンスパッタリ
    ングする請求項2記載の磁気記録媒体の製造方法。
  4. 【請求項4】 8〜16原子%のCr、1.5〜6原子
    %のTa、0.01〜2原子%のY、残部が実質的にC
    oからなることを特徴とするマグネトロンスパッタリン
    グ用ターゲット。
JP16913292A 1992-06-26 1992-06-26 磁気記録媒体およびその製造方法 Expired - Lifetime JPH0777020B2 (ja)

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JPH0612650A true JPH0612650A (ja) 1994-01-21
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