JPS5919307A - Ｎｉ−Ｆｅ合金スパツタタ−ゲツト及びＮｉ−Ｆｅ合金膜 - Google Patents
Ｎｉ−Ｆｅ合金スパツタタ−ゲツト及びＮｉ−Ｆｅ合金膜Info
- Publication number
- JPS5919307A JPS5919307A JP12752082A JP12752082A JPS5919307A JP S5919307 A JPS5919307 A JP S5919307A JP 12752082 A JP12752082 A JP 12752082A JP 12752082 A JP12752082 A JP 12752082A JP S5919307 A JPS5919307 A JP S5919307A
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- JP
- Japan
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- alloy
- film
- target
- coercive force
- sputtering target
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/18—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates by cathode sputtering
- H01F41/183—Sputtering targets therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明の目的は良好な磁気特性のＮｉ−Ｆｅ合金薄膜の
提供ならびにそれを作製するためのＮｉ−Ｆ ｅ合金ス
パッタターゲットを提供することにある。
提供ならびにそれを作製するためのＮｉ−Ｆ ｅ合金ス
パッタターゲットを提供することにある。
Ｎ ｉ −Ｆ ｅ合金バルク材はすぐれた軟磁気特性を
示す合金として昔から研究されているが、最近これ全薄
膜ヘッドの磁極など薄膜材料として使う試みがなされて
いる。しかし薄膜とバルクとではかなり性質が違う上に
、同じ薄膜でも作製法によって特性が異なる。一般にバ
ルクでは１８ｗｔ％以上２２Ｗｔ １未満のＦｅの組成
領域とくに２０ｗｔ％Ｆｅ近傍で良好な軟磁気特性が得
られることが知られている。蒸着法で形成した薄膜は１
７〜２０Ｗｔ襲Ｆｅの組成領域とくに１７〜１８ｗｔ％
のＦｅ組成近傍の蒸着源から蒸着したときに良好な軟磁
気特性が得られやすいが、膜厚方向で組成が異なってお
＃）、再現性も良くないので、とくに薄膜ヘッドなどで
１μｍ以上の厚いＮｉ −Ｆｅ合金膜を工業的に形成す
ることは問題があった。最近、マグネトロン方式や対抗
ターゲット方式の高速スパッタ法でＮ ｉ −Ｐ ｅ合
金を形成する試みがなされているが、この場合にはｌ
９ｗｔ ％Ｉｉ’ ｅ近傍のターゲットを使うと比較的
良好な磁気特性となる。しかし高速スパッタ法は膜に応
力が入ｐやすく、磁気特性のばらつきも大きいので望ま
しくない。通常のＲＦスパッタ法は膜形成法としては再
現性均一性等の点から理想的なものだがこの方法では、
これまでの実験結果ケもとに、１７〜２０ｗｔ％Ｆｅの
ターゲットを使って薄膜を形成する試みがされてきたが
、良好な磁気特性は得られていない。
示す合金として昔から研究されているが、最近これ全薄
膜ヘッドの磁極など薄膜材料として使う試みがなされて
いる。しかし薄膜とバルクとではかなり性質が違う上に
、同じ薄膜でも作製法によって特性が異なる。一般にバ
ルクでは１８ｗｔ％以上２２Ｗｔ １未満のＦｅの組成
領域とくに２０ｗｔ％Ｆｅ近傍で良好な軟磁気特性が得
られることが知られている。蒸着法で形成した薄膜は１
７〜２０Ｗｔ襲Ｆｅの組成領域とくに１７〜１８ｗｔ％
のＦｅ組成近傍の蒸着源から蒸着したときに良好な軟磁
気特性が得られやすいが、膜厚方向で組成が異なってお
＃）、再現性も良くないので、とくに薄膜ヘッドなどで
１μｍ以上の厚いＮｉ −Ｆｅ合金膜を工業的に形成す
ることは問題があった。最近、マグネトロン方式や対抗
ターゲット方式の高速スパッタ法でＮ ｉ −Ｐ ｅ合
金を形成する試みがなされているが、この場合にはｌ
９ｗｔ ％Ｉｉ’ ｅ近傍のターゲットを使うと比較的
良好な磁気特性となる。しかし高速スパッタ法は膜に応
力が入ｐやすく、磁気特性のばらつきも大きいので望ま
しくない。通常のＲＦスパッタ法は膜形成法としては再
現性均一性等の点から理想的なものだがこの方法では、
これまでの実験結果ケもとに、１７〜２０ｗｔ％Ｆｅの
ターゲットを使って薄膜を形成する試みがされてきたが
、良好な磁気特性は得られていない。
本発明は通常のＲ，Ｆスパッタ法においてスパッタター
ゲットの組成を２２〜２４ｗｔ％Ｆｅと、 これまでの
例とはまったく異なる範囲に選んだもので、これによっ
て、良好な磁気特性を得ることができる。
ゲットの組成を２２〜２４ｗｔ％Ｆｅと、 これまでの
例とはまったく異なる範囲に選んだもので、これによっ
て、良好な磁気特性を得ることができる。
以下、本発明の実施例を第１図により説明する。
第１図の縦軸は厚み２μｍのＮ ｉ −Ｆ ｅ合金膜の
保磁力Ｈｃ［Ｏｅ：］、横軸はターゲットのＦｅ成分濃
度ｘ（ｗｔ％）を示す。膜は通常の１’ＬＦスノくツタ
法で形成したもので、形成条件は第１表に示す。
保磁力Ｈｃ［Ｏｅ：］、横軸はターゲットのＦｅ成分濃
度ｘ（ｗｔ％）を示す。膜は通常の１’ＬＦスノくツタ
法で形成したもので、形成条件は第１表に示す。
膜厚や形成条件がかわると保磁力の絶対値はかわるが、
傾向は同じである。保磁力はターゲットのＰｅ成分濃度
が２２〜２４ ｗｔ％のごくせまい範囲で非常に小さく
なシ良好な磁気特性を示し、この範囲外の特性とは明ら
かに異なっている。またこのターゲット組成はバルク材
、蒸着膜、高速スパッタ法など従来の材料形成法からは
類推できないものであり、従来ＲＦスパッタ法で良好な
磁気特性が得られなかった原因は適当なターゲット組成
が選ばれていなかったためと考えられる。
傾向は同じである。保磁力はターゲットのＰｅ成分濃度
が２２〜２４ ｗｔ％のごくせまい範囲で非常に小さく
なシ良好な磁気特性を示し、この範囲外の特性とは明ら
かに異なっている。またこのターゲット組成はバルク材
、蒸着膜、高速スパッタ法など従来の材料形成法からは
類推できないものであり、従来ＲＦスパッタ法で良好な
磁気特性が得られなかった原因は適当なターゲット組成
が選ばれていなかったためと考えられる。
なお、本実施例においてはターゲットはＮｉとＦｅとを
焼結し、直径１５０ｍφ、厚み３ ｔａｎ ｔの円板状
としたが、ターゲットの作製法、形状にはよらず、本発
明が適用できることはいうまでもない。本発明の要点は
ＲＦスパッタ用のターゲットにおいて、スパッタされる
範囲のターゲット部分でＦｅが実質的に２２〜２４ ｗ
ｔ％存在していることである。耐食性を増加させたシ、
飽和磁束密度、透磁率などの磁気特性をさらに向上させ
るために、Ｎｉ−Ｆｅ合金に、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｒｕ
などを添加する場合があるが、この場合も、Ｆｅが全体
の２２〜２４ｗｔ％ 存在しているターゲット組成範囲
で良好な磁気特性が得られる。
焼結し、直径１５０ｍφ、厚み３ ｔａｎ ｔの円板状
としたが、ターゲットの作製法、形状にはよらず、本発
明が適用できることはいうまでもない。本発明の要点は
ＲＦスパッタ用のターゲットにおいて、スパッタされる
範囲のターゲット部分でＦｅが実質的に２２〜２４ ｗ
ｔ％存在していることである。耐食性を増加させたシ、
飽和磁束密度、透磁率などの磁気特性をさらに向上させ
るために、Ｎｉ−Ｆｅ合金に、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｒｕ
などを添加する場合があるが、この場合も、Ｆｅが全体
の２２〜２４ｗｔ％ 存在しているターゲット組成範囲
で良好な磁気特性が得られる。
第１表
以上、実施例の説明かられかるように、本発明によれば
磁気特性の良好な（保磁力が小さく、透磁率が高い）Ｎ
ｉ−Ｆｅ合金膜を形成することができる。最良の条件を
選んだ場合、保磁力は約 ′２０ｍ０ｅ、透磁率は
約６０００となりこれは蒸着法や高速スパッタ法など従
来の薄膜形成法の最良の場合よシもさらに特性が良く、
バルク材の特性に近いものになっている。
磁気特性の良好な（保磁力が小さく、透磁率が高い）Ｎ
ｉ−Ｆｅ合金膜を形成することができる。最良の条件を
選んだ場合、保磁力は約 ′２０ｍ０ｅ、透磁率は
約６０００となりこれは蒸着法や高速スパッタ法など従
来の薄膜形成法の最良の場合よシもさらに特性が良く、
バルク材の特性に近いものになっている。
本発明を用いて薄膜ヘッドの磁極を形成したところ、蒸
着法を用いて磁極形成した薄膜ヘッドにくらべて２割以
上自己録再出力が大きく、本発明の有効性が確かめられ
た。
着法を用いて磁極形成した薄膜ヘッドにくらべて２割以
上自己録再出力が大きく、本発明の有効性が確かめられ
た。
第１図は本発明の詳細な説明するためにターゲット組成
と形成膜の磁気特性との関係を示したグラフである。 代理人 弁理士 薄田利幸 ｆＩ １ 図 Ｆし纜分 Ｘ （ｗｔ％） 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内
と形成膜の磁気特性との関係を示したグラフである。 代理人 弁理士 薄田利幸 ｆＩ １ 図 Ｆし纜分 Ｘ （ｗｔ％） 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、主としてＮｉとＦｅとからなシ、Ｆｅの重量比が２
２〜２４％であることを特徴とするＮｉ−Ｆｅ合金スパ
ッタターゲット。 Ｚ 主としてＮｉとＦｅとからなｐ、Ｆｅの重量比が２
２〜２４チであるＮ ｉ −Ｆ ｅ合金スパッタターゲ
ットを用いて、ＦＬＦスパッタ法によって形成されたこ
とを特徴とするＮｉ−１；’ｅ合金膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12752082A JPS5919307A (ja) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | Ｎｉ−Ｆｅ合金スパツタタ−ゲツト及びＮｉ−Ｆｅ合金膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12752082A JPS5919307A (ja) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | Ｎｉ−Ｆｅ合金スパツタタ−ゲツト及びＮｉ−Ｆｅ合金膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5919307A true JPS5919307A (ja) | 1984-01-31 |
Family
ID=14962043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12752082A Pending JPS5919307A (ja) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | Ｎｉ−Ｆｅ合金スパツタタ−ゲツト及びＮｉ−Ｆｅ合金膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5919307A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7604717B2 (en) | 1999-05-20 | 2009-10-20 | Saint-Gobain Glass France | Electrochemical device |
-
1982
- 1982-07-23 JP JP12752082A patent/JPS5919307A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7604717B2 (en) | 1999-05-20 | 2009-10-20 | Saint-Gobain Glass France | Electrochemical device |
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