JPH02125871A - 磁気記録媒体製造用スパッタリング装置 - Google Patents
磁気記録媒体製造用スパッタリング装置Info
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- JPH02125871A JPH02125871A JP1167749A JP16774989A JPH02125871A JP H02125871 A JPH02125871 A JP H02125871A JP 1167749 A JP1167749 A JP 1167749A JP 16774989 A JP16774989 A JP 16774989A JP H02125871 A JPH02125871 A JP H02125871A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、基板上にスパッタリングによって金属又は半
導体の薄膜を形成させるために用いられるスパッタリン
グ装置に関する。詳しくは、基板上に磁性薄膜層及び保
護薄膜層を順次スパッタリングによって形成させて磁気
記録媒体を製造するのに好適なスパッタリング装置に関
する。
導体の薄膜を形成させるために用いられるスパッタリン
グ装置に関する。詳しくは、基板上に磁性薄膜層及び保
護薄膜層を順次スパッタリングによって形成させて磁気
記録媒体を製造するのに好適なスパッタリング装置に関
する。
近年、コンビエータ等の情報処理技術の発達に伴い、そ
の外部記憶装置に用いられる磁気ディスクなどの磁気記
録媒体に対し、高密度記録化への要求がますます高めら
れている。
の外部記憶装置に用いられる磁気ディスクなどの磁気記
録媒体に対し、高密度記録化への要求がますます高めら
れている。
現在、長手記録用磁気ディスクに用いられる磁気記録媒
体の磁性層としては、スパッタリング等によりＣｒ下地
薄膜上に、エピタキシャル的に成膜されたＣｏ系合金薄
膜が主流となってきている。しかして、このｃｏ系合金
薄膜磁性層についても、高密度記録化への要求に対し、
磁気特性としてより高い保磁力を付与することが必要と
されており、従来より、その特性についての報告が、数
多くなされている。（例えば、”Ｎｅｗ ｌｏｎｇｉｔ
ｕｄｉｎａｌ ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ ｍｅｄｉａ Ｃｏ
ｘＮｉｙ Ｃｒｚ ｆｒｏｍ ｈｉｇｈ ｒａｔｅ ５
ｔａｔｉｃ ｍａｇｎｅｔｒｏｎ ｓｐｕｔｔｅｒｉｎ
ｇｓｙｓｔｅｍ” ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ、Ｍａｇｎ。
体の磁性層としては、スパッタリング等によりＣｒ下地
薄膜上に、エピタキシャル的に成膜されたＣｏ系合金薄
膜が主流となってきている。しかして、このｃｏ系合金
薄膜磁性層についても、高密度記録化への要求に対し、
磁気特性としてより高い保磁力を付与することが必要と
されており、従来より、その特性についての報告が、数
多くなされている。（例えば、”Ｎｅｗ ｌｏｎｇｉｔ
ｕｄｉｎａｌ ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ ｍｅｄｉａ Ｃｏ
ｘＮｉｙ Ｃｒｚ ｆｒｏｍ ｈｉｇｈ ｒａｔｅ ５
ｔａｔｉｃ ｍａｇｎｅｔｒｏｎ ｓｐｕｔｔｅｒｉｎ
ｇｓｙｓｔｅｍ” ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ、Ｍａｇｎ。
Ｍａｇ−：１２ 、 Ｎａｋ 、 （／ ９ ｇ乙）、
３３ｑ；特開昭６３７９２．７３号公報；特開昭、４
．、？−７９９Ａｇ号公報。） 〔発明が解決しようとする課題〕 従来報告されているように、ＣＯ系合金薄膜磁性層の保
磁力は、Ｃｒ下地薄膜の膜厚とともに増大する。しかし
ながら、ある上限値を超えると飽和特性を示し、それ以
上の高保磁力化は困難である。例えば、特開昭４４３−
７ｑ９Ａ号公報には、Ｃｒ下地層薄膜の膜厚がｌ５ＯＯ
Ａ以上では磁性層の保磁力がそれ以上上昇しない飽和傾
向が認められ、それ以下では磁性層の保磁力が著しく低
下し、実用上問題があることが示されている。
３３ｑ；特開昭６３７９２．７３号公報；特開昭、４
．、？−７９９Ａｇ号公報。） 〔発明が解決しようとする課題〕 従来報告されているように、ＣＯ系合金薄膜磁性層の保
磁力は、Ｃｒ下地薄膜の膜厚とともに増大する。しかし
ながら、ある上限値を超えると飽和特性を示し、それ以
上の高保磁力化は困難である。例えば、特開昭４４３−
７ｑ９Ａ号公報には、Ｃｒ下地層薄膜の膜厚がｌ５ＯＯ
Ａ以上では磁性層の保磁力がそれ以上上昇しない飽和傾
向が認められ、それ以下では磁性層の保磁力が著しく低
下し、実用上問題があることが示されている。
また、この保磁力は、Ｃｏ系合金薄膜の膜厚の低減によ
り増加する。しかしながら、膜厚の低減は再生出力値の
低下につながるため、実用上、所定の膜厚以下に薄（す
ることは困難である。更に、磁性層の成膜時における成
膜ガス圧力、基板温度などのスパッタ条件の選択により
、ある程度の保磁力の向上は可能であるが、その向上効
果は小さいものである。
り増加する。しかしながら、膜厚の低減は再生出力値の
低下につながるため、実用上、所定の膜厚以下に薄（す
ることは困難である。更に、磁性層の成膜時における成
膜ガス圧力、基板温度などのスパッタ条件の選択により
、ある程度の保磁力の向上は可能であるが、その向上効
果は小さいものである。
また、上記磁性層の保磁力を向上させる方法として基板
に負のバイアス電圧を印加させた状態でスパッタリング
する方法も知られているが、基板が移動する連続式製膜
装置においては移動する基板に負電位を印加させるため
に装置が複雑となり、且つ、ターゲット近傍のみでなく
、広範囲に負電位を印加させる必要があり、このため異
常放電が発生し、製膜装置の損傷につながる等、工業的
製膜装置としては種々の問題がある。
に負のバイアス電圧を印加させた状態でスパッタリング
する方法も知られているが、基板が移動する連続式製膜
装置においては移動する基板に負電位を印加させるため
に装置が複雑となり、且つ、ターゲット近傍のみでなく
、広範囲に負電位を印加させる必要があり、このため異
常放電が発生し、製膜装置の損傷につながる等、工業的
製膜装置としては種々の問題がある。
本発明は上記従来の問題点を解決し、著しく高い保磁力
を有する磁気記録媒体を製造するのに用いられるスパッ
タリング装置を提供することを目的とする。
を有する磁気記録媒体を製造するのに用いられるスパッ
タリング装置を提供することを目的とする。
本発明者等は上記従来の状況に鑑み、磁気記録媒体の保
磁力を更に向上させるべく鋭意検討を重ねた結課、基板
に対向して設けられたターゲットの近傍の特定位置に正
の電位を印１加させる中間電極を設けたスパッタリング
装置を用いて、該中間電極に正の電位を印加した状態で
基板上にコバルト系磁性金属薄膜をスパッタリングによ
って形成することにより磁気記録媒体の保磁力が著しく
向上することを見出し、本発明を完成するに至った。
磁力を更に向上させるべく鋭意検討を重ねた結課、基板
に対向して設けられたターゲットの近傍の特定位置に正
の電位を印１加させる中間電極を設けたスパッタリング
装置を用いて、該中間電極に正の電位を印加した状態で
基板上にコバルト系磁性金属薄膜をスパッタリングによ
って形成することにより磁気記録媒体の保磁力が著しく
向上することを見出し、本発明を完成するに至った。
既ち、本発明の要旨は基板上にスパッタリングによって
薄膜を形成させるスパッタリング装置において、基板に
対向して設けられたターゲットの近傍の位置にターゲッ
トのスパッターエロージョン端部の外周部の少なくとも
１／２を取り囲む形状の中間電極を有し、且つ該中間電
極に正の電位を印加させるための電源を有してなること
を特徴とするスパッタリング装置に存スる。
薄膜を形成させるスパッタリング装置において、基板に
対向して設けられたターゲットの近傍の位置にターゲッ
トのスパッターエロージョン端部の外周部の少なくとも
１／２を取り囲む形状の中間電極を有し、且つ該中間電
極に正の電位を印加させるための電源を有してなること
を特徴とするスパッタリング装置に存スる。
以下に本発明のスパッタリング装置につき、図面を参照
して詳細に説明する。
して詳細に説明する。
第１図は本発明のスパッタリング装置の一例を示す概略
構成図である。図中、／はターゲットであり、これに対
向した位置に基板ホルダコが設けられており、基板ホル
ダー２上には基板３が装着されている。基板ホルダー−
は基板３を連続的に成膜できるように移動可能とされて
いる。このターゲット／、基板−との間のスパッター放
電空間を取り囲む形で、詳しくは、ターゲット／の近傍
の位置にターゲット／のスパンターエロージョン端部の
外周部の少なくとも１／２を取り囲む形で中間電極グが
設置されている。５はターゲット／と中間電極グに接続
されるスパッタリング用電源である。６は成膜装置本体
の接地部と中間電極グに接続される中間電極用電源であ
る。７はターゲラ）／のスパッターエロージョン部を示
す。
構成図である。図中、／はターゲットであり、これに対
向した位置に基板ホルダコが設けられており、基板ホル
ダー２上には基板３が装着されている。基板ホルダー−
は基板３を連続的に成膜できるように移動可能とされて
いる。このターゲット／、基板−との間のスパッター放
電空間を取り囲む形で、詳しくは、ターゲット／の近傍
の位置にターゲット／のスパンターエロージョン端部の
外周部の少なくとも１／２を取り囲む形で中間電極グが
設置されている。５はターゲット／と中間電極グに接続
されるスパッタリング用電源である。６は成膜装置本体
の接地部と中間電極グに接続される中間電極用電源であ
る。７はターゲラ）／のスパッターエロージョン部を示
す。
これらスパッタリング用電源Ｓ及び中間電極用電源乙と
しては直流電源が好ましいが、ＲＦ電源も使用できる。
しては直流電源が好ましいが、ＲＦ電源も使用できる。
スパッタ装置としては、通常のＤＣマグネトロンスパッ
タ装置又はＲＦマグネトロンスパッタ装置等が採用され
る。
タ装置又はＲＦマグネトロンスパッタ装置等が採用され
る。
第２図は第１図のスパッタリング装置の詳細図である。
ざはマグネトロン用磁石、ワはＤＣマグネロンの陰極、
１０は成膜装置本体、／／は成膜装置本体１０の接地部
である。
１０は成膜装置本体、／／は成膜装置本体１０の接地部
である。
第３図は中間電極ケの位置及び形状の例を示す断面図の
一部であり、（Ａ）〜（Ｆ）はすべてターゲット／のス
パッターエロージョン端部の外周部の少なくとも１／２
を取り囲む形状とされている。該中間電極グはターゲッ
ト表面を基準として基板方向にターゲット表面と基板と
の距離の１７３、好ましくは１／４の距離離れた位置か
らターゲット表面を基準として基板と反対方向に３０ｒ
ａｎ、好ましくは２０ｒａｎ離れた位置の範囲内に少な
くともその一部が設けられ、且つ、ターゲットの平面方
向に対し、ターゲットのスバノターエロジョン端部の外
周部から該外周部を基準としてターゲットの外周方向に
２００ｍｒｎ好ましくは／３０箇、さらに好ましくは／
２０ｔｒｒｍ離れた位置までの範囲内に、ターゲットの
スノくツタ−エロージョン端部の外周部の少なくとも１
／２、好ましくはターゲットの外周部全体を取り囲む形
で設けられている。該中間電極は特にターゲット表面を
基準として基板方向に３０聾の位置からターゲット表面
を基準として基板と反対方向に２０間の位置に、且つ、
ターゲットの外周部から該外周部を基準として外側方向
に７．２０聾の範囲内でターゲットの外周部全体を取り
囲む形で設けられているのが好適である。
一部であり、（Ａ）〜（Ｆ）はすべてターゲット／のス
パッターエロージョン端部の外周部の少なくとも１／２
を取り囲む形状とされている。該中間電極グはターゲッ
ト表面を基準として基板方向にターゲット表面と基板と
の距離の１７３、好ましくは１／４の距離離れた位置か
らターゲット表面を基準として基板と反対方向に３０ｒ
ａｎ、好ましくは２０ｒａｎ離れた位置の範囲内に少な
くともその一部が設けられ、且つ、ターゲットの平面方
向に対し、ターゲットのスバノターエロジョン端部の外
周部から該外周部を基準としてターゲットの外周方向に
２００ｍｒｎ好ましくは／３０箇、さらに好ましくは／
２０ｔｒｒｍ離れた位置までの範囲内に、ターゲットの
スノくツタ−エロージョン端部の外周部の少なくとも１
／２、好ましくはターゲットの外周部全体を取り囲む形
で設けられている。該中間電極は特にターゲット表面を
基準として基板方向に３０聾の位置からターゲット表面
を基準として基板と反対方向に２０間の位置に、且つ、
ターゲットの外周部から該外周部を基準として外側方向
に７．２０聾の範囲内でターゲットの外周部全体を取り
囲む形で設けられているのが好適である。
上記中間電極グの位置が上記範囲外では磁気記録媒体の
保磁力の向上効果が著しく低下するので好ましくない。
保磁力の向上効果が著しく低下するので好ましくない。
また、中間電極グの形状はターゲットｌの外周部を少な
くとも１／２取り囲む形状、例えば、リング状、筒状、
板状等が用いられる。該中間電極がターゲット／の外周
部を１／２未満取り囲んでいる場合には保磁力の向上効
果が小さ（なるので好ましくない。
くとも１／２取り囲む形状、例えば、リング状、筒状、
板状等が用いられる。該中間電極がターゲット／の外周
部を１／２未満取り囲んでいる場合には保磁力の向上効
果が小さ（なるので好ましくない。
さらに中間電極の材質としては通常、ステンレス、アル
ミニウム、銅等の金属が用いられる。
ミニウム、銅等の金属が用いられる。
以下、本発明のスパッタリング装置を用いて、磁気記録
媒体の磁性層薄膜を製膜する場合につき説明する。
媒体の磁性層薄膜を製膜する場合につき説明する。
第１図において、基板３としては、一般に金属、特にア
ルミニウム又はアルミニウム合金のディスク状基板が用
いられ、通常、アルミニウム基板を所定の厚さに加工し
た後、その表面を鏡面加工したものに、第１次下地層と
して硬質非磁性金属、例えばＮ１−Ｐ合金を無電解メツ
キ或いは陽極酸化処理により形成し、しかる後、次２次
下地層としてＣｒをスパッタリングしたものが用いられ
る。基板としては、上記第７次下地層を形成せずに、鏡
面加工したアルミニウム基板上に直接下地層としてＣｒ
をスパッタリングしたものを用いることもできる。
ルミニウム又はアルミニウム合金のディスク状基板が用
いられ、通常、アルミニウム基板を所定の厚さに加工し
た後、その表面を鏡面加工したものに、第１次下地層と
して硬質非磁性金属、例えばＮ１−Ｐ合金を無電解メツ
キ或いは陽極酸化処理により形成し、しかる後、次２次
下地層としてＣｒをスパッタリングしたものが用いられ
る。基板としては、上記第７次下地層を形成せずに、鏡
面加工したアルミニウム基板上に直接下地層としてＣｒ
をスパッタリングしたものを用いることもできる。
ターゲット／としては、種々の金属又はその合金、特に
Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｘ、Ｃ。
Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｘ、Ｃ。
−Ｎ ｉ−Ｘ、Ｃｏ−Ｗ−Ｘ等で表わされるＣ。
を主成分とするＣｏ系合金が使用される。ここでＸとし
てはＬｉ、Ｓｉ、Ｂ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｖ。
てはＬｉ、Ｓｉ、Ｂ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｖ。
Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｓ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ。
Ｒｕ、Ｒｈ、Ａｇ５Ｓｂ、Ｈｆ、Ｔａｓ ＷｌＲｅ、Ｏ
ｓ％ Ｉ ｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｌａ、Ｃｅ。
ｓ％ Ｉ ｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｌａ、Ｃｅ。
Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ及びＥｕよりなる群から選ばれ
る７種又は２種以上の元素が用いられる。
る７種又は２種以上の元素が用いられる。
第１図及び第２図に示すスパッタリング装置を用いて、
磁気記録媒体を製造するには、まず、上述の如き基板３
を装置の基板ホルダーコに取り付け、前記Ｃｏ系合金の
ターゲット／を用いて、Ａｒ等の希ガスの存在下でスパ
ッタリングを行なうが、この際、中間電極グに、スパッ
タリング装置本体の接地部に対して正の電極、例えば、
１０ＯＯＶ以下、好ましくは、ｔｏ−ｓｏ。
磁気記録媒体を製造するには、まず、上述の如き基板３
を装置の基板ホルダーコに取り付け、前記Ｃｏ系合金の
ターゲット／を用いて、Ａｒ等の希ガスの存在下でスパ
ッタリングを行なうが、この際、中間電極グに、スパッ
タリング装置本体の接地部に対して正の電極、例えば、
１０ＯＯＶ以下、好ましくは、ｔｏ−ｓｏ。
Ｖ、更に好ましくはｌθＯ−１／、ＯＯ■の電位を印加
した状態でスパッタリングを行ない、基板３上にＣｏ系
合金の磁性金属薄膜を形成する。
した状態でスパッタリングを行ない、基板３上にＣｏ系
合金の磁性金属薄膜を形成する。
本発明において、スパッタリング条件としては、通常、
磁気記録媒体の磁性層を形成させる際に採用される条件
を採用することができる。
磁気記録媒体の磁性層を形成させる際に採用される条件
を採用することができる。
例えば、真空排気したチャンバー内圧力を／×１０ ”
ｆ’ｏｒｒ以下、Ａｒ等の希ガス圧力を０．３×７０−
３〜２Ｘ１０−２ＴＯｒｒ１望ましくは／×ｌ０−３〜
５×／−３ＴＯｒｒの範囲で、基板温度な一１〇− ７３０℃以上、望ましくはコｏｏ〜３ｏｏ℃の範囲の条
件下でスパッタリングを実施することができる。
ｆ’ｏｒｒ以下、Ａｒ等の希ガス圧力を０．３×７０−
３〜２Ｘ１０−２ＴＯｒｒ１望ましくは／×ｌ０−３〜
５×／−３ＴＯｒｒの範囲で、基板温度な一１〇− ７３０℃以上、望ましくはコｏｏ〜３ｏｏ℃の範囲の条
件下でスパッタリングを実施することができる。
このようなスパッタリングにより形成する磁性合金薄膜
層の膜厚は、残留磁性密度（Ｂｒ）と磁性合金薄膜層の
膜厚（１）との積（Ｂｒ−ｔ）が３００〜ｔ００Ｑ・μ
ｍとなるような膜厚とす装置のその他の好適な例を示す
概略構成図及び詳細図である。
層の膜厚は、残留磁性密度（Ｂｒ）と磁性合金薄膜層の
膜厚（１）との積（Ｂｒ−ｔ）が３００〜ｔ００Ｑ・μ
ｍとなるような膜厚とす装置のその他の好適な例を示す
概略構成図及び詳細図である。
以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をより具体的に
説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の
実施例に限定されるものではない。
説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の
実施例に限定されるものではない。
なお、以下の実施例及び比較例においては中間電極の位
置及び形状を特定するために図面中にａ ”−ｅの符号
を付して示した。ｂはターゲット外周部から中間電極ま
での距離を示しているが、以下の実施例及び比較例にお
いてはターゲットのスパッターエロージョン端部とター
ゲット外周部が同一部分であることにより、ｂはターゲ
ットのスパンターエロージョン端部の外周部から中間電
極までの距離を示していると言える。
置及び形状を特定するために図面中にａ ”−ｅの符号
を付して示した。ｂはターゲット外周部から中間電極ま
での距離を示しているが、以下の実施例及び比較例にお
いてはターゲットのスパッターエロージョン端部とター
ゲット外周部が同一部分であることにより、ｂはターゲ
ットのスパンターエロージョン端部の外周部から中間電
極までの距離を示していると言える。
実施例／〜７、比較例／
第１図及び第２図に示す装置を用い、下地層としてＣｒ
薄膜（膜厚／θθθＡ）を形成したアルミニウム基板３
および、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金ターゲット／を用いて、
中間電極ヶに基板に対して第１表に示す正の電位を印加
した状態で且つ、Ａｒガスの存在下にチャンバー内到達
圧力／Ｘ１０’Ｔｏｒｒ以下、アルゴンガス圧力ｑｘｉ
ｏ ’Ｔｏｒｒ 、基板温度コ１０°Ｃの条件下でスパ
ッタリングを行ない、該基板上にｇｔ、原子％Ｃｏ −
／ ２原子％Ｃｒ−，２原子％Ｔａ磁性層（ｔｉｏｏＧ
・μｍ）を形成した。得られた磁気ディスクの保磁力を
試料振動型磁力計で測定した結果を第１表に示す。実施
例より中間電極に基板に対して正の電位を印加した状態
でスパッタリングした場合には得られる磁気ディスクの
保磁力が大幅に向上することが判明した。
薄膜（膜厚／θθθＡ）を形成したアルミニウム基板３
および、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金ターゲット／を用いて、
中間電極ヶに基板に対して第１表に示す正の電位を印加
した状態で且つ、Ａｒガスの存在下にチャンバー内到達
圧力／Ｘ１０’Ｔｏｒｒ以下、アルゴンガス圧力ｑｘｉ
ｏ ’Ｔｏｒｒ 、基板温度コ１０°Ｃの条件下でスパ
ッタリングを行ない、該基板上にｇｔ、原子％Ｃｏ −
／ ２原子％Ｃｒ−，２原子％Ｔａ磁性層（ｔｉｏｏＧ
・μｍ）を形成した。得られた磁気ディスクの保磁力を
試料振動型磁力計で測定した結果を第１表に示す。実施
例より中間電極に基板に対して正の電位を印加した状態
でスパッタリングした場合には得られる磁気ディスクの
保磁力が大幅に向上することが判明した。
第１図及び第２図において、中間電極の位置及び形状は
以下の通りである。
以下の通りである。
ａ＝／ ５ｍｍ＋ ｂ＝５０ｍｎ＋ ｃ＝５２ｖａｎ＋
ｄ＝Ｊｍ＋ｎ＋ｅ＝ｇ Ｊ順 形状：ターゲットの外周部全体を取り囲む形状筒 ／
表 １３一 実施例ｇ−／２、比較例λ 第グ及び第Ｓ図に示す装置を用い、下地層としてＣｒ薄
膜（膜厚１０ｏＯＡ）をスパッタリングにより形成した
アルミニウム基板３及び、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金ターゲ
ット／を用いて、中間電極ヶに、基板３に対して第２表
に示す電位を印加した状態で、チャンバー内到達圧力ｌ
×１Ｏ−６Ｔｏｒｒ以下、アルゴンガス圧カコ×１０
”Ｔｏｒｒ、基板温度コＳｏ℃の条件下でスパッタリン
グを行ない、基板上にｇ６原子％Ｃ。
ｄ＝Ｊｍ＋ｎ＋ｅ＝ｇ Ｊ順 形状：ターゲットの外周部全体を取り囲む形状筒 ／
表 １３一 実施例ｇ−／２、比較例λ 第グ及び第Ｓ図に示す装置を用い、下地層としてＣｒ薄
膜（膜厚１０ｏＯＡ）をスパッタリングにより形成した
アルミニウム基板３及び、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金ターゲ
ット／を用いて、中間電極ヶに、基板３に対して第２表
に示す電位を印加した状態で、チャンバー内到達圧力ｌ
×１Ｏ−６Ｔｏｒｒ以下、アルゴンガス圧カコ×１０
”Ｔｏｒｒ、基板温度コＳｏ℃の条件下でスパッタリン
グを行ない、基板上にｇ６原子％Ｃ。
−／２原子％Ｃｒ−２原子％Ｔａ磁性層（ｓｓ。
Ｇ・μｍ）を形成した。
得られた磁気ディスクの保磁力を試料振動型磁力計で測
定し、結果を第２表に示した。
定し、結果を第２表に示した。
第９図及び第Ｓ図において、中間電極の位置及び形状は
以下の通りである。
以下の通りである。
ａ＝３ｒｍｎ ＋ ｂ＝５ｍｍ ＋ ｃ＝３＋ｎｎｒ
ｃｌｌ’ ３ｒｒａｎ、 ｅ＝ｇ Ｊｍｍ形状：ターゲ
ットの外周部全体を取り囲む形状実施例／３〜ｉｇ、比
較例３ 第グ及び第５図に示す装置を用いアルミニウム基板３に
Ｃｒターゲット及びＣｏ −Ｃｒ −Ｔａ合金ターゲッ
トを用いて中間電極グに基板３に対して第３表に示す電
位を印加した状態でチャンバー内到達圧力／Ｘ１Ｏ−６
Ｔｏｒｒ以下、アルゴンガス圧力、２×１０ ”ＴＯｒ
ｒ 、 基板温度２５θ℃の条件下でそれぞれ順次ス
パッタリングを行ない、基板上にＣｒ層（膜厚１０００
Ａ）及びｇ６原子％Ｃｏ−／２原子％Ｔａ磁性層（Ｓ！
；θＧ・μｍ）を順次形成した。
ｃｌｌ’ ３ｒｒａｎ、 ｅ＝ｇ Ｊｍｍ形状：ターゲ
ットの外周部全体を取り囲む形状実施例／３〜ｉｇ、比
較例３ 第グ及び第５図に示す装置を用いアルミニウム基板３に
Ｃｒターゲット及びＣｏ −Ｃｒ −Ｔａ合金ターゲッ
トを用いて中間電極グに基板３に対して第３表に示す電
位を印加した状態でチャンバー内到達圧力／Ｘ１Ｏ−６
Ｔｏｒｒ以下、アルゴンガス圧力、２×１０ ”ＴＯｒ
ｒ 、 基板温度２５θ℃の条件下でそれぞれ順次ス
パッタリングを行ない、基板上にＣｒ層（膜厚１０００
Ａ）及びｇ６原子％Ｃｏ−／２原子％Ｔａ磁性層（Ｓ！
；θＧ・μｍ）を順次形成した。
得られた磁気ディスクの保磁力を試料振動型磁力計で測
定し、結果を第３表に示した。
定し、結果を第３表に示した。
第 ２ 表
第
表
実施例／ｑ−２ヶ、比較例ｑ
第６図に示す装置を用い、下地層としてＣｒ薄膜（膜厚
１０００λ）をス・くツタリングにより形成したアルミ
ニウム基板３及び、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金ターゲット／
を用いて、中間電極弘に、基板３に対して第９表に示す
電位を印加した状態で、チャンバー内到達圧力２Ｘ１０
’Ｔｏｒｒ以下、アルゴンガス圧力２×１Ｏ−３ＴＯ
ｒｒ％基板温度コＳＯ℃の条件下でスパッタリングを行
ない、基板上にｇ６原子％Ｃｏ −／ ２原子％Ｃｒ−
２原子％Ｔａ磁性層（ｓｓＯＧ−１１ｍ）を形成した。
１０００λ）をス・くツタリングにより形成したアルミ
ニウム基板３及び、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金ターゲット／
を用いて、中間電極弘に、基板３に対して第９表に示す
電位を印加した状態で、チャンバー内到達圧力２Ｘ１０
’Ｔｏｒｒ以下、アルゴンガス圧力２×１Ｏ−３ＴＯ
ｒｒ％基板温度コＳＯ℃の条件下でスパッタリングを行
ない、基板上にｇ６原子％Ｃｏ −／ ２原子％Ｃｒ−
２原子％Ｔａ磁性層（ｓｓＯＧ−１１ｍ）を形成した。
得られた磁気ディスクの保磁力を試料振動型磁力計で測
定し、結果を第７表に示した。
定し、結果を第７表に示した。
中間電極位置及び形状は以下の通りである。
ａ＝３ｍ＋ ｂ＝５ｍｍ＋ ｃ＝７ ／ｍｍ、 ｄ＝／
００ｔｔｒｍ＋ ｅ＝ｇ ３ｒａｎ形状；ターゲット
外周部全体を取り囲む形状箱 ｔ 表 実施例２３−２Ａ、比較例Ｓ 第７図に示す装置を用い、下地層としてＣｒ薄膜（膜厚
１０ＯＯＡ）を形成したアルミニウム基板３及び、Ｃｏ
−Ｃｒ−Ｔａ合金ターゲット／を用いて中間電極ｔに第
５表に示す電位を印加した状態で、チャンバー内圧力／
ｘ１０−６Ｔｏｒｒ以下、アルゴンガス圧力２×１０
”Ｔｏｒｒ。
００ｔｔｒｍ＋ ｅ＝ｇ ３ｒａｎ形状；ターゲット
外周部全体を取り囲む形状箱 ｔ 表 実施例２３−２Ａ、比較例Ｓ 第７図に示す装置を用い、下地層としてＣｒ薄膜（膜厚
１０ＯＯＡ）を形成したアルミニウム基板３及び、Ｃｏ
−Ｃｒ−Ｔａ合金ターゲット／を用いて中間電極ｔに第
５表に示す電位を印加した状態で、チャンバー内圧力／
ｘ１０−６Ｔｏｒｒ以下、アルゴンガス圧力２×１０
”Ｔｏｒｒ。
基板温度２３０℃の条件下でスパッタリングを行ない、
基板上にｇ６原子％Ｃｏ−／２原子％Ｃｒ −２原子％
Ｔａ磁性層（，１，１θＧ・μｍ）を形成した。
基板上にｇ６原子％Ｃｏ−／２原子％Ｃｒ −２原子％
Ｔａ磁性層（，１，１θＧ・μｍ）を形成した。
得られた磁気ディスクの保磁力を試料振動型磁力計で測
定し、結果を第夕表に示した。
定し、結果を第夕表に示した。
中間電極位置及び形状は以下の通りである。
ａ ”’ Ｊ 朝＋ ｂ二／ ０２１ｒＷ＋ ｒ Ｃ−
３１１’ ７Ｍｎ ＋ ｄ−Ｊ ｔＲｍ ｒ ｅ−ｇ
３Ｗｍｌ形状；ターゲット外周部全体を取り囲む形状第 Ｓ 表 実施例２７〜２ｇ、比較例６ 第ｇ図に示す装置を用い、下地層としてＣｒ薄膜（膜厚
１０ＯＯＡ）をスパッタリングにより形成したアルミニ
ウム基板３及び、Ｃｏ −Ｃｒ−Ｔａ合金ターゲット／
を用いて、中間電極ヶに、基板３に対して第６表に示す
電位を印加した状態で、チャンバー内到達圧力／Ｘ１０
６Ｔｏｒｒ以下、アルゴンガス圧力２Ｘ１０’−３Ｔｏ
ｒｒ基板温度２り０℃の条件下でスパッタリングを行な
い、基板上にｇ６６原子Ｃｏ −／ ：ｌ原子％Ｃｒ−
２原子％Ｔａ磁性層（ＳＳθＧ・μｍ）を形成した。
３１１’ ７Ｍｎ ＋ ｄ−Ｊ ｔＲｍ ｒ ｅ−ｇ
３Ｗｍｌ形状；ターゲット外周部全体を取り囲む形状第 Ｓ 表 実施例２７〜２ｇ、比較例６ 第ｇ図に示す装置を用い、下地層としてＣｒ薄膜（膜厚
１０ＯＯＡ）をスパッタリングにより形成したアルミニ
ウム基板３及び、Ｃｏ −Ｃｒ−Ｔａ合金ターゲット／
を用いて、中間電極ヶに、基板３に対して第６表に示す
電位を印加した状態で、チャンバー内到達圧力／Ｘ１０
６Ｔｏｒｒ以下、アルゴンガス圧力２Ｘ１０’−３Ｔｏ
ｒｒ基板温度２り０℃の条件下でスパッタリングを行な
い、基板上にｇ６６原子Ｃｏ −／ ：ｌ原子％Ｃｒ−
２原子％Ｔａ磁性層（ＳＳθＧ・μｍ）を形成した。
得られた磁気ディスクの保磁力を試料振動型磁力計で測
定し、結果を第６表に示した。
定し、結果を第６表に示した。
中間電極位置及び形状は以下の通りである。
ａ＝３１ｍｎ、 ｂ二に配＋ Ｃ””！ｒ ｇｎｎｎ
＋ ｄ−／ ００１＋ｍｌ ＋ ｅ””ｇ ３晒形状；
ターゲット外周部全体を取り囲む形状筒 ６ 表 実施例２ｑ〜３／、比較例７ 第９図に示す装置を用い、下地層としてＣｒ薄膜（膜厚
１０００Ａ）をスパッタリングにより形成したアルミニ
ウム基板３及び、Ｃｏ −ＣｒＴａ合金ターゲット／を
用いて、中間電極ダに、基板３に対して第７表に示す電
位を印加した状態で、チャンバー内到達圧力／×１０
’Ｔｏｒｒ以下、アルゴンガス圧カコ×ｌθ−３Ｔｏ
ｒ ｒ。
＋ ｄ−／ ００１＋ｍｌ ＋ ｅ””ｇ ３晒形状；
ターゲット外周部全体を取り囲む形状筒 ６ 表 実施例２ｑ〜３／、比較例７ 第９図に示す装置を用い、下地層としてＣｒ薄膜（膜厚
１０００Ａ）をスパッタリングにより形成したアルミニ
ウム基板３及び、Ｃｏ −ＣｒＴａ合金ターゲット／を
用いて、中間電極ダに、基板３に対して第７表に示す電
位を印加した状態で、チャンバー内到達圧力／×１０
’Ｔｏｒｒ以下、アルゴンガス圧カコ×ｌθ−３Ｔｏ
ｒ ｒ。
基板温度２ＳＯ℃の条件下でスパッタリングを行ない、
基板上にｇ６６原子Ｃｏ−１２原子％Ｃｒ−２原子％Ｔ
ａ磁性層（！；！；ＯＱ・μｍ）を形成した。
基板上にｇ６６原子Ｃｏ−１２原子％Ｃｒ−２原子％Ｔ
ａ磁性層（！；！；ＯＱ・μｍ）を形成した。
得られた磁気ディスクの保磁力を試料振動型磁力計で測
定し、結果を第７表に示した。
定し、結果を第７表に示した。
用いた装置の中間電極位置及び形状は以下の通りである
。
。
ａ＝／ ７ｍ＋ｎ ＋ ｂ−／ ０ＷＩｎ ＋ Ｃ−／
Ｊ ＷＩＩ＋ ＋ ｄ ”” ／ Ｊ ｔｍｍ ＋ｅ
＝ｇ３叫 実施例２ｑ及び３０；ターゲット近傍外周部を取り囲む
形状 実施例３／ ；ターゲット近傍外周部の６θ％を
囲む形状 第 表 実施例３２、比較例ｇ より形成したアルミニウム基板３及び、Ｃｏ−Ｃｒ −
Ｔ ａ合金ターゲット／を用いて、中間電極ダに、基板
３に対して第３表に示す電位を印加した状態で、チャン
バー内到達圧力／×１０’−’Ｔｏｒｒ以下、アルゴン
ガス圧カコ×ｌθ−３Ｔｏｒｒ、基板温度２５０℃の条
件下でスパッタリングを行ない、基板上にｇ６６原子Ｃ
ｏ−／２２原子Ｃｒ −２原子％Ｔａ磁性層（ｓｓｏａ
・ｐｍ）を形成した。
Ｊ ＷＩＩ＋ ＋ ｄ ”” ／ Ｊ ｔｍｍ ＋ｅ
＝ｇ３叫 実施例２ｑ及び３０；ターゲット近傍外周部を取り囲む
形状 実施例３／ ；ターゲット近傍外周部の６θ％を
囲む形状 第 表 実施例３２、比較例ｇ より形成したアルミニウム基板３及び、Ｃｏ−Ｃｒ −
Ｔ ａ合金ターゲット／を用いて、中間電極ダに、基板
３に対して第３表に示す電位を印加した状態で、チャン
バー内到達圧力／×１０’−’Ｔｏｒｒ以下、アルゴン
ガス圧カコ×ｌθ−３Ｔｏｒｒ、基板温度２５０℃の条
件下でスパッタリングを行ない、基板上にｇ６６原子Ｃ
ｏ−／２２原子Ｃｒ −２原子％Ｔａ磁性層（ｓｓｏａ
・ｐｍ）を形成した。
得られた磁気ディスクの保磁力を試料振動型磁力計で測
定し、結果を第３表に示した。
定し、結果を第３表に示した。
中間電極位置及び形状は以下の通りである。
ａ＝／ ３ｒｒｒｍｒ ｂ＝５３＋ａｍ 、 ｃ＝３ｒ
ｔｒｔｒｒ ｄ＝５２ｒｒｒｒｒｘｅ−ざ３１Ｊｍ 形状；ターゲット下方外周部全体を取り囲む形状第
ｇ 表 比較例９〜ＩＯ 第１／図に示す装置を用い、下地層としてＣｒ薄膜（膜
厚１０ＯＯＡ）をスパッタリングにより形成したアルミ
ニウム基板３及び、Ｃ。
ｔｒｔｒｒ ｄ＝５２ｒｒｒｒｒｘｅ−ざ３１Ｊｍ 形状；ターゲット下方外周部全体を取り囲む形状第
ｇ 表 比較例９〜ＩＯ 第１／図に示す装置を用い、下地層としてＣｒ薄膜（膜
厚１０ＯＯＡ）をスパッタリングにより形成したアルミ
ニウム基板３及び、Ｃ。
Ｃｒ −Ｔ ａ合金ターグツ）／を用いて、中間電極グ
に、基板３に対して第９表に示す電位を印加した状態で
、チャンバー内到達圧力／×／θ−６Ｔｏｒｒ以下、ア
ルゴンガス圧カコ×１０ ’Ｔｏｒｒ、基板温度２Ｓθ
℃の条件下でスパッタリングを行ない、基板上にｇ６６
原子Ｃｏ −／２２原子Ｃｒ−２原子％Ｔａ磁性層（ｓ
ｓｏＧ・ｐｍ）を形成した。
に、基板３に対して第９表に示す電位を印加した状態で
、チャンバー内到達圧力／×／θ−６Ｔｏｒｒ以下、ア
ルゴンガス圧カコ×１０ ’Ｔｏｒｒ、基板温度２Ｓθ
℃の条件下でスパッタリングを行ない、基板上にｇ６６
原子Ｃｏ −／２２原子Ｃｒ−２原子％Ｔａ磁性層（ｓ
ｓｏＧ・ｐｍ）を形成した。
得られた磁気ディスクの保磁力を試料振動型磁力計で測
定し、結果を第７表に示した。
定し、結果を第７表に示した。
中間電極位置及び形状は以下の通りである。
ａ＝３５ｍ＋ １）＝７０ｍｍ＋ ｃ＝／ ３ｒａｎ、
ｄ＝／ ３ｎ＋＋ｎ。
ｄ＝／ ３ｎ＋＋ｎ。
ｅ＝ｇ３ｔｒａｎ
形状；ターゲットと基板の中間部領域を包囲する形状第
９ 表 比較例１／〜／２ 第７２図に示す装置を用い、下地層とじてＣｒ薄膜（膜
厚１０００Ａ）をスパッタリングにより形成したアルミ
ニウム基板３及び、Ｃ。
９ 表 比較例１／〜／２ 第７２図に示す装置を用い、下地層とじてＣｒ薄膜（膜
厚１０００Ａ）をスパッタリングにより形成したアルミ
ニウム基板３及び、Ｃ。
−Ｃｒ−Ｔａ合金ターゲット／を用いて、中間電極４（
Ｋ、基板３に対して第１Ｏ表に示す電位を印加した状態
で、チャンバー内到達圧力ｌ×ＩＯ’Ｔｏｒｒ以下、ア
ルゴンガス圧カコ×／θ−３Ｔｏｒｒ、基板温度２り０
℃の条件下でスパッタリングを行ない、基板上にｇ６６
原子Ｃｏ−／、２原子にＣｒ −２原子％Ｔａ磁性層（
ＳＳθＧ・μｍ）を形成した。
Ｋ、基板３に対して第１Ｏ表に示す電位を印加した状態
で、チャンバー内到達圧力ｌ×ＩＯ’Ｔｏｒｒ以下、ア
ルゴンガス圧カコ×／θ−３Ｔｏｒｒ、基板温度２り０
℃の条件下でスパッタリングを行ない、基板上にｇ６６
原子Ｃｏ−／、２原子にＣｒ −２原子％Ｔａ磁性層（
ＳＳθＧ・μｍ）を形成した。
得られた磁気ディスクの保磁力を試料振動型磁力計で測
定し、結果を第７０表に示した。
定し、結果を第７０表に示した。
中間電極位置及び形状は以下の通りである。
ａ＝／ ７ｍｍ、 ｂ＝／ Ｏｒａ、 ｃ＝／ ３ｒａ
ｎ、 ｄ＝／ ３℃ｍＢｅ＝ｇ３輔 形状；ターゲット外周部近傍で該外周部の３０％を囲む
形状 第 表 グ 〔発明の効果〕 本発明のスパッタリング装置を用いて基板上にＣｏ系合
金の磁性金属薄膜層を形成することにより、高密度記録
に好適な高い保磁力を有する磁気記録媒体が得られるた
め、工業的に有用である。
ｎ、 ｄ＝／ ３℃ｍＢｅ＝ｇ３輔 形状；ターゲット外周部近傍で該外周部の３０％を囲む
形状 第 表 グ 〔発明の効果〕 本発明のスパッタリング装置を用いて基板上にＣｏ系合
金の磁性金属薄膜層を形成することにより、高密度記録
に好適な高い保磁力を有する磁気記録媒体が得られるた
め、工業的に有用である。
第１図は、本発明のスパッタリング装置の一例を示す概
略構成図であり、第２図はその詳細図である。図中、／
はターゲット、コは基板ホルダー ３は基板、グは中間
電極、左はスパッタリング用電源、６は中間電極用電源
、７はターゲット／のスパッターエロージョン部、ｇは
マグネトロン用磁石、９はＤＣマグネトロンの陰極、ｌ
Ｏは成膜装置本体、／／は成膜装置本体の接地部を示す
。 第３図は、中間電極ダの位置及び形状の例を示す断面図
の一部である。 第７図〜第７２図は本発明の実施例及び比較例で用いた
スパンタリング装置を示す概略構成図及びその詳細図で
ある。
略構成図であり、第２図はその詳細図である。図中、／
はターゲット、コは基板ホルダー ３は基板、グは中間
電極、左はスパッタリング用電源、６は中間電極用電源
、７はターゲット／のスパッターエロージョン部、ｇは
マグネトロン用磁石、９はＤＣマグネトロンの陰極、ｌ
Ｏは成膜装置本体、／／は成膜装置本体の接地部を示す
。 第３図は、中間電極ダの位置及び形状の例を示す断面図
の一部である。 第７図〜第７２図は本発明の実施例及び比較例で用いた
スパンタリング装置を示す概略構成図及びその詳細図で
ある。
Claims (1)
- （１）基板上にスパッタリングによつて薄膜を形成させ
るスパッタリング装置において、基板に対向して設けら
れたターゲットの近傍の位置にターゲットのスパッター
エロージョン端部の外周部の少なくとも１／２を取り囲
む形状の中間電極を有し、且つ該中間電極に正の電位を
印加させるための電源を有してなることを特徴とするス
パッタリング装置
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63-176255 | 1988-07-15 | ||
| JP17625588 | 1988-07-15 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| JP2906453B2 JP2906453B2 (ja) | 1999-06-21 |
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|---|---|---|---|
| JP1167750A Expired - Fee Related JPH0834002B2 (ja) | 1988-07-15 | 1989-06-29 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JP16774989A Expired - Fee Related JP2906453B2 (ja) | 1988-07-15 | 1989-06-29 | 磁気記録媒体製造用スパッタリング装置 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1167750A Expired - Fee Related JPH0834002B2 (ja) | 1988-07-15 | 1989-06-29 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JPH0834002B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002080962A (ja) * | 2000-09-07 | 2002-03-22 | Ulvac Japan Ltd | スパッタリング装置及び薄膜製造方法 |
| JP2019178367A (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-17 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置 |
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|---|---|---|---|---|
| JPH04134719A (ja) * | 1990-09-27 | 1992-05-08 | Mitsubishi Kasei Corp | 磁気記録媒体 |
| DE19754821A1 (de) * | 1997-04-14 | 1998-10-15 | Cemecon Ceramic Metal Coatings | Verfahren und Vorrichtung für eine PVD-Beschichtung |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62266731A (ja) * | 1986-05-15 | 1987-11-19 | Tohoku Metal Ind Ltd | 垂直磁気記録媒体の製造装置 |
-
1989
- 1989-06-29 JP JP1167750A patent/JPH0834002B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1989-06-29 JP JP16774989A patent/JP2906453B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002080962A (ja) * | 2000-09-07 | 2002-03-22 | Ulvac Japan Ltd | スパッタリング装置及び薄膜製造方法 |
| JP4703828B2 (ja) * | 2000-09-07 | 2011-06-15 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置及び薄膜製造方法 |
| JP2019178367A (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-17 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2906453B2 (ja) | 1999-06-21 |
| JPH02126424A (ja) | 1990-05-15 |
| JPH0834002B2 (ja) | 1996-03-29 |
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