JPH0963035A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】保磁力及び角形比等の磁気特性が優れ、従来に
比してより一層の高密度記録化に対応できる磁気記録媒
体を提供する。 【解決手段】表面にＮｉＰめっき層１２が設けられた非
磁性体基板１１の上に、Ｃｒからなる下地層３が３００
Å以下の厚さで形成されており、この下地層３上には、
第１及び第２の記録層４，５が形成されている。この第
１の記録層４は、Ｃｏ（１３原子％）−Ｃｒ（５原子
％）−Ｔａ（残部）合金により１００〜３００Åの厚さ
に形成されており、第２の記録層５はＣｏ（１２原子
％）−Ｃｒ（２原子％）−Ｔａ（残部）合金により１０
０〜３００Åの厚さに形成されている。第２の記録層５
上には、保護層６及び潤滑層７が形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、コンピュータ等の
記録媒体として使用される磁気ディスク（ハードディス
ク）装置に使用される磁気記録媒体に関し、特に水平磁
気記録方式の磁気ディスク装置に使用される磁気記録媒
体に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、コンピュータシステムの情報量の
増大に伴い、磁気ディスク装置の大容量化及び小型化が
要求されている。このため、磁気記録媒体の高密度化が
必須であり、記録再生特性が優れた磁気記録媒体が要望
されている。図４は水平磁気記録方式の磁気ディスク装
置に使用されている従来の磁気記録媒体を示す断面図で
ある。基板１１はアルミニウム等の非磁性体からなり、
この基板１１の表面にはＮｉＰめっき層１２が設けられ
ている。また、この基板１１の表面はテクスチャー処理
が施されており、微細な凹凸が形成されている。

【０００３】また、基板１１上には、厚さが１０００〜
３０００ÅのＣｒからなる下地層１３が形成されてお
り、この下地層１３上にはＣｏ−Ｃｒ系合金等の磁性体
からなる記録層１４が１０００Å以下の厚さで形成され
ている。そして、この記録層１４上には、カーボンから
なる保護層１５が形成されており、この保護層１５上に
は潤滑層１６が形成されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の磁気記録媒体では、より一層の高密度記録化に
対応できないという問題点がある。つまり、従来は、Ｃ
ｒからなる下地層１３の厚さを厚くすることで該下地層
１３の結晶粒の粒成長を促進し、この下地層１３上にエ
ピタキシャル成長する記録層１４の粒成長を促進してい
る。しかし、記録層１３の粒成長により保磁力は向上す
るものの、記録密度は低下してしまう。

【０００５】本発明は、上記の従来例の問題点に鑑みて
創作されたものであり、保磁力等の磁気特性が優れてお
り、より一層の高密度記録化に対応できる磁気記録媒体
を提供することを目的とするものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記した課題は、非磁性
体基板と、該非磁性体基板上に３００Å以下の厚さで形
成された下地層と、該下地層上に形成されたＣｏ−Ｃｒ
−Ｔａ系合金からなる第１の記録層と、該第１の記録層
よりもＴａ含有量が少ないＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金によ
り該第１の記録層上に形成された第２の記録層とを有す
ることを特徴とする磁気記録媒体により解決する。

【０００７】この場合に、前記第１及び第２の記録層
は、Ｃｒ：１０乃至１５原子％、Ｔａ：２乃至５原子％
を含有し、残部がＣｏ及び不可避的不純物からなること
が好ましい。また、前記第１の記録層は、前記第２の記
録層に比して厚さが薄いことが好ましい。本発明におい
ては、下地層の厚さを３００Å以下と薄くする。これに
より、下地層の上に形成される記録層の結晶粒の粒成長
を抑制することができて、記録層の一つ一つの磁化領域
が小さくなり、磁気的孤立性が増大して、高記録密度化
が可能となる。

【０００８】しかし、単に下地層の厚さを薄くしただけ
では、保磁力及び角形比等の磁気特性が低下し、磁気記
録媒体として必要な磁気特性を確保することができな
い。そこで、本発明においては、磁気記録層を、Ｃｏ−
Ｃｒ−Ｔａ系合金からなる多層構造とし、上側の第２の
記録層のＴａ含有量を下側の第１の記録層に比して少な
くする。つまり、下地層と接触する第１の記録層におい
ては、Ｔａ含有量を比較的多くして結晶の配向性を確保
し、上層の第２の記録層においてはＣｏ及びＣｒ含有量
を多くして高保磁力を確保する。また、記録層を異組成
のＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金の多層構造とすることによ
り、第１及び第２の記録層の界面における交換相互作用
により磁化反転幅が狭くなり、磁化曲線の角形性が向上
する。

【０００９】なお、前記Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金は、Ｃ
ｒ含有量が１０乃至１５原子％、Ｔａ含有量が２乃至５
原子％、残部がＣｏ及び不可避的不純物からなることが
好ましい。これにより、高保磁力の記録層を得ることが
できる。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、添付の図面を参照して説明する。図１は本発明の磁
気記録媒体の一実施形態を示す断面図である。基板１は
アルミニウム等の非磁性体からなり、その表面にはＮｉ
−Ｐめっき層２が設けられている。この基板１の表面に
はテクスチャー処理が施されており、微細な凹凸が設け
られている。また、基板１の表面上には、Ｃｒからなる
下地層３が３００Å以下の厚さに形成されている。更
に、この下地層３上には、第１及び第２の記録層４，５
が積層されて形成されている。

【００１１】この第１及び第２の記録層４，５はいずれ
もＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金をエピタキシャル成長させて
形成されたものであり、第１の記録層４は第２の記録層
５に比して、Ｔａを多く含有している。また、第１の記
録層４の厚さは、第２の記録層５と同じか又はそれ以下
に設定されている。第２の記録層５上には、カーボンか
らなる保護層６が形成されており、この保護層６上に
は、例えばフッ素系潤滑剤を塗布して形成された潤滑層
７が設けられている。なお、これらの保護層６及び潤滑
層７は必要に応じて形成すればよく、必ずしも必要なも
のではない。

【００１２】このように構成された本形態の磁気記録媒
体においては、下地層３の膜厚が３００Å以下と薄いた
め、下地層３の結晶粒の成長が抑制される。これによ
り、下地層３上にエピタキシャル成長する第１の記録層
４及び第２の記録層５の結晶粒の粒成長も抑制されて、
記録層４，５内の一つ一つの磁化領域が小さくなり、高
記録密度化が達成できる。また、第１の記録層４上にＴ
ａ含有量が少ない第２の記録層５を有するため、両者の
界面における交換相互作用により磁化反転幅が狭くな
り、磁化曲線の角形性が向上する。更に、第１及び第２
の記録層４，５をＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金により形成し
たことにより、高保磁力を確保することができる。

【００１３】例えば、本形態においては、従来の磁気記
録媒体に比して、角形比（Ｓ^* ）が約５％向上すると共
に、記録再生特性（再生出力）が約１０％向上し、Ｓ／
Ｎ比も向上する。なお、基板１としては、アルミニウム
又はアルミニウム合金製の他に、ガラス又はセラミック
ス製のもの等を使用することができる。

【００１４】以下、本形態の磁気記録媒体を実際に製造
し、その特性を調べた結果について比較例と比較して説
明する。まず、Ｎｉ−Ｐめっきを施したアルミニウム基
板１の表面にテクスチャー処理を施し、基板１の表面に
微細な凹凸を形成した。その後、スパッタリング法によ
り、基板１の表面上にＣｒからなる下地層３を約２５０
Åの厚さに形成した。このときのスパッタリング条件
は、ターゲットが純Ｃｒ、スパッタパワーが０．６〜１
ｋＷ、ガス圧が５mTorr 、基板温度が約２４０℃であ
る。

【００１５】次に、下地層３上に、Ｃｏ（１３原子％）
−Ｃｒ（５原子％）−Ｔａ（残部）合金をターゲットと
したスパッタリング法により、第１の記録層４を１００
〜３００Åの厚さに形成した。次いで、この第１の記録
層４上に、Ｃｏ（１２原子％）−Ｃｒ（２原子％）−Ｔ
ａ（残部）合金をターゲットとしたスパッタリング法に
より、第２の記録層５を１００〜３００Åの厚さに形成
した。

【００１６】なお、第１及び第２の記録層４，５形成時
のスパッタリング条件は、スパッタパワーが０．５〜
１．２ｋＷ、ガス圧が５mTorr 、基板温度が約２４０℃
である。一方、比較のために、Ｃｏ（１３原子％）−Ｃ
ｒ（５原子％）−Ｔａ（残部）合金からなる記録層を１
層のみ有する磁気記録媒体（比較例１）、Ｃｏ（１２原
子％）−Ｃｒ（２原子％）−Ｔａ（残部）合金からなる
記録層を１層のみ有する磁気記録媒体（比較例２）を用
意した。

【００１７】これらの実施形態及び比較例１，２の磁気
記録媒体について、角形比（Ｓ^* )及び再生出力特性を
調べた。その結果を、図２，３に示す。図２は、横軸に
記録層の厚さ（総厚）をとり、縦軸に角形比をとって、
実施形態及び比較例１，２の角形比を調べた結果を示す
図である。この図２から明らかなように、実施形態の磁
気記録媒体は角形比が０．９５以上であり、比較例１，
２に比して優れていることが確認できた。

【００１８】図３は、横軸に残留磁束密度（Ｂｒ）と膜
厚（δ）との積をとり、縦軸に再生出力をとって、実施
形態及び比較例１，２の再生出力特性を調べた結果を示
す図である。なお、再生出力の測定には薄膜磁気ヘッド
を使用し、書き込み周波数を２６．０２MFRPS として行
った。また、図中の数字は保磁力値を示す。この図３か
ら明らかなように、実施形態の磁気記録媒体は、比較例
１，２に比して、再生出力が大きいことを確認すること
ができた。

【００１９】なお、上述の実施形態では記録層が２層の
場合について説明したが、記録層は３層以上で構成され
ていてもよい。

【００２０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
下地層の厚さを３００Å以下とし、この下地層上にＣｏ
−Ｃｒ−Ｔａ系合金からなる異組成の第１及び第２の記
録層が設けられているから、記録密度が高く、且つ、角
形比及び保磁力等の磁気特性が優れた磁気記録媒体を得
ることができる。これにより、磁気記録媒体の高密度化
が達成できるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気記録媒体の一実施形態を示す断面
図である。

【図２】実施形態及び比較例１，２の角形比を調べた結
果を示す図である。

【図３】実施の形態及び比較例の再生出力特性を調べた
結果を示す図である。

【図４】従来の磁気記録媒体を示す断面図である。

【符号の説明】

１，１１ 基板 ２，１２ ＮｉＰめっき層 ３，１３ 下地層 ４，５，１４ 記録層 ６，１５ 保護層 ７，１６ 潤滑層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 深澤 文雄 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 小山田 忠昭 山形県東根市大字東根元東根字大森5400番 ２（番地なし） 株式会社山形富士通内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 非磁性体基板と、 該非磁性体基板上に３００Å以下の厚さで形成された下
   地層と、 該下地層上に形成されたＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金からな
   る第１の記録層と、 該第１の記録層よりもＴａ含有量が少ないＣｏ−Ｃｒ−
   Ｔａ系合金により該第１の記録層上に形成された第２の
   記録層とを有することを特徴とする磁気記録媒体。
2. 【請求項２】 前記第１及び第２の記録層は、Ｃｒ：１
   ０乃至１５原子％、Ｔａ：２乃至５原子％を含有し、残
   部がＣｏ及び不可避的不純物からなることを特徴とする
   請求項１に記載の磁気記録媒体。
3. 【請求項３】 前記第１の記録層は、前記第２の記録層
   に比して厚さが薄いことを特徴とする請求項１又は２に
   記載の磁気記録媒体。