JPS62270778A - 無電解めつき浴 - Google Patents
無電解めつき浴Info
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- JPS62270778A JPS62270778A JP11195386A JP11195386A JPS62270778A JP S62270778 A JPS62270778 A JP S62270778A JP 11195386 A JP11195386 A JP 11195386A JP 11195386 A JP11195386 A JP 11195386A JP S62270778 A JPS62270778 A JP S62270778A
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- plating bath
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- Pending
Links
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000006174 pH buffer Substances 0.000 claims abstract description 3
- PBYZMCDFOULPGH-UHFFFAOYSA-N tungstate Chemical compound [O-][W]([O-])(=O)=O PBYZMCDFOULPGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 4
- 229910001429 cobalt ion Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XLJKHNWPARRRJB-UHFFFAOYSA-N cobalt(2+) Chemical compound [Co+2] XLJKHNWPARRRJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 claims description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 9
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 9
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 7
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 abstract description 3
- 229940044175 cobalt sulfate Drugs 0.000 abstract description 3
- 229910000361 cobalt sulfate Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L cobalt(2+) sulfate Chemical compound [Co+2].[O-]S([O-])(=O)=O KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 3
- 229910001380 potassium hypophosphite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- CRGPNLUFHHUKCM-UHFFFAOYSA-M potassium phosphinate Chemical compound [K+].[O-]P=O CRGPNLUFHHUKCM-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 2
- XMVONEAAOPAGAO-UHFFFAOYSA-N sodium tungstate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][W]([O-])(=O)=O XMVONEAAOPAGAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract 1
- 235000011149 sulphuric acid Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- -1 tungsten ions Chemical class 0.000 description 3
- KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 5-[3-(trifluoromethyl)phenyl]-2h-tetrazole Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC(C2=NNN=N2)=C1 KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 229910001379 sodium hypophosphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000003841 chloride salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N phosphinic acid Chemical group O[PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 159000000001 potassium salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000001509 sodium citrate Substances 0.000 description 1
- NLJMYIDDQXHKNR-UHFFFAOYSA-K sodium citrate Chemical compound O.O.[Na+].[Na+].[Na+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O NLJMYIDDQXHKNR-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CMPGARWFYBADJI-UHFFFAOYSA-L tungstic acid Chemical class O[W](O)(=O)=O CMPGARWFYBADJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気ディスク、あるいは磁気テープ等の磁気
記録媒体の製造方法に関する。
記録媒体の製造方法に関する。
無電解めっき法による磁気記録媒体の作製において、耐
食性の貰い金属であるタングステンを共析させることに
より、耐食性の高い磁性皮膜を得ることができる。
食性の貰い金属であるタングステンを共析させることに
より、耐食性の高い磁性皮膜を得ることができる。
〔従来の技術〕 （従来、磁気ディ
スク、あるいは磁気テープ等の磁気記録媒体の作製にお
いて、無電解めっき法による磁性膜の形成が有力な手段
として採用されてきた。この無電解めっき法による磁性
膜形成法は生産性の面から、スパッタ法などの方法に比
べて有利とされている。
スク、あるいは磁気テープ等の磁気記録媒体の作製にお
いて、無電解めっき法による磁性膜の形成が有力な手段
として採用されてきた。この無電解めっき法による磁性
膜形成法は生産性の面から、スパッタ法などの方法に比
べて有利とされている。
無電解めっき法により得られる磁性膜は、耐食性が悪く
保護膜を必要としている。スパッタ法により得られる磁
性膜も同様である。そこで、磁性膜上にＳｉＯ□、Ｃな
どの保護膜を設けるという工程が必要である。ところが
、使用時にはこの保護膜の厚みにヘッドと媒体との距離
が制限されてしまうという問題点があった。
保護膜を必要としている。スパッタ法により得られる磁
性膜も同様である。そこで、磁性膜上にＳｉＯ□、Ｃな
どの保護膜を設けるという工程が必要である。ところが
、使用時にはこの保護膜の厚みにヘッドと媒体との距離
が制限されてしまうという問題点があった。
Ｃ問題点を解決するための手段〕
本発明は、上記問題点を解消するため保護膜を必要とし
ない程、耐食性の高い磁性膜を形成できる無電解めっき
浴を堤供することを目的としてい本発明は、従来のＧｏ
−Ｐめっき浴を題材として種々実験、研究を進めたとこ
ろ、添加材、金属イオン、および、錯化剤の濃度を適度
に調節することにより得られたものであり、従来の保護
膜を用いた媒体と同等以上の耐食性を有することが判明
した。
ない程、耐食性の高い磁性膜を形成できる無電解めっき
浴を堤供することを目的としてい本発明は、従来のＧｏ
−Ｐめっき浴を題材として種々実験、研究を進めたとこ
ろ、添加材、金属イオン、および、錯化剤の濃度を適度
に調節することにより得られたものであり、従来の保護
膜を用いた媒体と同等以上の耐食性を有することが判明
した。
本発明による無電解めっき浴は、コバルトイオン、この
金属の還元剤、ｐＨ緩衝剤、ｐＨ調節剤を含む水溶液に
添加剤としてタングステンイオンを含むことを特徴とし
、これにより耐食性のすぐれた磁性膜を得ることができ
る。
金属の還元剤、ｐＨ緩衝剤、ｐＨ調節剤を含む水溶液に
添加剤としてタングステンイオンを含むことを特徴とし
、これにより耐食性のすぐれた磁性膜を得ることができ
る。
本発明において、金属イオンとして用いられるコバルト
イオンは、硫酸塩、塩化物などの可溶性塩を無電解めっ
き浴中に溶解することにより供給される。コバルトイオ
ンの濃度は０．１１ＩＯ１／１〜２ｍｏｌｌ／１の範囲
が用いられるが、０．３ｍｏ １ ／ １〜０．５ｍｏ
ｊ！ ／ ｌが適当テアル。
イオンは、硫酸塩、塩化物などの可溶性塩を無電解めっ
き浴中に溶解することにより供給される。コバルトイオ
ンの濃度は０．１１ＩＯ１／１〜２ｍｏｌｌ／１の範囲
が用いられるが、０．３ｍｏ １ ／ １〜０．５ｍｏ
ｊ！ ／ ｌが適当テアル。
タングステンイオンは、タングステン酸のナトリウム塩
、もしくはカリウム塩を無電解メッキ浴中に溶解するこ
とにより供給される。タングステンイオンの濃度は、Ｏ
，ＯＯｌｍｏ ｆ！ ／ １〜０．０１ｍｏ ｌ ／
Ｉｔの範囲が用いられるが、０．００５＋＊ｏ １ ／
１〜０．００７ｍｏ ｊ！ ／ １が適当である。
、もしくはカリウム塩を無電解メッキ浴中に溶解するこ
とにより供給される。タングステンイオンの濃度は、Ｏ
，ＯＯｌｍｏ ｆ！ ／ １〜０．０１ｍｏ ｌ ／
Ｉｔの範囲が用いられるが、０．００５＋＊ｏ １ ／
１〜０．００７ｍｏ ｊ！ ／ １が適当である。
金属イオンの還元剤としては、一般に次亜リン酸ナトリ
ウムを用いるが、次亜リン酸カリウム等次亜リン酸基を
含む塩ならいずれも用いることができる。ｐＨＷｋ衝剤
としては、ホウ酸が用いられる。ｐＨ調節剤としては、
ｐＨを上昇させるには水酸化ナトリウムを用い、ｐＨを
下降させるには硫酸を用いる。これらのｐＨｔＰｉ節剤
によりメッキ浴のｐＨは常温時に８〜１０の範囲で制御
される。
ウムを用いるが、次亜リン酸カリウム等次亜リン酸基を
含む塩ならいずれも用いることができる。ｐＨＷｋ衝剤
としては、ホウ酸が用いられる。ｐＨ調節剤としては、
ｐＨを上昇させるには水酸化ナトリウムを用い、ｐＨを
下降させるには硫酸を用いる。これらのｐＨｔＰｉ節剤
によりメッキ浴のｐＨは常温時に８〜１０の範囲で制御
される。
以下に、本発明による実施例を示す。
実施例１
磁気ディスク用アルミニウム基板にＮｔ−Ｐ無電解めっ
きを施した後に鏡面仕上げしたものを被めっき体として
下記の条件によりめっきした。
きを施した後に鏡面仕上げしたものを被めっき体として
下記の条件によりめっきした。
硫酸コバルト ０．４ｔｍｏ １ ／ １
次亜リン酸ナトリウム ０．２ｍｏ １ ／ １ク
エン酸ナトリウム ０．２腸ａｌｌ／Ｉｔタング
ステン酸ナトリウム ０．００６ｓｏ Ｉｔ ／ １ホ
ウ酸 ０．５ｃａｏ １ ／ １温度
９０℃±１℃ ｐＨ９，４ 当実施例で得られた媒体をＶＳＭにより保磁力角形比を
測定したところ、それぞれ７５００ｅ、 ０．８０とな
り、通常用いられているＧｏ−Ｐ、あるいはＣｏ−Ｎ１
−Ｐの特性と同レベルの結果が得られた。
次亜リン酸ナトリウム ０．２ｍｏ １ ／ １ク
エン酸ナトリウム ０．２腸ａｌｌ／Ｉｔタング
ステン酸ナトリウム ０．００６ｓｏ Ｉｔ ／ １ホ
ウ酸 ０．５ｃａｏ １ ／ １温度
９０℃±１℃ ｐＨ９，４ 当実施例で得られた媒体をＶＳＭにより保磁力角形比を
測定したところ、それぞれ７５００ｅ、 ０．８０とな
り、通常用いられているＧｏ−Ｐ、あるいはＣｏ−Ｎ１
−Ｐの特性と同レベルの結果が得られた。
さらに、Ｃｏ−Ｐの皮膜を施した媒体と実施例で得られ
た媒体を１％ＨＣｊｌｔｌ液に浸漬したところ、Ｇｏ−
Ｐの膜は約４８時間でフクレが生じたが、Ｃｏ−Ｗ−Ｐ
の膜は、４８０時間の浸漬後にも異常は見られなかっな
、また、本実施例による媒体を、４０℃９０％Ｒ９Ｈの
条件下に３０００時間放置した後測定した電磁変換特性
は、放置前と変化がなかった。
た媒体を１％ＨＣｊｌｔｌ液に浸漬したところ、Ｇｏ−
Ｐの膜は約４８時間でフクレが生じたが、Ｃｏ−Ｗ−Ｐ
の膜は、４８０時間の浸漬後にも異常は見られなかっな
、また、本実施例による媒体を、４０℃９０％Ｒ９Ｈの
条件下に３０００時間放置した後測定した電磁変換特性
は、放置前と変化がなかった。
本発明の無電解めっき浴から形成される磁性膜は、従来
浴からの磁性膜と同等以上の磁気特性を示す、さらに、
従来浴からの磁性膜には、保護膜が不可欠であったが、
本発明の磁性膜を用いれば、保護膜が不要となる。これ
によって工程削減ができ、さらにヘッド−磁性膜間の距
離を短くすることができ、高密度化へ対応できるという
効果が得られ、産業上の利用価値は非常に大きい。
浴からの磁性膜と同等以上の磁気特性を示す、さらに、
従来浴からの磁性膜には、保護膜が不可欠であったが、
本発明の磁性膜を用いれば、保護膜が不要となる。これ
によって工程削減ができ、さらにヘッド−磁性膜間の距
離を短くすることができ、高密度化へ対応できるという
効果が得られ、産業上の利用価値は非常に大きい。
以上
Claims (1)
- コバルトイオン、および、これの還元剤とｐＨ調節剤、
ｐＨ緩衝剤、錯化剤を含む水溶液に添加剤として、タン
グステン酸塩を０．００１ｍｏｌ／ｌ〜０．０１ｍｏｌ
／ｌ加えたことを特徴とする無電解めっき浴。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11195386A JPS62270778A (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | 無電解めつき浴 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11195386A JPS62270778A (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | 無電解めつき浴 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62270778A true JPS62270778A (ja) | 1987-11-25 |
Family
ID=14574295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11195386A Pending JPS62270778A (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | 無電解めつき浴 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62270778A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5695810A (en) * | 1996-11-20 | 1997-12-09 | Cornell Research Foundation, Inc. | Use of cobalt tungsten phosphide as a barrier material for copper metallization |
| US6958547B2 (en) | 2002-05-03 | 2005-10-25 | Intel Corporation | Interconnect structures containing conductive electrolessly deposited etch stop layers, liner layers, and via plugs |
| US6977224B2 (en) | 2000-12-28 | 2005-12-20 | Intel Corporation | Method of electroless introduction of interconnect structures |
| JP2006507404A (ja) * | 2002-06-21 | 2006-03-02 | マットソン テクノロジイ インコーポレイテッド | 無電解メッキ槽の温度制御手順 |
| US7087104B2 (en) | 2003-06-26 | 2006-08-08 | Intel Corporation | Preparation of electroless deposition solutions |
-
1986
- 1986-05-16 JP JP11195386A patent/JPS62270778A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5695810A (en) * | 1996-11-20 | 1997-12-09 | Cornell Research Foundation, Inc. | Use of cobalt tungsten phosphide as a barrier material for copper metallization |
| US6977224B2 (en) | 2000-12-28 | 2005-12-20 | Intel Corporation | Method of electroless introduction of interconnect structures |
| US6958547B2 (en) | 2002-05-03 | 2005-10-25 | Intel Corporation | Interconnect structures containing conductive electrolessly deposited etch stop layers, liner layers, and via plugs |
| US7008872B2 (en) | 2002-05-03 | 2006-03-07 | Intel Corporation | Use of conductive electrolessly deposited etch stop layers, liner layers and via plugs in interconnect structures |
| JP2006507404A (ja) * | 2002-06-21 | 2006-03-02 | マットソン テクノロジイ インコーポレイテッド | 無電解メッキ槽の温度制御手順 |
| US7087104B2 (en) | 2003-06-26 | 2006-08-08 | Intel Corporation | Preparation of electroless deposition solutions |
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