JPS6283474A - 無電解めつき浴 - Google Patents
無電解めつき浴Info
- Publication number
- JPS6283474A JPS6283474A JP22528585A JP22528585A JPS6283474A JP S6283474 A JPS6283474 A JP S6283474A JP 22528585 A JP22528585 A JP 22528585A JP 22528585 A JP22528585 A JP 22528585A JP S6283474 A JPS6283474 A JP S6283474A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bath
- plating bath
- ions
- electroless plating
- glutamic acid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/32—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron
- C23C18/34—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron using reducing agents
- C23C18/36—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron using reducing agents using hypophosphites
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は磁気ディスク等の磁気記録体て用いられる磁気
記録媒体（磁性膜）を作製するための無電解めっき浴に
関するものである。
記録媒体（磁性膜）を作製するための無電解めっき浴に
関するものである。
（従来技術）
近年、高密度磁気記録体として記憶媒体がめつき法によ
り製作されためっき磁気ディスク、めっき磁気ドラム等
が用いられ始めた。これらの磁気記録体の記憶媒体に要
求される基本的特性は、保磁力（）（ｃ）、残留磁束密
度（Ｂｒ）、角形比（Ｂｒ／Ｂｓ。
り製作されためっき磁気ディスク、めっき磁気ドラム等
が用いられ始めた。これらの磁気記録体の記憶媒体に要
求される基本的特性は、保磁力（）（ｃ）、残留磁束密
度（Ｂｒ）、角形比（Ｂｒ／Ｂｓ。
但しＢｓは飽和磁束密度）等の磁気特性、及び、膜厚（
１）である。これらの値は、磁気記録体が用いられる磁
気記録装置の種類により決まり、記録密度、及び、出力
との間にはおよそ次の様々関係がある。
１）である。これらの値は、磁気記録体が用いられる磁
気記録装置の種類により決まり、記録密度、及び、出力
との間にはおよそ次の様々関係がある。
（記録密度）（Ｈｅ／Ｂｒ−ｔ）”” −（１）（出
力）（Ｂｒ−１−Ｈｃ）・・・（２）また、（１） 、
（２）式典Ｂｒ／’Ｂ／）値により変化し、例えばＢ
ｒ７’Ｂ ｓが１に近く力るに従って記録密度及び出力
は坩犬する。
力）（Ｂｒ−１−Ｈｃ）・・・（２）また、（１） 、
（２）式典Ｂｒ／’Ｂ／）値により変化し、例えばＢ
ｒ７’Ｂ ｓが１に近く力るに従って記録密度及び出力
は坩犬する。
記録密度及び出力を増大させて磁性膜の高性能化を図る
手段としては、Ｂｒ／Ｂｓの増大の他にＨｅを増大させ
磁性膜の減磁を減少させる方法もある。
手段としては、Ｂｒ／Ｂｓの増大の他にＨｅを増大させ
磁性膜の減磁を減少させる方法もある。
上記の磁性膜を製造するための無電解めっき浴種として
従来、アンモニア浴あるいは苛性浴が検討されてきた。
従来、アンモニア浴あるいは苛性浴が検討されてきた。
アンモニア浴は、一般にコバルト塩、還元剤、錯化剤を
含むめっき液をアンモニア水を用いてｐＨ調節した浴で
あり、苛性浴はアンモニア水のかわりに苛性アルカリ溶
液を用いて−調節した浴である。代表的力苛性浴として
酒石酸塩を錯化剤とした苛性アルカリ酒石酸浴（以下Ｃ
−Ｔ浴とよぶ）またはクエン酸塩を錯化剤とした苛性ア
ルカリクエン酸浴（以下Ｃ−Ｃ浴とよぶ）が知られてい
る。（金属表面技術、第２３巻、第７号、ｐ４０６〜４
１５．１９７２年） （発明が解決しようとする問題点） アンモニア浴の場合、昇温して操業中にアンモニアが蒸
発しやすり、聞の制御が困難で浴管理上問題があった。
含むめっき液をアンモニア水を用いてｐＨ調節した浴で
あり、苛性浴はアンモニア水のかわりに苛性アルカリ溶
液を用いて−調節した浴である。代表的力苛性浴として
酒石酸塩を錯化剤とした苛性アルカリ酒石酸浴（以下Ｃ
−Ｔ浴とよぶ）またはクエン酸塩を錯化剤とした苛性ア
ルカリクエン酸浴（以下Ｃ−Ｃ浴とよぶ）が知られてい
る。（金属表面技術、第２３巻、第７号、ｐ４０６〜４
１５．１９７２年） （発明が解決しようとする問題点） アンモニア浴の場合、昇温して操業中にアンモニアが蒸
発しやすり、聞の制御が困難で浴管理上問題があった。
一方、苛性浴の場合は、浴ｐＨの変動が少々いためｐＨ
制御が容易である。代表的々めっき浴について述べると
、Ｃ−Ｔ浴でけ高保磁力の磁性膜が得られ易いが、その
膜厚依存性が犬きく、保磁力を一定に制御するのが困難
であった。
制御が容易である。代表的々めっき浴について述べると
、Ｃ−Ｔ浴でけ高保磁力の磁性膜が得られ易いが、その
膜厚依存性が犬きく、保磁力を一定に制御するのが困難
であった。
また、酒石酸の錯化力が弱いため、めっき浴が分解しや
すく浴の長期安定性に問題があった。Ｃ−Ｃ浴では錯化
力の強いクエン酸を用いているため浴の安定性に優れて
いるが、高保磁力の磁性膜を得ることが困難であった。
すく浴の長期安定性に問題があった。Ｃ−Ｃ浴では錯化
力の強いクエン酸を用いているため浴の安定性に優れて
いるが、高保磁力の磁性膜を得ることが困難であった。
Ｃ−Ｃ浴で高保磁力膜が得られることもあるが、クエン
酸の錯化力が非常に強いため浴中にクエン酸を少量しか
加えることができず、このため得られる磁気特性の再現
性は極めて乏しかった。
酸の錯化力が非常に強いため浴中にクエン酸を少量しか
加えることができず、このため得られる磁気特性の再現
性は極めて乏しかった。
本発明の目的は、従来の問題を改善して、保磁力の膜厚
依存性が小さく高保磁力の磁性膜を安定に作製し得る苛
性アルカリ性無電解めっき浴を提供することにある。
依存性が小さく高保磁力の磁性膜を安定に作製し得る苛
性アルカリ性無電解めっき浴を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明による無電解めっき浴は、金属イオンとして少な
くともコバルトイオンを含み、添加剤として少なくとも
これら金属イオンの還元剤を含む苛性アルカリ性の水溶
液に前記金属イオンの錯化剤としてグルタばン酸基を含
むことを特徴としている。
くともコバルトイオンを含み、添加剤として少なくとも
これら金属イオンの還元剤を含む苛性アルカリ性の水溶
液に前記金属イオンの錯化剤としてグルタばン酸基を含
むことを特徴としている。
本発明による無電解めっき浴の主要成分としては、金属
イオンとして少なくともコバルトイオン、還元剤として
の次亜リン酸塩、錯化剤としてグルタミン酸基を含むが
、本発明の目的、効果を横力わ彦い範囲において、−緩
衝剤、光沢剤、平滑剤、励起剤、ピンホール防止剤、界
面活性剤等の添加剤が用いられることがある。
イオンとして少なくともコバルトイオン、還元剤として
の次亜リン酸塩、錯化剤としてグルタミン酸基を含むが
、本発明の目的、効果を横力わ彦い範囲において、−緩
衝剤、光沢剤、平滑剤、励起剤、ピンホール防止剤、界
面活性剤等の添加剤が用いられることがある。
コバルトイオンは、コバルトの硫酸塩、塩化塩、酢酸塩
々どの可溶性塩を無電解めっき浴中に溶解することによ
って供給される。コバルトイオンの濃度は、０．００５
〜１ ｍｏｌ／ｌの範囲が用いられるが、好ましくは０
．０１〜０．１５ ｍｏｌ／ｌの範囲である。本発明に
おいて用いられる金属イオンとしては、Ｃｏ’（ｉ７主
成分とするが、少量のＦｅ、Ｎｉ 、Ｍｇ、Ａｌ。
々どの可溶性塩を無電解めっき浴中に溶解することによ
って供給される。コバルトイオンの濃度は、０．００５
〜１ ｍｏｌ／ｌの範囲が用いられるが、好ましくは０
．０１〜０．１５ ｍｏｌ／ｌの範囲である。本発明に
おいて用いられる金属イオンとしては、Ｃｏ’（ｉ７主
成分とするが、少量のＦｅ、Ｎｉ 、Ｍｇ、Ａｌ。
Ｒｕ、Ｓｔ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｃｕ、’Ｚｎ、Ｇａ、Ｇ
ｅ、Ｍｏ、Ｒｈ、Ｍｎ、Ｐｄ。
ｅ、Ｍｏ、Ｒｈ、Ｍｎ、Ｐｄ。
Ａｇ ｔ Ａ ｕ −Ｐ ｔ ＋ ８ ｎ ｔ Ｔ ｅ
ｖ Ｂ ａ ｐ Ｃｅ ＊ Ｐ ｒ ＋ ８ｍ ｅ
Ｒｅ ＋ Ｗ ＋ Ｏｓ ｔ Ｐ ｂ ＋Ｂｉ 等の
イオンが含まれていてもよく、これらのイオンはそれぞ
れの可溶性塩によって供給される。
ｖ Ｂ ａ ｐ Ｃｅ ＊ Ｐ ｒ ＋ ８ｍ ｅ
Ｒｅ ＋ Ｗ ＋ Ｏｓ ｔ Ｐ ｂ ＋Ｂｉ 等の
イオンが含まれていてもよく、これらのイオンはそれぞ
れの可溶性塩によって供給される。
めっき膜中にはこれらの金属のほか還元剤の種類によっ
てＰ 、 Ｂ７！ｒど、添加剤の種類によってはＣ２Ｎ
、Ｏ，Ｓ、Ａｓ等の非金属が含有されることがある。
てＰ 、 Ｂ７！ｒど、添加剤の種類によってはＣ２Ｎ
、Ｏ，Ｓ、Ａｓ等の非金属が含有されることがある。
還元剤としては次亜リン酸または次亜リン酸塩が、０．
０１〜０．８ ｍｏｌ／ｌ 、好ましくは０．０５〜０
、３ ｍｏｌ／ｌの範囲で用いられる。錯化剤としては
グルタミン酸または、グルタミン酸の可溶性塩が０、０
０５〜３．５ ｍｏｌ／ｌの範囲で用いられるが、Ｏ１
〜０．９ ｍｏｌ／ｌの範囲が好ましい。
０１〜０．８ ｍｏｌ／ｌ 、好ましくは０．０５〜０
、３ ｍｏｌ／ｌの範囲で用いられる。錯化剤としては
グルタミン酸または、グルタミン酸の可溶性塩が０、０
０５〜３．５ ｍｏｌ／ｌの範囲で用いられるが、Ｏ１
〜０．９ ｍｏｌ／ｌの範囲が好ましい。
…緩衝剤としてはアンモニウム塩、炭酸塩、有機酸塩々
どが使用され、硫酸アンモニウム、塩化アンモニウム、
ホウ酸等を用いることが好ましい。
どが使用され、硫酸アンモニウム、塩化アンモニウム、
ホウ酸等を用いることが好ましい。
濃度範囲はＯ，Ｏｌ 〜３ ｍｏｌ／ｌ 、好ましくは
０．０５〜１ ｍｏシｔが用いられる。
０．０５〜１ ｍｏシｔが用いられる。
田調節剤としての苛性アルカリとしてＶｉＮａＯＨ。
ＬｉＯＨ，ＫＯＨ，ＲｂＯＨ、ＣｓＯＨ，Ｆ ｒＯＨ、
Ｂｅ （ＯＨ）２ 、Ｍｇ （０Ｈ）２、Ｃａ（ＯＨ）
２．Ｓｒ（ＯＨ）２．Ｂａ（ＯＨ）２．Ｒａ（ＯＨ）２
等の金属の水酸化物の１種または２種以上の組み合
わせが用いられる。
Ｂｅ （ＯＨ）２ 、Ｍｇ （０Ｈ）２、Ｃａ（ＯＨ）
２．Ｓｒ（ＯＨ）２．Ｂａ（ＯＨ）２．Ｒａ（ＯＨ）２
等の金属の水酸化物の１種または２種以上の組み合
わせが用いられる。
通常、−１調節剤を加え々い建浴前のめっき液はほぼ中
性彦いし酸性域にあり、前記水酸化物を加えてアルカリ
性にｐＨ調節される。所要のｐＨヲ上回った場合、ｐＨ
降下には塩酸、硫酸、硝酸等の酸が用いられる。…範囲
は４〜１４．５、好ましくは８．５〜１１．５の間で用
いられる。
性彦いし酸性域にあり、前記水酸化物を加えてアルカリ
性にｐＨ調節される。所要のｐＨヲ上回った場合、ｐＨ
降下には塩酸、硫酸、硝酸等の酸が用いられる。…範囲
は４〜１４．５、好ましくは８．５〜１１．５の間で用
いられる。
磁性膜厚はｏ：ｏｏ５〜５μｍの範囲が用いられるが、
高密度記録用にＦ′ｉ０．２μｍ以下が好ましい。
高密度記録用にＦ′ｉ０．２μｍ以下が好ましい。
磁性膜を形成する基板としては通常金属基板が用いられ
るが、適当力活性化処理により非金属基板にも適用でき
る。
るが、適当力活性化処理により非金属基板にも適用でき
る。
（作用）
無電解めっき浴において錯化剤の果たす役割は重要であ
る。錯化剤の錯化力か弱すぎるとめっき浴は自己分解し
易く、浴寿命を長く保つことができ力い。また、錯化剤
の錯化力が強すぎると金属イオンの還元析出が困難とカ
リ、めっき反応を進行させることができ力くなる。本発
明の目的とする無電解めっき浴を得るためには、適度の
錯化力の錯化剤を用いて所要の磁気特性が得られる必要
がある。錯化剤と磁気特性の関係は現在のところ理論的
に明らかに力っていないが、経験的に次のことがいえる
。即ち、アンモニア浴においては高保磁力が得られかつ
適度の錯化力の錯化剤は比較的数多く存在するが、苛性
浴においてはこのような錯化剤は見いだされていない。
る。錯化剤の錯化力か弱すぎるとめっき浴は自己分解し
易く、浴寿命を長く保つことができ力い。また、錯化剤
の錯化力が強すぎると金属イオンの還元析出が困難とカ
リ、めっき反応を進行させることができ力くなる。本発
明の目的とする無電解めっき浴を得るためには、適度の
錯化力の錯化剤を用いて所要の磁気特性が得られる必要
がある。錯化剤と磁気特性の関係は現在のところ理論的
に明らかに力っていないが、経験的に次のことがいえる
。即ち、アンモニア浴においては高保磁力が得られかつ
適度の錯化力の錯化剤は比較的数多く存在するが、苛性
浴においてはこのような錯化剤は見いだされていない。
発明者等は広範囲て錯化剤の検討を行なった結果、本発
明において用いているグルタミン酸基は適度力錯化力を
有し、これを用いることにより所要の磁気特性が得られ
且つその膜厚依存性も少々いことが見いだされた。
明において用いているグルタミン酸基は適度力錯化力を
有し、これを用いることにより所要の磁気特性が得られ
且つその膜厚依存性も少々いことが見いだされた。
次て具体的に実施例および比較例により本発明を説明す
る。
る。
（比較例）
アルミ合金基板上に非磁性Ｎ１−Ｐ層をめっきし、表面
を鏡面研磨した後その上に下記のめっき浴およびめっき
条件にて膜厚０．０２〜０，２μｍのＣｏ−Ｐ合金磁性
膜を形成した。
を鏡面研磨した後その上に下記のめっき浴およびめっき
条件にて膜厚０．０２〜０，２μｍのＣｏ−Ｐ合金磁性
膜を形成した。
めっき浴
硫酸コバルト ０．０６ ｍｏｌ／１次亜リン
酸ナトリウム ０．２５ ｍｏｌ／１酒石酸ナトリウム
０．６ ｍｏｌ／１ホウ酸 ０．
４ ｍｏ招めっき条件 浴温 ８０℃ めっき浴のｐＨ９，０（室温にてＮａＯＨでｐＨ調節）
こうして得られた磁性膜の膜厚とＨｃの関係を第４図に
示す。ＨｃＦｉ膜厚０．０２μｙｙｉで１，１４００ｅ
であるが、；膜厚増加とともに急激に減少し、０．１μ
ｍでは５１５０ｅと々った。
酸ナトリウム ０．２５ ｍｏｌ／１酒石酸ナトリウム
０．６ ｍｏｌ／１ホウ酸 ０．
４ ｍｏ招めっき条件 浴温 ８０℃ めっき浴のｐＨ９，０（室温にてＮａＯＨでｐＨ調節）
こうして得られた磁性膜の膜厚とＨｃの関係を第４図に
示す。ＨｃＦｉ膜厚０．０２μｙｙｉで１，１４００ｅ
であるが、；膜厚増加とともに急激に減少し、０．１μ
ｍでは５１５０ｅと々った。
本比較例で用いためっき浴は、浴の安定性に問題があっ
た。田調節しためっき浴を８０℃に昇温すると、約２０
分後から浴中に不溶物を生じ始め、時間経過とともにそ
れが増加し、加温１〜２時間でめっき浴の自己分ＭＶｃ
至った。
た。田調節しためっき浴を８０℃に昇温すると、約２０
分後から浴中に不溶物を生じ始め、時間経過とともにそ
れが増加し、加温１〜２時間でめっき浴の自己分ＭＶｃ
至った。
本比較例のように酒石酸を錯化剤とした苛性浴では３０
００ｅ以上の高保磁力膜を安定に再現性良く得ることが
困難であった。
００ｅ以上の高保磁力膜を安定に再現性良く得ることが
困難であった。
（実施例１）
比較例と同様の手順で磁性膜のめっきを行々っだが、本
実施例では下記のめっき浴およびめっき条件を用いた。
実施例では下記のめっき浴およびめっき条件を用いた。
めっき浴
硫酸コバルト ０．０２ ｍｏｌ／１次亜リン
酸ナトリウム ０．１５ ｍｏｌ／１グルタミン酸ナト
リウム ０．２ ｍａｉｌ／１ホウ酸 ０
．３ ｍｏｌ／１めっき条件 浴温 ８０℃ めっき浴のｐＨ９，０（室温にてＮａＯＨでｐＨ調節）
こうして得られた磁性膜の膜厚とＨｃの関係を第１図に
示す。Ｈｅは膜厚０．０２μｍで５０００ｅであり、膜
厚０．１ ｔｔｍでＦｉ４３００ｅであった。Ｈｃは膜
厚増加とともに減少するが、その減少度合いは比較例に
比べてはるかに少なかった。また、本実施例のめっき浴
は安定性にも優れ、１日８時間繰り返し２５日間以上の
使用が可能であった。
酸ナトリウム ０．１５ ｍｏｌ／１グルタミン酸ナト
リウム ０．２ ｍａｉｌ／１ホウ酸 ０
．３ ｍｏｌ／１めっき条件 浴温 ８０℃ めっき浴のｐＨ９，０（室温にてＮａＯＨでｐＨ調節）
こうして得られた磁性膜の膜厚とＨｃの関係を第１図に
示す。Ｈｅは膜厚０．０２μｍで５０００ｅであり、膜
厚０．１ ｔｔｍでＦｉ４３００ｅであった。Ｈｃは膜
厚増加とともに減少するが、その減少度合いは比較例に
比べてはるかに少なかった。また、本実施例のめっき浴
は安定性にも優れ、１日８時間繰り返し２５日間以上の
使用が可能であった。
（実施例２）
比較例と同様の手順で磁性膜のめっきを行なったが、本
実施例では下記のめっき浴およびめっき条件を用いた。
実施例では下記のめっき浴およびめっき条件を用いた。
めっき浴
硫酸コバルト ０．０４ ｍｏｌ／１次亜
リン酸ナトリウム ０．２ ｍｏｌ／１グルタミ
ン酸ナトリウム ０．３５ ｍｏｌｌｌホウ酸
０．４ ｍｏｌ／１めっき条件 浴温 ８０°Ｃ めっき浴のｐＨ９，５（室温にてＮａＯＨでｐＨ調節）
こうして得られた磁性膜の膜厚とＨｃの関係を第２図に
示す。Ｈｃは膜厚０．０２μｍで６３００ｅであり、膜
厚０１μｍでは５６００ｅであった。Ｔ（ｃは膜厚増加
とともに減少するが、実施例１の場合と同様にその減少
度合いは比較例に比べてはるかに少なかった。また、本
実施例のめつき浴は安定性にも優れ、１日８時間繰り返
し３０日間以上の使用が可能であった。
リン酸ナトリウム ０．２ ｍｏｌ／１グルタミ
ン酸ナトリウム ０．３５ ｍｏｌｌｌホウ酸
０．４ ｍｏｌ／１めっき条件 浴温 ８０°Ｃ めっき浴のｐＨ９，５（室温にてＮａＯＨでｐＨ調節）
こうして得られた磁性膜の膜厚とＨｃの関係を第２図に
示す。Ｈｃは膜厚０．０２μｍで６３００ｅであり、膜
厚０１μｍでは５６００ｅであった。Ｔ（ｃは膜厚増加
とともに減少するが、実施例１の場合と同様にその減少
度合いは比較例に比べてはるかに少なかった。また、本
実施例のめつき浴は安定性にも優れ、１日８時間繰り返
し３０日間以上の使用が可能であった。
（実施例３）
比較例と同様の手順で磁性膜のめっきを行々つたが、本
実施例では下記のめつき浴およびめっき条件を用いた。
実施例では下記のめつき浴およびめっき条件を用いた。
めっき浴
硫酸コバルト ０．０６ ｍｏｌ／１次亜
リン酸ナトリウム ０．２５ ｍｏｌ／１グルタミ
ン酸ナトリウム ０．４５ ｍｏｌ／１ホウ酸
０．５ ｍａｉｌ／１めっき条件 浴温 ８５°Ｃ めっき浴のｐＩ４１０．０（室温にてＮａＯＨ’ｌｌ’
ｐＨ調節）こうして得られた磁性膜の膜厚とＨｃの関係
を第３図に示す。Ｈｃは膜厚０．０２μｍで７８００ｅ
であり、膜厚０．１μｍでは７０００ｅであった。Ｈｃ
は膜厚増加とともに減少するが、実施例１の場合と同様
にその減少度合いは比較例に比べてはるかて少々かった
。また、本実施例のめっき浴は安定性にも優れ、１日８
時間繰り返し２５日間以上の使用が可能であった。
リン酸ナトリウム ０．２５ ｍｏｌ／１グルタミ
ン酸ナトリウム ０．４５ ｍｏｌ／１ホウ酸
０．５ ｍａｉｌ／１めっき条件 浴温 ８５°Ｃ めっき浴のｐＩ４１０．０（室温にてＮａＯＨ’ｌｌ’
ｐＨ調節）こうして得られた磁性膜の膜厚とＨｃの関係
を第３図に示す。Ｈｃは膜厚０．０２μｍで７８００ｅ
であり、膜厚０．１μｍでは７０００ｅであった。Ｈｃ
は膜厚増加とともに減少するが、実施例１の場合と同様
にその減少度合いは比較例に比べてはるかて少々かった
。また、本実施例のめっき浴は安定性にも優れ、１日８
時間繰り返し２５日間以上の使用が可能であった。
（発明の効果）
以上、比較例および実施例で示されたように、本発明に
よれば、金属イオンとして少なくともコバルトイオンを
含み、添加剤として少なくともこれら金属イオンの還元
剤を含む苛性アルカリ性の水溶液に、グルタミン酸基を
添加することにより、保磁力の膜厚依存性が小さく高保
磁力の磁性膜を安定に作製し得る無電解めっき浴が得ら
れる。
よれば、金属イオンとして少なくともコバルトイオンを
含み、添加剤として少なくともこれら金属イオンの還元
剤を含む苛性アルカリ性の水溶液に、グルタミン酸基を
添加することにより、保磁力の膜厚依存性が小さく高保
磁力の磁性膜を安定に作製し得る無電解めっき浴が得ら
れる。
第１図、第２図および第３図は、そ名ぞれ実施例１，２
および３において、本発明の無電解めっき浴より得らね
る磁性膜のＩ（ｃと膜厚の関係を示す。 第４図は、比較例において用いた無電解めっき浴より得
られる磁性膜のＨｃと膜厚の関係を示す。 、−一゛＼ 第７図 月更厚（、ｕｍン 第２図 θ θρ夕 θ、／ ρ、／、！； ６２月
、う２ノ耳ｉ （）ｔｍ、ン 第 ３ 図 θ ρ、ρ５ θｌ θ、／ｋ θ？躾簿（
、ｕｙｐｔ）
および３において、本発明の無電解めっき浴より得らね
る磁性膜のＩ（ｃと膜厚の関係を示す。 第４図は、比較例において用いた無電解めっき浴より得
られる磁性膜のＨｃと膜厚の関係を示す。 、−一゛＼ 第７図 月更厚（、ｕｍン 第２図 θ θρ夕 θ、／ ρ、／、！； ６２月
、う２ノ耳ｉ （）ｔｍ、ン 第 ３ 図 θ ρ、ρ５ θｌ θ、／ｋ θ？躾簿（
、ｕｙｐｔ）
Claims (1)
- 金属イオンとして少なくともコバルトイオンを含み、添
加剤として少なくともこれら金属イオンの還元剤を含む
苛性アルカリ性の水溶液に前記金属イオンの錯化剤とし
て少なくともグルタミン酸基を含むことを特徴とする無
電解めっき浴。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22528585A JPS6283474A (ja) | 1985-10-08 | 1985-10-08 | 無電解めつき浴 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22528585A JPS6283474A (ja) | 1985-10-08 | 1985-10-08 | 無電解めつき浴 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6283474A true JPS6283474A (ja) | 1987-04-16 |
Family
ID=16826936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22528585A Pending JPS6283474A (ja) | 1985-10-08 | 1985-10-08 | 無電解めつき浴 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6283474A (ja) |
-
1985
- 1985-10-08 JP JP22528585A patent/JPS6283474A/ja active Pending
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