JPH0229753B2 - Mudenkaimetsukihoho - Google Patents
MudenkaimetsukihohoInfo
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- JPH0229753B2 JPH0229753B2 JP10080281A JP10080281A JPH0229753B2 JP H0229753 B2 JPH0229753 B2 JP H0229753B2 JP 10080281 A JP10080281 A JP 10080281A JP 10080281 A JP10080281 A JP 10080281A JP H0229753 B2 JPH0229753 B2 JP H0229753B2
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Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気デイスク等の磁気記録体に用いら
れる磁気記憶媒体（磁性膜）を作製する無電解め
つき浴に関するものである。
れる磁気記憶媒体（磁性膜）を作製する無電解め
つき浴に関するものである。
近年、高密度磁気記録体として記憶媒体がめつ
き法により作製されためつき磁気デイスク、めつ
き磁気テープなどが用いられ始めた。磁気記憶装
置は記録再生ヘツドおよび記録媒体の主構成部か
ら構成され、要求される記録密度、記録再生速度
などにより使用されるヘツドの性能及び記憶媒体
の特性が決定される。記録密度及び出力は同一ヘ
ツドを用いる場合、記憶媒体の膜厚（δ）及び磁
気特性としての保磁力（Hc）及び残留磁束密度
（Br）により決まり、次の様な関係がある。
き法により作製されためつき磁気デイスク、めつ
き磁気テープなどが用いられ始めた。磁気記憶装
置は記録再生ヘツドおよび記録媒体の主構成部か
ら構成され、要求される記録密度、記録再生速度
などにより使用されるヘツドの性能及び記憶媒体
の特性が決定される。記録密度及び出力は同一ヘ
ツドを用いる場合、記憶媒体の膜厚（δ）及び磁
気特性としての保磁力（Hc）及び残留磁束密度
（Br）により決まり、次の様な関係がある。
（記録密度）∝（Hc／Br・δ）1/2 (1)
（出力）∝（Br・δ・Hc）1/2 (2)
従つて要求される記録密度及び出力に適する磁
性膜を安定に得るためには磁性膜のHc、Br及び
δを一定の許容されうる範囲内に保つ必要があ
る。
性膜を安定に得るためには磁性膜のHc、Br及び
δを一定の許容されうる範囲内に保つ必要があ
る。
ところが無電解めつき浴を用いて磁性膜を作製
する場合、同一浴組成で無電解めつき浴を調製し
ても使用する薬品の実際上管理不可能なわずかな
純度の差異等の影響により得られる磁気特性は作
製浴ごとに異なることが多く、常に目標とした特
性が得られるとは限らないという問題がある。
する場合、同一浴組成で無電解めつき浴を調製し
ても使用する薬品の実際上管理不可能なわずかな
純度の差異等の影響により得られる磁気特性は作
製浴ごとに異なることが多く、常に目標とした特
性が得られるとは限らないという問題がある。
また、無電解めつき浴使用開始初期に得られる
Hcの値は、めつき日数の経過（即ちめつき浴の
昇温、降温の繰り返し回数）とともに著しく変化
する現象がみられる。このためHcの値が許容さ
れる範囲（実用上の許容範囲としては±５％以
内）の磁性膜は一定のめつき浴から極く限られた
少ない数量しか得ることができないという問題が
ある。そして、ある一定組成で調整した無電解め
つき浴より得られる磁性膜の磁気特性を変化させ
ることは容易でない。電気めつき法の場合は電流
密度を変えることにより得られる磁気特性を容易
に変化せしめることができるが、無電解めつき法
では浴のPH、浴温などのめつき条件を大幅に変動
させる操作が必要であり、これらの操作は浴寿命
の低下、作業性の低下などを伴うことが多く実用
上問題がある。従つて所要の磁気特性の磁性膜を
得るにはその特性に応じて別個の無電解めつき浴
を開発しなければならないという問題があつた。
Hcの値は、めつき日数の経過（即ちめつき浴の
昇温、降温の繰り返し回数）とともに著しく変化
する現象がみられる。このためHcの値が許容さ
れる範囲（実用上の許容範囲としては±５％以
内）の磁性膜は一定のめつき浴から極く限られた
少ない数量しか得ることができないという問題が
ある。そして、ある一定組成で調整した無電解め
つき浴より得られる磁性膜の磁気特性を変化させ
ることは容易でない。電気めつき法の場合は電流
密度を変えることにより得られる磁気特性を容易
に変化せしめることができるが、無電解めつき法
では浴のPH、浴温などのめつき条件を大幅に変動
させる操作が必要であり、これらの操作は浴寿命
の低下、作業性の低下などを伴うことが多く実用
上問題がある。従つて所要の磁気特性の磁性膜を
得るにはその特性に応じて別個の無電解めつき浴
を開発しなければならないという問題があつた。
本発明の目的は、これらの問題点を改善して、
無電解めつき浴の全濃度を変化させることにより
磁気特性を制御して所要の特性を有する磁性膜を
得ることのできる無電解めつき方法は、コバルト
イオンおよびニツケルイオン、これら金属イオン
の還元剤、PH緩衝剤、PH調節剤、前記金属イオン
の錯化剤を含む水溶液からなるめつき浴の各成分
の比を一定に保ちながら全濃度を変化させること
を特徴としている。
無電解めつき浴の全濃度を変化させることにより
磁気特性を制御して所要の特性を有する磁性膜を
得ることのできる無電解めつき方法は、コバルト
イオンおよびニツケルイオン、これら金属イオン
の還元剤、PH緩衝剤、PH調節剤、前記金属イオン
の錯化剤を含む水溶液からなるめつき浴の各成分
の比を一定に保ちながら全濃度を変化させること
を特徴としている。
この様な無電解めつき浴において、めつき浴全
濃度を増加させるに従つてHcが増大し、まため
つき浴全濃度を減少させるに従つてHcが減少す
る傾向が見い出された。したがつて無電解めつき
浴の使用薬品の純度の差異等により使用開始初期
のHcの値が許容されうる範囲を越えた場合、あ
るいはめつき日数の経過によりHcの値が許容さ
れうる範囲を越えた場合、めつき浴全濃度を変化
させることによりHcの値を許容範囲に保つこと
ができる。以下、本発明による無電解めつき方法
の特徴を実施例により説明する。
濃度を増加させるに従つてHcが増大し、まため
つき浴全濃度を減少させるに従つてHcが減少す
る傾向が見い出された。したがつて無電解めつき
浴の使用薬品の純度の差異等により使用開始初期
のHcの値が許容されうる範囲を越えた場合、あ
るいはめつき日数の経過によりHcの値が許容さ
れうる範囲を越えた場合、めつき浴全濃度を変化
させることによりHcの値を許容範囲に保つこと
ができる。以下、本発明による無電解めつき方法
の特徴を実施例により説明する。
実施例 １
非磁性基板上に非磁性Ni―Ｐ層をめつきし、
その上に下記のめつき浴組成およびめつき条件に
てコバルト―ニツケル―リン合成磁性膜（膜厚
800Å）を形成した。
その上に下記のめつき浴組成およびめつき条件に
てコバルト―ニツケル―リン合成磁性膜（膜厚
800Å）を形成した。
めつき浴組成
硫酸コバルト（CoSO4・7H2O） 0.06mol／
硫酸ニツケル（NiSO4・7H2O） 0.04mol／
次亜リン酸ナトリウム（NaH2PO2・H2O）
0.20mol／ リンゴ酸ナトリウム（C2H3OH（COONa）2）
0.40mol／ マロン酸ナトリウム（CH2（COONa）2）
0.30mol／ コハク酸ナトリウム（Na2C4O4・6H2O）
0.50mol／ めつき条件 めつき浴のPH9.15（25℃の時）NH4OHでPH
調節 めつき浴の温度80℃ めつき時間35秒 上記組成のめつき浴を基準（100％）として組
成比は変えることなくめつき浴の全濃度を希釈ま
たは濃縮することにより76％から118％まで変化
させてHcの値のめつき浴濃度依存性を調べた結
果を第１図に示す。
0.20mol／ リンゴ酸ナトリウム（C2H3OH（COONa）2）
0.40mol／ マロン酸ナトリウム（CH2（COONa）2）
0.30mol／ コハク酸ナトリウム（Na2C4O4・6H2O）
0.50mol／ めつき条件 めつき浴のPH9.15（25℃の時）NH4OHでPH
調節 めつき浴の温度80℃ めつき時間35秒 上記組成のめつき浴を基準（100％）として組
成比は変えることなくめつき浴の全濃度を希釈ま
たは濃縮することにより76％から118％まで変化
させてHcの値のめつき浴濃度依存性を調べた結
果を第１図に示す。
第１図は横軸にめつき浴全濃度をとり、縦軸に
めつきされた磁性膜のHcをとつたものである。
全濃度が100％の時のHcは610Oeであり、全濃度
減少とともにほぼ直線的に減少し、全濃度76％で
はHcは465Oeとなる。また全濃度が増加すると
Hcは増加するが、全濃度112％にてHcが655Oe
に達した後はHcはやや減少する。この様にめつ
き浴全濃度を変化させることにより得られるHc
の値を制御することができた。
めつきされた磁性膜のHcをとつたものである。
全濃度が100％の時のHcは610Oeであり、全濃度
減少とともにほぼ直線的に減少し、全濃度76％で
はHcは465Oeとなる。また全濃度が増加すると
Hcは増加するが、全濃度112％にてHcが655Oe
に達した後はHcはやや減少する。この様にめつ
き浴全濃度を変化させることにより得られるHc
の値を制御することができた。
実施例 ２
実施例１と同様な方法でコバルト―ニツケル―
リン合金磁性膜の形成を行うが、めつき浴の寿命
に関しては次の様にして検討を行つた。非磁性基
板（20mm×10mm×２mm）に非磁性Ni―Ｐ層をめ
つきした後、実施例１の前記浴（めつき浴全濃度
100％）を用い、めつき時間35秒にて次々にめつ
きを繰り返した。１日目のめつき枚数が20枚に達
すると浴の温度を室温まで降温し、２日目に再び
浴の温度を80℃に昇温し21枚目から40枚目まで20
枚めつきを行い、以下同様にして１日20枚づつめ
つきを繰り返した場合のHcの変化を第２図に実
線で示す。これによると目標とするHcの値
600Oeにたいしめつき開始時のHcの値は605Oeで
あり、めつき枚数が増加するにしたがつてHcの
値は減少し、120枚めつきが終了した時点でのHc
の値は568Oeとなり、許容されうる範囲（Hc＝
600Oe±５％、即ち570〜630Oe）の下限を越え
てしまう。しかし、この時めつき浴全濃度を112
％に増加することによりHc＝612Oeとなり、Hc
の値を許容範囲内に戻すことができた。更にめつ
きを繰り返した場合のHcの変化を第３図に破線
で示す。めつき枚数が増加するにつれてHcの値
は若干減少した後増加し、280枚めつきが終了し
た時点でのHcの値は633Oeとなり許容されうる
範囲の上限を越えた。このため今度は浴全濃度を
97％に減少することによりHcを減少させてHc＝
580Oeの値とし、許容範囲内に戻すことができ
た。この後更にめつきを繰り返すことによりHc
の値が許容範囲を越えた場合も、めつき速度、め
つき膜の一様性等の問題が生じない限り、めつき
浴全濃度を変化させることによりHcの値を制御
して浴寿命の延長が可能であつた。
リン合金磁性膜の形成を行うが、めつき浴の寿命
に関しては次の様にして検討を行つた。非磁性基
板（20mm×10mm×２mm）に非磁性Ni―Ｐ層をめ
つきした後、実施例１の前記浴（めつき浴全濃度
100％）を用い、めつき時間35秒にて次々にめつ
きを繰り返した。１日目のめつき枚数が20枚に達
すると浴の温度を室温まで降温し、２日目に再び
浴の温度を80℃に昇温し21枚目から40枚目まで20
枚めつきを行い、以下同様にして１日20枚づつめ
つきを繰り返した場合のHcの変化を第２図に実
線で示す。これによると目標とするHcの値
600Oeにたいしめつき開始時のHcの値は605Oeで
あり、めつき枚数が増加するにしたがつてHcの
値は減少し、120枚めつきが終了した時点でのHc
の値は568Oeとなり、許容されうる範囲（Hc＝
600Oe±５％、即ち570〜630Oe）の下限を越え
てしまう。しかし、この時めつき浴全濃度を112
％に増加することによりHc＝612Oeとなり、Hc
の値を許容範囲内に戻すことができた。更にめつ
きを繰り返した場合のHcの変化を第３図に破線
で示す。めつき枚数が増加するにつれてHcの値
は若干減少した後増加し、280枚めつきが終了し
た時点でのHcの値は633Oeとなり許容されうる
範囲の上限を越えた。このため今度は浴全濃度を
97％に減少することによりHcを減少させてHc＝
580Oeの値とし、許容範囲内に戻すことができ
た。この後更にめつきを繰り返すことによりHc
の値が許容範囲を越えた場合も、めつき速度、め
つき膜の一様性等の問題が生じない限り、めつき
浴全濃度を変化させることによりHcの値を制御
して浴寿命の延長が可能であつた。
以上、実施例１、２で示された様に本発明によ
れば、コバルトイオンおよびニツケルイオン、こ
れら金属イオンの還元剤、PH緩衝剤、PH調節剤並
びに前記金属イオンの錯化剤を含む水溶液の各成
分比を一定に保ち全濃度を変化させることによ
り、Hcの値が許容されうる範囲を越えた場合Hc
の値を許容範囲内に保つことができる。
れば、コバルトイオンおよびニツケルイオン、こ
れら金属イオンの還元剤、PH緩衝剤、PH調節剤並
びに前記金属イオンの錯化剤を含む水溶液の各成
分比を一定に保ち全濃度を変化させることによ
り、Hcの値が許容されうる範囲を越えた場合Hc
の値を許容範囲内に保つことができる。
第１図は実施例１で用いためつき浴の全濃度と
Hcの関係を示す図、第２図は実施例１で用いた
全濃度100％の浴におけるめつき枚数によるHcの
変化および、全濃度に変化を加えた時以降のめつ
き枚数によるHcの変化を示す図である。
Hcの関係を示す図、第２図は実施例１で用いた
全濃度100％の浴におけるめつき枚数によるHcの
変化および、全濃度に変化を加えた時以降のめつ
き枚数によるHcの変化を示す図である。
Claims (1)
- １ コバルトイオンおよびニツケルイオン、これ
ら金属イオンの還元剤PH緩衝剤、PH調節剤並びに
前記金属イオンの錯化剤を含む水溶液からなるめ
つき浴を用いて行なう無電解めつきにおいて、そ
のめつき浴の各成分の水溶液中のモル濃度比を一
定に保ちながら、めつき浴に水分を加えて希釈す
るか水分を蒸発させて濃縮する操作によりめつき
浴の全濃度を変化させることによつて、得られる
磁性膜の保磁力の値を制御することを特徴とする
無電解めつき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10080281A JPH0229753B2 (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | Mudenkaimetsukihoho |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10080281A JPH0229753B2 (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | Mudenkaimetsukihoho |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS583963A JPS583963A (ja) | 1983-01-10 |
| JPH0229753B2 true JPH0229753B2 (ja) | 1990-07-02 |
Family
ID=14283519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10080281A Expired - Lifetime JPH0229753B2 (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | Mudenkaimetsukihoho |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0229753B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6251475B1 (en) | 1998-10-26 | 2001-06-26 | Agfa-Gevaert | Preparation of a magnetic layer |
| EP0997918B1 (en) * | 1998-10-26 | 2004-07-14 | Agfa-Gevaert | Preparation of a magnetic layer |
| RU2710611C1 (ru) * | 2018-06-29 | 2019-12-30 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский федеральный университет" | Способ получения металлических магнитных покрытий |
-
1981
- 1981-06-29 JP JP10080281A patent/JPH0229753B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS583963A (ja) | 1983-01-10 |
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