JPS61235570A - 無電解メツキ浴 - Google Patents
無電解メツキ浴Info
- Publication number
- JPS61235570A JPS61235570A JP7628985A JP7628985A JPS61235570A JP S61235570 A JPS61235570 A JP S61235570A JP 7628985 A JP7628985 A JP 7628985A JP 7628985 A JP7628985 A JP 7628985A JP S61235570 A JPS61235570 A JP S61235570A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating bath
- ethylene glycol
- electroless plating
- tartrate
- propylene glycol
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/32—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron
- C23C18/34—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron using reducing agents
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気ディスク等の磁気記録体に用いられる磁
気記憶媒体（磁性膜）をつくるための無電解メッキ浴に
関する。
気記憶媒体（磁性膜）をつくるための無電解メッキ浴に
関する。
磁気ディスク装置は、ファイル記憶装置としてコンピュ
ータシステムでの重要性が年々高まりつつあり、その高
速大容量化、小型低価格化を目標として磁気記憶媒体の
高記録密度化が要望されている。
ータシステムでの重要性が年々高まりつつあり、その高
速大容量化、小型低価格化を目標として磁気記憶媒体の
高記録密度化が要望されている。
それに応えるべく種々な改良がなされてきたが、従来の
７− Ｆ’ｓ、Ｏ，塗布の媒体では、高記録密度化技術
が限界に近づき、その結果、高記録密度化が容易に得ら
れる無’ａｐｌ＃メッキによる金ｍｕ膜媒体を有する磁
気ディスクが開発されつつある。
７− Ｆ’ｓ、Ｏ，塗布の媒体では、高記録密度化技術
が限界に近づき、その結果、高記録密度化が容易に得ら
れる無’ａｐｌ＃メッキによる金ｍｕ膜媒体を有する磁
気ディスクが開発されつつある。
磁気ディスクの磁性膜を高記録密度化するためには、磁
性膜の薄膜化、高保磁力化、高角形比化および薄膜化に
伴なう出力の低下を補うための高残留磁束密度化が８喪
であるが、無Ｘ％メッキ法では、これらの条件をかね具
えたコバルト合金磁性膜を均一の厚さに多重生友するこ
とが出来るとされている。しかし、製品ｔ−ｍ産するた
めには、メッキ浴のｐＨ１その他の条件の僅かの差によ
って磁性族の保磁力（以下Ｈｅというλ角形比（以下Ｂ
ｒ／Ｂｓという）郷が変化せず、高位（Ｈｅが高（、Ｂ
ｒ／ＢｓがＩＫ近い）において安定した磁性膜が得られ
ることが必要である。
性膜の薄膜化、高保磁力化、高角形比化および薄膜化に
伴なう出力の低下を補うための高残留磁束密度化が８喪
であるが、無Ｘ％メッキ法では、これらの条件をかね具
えたコバルト合金磁性膜を均一の厚さに多重生友するこ
とが出来るとされている。しかし、製品ｔ−ｍ産するた
めには、メッキ浴のｐＨ１その他の条件の僅かの差によ
って磁性族の保磁力（以下Ｈｅというλ角形比（以下Ｂ
ｒ／Ｂｓという）郷が変化せず、高位（Ｈｅが高（、Ｂ
ｒ／ＢｓがＩＫ近い）において安定した磁性膜が得られ
ることが必要である。
一般に無電解メッキによって磁性族の特性を安定させる
には、製造条件が微妙で浴管理の困難さがめった。
には、製造条件が微妙で浴管理の困難さがめった。
この問題を解決するものとして、 Ｃｏイオ７％Ｎ＋イ
オン、これら曽属イオンの還元剤、ｐＨ緩衝剤を溶解し
た公知の水溶液に％錯化剤としてリンゴ酸塩、コハク酸
塩、マロン酸塩の３種Ｍ（金属表面技術、Ｖｏ１３３、
Ｎｏ９．１９８２）、或いはリンゴ酸塩、コハク酸塩の
２極類（特開昭５５−９４４６８）を添加した無電解メ
ッキ浴が提案されている。
オン、これら曽属イオンの還元剤、ｐＨ緩衝剤を溶解し
た公知の水溶液に％錯化剤としてリンゴ酸塩、コハク酸
塩、マロン酸塩の３種Ｍ（金属表面技術、Ｖｏ１３３、
Ｎｏ９．１９８２）、或いはリンゴ酸塩、コハク酸塩の
２極類（特開昭５５−９４４６８）を添加した無電解メ
ッキ浴が提案されている。
ところで、上記無電解メッキ浴を用いることにより、得
られる磁性族の特性は大幅に改良され九が、例えば）ｉ
ｃ：６００〜６５００ｅで未だ満足なものでなかった。
られる磁性族の特性は大幅に改良され九が、例えば）ｉ
ｃ：６００〜６５００ｅで未だ満足なものでなかった。
そのため、さらにＨｅ％Ｂｒ／Ｂｓ等が高く、管理容易
な無電解メッキ浴が求められている。
な無電解メッキ浴が求められている。
本発明は上記の事情に鑑み、ｐＨ％換厚依存性が少なく
、浴管理が容易で、Ｈｅ、 Ｂｒ／Ｂｓ等の特性が高位
で安定して得られる無電解メッキ浴を提供することを目
的とする。
、浴管理が容易で、Ｈｅ、 Ｂｒ／Ｂｓ等の特性が高位
で安定して得られる無電解メッキ浴を提供することを目
的とする。
本発明者等は上記の問題点を解決すべく鋭意研究した結
果、優れた特性の磁性膜が安定して得られる錯化剤を発
見するに至った。
果、優れた特性の磁性膜が安定して得られる錯化剤を発
見するに至った。
本発明は上記の発見に基づいてなされたもので、その要
旨は、コバルトイオン、ニッケルイオン、これらの金属
の還元剤、ｐＨ緩衝剤および所定のｐＨに保持するｐＨ
論贅剤を含む水溶液に、上記金属イオンの錯化剤として
酒石酸塩、グルコン酸塩、エチレングリコールおよび／
又はプロピレングリコールを同時に含有する無電解メッ
キ浴におる。
旨は、コバルトイオン、ニッケルイオン、これらの金属
の還元剤、ｐＨ緩衝剤および所定のｐＨに保持するｐＨ
論贅剤を含む水溶液に、上記金属イオンの錯化剤として
酒石酸塩、グルコン酸塩、エチレングリコールおよび／
又はプロピレングリコールを同時に含有する無電解メッ
キ浴におる。
本発明に係る無１！解メツキ浴は、錯化剤を除いて公仰
の処方のものが用いられる。すなわち、Ｏ。
の処方のものが用いられる。すなわち、Ｏ。
イオンとしては、硫酸コバルト（Ｏｏ ８０４・７Ｈ，
Ｏ）’ ： ０．０７〜０．０９ｒｎｏｌ／ｌ、 Ｎ
ｔイオンとしては、硫酸ニッケル（Ｎ＋ＳＯ，・７Ｈ！
Ｏ）： ０．０１〜０．０３ｍｏｌ／ｌ・還元剤とし
ては、次亜リン酸ナトリウム（ＮａＨ！ＰＯｔ 、Ｈρ
） ： ０．１ 〜０．３ ｍｏｌ／１％ ｐ
Ｈ緩Ｗｉ斎にしては、硫酸アンモニウム（（Ｎ）ｉρ！
ＳＯ番）；０．２〜０．６ｍｏｌ／１％ｐＨ１Ａｕ剤と
しては、水酸化アンモニウム（ＮＨ，ＯＨ）が適業用い
られる。上記Ｃｏイオン、Ｎｌイオンは、その合計濃度
が０．１ｎ１ｏ１／ｌとなるように上記範囲で適宜処方
される。
Ｏ）’ ： ０．０７〜０．０９ｒｎｏｌ／ｌ、 Ｎ
ｔイオンとしては、硫酸ニッケル（Ｎ＋ＳＯ，・７Ｈ！
Ｏ）： ０．０１〜０．０３ｍｏｌ／ｌ・還元剤とし
ては、次亜リン酸ナトリウム（ＮａＨ！ＰＯｔ 、Ｈρ
） ： ０．１ 〜０．３ ｍｏｌ／１％ ｐ
Ｈ緩Ｗｉ斎にしては、硫酸アンモニウム（（Ｎ）ｉρ！
ＳＯ番）；０．２〜０．６ｍｏｌ／１％ｐＨ１Ａｕ剤と
しては、水酸化アンモニウム（ＮＨ，ＯＨ）が適業用い
られる。上記Ｃｏイオン、Ｎｌイオンは、その合計濃度
が０．１ｎ１ｏ１／ｌとなるように上記範囲で適宜処方
される。
また、本発明の生体である錯化剤の組合わせは、樵々探
索の結果得られたもので、酒石酸塩、グルコン酸塩、エ
チレングリコールおよび／又はプロピレングリコールｔ
−同時に使用するものでおる。
索の結果得られたもので、酒石酸塩、グルコン酸塩、エ
チレングリコールおよび／又はプロピレングリコールｔ
−同時に使用するものでおる。
これら錯化剤は、酒石酸塩をベースとして使用さ几る。
各成分の配合＃度および酒石散塩濃度（ｒｌｏｌ／Ａ）
に対するグルコン酸塩、エチレングリ；−ルおよヒ／又
はプロピレンクリコールのモル比を累１表に示した。
に対するグルコン酸塩、エチレングリ；−ルおよヒ／又
はプロピレンクリコールのモル比を累１表に示した。
第 １ 表
したがって、酒石酸塩に対するモル比をきめれハ、グル
コン酸塩、エチレングリコールおよヒ／又はプロピレン
グリコールの添加＃に度は定まる。
コン酸塩、エチレングリコールおよヒ／又はプロピレン
グリコールの添加＃に度は定まる。
但し、各錯化剤の配合濃度は第１表の範囲を外れてはな
らない。また、酒石酸塩、グルコン酸塩は、通常Ｎａ塩
又はに塩が使用される。
らない。また、酒石酸塩、グルコン酸塩は、通常Ｎａ塩
又はに塩が使用される。
上記処方による無を解メッキ浴は、ｐＨ：９．０〜９．
８、温贋ニア０〜９０Ｃで使用され、またｐＨ緩衝剤で
おる（ＮＨ４）、ＳＯ，は０．２〜０．６ ｍｏｌ
／Ａの範囲が用いられる。ｐＨ： ９．０未満では、生
成する磁性膜のＨｅ 、 Ｂｒ／Ｂａが共に低下し、（
ＮＨａ）ｔｓＯ＋の濃度が０．３ ｍｏｌ ／を未満で
はＨｅが低下する。また、ｐＨが９．８、或いはＣＮＨ
４）！８０４が０．６ ｍｏｌ ／２を越える範囲は必
要がない。また、膜厚は温度が一定でおれは、１０００
．１１４度までは浸漬する時間にほぼ比例して厚くなる
が、本発明においては７５０±４５Ａを目標とする。温
度が７０℃未満ではメッキするのに時間がかかシ、９０
℃を越えると早すぎて管理が困難となる。
８、温贋ニア０〜９０Ｃで使用され、またｐＨ緩衝剤で
おる（ＮＨ４）、ＳＯ，は０．２〜０．６ ｍｏｌ
／Ａの範囲が用いられる。ｐＨ： ９．０未満では、生
成する磁性膜のＨｅ 、 Ｂｒ／Ｂａが共に低下し、（
ＮＨａ）ｔｓＯ＋の濃度が０．３ ｍｏｌ ／を未満で
はＨｅが低下する。また、ｐＨが９．８、或いはＣＮＨ
４）！８０４が０．６ ｍｏｌ ／２を越える範囲は必
要がない。また、膜厚は温度が一定でおれは、１０００
．１１４度までは浸漬する時間にほぼ比例して厚くなる
が、本発明においては７５０±４５Ａを目標とする。温
度が７０℃未満ではメッキするのに時間がかかシ、９０
℃を越えると早すぎて管理が困難となる。
磁気ディスクをつくる場合には、通常非磁性体でめるＡ
／、円板に周知の無電解メッキにより非磁性のＨ５−Ｐ
メッキを施し、鏡面研磨したものを基板とする。これを
上記無電解メッキ浴に浸漬することにより、特性の優れ
た磁性膜が安定して得られる。
／、円板に周知の無電解メッキにより非磁性のＨ５−Ｐ
メッキを施し、鏡面研磨したものを基板とする。これを
上記無電解メッキ浴に浸漬することにより、特性の優れ
た磁性膜が安定して得られる。
磁性膜のＨｃは高過ぎてもよくなく、またＢ ｒ ／Ｂ
＊は轟然のことなから１に近い程よいが、本発明のメ
ッキ浴を用いることによｐ、）ｌｃ：８００±４ （ｌ
Ｕｅ、Ｊｒ／Ｂｓ：約０．８の特性の優れた磁性膜が
煩離な浴管Ｎを行なうことなく安定して得られる。
＊は轟然のことなから１に近い程よいが、本発明のメ
ッキ浴を用いることによｐ、）ｌｃ：８００±４ （ｌ
Ｕｅ、Ｊｒ／Ｂｓ：約０．８の特性の優れた磁性膜が
煩離な浴管Ｎを行なうことなく安定して得られる。
次に本発明に係る無電解メッキ浴の特徴を実施例によシ
説明する。
説明する。
〔実施例１〕
次亜リン酸ナトリウム ０．２ ｍｏｌ／Ｚ硫酸ア
ンモニウム ０．４ ｍｏｌ／ｌの水溶液に錯
化剤として 酒石酸ナトリウム ０．３ ｍｏｌ／ｌグルコ
ン酸ナトリウム ０．３ ｍｏｌ／ｌエチレンクリ
コール ０．１５ ｍｏｌ／Ａまたは、エチレング
リコールの代シに グロゼレングリコール ０．１５ ｍｏｌ／ｌを添加
し、ＮＨ番ＯＨによりてｐＨを９．０〜９．８の範囲の
間に種々調整して無電解メッキ浴とした。
ンモニウム ０．４ ｍｏｌ／ｌの水溶液に錯
化剤として 酒石酸ナトリウム ０．３ ｍｏｌ／ｌグルコ
ン酸ナトリウム ０．３ ｍｏｌ／ｌエチレンクリ
コール ０．１５ ｍｏｌ／Ａまたは、エチレング
リコールの代シに グロゼレングリコール ０．１５ ｍｏｌ／ｌを添加
し、ＮＨ番ＯＨによりてｐＨを９．０〜９．８の範囲の
間に種々調整して無電解メッキ浴とした。
また基板としては、非磁性体のＡ／、板上に非磁性Ｎｒ
−Ｐメッキを施し鏡面研磨して用いた。
−Ｐメッキを施し鏡面研磨して用いた。
この基板を、温度８０℃に保持した上記無電解メッキ浴
に浸漬し、厚さ８００Ａの磁性膜をメッキして、その特
性を調べた。結果を第１図に示す。
に浸漬し、厚さ８００Ａの磁性膜をメッキして、その特
性を調べた。結果を第１図に示す。
図より明らかなように、ｐＨ９，３〜９，６の範囲で、
Ｈｅ ＃ ８０００ｅ 、 Ｂｒ７８ｍ ＃ ０．８と
高く、安定シて本発明の目標値が得られる。
Ｈｅ ＃ ８０００ｅ 、 Ｂｒ７８ｍ ＃ ０．８と
高く、安定シて本発明の目標値が得られる。
〔実施例２〕
ｐＨを９．５とし、膜厚を４００〜１００ＯＡに徨々変
えた外は、実施例１と同じＫＬ、膜厚に対するＨｅ 、
Ｂｒ／Ｂｓの依存性を調べた。結果を第２図に示す。
えた外は、実施例１と同じＫＬ、膜厚に対するＨｅ 、
Ｂｒ／Ｂｓの依存性を調べた。結果を第２図に示す。
図よシ明らかなように、膜厚が５００〜１００ＯＡの範
囲で、安定して本発明の目標値が得られた。
囲で、安定して本発明の目標値が得られた。
〔実施例３〕
エチレングリコール、プロピレングリコール単独の代り
に、エチレングリコール： ０．０７５ ｍｏｌ／Ｚプ
ロピレングリコール： ０．０７５ｍｏｌ／ｌを同時に
用いた外は実施例１と同じＫしてｐＨ依存性を調べた。
に、エチレングリコール： ０．０７５ ｍｏｌ／Ｚプ
ロピレングリコール： ０．０７５ｍｏｌ／ｌを同時に
用いた外は実施例１と同じＫしてｐＨ依存性を調べた。
結果を第３図に示す。図より明らかなようにＨｅ、Ｂｒ
７８ｍは実施例１と＃景ぼ同じように、高位で安定して
いる。
７８ｍは実施例１と＃景ぼ同じように、高位で安定して
いる。
〔実施例４〕
エチレングリコール、フロピレンゲリコール単独の代り
にエチレングリコール： ０． Ｏ７５ｍｏｌ ／ｌ、
。
にエチレングリコール： ０． Ｏ７５ｍｏｌ ／ｌ、
。
プロピレングリコール； ０．０７５ ｍｏｌ ／ｌを
同時に用いた外は、実施例２と同じにして膜厚依存性を
調べた。結果を第４図に示す。図より明らかなようにＨ
ｅ 、 Ｂｒ／Ｂ−は実施例２と同じように高位で安定
している。
同時に用いた外は、実施例２と同じにして膜厚依存性を
調べた。結果を第４図に示す。図より明らかなようにＨ
ｅ 、 Ｂｒ／Ｂ−は実施例２と同じように高位で安定
している。
〔実施例５〕
ｐＨを９．５とし、ｐＨ＊＊剤の（ＮＨａ）ｔ８０＋の
濃度を０〜０．６ｍｏｌ／ｌの範囲に変動させた外は、
実施例１と同じにして、（ＮＨ４）！８０４の濃度に対
するＨｃ 、 Ｂｒ／Ｂａの値を調べた。結果を第５図
に示す。図よシ明かなように（ＮＨ４） ｔ ８０４ｅ
ｌｋ度が０２ｍｏｌ／Ｌ以上で、Ｈｅ 、Ｂｒ／Ｂｓは
高位で安定している。
濃度を０〜０．６ｍｏｌ／ｌの範囲に変動させた外は、
実施例１と同じにして、（ＮＨ４）！８０４の濃度に対
するＨｃ 、 Ｂｒ／Ｂａの値を調べた。結果を第５図
に示す。図よシ明かなように（ＮＨ４） ｔ ８０４ｅ
ｌｋ度が０２ｍｏｌ／Ｌ以上で、Ｈｅ 、Ｂｒ／Ｂｓは
高位で安定している。
〔実施例６〕
ｐＨを９．５とし、ｐＨ緩衝剤の（ＮＨ番）、８０番の
濃度をθ〜０．６ｍｏｌ／ｌの範囲に変動させた外は、
実施例３と同じにして（Ｎ）（＋）ｔｓＯ＋の濃度に対
するＨｅ 、Ｂｒ／Ｂｓの値を調べた。結果をｇｇ６図
に示す。
濃度をθ〜０．６ｍｏｌ／ｌの範囲に変動させた外は、
実施例３と同じにして（Ｎ）（＋）ｔｓＯ＋の濃度に対
するＨｅ 、Ｂｒ／Ｂｓの値を調べた。結果をｇｇ６図
に示す。
図より明かなように（ＮＨ４）ｔ８０４濃度が０．２ｍ
ｏｌ／を以上でＨｃ、 Ｂ「７８ｍは高位で安定してい
る。
ｏｌ／を以上でＨｃ、 Ｂ「７８ｍは高位で安定してい
る。
なお、上記実施例で得られた磁性膜は、従来のものに比
較して、いずれも清らかで光沢が６Ｄ表面の仕上がりが
良かった。また、錯化剤としてエチレングリコール、ま
たはプロピレングリコールのみを単独で用いた場合には
、よい結果が得られなかった。
較して、いずれも清らかで光沢が６Ｄ表面の仕上がりが
良かった。また、錯化剤としてエチレングリコール、ま
たはプロピレングリコールのみを単独で用いた場合には
、よい結果が得られなかった。
以上述べたように本発明に係るメッキ浴は、従来にない
優れた特性の磁性膜をつくることができ、かつｐＨ，膜
厚などに対する依存性が少ない。したがって、メッキ浴
管理が容易となシ、特性の優れた磁性ｉｔ−有する製品
が歩走りよく得られ、今後の磁気ディスクの生産に寄与
することが極めて大きいものである。
優れた特性の磁性膜をつくることができ、かつｐＨ，膜
厚などに対する依存性が少ない。したがって、メッキ浴
管理が容易となシ、特性の優れた磁性ｉｔ−有する製品
が歩走りよく得られ、今後の磁気ディスクの生産に寄与
することが極めて大きいものである。
第１図ないし第６図は、錯化剤として酒石酸塩、グルコ
ン酸塩にエチレングリコール、フロピレンゲリコールを
それぞれ単独または同時に添加した無電解メッキ浴を用
いてメッキした磁性膜のＨｃ。 Ｂｒ／Ｂ−を示すもので、第１図は、エチレングリコー
ルまたはプロピレングリコールをそれぞれ単独で用いた
場合のｐＨ依存性を示す図、第２図はエチレングリコー
ルまたはプロピレングリコールをそれぞれ単独で用いた
場合の膜厚依存性を示す図、第３図は、エチレングリコ
ールおよびプロピレングリコールを同時に使用した場合
ｐＨ依存性を示す図、第４図線エチレングリコールおよ
びプロピレングリコールを同時に使用した場合の膜厚依
存性を示す図、第５図は、エチレングリコール、プロピ
レングリコールをそれぞれ単独で使用した場合の（ＮＨ
４） ｚ８０＋ｍ度依存性を示す図、第６図は、エチレ
ングリコールおよびプロピレングリコールを同時に用い
た場合の（ＮＨ４）ｔｓＯａａ度依存性全依存性でおる
。 ９．０ ９．２ ９．４ ９．６ ９．８
（ＰＨ） 月】１４（バ） （ＰＨ） 繍４（λλ
ン酸塩にエチレングリコール、フロピレンゲリコールを
それぞれ単独または同時に添加した無電解メッキ浴を用
いてメッキした磁性膜のＨｃ。 Ｂｒ／Ｂ−を示すもので、第１図は、エチレングリコー
ルまたはプロピレングリコールをそれぞれ単独で用いた
場合のｐＨ依存性を示す図、第２図はエチレングリコー
ルまたはプロピレングリコールをそれぞれ単独で用いた
場合の膜厚依存性を示す図、第３図は、エチレングリコ
ールおよびプロピレングリコールを同時に使用した場合
ｐＨ依存性を示す図、第４図線エチレングリコールおよ
びプロピレングリコールを同時に使用した場合の膜厚依
存性を示す図、第５図は、エチレングリコール、プロピ
レングリコールをそれぞれ単独で使用した場合の（ＮＨ
４） ｚ８０＋ｍ度依存性を示す図、第６図は、エチレ
ングリコールおよびプロピレングリコールを同時に用い
た場合の（ＮＨ４）ｔｓＯａａ度依存性全依存性でおる
。 ９．０ ９．２ ９．４ ９．６ ９．８
（ＰＨ） 月】１４（バ） （ＰＨ） 繍４（λλ
Claims (3)
- （１）コバルトイオン、ニッケルイオン、これらの金属
イオンの還元剤、ｐＨ緩衝剤および所定のｐＨに保持す
るｐＨ調整剤を含む水溶液に、上記金属イオンの錯化剤
として酒石酸塩、グルコン酸塩、エチレングリコールお
よび／又はプロピレングリコールを同時に含有すること
を特徴とする無電解メッキ浴。 - （２）ｐＨ緩衝剤が硫酸アンモニウムで、その濃度が０
．２〜０．６ｍｏｌ／ｌである特許請求の範囲第１項記
載の無電解メッキ浴。 - （３）ｐＨが９．０〜９．８である特許請求の範囲第１
項又は第２項記載の無電解メッキ浴。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7628985A JPS61235570A (ja) | 1985-04-10 | 1985-04-10 | 無電解メツキ浴 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7628985A JPS61235570A (ja) | 1985-04-10 | 1985-04-10 | 無電解メツキ浴 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61235570A true JPS61235570A (ja) | 1986-10-20 |
Family
ID=13601164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7628985A Pending JPS61235570A (ja) | 1985-04-10 | 1985-04-10 | 無電解メツキ浴 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61235570A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63264883A (ja) * | 1987-04-22 | 1988-11-01 | Honda Motor Co Ltd | コネクタの嵌合状態検出装置 |
-
1985
- 1985-04-10 JP JP7628985A patent/JPS61235570A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63264883A (ja) * | 1987-04-22 | 1988-11-01 | Honda Motor Co Ltd | コネクタの嵌合状態検出装置 |
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