KR970000148B1 - Co-Ni-P 합금 자성막 제조방법 - Google Patents

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삼성전자 주식회사
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Abstract

내용 없음.

Description

Co-Ni-P 합금 자성막 제조방법
제1도는 본 발명에서 Ti 이온 농도 변화에 따른 보자력 및 자성막 두께의 변화를 비교한 그래프로서,
그래프(1)은 Ti 이온 농도 변화에 따른 보자력 변화 그래프.
그래프(2)는 Ti 이온 농도 변화에 따른 도금층 두께의 변화 그래프.
본 발명은 컴퓨터용 하드디스크에 형성되는 Co-Ni-P 합금 자성막의 제조방법에 관한 것으로 특히, 무전해도금방식에 의한 자성막 제조시 자성막의 자기특성 즉, 보자력을 안정적으로 유지 또는 향상시킴과 동시에 도금되는 자성막의 두께를 적정하게 유지하기 위하여 도금욕(鍍金浴)중에 미량의 첨가원소를 함유시키는 것이다.
일반적으로 무전해도금을 이용한 자기디스크의 자성막 제조시 요구되는 기록밀도 및 출력에 적합한 자성막을 얻기 위해서는 도금되는 자성막 즉 도금층이 두께 및 보자력, Hc를 일정 허용범위내에서 유지할 필요가 있는데 어떤 경우엔 사실상 관리가 불가능한 시약의 순도차이 등의 영향에 따라 보자력 허용범위인 650Oe±5%(618~682Oe)의 하한값에 미치지 못하는 경우가 발생하며 또, 무전해도금욕이 일정조성에서 만들어짐에 따라 자성막의 자기특성변화가 용이하지 않다는 문제점이 발생하며 자기특성을 변화시키기 위하여 도금욕의 PH, 온도 등의 도금조건을 크게 변동시키는 경우 욕(浴)수명이 저하되며 이에 따라 작업성이 저하되므로 원하는 자기특성을 갖는 자성막을 얻고자 하는 경우 그 특성에 대한 각각의 무전해도금욕을 개발해야만 한다는 문제점이 제기되었다.
본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 통상의 무전해도금욕에 미량의 Ti 이온을 첨가하므로써 원하는 특성을 갖는 자성막을 얻고자 하는데 목적이 있다.
본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명은 도금용액의 구성성분으로서 Co 금속 이온을 얻기 위한 CoCl27H2O (염화코발트수용액)과 Ni 금속 이온을 얻기 위한 NiCl27H2O (염화니켈수용액)을 사용하고 상기 금속의 환원제로 NaH2PO2H2O (차아인산나트륨수용액)을 사용하고 상기 금속 이온이 착화제로 Na3C6H5O72H2O (구연산) 및 C2H3OH(COONa)2(사과산)을 사용하며 그외 PH조절 및 완충제로서 NH4Cl (염화암모늄)을 사용하는 통상의 무전해도금욕에 농도가 3×10-5~4.5×10-4mol/ℓ 인 Ti 이온을 첨가한 후 Al 합금 기판에 형성된 Ni-P 하지층 표면을 통상의 도금조건에서 무전해도금한다.
이와 같은 본 발명의 효과로는 미량의 Ti 이온 첨가로 인해 도금층의 적정두께(500~800Å)를 유지함과 동시에 자기특성을 안정적으로 유지 또는 향상시킬 수 있기 때문에 원하는 자기특성을 갖는 자성막을 얻을 수 있다는 잇점이 있다.
[실시예]
본 발명을 좀더 명확히 설명하기 위하여 본 발명에 따른 실험을 실시하였는바 먼저 Al 합금으로 이루어진 비자성 기판을 탈지, 세척, 산세 및 세척하고 2회에 걸쳐 아연산염(zincate)처리한 다음 상기 기판상에 Ni-P 하지층을 도금한 후 다음과 같은 조성의 도금욕에서 일정한 도금조건으로 도금하여 Co-Ni-P 합금 자성막(두께=500Å)을 형성하였다.
-도금욕 조성-
COCl27H2O(염화코발트수용액) : 0.05~0.08mol/ℓ
NiCl27H2O(염화니켈수용액) : 0.03~0.1mol/ℓ
NaH2PO2H2O(차아인산나트륨수용액) : 0.05~0.2mol/ℓ
NH4Cl(염화암모늄) : 0.2~0.5mol/ℓ
C2H3OH(COONa)2: 0.5mol/ℓ
Na3C6H5O72H2O(구연산) : 0.08~0.12mol/ℓ
Ti산 나트륨 : 0~4.5×10-4mol/ℓ
* 도금조건
도금욕의 PH=8.5~9.0
온도=80~85℃
V/A=50Cm
PH조절제=NH4OH (수산화암모늄)
도금시간=25초
상기 도금시 도금욕에 첨가되는 Ti 이온의 농도 변화에 따른 보자력이 변화를 다음 표 1에 나타내었다.
Figure kpo00001
상기 표 1에서 알 수 있듯이 Ti 이온을 첨가하지 않은 경우 보자력값은 650Oe 인데 어떤 경우엔 사실상 관리가 불가능한 시약의 순도차이 등의 영향에 의하여 허용범위(He=650Oe±5%, 즉 618-682Oe)의 하한값에 못미치는 605Oe를 나타내었다.
이때에 Ti 이온을 5.5×10 mol/ℓ의 농도로 첨가함에 따라 Hc는 640Oe가 되고 Hc의 값을 허용범위내에서 유지할 수 있다.
이 점을 기점으로 첨가되는 Ti 이온 농도의 증가에 따라 Hc값이 점차적으로 증가되어 Ti 이온 농도가 4.5×10 mol/ℓ 인 지점에서 860Oe가 되었다.
한편 Ti 이온 농도 변화에 따른 보자력의 변화와 도금되는 자성막 두께 즉 도금층의 변화를 비교한 그래프를 제1도에 도시하였는바, 상기 제1도의 그래프(1)에 따르면 Ti 이온 농도가 5.5×10 mol/ℓ 이 되는 점으로부터 Ti 이온 농도가 높아짐에 따라 보자력값은 지속적으로 증가하고 도금되는 자성막 즉 도금층 두께도 적정두께인 500Å~800Å 범위내에서 유지되는데 Ti 이온 농도가 4.5~10 mol/ℓ 되는 지점부터 도금이 억제되기 시작하여 첨가되는 Ti 이온 농도가 6×10 mol/ℓ 되는 지점부터는 적정 자성막 두께의 하한값인 500Å 이하로 떨어짐을 알 수 있다.
이 결과 적정한 보자력값과 도금되는 자성막 두께, 즉 도금층의 적정치를 동시에 만족하기 위한 Ti 이온 농도값의 범위는 5.5×10 ~4.5×10 mol/ℓ 이 적당하다는 것을 알 수 있다.

Claims (1)

  1. 무전해도금을 이용한 하드디스크의 Co-Ni-P 합금 자성막 제조에 있어서 통상의 무전해도금욕에 5.5×10-5~4.5×10-4mol/ℓ 농도의 Ti 이온을 첨가하는 것을 특징으로 하는 Co-Ni-P 합금 자성막 제조방법.
KR1019880011727A 1988-09-10 1988-09-10 Co-Ni-P 합금 자성막 제조방법 KR970000148B1 (ko)

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