JPH0248981B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気デイスク、磁気ドラム等の磁気記
録体に関し、更に詳述すると非磁性被膜として銅
含有量が30〜55％（重量％、以下同じ）、リン含
有量が４〜10％のニツケル−銅−リン無電解めつ
き被膜を形成した磁気記録体の製造方法に関す
る。 〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕 従来、磁気デイスク等の磁気記録体を製造する
場合、アルミニウム等の非磁性基体上に非磁性被
膜を形成し、更にその上に磁性被膜を形成するこ
とが行なわれており、非磁性被膜としては比較的
リン含量の高いニツケル−リン（Ni−Ｐ）無電
解めつき被膜が広く用いられている。 このNi−Ｐ無電解めつき被膜は次亜リン酸塩
を還元剤とする無電解ニツケルめつき液から折出
されることにより得られるもので、折出した状
態、或いはこれを室温下に保持したままの状態に
おいては非磁性であるが、このNi−Ｐ無電解め
つき被膜を200〜300℃以上に加熱すると磁性を帯
びる問題がある。従つて、磁気記録体の製造にお
いて、無電解ニツケルめつき液から折出された非
磁性のNi−Ｐ被膜がその後室温下にずつと保持
されるか、或いは加熱されるとして200℃以下、
でき得れば100℃以下の温度に加熱されるなら大
きな支障はないが、磁気記録体を製造する場合、
磁性被膜を形成するなどのためにスパツタリング
法を採用することが多く、このため非磁性のNi
−Ｐ無電解めつき被膜は200℃以上の高温に曝さ
れ、製造を帯びて磁気記録体の性能を損なう問題
が生じる。それ故、Ni−Ｐ無電解めつき被膜の
リン含有量を10％以上として磁性化をできるだけ
防止する対策も講じられているが、10％以上の高
リン含有量のNi−Ｐ無電解めつき被膜も、磁性
の程度が低リン含有量の被膜よりも小さいとして
も上記温度で同様に磁化されることに変わりはな
く、しかも10％以上の高リン含有量のNi−Ｐ無
電解めつき被膜を安定して得ることは困難であ
る。 また従来、磁気記録体の非磁性被膜として突起
物の生成を少なくする目的でNi−Cu−Ｐ無電解
めつき被膜を形成することは知られている（特開
昭56−51024号公報）が、この公報に記載された
Ni−Cu−Ｐ被膜の銅含有量は65％より高く、ま
たこのように銅含有量が高いのでめつきが実質的
に進行しないものである（実施例１）か、又は銅
含有量が１％以下のもの（実施例２）であり、後
述する実験の結果からも明らかなように、銅含有
量が65％より多いものは加熱した際に被膜が酸化
し易く、密着性にも問題があつて、200℃以上の
高温に曝す場合には実用的でなく、また銅含有量
が１％以下の場合には加熱により磁性を帯びるも
ので、従来Ni−Cu−Ｐ無電解めつき被膜は、例
えば特開昭56−124118号公報で加熱により磁性が
発生する非磁性基板に分類されているように、加
熱により磁性が生じるとされていたものである。 本発明は上記問題を解決したもので、加熱によ
り磁性を帯びることがなく、また密着性に優れた
非磁性被膜を有する磁気記録体の製造方法を提供
することを目的とする。 〔課題を解決するための手段及び作用〕 本発明者らは、上記事情に鑑み、高温下に曝さ
れても磁化されることがなく、非磁性状態に安定
して保持される非磁性被膜につき鋭意研究を行な
つた結果、銅含有量が30〜55％、リン含有量が４
〜10％のニツケル−銅−リン（Ni−Cu−Ｐ）無
電解めつき被膜が400℃で１時間熱処理されても
磁性を全く帯びることがなく、めつき液から折出
されたままの被膜と同じ非磁性状態を保持し、ま
たこのように熱処理しても密着性が保持され、こ
のめつき被膜を非磁性被膜として形成した磁気記
録体がその性能を有効に発揮することを知見した
もので、このように銅含有量が30〜55％でリン含
有量が４〜10％のNi−Cu−Ｐ無電解めつき被膜
を磁気記録体の非磁性被膜として用いること、こ
の被膜が磁気記録体の製造途上においてスパツタ
リングを行なう場合に200℃以上、特に300℃以上
に加熱されても全く磁化されることがなく、性能
の優れた磁気記録体が得られるということは本発
明者らの新知見である。 従つて、本発明は、非磁性基体上に非磁性被膜
を形成し、この非磁性被膜上に磁性被膜を形成
し、かつ上記非磁性被膜形成後に300℃以上の雰
囲気下に置かれる磁気記録体の製造方法におい
て、前記非磁性被膜として銅含有量が30〜55重量
％、リン含有量が４〜10重量％のニツケル−銅−
リン無電解めつき被膜を形成し、上記300℃以上
の雰囲気下においても非磁性被膜を非磁性状態に
保持することを特徴とする磁気記録体の製造方法
を提供する。 以下、本発明につき更に詳しく説明する。 本発明の磁気記録体の製造方法は、非磁性基体
上に非磁性被膜を形成し、更にその上に磁性被膜
を形成したものにおいて、非磁性被膜としてNi
−Cu−Ｐ無電解めつき被膜を形成してなるもの
である。 ここで本発明においてNi−Cu−Ｐ被膜は銅含
有量が30〜55％であることが必要であり、銅含有
量が30〜55％のNi−Cu−Ｐ被膜を形成すること
により、加熱しても磁化されることのない非磁性
被膜が得られるものである。これに対し、銅含有
量が30％より低いもの、とりわけ10％より低いも
のは加熱により磁化され易く、本発明の目的が達
成されない。また、銅含有量が55％より多いも
の、とりわけ65％より多いものは加熱した際に被
膜が酸化し易く、密着性にも問題があり、均質な
被膜が得られないため、磁気記録体には使用し得
ない。なお、リンの含有量は４〜10％であり、特
に６〜８％とすることが好ましく、これにより良
好な非磁性被膜が得られる。 即ち、リン含有量を４％より低くする場合は
Ni−Cu−Ｐ無電解めつき被膜中の銅含有量が65
％より多いめつき被膜しか得られず、一方リン含
有量を10％より多くする場合は銅含有量が20％よ
り少ないめつき被膜しか得られないものであり、
上記リン含有量範囲を外れると、いずれも銅含有
量が30〜55％のNi−Cu−Ｐめつき被膜は形成さ
れないものである。従つて銅含有量が30〜55％の
Ni−Cu−Ｐめつき被膜を得るという点から少な
くともめつき被膜中のリン含有量は４〜10％であ
る必要がある。更に詳述すると、次亜リン酸塩を
還元剤とするNi−Ｐ無電解めつきにおいては、
一般に次亜リン酸塩の使用量銭多くをすればそれ
に応じてめつき被膜中のリン含有量が多くなる
が、三元のNi−Cu−Ｐ無電解めつきにおいては、
めつき被膜中のリン含有量のみが次亜リン酸塩の
使用量に直接的に対応しない。つまり、三元Ni
−Cu−Ｐ無電解めつきでは、めつき液中のニツ
ケル量と銅量との比率を一定にして次亜リン酸塩
を増減しても、得られるめつき被膜は、ニツケル
含有量と銅含有量の比率が一定でリン含有量のみ
が増減するものではなく、めつき被膜中のリン含
有量を多くするようにめつきすると、めつき被膜
中の銅含有量が低下し、逆にめつき被膜中のリン
含有量を少なくしようとすると、銅含有量が多く
なるものである。 このようなNi−Cu−Ｐ無電解めつき被膜を得
るためのめつき液としては、NiSO₄・6H₂O、
NiCl₂・6H₂O等のニツケルの水溶性塩と、
CuSO₄・5H₂O、CuCl₂・2H₂O等の銅の水溶性塩
と、NaHSPO₂・H₂O等の次亜リン酸塩と、錯化
剤と、更に必要によりpH調整剤、安定剤、その
他の添加剤を含有しためつき液が使用され得る。
この場合、ニツケルの水溶性塩の濃度は0.02〜
0.2モル／、銅の水溶性塩の濃度は0.002〜0.08
モル／、銅イオンのニツケルイオンに対するモ
ル比はニツケルイオン１モルに対し銅イオン0.1
〜0.4モル、特に0.2〜0.35モル、更に次亜リン酸
塩の濃度は0.1〜0.5モル／とすることが好まし
く、これにより本発明のNi−Cu−Ｐ被膜が確実
に形成される。なお、錯化剤としては、Ｏ−配位
のもの（例えば、酢酸、乳酸、クエン酸等の各種
有機酸、その塩）、Ｓ−配位のもの（例えば、チ
オグリコール酸、システイン）、Ｎ−配位のもの
（例えば、アンモニア、グリシン、エチレンジア
ミン）などが適宜使用され、その濃度は通常全金
属塩濃度に対し等モル以上である。また、めつき
液のmm²は８〜12とし、温度40〜90℃においてめつ
きすることが好ましい。 本発明において、前記Ni−Cu−Ｐ被膜の厚さ
は適宜選定され、通常0.1〜50μmであるが、本発
明の目的に対しては1μｍ以上、特に2μｍ以上が
好適である。 なお、本発明磁気記録体の製造に用いる非磁性
基体はアルミニウム板等の公知のものが使用で
き、またNi−Cu−Ｐ被膜（非磁性被膜）上に形
成される磁性被膜も公知のものでよく、その形成
方法も公知の方法が採用できる。更に磁性被膜上
には保護膜が形成できる。 この場合、本発明においては、これら磁性被
膜、保護膜の形成にスパツタリング法を採用した
り、或いは特開昭56−124118号公報にあるよう
に、加熱により磁性を発生する薄膜を形成し、こ
れを加熱して磁性被膜を形成するなど、非磁性被
膜（Ni−Cu−Ｐ被膜）の形成後に300℃以上の雰
囲気となる工程、製造法を常法にしたがつて採用
するものである。 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明によれば、非磁性
被膜として銅含有量が30〜55％、リン含有量が４
〜10％のＮ−Cu−Ｐ無電解めつき被膜を形成し
たので、この被膜が300℃以上に加熱されても全
く磁化されず、良好な非磁性状態を保持し、しか
も密着も良好に保持され、従つて本発明の磁気記
録体はその性能が良好に発揮される。 以下、下記の実験例により本発明非磁性被膜の
効果を具体的に説明する。 実験例 １ 硫酸ニツケル 0.05モル／ 硫酸銅 0.02 〃 次亜リン酸ナトリウム 0.3 〃 クエン酸ナトリウム 0.2 〃 ホウ砂 0.05 〃 安定剤 1ppm mm² 10 浴 温 70℃ 上記組成の無電解めつき液に常法により前処理
された銅板を浸漬し、10μｍのNi−Cu−Ｐ無電解
めつき被膜を形成した。なお、この被膜組成は
Ni46％、Cu49％、P5％であつた。 次に、この被膜を種々の温度で１時間熱処理
し、磁化の程度を調べた。 また、比較のため、リン含有量８％、９％及び
13％のNi−Ｐ無電解めつき被膜を同様に熱処理
した場合の磁化の程度を調べた。 結果を第１図に示す。なお、第１図において、
Ａは本発明のNi−Cu−Ｐ被膜、Ｂ，Ｃ，Ｄはそ
れぞれリン含有量８％、９％、13％のNi−Ｐ被
膜を示す。 第１図の結果より、本発明Ni−Cu−Ｐ被膜は
400℃で１時間熱処理されても全く磁化されてい
ないことが認められる。 実験例 ２ 硫酸ニツケル 0.05モル／ 硫酸銅 0.002〜0.01 〃 次亜リン酸ナトリウム 0.3 〃 クエン酸ナトリウム 0.2 〃 ホウ砂 0.05 〃 安定剤 1ppm mm² 10 浴 温 70℃ 上記組成の無電解めつき液に常法により前処理
された銅板を浸漬し、20μｍの第１表に示す組成
のNi−Cu−Ｐ無電解めつき被膜を形成した。 次に、この被膜を種々の温度で１時間熱処理
し、磁化の程度を調べた。 結果を第２図に示す。

【表】 第１表、第２表の結果から明らかなように、
Ni−Cu−Ｐ無電解めつき被膜の銅含有量が30％
以上であると加熱により殆んど磁化されないこと
が認められる。 実験例 ３ 硫酸ニツケル 0.05モル／ 硫酸銅 0.005〜0.05 〃 次亜リン酸ナトリウム 0.3 〃 クエン酸ナトリウム 0.2 〃 ホウ砂 0.05 〃 安定剤 1ppm mm² 10 浴 温 70℃ 上記組成の無電解めつき液に常法により前処理
し、次いで亜鉛置換後、青化銅ストライクめつき
を施したアルミニウム板（直径5.25インチ＝13.3
cm）を浸漬し、20μｍの第２表に示す銅含有量の
Ni−Cu−Ｐ無電解めつき被膜を得た（なお、リ
ン含有量４〜８％）。 次に、この被膜を300℃で３時間熱処理し、ク
ラツクの有無を目視により観察し、密着性を評価
した。結果を第２表に示す。 なお、クラツクは長さが１mm以下のものでも確
認できたものはクラツクありとした。

【表】 第２表の結果より、銅含有量が55％を越えると
クラツクが生じ、密着性上問題が生じるが、30〜
55％の銅含有量のNi−Cu−Ｐ無電解めつき被膜
は加熱によつてクラツクが生じることがなく、良
好な密着性が保持されることがわかる。 なお、銅含有量が55％を越える場合は被膜が酸
化する傾向を示し、特に銅含有量65％を越える場
合は熱処理による被膜の酸化がひどく、均質な被
膜が得られにくいため、磁気記録体には使用し得
ないことがわかつた。 従つて、以上の実験の結果から明らかなよう
に、銅含有量が30％より少ないと加熱により磁化
され易く、一方銅含有量が55％より多いと加熱に
より被膜が酸化され易いと共に、クラツクが生
じ、密着性に問題が生じるものであるが、銅含有
量30〜55％、リン含有量４〜10％のNi−Cu−Ｐ
無電解めつき被膜は、加熱により磁性を帯びるこ
とがなく、しかも密着性に問題を生じることがな
く、それ故、非磁性被膜としてかかるNi−Cu−
Ｐ無電解めつき被膜を形成した後、高温雰囲気に
曝す必要がある磁気記録体に有効に使用される。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明Ni−Cu−Ｐ被膜及び種々リン
含有量のNi−Ｐ被膜を熱処理した場合における
磁化の程度を示すグラフ、第２図は種々の銅含有
量のNi−Cu−Ｐ被膜を熱処理した場合における
磁化の程度を示すグラフである。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 非磁性基体上に非磁性被膜を形成し、この非
   磁性被膜上に磁性被膜を形成し、かつ上記非磁性
   被膜形成後に300℃以上の雰囲気下に置かれる磁
   気記録体の製造方法において、前記非磁性被膜と
   して銅含有量が30〜55重量％、リン含有量が４〜
   10重量％のニツケル−銅−リン無電解めつき被膜
   を形成し、上記300℃以上の雰囲気下においても
   非磁性被膜を非磁性状態に保持することを特徴と
   する磁気記録体の製造方法。