JPS62246145A - 無電解沈着磁気記録媒体法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

３、〔発明の１細４丁説明］ 本発明は一般的にいえば磁気記録媒体の製造法に関する
らので（する。さらに具体的にいえば、本発明は高い飽
和保磁）ｊ、数計されたヒステレシス・ループ・スクエ
アネス（１ｌｙｓｔｏｒＯ８ｉｓ　１０（ｌｐＳ（ｌＬ
ＩａｒＯｎＯ３ｓ）　、および高い残留磁気を含む磁気
記録性質の改善されたコバルト−燐被膜の無電解沈むに
向りられている。このｇｒ２にＪ３いて、本発明の重要
な一つの面は、コンピューターの応用にＪ３する使用に
特に適している改善された剛性メモリー・ディスクの製
造において、ニッケル−燐の非囁↑１被股上ヘコバル！
−−燐の磁性被膜を無電解沈ｎさせる方法に関係する。 磁気記録インパルス・メモリー・デバイスはコンピュー
ターおＪ：びデーター処理光にＪ３いて広く使用されて
いる。これらのフ゛バイスは−・般的には磁着物質薄膜
を沈着ざμた基板を含んでいる。 本発明は各種担持体上で磁気記録媒体を沈着させる応用
をしっているが、人記憶容ｄの剛性メ［リー・ディスク
の製造に対しＣ１−に右利な応用をもっている。 これらのディスクの磁気記録媒体についての必５Ｃｉ　
１１１項は！ｌ！ｗ的であり、ヘビににらば、それらの
表面上でのｔｌ’１報データデ−ターりおＪ、び：１１
出しは通′常は、ディスク表面にびっｌこりと近接しＣ
配置された浮動ヘッド中に支持されている磁気ｔＬｌｆ
ｉ器によって実施されるからである。この操作の出出し
段階にＪ３いて、磁気変換器は電流インパルスを両指向
性（ｂｉ［ｌ１ｒ（ＩＣｔｉＯｎａｌ）磁場に変換し、
その磁場は次に］パル１〜−ｇ４隅性肢躾の被膜中で磁
束の方向を局部的に変える。それに相当して、操作の読
取り段階においては、磁気媒体中の磁束反転は変換器に
よって電圧用カバターンへ転換される。 剛性メモリー・ディスクは、過去においては、アルミニ
・クムの表面をはじめに清浄化してぞれを、１１’　ｌ
ａ磁性被膜＾・１して受′Ｂ刊にし、その上でＪＩｌ性
のニッケル含イｊ層を無電解的に沈着さひ、その非磁性
層を拍）１化（１３Ｊ：び活性化してそれを繊ヤＬ　ｔ
５’ｉに幻して受容性にし、そして次いで、アン七ニア
含有浴中ぐコバル１−念イｊ無電解層を沈着ざＵること
によって、通常製）負されてさた。その後、そのディス
クを清浄化し、潤δ°ｌ剤またはぞの他の保訴被１模を
その磁性層−りに施用した。 これらのｖＬ＊法の手順Ｉユしばしば、…気媒体からに
り高い出力電圧を得るために５マイク［ｌインＪより大
きくさらには１０マイクロインチより人さい厚さでの磁
性被膜の沈着を含む。しかし、大いに改善されｌこ性１
ｊシははるかにＡ９い磁性被膜で以て得ることができる
。＋？ｌえぽ、２５，０００ピッ１−／インチの稈庶の
記録密庶は５マイク１゜１インチより薄い磁性膜で以て
（することができる。しかし、これらの被１１Ｑの厚み
の減少は…性媒体からの出力を減らづ。イの結果、これ
らの磁性薄膜は３００から１０００エルステツドまたは
それをこえる飽和保磁力、６０００から１０．０００ガ
ウスの範囲の残留磁気および改善されたヒス７レシス・
ループ・スクエアネス特竹、′！Ｊなわら、側面が実質
上垂直であるヒスプレシス・ループ、を含めた例外的な
磁気的性質を保有せねばならない。その上、これらのｌ
ａ竹被被膜通常（よ、ｐＨ″ＪＡ節剤１１３Ｊ、び浴安
定剤としてアンモニアを利用する浴から生成されるので
、浴自体はｐＨ調節の困難さ、浴の不安定性、および浴
中でのアンモニアの一定的補充の必要性、を特徴とづる
ものであった。さらに、これらのアンしニア安定化層（
よ有害な蒸気を発生しυ１気を必要とした。 本発明によると、高い飽和保磁力、改善されたヒスプレ
シス・ループ・スクエアネスおよび高い残留磁気を含め
た磁気記録性質が増強された高密１α磁気記憶ｊ“バイ
スを製）告Ｊる改良方法が１聞供される。本発明に従っ
てつくられる高密度磁気記憶デバイスは、ニッケル−燐
層がビットおよび他の表面欠陥を実質１含まない無°市
解の非磁性ニッケル−燐層ｊ’ｔ　工程と、それに続く
コバルト−燐沈着工程どの協同で以で処即され、後各の
工程にＪ３いて、コバルト−燐沈着は］パルトイＡン源
、次亜１Ｍイオン源、クエン酸イオン源、Δ′３にび低
分子量の浴可溶性アミノ酸を含む無電解めつき浴中で実
施される。好ましくは、例えばすトリウムまたはカリウ
１１の四硼酸１＝のような緩衝剤がコバルト−燐層′市
解めつぎ浴中で（を在する。 それゆえ、本発明の一般的ｌ］的は、］バルト−ｇ４磁
気記録媒体を製造する新規で改良された方法を提供する
ことである。 本発明のｂう一つの目的１よ、ニッケルニ燐非磁性層の
上へコバルト−燐ｖ１１性層を無電解的にめっきして、
高い飽和保磁ツバ改善されたヒスプレシス・ループ・ス
クエアネスおよび高い残留磁気を含めた改善された磁気
記録媒体を特徴とする記録デバイスを提供することであ
る。 本発明のもう一つの目的は無アンモニアの改良されたコ
バル１〜−燐層者法を提供することであり、その方法は
、特別な無電解のニッケル・燗沈着法ど几面的に使用し
て讐攻筈された磁気記録媒体を提供Ｊるのに独（！）の
適合４１をもっている。 本発明のらう一つの目的ｔよ無電解のニッケル−燐の非
磁性層をもちその土に］パル１〜−燐磁竹層を無電解的
に沈着させた改善された磁気記録媒体の製造方法を１ｊ
ｔ供することであり、その磁気記録媒体は３００エルス
デツドを実質ｌ−こえる飽和保磁力、実質的に改善され
たヒス−アレシス・ループ・スクエアネスＪ３よσ高残
留磁気値を特徴とするものである。 本発明のもう一つの［１的は、温１α、旧聞およびｐＨ
のＪ：うむ作業温度のみを調節す′ることによって３０
０から１０００エルステツドの選択された飽和保磁力を
特徴どするコバル（−一燐層を無電解的に沈着させる方
法を提供することである。 本発明のこれらおよびその他の目的は本発明の好ましい
置体化に関する以下の説明から明らかにムる。 一般的にいえば、本発明の化学的沈着または無電解めっ
きの側面は、例えばアルミニウム・ディスク、あるいは
例えば１マイラー」銘柄のプラスブーツク、ｔむわらポ
リ（Ｌブーレンチレフタレ−１・）のような適当なプラ
スチックで構成されるディスクまたはテープ、のような
適当な基板の上ヘニツケルー燐の非磁性合金を沈着させ
るのに特に適している。このニッケル−燐沈着工程には
、アン［ニアまたはアン′［ニア化化合物の使用を必要
どしない無電解沈着法によって、この非磁性層の上ヘコ
バルトー燐の磁性層を後沈着させることが続り１゜これ
らの手順は剛性メモリー・ディスクの製造に（１３いて
特に石川であり、その製造方法はｉ、Ｔ　ＩＩに述べる
けれどす１本発明の原ｌ！ｌｌ

【、１、テープ、ベルト
、ドラムＪ３　Ｊ、びその他の基板の表面上での磁気記
録媒体の沈着を含む、広範な磁気記録媒体への応用をも
っていること【、１子測される。 本発明の一つの１要な側面は、磁性のある無電解沈首の
：コバルト−燐層と、沈着１１）に非磁性でありかつ！
ＪＩ渇下ｌ＼露出のとさでしＪＩ（ａ　ｆ＋のままであ
るニッケル−燐層゛市解眉１、との独１’？のＷ調に関
Ｊ゛るらのである。この無電解のニッケル下層はさらに
、小突起Ｊ３　にびビットのにうな欠陥を含まない珍ら
しく平「１な表面を１４徴とする。本発明のこの特徴は
１テｊに重要であり、なぎならば、いかなる種類の剛性
ディスクの表面にＪ３いて−６一方弁の一インブをこえ
る不規則性はヘッドの破喰または欠陥記録の原因どなる
からである。 無電＠沈着のコバルト−燐磁性層はニッケル−燐層１ａ
　４’ｔ、　Ｋｔｊと協同して、３００から１０００エ
ルステツドＪ、Ｋｔｊそれをこえろ範囲の高い飽和保磁
力、８８から９５％またはそれ以上の範囲のヒステレシ
ス・ループ・スクエアネス、Ｊ３にび１０．０００ガウ
スの程度の八い残留磁気を特徴とする高品質記録媒体を
促供する。 木光１す１にＪ、る剛性メモリー・ディスクのＷＩＪ　
造は−・般的には、アルミニウムディスク表面の１ｊｌ
械加工、・ぞの表面からｈｈと酸化物を除くための清Ｉ
Ｔ化、この清浄化アルミニウム基板の％’Ａ１めっき、
その１への特別な）１゛磁性のニッケル−燐めつさ′、
好ましくは、そのニッケル−燐層のＴｉ１ｔ　Ｉｆ？　
ｄ３　Ｊ、び／また塾１面づくり、その表面のその後の
清１下化と活性化、イの−Ｌへのコバルト−燐磁性層の
無電解沈着とそれに続くそのコバルト−燐表面の消ｔＴ
ｌ化、おＪ、び任意的には、その上へのｉｌｉ滑剤また
は保護被膜の施用、を含めた製造品操作の連続的系ＩＩ
Ｊを含む。 これらの連続工程の各々は以下にさらに訂しく記）ホ　
リ゛　る　。 適当なアルミニウム）５板デイスク例えば５０８０アル
ミニウム合金で構成されるものを、はじめに滑らかに機
械加工し、ｈＶ！１溶剤で以て脱脂し、Ｊ１蝕刻性のア
ルミニウム清ｉｆ化剤で以て洗滌し蒸）Ｉ３水または脱
イオン水で以て完全にスサぐ。代表的に１よ、ディスク
の清浄化は、アルミニウムディスクを非理′Ｍｊ！！質
で非蝕刻性の液状アルカリ性Ｆ＋’１浮化剤の中に２分
から３分間１４０王から１６０°１：の温度においで浸
漬することにＪ：って実施される。処理したディスクの
ずＪぎは通常はディスクを蒸溜水または脱イオン水で約
３０秒またはそれ以上の間スプレーづることによ−）Ｃ
なされる。このアルカリ洗臓とυ゛Ｊぎの工程の次に（
よ、このようにして処理したディスクをＪｌ　ｆＭｉ刻
性で酸性の浸漬清浮化剤中で処理し、アルミニウム表面
が酸化物を含まないことを保証しかつ無電解ニッケル被
ＩＱの接着を最大にし、それによって被膜の防蝕性を最
適化させる。代表的には、この哉性情浮化瞭伯は１５０
丁から１７０下の温度において実施し、浸）１１１時間
は２分から６分であって、ａ３だやかな撹拌をｔｊなう
。 この酸漬ｆｌｌ化工程に続いて、蒸溜水Ｊ：たは脱イオ
ン水にＪ、６１回または２回のすづぎがｔｔｔ漿される
。 これらの清１化工程おＪ：び置板調製１］程の後、アル
ミニウムディスクを好ましくは亜鉛めっき処理にかけて
その上に亜鉛＠層を形成さしる。適当である亜鉛めっき
法は当業熟練省にとって明らかであり、一般的には調製
Ｌｔ根を適当な亜鉛めっき浴中で約３０秒問浸し゛Ｃ１
均買で薄り（１“なわら、約１．；−マイクロ−インチ
〉密な微粒状の亜鉛沈着物を生成させ、その際、アルミ
ニウム表面の蝕刻は最小である。このｉｌＩ鉛めっき法
は非磁性・無電解のニッケル−燐の最大接着力を保証す
る。 この初期の亜鉛めっき工程に続き、もし必要ならば、そ
の亜鉛被覆基板を蒸溜水また１、１脱イオン水のいずれ
かで以てすすぎ、次いで、ディスクを例えば硝酸のよう
な適当な酸の中に浸し続いて蒸溜水または脱イオン水で
以てさらにずずくことによる亜鉛面の突出部除去の操作
にかけ、ぞして次に、そのディスクを代表的には約７０
下から９０下の一度に保った適当なアルカリ性亜鉛めっ
き浴中で、約１０秒から３０秒の間、好ましくはおだや
かに撹拌しながら浸漬することににす、さらに亜鉛めっ
き■稈にかりて、０．２５から約０．７５マイク１〕イ
ンブ・の亜１Ｎ居をその上につくらＵる。 この亜鉛被覆基板は蒸溜水または脱イオン水で以てさら
にｔツぎにかけ、続いて任意的の中和工程によって前記
亜鉛めりぎ工程からの残留苛性をづ゛べて除去する。適
当である中和工程はこのＪ：うに処理したディスクを：
＋ｏｇ７ｇの屯炭酸す］〜リウムを含み室温で保った溶
液の中で約３０秒間浸漬することを含む。この中和工程
の次に（よさらに蒸溜水または脱イＡ゛ン水で以てＪり
ぎを行なう。 この亜鉛被覆アルミニウム基板ディスクはここで、ｕｔ
　Ｉ４ｉ性のニッケル−ｖ４層の無′７ｆｉ解電るにツ
ぐ使用−ぐきる。この魚に関しては、このディスクへ施
用される非磁性無電解のニッケル−燐沈着物があらゆる
表面欠陥を含まないことが千２２である。 本発明によると、この亜鉛被覆アルミニウム基板表面は
ニッケルイオン源、次亜燐酸イオン源、例えばカルボン
酸、硼酸または浴可溶性１１１１Ｍ塩のような適当な緩
衝剤、およびグルコヘプトン酸の゛［ステルｉ１１体、
を含有する無電解浴中で浸漬Ｊ゛る。この無゛占解めっ
き工程において利用できるグルコヘプトン酸の適当なニ
ス・チル錯体は、グル：１ヘプトン酸のシボ［Ｉン、タ
ングステンおよびｒリブデンの」−ステルから成るＩＹ
から選ばれるグルコヘプトン酸のエステル錯体を含む。 これらのエステル８１１体は広義にはオー１°シ酸をポ
リハイドリック（１＋ｏｌｙｌｉｙｄｒｉｃ）　Ｍまた
ハフ　）Ｌｒ　Ｊ　−）Ｌ／　（！ｌ：　反応すｕ　に
とにＪ５つで形成されるポリハイドリック化合物の１エ
ステル８１１体どして精微づすることができる。 これらの１］的に用いられるポリハイドリック酸または
アルコールは好ましくは分子あたり少くとも２個のヒト
１」ギシ基と約４個から約１５個の炭素原子どを含むノ
」ルボン酸またはアルコールである。 代表的なポリハイドリック化合物は酒石酸、グルコン酸
、またはグルコヘア１〜ン酸のような酸、あるいはマユ
１ヘール、２．３−ブタンジオールあるいは１，２．３
−プロパントリオールを含む。しかし、これらの各種の
ポリハイドリック化合物の中で、カルボン酸が一般的に
は好ましく、特に適当なポリハイドリックＭ４まグルコ
ヘブ］・ン酸である。 多価アルコール化合物と反応ざＵてエステル錯体を形成
することができるオキシ酸は一般的には硼素、タングス
テンおよび゛しリブデンのＪ：うな金属および非金属の
無機酸であり、ＶＡＭ、タングステン酸およびモリブデ
ン酸のにうなオキシ酸を形成ケる。しかし、使用できる
各種オキシ酸のうらで、七リブデン醇とＶＡｌｌｉ！Ｉ
は、それらがグルコヘプトン酸のＪ：うな好ましいポリ
ハイドリック酸でエステル化されてグルコヘプトン酸の
１５１素、モリブデンあるいはタングステンの土ステル
のような高度に好ましくかつ適当であるエステル錯体を
形成するときには１ｚ１別に、特に好ましい。 これらのエステル錯体（よポリエステル、すなわち、２
しルまたは２モル以上のオキシ酸を１モルの多価アルコ
ール化合物と反応さぼることにＪ：って形成されるエス
テル錯体、の形態にあってもよく、そしである場合にほ
ぞの形態にあることが好ましい。その種のポリエステル
の代表的な例とそしてまた特に好ましいエステル錯体の
例証は２モルの１−酸を１モルのグルコヘプトン酸と反
応させることによって形成されるグルコヘプトン酸のジ
ボロンエステルである。 前述のタイプのニッケル−燐の無電解めつき浴は、それ
らがε３から１２％の燐含品とそれに相当する９２から
８８％のニッケルＦａ度とをもつ非１０Ｍのニッケル−
煩沈着物を［；？供り゛るので、本発明においＣ使用す
るのに特に適している。その上、これらの浴は代表的に
は約４，１から４，８のｐＨにおいて代表的に１ま操作
され、好ましくは浴は約４．７のｐＨで保たれて高速の
めつき速度を提供し、その間、沈着したままで非磁性で
ありかつ熟成時にａ３いても磁性どならない無電解のニ
ッケル−燐比η物を提供する。 乙う一つの適当な非ｌｌ１ｌ性のニッケル−燐無電解沈
着９１３　（：Ｌ、式Ｒ（ＣＯＯＨ）、、（７）不飽和
カルボン酸またはそれの浴可溶性誘導体で式中にＪ３い
てＲが少くとも２個の炭素原子をもつ不飽和アル−１−
ル鎖でありかつ０が少くとも１であるもの、Ｊ３よσ次
亜ｖＡＭイオン源、おＪ、σニッケル源、を含む浴中て
゛ニック゛ルー燐の無電解法６を実／ＩＩ！ｌす゛るこ
とによって得ることができる。適当である不飽和カルボ
ン酸はア］ニット酸、シトラニ１ン酸、イタコン酸、お
Ｊ：びマレイン酸、並びにこの一般的分類に入りぞれら
と類似の性質と特徴をもつその他の酸を含む。王の上、
！！衝剤がこれらの別のニッケル−燐無電解浴中に含ま
れるのが好Ｊ、シい。この点に関しては、例えばＦｌｌ
’　Ｍ−酢酸す１−リウム系、１ｉ１酸−硼Ｍｊｑ系、
およびプロピオン酸−プロピオン酸塩系のＪ、うな慣習
的しノカルボン醇誘脣緩雨系を使用してよいが、めっき
ｎ１ｊｌｌＬに悪影響を及ぼりことなく燐沈着バーヒン
デージを増強ざＵることに特に関連するニッケル−燐の
これらの別途浴の最大効率は、緩衝剤が飽和フル１ルま
たは芳市族のポリカルボン酸および／またはそれの浴溶
解竹誘導体Ｃあるときに達成される。代表的に【ま、こ
れらの別途のニッケル浴は１６０下と２１２王（約１１
℃と１００℃）の間の温度において操竹される。 この方式にＪ３いては、ニッケル−燐沈着物は約９０％
のニッケル濃度と約１０％の燐含吊をもつＪ：う形成さ
れる。好ましくは、これらの浴は少くども約４．１、通
常Ｌ：ｉ：１１．５から４．８の程度の１）１１ぐ操ｆ
ｌされ、ぞれにＪ：っＣ高めっさ速瓜並びに１）「１述
の所望の非磁性持着をｌＪＩ！供する。 前記のニッケル−燐めつき・浴のいずれかの利用は、亜
鉛被覆アルミニウムフ゛イスクをその浴中に約０．７か
ら゛１ミル（約１７８から２！＋、４マイクロメートル
）の厚さをもつ沈着物を可ｆ１１にする十分な時間の酸
浸漬することににっ（通゛常なされる。 このＪ、・うにしくめっさ゛されたディスクを次に？Ｉ
ｌｌ　Ｉ！Ｉ：おＪ：び／Ｊ、たは面づくりの−Ｌ稈に
かけ、その際、ニッケル−燐層は約０．２から０．５ミ
ル（約７．６から１２．２マイク［１メートル）の厚さ
へ減らされる。 この点に関しては、沈着されたままのニッケル−燐層電
解層の厚さは、０．１から１．０ミルの所望のＰ７さを
もつ無電解ニッケル生成下層を生成させるＪ：うイｉ＋
　＋ｔｙづることによって変動が補（αされるかぎり、
変えることがでさる。 この１σ１磨工程に続いて、ニッケル−燐めっきディス
クを約３０秒間然溜水または脱イオン水の中で中ずざ、
次に通常はＪ３だやかへ醒またはアルカリの溶液による
洗滌にかする。このＩＩ的のための適当／ＬＰａは燐酸
とり、［ン酸を含み、これらは代表的には既知の有機湿
潤剤と一緒に用いられる。しかし、この清ｔｅｌ化■稈
は、ディスクが研磨後にＪ３いて）り染物を事実上台ま
ない場合には省くことができる。 その優の無電解のニツケルーコバル１〜沈着のためのニ
ッケル　燐ノｌｌｔ電解層の活性化は代表的には酸浸漬
の１！ｌ！用によって代表的にデヱ成される。例えば、
ニッケル−燐層はＪＸＩＩＭの２０％溶液を含む浴中に
浸し、蒸溜水Ｊ：たは脱イオン水で以てすすぎ、次に、
５％硫酸溶液で以てさらに処理してディスク上に存（Ｈ
する塩素の残留をづべて除さ゛、続いて蒸溜水または脱
イオン水で以てざらに！Ｊツぐ。追加的活性剤は沃化カ
リウムを含む１０％硫酸あるいは１％の過酸化水素を含
むスルファミン酸あるいは塩化物、弗化物あるいｔよ燐
酸塩のに゛うな添加物を含むＩ＋ｒｌ酸）１９合物、の
ような溶ｉ１Ｑ　／Ｊｌ　ｒら成っていてよい。 本発明の小要な側面ににると、ニッケル−燐めつき基板
は次に、ｊｅ′４当なコバルトイオン源、次亜燐酸イオ
ン源、Ｊ３　Ｊ：びクエン酸イオン瞭および低分子ｈ１
の浴可溶性アミノ酸、からつくられる、］パル１へ　燐
層？ｔｉ　Ｆ＃めっき浴中で処理Ｊる。例えば硼酸また
Ｇ、Ｌアルカリ金属の四硼酸塩、メタ硼Ｍ　ｊ！ａ　Ｊ
：Ｉｃ　ＣＡＬ　ｌｔ　ＩＪｊ　Ｍ　Ｊｕ　（７）　Ｊ
：　ウ＜Ｅ　ｔ　Ｉｌｌ　ｒｔｌ　’ｂ　マＩｃ　ＩＴ
　ｆ　しくは含まれる。さらに必要イエ場合には、例え
ばエタノールアミンのような適当な湿潤剤を浴中に組入
れてよい。 これらのコバルト浴用のコバルトカチオン源は浴中Ｃ２
価のコバルトカチオン源カリ 、１：たは￥　Ｉ’ｉＪ溶性のコバルト塩はどれでも使
用できろ。適当なコバルト源の例雁的（２例Ｇ、ｉ　ｌ
ｉｉ！ＩＰ！ｉコバルｈ五水ｊ−１ｊ！化コバルトＪｊ
　Ｊ：びクエン酸コバル１−を含む。これらの浴中で利
用されるコバル１〜濶度は−・般的には浴１ｇあたり約
０．０１−Ｅルから約０．１ｔルの範囲にある５、硫酸
コバルト五水］２２が′Ｘ】パルＩ−源とし゛（用いら
れる場合には、約５から１５Ｓ１／！Ｊのこのコバル１
・塩漠ｌｆＬは一般的ｌこ満足て゛さ゛る結果を５え、
（３から１０９／、ｆｌの６＋度が１）にθＹましい。 これらのコバルト−燐沈着浴中Ｃ利用する次引！ｆ１４
酸還元剤ＩＪ次亜燐酸プ川−リウムまたＧＥＬカリウム
のような浴可溶生次亜燐酸源のどれで・あってもよい１
．それに応じで、必要イｆらば、次亜燐ｌ１１！２また
【まその他の適当な次ｊｌトｇ４酸源を利用してよい１
．この還元剤についての代表的最小漠僚は浴１１あたり
０．０４　（Ｔｈルはどの低さであるが、しかし、にり
普通には０．０５から約０．５七ル／ｇの程度の高濃度
が使用され、約０．ＩＥル／１がたいていの操作にとっ
て好ましい。次亜１！Ｍ）１−リウムを用いる場合には
、約５から３０９／４１のそれの浴ｌａ麿が一般的には
満足でさるものであり、約０．８から１２．０ｇ／ｆＪ
の濃度が好ましい。 本発明の小￥ｌな側面に従うこれらのコバルト−燐めつ
き浴はまた、クエン酸イオンの適当な源と低分子量の浴
可溶性アミノ酸とを含む錯化剤成分ど、緩唖ｉ剤、好ま
しくは１１１　Ｍ　ｊｕとを含む。 ）内当（２り：［ン酸イＡン源はクエンＭ並びにぞれの
すトす「ンｌＸｊ！ｉ：またはカリウム塩を含み、クエ
ン酸す°トリウムニ水ＪｒＭが前述の低分子量で浴可溶
性アミノ酸ど協同ざＵて使用する■５に適当な錯化剤で
ある。一般的には、クエン酸イオン最小濁度は］パルＩ
−源モル園亀の約３倍である。Ｊ：り高い濃度のクエン
酸イオンをｎ容で込゛るが、それの濃度増席番よ何らか
の特別に右詰な結果を与えるにうには兄λイ１い。りＬ
ン耐す１−リウｌ＼・二水塩を用いる場合には、約２０
から１００９＃のそれの浴濃度が一般的に満足できるら
のであり、約３０から９０’Ｊ／ｊ（１）歯爪が好まし
い。 本発明にＪ：って期待される低分子量の浴可溶性アミノ
酸を五代表的には２個から５個の炭本原子を含むもので
あり、そのうらのアルファ−アミノ酸の形が特に好まし
い。これらの低分子ｍで浴可溶性アミノ酸（よアルファ
ーアラニン、グリシン、グルタミン酸モノナ１ヘリウム
、セリン、スレオニンおＪ−びバリンを含む。一般的に
は、これらのアミノ酸の浴濃度は約０．１モルがら約１
．０シルの範囲にあり、約０．２から０．４七ル／ｇが
たいていの操作にとって好ましい。グリシンを用いる場
合には、１０から３５ｇ／ρのそれの浴濃度が満足でき
るらのであり、約１５から３０ｇ／Ｍの濃度が好ましい
。 前記のとＪ３つ、本発明のコバルＩ・−燐めっさ・浴は
また、緩衝剤、好ましくは例えばアルカリ金属の四硼Ｍ
？！、メタＩ１１酸塩あるいは五ｉｌｌ酸塩のような硼
ＭＪｉ！を含むことが右利であり、ｌ！ｑ硼酸ナトリウ
ム・１０水塩が好：Ｌしい。一般的には、緩衝剤の濃度
は所望のｐＨ調節を達成するのに有効である■であり、
代表的には約０．０１から０．１モル／ｉの範囲にある
。四１１Ｍ酸）゛トリウム・１０水塩を使用する場合に
は、１０から３５ｇ／ｊのその浴８ａ麿を用いることが
でき、約１５から３０９／ｊ！が一般的に好ましい。 所望に応じて、約２．０から１０ｇ／Ｊ！のｆ６の［ノ
ー、ジー、または１〜リエタノールアミン、あるいはそ
の種のエタノールアミンの混合物のような１−タノール
アミンを浴へ添加してよい。エタノールアミンは、肝要
ではないが、湿潤剤および錯化剤どして他の浴成分と一
緒に機能り゛ることが右利である。 コバルト−燐めつき浴ｔま代表的には約８から１０．５
のｐＨで保たれ、約９．４から１０．０のｆｉｌ＋範囲
が好ましく、９．８のｒ）１１が特に好ましい。それに
応じて、約１６０下から１８５下（１１℃から８４℃）
の浴温が利用でき、約１７６下（８０℃）が好ましい。 しかし、この点に関して１よ、これらの範囲のＦおよび
上の潟１１は浴の他の條ｎに応じて有効に利用できる。 一般的には、１から５マイク【１インチのコバルト−燐
層は本発明で以て達成できる所望の附気記録竹？’［を
示すコバルト一燐磁性沈着物を提供する。 コバル］〜　燐沈着工程に続いて、その剛性ディスクを
次に乾燥する。コバルト−燐めっぎ層の変色を避けある
いはＩｔｌ　ｌｕをざレノる適当な手段はどれでもこの
目的に利用できる。その後、保護液ｊ９を施用すること
ができる。適当な保護被膜Ｃよ、フレオン溶剤と一緒に
通常施用されるフル３日カーボン、米国特許４，４０７
．８（３９に記載のタイプの無電解沈着のニッケル１１
１ｍ沈呑物、おにσ、例えばスパッター技法によって施
用できる黒鉛、を含む。 これらの保護被膜はコバルト−燐層の醇化を妨げろＪ：
う０川し、そしてディスク使用時に系に入るｆ’７染物
との直接的接触を妨げることによって［読取り１ヘツド
と「ｊｉ出しＪヘッドに対゛する保ｔｌ壁としてさらに
作用する。 以下の実施例は本発明の実際にＪ３いて利用される」パ
ル１〜−燐層を例証Ｊるために（ＩＭ示されＣいる。 丈遣」（−Ｊ 直径３．９インブでηざが０．０Ｇ８インブの５０８６
アルミニウム合全、う４イスクをまず、非蝕刻性アルカ
リ＋１溶液を含む浴中でＪ３だやかに撹拌しながら清）
゛β化および脱脂を行ない、約１６０°１−（１１℃）
の４麿に−３いて３分間保・ノた。ディスクはそれを脱
イオン水で以て３０秒間スプレーすることににってｔ　
リざそれを非蝕刻性の酸の中で約１６０下（７１℃）の
温度において４分の浸漬時間で以ておだやかに撹拌しな
がら浸した。このにうに処理したディスクを次にＩＩＲ
イＡン水で以てさらにすりさ、商業的に入手でさる亜鉛
めっき）′Ｂ液で以て８０°ｌ：（２６℃）の温度にお
いて４０秒間、Ｊ３だやかに１党痒しなから亜鉛めっき
した。このようにして亜鉛めっきしたディスクを次に脱
イオン水で以τ寸りさ゛、その上の亜鉛層は、ディスク
を６０％１．ｒｌｌ’ｌ！ｆ溶液の中で浸漬することに
よって突出Ｊｌ＋を］■去り、脱イオン水で以てりＪ“
いだ。ディスクを再び亜鉛めっさｍｍ液中Ｃ約８０下（
２６℃）のｔＡ度において２０秒間Ｊ３だＡゝ）かに撹
ｆｆ　Ｌながら浸油した。鋭イオン水で以てざ１うに、
りすぎを実施し、ディスク表面を次に、水１ガ１−１ン
あたり／ｌ　Ａ°ランス重炭酸ブトリウムを含む浴中ｅ
７０下（２１℃）の温度において３０秒間、ディスクを
浸りことによって中和工程にかりた。この中和・ディス
クを次に脱イオン水で以て寸すぎ、１９０下（８８℃）
の温度においで４．０の１１１１で保ったニッケル−燐
焦雷解めっき浴中に浸した。このニッケル−燐無電解浴
はニッケルイオン源、次亜１！ＩＭＩ元剤、およびグル
コヘプトン酸のジボロン−［ステルを含んでいた。ディ
スクは、８００マイク１−１インブのニッケル−燐層が
その上に沈着Ｍるまでそのめっき浴中に保ったが、その
ニッケル−燐無電解層は約９０％のニラクル含イｊ出と
約１０％の燐含有６Ｎとを乙っていた。このディスクを
次に研磨しく約４００マイク［１インブの）１磁性のニ
ッケル−燐層を捉供し、脱イオン水で以てＪすざ、Ｊ３
だやかなアルカリ性情浮化剤で以て清浄化し、再び脱イ
オン水で以てずすいた。このニッケル−燐層を次に、デ
ィスクを２０％塩Ｐｌｉ溶液中に浸すことにＪ：っで活
性化し、脱イオン水で以てず１゛ぎ、硫酸の５％溶液中
に浸し、次いで脱イオン水で以て再び１１り（イオン水
で以てす寸いだ。ディスクを次に以下の組成をもつコバ
ルト浴中に置いた：！／ｉＭコバルト（６水塩）　　１
０．０び７１次１Ｆ燐酸すトリウム　　　　　　１０．
Ｏｇ／ｊ四硼Ｍナトリウム（１０水塩）　　３０．０９
／Ｄクエン酸ツートリウム　　　　　　９０．０９／ｊ
グ　　リ　　シ　　ン　　　　　　　　　　　　　　２
ｂ、ＯｔＪ／ｊこの浴のＤｌｌは水酸化カリウムで以て
１１６下（８０℃）の浴温にＪ３いて９，８１＼調節し
た。ディスクを次に浴中に置き、その中で合シ１で１０
秒間！＄１ｃ的に回転さけ、Ｐｉさが３マイク［１イン
ブの：１パル１へ一燐層が生成した。ディスクを次に取
出し、脱イオン水中でリリざ、乾燥した。このＪ：うに
してめっきされたディスクの飽和保磁力は４５ｏエルス
デツドであり、Ｊぐれた残留磁化とヒステレシス・ルー
プ・スクエアネスを示した。 去ＩＬＪＬ コバルトめっき工程に至るまで実施例■ど同じ方式でデ
ィスクをつくった。このようにしてつくったディスクを
次に次の組成を６つコバルトめっさ浴中へ導入した： 硫酸コバルト（６水ＪＭ）　　Ｇ、Ｏグ／ｐ次亜燐酸ブ
トリウム　　　　　　１０．０ｇ／ｊ四ＩＪＩＩＭＪ　
トＩＪ　ラム（１０水塩）　　２０．０！Ｉ／４１クエ
ン酸犬トリウム　　　　　　６０．０！７／Ｊｌグ　　
　リ　　　シ　　　ン　　　　　　　　　　　１５．０
ＣＦ／ＪジＬタノールアミン　　　　　　５．０ｇ／Ｎ
浴のｐＨ水準を水酸化カリウムで以て９．７へ調節し、
浴を１７０下（１１℃）へ維持した。ディスクを次に浴
中に置きｍ続的に３分間回転させて厚さ３マイクロイン
チのコバルト−燐層を生成さけた。このようにしてめっ
きしたディスクを次に浴から取出し、づ゛すいで乾燥し
た。このディスクの飽和保磁力は６５０エルスデツドで
あり、寸ぐれた残留磁気とすぐれたヒステレシス・ルー
プ・スクエアネスを示した。 友倉ｔｌ コバルト・めっきの工程に至るまで実施例Ｉｔｆｉｌじ
方式でディスクをつくった。このＪ、うにしてつくっｌ
こディスクを次に次の組成をもつコバル］・浴中で浸漬
した： 硫Ｐｔ１−．＋バルト（６水塩）７．０り／１次亜ｔ４
酸プトリウム　　　　　　１２．０９／ｌ！四Ｉｌｌ　
Ｍノ“トリウム（１０水ｊ！！＞　　２０．０ｇ／Ｎク
エン酸ナトリウム　　　　　　９０゜θｇ／ｌグ　　　
リ　　　シ　　　ン　　　　　　　　　　２０．ＯＪ／
１ジ１タノールアミン　　　　　　５．０９／ｆＪ浴の
ｐｌｌは水酸化カリウムで以て１０．０へ１５８下（７
０℃）の温度において調節した。ディスクを次に浴中に
首き、ｌｉｔ続的に３分間ｕ転させ、それの上で厚さご
３マイクロインチのコバルト−燐層電解沈着層を生成さ
せた。ディスクを次に浴から取出し、１１いで乾燥した
。このディスク１よ８００」システッドの飽和保磁力を
もら、同様に高い残留磁気とりぐれたヒスプレシス・ル
ープ・スクエアネスを示した。 支盈Ｕ ディスクを実施例１と同等の方式でつくり、実施例１１
に（１３いて上述したのと同等のコバル１〜めっき浴中
に尋人したが、ただし、１５．０ｇ／ｊのスレＡニンを
１５ｇ／ρのグリシンに置きかえた。操り條件と工程１
よ次に実施１ｓＩ　１１で示したのと同じ方式（・実施
し、得られたディスクは、試験の結果、７３７−Ｌシス
デッドの飽和保…ツノと高い残Ｗ…気およびＪぐれたヒ
スプレシス・ループ・スクエアネスを示した。 欠亙皿−Ｎ ディスクを実ｍ１ＭＩと同じ方式でつくり、実施例■に
おいて上述したのと同等のコバルトめっき・浴中へ導入
したが、たＩどし、１ｈ、０τｌ／ｆＪのレリンを１５
．０ｇ／、０のグリシンに置換えた。操伯條件と二［程
は次に実施例■′Ｃ丞したのと同じ方式で実施し、１１
１られたディスク警ま試験の結果、６６９の飽和保磁力
ど高い残留磁気Ｊ３Ｊ、び！Ｊ−ぐれたヒステレシス・
ループ・スクエアネスを示した。 笈直五−ｊ ディスクを実施例Ｉと同等の方式でつくり、実施例■に
ｆ１３いで上述したのと同等の］バルト浴中へ導入した
が、ただし、１５．０ｇ／Ｊ！のアルファーアラニンを
１５．０ｇ／ｊ！のグリシンにｅｌ換えた。 操作條件と工程は次に実施例■で示したのと同じ方式で
実施し、１ｇられたディスクは試験の結果、３０３エル
ステツドの飽和保磁力と高い残留磁気おＪ：びりぐれた
ヒステレシス・ルーブ−スクエアネスを示した。 尖癒■−ｊ ディスクを実施例１と同じ方式でつくり、実施例■で上
述したのとｌｉ′Ｊ１％のコバルトめっき浴中へ入れた
が、ただし、１５．０ｇ／ｆＪのバリンを１５．０ｇ／
ｆｌのグリシンに置換えた。操作麻件と工程を次に実施
例■で述べたのと同じ方式ぐ実施し、１９られたディス
クは、試験の結果、７０７エルステツドの飽和保磁力と
高い残留磁気およびりぐれたヒスプレシス・ループ・ス
クエアネスを丞した。 χ旌叢−ｊ ディスクを実施例■と同じ方式でつくり、実施例■にお
いて上述したのと同等のコバルＩ〜めっき浴中に入れた
が、ただし、１！ｉ、０ｔＪ／、０のグルタシン酸［ノ
ナトリウムを１！＋、Ｏｆｆ／Ｊのグリシンに詔換えた
。操作條件と工程は実施例■で述べた同じ／ｊ弐て゛実
施し、１′ｊられたディスクは試験の結果、６３１１ル
ステツドの飽和保磁力と高い残留磁気およびりぐれたヒ
ステレシス・ループ・スクエアネスを示した。 犬適璽−北 実施例１に記載の５０８６アルミニウム合金ディスクを
同様に脱イオン水の中で清１１１化し脱ｒＢ　ｌ１３　
、及びリリぎを行なった。寸Ｊいだディスクを次に１０
容積％の燐酸の中で８０”１１２７℃）において３０秒
間浸し、次に１悦イオン水中で最終のずＪざを行なった
。 新たにすすいだディスクを直Ｉうに実施例ｒに記載のニ
ッケル　ｍ　ｍ　′ｔ＋ｆ　Ｍめつき浴中に入れ、８０
０マイクロインチの厚さまでめっきし、脱イＡン水中ぐ
り゛すぎ、乾燥した。次にそれを所望の表面仕上げよで
研磨した。このｒｔｌｆ　ｌきしたニッケル−燐合金め
つぎディスクを次に蒸溜水で以て′！ｌ！１ざ、実／＃
　ＩＮ　Ｉ　Ｃ−説明したとＪ３りに活性化し、実ｔＳ
例１１１ト同じ組成の無電解コバルト溶液中’（”　１
６０　”ｌ”　（７１℃）においで、３分間絶えず回転
ざＵでめつきした。 最終的な無電解のコバルト−燐の厚ざｔ、１３マイク（
゛１インブであった。このｇＪいで乾燥したディスクは
７９０　：ｔシスデッドの飽和保磁力をし−）でいた。 残留磁気とヒステレシス・ループ・スクＪアネス（，１
すぐれていた。。 去遣」（−入 ディスクを実施例１’Ｃｉ小ベノご同等のｔｉ式でつく
り、実施例Ｊて゛述べた同等のコバル１−めっき浴中に
入れたが、ただし、ＩＩＩ　Ｍ　Ｊ−化合物を浴へ添加
し／Ｇかった。操作條ｆ’ｌと工程は次に実施例工で述
べた同じｈ式で実施し、１！１られたディスクは試験の
結果、トヤかに３００エルステツドの飽和保蟻ツノど０
．６７のヒステレシス・ループ“・スクエアネスを示し
た。 犬盪［ ＩＩ）さ　０．００３インブＵ−８インチ平方のマイラ
ープラスブーツクをＡ３だやかなアルカリ性ン＾洋化剤
の中で１ｈＯ’Ｆ　（６５℃）にＡ３いＣ３分間清浮化
し、流れる脱イオン水中ですり゛ぎ、濃りＩ」ム酸溶液
の中で１８０下（８８℃）において６０秒間浸づことに
よって蝕刻した。この蝕刻マイラーを次に流れるＩＩＱ
イオン水中で室温においてリリざ、過剰のり１］ム酸を
除いた。、′１Ｊ′Ｊぎの後、マイラーを１８０°「（
７１℃）ｒｃｏ秒間３Ｎの水酸化゛ノＩ−リウム溶液の
中に浸し−（残留する痕跡の六価りＬ１ムを除き、続い
て脱イオン水中です１いで水酸化すｌ−リウムを除いた
。 ｉｌ！Ｊざの後、マイラーシー１〜を商業的な第一錫イ
Ａン感応化Ｆ８Ｍ（ｓｅｎｓｉ℃ｉｚｉｎｇ　ＳＯ＋ｕ
ｔｉＯｎ）の中で３０秒間感応化し、脱イオン水中でツ
クぎ、パラジウムイオン触媒溶液の中で寸へて室温にお
い′Ｃ浸し、次に最後の脱イオン水のりづざを（ｉない
、その後、実施例１で述べたＩｒＪ］”；のニッケル−
′ｇ４無電解めっき俗の中に浸）＾した。この無電解ニ
ッケル浴中の浸１６時間は１８８下（８７℃）において
３分であった９、めっきしたプラスブックシー１へは無
電解ニッケル浴から取出して室温で脱イオン水中にＡ３
いてＪ′すぎ、次に３分間、実／Ａ　ＩＮ　ＩＩＩと組
成および操作條件が同等のコバルト−燐Ｍ１電解めっき
溶液の中に浸した。めっきされたプラスデックシートを
次に浴から取出し、ｔｉいで乾燥した。このめっきマイ
ラーシー１・からつくったディスクは８００エルステツ
ドの飽和保磁力をもち、同じく、高い残留磁気ど寸ぐれ
たヒスプレシス・ループ・スクエアネスを示した。 犬ｉ叢−Ｊ ５０８６アルミニウム合金ディスクを実施例■と同等の
予備処理と無電解ニッケルめっきにかけたが、ただし、
めっき後の表面（１十げを無電解コバルト−燐合金の沈
着＋）ｆ）にニッケル−燐沈着物へ施こした。その代り
、無電解のニッケル−燐をめっき後直ｌうに、ディスク
を浴から取出し、脱イオン水中で１゛す゛ぎ、実施例１
でｊｌべたのど同じ無電解−１パル］′・浴中に置いた
。めっき時間と條ｆ１は同等であった。コバルト−ｇ４
層の最終のｌすみは３マイク〔１インヂであった。この
、」；うにしてめ−）きしたディスクの飽和保磁力はり
゛りぎど乾燥の後、４３０エルステツドであった。す”
ぐれた残ＩＹＩ　ｖ１１気とヒステレシス・ループ・ス
クコーアネスを示した。 十記明細出は本発明の各秤置体化を、１１樹に述べてい
るが、ぞれらの修正は本発明の精神と範囲から外れるこ
となくなし得ることが予想される。従って、特許請求の
範囲に示づとおりの制約のみが本発明に課Ｕられるべき
ぐある。 （外４名）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、磁気記録性質が改善された高密度磁気記憶デバイス
   の製造方法であって、 そのデバイス用の基板表面を清浄化して油および酸化物
   が実質的に存在しない基板表面を準備し； その表面上で非磁性ニッケル−燐層を無電解的に沈着さ
   せ；そして、 上記ニッケル−燐層上にコバルト−燐層を無電解的に沈
   着させ、その無電解コバルト−燐沈着をコバルトイオン
   源、次亜燐酸イオン源、およびクエン酸イオン源と低分
   子量の浴可溶性アミノ酸源との各々の有効量を含む錯化
   剤成分、を含有する浴中で実施する； 各工程から成る方法。 ２、油および酸化物を実質上含まない基板表面を亜鉛め
   っきして、上記の非磁性ニッケル−燐層を無電解沈着さ
   せる前に、金属亜鉛薄層を沈着させることを含む、特許
   請求の範囲第１項に記載の方法。 ３、上記のコバルト−燐浴が緩衝剤を含む、特許請求の
   範囲第１項に記載の方法。 ４、上記の緩衝剤が硼酸塩である、特許請求の範囲第３
   項に記載の方法。 ５、上記緩衝剤が硼酸、カルボン酸、およびアルカリ金
   属の四硼酸塩、メタ硼酸塩および五硼酸塩から成る群か
   ら選ばれる、特許請求の範囲第３項に記載の方法。 ６、上記緩衝剤がアルカリ金属四硼酸塩である、特許請
   求の範囲第３項に記載の方法。 ７、上記の低分子量の浴可溶性アミノ酸が２から５個の
   炭素原子を含む、特許請求の範囲第１項に記載の方法。 ８、上記の低分子量の浴可溶性アミノ酸がアルファ−ア
   ミノ酸である、特許請求の範囲第７項に記載の方法。 ９、上記の低分子量の浴可溶性アミノ酸がアルファ−ア
   ラニン、グリシン、グルタミン酸モノナトリウム、セリ
   ン、スレオニンおよびバリンから成る群から選ばれる、
   特許請求の範囲第７項に記載の方法。 １０、上記のコバルト−燐無電解めっき浴を８から１０
   ．５のｐＨに保つ、特許請求の範囲第１項に記載の方法
   。 １１、上記のコバルト−燐浴を９．６から１０．０のｐ
   Ｈに保つ、特許請求の範囲第１項に記載の方法。 １２、上記のニッケル−燐無電解沈着をグルコヘプトン
   酸のエステル錯体を含む浴の中で実施する、特許請求の
   範囲第１項に記載の方法。 １３、上記のグルコヘプトン酸エステル錯体がグルコヘ
   プトン酸のジボロン、タングステン、およびモリブデン
   のエステルから成る群から選ばれる、特許請求の範囲第
   １２項に記載の方法。 １４、上記のニッケル−燐浴を４．１から４．９のｐＨ
   に保つ、特許請求の範囲第１２項に記載の方法。 １５、上記のニッケル−燐めっき基板を機械的に研磨し
   、その上に存在する酸化物をすべて除去し、コバルト−
   燐層の無電解沈着に先立って活性化する、特許請求の範
   囲第１項に記載の方法。 １６、磁気記録性質が改善された剛性の高密度磁気記憶
   ディスクの製造方法であって、 上記ディスク用のアルミニウム基板ディスクの表面を清
   浄化してその上に存在する油と酸化物とのすべてを除去
   し； そのディスク上にニッケル−燐非磁性層を無電解的に沈
   着させ、そのニッケル−燐層がいかなる表面欠陥も実質
   上含まず；そして、 上記ニッケル−燐層上にコバルト−燐磁性層を無電解的
   に沈着させ、その無電解的のコバルト−燐沈着をコバル
   トイオン源、次亜燐酸イオン源、硼酸塩緩衝剤、および
   、クエン酸イオン源と低分子量の浴可溶性アミノ酸源と
   の各々の有効量を含む錯化剤成分、を含む浴中で実施す
   る； 各工程から成る方法。 １７、上記のニッケル−燐非磁性層を無電解沈着させる
   前に、上記の清浄化アルミニウム基板ディスク表面に亜
   鉛めっきしてその上に金属亜鉛薄層を施用することを含
   む、特許請求の範囲第１６項に記載の方法。 １８、上記緩衝剤が硼酸、カルボン酸、およびアルカリ
   金属の四硼酸塩、メタ硼酸塩、および五硼酸塩、から成
   る群から選ばれる、特許請求の範囲第１６項に記載の方
   法。 １９、上記の低分子量の浴可溶性アミノ酸が２から５個
   の炭素原子を含む、特許請求の範囲第１６項に記載の方
   法。 ２０、上記の低分子量の浴可溶性アミノ酸がアルファ−
   アミノ酸である、特許請求の範囲第１６項に記載の方法
   。 ２１、上記の低分子量の浴可溶性アミノ酸がアルファー
   アラニン、グリシン、グルタミン酸モノナトリウム、セ
   リン、スレオニンおよびバリンから成る群から選ばれる
   、特許請求の範囲第１６項に記載の方法。 ２２、上記のコバルト−燐無電解めっき浴を８から１０
   ．５のｐＨに保つ、特許請求の範囲第１６項に記載の方
   法。 ２３、上記のコバルト−燐浴を９．４から９．６のｐＨ
   に保つ、特許請求の範囲第１６項に記載の方法。 ２４、上記のニッケル−燐の非磁性層を、グルコヘプト
   ン酸のエステル錯体を含む浴中で、上記亜鉛層表面上に
   沈着させる、特許請求の範囲第１６項に記載の方法。 ２５、上記のニッケル−燐浴を４．１から４．９のｐＨ
   に保つ、特許請求の範囲第１６項に記載の方法。 ２６、上記のニッケル−燐めっき基板を機械的に研磨し
   、その上に存在するすべての酸化物を除去するよう清浄
   化し、コバルト−燐層の無電解沈着の前に活性化する、
   特許請求の範囲第１６項に記載の方法。 ２７、上記のニッケル−燐層を０．１から２．０ミルの
   厚さに研磨し、次いで、コバルト−燐の無電解沈着の前
   に、酸性溶液との接触によって活性化する、特許請求の
   範囲第２６項に記載の方法。 ２８、上記のニッケル−燐層を０．３から０．５ミルの
   厚さに研磨し、次いで、コバルト−燐の無電解沈着の前
   に、酸性溶液との接触によって活性化する、特許請求の
   範囲第２６項に記載の方法。 ２９、潤滑剤−保護被膜を上記コバルト−燐層へ施用す
   る、特許請求の範囲第１６項に記載の方法。 ３０、磁気記録性質が改善された高密度磁気記憶デバイ
   スの製造方法であって、 上記デバイス用の基板の表面を清浄化して油および酸化
   物を実質的に含まない基板表面を準備し； この清浄化基板表面に亜鉛めっきして金属亜鉛の薄層を
   施用し； この亜鉛層上にニッケル−燐非磁性層を無電解的に沈着
   させ、このニッケル−燐層が表面欠陥を含まないもので
   あり；そして、 このニッケル−燐層の上にコバルト−燐磁性層を無電解
   的に沈着させ、このコバルト−燐無電解沈着をコバルト
   イオン源、次亜燐酸イオン源、および、クエン酸イオン
   源と低分子量の浴可溶性アミノ酸源との有効量を含む錯
   化剤成分、を含む浴中で実施する； 各工程から成る方法。 ３１、コバルト−燐浴が緩衝剤を含む、特許請求の範囲
   第３０項に記載の方法。 ３２、上記緩衝剤が硼酸塩である、特許請求の範囲第３
   ０項に記載の方法。 ３３、上記緩衝剤が硼酸、カルボン酸、およびアルカリ
   金属の四硼酸塩、メタ硼酸塩および五硼酸塩から成る群
   から選ばれる、特許請求の範囲第３１項に記載の方法。 ３４、上記緩衝剤がアルカリ金属四硼酸塩である、特許
   請求の範囲第３１項に記載の方法。 ３５、上記の低分子量の浴可溶性アミノ酸が２から５個
   の炭素原子を含む、特許請求の範囲第３０項に記載の方
   法。 ３６、上記の低分子量の浴可溶性アミノ酸がアルファ−
   アミノ酸である、特許請求の範囲第３５項に記載の方法
   。 ３７、上記の低分子量の浴可溶性アミノ酸がアルファ−
   アラニン、グリシン、グルタミン酸モノナトリウム、セ
   リン、スレオニンおよびバリンから成る群から選ばれる
   、特許請求の範囲第３５項に記載の方法。 ３８、上記のコバルト−燐無電解めっき浴を８から１０
   ．５のｐＨに保つ、特許請求の範囲第３０項に記載の方
   法。 ３９、上記のコバルト−燐浴を９．６から１０．０のｐ
   Ｈに保つ、特許請求の範囲第３０項に記載の方法。 ４０、上記のニッケル−燐無電解沈着をグルコヘプトン
   酸のエステル錯体を含む浴中で実施する、特許請求の範
   囲第３０項に記載の方法。 ４１、グルコヘプトン酸の上記エステル錯体がグルコヘ
   プトン酸のジボロン、タングステンおよびモリブデンの
   エステルから成る群から選ばれる、特許請求の範囲第４
   ０項に記載の方法。 ４２、上記のニッケル−燐浴を４．１から４．９のｐＨ
   に保つ、特許請求の範囲第４１項に記載の方法。 ４３、上記のニッケル−燐めっき基板を機械的に研磨し
   、その上に存在するすべての酸化物を除くよう清浄化し
   、そして、コバルト−燐層の無電解沈着に先立って活性
   化する、特許請求の範囲第３０項に記載の方法。 ４４、高い保磁度、高い残留磁気および改善されたヒス
   テレシス・ループ・スクエアネスを含む磁気記録性質が
   改善された剛性の高密度磁気記憶ディスクの製造方法で
   あって、 アルミニウム基板ディスクの表面を清浄化して油および
   酸化物を実質的に含まない基板表面を準備し； その清浄化基板表面に亜鉛めっきして金属亜鉛薄層を施
   用し； その亜鉛層上でニッケル−燐非磁性層を無電解的に沈着
   させ、そのニッケル−燐層が０．１から２．０ミルの厚
   さをもち、そのニッケル−燐層は表面欠陥を実質的に含
   まずかつ４．１から４．９のｐＨに保ったニッケル−燐
   浴中で上記亜鉛表面上に沈着されたものであり； 上記ニッケル−燐被膜を機械的に研磨して ０．１から２．０ミルの実質上均一の総体的厚みを与え
   ； そのニッケル−燐層を清浄化してその表面上の酸化物お
   よびその他の汚染物のすベてを除き；上記ニッケル−燐
   層を活性化してその後のコバルト−燐無電解沈着物に対
   する受容性を改善し；そして、 このニッケル−燐層上にコバルト−燐磁性層を無電解的
   に沈着させ、この無電解のコバルト−燐沈着をコバルト
   イオン源、次亜燐酸イオン源、硼酸塩緩衝剤、および、
   クエン酸イオン源と炭素原子数が２から５個の低分子量
   の浴可溶性アミノ酸源の各々の有効量を含む錯化剤成分
   、を含有する浴中で実施し、このコバルト−燐沈着を８
   ．０から１０．５のｐＨに保った浴中で実施し；そして
   、 上記のコバルト−燐層の上で潤滑剤−保護被膜をその後
   施用する； 各工程から成る方法。 ４５、上記コバルト−燐浴を９．４から１０．０のｐＨ
   に保つ、特許請求の範囲第４４項に記載の方法。 ４６、上記のニッケル−燐無電解沈着をグルコヘプトン
   酸のエステル錯体を含む浴中で実施する、特許請求の範
   囲第４４項に記載の方法。 ４１、上記グルコヘプトン酸エステル錯体がグルコヘプ
   トン酸のジボロン、タングステン、およびモリブデンの
   エステルから成る群から選ばれる、特許請求の範囲第４
   ６項に記載の方法。 ４８、上記の無電解ニッケル−燐浴が式 Ｒ（ＣＯＯＩＩ）＿ｎの不飽和カルボン酸あるいはそれ
   らの浴可溶性誘導体を含み、式中Ｒは少くとも２個の炭
   素原子をもつ不飽和アルキル鎖であり、ｎは少くとも１
   であり、上記の浴がまたいかなる硫黄成分も実質上含ま
   ずかつ硫黄の最高酸化状態より低い酸化状態をもつ、特
   許請求の範囲第４４項に記載の方法。