JPS5858270A - 無電解めつき浴 - Google Patents
無電解めつき浴Info
- Publication number
- JPS5858270A JPS5858270A JP15570981A JP15570981A JPS5858270A JP S5858270 A JPS5858270 A JP S5858270A JP 15570981 A JP15570981 A JP 15570981A JP 15570981 A JP15570981 A JP 15570981A JP S5858270 A JPS5858270 A JP S5858270A
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- JP
- Japan
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- ions
- plating bath
- mol
- groups
- bath
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁気記録媒体の膜厚方向の磁化によって記録
を行う、いわゆる垂直記録に用いる磁気記録媒体（４ｉ
１ｆ性喚）を作製するめつき浴に関するものである。
を行う、いわゆる垂直記録に用いる磁気記録媒体（４ｉ
１ｆ性喚）を作製するめつき浴に関するものである。
従来、一般の磁気ディスク装置、磁気テープ装置などの
磁気記録装置においでは、基板上に形成され之磁気記録
媒体にリング型磁気ヘッドによって水平方向に磁化する
ことにより記録を行なっている。
磁気記録装置においでは、基板上に形成され之磁気記録
媒体にリング型磁気ヘッドによって水平方向に磁化する
ことにより記録を行なっている。
しかし、水平磁化による記録には記録信号が短波長にな
るに従い、即ち記録密度の増加に従って、媒体内の反磁
界が増大して残留缶化の減衰と回転を生じ、再生出力が
著しく減少するという欠点が存在する。そこで、この問
題解決のため短波長になる種皮磁界が小さくなる性賀を
もつ垂直記録方式が提案され、この垂直記録に適した磁
気記録媒体としては、膜厚に垂直な方向に磁化容易軸を
もつＣＯ（：ｒスパッタ膜が提茶されている。そして、
この垂直磁化記録方式は従来の水平方向の磁化による記
録方式に比べて一密度記録に後れていることが報告され
ている。（特開昭５２−１３４７０６号公報参照）。と
ころでＣｏ−Ｃｒｍｔスパッタ法により作製する場合、
真空系内で行うため＊ｇ性に問題がある。
るに従い、即ち記録密度の増加に従って、媒体内の反磁
界が増大して残留缶化の減衰と回転を生じ、再生出力が
著しく減少するという欠点が存在する。そこで、この問
題解決のため短波長になる種皮磁界が小さくなる性賀を
もつ垂直記録方式が提案され、この垂直記録に適した磁
気記録媒体としては、膜厚に垂直な方向に磁化容易軸を
もつＣＯ（：ｒスパッタ膜が提茶されている。そして、
この垂直磁化記録方式は従来の水平方向の磁化による記
録方式に比べて一密度記録に後れていることが報告され
ている。（特開昭５２−１３４７０６号公報参照）。と
ころでＣｏ−Ｃｒｍｔスパッタ法により作製する場合、
真空系内で行うため＊ｇ性に問題がある。
このためこの・様な製造上の問題点を改善して量産性に
優れた無′１′＠めつも法により、膜面に垂直な方向に
磁化容易軸をもつ磁気記録媒体ｔ−ａ造する無１解めっ
き浴が見い出されている（特願昭５６−０２５８３３．
１無′鴫解めっき浴″）。更に前記無’を解めっき浴に
おいてはα−Ｃ〇六方晶（磁化容易軸）が基板に対して
垂直配向し九磁性喚が得られるが、飽和磁化Ｍｓの低下
が少なく２πＭ、′で表現される大きな反磁界エネルギ
ーが垂直磁化記録の障碍となるためニッケル金共析する
ことによりＭｓの低下がはかられている。
優れた無′１′＠めつも法により、膜面に垂直な方向に
磁化容易軸をもつ磁気記録媒体ｔ−ａ造する無１解めっ
き浴が見い出されている（特願昭５６−０２５８３３．
１無′鴫解めっき浴″）。更に前記無’を解めっき浴に
おいてはα−Ｃ〇六方晶（磁化容易軸）が基板に対して
垂直配向し九磁性喚が得られるが、飽和磁化Ｍｓの低下
が少なく２πＭ、′で表現される大きな反磁界エネルギ
ーが垂直磁化記録の障碍となるためニッケル金共析する
ことによりＭｓの低下がはかられている。
ところが、磁性膜にニッケルを共析するため無電解めっ
き渣にニッケルイオンを脩加した場合、メッキ浴が者し
く不ゲ定となり建浴仮題時間で准中に浮遊物を生じやが
て府分解に至るという欠点があった。
き渣にニッケルイオンを脩加した場合、メッキ浴が者し
く不ゲ定となり建浴仮題時間で准中に浮遊物を生じやが
て府分解に至るという欠点があった。
本発明の目的は、この問題を教書して飽、ｔＩ］磁化の
低下がはかられ、かつ嘆面に垂直な方向に磁化容易軸を
もつ＄気記録媒体を安定に製造できる無電解めっき浴を
提供することにある。
低下がはかられ、かつ嘆面に垂直な方向に磁化容易軸を
もつ＄気記録媒体を安定に製造できる無電解めっき浴を
提供することにある。
本発明による無電解めっき浴は、コバルトイオン、ニッ
ケルイオ／、これら金属イオンの償元剤、ｐＨ緩衝剤、
ｐＨ調節剤、添加剤としてマンガンイオ／及び釜輌錯化
剤を含む水浴液であり、金属錯化剤としてコバルトイオ
ンに対して効果的な錯ンに対して効果的な錯化能力を有
するリンゴ１１！基が同時に加えられていることを特徴
としている。
ケルイオ／、これら金属イオンの償元剤、ｐＨ緩衝剤、
ｐＨ調節剤、添加剤としてマンガンイオ／及び釜輌錯化
剤を含む水浴液であり、金属錯化剤としてコバルトイオ
ンに対して効果的な錯ンに対して効果的な錯化能力を有
するリンゴ１１！基が同時に加えられていることを特徴
としている。
これによりメッキ浴の遊離金属イオンが適切に調節され
、メッキ液中に水酸化ニッケル等の浮遊物が発生して浴
分解するのを防さ゛メッキ浴の安岨化がはかれる。
、メッキ液中に水酸化ニッケル等の浮遊物が発生して浴
分解するのを防さ゛メッキ浴の安岨化がはかれる。
本発明において金属イオンとして用いられるコバルトイ
オン、ニッケとイオン、マンカンイオンとしては、コバ
ルト、二、ケルあるいハマ／カンの＃Ｌｒｍ塩、塩化塩
、匪酸塩などのり浴性塩を無電解めっき浴中に溶解する
ことによって供給される。
オン、ニッケとイオン、マンカンイオンとしては、コバ
ルト、二、ケルあるいハマ／カンの＃Ｌｒｍ塩、塩化塩
、匪酸塩などのり浴性塩を無電解めっき浴中に溶解する
ことによって供給される。
コバルトイオ：ｙのａｇｔａ、０．００２−１ ｍｏｌ
／／ノ範囲が用匹られ・るが、好ましくは０．０１〜０
．１５ｍ ｏ １ ／／の範囲である。二、ヶルイオ／
ノＩｌ＃度ハ、θ〜０．５ｍｏｌ／／の範囲が用いられ
るが好ましぐは０．００２〜０．０８ｍｏｌ／／の４！
、ｆｆｌである。マンガンイオンの濃度は、０．００３
〜２ｍｏｌ／／の範囲が用いられるが好ましくは０．０
２〜０．２ｍｏｌ／／ノａＩＭである。還元剤としては
次亜リン酸塩が普通に用いられるが、ヒドラジン塩類、
ホウ水素化物なども用いるととｈ；できる。
／／ノ範囲が用匹られ・るが、好ましくは０．０１〜０
．１５ｍ ｏ １ ／／の範囲である。二、ヶルイオ／
ノＩｌ＃度ハ、θ〜０．５ｍｏｌ／／の範囲が用いられ
るが好ましぐは０．００２〜０．０８ｍｏｌ／／の４！
、ｆｆｌである。マンガンイオンの濃度は、０．００３
〜２ｍｏｌ／／の範囲が用いられるが好ましくは０．０
２〜０．２ｍｏｌ／／ノａＩＭである。還元剤としては
次亜リン酸塩が普通に用いられるが、ヒドラジン塩類、
ホウ水素化物なども用いるととｈ；できる。
ｐＨ緩衝剤としてはアンモニウム塩、炭ｖ／！塩、有機
酸塩などが１史用され、０．０１〜２ｍｏｌ／／の範囲
の濃度が用いられる。
酸塩などが１史用され、０．０１〜２ｍｏｌ／／の範囲
の濃度が用いられる。
ｐＨ調節剤としては、ｐＨの上昇にはアンモニア、水酸
化ナトリウムなどのアルカリが用いられ、岨の降下には
４Ｊｋ酸、塩酸などの酸が用いられる。
化ナトリウムなどのアルカリが用いられ、岨の降下には
４Ｊｋ酸、塩酸などの酸が用いられる。
錯化剤としてのマロン酸基は、マロンｌ！ｉ！またはマ
ロン酸のｃｉＪ浴性塩によって供給され、０゜１〜２．
５ｍｏＩ／７の範囲の濃度が用いられる。リンゴ醒基は
、リンゴ酸ま九はリンゴ酸の可溶性塩によって供給され
、０．００５〜１．０ｍｏ Ｉ／／の範囲の濃度が用い
られる。
ロン酸のｃｉＪ浴性塩によって供給され、０゜１〜２．
５ｍｏＩ／７の範囲の濃度が用いられる。リンゴ醒基は
、リンゴ酸ま九はリンゴ酸の可溶性塩によって供給され
、０．００５〜１．０ｍｏ Ｉ／／の範囲の濃度が用い
られる。
以下、本発明による無電解めっき浴の特長を実施例によ
り説明する。
り説明する。
実施例１
エタノール脱脂後水抗を行った鋼基板に下記条件にて活
性化処理及び促進化処理を施した鎌、下記のめつき浴組
成及びめっき条件にてその上にＣｏ−Ｎｉ−Ｍｎ−Ｐ膜
（膜厚：３ μｍ ） ｋ 形成し念。
性化処理及び促進化処理を施した鎌、下記のめつき浴組
成及びめっき条件にてその上にＣｏ−Ｎｉ−Ｍｎ−Ｐ膜
（膜厚：３ μｍ ） ｋ 形成し念。
活性化処理条件
Ｈ８１０１Ｂ（日立化成ｇ ） ６０ ｃｃｌｌ、塩ｌ
ｌ１ｔ３．２０ｃｃ／Ｉ！、純水６２０ ｃｃｌｌを組
成とする活性液に３分間浸漬する。
ｌ１ｔ３．２０ｃｃ／Ｉ！、純水６２０ ｃｃｌｌを組
成とする活性液に３分間浸漬する。
促進化処理条件
ＡＤＰ２０１ （日立化成製） ２００ ｃｃｌｌ、
純水８００ ｃｃｌｌ を組成とする促進液に３分
間浸漬する０ めっき浴組成 硫酸コバルト ０．０２５ｍｏｌ／／７［’
ニッケル ０．００５ｍｏｌ／／次亜リン酸ナ
トリウム Ｑ、２０ ｍｏｌ／！硫酸アンモニウム
０．５０ ｍｏｌ／１硫酸マンガン ０
．０４ ｍｏｌ／ｌ！マロン酸ナトリウム ０．５
０ ｍｏｌ／！リンゴ酸ナトリクム ０−０．５０
ｍｏ ｌ ／／めっき条件 めっき浴のｐＨ−９，２（室温にてＮＨ４（ＪＨでｐｉ
（調節） めっき浴の幅！ｆ二８５℃ す／ゴ酸ナトリウムの濃度をＯから０．５０ｍｏ１／１
まで変化させて得られたＣｏ−Ｎｉ −Ｍｎ−Ｐ ｔ４
の結晶構造の変化を明らかにするためＸ線回折を行った
結果を次表に示す。表中の数字は同一試料における蛾大
強度の回折線の強さを１００とした相対強度を示す。
純水８００ ｃｃｌｌ を組成とする促進液に３分
間浸漬する０ めっき浴組成 硫酸コバルト ０．０２５ｍｏｌ／／７［’
ニッケル ０．００５ｍｏｌ／／次亜リン酸ナ
トリウム Ｑ、２０ ｍｏｌ／！硫酸アンモニウム
０．５０ ｍｏｌ／１硫酸マンガン ０
．０４ ｍｏｌ／ｌ！マロン酸ナトリウム ０．５
０ ｍｏｌ／！リンゴ酸ナトリクム ０−０．５０
ｍｏ ｌ ／／めっき条件 めっき浴のｐＨ−９，２（室温にてＮＨ４（ＪＨでｐｉ
（調節） めっき浴の幅！ｆ二８５℃ す／ゴ酸ナトリウムの濃度をＯから０．５０ｍｏ１／１
まで変化させて得られたＣｏ−Ｎｉ −Ｍｎ−Ｐ ｔ４
の結晶構造の変化を明らかにするためＸ線回折を行った
結果を次表に示す。表中の数字は同一試料における蛾大
強度の回折線の強さを１００とした相対強度を示す。
まで増加しても（１００）及び（１０１）の相対強度が
０、（００２）の相対強度が１００となりα−Ｃ〇六方
晶六方晶基軸に対して垂直方向に十分配向した状態を保
持していた。リンゴ酸ナトリウム濃度が０．３０ｍｏｌ
／／ 、以上ではｖＩｋ度増とともに（１００）及び（
１０１）の相対強度が増加しα−Ｃ〇−Ｃ〇のＣ軸が垂
直方向から面内方向に徐々に変化した。
０、（００２）の相対強度が１００となりα−Ｃ〇六方
晶六方晶基軸に対して垂直方向に十分配向した状態を保
持していた。リンゴ酸ナトリウム濃度が０．３０ｍｏｌ
／／ 、以上ではｖＩｋ度増とともに（１００）及び（
１０１）の相対強度が増加しα−Ｃ〇−Ｃ〇のＣ軸が垂
直方向から面内方向に徐々に変化した。
リンゴ酸ナトリウム濃度ｔ−Ｏから０．５１’）ｍｏｌ
／ｌまで変化させ、た時の飽和磁化Ｍｓの変化ｔ−第１
図に示す。リンゴ酸ナトリウムＯｍｏ １ ／ｌでのＭ
ｓは１１５ｅｍｕ／ｇであった。この値は本実施例の浴
において硫酸ニッケル及びリンゴ酸ナトリウム濃度を０
とした場合に得られるＭｓの値１２７ｅｍｕ／ｇにくら
べて１０％＠度減少していた。第１図に示す様にリンゴ
酸ナトリウム＃度を０，３ｍｏｌ／／まで増加してもＭ
ｓ は殆ど変化しない。
／ｌまで変化させ、た時の飽和磁化Ｍｓの変化ｔ−第１
図に示す。リンゴ酸ナトリウムＯｍｏ １ ／ｌでのＭ
ｓは１１５ｅｍｕ／ｇであった。この値は本実施例の浴
において硫酸ニッケル及びリンゴ酸ナトリウム濃度を０
とした場合に得られるＭｓの値１２７ｅｍｕ／ｇにくら
べて１０％＠度減少していた。第１図に示す様にリンゴ
酸ナトリウム＃度を０，３ｍｏｌ／／まで増加してもＭ
ｓ は殆ど変化しない。
リンゴ酸ナトリウム凝度０．４ｒｎｏｌ／／以上でＭｓ
はやや増加した。
はやや増加した。
めっき浴の安定性はリンゴ酸ナトリウムの添加によゆ抜
書される。リンゴ酸ナトリウムＯｍｏｌ／ｊの場合は、
建浴後難時間で液中に黒色の浮遊物が生じ、それがめつ
き＋ｆ１壁面に付着し浴分解に至った。リンゴ酸ナトリ
ウムｔＯ，０２ｍｏｌ／／ 以上添加した場合はめっき
液中に浮遊物社発生せず浴の安定性が著しく向上した。
書される。リンゴ酸ナトリウムＯｍｏｌ／ｊの場合は、
建浴後難時間で液中に黒色の浮遊物が生じ、それがめつ
き＋ｆ１壁面に付着し浴分解に至った。リンゴ酸ナトリ
ウムｔＯ，０２ｍｏｌ／／ 以上添加した場合はめっき
液中に浮遊物社発生せず浴の安定性が著しく向上した。
実施例２
実施例１と同様にしてＣｏ −Ｎ ｉ −Ｍｎ−Ｐ展（
膜厚：３μｍ）のめっきを行ったが、めっき浴として下
記の組成を用いた。
膜厚：３μｍ）のめっきを行ったが、めっき浴として下
記の組成を用いた。
めっき浴組成
硫酸コバルト ０．０２５ ｍｏ ｌ／／硫酸
二、ケル ０．０１５ ｍｏ １／！次亜リン
酸ナトリウム ０．２０ ｍｏｌ／／硫酸アンモニウ
ム ０．５０ ｍｏｌ／ｌ硫酸マンガｙ
Ｏ，０４ｍｏｌ／／ｉロン酸ナトリウム ０．５
０ ｍｏｌ／／リンゴ酸ナトリウム ０〜０．５０
ｍ０１／／リノゴーナトリウムの一度を０から０．５０
ｍｏｌ／ｌｉで変化させて得られたＣｎ −Ｎ ｉ −
４Ｖｎ−Ｐ膜のＸ線回折結果を次表に示す。
二、ケル ０．０１５ ｍｏ １／！次亜リン
酸ナトリウム ０．２０ ｍｏｌ／／硫酸アンモニウ
ム ０．５０ ｍｏｌ／ｌ硫酸マンガｙ
Ｏ，０４ｍｏｌ／／ｉロン酸ナトリウム ０．５
０ ｍｏｌ／／リンゴ酸ナトリウム ０〜０．５０
ｍ０１／／リノゴーナトリウムの一度を０から０．５０
ｍｏｌ／ｌｉで変化させて得られたＣｎ −Ｎ ｉ −
４Ｖｎ−Ｐ膜のＸ線回折結果を次表に示す。
リンゴ酸ナトリウムａ度を０がら０．２０ｍｏｆ／／
”まで増加しても（１００）及び（１０１）の
相対強度が０．（００２）の相対強度がＴＯＯとなりα
−ｃ。
”まで増加しても（１００）及び（１０１）の
相対強度が０．（００２）の相対強度がＴＯＯとなりα
−ｃ。
六方晶のＣ軸が基板に対して垂直方向に十分配向した状
態を保持していた。リンゴ順ナトリウム一度が０．３０
ｍｏ！／／ 以上でに４度増とともに（１００）及び（
１０１）の相対強度が増加しα−Ｃ〇六方晶のＣ軸が垂
直方向から面内方向に徐々に変化した。
態を保持していた。リンゴ順ナトリウム一度が０．３０
ｍｏ！／／ 以上でに４度増とともに（１００）及び（
１０１）の相対強度が増加しα−Ｃ〇六方晶のＣ軸が垂
直方向から面内方向に徐々に変化した。
リンゴ鍍ナトリウムー１夏ｔ−０から０．５０ｍｏｌ／
／まで変化させた時の飽和磁化Ｍｓの変化全第２図に示
す。リンゴ酸ナトリウムＯｍｏｌ／／でのＬＩＪＳは９
６ｅｍｕ／ｇであった。この１直は本実施列の浴におい
てｍＷニッケル及びリンゴ酸ナトリウム礫度を０とした
場合に得られる＋Ｖｓの値１２７ｅｍｕ／上でＭｓはや
や増加した。
／まで変化させた時の飽和磁化Ｍｓの変化全第２図に示
す。リンゴ酸ナトリウムＯｍｏｌ／／でのＬＩＪＳは９
６ｅｍｕ／ｇであった。この１直は本実施列の浴におい
てｍＷニッケル及びリンゴ酸ナトリウム礫度を０とした
場合に得られる＋Ｖｓの値１２７ｅｍｕ／上でＭｓはや
や増加した。
リンゴ酸ナトリウム（１ｍｏｌ／／の場合、実施例１に
くらべて硫酸ニッケル′ａ（を増加している本実施例の
浴においては浴の安定性はより劣化していたが、リンゴ
酸ナトリウムの添加によ炒改善された。リンゴ酸ナトリ
ウムを０．（１４ｍｏｌ／／ 以上添加した場合はめつ
き液中に浮遊物は発生せず浴の安定性が者しく向上した
。
くらべて硫酸ニッケル′ａ（を増加している本実施例の
浴においては浴の安定性はより劣化していたが、リンゴ
酸ナトリウムの添加によ炒改善された。リンゴ酸ナトリ
ウムを０．（１４ｍｏｌ／／ 以上添加した場合はめつ
き液中に浮遊物は発生せず浴の安定性が者しく向上した
。
ナトリウムを添加して安定性を改善しためっき浴より得
られる磁性１漢についてもニッケル共析により低下させ
た飽和磁化の値が保たれ、かつＣ軸が基板に対して垂直
方向を向いているので、垂直磁化記録の磁気記録媒体に
用いることができる。
られる磁性１漢についてもニッケル共析により低下させ
た飽和磁化の値が保たれ、かつＣ軸が基板に対して垂直
方向を向いているので、垂直磁化記録の磁気記録媒体に
用いることができる。
す／ゴ酸ナトリウムの添刀口によりめっき浴の安定性が
改善されるが、めっき液中に浮遊物が発生せず浴分ｙｓ
を防ぐのに要するリンゴ酸ナトリウムの濃度は硫酸ニッ
ケル濃度により変化した。また浴組成の還元剤、ｐＨ緩
衝剤、鰯化剤等の濃度を変化させた場合も安定なめっき
谷を得るにはリンゴ酸ナトリウム濃度を適当に選定する
ことにより達せられる。
改善されるが、めっき液中に浮遊物が発生せず浴分ｙｓ
を防ぐのに要するリンゴ酸ナトリウムの濃度は硫酸ニッ
ケル濃度により変化した。また浴組成の還元剤、ｐＨ緩
衝剤、鰯化剤等の濃度を変化させた場合も安定なめっき
谷を得るにはリンゴ酸ナトリウム濃度を適当に選定する
ことにより達せられる。
以上、実施例で示された様に本発明によれば、磁性膜を
作製するめっき浴においてコバルトイオン、ニッケルイ
オン、これら金属イオンの還元剤、ｐＨ緩衝剤、ｐＨ調
節剤、添加剤としてマンガンイオンを含む水溶液に１σ
記金属イオンの錯化剤としてマロン酸基及びリンゴ酸基
を同時に加えることにより、飽和磁化の低下がはかられ
かつ帳面に垂直な方向に磁化容易軸が配向した磁気記録
媒体を安定に作成することができる。
作製するめっき浴においてコバルトイオン、ニッケルイ
オン、これら金属イオンの還元剤、ｐＨ緩衝剤、ｐＨ調
節剤、添加剤としてマンガンイオンを含む水溶液に１σ
記金属イオンの錯化剤としてマロン酸基及びリンゴ酸基
を同時に加えることにより、飽和磁化の低下がはかられ
かつ帳面に垂直な方向に磁化容易軸が配向した磁気記録
媒体を安定に作成することができる。
第１図は実施列１のめつき浴１こおけ６リンゴ酸ナトリ
ウム濃度と八１Ｓの関係を示す図で汐ンｅ）％第２図は
実施列２のめつき浴における同様の関係を示す図である
。
ウム濃度と八１Ｓの関係を示す図で汐ンｅ）％第２図は
実施列２のめつき浴における同様の関係を示す図である
。
Claims (1)
- コバルトイオン、ニッケルイオン、これら金属イオンの
還元剤５ｐＨｄ備剤、ｐＨ−節並びに冷加剤としてマン
ガンイオンを含む水浴液に、前記金属イオンの鰯化削と
してマロン酸基及びリンゴ酸基を含むことを特徴とする
無電解めっき浴。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15570981A JPS5858270A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 無電解めつき浴 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15570981A JPS5858270A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 無電解めつき浴 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5858270A true JPS5858270A (ja) | 1983-04-06 |
Family
ID=15611788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15570981A Pending JPS5858270A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 無電解めつき浴 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5858270A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6112876A (ja) * | 1984-06-28 | 1986-01-21 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 無電解めつき浴 |
| JPH04143282A (ja) * | 1990-10-05 | 1992-05-18 | Univ Waseda | 無電解めっき浴 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56155705A (en) * | 1980-05-02 | 1981-12-02 | Matsushita Electric Works Ltd | Manufacture of aggregate wood |
| JPS56155706A (en) * | 1980-05-06 | 1981-12-02 | Ai Tadashi | Automatic cutter for small width veneer |
-
1981
- 1981-09-30 JP JP15570981A patent/JPS5858270A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56155705A (en) * | 1980-05-02 | 1981-12-02 | Matsushita Electric Works Ltd | Manufacture of aggregate wood |
| JPS56155706A (en) * | 1980-05-06 | 1981-12-02 | Ai Tadashi | Automatic cutter for small width veneer |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6112876A (ja) * | 1984-06-28 | 1986-01-21 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 無電解めつき浴 |
| JPH04143282A (ja) * | 1990-10-05 | 1992-05-18 | Univ Waseda | 無電解めっき浴 |
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