JPS6338432B2 - - Google Patents
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- JPS6338432B2 JPS6338432B2 JP2583381A JP2583381A JPS6338432B2 JP S6338432 B2 JPS6338432 B2 JP S6338432B2 JP 2583381 A JP2583381 A JP 2583381A JP 2583381 A JP2583381 A JP 2583381A JP S6338432 B2 JPS6338432 B2 JP S6338432B2
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Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
本発明は、磁気記録媒体の膜厚方向の磁化によ
つて記録を行う、いわゆる垂直記録に用いる磁気
記録媒体（磁性膜）を作製するめつき浴に関する
ものである。 従来、一般の磁気デイスク装置、磁気テープ装
置などの磁気記録装置においては、基板上に形成
された磁気記録媒体にリング型磁気ヘツドによつ
て水平方向に磁化することにより記録を行なつて
いる。 しかし、水平磁化による記録には記録信号が短
波長なるに従い、即ち記録密度の増加に従つて、
媒体内の反磁界が増大して残留磁化の減衰と回転
を生じ、再生出力が著しく減少するという欠点が
存在する。そこで、この問題解決のため短波長に
なる程反磁界が小さくなる性質をもつ垂直記録方
式が提案され、この垂直記録に適した磁気記録媒
体としては、膜厚に垂直な方向に磁化容易軸をも
つCo―Crスパツタ膜が提案されている。そして、
この垂直磁化記録方式は従来の水平方向の磁化に
よる記録方式に比べて高密度記録に優れているこ
とが報告されている。（特開昭52―134706号公報
参照）。ところでCo―Cr膜をスパツタ法により作
製する場合、真空系内で行うため量産性に問題が
あること、及びスパツタによる基板温度の上昇に
よつて使用する基板材質に制限を与えるという問
題がある。 本発明の目的は、これらの製造上の問題点を改
善して量産性に優れ、金属基板のみならず一般に
普及している有機樹脂基板の軟化温度以下で作製
可能な無電解めつき法により、膜面に垂直な方向
に磁化容易軸をもつ磁気記録媒体を製造する無電
解めつき浴を提供することにある。 本発明による無電解めつき浴は、コバルトイオ
ン、コバルトイオンの還元剤、PH緩衝剤、PH調節
剤並びにコバルトイオンの錯化剤としてのマロン
酸基およびグルコン酸基を含む水溶液に、マンガ
ンイオンを加えたことを特徴としており、これに
より磁気記録媒体の磁化容易軸を膜面に垂直な方
向に向けることができる。 本発明において金属イオンとして用いられるコ
バルトイオン、マンガンイオンとしては、コバル
トあるいはマンガンの硫酸塩、塩化塩、酢酸塩な
どの可溶性塩を無電解めつき浴中に溶解すること
によつて供給される。コバルトイオンの濃度は、
0.002〜1mol／の範囲が用いられるが、好まし
くは0.01〜0.15mol／の範囲である。マンガン
イオンの濃度は、0.003〜2mol／の範囲が用い
られるが好ましくは0.02〜0.2mol／の範囲であ
る。還元剤としては次亜リン酸塩が普通に用いら
れるが、ヒドラジン塩類、ホウ水素化物なども用
いることができる。 PH緩衝剤としてはアンモニウム塩、炭酸塩、有
機酸塩などが使用され、0.01〜2mol／の範囲
の濃度が用いられる。 PH調節剤としては、PHの上昇にはアンモニア、
水酸化ナトリウムなどのアルカリが用いられ、PH
の降下には硫酸、塩酸などの酸が用いられる。錯
化剤としてのマロン酸基は、マロン酸またはマロ
ン酸の可溶性塩によつて供給され、0.1〜
2.5mol／の範囲の濃度が用いられる。グルコ
ン酸基は、グルコン酸またはグルコン酸の可溶性
塩によつて供給され、0.01〜1.0mol／の範囲の
濃度が用いられる。 以下、本発明による無電解めつき浴の特長を実
施例により説明する。 実施例 １ エタノール脱脂後水洗を行つた銅基板に下記条
件にて活性化処理及び促進化処理を施した後、下
記のめつき浴組成及びめつき条件にてその上に
Co―Mn―Ｐ膜（膜厚1μm）を形成した。 活性化処理条件 HS101B（日立化成製）60c.c.／、塩酸320c.c.／
純水620c.c.／を組成とする活性液に３分間浸
漬する。 促進化処理条件 ADP201（日立化成製）200c.c.／、純水800
c.c.／を組成とする促進液に３分間浸漬する。 めつき浴組成 硫酸コバルト 0.025mol／ 次亜リン酸ナトリウム 0.20mol／ 硫酸アンモニウム 0.50mol／ マロン酸ナトリウム 0.50mol／ グルコン酸 0.50mol／ 硫酸マンガン ０〜0.07mol／ めつき条件 めつき浴のPH9.0（室温にてNH4OHでPH調
節） めつき浴の温度85℃ 硫酸マンガンの濃度を０から0.07mol／まで
変化させて得られたCo―Mn―Ｐ膜の結晶構造の
変化を明らかにするためＸ線回折を行つた結果を
次表に示す。表中の数字は同一試料における最大
強度の回折線の強さを100とした相対強度を示す。
つて記録を行う、いわゆる垂直記録に用いる磁気
記録媒体（磁性膜）を作製するめつき浴に関する
ものである。 従来、一般の磁気デイスク装置、磁気テープ装
置などの磁気記録装置においては、基板上に形成
された磁気記録媒体にリング型磁気ヘツドによつ
て水平方向に磁化することにより記録を行なつて
いる。 しかし、水平磁化による記録には記録信号が短
波長なるに従い、即ち記録密度の増加に従つて、
媒体内の反磁界が増大して残留磁化の減衰と回転
を生じ、再生出力が著しく減少するという欠点が
存在する。そこで、この問題解決のため短波長に
なる程反磁界が小さくなる性質をもつ垂直記録方
式が提案され、この垂直記録に適した磁気記録媒
体としては、膜厚に垂直な方向に磁化容易軸をも
つCo―Crスパツタ膜が提案されている。そして、
この垂直磁化記録方式は従来の水平方向の磁化に
よる記録方式に比べて高密度記録に優れているこ
とが報告されている。（特開昭52―134706号公報
参照）。ところでCo―Cr膜をスパツタ法により作
製する場合、真空系内で行うため量産性に問題が
あること、及びスパツタによる基板温度の上昇に
よつて使用する基板材質に制限を与えるという問
題がある。 本発明の目的は、これらの製造上の問題点を改
善して量産性に優れ、金属基板のみならず一般に
普及している有機樹脂基板の軟化温度以下で作製
可能な無電解めつき法により、膜面に垂直な方向
に磁化容易軸をもつ磁気記録媒体を製造する無電
解めつき浴を提供することにある。 本発明による無電解めつき浴は、コバルトイオ
ン、コバルトイオンの還元剤、PH緩衝剤、PH調節
剤並びにコバルトイオンの錯化剤としてのマロン
酸基およびグルコン酸基を含む水溶液に、マンガ
ンイオンを加えたことを特徴としており、これに
より磁気記録媒体の磁化容易軸を膜面に垂直な方
向に向けることができる。 本発明において金属イオンとして用いられるコ
バルトイオン、マンガンイオンとしては、コバル
トあるいはマンガンの硫酸塩、塩化塩、酢酸塩な
どの可溶性塩を無電解めつき浴中に溶解すること
によつて供給される。コバルトイオンの濃度は、
0.002〜1mol／の範囲が用いられるが、好まし
くは0.01〜0.15mol／の範囲である。マンガン
イオンの濃度は、0.003〜2mol／の範囲が用い
られるが好ましくは0.02〜0.2mol／の範囲であ
る。還元剤としては次亜リン酸塩が普通に用いら
れるが、ヒドラジン塩類、ホウ水素化物なども用
いることができる。 PH緩衝剤としてはアンモニウム塩、炭酸塩、有
機酸塩などが使用され、0.01〜2mol／の範囲
の濃度が用いられる。 PH調節剤としては、PHの上昇にはアンモニア、
水酸化ナトリウムなどのアルカリが用いられ、PH
の降下には硫酸、塩酸などの酸が用いられる。錯
化剤としてのマロン酸基は、マロン酸またはマロ
ン酸の可溶性塩によつて供給され、0.1〜
2.5mol／の範囲の濃度が用いられる。グルコ
ン酸基は、グルコン酸またはグルコン酸の可溶性
塩によつて供給され、0.01〜1.0mol／の範囲の
濃度が用いられる。 以下、本発明による無電解めつき浴の特長を実
施例により説明する。 実施例 １ エタノール脱脂後水洗を行つた銅基板に下記条
件にて活性化処理及び促進化処理を施した後、下
記のめつき浴組成及びめつき条件にてその上に
Co―Mn―Ｐ膜（膜厚1μm）を形成した。 活性化処理条件 HS101B（日立化成製）60c.c.／、塩酸320c.c.／
純水620c.c.／を組成とする活性液に３分間浸
漬する。 促進化処理条件 ADP201（日立化成製）200c.c.／、純水800
c.c.／を組成とする促進液に３分間浸漬する。 めつき浴組成 硫酸コバルト 0.025mol／ 次亜リン酸ナトリウム 0.20mol／ 硫酸アンモニウム 0.50mol／ マロン酸ナトリウム 0.50mol／ グルコン酸 0.50mol／ 硫酸マンガン ０〜0.07mol／ めつき条件 めつき浴のPH9.0（室温にてNH4OHでPH調
節） めつき浴の温度85℃ 硫酸マンガンの濃度を０から0.07mol／まで
変化させて得られたCo―Mn―Ｐ膜の結晶構造の
変化を明らかにするためＸ線回折を行つた結果を
次表に示す。表中の数字は同一試料における最大
強度の回折線の強さを100とした相対強度を示す。
【表】
硫酸マンガン濃度が0.02mol／以上に増加す
るに従つてα―Co六方晶のＣ軸（磁化容易軸）
が基板に対して面内方向から垂直方向に変化して
いく様子が窺われる。 実施例 ２ 実施例１と同様にしてCo―Mn―Ｐ膜（膜厚
1μm）のめつきを行つたが、めつき浴として下記
の組成を用いた。 めつき浴組成 硫酸コバルト 0.05mol／ 次亜リン酸ナトリウム 0.20mol／ 硫酸アンモニウム 0.50mol／ マロン酸ナトリウム 0.50mol／ グルコン酸 0.50mol／ 硫酸マンガン 0.01〜0.08mol／ 硫酸マンガンの濃度を0.01〜0.08mol／まで
変化させて得られたCo―Mn―Ｐ膜のＸ線回折結
果を次表に示す。
るに従つてα―Co六方晶のＣ軸（磁化容易軸）
が基板に対して面内方向から垂直方向に変化して
いく様子が窺われる。 実施例 ２ 実施例１と同様にしてCo―Mn―Ｐ膜（膜厚
1μm）のめつきを行つたが、めつき浴として下記
の組成を用いた。 めつき浴組成 硫酸コバルト 0.05mol／ 次亜リン酸ナトリウム 0.20mol／ 硫酸アンモニウム 0.50mol／ マロン酸ナトリウム 0.50mol／ グルコン酸 0.50mol／ 硫酸マンガン 0.01〜0.08mol／ 硫酸マンガンの濃度を0.01〜0.08mol／まで
変化させて得られたCo―Mn―Ｐ膜のＸ線回折結
果を次表に示す。
【表】
【表】
硫酸マンガン濃度が0.05mol／以上に増加す
るに従つてα―Co六方晶のＣ軸が基板に対して
面内方向から垂直方向に変化した。 実施例 ３ 実施例１と同様の手順で、下記のめつき浴組成
にてCo―Mn―Ｐ膜（膜厚1μm）を形成した。 めつき浴組成 硫酸コバルト 0.075mol／ 次亜リン酸ナトリウム 0.20mol／ 硫酸アンモニウム 0.50mol／ マロン酸ナトリウム 0.50mol／ グルコン酸 0.50mol／ 硫酸マンガン 0.05〜0.11mol／ 硫酸マンガンの濃度を0.05〜0.11mol／まで
変化させて得られたCo―Mn―Ｐ膜のＸ線回折結
果を次表に示す。
るに従つてα―Co六方晶のＣ軸が基板に対して
面内方向から垂直方向に変化した。 実施例 ３ 実施例１と同様の手順で、下記のめつき浴組成
にてCo―Mn―Ｐ膜（膜厚1μm）を形成した。 めつき浴組成 硫酸コバルト 0.075mol／ 次亜リン酸ナトリウム 0.20mol／ 硫酸アンモニウム 0.50mol／ マロン酸ナトリウム 0.50mol／ グルコン酸 0.50mol／ 硫酸マンガン 0.05〜0.11mol／ 硫酸マンガンの濃度を0.05〜0.11mol／まで
変化させて得られたCo―Mn―Ｐ膜のＸ線回折結
果を次表に示す。
【表】
硫酸マンガン濃度が0.05mol／以上に増加す
るに従つてα―Co六方晶のＣ軸が基板に対して
面内方向から垂直方向に変化した。 実施例 ４ 実施例１と同様の手順で、下記のめつき浴組成
にてCo―Mn―Ｐ膜（膜厚1μm）を形成した。 めつき浴組成 硫酸コバルト 0.10mol／ 次亜リン酸ナトリウム 0.20mol／ 硫酸アンモニウム 0.50mol／ マロン酸ナトリウム 0.50mol／ グルコン酸 0.50mol／ 硫酸マンガン 0.05〜0.10mol／ 硫酸マンガンの濃度を0.05〜0.10mol／まで
変化させて得られたCo―Mn―Ｐ膜のＸ線回折結
果を次表に示す。
るに従つてα―Co六方晶のＣ軸が基板に対して
面内方向から垂直方向に変化した。 実施例 ４ 実施例１と同様の手順で、下記のめつき浴組成
にてCo―Mn―Ｐ膜（膜厚1μm）を形成した。 めつき浴組成 硫酸コバルト 0.10mol／ 次亜リン酸ナトリウム 0.20mol／ 硫酸アンモニウム 0.50mol／ マロン酸ナトリウム 0.50mol／ グルコン酸 0.50mol／ 硫酸マンガン 0.05〜0.10mol／ 硫酸マンガンの濃度を0.05〜0.10mol／まで
変化させて得られたCo―Mn―Ｐ膜のＸ線回折結
果を次表に示す。
【表】
硫酸マンガンの濃度が0.06mol／以上に増加
するに従つてα―Co六方晶のＣ軸が基板に対し
て面内方向から垂直方向に変化した。 以上のように実施例１〜４において硫酸マンガ
ン濃度を増加させためつき浴より得られる磁性膜
はそのＣ軸が基板に対して垂直方向を向いている
ので、垂直磁化記録の磁気記録媒体に用いること
ができる。 硫酸マンガン濃度増加によりα―Co六方晶の
Ｃ軸が基板に対して垂直方向に変化するが、（０、
０、２）以外の回折線が消失し十分に垂直配向し
た状態を与える硫酸マンガン濃度は硫酸コバルト
濃度により変化した。また浴組成の還元剤、PH緩
衝剤、錯化剤等の濃度を変化させた場合も良好な
垂直配向状態を得るには硫酸マンガン濃度を適当
に選定することにより達せられる。 なお、実施例では金属基板の場合について述べ
たが、有機樹脂基板例えばポリイミド積層板を用
いる場合、活性化処理前にエタノール脱脂のかわ
りにコンデイシヨナー（シプレイ・フアーイース
ト社製）に５〜10分間浸漬して脱脂を行ない、実
施例１と同様の手順でめつきすることにより実施
例と同様にα―Co六方晶のＣ軸が垂直配向した
Co―Mn―Ｐ膜が得られた。他のポリエステル
ABS樹脂、エポキシ樹脂などの有機樹脂基板を
用いる場合も、適当な脱脂処理を行うことによ
り、密着性良くめつきすることができ、α―Co
六方晶のＣ軸が垂直配向したCo―Mn―Ｐ膜を得
ることができる。 以上、実施例で示された様に本発明によれば、
磁性膜を作製するめつき浴においてコバルトイオ
ン、コバルトイオンの還元剤、PH緩衝剤、並びに
コバルトイオンの錯化剤としてのマロン酸基およ
びグルコン酸基を含む水溶液に、マンガンイオン
を加えることにより、磁気記録媒体となる磁性膜
の磁化容易軸を膜面に垂直な方向に近づけること
ができる。
するに従つてα―Co六方晶のＣ軸が基板に対し
て面内方向から垂直方向に変化した。 以上のように実施例１〜４において硫酸マンガ
ン濃度を増加させためつき浴より得られる磁性膜
はそのＣ軸が基板に対して垂直方向を向いている
ので、垂直磁化記録の磁気記録媒体に用いること
ができる。 硫酸マンガン濃度増加によりα―Co六方晶の
Ｃ軸が基板に対して垂直方向に変化するが、（０、
０、２）以外の回折線が消失し十分に垂直配向し
た状態を与える硫酸マンガン濃度は硫酸コバルト
濃度により変化した。また浴組成の還元剤、PH緩
衝剤、錯化剤等の濃度を変化させた場合も良好な
垂直配向状態を得るには硫酸マンガン濃度を適当
に選定することにより達せられる。 なお、実施例では金属基板の場合について述べ
たが、有機樹脂基板例えばポリイミド積層板を用
いる場合、活性化処理前にエタノール脱脂のかわ
りにコンデイシヨナー（シプレイ・フアーイース
ト社製）に５〜10分間浸漬して脱脂を行ない、実
施例１と同様の手順でめつきすることにより実施
例と同様にα―Co六方晶のＣ軸が垂直配向した
Co―Mn―Ｐ膜が得られた。他のポリエステル
ABS樹脂、エポキシ樹脂などの有機樹脂基板を
用いる場合も、適当な脱脂処理を行うことによ
り、密着性良くめつきすることができ、α―Co
六方晶のＣ軸が垂直配向したCo―Mn―Ｐ膜を得
ることができる。 以上、実施例で示された様に本発明によれば、
磁性膜を作製するめつき浴においてコバルトイオ
ン、コバルトイオンの還元剤、PH緩衝剤、並びに
コバルトイオンの錯化剤としてのマロン酸基およ
びグルコン酸基を含む水溶液に、マンガンイオン
を加えることにより、磁気記録媒体となる磁性膜
の磁化容易軸を膜面に垂直な方向に近づけること
ができる。
Claims (1)
- １ コバルトイオン、コバルトイオンの還元剤、
PH緩衝剤並びにコバルトイオンの錯化剤としてマ
ロン酸基およびグルコン酸基を含む水溶液に、マ
ンガンイオンを加えたことを特徴とする無電解め
つき浴。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2583381A JPS57140869A (en) | 1981-02-24 | 1981-02-24 | Electroless plating bath |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2583381A JPS57140869A (en) | 1981-02-24 | 1981-02-24 | Electroless plating bath |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57140869A JPS57140869A (en) | 1982-08-31 |
| JPS6338432B2 true JPS6338432B2 (ja) | 1988-07-29 |
Family
ID=12176852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2583381A Granted JPS57140869A (en) | 1981-02-24 | 1981-02-24 | Electroless plating bath |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57140869A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61204837A (ja) * | 1985-03-08 | 1986-09-10 | Nippon Light Metal Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
-
1981
- 1981-02-24 JP JP2583381A patent/JPS57140869A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57140869A (en) | 1982-08-31 |
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