JPS5858266A - 無電解めつき浴 - Google Patents
無電解めつき浴Info
- Publication number
- JPS5858266A JPS5858266A JP15570581A JP15570581A JPS5858266A JP S5858266 A JPS5858266 A JP S5858266A JP 15570581 A JP15570581 A JP 15570581A JP 15570581 A JP15570581 A JP 15570581A JP S5858266 A JPS5858266 A JP S5858266A
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- JP
- Japan
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- ions
- plating bath
- cobalt ions
- electroless plating
- malonic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁気記録媒体の膜厚方向の磁イしＫよりて記
録を行う、いわゆる垂直記録に用いる磁気記録媒体（Ｗ
＆性展）を作製するめり亀浴に関するものである。
録を行う、いわゆる垂直記録に用いる磁気記録媒体（Ｗ
＆性展）を作製するめり亀浴に関するものである。
従来、一般の磁気ディスク装置、磁気テープ装置などの
磁気記録装置においては、基板上に形成された磁気記録
媒体にリング！１ｉｌＩｋ気へラドによりて水平方向に
磁化することにより記録を行なりている〇 しかし、水平磁化による記録には記録信号が短波長に々
るに従い、即ち記録密度の増加に従って、媒体内の反磁
界が増大して残留磁化の減衰とＨ転管生じ、再生出力が
−著しく減少するという欠点が存在する。そこで、この
問題解決のため短波長になる相反磁界が小さくなる性質
をもつ垂直記録方式が提案され、この垂直記録に適した
磁気記録媒体としては、膜厚に＠直な方向に磁化容易軸
をもつＣｏ−☆スパッタ膜が提案されている。そして、
この垂直磁化記録方式は従来の水平方向の磁化による記
録方式に比べて高密度記録に優れていることが報告され
ている（特開昭５２−１３４７０６号公報参照）。とこ
ろでＣｏ−Ｃｒ膜をスパッタ法により作製する場合、真
空系内で行うため量産性に問題がある。
磁気記録装置においては、基板上に形成された磁気記録
媒体にリング！１ｉｌＩｋ気へラドによりて水平方向に
磁化することにより記録を行なりている〇 しかし、水平磁化による記録には記録信号が短波長に々
るに従い、即ち記録密度の増加に従って、媒体内の反磁
界が増大して残留磁化の減衰とＨ転管生じ、再生出力が
−著しく減少するという欠点が存在する。そこで、この
問題解決のため短波長になる相反磁界が小さくなる性質
をもつ垂直記録方式が提案され、この垂直記録に適した
磁気記録媒体としては、膜厚に＠直な方向に磁化容易軸
をもつＣｏ−☆スパッタ膜が提案されている。そして、
この垂直磁化記録方式は従来の水平方向の磁化による記
録方式に比べて高密度記録に優れていることが報告され
ている（特開昭５２−１３４７０６号公報参照）。とこ
ろでＣｏ−Ｃｒ膜をスパッタ法により作製する場合、真
空系内で行うため量産性に問題がある。
このためこの様な製造上の問題点を改善して量産性に優
れた無電解めりき法により、膜面に垂直な方向Ｋｉｌ化
容易軸をもつ磁気記録装置を製造する無電解めりき浴が
見い出されている（特願昭５６−０２５８３３ 、 ”
無電解めっき浴１）。
れた無電解めりき法により、膜面に垂直な方向Ｋｉｌ化
容易軸をもつ磁気記録装置を製造する無電解めりき浴が
見い出されている（特願昭５６−０２５８３３ 、 ”
無電解めっき浴１）。
ところが前記無電解めっき浴においてはマンガン濃度が
増加するに従ってα−Ｑ六方晶のＣ軸（磁化容易軸）が
基板に対して面内方向から垂直方向に変化するが、同時
にめっき膜表面状態の著しい劣化をも伴うという欠点が
あった。
増加するに従ってα−Ｑ六方晶のＣ軸（磁化容易軸）が
基板に対して面内方向から垂直方向に変化するが、同時
にめっき膜表面状態の著しい劣化をも伴うという欠点が
あった。
本発明の目的は、この問題を改善してめっき膜表面状態
の向上がはかられ、かつより配向性良く膜面に垂直な方
向に磁化容易軸をもつ磁気記録媒体を段進できる無電解
めっき浴を提供することＫある。
の向上がはかられ、かつより配向性良く膜面に垂直な方
向に磁化容易軸をもつ磁気記録媒体を段進できる無電解
めっき浴を提供することＫある。
本発明による無電解めりき浴は、コバルトイオン、コバ
ルトイオンの還元剤、ｐＨ緩衝剤、ｐＨ１１節剤並びに
コバルトイオンの錯化剤としてのマロン鈑基を含む水溶
液に１マンガンイオンを加えたことを４１１ｍとしてお
り、これＫより磁気記録媒体の磁化容易軸を膜面に垂直
な方向に向けることができる。
ルトイオンの還元剤、ｐＨ緩衝剤、ｐＨ１１節剤並びに
コバルトイオンの錯化剤としてのマロン鈑基を含む水溶
液に１マンガンイオンを加えたことを４１１ｍとしてお
り、これＫより磁気記録媒体の磁化容易軸を膜面に垂直
な方向に向けることができる。
本発明において金属イオンとして用いられるコバルトイ
オン、マンガンイオンとしては、コ酸塩などの可溶性塩
を無電解めっき浴中に溶解すること和よフて供給される
。コバルトイオンの濃度は、 ０．００２〜１ｍｏｌ／
ｌの範囲が用いられるが、好ましく ｕ ０．００１〜
Ｏ，１５ｍｏｌ／ｌの範囲である。
オン、マンガンイオンとしては、コ酸塩などの可溶性塩
を無電解めっき浴中に溶解すること和よフて供給される
。コバルトイオンの濃度は、 ０．００２〜１ｍｏｌ／
ｌの範囲が用いられるが、好ましく ｕ ０．００１〜
Ｏ，１５ｍｏｌ／ｌの範囲である。
マンガンイオンの濃度ａ、 ｏ、ｏｏａ〜２ｍｏ１７’
ｔの範囲がｍ１られるが好ましくは０４）０２〜０２ｍ
ｏ ｌ／ｌの範囲である。
ｔの範囲がｍ１られるが好ましくは０４）０２〜０２ｍ
ｏ ｌ／ｌの範囲である。
還元剤としては次亜りン緻塩が普通に用いられるが、ヒ
ドラジン塩類、ホウ水素化物なども用いることができる
。
ドラジン塩類、ホウ水素化物なども用いることができる
。
ｐＨ緩衝剤としてはアンモニウム塩、炭酸塩、有機酸塩
などが使用され、（１０１〜２ｍｏｌ／ｌの範囲の濃度
が用いられる。
などが使用され、（１０１〜２ｍｏｌ／ｌの範囲の濃度
が用いられる。
ｐＨ調節剤としては、ｐＨの上昇にはアンモニア、水酸
化ナトリウムなどのアルカリ用いられ、ｐＨの降下に：
は硫１［ｓ塩酸などの鈑が用いられる。
化ナトリウムなどのアルカリ用いられ、ｐＨの降下に：
は硫１［ｓ塩酸などの鈑が用いられる。
錯化剤としてのマロン酸基は、マロン酸またｈマロン酸
の可溶性塩によって供給され、０１〜２．５ｍｏ １／
ｌの範囲の濃度が用いられる。
の可溶性塩によって供給され、０１〜２．５ｍｏ １／
ｌの範囲の濃度が用いられる。
以下、本発Ｆ！ＡＫよる無電解めっき浴の特長を比較例
及び実施例により説明よる。
及び実施例により説明よる。
比較例 １゜
エタノール脱脂稜水洗を行った銅基板に下記条件にて活
性化処理及び促進化処理をｈした後、下記のめつき浴組
成及びめっき条件にて゛その上にＣｏ −Ｍｒｒ−Ｐ
ＩＩ （ＩＩ厚＝Ｉ１１ｍ） を形成した〇活性化処
理条件 Ｈ８１０１Ｂ（１３立化１ｔＨ） ａｏｒｘｙ’ム塩酸
３２０ＣＪｔ純水６２０Ｃｆｔを組成とする活性液に３
分間浸漬するＯ 促進化処理条件 ＡＤＰ２０１（Ｂ文化成製） ２００Ｃｒ７’Ｌ純水ｇ
ｏ ｏｃｔ７ｔを組成とする促進′＃ＬＶｃ３分間浸
漬する。
性化処理及び促進化処理をｈした後、下記のめつき浴組
成及びめっき条件にて゛その上にＣｏ −Ｍｒｒ−Ｐ
ＩＩ （ＩＩ厚＝Ｉ１１ｍ） を形成した〇活性化処
理条件 Ｈ８１０１Ｂ（１３立化１ｔＨ） ａｏｒｘｙ’ム塩酸
３２０ＣＪｔ純水６２０Ｃｆｔを組成とする活性液に３
分間浸漬するＯ 促進化処理条件 ＡＤＰ２０１（Ｂ文化成製） ２００Ｃｒ７’Ｌ純水ｇ
ｏ ｏｃｔ７ｔを組成とする促進′＃ＬＶｃ３分間浸
漬する。
めっき浴組成
ｆＥ［コバルト ０．０２５ｍｏｌ／を次
亜リン酸ナトリウム ０．２０ ｍｏｌ／を硫酸アン
モニウム ０．５０ ｍｏｌ／ｌマロン酸ナトリ
ウム ０．５０ ｍｏｌ／ｌグルコンｆｉｘ
０５０ ｍｏｌ／７硫酸１７ガ７’
０−０．０７ｍｏ ｔ／ｚめりき命件 めっき浴（Ｄ ｐＨ” ・９．０ （室ｆ）ｍ ＫてＮ
１（４ＱＨテｐＨｐ４節） めっき浴の温度−８５℃ 硫酸マンガンの濃度を０から０．０７ｍｏｌ／ｌまで変
化させて得られたＣｏ−Ｍｎ−Ｐ Ｊｌ［の結晶構造の
変化を明らかにするためｘ！１回折を行った結果を次表
に示す・表中の数字は同一試料における最大強度の同折
線の強さを１ｏｏとした相対強度を示す〇硫酸マンガン
ａｔが０．０２ｍｏ １／を以上に増加するに従りてα
−Ｃ六方晶のＣ軸（磁化容易軸）が基板に対して面内方
向から垂直方向に変化していく様子が窺われる。
亜リン酸ナトリウム ０．２０ ｍｏｌ／を硫酸アン
モニウム ０．５０ ｍｏｌ／ｌマロン酸ナトリ
ウム ０．５０ ｍｏｌ／ｌグルコンｆｉｘ
０５０ ｍｏｌ／７硫酸１７ガ７’
０−０．０７ｍｏ ｔ／ｚめりき命件 めっき浴（Ｄ ｐＨ” ・９．０ （室ｆ）ｍ ＫてＮ
１（４ＱＨテｐＨｐ４節） めっき浴の温度−８５℃ 硫酸マンガンの濃度を０から０．０７ｍｏｌ／ｌまで変
化させて得られたＣｏ−Ｍｎ−Ｐ Ｊｌ［の結晶構造の
変化を明らかにするためｘ！１回折を行った結果を次表
に示す・表中の数字は同一試料における最大強度の同折
線の強さを１ｏｏとした相対強度を示す〇硫酸マンガン
ａｔが０．０２ｍｏ １／を以上に増加するに従りてα
−Ｃ六方晶のＣ軸（磁化容易軸）が基板に対して面内方
向から垂直方向に変化していく様子が窺われる。
めり裏腹の表面状態は硫酸マンガン濃度が増加するに従
って劣化した０硫酸マンガンＯｍｏｌ／ｌでは鏡面光沢
であるが硫酸マンガン線区増加とともＫｋｔ）りき膜は
黒ずみ、硫酸マンガン０．０４ｍｏｌ／７、二−デ讐
以上では完全な黒色を呈しメッキ膜の荒れが顕著となっ
た。
って劣化した０硫酸マンガンＯｍｏｌ／ｌでは鏡面光沢
であるが硫酸マンガン線区増加とともＫｋｔ）りき膜は
黒ずみ、硫酸マンガン０．０４ｍｏｌ／７、二−デ讐
以上では完全な黒色を呈しメッキ膜の荒れが顕著となっ
た。
実施例 １゜
比較例１．と同様にしてＣｏ−Ｍｎ−Ｐ ＩＩ （膜厚
＝１＃ｍ）のめりきを行りたが、めりき浴として下記の
組成を用いた０ めっき浴組成 硫酸コ／（ル） ０．０２５ｍｏ ｌ／ｚ次
亜リン酸ナトリウム ０．２０ ｍｏｌ／１ｉｔｓアン
モニウム ０．５０ ｍｏｌ／ｌマロン酸ナトリウ
ム ０．５０ ｍｏｌ／を硫１ｌ−Ｚ７ガ７
０−０．０５ ｍｏｌ／ｌさせて得られたＣｏ−ＭｎＰ
膜のＸ線回折結果を次表に示す◎ 硫酸マンガン濃度が増加するに従りてα−Ｃ六方晶のＣ
軸が基板に対して面内方向から垂直方向に変化している
。比較例１では（ｉｏｏ＞及び（１０１）の相対強度が
０となり十分に垂直配向した状態を与える硫酸マンガン
ＩＩ ＩＩ ｕ ０．０５ｍｏ １／ｚであるが、本実
施例でＦｌｏ、０３ｍｏ ｔ、’ｚ において達せられ
配向性の改善が認められた。
＝１＃ｍ）のめりきを行りたが、めりき浴として下記の
組成を用いた０ めっき浴組成 硫酸コ／（ル） ０．０２５ｍｏ ｌ／ｚ次
亜リン酸ナトリウム ０．２０ ｍｏｌ／１ｉｔｓアン
モニウム ０．５０ ｍｏｌ／ｌマロン酸ナトリウ
ム ０．５０ ｍｏｌ／を硫１ｌ−Ｚ７ガ７
０−０．０５ ｍｏｌ／ｌさせて得られたＣｏ−ＭｎＰ
膜のＸ線回折結果を次表に示す◎ 硫酸マンガン濃度が増加するに従りてα−Ｃ六方晶のＣ
軸が基板に対して面内方向から垂直方向に変化している
。比較例１では（ｉｏｏ＞及び（１０１）の相対強度が
０となり十分に垂直配向した状態を与える硫酸マンガン
ＩＩ ＩＩ ｕ ０．０５ｍｏ １／ｚであるが、本実
施例でＦｌｏ、０３ｍｏ ｔ、’ｚ において達せられ
配向性の改善が認められた。
めっき展の表向状１ｍは、比較例１の場合と興なり硫酸
マンガン線区の増加による劣化は認められなかった０良
好な垂直配向を示す硫酸マンガン濃度０．０３〜０．０
５ｒｎｏ １／ｚ においても鏡面光沢を保持した・ 比較例 ２゜ 比較例１と同様の手順で、下記のめつき浴組成にてＣｏ
−Ｍｎ−Ｐ １Ｍ （ａＭ＝ １ ｐ ｍ ）を形成し
た。
マンガン線区の増加による劣化は認められなかった０良
好な垂直配向を示す硫酸マンガン濃度０．０３〜０．０
５ｒｎｏ １／ｚ においても鏡面光沢を保持した・ 比較例 ２゜ 比較例１と同様の手順で、下記のめつき浴組成にてＣｏ
−Ｍｎ−Ｐ １Ｍ （ａＭ＝ １ ｐ ｍ ）を形成し
た。
めりき浴組成
硫酸コバルト ０．０５ｍｏｌ／を次亜リン
酸ナトリウム ０．２０ｍｏｌ／ｌ＆＆酸７ｙ−ｖニ
ウム０．５０ｍｏｌ／ｌマロン酸ナトリウム ０．
５０ｍｏｌ／ｌグルコン酸 ０．５０ｍ
ｏｌ／を硫酸マンガン ０．０１〜０．０８ｍｏ
ｔ７’ｚ硫酸マンガンのｌＮｍを０．０１〜０．０８ｍ
ｏ ｔ／ｚまで変化させて得られたＣｏ −Ｍｎ−Ｐ膜
のＸ線回折結果を次表に示す０ 硫酸マンガン濃度が０．０５ｍｏｌ／を以上に増加する
に従りてα−Ｏ六方晶のＣ軸が基板に対して面内方向か
ら垂直方向に変化した。
酸ナトリウム ０．２０ｍｏｌ／ｌ＆＆酸７ｙ−ｖニ
ウム０．５０ｍｏｌ／ｌマロン酸ナトリウム ０．
５０ｍｏｌ／ｌグルコン酸 ０．５０ｍ
ｏｌ／を硫酸マンガン ０．０１〜０．０８ｍｏ
ｔ７’ｚ硫酸マンガンのｌＮｍを０．０１〜０．０８ｍ
ｏ ｔ／ｚまで変化させて得られたＣｏ −Ｍｎ−Ｐ膜
のＸ線回折結果を次表に示す０ 硫酸マンガン濃度が０．０５ｍｏｌ／を以上に増加する
に従りてα−Ｏ六方晶のＣ軸が基板に対して面内方向か
ら垂直方向に変化した。
めっき膜の表面状１ｍは比較例１の場合と同様に硫酸マ
ンガン嬢度増加とともに劣化した。硫酸マンガンｏ、ｏ
ｉｍｏｉ／ｚの鏡面光沢から濃度増とともＫめりき膜は
黒ずみ、硫酸マンガン０．０５ｍｏｌ／を以上では完全
な黒色を呈しメッキ膜の荒れが顕著となった０ 実施例 ２ 比較ガニと同様の手順で、下記のめ−）き浴組成にてＣ
ｏ−Ｍｎ−Ｐ ＩＩ （ｊＩ厚＝ｉａｍ）を形成したＯ
めりき浴組成 硫酸２ ハＪｋ ） ０．０５ｍｏ ｔ７
’Ｌ次亜リン酸ナトリウム Ｏｊ！Ｏｍｏｌ／を硫酸
７７＆ニクＡ Ｏ，５０ｍｏｌ／ｌマロン酸ナ
トリタム ０．５０ｍｏｌ／ｊ＠１１ｖ ｙ ＃
７ ０．０１−０．０６ｍｏｌ／を硫酸マンガンの
濃度ｔ ０．０１−０．０６ｍｏ １／ｌ まで変イ
ヒさせて得られたＱ−胤−Ｐ膜のＸ＊回折結果を次表に
示す〇 るに従りてａ −Ｑ）六方晶のＣ軸が基板に対して面内
方向から垂直方向に変化した。
ンガン嬢度増加とともに劣化した。硫酸マンガンｏ、ｏ
ｉｍｏｉ／ｚの鏡面光沢から濃度増とともＫめりき膜は
黒ずみ、硫酸マンガン０．０５ｍｏｌ／を以上では完全
な黒色を呈しメッキ膜の荒れが顕著となった０ 実施例 ２ 比較ガニと同様の手順で、下記のめ−）き浴組成にてＣ
ｏ−Ｍｎ−Ｐ ＩＩ （ｊＩ厚＝ｉａｍ）を形成したＯ
めりき浴組成 硫酸２ ハＪｋ ） ０．０５ｍｏ ｔ７
’Ｌ次亜リン酸ナトリウム Ｏｊ！Ｏｍｏｌ／を硫酸
７７＆ニクＡ Ｏ，５０ｍｏｌ／ｌマロン酸ナ
トリタム ０．５０ｍｏｌ／ｊ＠１１ｖ ｙ ＃
７ ０．０１−０．０６ｍｏｌ／を硫酸マンガンの
濃度ｔ ０．０１−０．０６ｍｏ １／ｌ まで変イ
ヒさせて得られたＱ−胤−Ｐ膜のＸ＊回折結果を次表に
示す〇 るに従りてａ −Ｑ）六方晶のＣ軸が基板に対して面内
方向から垂直方向に変化した。
比較例２では（Ｚｏｏ）及び（１０１） の相対強度か
Ｏと１ｋｌ十分に配向した状ｌｌを与える硫酸マンガン
濃度ｉｆ ０．０６ｍｏ ｌ／ｊであるが、本実施例で
は０．０４ｍｏ１／Ｉにおいて達せられ配向性の改善が
認められた・ めりき膜の表面状態に、比較例２の場合と異な９硫酸ｉ
ンガン員度の増加による劣化は認められなかった◎＾好
な垂直配向管示す硫酸マンガン０．０４〜０．０６ｍｏ
ｌ／ｌにおいても鏡面光沢を保持した・以上のように実
施例１及び２において硫酸マンガンｆａＩＩｌを増加さ
せためつき浴より得られる磁性膜は、そのＣ軸が基板に
対して垂直方向を向いているので、ａＳ磁化記録の磁気
記録媒体に用いることができも比較例にくらぺてめフき
膜の表面状態及び配向性の改善がはかれたＱ 硫酸マンガンｉａ＊増加によりａ−Ｃｏ六方晶のＣ軸が
基板に対して垂直方向に変化するが、（０，０，２）以
外の回折線が消失し十分に垂直配向した状態を与える硫
酸マンガン濃度は硫酸コ／＜ルト湊度により変化した０
ま良俗組成の盈元剤、ｐＩＩＫ緩衝剤、錯化剤等の濃度
を変化させた場合も良好ｔｉｉｔ直配向直配管状るＫは
硫酸マンガン濃ＩＬを適当に選定するととにより達せら
れる。
Ｏと１ｋｌ十分に配向した状ｌｌを与える硫酸マンガン
濃度ｉｆ ０．０６ｍｏ ｌ／ｊであるが、本実施例で
は０．０４ｍｏ１／Ｉにおいて達せられ配向性の改善が
認められた・ めりき膜の表面状態に、比較例２の場合と異な９硫酸ｉ
ンガン員度の増加による劣化は認められなかった◎＾好
な垂直配向管示す硫酸マンガン０．０４〜０．０６ｍｏ
ｌ／ｌにおいても鏡面光沢を保持した・以上のように実
施例１及び２において硫酸マンガンｆａＩＩｌを増加さ
せためつき浴より得られる磁性膜は、そのＣ軸が基板に
対して垂直方向を向いているので、ａＳ磁化記録の磁気
記録媒体に用いることができも比較例にくらぺてめフき
膜の表面状態及び配向性の改善がはかれたＱ 硫酸マンガンｉａ＊増加によりａ−Ｃｏ六方晶のＣ軸が
基板に対して垂直方向に変化するが、（０，０，２）以
外の回折線が消失し十分に垂直配向した状態を与える硫
酸マンガン濃度は硫酸コ／＜ルト湊度により変化した０
ま良俗組成の盈元剤、ｐＩＩＫ緩衝剤、錯化剤等の濃度
を変化させた場合も良好ｔｉｉｔ直配向直配管状るＫは
硫酸マンガン濃ＩＬを適当に選定するととにより達せら
れる。
なお、実施例では金属基板の場合について述べたが、有
機樹脂基板例えばポリイミド積層板を用いる場合、活性
化処理前にエタノール脱脂のかわりにコンディジ曹す−
（シブレイ争ファーイースト社製）［５〜１０分間浸漬
して脱ＩｉＩ管行ない、実施例１と同様の手順でめ−）
きするととにより実施例と同様ＫａＣＯ六方晶のＣ軸が
垂直方向したＯ−Ｍｎ−Ｐ膜が得られた。他のポリエス
テルＡＢＳ樹脂、エポキシ樹脂などの有機樹脂基板管用
いる場合吃、適当な脱脂処理を行うことにより、ＶＢ５
ｍ性良くめつきすることができ、α−Ｃｏ 六方晶ｅＣ
軸が垂直配向したＣｏ−１ｉｈ Ｐｌ［を得ることが
１きる。
機樹脂基板例えばポリイミド積層板を用いる場合、活性
化処理前にエタノール脱脂のかわりにコンディジ曹す−
（シブレイ争ファーイースト社製）［５〜１０分間浸漬
して脱ＩｉＩ管行ない、実施例１と同様の手順でめ−）
きするととにより実施例と同様ＫａＣＯ六方晶のＣ軸が
垂直方向したＯ−Ｍｎ−Ｐ膜が得られた。他のポリエス
テルＡＢＳ樹脂、エポキシ樹脂などの有機樹脂基板管用
いる場合吃、適当な脱脂処理を行うことにより、ＶＢ５
ｍ性良くめつきすることができ、α−Ｃｏ 六方晶ｅＣ
軸が垂直配向したＣｏ−１ｉｈ Ｐｌ［を得ることが
１きる。
以上、実施例で示された様に本発明によれｄ１磁性膜を
作製するめつき浴においてコノくルトイオン、コバルト
イオンの還元剤、ｐＨ緩衝剤、ｐＨ調節剤、並びにコバ
ルトイオンの錯化剤としてのマロン酸基を含む水溶液に
１マンガンイオンを加えることＫより、めつき襄の表面
状態の劣化を伴うこと危く、磁気記録媒体とｋる磁性膜
の磁化容易軸を膜面に垂直な方向に近づけることができ
る。
作製するめつき浴においてコノくルトイオン、コバルト
イオンの還元剤、ｐＨ緩衝剤、ｐＨ調節剤、並びにコバ
ルトイオンの錯化剤としてのマロン酸基を含む水溶液に
１マンガンイオンを加えることＫより、めつき襄の表面
状態の劣化を伴うこと危く、磁気記録媒体とｋる磁性膜
の磁化容易軸を膜面に垂直な方向に近づけることができ
る。
）
【
）
Claims (1)
- コバルトイオン、コノ（ルトイオンの還元剤、ｐＨｌ１
ｌＩ剤、ｐＨ調節剤、並びにコ／（ルトイオンの錯化剤
としてマロン酸基を含む水Ｓｔに４、マンガンイオンを
加えたことを特徴とする無電解めっき浴。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15570581A JPS5858266A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 無電解めつき浴 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15570581A JPS5858266A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 無電解めつき浴 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5858266A true JPS5858266A (ja) | 1983-04-06 |
Family
ID=15611707
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15570581A Pending JPS5858266A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 無電解めつき浴 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5858266A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56155706A (en) * | 1980-05-06 | 1981-12-02 | Ai Tadashi | Automatic cutter for small width veneer |
-
1981
- 1981-09-30 JP JP15570581A patent/JPS5858266A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56155706A (en) * | 1980-05-06 | 1981-12-02 | Ai Tadashi | Automatic cutter for small width veneer |
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