JPS5858268A - 無電解めつき浴 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、磁気記録媒体の膜厚方向の磁化にようて記録
を行う、ｈわゆる走置記録ＫＨＡ＾る磁気記録媒体（ｆ
ｆｌ性１Ｋ）’を作製するめつき浴に関するものである
。

従来、一般の磁気ディスク装置、−気テーグ装置などの
凪気配録装置においては、基板上に形成された磁気記録
媒体にリング型磁気ヘット”Ｋよって水平方向に磁化す
ることにより記録を行なっている。

しかし、水平磁化による記録には記録信号が短波長にな
るに従ｂ１即ち記録密度の増加に従って、媒体内の反磁
界が増大して残Ｗａ化の減衰と回転を生じ、再生出力が
著しく減少するとｂう欠点が存在する。そこで、この問
題解決のため短波長になる相反磁界が小さくなる性質ｔ
もつ垂直記録方式が提案され、この垂直記録に遍した磁
気記録媒体としては、騒厚に垂直な方向に磁化容易軸を
もつｃｏ−ｃｒスパッタ膜が提案されている。そしてこ
の垂直鉱化ｍｌ縁方式は従来の水平方向の磁化による記
録方式に比べて高密度記録に優れていることが報告され
て込る（特開昭５２−１３４７０６号公報参照）、とこ
ろでＣｏ−ＣｒｌｇＪをスパッタ法によシ作製する場合
、真空系内で行うため量産性に問題がある仁と、及びス
パッタによる基板温度の上昇によって使用する基板材質
に制限を与えるとｂう問題がめる。

本発明の目的は、これらの襄遺上の問題点を改善して量
産性に優れ、金属基板のみならず一般に普反してｂる有
機樹脂基板の軟化温度以下で作製可能な無電解めりき法
によシ、一面に垂直な方向に磁化容易軸をもつ磁気記録
媒体を製造する無電解めっき浴を提供することにある。

本発明による無電解めっき浴は、コバルトイオン、コバ
ルトイオンの逮元剤ｂ　Ｐ’緩衝剤、ｐＨ調節剤並びに
コバルトイオンの錯化剤としてのマロン酸基およびリン
ゴ酸基を冨む水Ｗ！Ｉ歇に、鉄イオンを加えたことを特
値としており、これにより磁気記録媒体の磁化容易軸を
一面に膳直な方向に向けることができる。

本発明において全編イオンとして用いられるコバルトイ
オン、鉄イオンとしては、コバルトあるいはマンガンの
貴酸塩、塩化塩、酢酸塩などの町ＷＩ性塩を無電解めっ
き浴中に解解することによって供給される。コバルトイ
オンの濃度は、　０．００２〜ｌ　ｍｏ　ｌ／ｌの範囲
が用いられるが、好ましく畦α０１〜０．１５　ｍｏ　
Ｉ　／ｌの範囲である。鉄イオンの濃度は、０．００１
〜０．１０ｍｏｆ／ｊ！の範囲が用いられるのが好まし
く　ｔｆ　Ｏ，００２〜０．０５ｍｏｌ／ｌのＭｉｆｆ
ｌである。

還元剤として拮次亜リン酸塩が普通に用いられるが、ヒ
ドラジン塩類、ホウ水巣化物なども用いることができる
。

ｐ）ｉ緩衝剤としてはアンモニウム−１辰酸塩、有ａｌ
！酸塩などが使用され、α０１〜２ｍ０１／１の範囲の
ｌｌｌｉｌ度が用いられる。

ｐＨ０節剤としてＶｉ、ｐＨの上昇にはアンモニア。

水酸化ナトリク′ムなどのアルカリが用いられ。

ｐＨの降下には−ｈＩｔｓ−醸などの戚が用いられる。

錯化剤としてのマロンｅｋ＆は、マロンはまたはマロン
ｍｏ町＃ｌ性塩によって供給さｎ、　０．１”２．５ｍ
ｏｌ／Ｌの範囲のｍ表が用＾られる。リンゴ＃ｌ基は、
リンゴ酸またはリンゴ酸の可溶８．塩によって供給され
、０−００５〜１．０ｔｏｏｌ／ｚの軸−〇纒よが用い
られる。

以下、本発明による無′＃＆解りっさ浴の特長を実施ガ
により説明する。

実施ガ１ エタノール脱脂後水洗を行ったー＃、板に）記録性にて
活性化石板及び促進化処理を施した倣、下記のめつき浴
組成及びめっ＠条件にてその上にＣ０−Ｆ・−Ｐｍ！（
映厚二３μｍ）を形成した。

活性化処理条件 ）Ｉｓ　１０１１３　（日立化成製）６０ｃｃ／Ａ、塩
１ｇ３２０ｃｃ／ｌ、純水６２０　ｃｃ／ｌを組成とす
る活性液に３分間浸漬うる。

促進化処理条件 Ａｉ、ｌ）’２０１（日立化成製）　２００ｃｃ／ｌ、
純水８００ｃｃ／Ｌｉ組成とする促進献に３分Ｊ１４Ｉ
浸漬する。

めっき浴組成 硫酸コバルト　　　　　　０．０２５ｍｏｌ／ｚ次亜リ
ン鍍ナトリウム　０．２０　ｍｏｌ／を硫酸アンモニウ
ム　　　α５０　ｍｏｌ／Ｌマロン献ナトリタナトリウ
ム５０　ｍｏｌ／ｊリンゴ阪ナトリウＡ　　　Ｏ，０５
ｍｏｌ／ｚｆｉｔ　酸絡’１ｉＫ　　　　　　Ｏ〜０．
０２　ｎｏ　ｌ　／ｌめっき条件 めっき浴のｐｉ−１：：９．６（室綴にてへ塊ＯＨでｐ
Ｈ調節） めっき浴の謳ＭＩＬ二８５ｃ 硫酸第一鉄の濃［ｌ−０から０．０２ｍｏｌ／ｌまで変
化させて得られたＣｏ−ｒｅ−Ｐ＠の結晶構造の変化を
明らかＫするためＸ線回折を行りた結果を次表に示す０
表中の数字は同一試料における最大強度の回折線の強さ
を１００とした相対強Ｃｔ示す。

硫酸第一鉄１１Ｋが０．００２ｍｏ夏／を以上に増加す
るに従ってａ　−Ｃ＠六方晶のＣ軸（ｌａ化容烏軸）が
基板に対して面内方向から画直方向に変化してｂ〈様子
が窺われる。

実施的２ 実施列ｌと同様にしてｃｏ−にｅ−１”＠（−厚２３μ
ｍ）のめっきを行ったが、めっき浴として下記Ｏ組成を
用すた。

めりき浴組屏 硫酸コバルト　　　　　　０．０５墓ｎｏｌ／を次亜リ
ン蔽ツートリウム　０．２０＋ｎｏ　ｌ／を硫酸アンモ
ー９ム　　　０．５θ口＊ｏｌ／１ｗ　Ｃ＋　７　鈑ナ
トリウム０．５０　ｔｏｏ　ｌ／Ｌリンゴ献ナトナトリ
ウム０．０５ｍｏ　１／を硫酸第一鉄　　　　０〜０．
０１５ｍｏｌ／Ｌ硫ａｍ−鉄の１ｆＪＫを０〜０．０１
５ｍｏｌ／Ａ　ｔて変イヒさせて得られたＧｏ−４＋″
ｅ−ＰＭのＸ線回折結果を次表に示す。

硫酸第一鉄＃闇が０．００３ｍｏｌ／を以上に増加する
に従りてα−Ｃ，六方晶のＣ軸が基板に対して面内方向
からｆｌｉ［方向に変化した。

以上のように実施例１及び２において硫Ｍ第−鉄濃変を
増加させためつき浴よシ得られる磁性膜けそのＣ軸が基
板に対して垂直方向を向いているので、垂直磁化記録の
磁気記録媒体に用いることができる。

硫＃躯−鉄濃度増加によりα−Ｃｏ六方晶のＣ軸が基板
に対して垂直方向に変化するが、　（０，０２）以外の
回折線が消失し十分に垂直配向した状態を与える硫酸第
一鉄１１１度は硫酸コバルト濃度により変化した。また
浴組成の還元剤、ｐＨ皺衝剤、錯化剤等の１１１度全変
化させた場合も良好な垂直配向状趨を得るには硫＃躯−
鉄ｆｉｆを適当に選定することによシ達せられる。

なお、実施列では金＆＠駈板の場合について述べたが、
有機樹脂基板岡えはポリイミド基板を用いる場合、活性
化処Ｊ！ｌ前にエタノール脱脂のかわシにコンディショ
ナー（シブレイ・ファーイースト社製）に３〜５分間浸
漬して脱脂を行なり、実施的１と同様の手順でめっきす
ることＫより與繕門と同様にα−Ｃｏ六方晶のＣ＠が垂
直配向し九〇。

−Ｆ、−Ｐ襖が得られた。他のポリエステルＡＬＩＳ樹
脂、エボシキ樹脂などの有機樹脂基板を用いる場合も、
適当な脱脂処理を行うことにより、密着性嵐〈めっきす
ることができ、α−Ｃｏ六方晶のＣ軸が垂直配向したＣ
　ｏ　−Ｆ　ｅ　−Ｐ膜を得ることができる。

以上、実施的で示された様に本発明によれば、磁性−を
作製するめっき浴におしてコバルトイオン、コバルトイ
オンの還元剤ｓ　ｐ　Ｈｌｌ　衝剤ｓ　ｐ　Ｈ調節剤、
並びにコバルトイオンの＞＝　ｒヒ剤としてのマロン酸
基およびリンゴ１１！基’ｋＫむ水酸液に、鉄イオンを
加えることによシ、磁気記録媒体となる磁性膜の倚化谷
易軸ｆｌｌａ面に垂直な方向に近づけることができる。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. コバルトイオン、コバルトイオンの還元剤％ｐＨ緩衝剤
   、ｐＨｇｌ！Ｊ節剤並びにコ／（ルトイオンの錯化剤と
   してマロン酸基およびリンゴ酸基１に台む水溶液に１鉄
   イオンを加えたことを％歓とする無ｗＬ解めりき浴。