JPH0323975B2 - - Google Patents
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- JPH0323975B2 JPH0323975B2 JP56042966A JP4296681A JPH0323975B2 JP H0323975 B2 JPH0323975 B2 JP H0323975B2 JP 56042966 A JP56042966 A JP 56042966A JP 4296681 A JP4296681 A JP 4296681A JP H0323975 B2 JPH0323975 B2 JP H0323975B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
本発明は、磁気記録媒体の膜厚方向の磁化によ
つて記録を行なう、いわゆる垂直記録に用いる磁
気記録体の製造方法に関するものである。 近年、コンピユーターシステムにおける磁気デ
イスク等の外部記憶装置としての重要性が増大
し、高記録密度化に対する要求は益々高まりつつ
ある。磁気記憶装置は記録再生ヘツドおよび磁気
記録体の主構成部から構成され、磁気記録体は高
速で回転し記録再生ヘツドは磁気記録体より微小
間隔浮上している。磁気記憶装置の高性能化を図
るためには、この浮上間隔を小さくし、かつ安定
したヘツド浮揚状態を確保することが必要であ
り、磁気記録体の表面精度の向上が求められる。
すなわち、高密度記録に適する基板の条件として
は機械的平坦性および表面粗さが良好であり、欠
陥が小さく、その数も少ないことがあげられる。 主な磁気記録体の基板には、γ−Fe2O3微粒子
塗布デイスクに用いられる機械加工されたアルミ
合金基板、めつき磁気デイスクに用いられ、アル
ミ合金などの素板にニツケル−リンなどのニツケ
ル合金がめつきされ研磨された基板（以下ニツケ
ルめつき基板という。）、フエライト薄膜デイスク
に用いられるガラス基板またはアルミ合金素板に
アルマイト被覆され研磨された基板などがある
が、高密度記録に適する表面精度及び機械的強度
を満たす基板としては現在のところニツケルめつ
き基板が最も優れている。 ところで従来、一般の磁気デイスク装置などの
磁気記録装置においては、基板上に形成された磁
気記録媒体にリング型磁気ヘツドによつて水平方
向に磁化することにより記録を行なつている。 しかし、水平磁化による記録には記録信号が短
波長になるに従い、即ち記録密度の増加に従つ
て、媒体内の反磁界が増大して残留磁化の減衰と
回転を生じ、再生出力が著しく減少するという欠
点が存在する。そこで、この問題点解決のため短
波長になる程反磁界が小さくなる性質をもつ垂直
記録方式が提案され、この垂直記録に適した磁気
記録媒体としては、膜厚に垂直な方向に磁化容易
軸をもつCo−Crスパツタ膜が提案されている
（特開昭52−134706号公報参照）。ところがCo−
Cr膜をスパツタ法により作製する場合、真空系
内で行うため量産性に問題がある。一方、量産性
に優れた無電解めつき法では、前述のニツケルめ
つき基板上に垂直配向膜は形成できないという問
題があつた。 本発明の目的は、この様な製造上の問題点を改
善して量産性に優れた無電解めつき法により、膜
面に垂直な方向に磁化容易軸をもつ磁気記録媒体
をニツケルめつき基板上に形成した磁気記録体の
製造方法を提供することにある。 本発明による磁気記録体の製造方法は、金属基
板上に、一様なニツケル合金めつきを行ないニツ
ケル合金めつき層を形成する工程と、このニツケ
ル合金めつき層を形成した金属基板を、マンガン
またはタングステンを添加した無電解コバルトめ
つき浴あるいは無電解コバルト・ニツケルめつき
浴中に浸漬し、コバルト合金めつき層を形成する
工程と、このコバルト合金めつき層上に保護膜を
形成する工程とからなることを特徴とする。 本発明において用いられる金属基板としては、
アルミ合金が適するが黄銅、リン青銅なども用い
ることができる。ニツケル合金めつき層としては
通常無電解めつきまたは電気めつきによるニツケ
ル−リン膜が用いられるが、ニツケル−銅−リ
ン、ニツケル−スズ−リン、ニツケル−ボロンな
どのニツケル合金めつき膜も用いることができ
る。コバルト合金めつき層としては磁化容易軸が
主として膜面に垂直な方向に配向可能な無電解コ
バルト−マンガン−リンめつき膜、無電解コバル
ト−タングステン−リンめつき膜などが用いられ
る。保護膜としては、珪酸モノマーを回転塗布後
焼成硬化した膜が優れているが、SiO2スパツタ
膜、ガラススパツタ膜、Rhめつき膜なども用い
られる。 以下、本発明による磁気記録体の製造方法の特
長を比較例及び実施例により説明する。 比較例 １ エタノール脱脂後水洗を行なつた銅基板に下記
条件にて活性化処理及び促進化処理を施した後、
下記のめつき浴組成及びめつき条件にてその上に
コバルト−マンガン−リン膜（膜厚は約1μｍ）
を形成した。 活性化処理条件 HSIOIB（日立化成製）60c.c.／、塩酸320c.c.／
、純水620c.c.／を組成とする活性液に３分間
浸漬する。 促進化処理条件 ADP201（日立化成製）200c.c.／、純水800
c.c.／を組成とする促進液に３分間浸漬する。 めつき浴組成 硫酸コバルト 0.025mol／ 次亜リン酸ナトリウム 0.20mol／ 硫酸アンモニウム 0.50mol／ マロン酸ナトリウム 0.90mol／ グルコン酸 0.50mol／ 硫酸マンガン ０〜0.07mol／ めつき条件 めつき浴のPH9.0（室温にてNH4OHでPH調
節）めつき浴の温度85℃ 硫酸マンガンの濃度を０から0.07mol／まで
変化させて得られたコバルト−マンガン−リン膜
の結晶構造の変化を明らかにするためＸ線回折を
行つた結果を次表に示す。表中の数字は同一試料
における最大強度の回折線の強さを100とした相
対強度を示す。
つて記録を行なう、いわゆる垂直記録に用いる磁
気記録体の製造方法に関するものである。 近年、コンピユーターシステムにおける磁気デ
イスク等の外部記憶装置としての重要性が増大
し、高記録密度化に対する要求は益々高まりつつ
ある。磁気記憶装置は記録再生ヘツドおよび磁気
記録体の主構成部から構成され、磁気記録体は高
速で回転し記録再生ヘツドは磁気記録体より微小
間隔浮上している。磁気記憶装置の高性能化を図
るためには、この浮上間隔を小さくし、かつ安定
したヘツド浮揚状態を確保することが必要であ
り、磁気記録体の表面精度の向上が求められる。
すなわち、高密度記録に適する基板の条件として
は機械的平坦性および表面粗さが良好であり、欠
陥が小さく、その数も少ないことがあげられる。 主な磁気記録体の基板には、γ−Fe2O3微粒子
塗布デイスクに用いられる機械加工されたアルミ
合金基板、めつき磁気デイスクに用いられ、アル
ミ合金などの素板にニツケル−リンなどのニツケ
ル合金がめつきされ研磨された基板（以下ニツケ
ルめつき基板という。）、フエライト薄膜デイスク
に用いられるガラス基板またはアルミ合金素板に
アルマイト被覆され研磨された基板などがある
が、高密度記録に適する表面精度及び機械的強度
を満たす基板としては現在のところニツケルめつ
き基板が最も優れている。 ところで従来、一般の磁気デイスク装置などの
磁気記録装置においては、基板上に形成された磁
気記録媒体にリング型磁気ヘツドによつて水平方
向に磁化することにより記録を行なつている。 しかし、水平磁化による記録には記録信号が短
波長になるに従い、即ち記録密度の増加に従つ
て、媒体内の反磁界が増大して残留磁化の減衰と
回転を生じ、再生出力が著しく減少するという欠
点が存在する。そこで、この問題点解決のため短
波長になる程反磁界が小さくなる性質をもつ垂直
記録方式が提案され、この垂直記録に適した磁気
記録媒体としては、膜厚に垂直な方向に磁化容易
軸をもつCo−Crスパツタ膜が提案されている
（特開昭52−134706号公報参照）。ところがCo−
Cr膜をスパツタ法により作製する場合、真空系
内で行うため量産性に問題がある。一方、量産性
に優れた無電解めつき法では、前述のニツケルめ
つき基板上に垂直配向膜は形成できないという問
題があつた。 本発明の目的は、この様な製造上の問題点を改
善して量産性に優れた無電解めつき法により、膜
面に垂直な方向に磁化容易軸をもつ磁気記録媒体
をニツケルめつき基板上に形成した磁気記録体の
製造方法を提供することにある。 本発明による磁気記録体の製造方法は、金属基
板上に、一様なニツケル合金めつきを行ないニツ
ケル合金めつき層を形成する工程と、このニツケ
ル合金めつき層を形成した金属基板を、マンガン
またはタングステンを添加した無電解コバルトめ
つき浴あるいは無電解コバルト・ニツケルめつき
浴中に浸漬し、コバルト合金めつき層を形成する
工程と、このコバルト合金めつき層上に保護膜を
形成する工程とからなることを特徴とする。 本発明において用いられる金属基板としては、
アルミ合金が適するが黄銅、リン青銅なども用い
ることができる。ニツケル合金めつき層としては
通常無電解めつきまたは電気めつきによるニツケ
ル−リン膜が用いられるが、ニツケル−銅−リ
ン、ニツケル−スズ−リン、ニツケル−ボロンな
どのニツケル合金めつき膜も用いることができ
る。コバルト合金めつき層としては磁化容易軸が
主として膜面に垂直な方向に配向可能な無電解コ
バルト−マンガン−リンめつき膜、無電解コバル
ト−タングステン−リンめつき膜などが用いられ
る。保護膜としては、珪酸モノマーを回転塗布後
焼成硬化した膜が優れているが、SiO2スパツタ
膜、ガラススパツタ膜、Rhめつき膜なども用い
られる。 以下、本発明による磁気記録体の製造方法の特
長を比較例及び実施例により説明する。 比較例 １ エタノール脱脂後水洗を行なつた銅基板に下記
条件にて活性化処理及び促進化処理を施した後、
下記のめつき浴組成及びめつき条件にてその上に
コバルト−マンガン−リン膜（膜厚は約1μｍ）
を形成した。 活性化処理条件 HSIOIB（日立化成製）60c.c.／、塩酸320c.c.／
、純水620c.c.／を組成とする活性液に３分間
浸漬する。 促進化処理条件 ADP201（日立化成製）200c.c.／、純水800
c.c.／を組成とする促進液に３分間浸漬する。 めつき浴組成 硫酸コバルト 0.025mol／ 次亜リン酸ナトリウム 0.20mol／ 硫酸アンモニウム 0.50mol／ マロン酸ナトリウム 0.90mol／ グルコン酸 0.50mol／ 硫酸マンガン ０〜0.07mol／ めつき条件 めつき浴のPH9.0（室温にてNH4OHでPH調
節）めつき浴の温度85℃ 硫酸マンガンの濃度を０から0.07mol／まで
変化させて得られたコバルト−マンガン−リン膜
の結晶構造の変化を明らかにするためＸ線回折を
行つた結果を次表に示す。表中の数字は同一試料
における最大強度の回折線の強さを100とした相
対強度を示す。
【表】
硫酸マンガン濃度が０から0.07mol／に増加
するに従つてα−Co（六方晶）のＣ軸（磁化容易
軸）が膜面に対して面内方向から垂直方向に変化
していく様子が窺われる。膜面に垂直な方向に磁
化容易軸をもつ磁気記録媒体を用い、膜面に垂直
に磁化する垂直磁化記録方式は、従来一般の磁気
デイスク装置に用いられている水平方向の磁化に
よる記録方式に比べて高密度記録に優れているこ
とが特開昭52−134706号公報に述べられている
が、本比較例による硫酸マンガン濃度を増加させ
ためつき浴より得られる磁性膜はこの垂直磁化記
録の磁気記録媒体に用いることができる。 実施例 １ 機械加工により表面を平坦かつ平滑に仕上げた
アルミ合金素板を熱矯正、熱処理などにより平坦
性を更に向上させた後、アルミ合金上に一様なニ
ツケル−リンめつきを行うに適した前処理を施
し、無電解ニツケル−リンめつき液（化成品興業
社製、ニツカ311）を用いて膜厚30μｍのニツケ
ル−リンめつき膜を形成した。この両面を機械加
工により鏡面仕上げし、高密度記録に適する表面
精度を有するニツケルめつき基板を得た。次にこ
のニツケルめつき基板表面に下記のめつき浴組成
及びめつき条件にてコバルト−マンガン−リン膜
（膜厚は約1μｍ）を形成した後、テトラヒドロキ
シシランのアルコール溶液をこの上に回転塗布後
焼成硬化し膜厚0.1μｍの珪酸重合体を主成分とす
る保護膜を形成した。 めつき浴組成 硫酸コバルト 0.025mol／ 次亜リン酸ナトリウム 0.20mol／ 硫酸アンモニウム 0.50mol／ マロン酸ナトリウム 0.90mol／ グルコン酸 0.50mol／ 硫酸マンガン 0.06〜0.08mol／ めつき条件 めつき浴のPH9.0（室温にてNH4OHでPH調
節）めつき浴の温度85℃ こうして得られた磁気記録体のコバルト−マン
ガン−リン膜の結晶構造の変化を明らかにするた
めＸ線回折を行つた結果を次表に示す。
するに従つてα−Co（六方晶）のＣ軸（磁化容易
軸）が膜面に対して面内方向から垂直方向に変化
していく様子が窺われる。膜面に垂直な方向に磁
化容易軸をもつ磁気記録媒体を用い、膜面に垂直
に磁化する垂直磁化記録方式は、従来一般の磁気
デイスク装置に用いられている水平方向の磁化に
よる記録方式に比べて高密度記録に優れているこ
とが特開昭52−134706号公報に述べられている
が、本比較例による硫酸マンガン濃度を増加させ
ためつき浴より得られる磁性膜はこの垂直磁化記
録の磁気記録媒体に用いることができる。 実施例 １ 機械加工により表面を平坦かつ平滑に仕上げた
アルミ合金素板を熱矯正、熱処理などにより平坦
性を更に向上させた後、アルミ合金上に一様なニ
ツケル−リンめつきを行うに適した前処理を施
し、無電解ニツケル−リンめつき液（化成品興業
社製、ニツカ311）を用いて膜厚30μｍのニツケ
ル−リンめつき膜を形成した。この両面を機械加
工により鏡面仕上げし、高密度記録に適する表面
精度を有するニツケルめつき基板を得た。次にこ
のニツケルめつき基板表面に下記のめつき浴組成
及びめつき条件にてコバルト−マンガン−リン膜
（膜厚は約1μｍ）を形成した後、テトラヒドロキ
シシランのアルコール溶液をこの上に回転塗布後
焼成硬化し膜厚0.1μｍの珪酸重合体を主成分とす
る保護膜を形成した。 めつき浴組成 硫酸コバルト 0.025mol／ 次亜リン酸ナトリウム 0.20mol／ 硫酸アンモニウム 0.50mol／ マロン酸ナトリウム 0.90mol／ グルコン酸 0.50mol／ 硫酸マンガン 0.06〜0.08mol／ めつき条件 めつき浴のPH9.0（室温にてNH4OHでPH調
節）めつき浴の温度85℃ こうして得られた磁気記録体のコバルト−マン
ガン−リン膜の結晶構造の変化を明らかにするた
めＸ線回折を行つた結果を次表に示す。
【表】
硫酸マンガン濃度0.06mol／の場合は
（100）、（101）成分も残つているが、0.07mol／
以上の濃度では（002）のみとなりα−CoのＣ
軸が膜面に対して垂直な方向に配向した。 比較例 ２ 比較例１と同様にしてコバルト−マンガン−リ
ン膜（膜厚は約1μｍ）のめつきを行なつたが、
めつき浴として下記の組成を用いた。 めつき浴組成 硫酸コバルト 0.05mol／ 次亜リン酸ナトリウム 0.20mol／ 硫酸アンモニウム 0.50mol／ マロン酸ナトリウム 0.90mol／ グルコン酸 0.50mol／ 硫酸マンガン 0.01〜0.08mol／ 硫酸マンガンの濃度を0.01〜0.08mol／まで
変化させて得られたコバルト−マンガン−リン膜
のＸ線回折結果を次表に示す。
（100）、（101）成分も残つているが、0.07mol／
以上の濃度では（002）のみとなりα−CoのＣ
軸が膜面に対して垂直な方向に配向した。 比較例 ２ 比較例１と同様にしてコバルト−マンガン−リ
ン膜（膜厚は約1μｍ）のめつきを行なつたが、
めつき浴として下記の組成を用いた。 めつき浴組成 硫酸コバルト 0.05mol／ 次亜リン酸ナトリウム 0.20mol／ 硫酸アンモニウム 0.50mol／ マロン酸ナトリウム 0.90mol／ グルコン酸 0.50mol／ 硫酸マンガン 0.01〜0.08mol／ 硫酸マンガンの濃度を0.01〜0.08mol／まで
変化させて得られたコバルト−マンガン−リン膜
のＸ線回折結果を次表に示す。
【表】
硫酸マンガン濃度が0.01mol／から
0.08mol／に増加するに従つてα−CoのＣ軸が
膜面に対して面内方向から垂直方向に変化した。 実施例 ２ 実施例１と同様の手順で磁気記録体を作製した
が、本実施例では下記のめつき浴組成にてコバル
ト−マンガン−リン膜（膜厚は約1μｍ）を形成
した。 めつき浴組成 硫酸コバルト 0.05mol／ 次亜リン酸ナトリウム 0.20mol／ 硫酸アンモニウム 0.50mol／ マロン酸ナトリウム 0.90mol／ グルコン酸 0.50mol／ 硫酸マンガン 0.07〜0.09mol／ こうして得られた磁気記録体のコバルト−マン
ガン−リン膜のＸ線回折結果を次表に示す。
0.08mol／に増加するに従つてα−CoのＣ軸が
膜面に対して面内方向から垂直方向に変化した。 実施例 ２ 実施例１と同様の手順で磁気記録体を作製した
が、本実施例では下記のめつき浴組成にてコバル
ト−マンガン−リン膜（膜厚は約1μｍ）を形成
した。 めつき浴組成 硫酸コバルト 0.05mol／ 次亜リン酸ナトリウム 0.20mol／ 硫酸アンモニウム 0.50mol／ マロン酸ナトリウム 0.90mol／ グルコン酸 0.50mol／ 硫酸マンガン 0.07〜0.09mol／ こうして得られた磁気記録体のコバルト−マン
ガン−リン膜のＸ線回折結果を次表に示す。
【表】
硫酸マンガン濃度が増加するに従つてα−Co
のＣ軸が膜面に対して面内方向から垂直方向に変
化する傾向があり、硫酸マンガン0.08mol／以
上では（002）のみとなりＣ軸が垂直配向した。 比較例 ３ 比較例１と同様の手順で、下記のめつき浴組成
にてコバルト−マンガン−リン膜（膜厚は約1μ
ｍ）を形成した。 めつき浴組成 硫酸コバルト 0.075mol／ 次亜リン酸ナトリウム 0.20mol／ 硫酸アンモニウム 0.50mol／ マロン酸ナトリウム 0.90mol／ グルコン酸 0.50mol／ 硫酸マンガン 0.05〜0.11mol／ 硫酸マンガンの濃度を0.05〜0.11mol／まで
変化させて得られたコバルト−マンガン−リン膜
のＸ線回折結果を次表に示す。
のＣ軸が膜面に対して面内方向から垂直方向に変
化する傾向があり、硫酸マンガン0.08mol／以
上では（002）のみとなりＣ軸が垂直配向した。 比較例 ３ 比較例１と同様の手順で、下記のめつき浴組成
にてコバルト−マンガン−リン膜（膜厚は約1μ
ｍ）を形成した。 めつき浴組成 硫酸コバルト 0.075mol／ 次亜リン酸ナトリウム 0.20mol／ 硫酸アンモニウム 0.50mol／ マロン酸ナトリウム 0.90mol／ グルコン酸 0.50mol／ 硫酸マンガン 0.05〜0.11mol／ 硫酸マンガンの濃度を0.05〜0.11mol／まで
変化させて得られたコバルト−マンガン−リン膜
のＸ線回折結果を次表に示す。
【表】
硫酸マンガン濃度が0.05mol／から
0.11mol／に増加するに従つてα−CoのＣ軸が
膜面に対して面内方向から垂直方向に変化した。 実施例 ３ 実施例１と同様の手順で磁気記録体を作製した
が、本実施例では下記のめつき浴組成にてコバル
ト−マンガン−リン膜（膜厚は約1μｍ）を形成
した。 めつき浴組成 硫酸コバルト 0.075mol／ 次亜リン酸ナトリウム 0.20mol／ 硫酸アンモニウム 0.50mol／ マロン酸ナトリウム 0.90mol／ グルコン酸 0.50mol／ 硫酸マンガン 0.11mol／ こうして得られた磁気記録体のコバルト−マン
ガン−リン膜のＸ線回折結果を次表に示す。
0.11mol／に増加するに従つてα−CoのＣ軸が
膜面に対して面内方向から垂直方向に変化した。 実施例 ３ 実施例１と同様の手順で磁気記録体を作製した
が、本実施例では下記のめつき浴組成にてコバル
ト−マンガン−リン膜（膜厚は約1μｍ）を形成
した。 めつき浴組成 硫酸コバルト 0.075mol／ 次亜リン酸ナトリウム 0.20mol／ 硫酸アンモニウム 0.50mol／ マロン酸ナトリウム 0.90mol／ グルコン酸 0.50mol／ 硫酸マンガン 0.11mol／ こうして得られた磁気記録体のコバルト−マン
ガン−リン膜のＸ線回折結果を次表に示す。
【表】
Ｘ線回折では（002）のみを示し、α−CoのＣ
軸が膜面に対して垂直方向に配向した。なお本浴
において硫酸マンガン濃度が0.10mol／以下の
場合面内配向成分が残つていた。 比較例 ４ 比較例１と同様の手順でめつき膜を得たが、本
比較例では下記のめつき浴にてコバルト−タング
ステン−リン膜（膜厚は約1.0μｍ）を作製した。 めつき浴組成 硫酸コバルト 0.10mol／ 次亜リン酸ナトリウム 0.20mol／ 硫酸アンモニウム 0.50mol／ マロン酸ナトリウム 0.90mol／ グルコン酸 0.50mol／ タングステン酸ナトリウム ０〜0.10mol／ タングステン酸ナトリウムの濃度を０〜
0.10mol／まで変化させて得られたコバルト−
タングステン−リン膜のＸ線回折結果を次表に示
す。
軸が膜面に対して垂直方向に配向した。なお本浴
において硫酸マンガン濃度が0.10mol／以下の
場合面内配向成分が残つていた。 比較例 ４ 比較例１と同様の手順でめつき膜を得たが、本
比較例では下記のめつき浴にてコバルト−タング
ステン−リン膜（膜厚は約1.0μｍ）を作製した。 めつき浴組成 硫酸コバルト 0.10mol／ 次亜リン酸ナトリウム 0.20mol／ 硫酸アンモニウム 0.50mol／ マロン酸ナトリウム 0.90mol／ グルコン酸 0.50mol／ タングステン酸ナトリウム ０〜0.10mol／ タングステン酸ナトリウムの濃度を０〜
0.10mol／まで変化させて得られたコバルト−
タングステン−リン膜のＸ線回折結果を次表に示
す。
【表】
【表】
タングステン酸ナトリウム濃度が０から
0.10mol／に増加するに従つてα−CoのＣ軸が
膜面に対して面内方向から垂直方向に変化した。 実施例 ４ 実施例１と同様の手順で磁気記録体を作製した
が、本実施例では下記のめつき浴組成にてコバル
ト−タングステン−リン膜（膜厚は約0.1μｍ）を
形成した。 めつき浴組成 硫酸コバルト 0.10mol／ 次亜リン酸ナトリウム 0.20mol／ 硫酸アンモニウム 0.50 マロン酸ナトリウム 0.90 グルコン酸 0.50 タングステン酸ナトリウム 0.10〜0.14mol／ こうして得られた磁気記録体のコバルト−タン
グステン−リン膜の結晶構造の変化を明らかにす
るためＸ線回折を行つた結果を次表に示す。
0.10mol／に増加するに従つてα−CoのＣ軸が
膜面に対して面内方向から垂直方向に変化した。 実施例 ４ 実施例１と同様の手順で磁気記録体を作製した
が、本実施例では下記のめつき浴組成にてコバル
ト−タングステン−リン膜（膜厚は約0.1μｍ）を
形成した。 めつき浴組成 硫酸コバルト 0.10mol／ 次亜リン酸ナトリウム 0.20mol／ 硫酸アンモニウム 0.50 マロン酸ナトリウム 0.90 グルコン酸 0.50 タングステン酸ナトリウム 0.10〜0.14mol／ こうして得られた磁気記録体のコバルト−タン
グステン−リン膜の結晶構造の変化を明らかにす
るためＸ線回折を行つた結果を次表に示す。
【表】
タングステン酸ナトリウム濃度0.10mol／の
場合は（101）成分が最大強度を示すが
0.12mol／以上の濃度では（002）が強度最大
となりα−CoのＣ軸が膜面に対して垂直な方向
に配向した。 この様にニツケル−リンめつき膜上にコバルト
−マンガン−リン膜またはコバルト−タングステ
ン−リン膜をめつきした場合も硫酸マンガンまた
はタングステン酸ナトリウムの濃度増加によりα
−CoのＣ軸配向が、膜面に対して面内方向から
垂直方向に変化するが、（002）以外の回折線が減
少し十分に垂直配向した状態を与える硫酸マンガ
ンまたはタングステン酸ナトリウム濃度は銅基板
の場合と異なり、また硫酸コバルト濃度などの浴
組成によつても変化する。ニツケル−リンめつき
膜以外のニツケル合金めつき膜を基板に用いた場
合も良好な垂直配向状態を得るには、硫酸マンガ
ンまたはタングステン酸ナトリウム濃度を適当に
選定することにより達せられる。なお比較例およ
び実施例ではコバルト−マンガン−リンめつき
膜、コバルト−タングステン−リンめつき膜の場
合について述べたが、コバルト−ニツケル−マン
ガン−リン、コバルト−ニツケル−タングステン
−リンなどの他のコバルト合金めつき膜を用いる
場合も基板の種類によつてめつき浴組成を適当に
選ぶことによりα−CoのＣ軸を垂直配向させる
ことができる。 以上の様に本発明によれば、表面精度及び機械
的強度に優れたニツケル合金めつき層上に連続薄
膜からなるコバルト合金めつき層を形成している
ため、高密度記録に適した垂直磁気記録体が得ら
れる。また、コバルト合金めつき層を、マンガン
またはタングステンを添加しためつき浴を用いて
形成しているため、ニツケル合金めつき層上に磁
化容易軸を主として膜面に垂直な方向に容易に配
向させることができる。このように本発明によれ
ば、量産性に優れた磁気記録体の製造方法が得ら
れる。
場合は（101）成分が最大強度を示すが
0.12mol／以上の濃度では（002）が強度最大
となりα−CoのＣ軸が膜面に対して垂直な方向
に配向した。 この様にニツケル−リンめつき膜上にコバルト
−マンガン−リン膜またはコバルト−タングステ
ン−リン膜をめつきした場合も硫酸マンガンまた
はタングステン酸ナトリウムの濃度増加によりα
−CoのＣ軸配向が、膜面に対して面内方向から
垂直方向に変化するが、（002）以外の回折線が減
少し十分に垂直配向した状態を与える硫酸マンガ
ンまたはタングステン酸ナトリウム濃度は銅基板
の場合と異なり、また硫酸コバルト濃度などの浴
組成によつても変化する。ニツケル−リンめつき
膜以外のニツケル合金めつき膜を基板に用いた場
合も良好な垂直配向状態を得るには、硫酸マンガ
ンまたはタングステン酸ナトリウム濃度を適当に
選定することにより達せられる。なお比較例およ
び実施例ではコバルト−マンガン−リンめつき
膜、コバルト−タングステン−リンめつき膜の場
合について述べたが、コバルト−ニツケル−マン
ガン−リン、コバルト−ニツケル−タングステン
−リンなどの他のコバルト合金めつき膜を用いる
場合も基板の種類によつてめつき浴組成を適当に
選ぶことによりα−CoのＣ軸を垂直配向させる
ことができる。 以上の様に本発明によれば、表面精度及び機械
的強度に優れたニツケル合金めつき層上に連続薄
膜からなるコバルト合金めつき層を形成している
ため、高密度記録に適した垂直磁気記録体が得ら
れる。また、コバルト合金めつき層を、マンガン
またはタングステンを添加しためつき浴を用いて
形成しているため、ニツケル合金めつき層上に磁
化容易軸を主として膜面に垂直な方向に容易に配
向させることができる。このように本発明によれ
ば、量産性に優れた磁気記録体の製造方法が得ら
れる。
Claims (1)
- １ 金属基板上に、一様なニツケル合金めつきを
行ないニツケル合金めつき層を形成する工程と、
このニツケル合金めつき層を形成した金属基板
を、マンガンまたはタングステンを添加した無電
解コバルトめつき浴あるいは無電解コバルト・ニ
ツケルめつき浴中に浸漬し、コバルト合金めつき
層を形成する工程と、このコバルト合金めつき層
上に保護膜を形成する工程とからなることを特徴
とする磁気記録体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56042966A JPS57158013A (en) | 1981-03-24 | 1981-03-24 | Magnetic recording body |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56042966A JPS57158013A (en) | 1981-03-24 | 1981-03-24 | Magnetic recording body |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57158013A JPS57158013A (en) | 1982-09-29 |
| JPH0323975B2 true JPH0323975B2 (ja) | 1991-04-02 |
Family
ID=12650773
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56042966A Granted JPS57158013A (en) | 1981-03-24 | 1981-03-24 | Magnetic recording body |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57158013A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4767939B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2011-09-07 | 昭和電工株式会社 | 磁気ディスク用アルミニウム基板の製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4929445A (ja) * | 1972-07-20 | 1974-03-15 | ||
| JPS4942305A (ja) * | 1972-04-14 | 1974-04-20 | ||
| JPS52134706A (en) * | 1976-05-06 | 1977-11-11 | Univ Tohoku | Vertical magnetic recorder reproducer and system therefor |
-
1981
- 1981-03-24 JP JP56042966A patent/JPS57158013A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4942305A (ja) * | 1972-04-14 | 1974-04-20 | ||
| JPS4929445A (ja) * | 1972-07-20 | 1974-03-15 | ||
| JPS52134706A (en) * | 1976-05-06 | 1977-11-11 | Univ Tohoku | Vertical magnetic recorder reproducer and system therefor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57158013A (en) | 1982-09-29 |
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