JPH0451885B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0451885B2 JPH0451885B2 JP10859285A JP10859285A JPH0451885B2 JP H0451885 B2 JPH0451885 B2 JP H0451885B2 JP 10859285 A JP10859285 A JP 10859285A JP 10859285 A JP10859285 A JP 10859285A JP H0451885 B2 JPH0451885 B2 JP H0451885B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- magnetic
- alloy
- plating
- disk
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 20
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 11
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910017888 Cu—P Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 4
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 22
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 8
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910001566 austenite Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 4
- 239000010687 lubricating oil Substances 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 229910018134 Al-Mg Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018467 Al—Mg Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001096 P alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005461 lubrication Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007900 aqueous suspension Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 5-[3-(trifluoromethyl)phenyl]-2h-tetrazole Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC(C2=NNN=N2)=C1 KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017827 Cu—Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018054 Ni-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018481 Ni—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- WYHIICXRPHEJKI-UHFFFAOYSA-N Trientine hydrochloride Chemical compound Cl.Cl.NCCNCCNCCN WYHIICXRPHEJKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001720 carbohydrates Chemical class 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N chromate(2-) Chemical compound [O-][Cr]([O-])(=O)=O ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 239000001509 sodium citrate Substances 0.000 description 1
- NLJMYIDDQXHKNR-UHFFFAOYSA-K sodium citrate Chemical compound O.O.[Na+].[Na+].[Na+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O NLJMYIDDQXHKNR-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910001379 sodium hypophosphite Inorganic materials 0.000 description 1
- PRWXGRGLHYDWPS-UHFFFAOYSA-L sodium malonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C(=O)CC([O-])=O PRWXGRGLHYDWPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910002058 ternary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L zinc sulfate Chemical compound [Zn+2].[O-]S([O-])(=O)=O NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Description
本発明は、高密度記録再生用の磁気デイスクの
磁生層の非磁性支持体として用いられるアルミニ
ウム合金からなる基板の表面処理方法に関する。
磁生層の非磁性支持体として用いられるアルミニ
ウム合金からなる基板の表面処理方法に関する。
近年、磁気デイスク装置においては、高記録密
度化、高信頼性の要求からコンタクト・スター
ト・ストツプ型ヘツド浮揚システムの使用が一般
化されている。高記録密度化にあたつては媒体層
の薄膜化、保磁力Hcの増大化、表面欠陥の大幅
な低減などと共にヘツド浮上量の低減が必要条件
になつている。 この中でヘツド浮上量の低減を目的とした場
合、デイスク基板の鏡面性の追求が課題であつ
た。しかしながら鏡面性が高すぎる基板を用いる
と磁気デイスクの表面も平滑になり過ぎ、磁気ヘ
ツドとデイスクの隙間に潤滑剤あるいは結露した
大気中の水分が表面張力によつて入り込むことに
より、磁気ヘツドがデイスクに吸着されてデイス
クの起動時に損傷、即ちヘツドクラツシユを起こ
すことがしばしばあつた。又鏡面性が高すぎる為
に、液体潤滑剤の場合はデイスクの回転により飛
散してしまう欠点をも有していた。これを防止す
る為に、Co−Ni−ＰあるいはCo−Ｐめつき型磁
気デイスクにおいては、Al−Mg合金基板に無電
解Ni−Ｐ合金めつき後、表面粗さRa0.005〜
0.01μｍ程度にポリシユ加工し、WA#4000〜
10000かGC#4000〜10000のテープバニシユ加工
により同心円状に規則的な加工すじを設けて
Ra0.008〜0.013μｍ程度の粗さを得るいわゆるテ
クスチヤリング処理するのが一般になつている。
又γ−Fe2O3スパツタ型媒体用の基板には従来か
らアルマイト処理されたAl−Mg合金基板を精密
ポリシユ加工し、粗さRa0.01μｍ以下を得たの
ち、磁性層表面に液体潤滑剤の溜りを得るための
中間層をもうけたり、ポリシユ加工された基板を
プラズマエツチング加工して潤滑剤の溜りを得る
ような適度の粗さに加工し直していた（特開昭59
−82625号公報参照）。しかし、潤滑剤の溜りを得
るための中間層をもうけることは、空間損失を増
大させ高密度記録上の利害を大きく損なうもので
あつた。 以上、めつき型デイスク基板あるいはγ−
Fe2O3スパツタ型デイスク用アルマイト基板にお
いては特別な処理を施して潤滑剤の溜りを維持す
べく工程の挿入を必要とする欠点があつた。
度化、高信頼性の要求からコンタクト・スター
ト・ストツプ型ヘツド浮揚システムの使用が一般
化されている。高記録密度化にあたつては媒体層
の薄膜化、保磁力Hcの増大化、表面欠陥の大幅
な低減などと共にヘツド浮上量の低減が必要条件
になつている。 この中でヘツド浮上量の低減を目的とした場
合、デイスク基板の鏡面性の追求が課題であつ
た。しかしながら鏡面性が高すぎる基板を用いる
と磁気デイスクの表面も平滑になり過ぎ、磁気ヘ
ツドとデイスクの隙間に潤滑剤あるいは結露した
大気中の水分が表面張力によつて入り込むことに
より、磁気ヘツドがデイスクに吸着されてデイス
クの起動時に損傷、即ちヘツドクラツシユを起こ
すことがしばしばあつた。又鏡面性が高すぎる為
に、液体潤滑剤の場合はデイスクの回転により飛
散してしまう欠点をも有していた。これを防止す
る為に、Co−Ni−ＰあるいはCo−Ｐめつき型磁
気デイスクにおいては、Al−Mg合金基板に無電
解Ni−Ｐ合金めつき後、表面粗さRa0.005〜
0.01μｍ程度にポリシユ加工し、WA#4000〜
10000かGC#4000〜10000のテープバニシユ加工
により同心円状に規則的な加工すじを設けて
Ra0.008〜0.013μｍ程度の粗さを得るいわゆるテ
クスチヤリング処理するのが一般になつている。
又γ−Fe2O3スパツタ型媒体用の基板には従来か
らアルマイト処理されたAl−Mg合金基板を精密
ポリシユ加工し、粗さRa0.01μｍ以下を得たの
ち、磁性層表面に液体潤滑剤の溜りを得るための
中間層をもうけたり、ポリシユ加工された基板を
プラズマエツチング加工して潤滑剤の溜りを得る
ような適度の粗さに加工し直していた（特開昭59
−82625号公報参照）。しかし、潤滑剤の溜りを得
るための中間層をもうけることは、空間損失を増
大させ高密度記録上の利害を大きく損なうもので
あつた。 以上、めつき型デイスク基板あるいはγ−
Fe2O3スパツタ型デイスク用アルマイト基板にお
いては特別な処理を施して潤滑剤の溜りを維持す
べく工程の挿入を必要とする欠点があつた。
本発明は、上述の欠点を除去し、特別な処理を
施すことなくその上に形成される磁性層の表面に
液体潤滑剤の溜り用の微小くぼみを有し、かつ要
求されるRa0.008〜0.013μｍ程度の表面粗さを有
する磁気デイスク基板を得るための表面処理方法
を提供することを目的とする。
施すことなくその上に形成される磁性層の表面に
液体潤滑剤の溜り用の微小くぼみを有し、かつ要
求されるRa0.008〜0.013μｍ程度の表面粗さを有
する磁気デイスク基板を得るための表面処理方法
を提供することを目的とする。
本発明によれば、アルミニウム合金基板に無電
解めつき法によりNi−Cu−Ｐ合金をめつきし、
次いでPH8〜11あるいはPH3〜５に調整された
研摩剤を用いてメカノケミカルポリシユすること
により、Cu含有部分が浸食されることによつて
適度の微小くぼみが形成されて上記の目的が達成
される。
解めつき法によりNi−Cu−Ｐ合金をめつきし、
次いでPH8〜11あるいはPH3〜５に調整された
研摩剤を用いてメカノケミカルポリシユすること
により、Cu含有部分が浸食されることによつて
適度の微小くぼみが形成されて上記の目的が達成
される。
以下、図を引用し、本発明の実施例について比
較例の参照のもとに説明する。 実施施例 １： JIS A5086のAl−Mg合金板を加圧焼鈍、内外
径加工後表面ラツピング加工して外径130mm，内
径40mm，厚さ2.0mmの第１図に符号１で示した５
１／４インチデイスク用基板を得、脱脂、活性化、
ジンケート処理を経て無電解Ni−Cu−P3元合金
めつきを次の条件にて行い、20μｍの厚さのめつ
き層２を形成した。 浴組成…硫酸ニツケル 0.085〜0.095モル／ 硫酸銅 0.005〜0.015モル／ 次亜りん酸ナトリウム 0.2 モル／ マロン酸ナトリウム 0.1 モル／ くえん酸ナトリウム 0.2 モル／ 非イオン系界面活性剤 ３ c.c.／ PH（NaOHで調整） 10 めつき温度 80℃ めつき時間 膜厚に対応 めつき液中の硫酸ニツケルと硫酸銅の比率をかえ
ることにより合金組成は変化するが、Ni30〜78
％，Cu15〜75％，P3〜11％の範囲の中に入るよ
うに適宜調整する。その後、両面研摩盤により平
均粒径1μｍ，PH10のメタライト−01（不二見研
摩剤工業商品名）をスラリーとして５〜10分間の
ポリシユを行い表面厚さ5μｍを除去した。この
ようにして得られた表面は、スラリーがアルカリ
性であるためNi−Cu−Ｐの合金めつき中Cuに富
む部分が選択的に化学エツチングされ微小くぼみ
を生じる。しかし、表面粗さはRa0.009〜0.013μ
ｍの中に維持される。次いで、Ni−Ｐ合金めつ
き層３を0.3〜0.5μｍの厚さで形成後、無電解め
つき法によりCo−Ｐ合金磁性めつき層４を0.07〜
0.08μｍの厚さにさらに保護層としてRFスパツタ
リング法にてSiO2膜５を0.07〜0.08μｍの厚さに
形成し、最後は潤滑剤としてクライトツクス
143AD（デユポン社商品名）0.01％フレオン溶液
をスピンコート法により塗布して表面潤滑層６と
した磁気デイスクを得た。 実施例 ２： 実施例１と同様な方法でAl合金基板１の上に
Ni−Cu−Ｐめつき層２を形成したのち、次の組
成の研摩剤を作成し両面ポリシユを行つた。 Al2O3（D50の粒径1.0〜1.1μｍ） 12.5重量％ 非イオン系界面活性剤 2.5重量％ イオン交換水 残量 研摩剤のPHはNaOHおよびKOHのいずれかを
用いて9.5〜10.5に調整した。この研摩で得られ
た表面粗さは実施例１と同様であつた。 以下、実施例１と同様にNi−Ｐめつき層３，
Co−Ｐ磁性めつき層４，SiO2保護膜５，クライ
トツクスの潤滑膜６を順につけて磁気デイスクを
作成した。 実施例 ３： 実施例１と同様にして、但し両面ポリシユ時の
研摩剤としてポリプラ103（不二見研摩剤工業商品
名、PH3〜3.5）で研摩してエツチピツトにより
微小くぼみを発生させ、かつ所定の表面粗さを得
て磁気デイスクを作つた。 実施例 ４ 実施例１と同様にし、但し研摩剤としては下記
の組成のものを作成して使用し、同様なエツチピ
ツトによるくぼみと適度な表面粗さを得て磁気デ
イスクを作つた。 Al2O3（D50の粒径1.0〜1.1μｍ） ８ 重量％ さく酸セルローズ 0.5重量％ イオン交換水 残量 研摩剤のPHは硫酸で調整して3.0〜3.5とした。 実施例 ５： 実施例１と同様な方法でNi−Cu−Ｐめつきと
メタライト01（不二見研摩剤工業商品名）を用い
てポリシユを行つたのち、第２図に示すように反
応スパツタリングにより0.16〜0.18μｍの厚さ
Fe3O4薄膜７を形成する。なおスパツタリング条
件は次に示すとおりである。 使用ターゲツト 2.5％Co−３％Cu−Fe 全圧力 ２×10-2Torr 酸素・アルゴンガス混合比 １：10 高周波電力 500W 基板回転 20rpm 次に大気中にて300℃で３時間の加熱処理を行い
γ−Fe2O3とする。次に潤滑剤としてクライトツ
クス143AD（デユポン社商品名）0.01％フレオン
溶液をスピンコートして磁気デイスクを作成し
た。 実施例 ６： 実施例５と同様にし、但し両面研摩時の研摩剤
としてポリプラ103（不二見研摩剤工業商品名、
PH3.0〜3.5）で研摩してエツチピツトにより微
小くぼみを発生させ、かつ所定の表面粗さを得て
磁気デイスクを作つた。 比較例 １： 実施例１と同様にNi−Cu−Ｐ合金めつきを行
つた後、両面ポリシユ盤によりWA#8000の水系
懸濁液の上澄液（ロート油２％添加）を用いて表
面粗さRa0.008〜0.01μｍの鏡面加工をした。この
上に無電解めつき法により0.07〜0.08μｍの厚さ
のCo−Ｐ合金磁性めつき層を形成、さらに実施
例１と同様に保護層、潤滑層を被覆した。 比較例 ２： 高純度Al4％Mg合金系の５ 1/4インチデイス
ク用基板にクロム酸アルマイト皮膜を13μｍの厚
さに形成したのち、両面研摩盤によりWA#8000
の水系懸濁液の上澄液によりポリシユを行い、表
面粗さRa0.007〜0.009μｍの鏡面を得た。この表
面に直接法によりγ−Fe2O3磁性膜を0.16〜0.18μ
ｍの厚さで形成した。さらにその上に実施例１あ
るいは比較例１と同様に潤滑剤を塗布した試料を
作成した。 実施例１〜６および比較例１，２で作成した磁
気デイスク試料を用いて次の比較試験を行つた。 (1) Mn−Znフエライト製磁気ヘツドと磁気デイ
スクを常温、常湿下で24時間接触放置させた
後、デイスク吸着力を測定する。 (2) ２万回のCSS（コンタクト・スタート・スト
ツプの略字）試験後のデイスク起動トルクの測
定と、CSS試験中のきずの発生状態を調べる。 比較試験の結果を製造原価の比較と含めて第１
表に示す。
較例の参照のもとに説明する。 実施施例 １： JIS A5086のAl−Mg合金板を加圧焼鈍、内外
径加工後表面ラツピング加工して外径130mm，内
径40mm，厚さ2.0mmの第１図に符号１で示した５
１／４インチデイスク用基板を得、脱脂、活性化、
ジンケート処理を経て無電解Ni−Cu−P3元合金
めつきを次の条件にて行い、20μｍの厚さのめつ
き層２を形成した。 浴組成…硫酸ニツケル 0.085〜0.095モル／ 硫酸銅 0.005〜0.015モル／ 次亜りん酸ナトリウム 0.2 モル／ マロン酸ナトリウム 0.1 モル／ くえん酸ナトリウム 0.2 モル／ 非イオン系界面活性剤 ３ c.c.／ PH（NaOHで調整） 10 めつき温度 80℃ めつき時間 膜厚に対応 めつき液中の硫酸ニツケルと硫酸銅の比率をかえ
ることにより合金組成は変化するが、Ni30〜78
％，Cu15〜75％，P3〜11％の範囲の中に入るよ
うに適宜調整する。その後、両面研摩盤により平
均粒径1μｍ，PH10のメタライト−01（不二見研
摩剤工業商品名）をスラリーとして５〜10分間の
ポリシユを行い表面厚さ5μｍを除去した。この
ようにして得られた表面は、スラリーがアルカリ
性であるためNi−Cu−Ｐの合金めつき中Cuに富
む部分が選択的に化学エツチングされ微小くぼみ
を生じる。しかし、表面粗さはRa0.009〜0.013μ
ｍの中に維持される。次いで、Ni−Ｐ合金めつ
き層３を0.3〜0.5μｍの厚さで形成後、無電解め
つき法によりCo−Ｐ合金磁性めつき層４を0.07〜
0.08μｍの厚さにさらに保護層としてRFスパツタ
リング法にてSiO2膜５を0.07〜0.08μｍの厚さに
形成し、最後は潤滑剤としてクライトツクス
143AD（デユポン社商品名）0.01％フレオン溶液
をスピンコート法により塗布して表面潤滑層６と
した磁気デイスクを得た。 実施例 ２： 実施例１と同様な方法でAl合金基板１の上に
Ni−Cu−Ｐめつき層２を形成したのち、次の組
成の研摩剤を作成し両面ポリシユを行つた。 Al2O3（D50の粒径1.0〜1.1μｍ） 12.5重量％ 非イオン系界面活性剤 2.5重量％ イオン交換水 残量 研摩剤のPHはNaOHおよびKOHのいずれかを
用いて9.5〜10.5に調整した。この研摩で得られ
た表面粗さは実施例１と同様であつた。 以下、実施例１と同様にNi−Ｐめつき層３，
Co−Ｐ磁性めつき層４，SiO2保護膜５，クライ
トツクスの潤滑膜６を順につけて磁気デイスクを
作成した。 実施例 ３： 実施例１と同様にして、但し両面ポリシユ時の
研摩剤としてポリプラ103（不二見研摩剤工業商品
名、PH3〜3.5）で研摩してエツチピツトにより
微小くぼみを発生させ、かつ所定の表面粗さを得
て磁気デイスクを作つた。 実施例 ４ 実施例１と同様にし、但し研摩剤としては下記
の組成のものを作成して使用し、同様なエツチピ
ツトによるくぼみと適度な表面粗さを得て磁気デ
イスクを作つた。 Al2O3（D50の粒径1.0〜1.1μｍ） ８ 重量％ さく酸セルローズ 0.5重量％ イオン交換水 残量 研摩剤のPHは硫酸で調整して3.0〜3.5とした。 実施例 ５： 実施例１と同様な方法でNi−Cu−Ｐめつきと
メタライト01（不二見研摩剤工業商品名）を用い
てポリシユを行つたのち、第２図に示すように反
応スパツタリングにより0.16〜0.18μｍの厚さ
Fe3O4薄膜７を形成する。なおスパツタリング条
件は次に示すとおりである。 使用ターゲツト 2.5％Co−３％Cu−Fe 全圧力 ２×10-2Torr 酸素・アルゴンガス混合比 １：10 高周波電力 500W 基板回転 20rpm 次に大気中にて300℃で３時間の加熱処理を行い
γ−Fe2O3とする。次に潤滑剤としてクライトツ
クス143AD（デユポン社商品名）0.01％フレオン
溶液をスピンコートして磁気デイスクを作成し
た。 実施例 ６： 実施例５と同様にし、但し両面研摩時の研摩剤
としてポリプラ103（不二見研摩剤工業商品名、
PH3.0〜3.5）で研摩してエツチピツトにより微
小くぼみを発生させ、かつ所定の表面粗さを得て
磁気デイスクを作つた。 比較例 １： 実施例１と同様にNi−Cu−Ｐ合金めつきを行
つた後、両面ポリシユ盤によりWA#8000の水系
懸濁液の上澄液（ロート油２％添加）を用いて表
面粗さRa0.008〜0.01μｍの鏡面加工をした。この
上に無電解めつき法により0.07〜0.08μｍの厚さ
のCo−Ｐ合金磁性めつき層を形成、さらに実施
例１と同様に保護層、潤滑層を被覆した。 比較例 ２： 高純度Al4％Mg合金系の５ 1/4インチデイス
ク用基板にクロム酸アルマイト皮膜を13μｍの厚
さに形成したのち、両面研摩盤によりWA#8000
の水系懸濁液の上澄液によりポリシユを行い、表
面粗さRa0.007〜0.009μｍの鏡面を得た。この表
面に直接法によりγ−Fe2O3磁性膜を0.16〜0.18μ
ｍの厚さで形成した。さらにその上に実施例１あ
るいは比較例１と同様に潤滑剤を塗布した試料を
作成した。 実施例１〜６および比較例１，２で作成した磁
気デイスク試料を用いて次の比較試験を行つた。 (1) Mn−Znフエライト製磁気ヘツドと磁気デイ
スクを常温、常湿下で24時間接触放置させた
後、デイスク吸着力を測定する。 (2) ２万回のCSS（コンタクト・スタート・スト
ツプの略字）試験後のデイスク起動トルクの測
定と、CSS試験中のきずの発生状態を調べる。 比較試験の結果を製造原価の比較と含めて第１
表に示す。
【表】
上表からわかるように本発明による基板を用いた
磁気デイスクは、潤滑特性に優れ、基板原価が大
幅に低減されている。
磁気デイスクは、潤滑特性に優れ、基板原価が大
幅に低減されている。
本発明は、でき上がつた磁気デイスクと磁気ヘ
ツドの間の吸着力低減のために、非磁性基板の下
地めつき層面に所望の表面粗さを形成するための
研摩をするときに、アルカリ性または酸性の研摩
剤を用いてメカノケミカルポリシユを行うことに
より、液体潤滑剤保持のための微小くぼみを有す
る磁気デイスク用基板を得るものである。これに
よりこの基板を用いて製作される磁気デイスク表
面の潤滑特性が良好に維持され、信頼性も向上す
る。 また、本発明により表面処理される基板は次の
理由で製造原価が大幅に低減できる。 (1) 潤滑保持のための粗面化工程を必要とせず、
ポリシユ時に同時にその効果が得られる。 (2) 従来のγ−Fe2O3スパツタ型デイスク用Al合
金のようなアルマイト処理に適した超高純度材
料の使用を必要とせず、めつき法の特徴である
一括同時処理の利点が活かせる。 さらに本発明によれば、γ−Fe2O3スパツタ型
デイスクに見られる特別の中間層の挿入も不要に
なり、ヘツドと磁性層間の距離を縮小できるので
結果的に記録密度が向上する。 なお、本発明により表面処理された基板はCo
系スパツタ型デイスクに用いても同様の効果が期
待できることは明白である。
ツドの間の吸着力低減のために、非磁性基板の下
地めつき層面に所望の表面粗さを形成するための
研摩をするときに、アルカリ性または酸性の研摩
剤を用いてメカノケミカルポリシユを行うことに
より、液体潤滑剤保持のための微小くぼみを有す
る磁気デイスク用基板を得るものである。これに
よりこの基板を用いて製作される磁気デイスク表
面の潤滑特性が良好に維持され、信頼性も向上す
る。 また、本発明により表面処理される基板は次の
理由で製造原価が大幅に低減できる。 (1) 潤滑保持のための粗面化工程を必要とせず、
ポリシユ時に同時にその効果が得られる。 (2) 従来のγ−Fe2O3スパツタ型デイスク用Al合
金のようなアルマイト処理に適した超高純度材
料の使用を必要とせず、めつき法の特徴である
一括同時処理の利点が活かせる。 さらに本発明によれば、γ−Fe2O3スパツタ型
デイスクに見られる特別の中間層の挿入も不要に
なり、ヘツドと磁性層間の距離を縮小できるので
結果的に記録密度が向上する。 なお、本発明により表面処理された基板はCo
系スパツタ型デイスクに用いても同様の効果が期
待できることは明白である。
第１図は本発明による基板を使用した磁気デイ
スクの一例の断面図、第２図は別の例の断面図で
ある。 １……アルミニウム合金基板、２……Ni−Cu
−Ｐめつき層、３……Ni−Ｐめつき層、４……
磁性めつき層、５……保護層、６……潤滑層、７
……磁性スパツタ層。
スクの一例の断面図、第２図は別の例の断面図で
ある。 １……アルミニウム合金基板、２……Ni−Cu
−Ｐめつき層、３……Ni−Ｐめつき層、４……
磁性めつき層、５……保護層、６……潤滑層、７
……磁性スパツタ層。
Claims (1)
- １ アルミニウム合金基板に無電解めつき法によ
りNi−Cu−Ｐ合金をめつきしたのち、PH8〜11
あるいはPH3〜５に調整した研摩剤を用いてメ
カノケミカルポリシユすることを特徴とする磁気
デイスク基板の表面処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10859285A JPS61267931A (ja) | 1985-05-21 | 1985-05-21 | 磁気デイスク基板の表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10859285A JPS61267931A (ja) | 1985-05-21 | 1985-05-21 | 磁気デイスク基板の表面処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61267931A JPS61267931A (ja) | 1986-11-27 |
| JPH0451885B2 true JPH0451885B2 (ja) | 1992-08-20 |
Family
ID=14488714
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10859285A Granted JPS61267931A (ja) | 1985-05-21 | 1985-05-21 | 磁気デイスク基板の表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61267931A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63313322A (ja) * | 1987-06-17 | 1988-12-21 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JP3963661B2 (ja) * | 2001-05-10 | 2007-08-22 | 株式会社荏原製作所 | 無電解めっき方法及び装置 |
| JP6134341B2 (ja) * | 2014-03-28 | 2017-05-24 | 株式会社神戸製鋼所 | Ｎｉメッキ処理に用いられる下地層被覆基板、Ｎｉメッキ層含有積層体および磁気記録媒体 |
| RU2592601C1 (ru) * | 2015-07-16 | 2016-07-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский химико-технологический университет имени Д.И. Менделеева" (РХТУ им. Д.И. Менделеева) | Способ химического нанесения покрытий из сплава никель-медь-фосфор |
-
1985
- 1985-05-21 JP JP10859285A patent/JPS61267931A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61267931A (ja) | 1986-11-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3018762B2 (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| US5091225A (en) | Magnetic disc member and process for manufacturing the same | |
| US5441788A (en) | Method of preparing recording media for a disk drive and disk drive recording media | |
| US5250339A (en) | Magnetic recording medium | |
| TW200534246A (en) | Substrate for a perpendicular magnetic recording medium and a perpendicular magnetic recording medium using the substrate | |
| JP4023408B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体用基板、垂直磁気記録媒体及びそれらの製造方法 | |
| JP2840966B2 (ja) | 磁気記録媒体および磁気記録再生方法 | |
| JPH0451885B2 (ja) | ||
| JPH0253222A (ja) | 磁気記録体 | |
| JPS613317A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS6038720A (ja) | 磁気ディスク用基板 | |
| JPH04259908A (ja) | 磁気ディスク基板 | |
| JPS59142735A (ja) | 磁気記録体 | |
| JPS61208620A (ja) | 磁気デイスク | |
| JP2581225B2 (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JP2834391B2 (ja) | 磁気記録媒体用基板の製造方法と、前記基板を用いた磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH0315254B2 (ja) | ||
| JPS62134826A (ja) | 磁気記憶体の製造方法 | |
| JP2764829B2 (ja) | 磁気デイスク | |
| JPH05282668A (ja) | 垂直磁気記録用サブストレート、磁気ディスク及びその製造方法 | |
| JPH0291813A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS60219638A (ja) | 磁気デイスクの製造方法 | |
| JPS5857625A (ja) | 磁気記録体 | |
| JPH0428012A (ja) | 磁気ディスク及びその製造方法並びに磁気ディスク装置 | |
| JPS6035332A (ja) | 磁気記憶体 |