JP2764829B2 - 磁気デイスク - Google Patents
磁気デイスクInfo
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- JP2764829B2 JP2764829B2 JP23052289A JP23052289A JP2764829B2 JP 2764829 B2 JP2764829 B2 JP 2764829B2 JP 23052289 A JP23052289 A JP 23052289A JP 23052289 A JP23052289 A JP 23052289A JP 2764829 B2 JP2764829 B2 JP 2764829B2
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- disk
- magnetic disk
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、磁気デイスク装置等に用いられる磁気記録
媒体に係り、得に、高記録密度に好適な磁気特性を持つ
と共に耐摺動信頼性に優れた薄膜磁気デイスクに関す
る。
媒体に係り、得に、高記録密度に好適な磁気特性を持つ
と共に耐摺動信頼性に優れた薄膜磁気デイスクに関す
る。
［従来技術］ 従来から、高記録密度用の磁気記録媒体として、スパ
ツタリング法、メツキ法で金属薄膜を形成した、いわゆ
る薄膜磁気デイスクが知られている。
ツタリング法、メツキ法で金属薄膜を形成した、いわゆ
る薄膜磁気デイスクが知られている。
これらの磁気デイスクは、実開昭62−45716号公報に
記載のように、基板あるいは基板面上に設けられた下地
膜表面に、円周方向に同心円状の面粗し加工、いわゆる
テクスチヤ加工が施されている。このテクスチヤ加工の
目的は、第１に磁性膜に円周方向への磁気異方性を付与
して、磁気特性の均一化を図り、記録再生時の出力波形
の変動を抑えることである。一般に、薄膜磁気デイスク
の製造技術では、Ni−Ｐメツキ等を施したデイスク基板
を水平にした状態で、Cr中間膜、磁性膜（磁気記録
膜）、カーボン保護膜等の各スパツタ装置を次々に通過
するように一定の水平方向に移動させて行くが、この移
動方向に磁性膜が配向されてこの一定方向に磁気異方性
を持つ磁気デイスクができてしまう。このような磁気デ
イスクで、その一回転中に記録再生方向（円周方向）と
磁性膜配向方向が平行する状態から直交する状態まで変
化するので、記録再生レベルに変動（モジユレーシヨ
ン）が発生する。そこで、上記のようなテクスチヤ加工
をデイスク基板あるいは基板面上に下地膜面に円周方向
に施すことにより、その上方に形成される磁性膜も円周
方向に配向して、上記モジユレーシヨンを除くことがで
きる。また、テクスチヤ加工の第２の目的は、装置停止
時のヘツドとデイスクの吸着現象を軽減することであ
る。このような吸着現象は、デイスク表面が平坦過ぎて
ヘツドとの間に全くすき間がない場合や、結露、潤滑油
などが影響する場合がある。この吸着現象を防止するに
は、テクスチヤ加工によりヘツドとデイスク間にある程
度のすき間を持たせることが必要である。上記のテクス
チヤ加工が施された基板あるいは下地膜上にCo系合金等
の磁性膜、さらにカーボン、SiO2等の非磁性保護膜をス
パツタあるいはメツキして磁気デイスクが形成される。
また磁気特性を改善する為に磁性膜の下にクロム等の中
間膜を形成する場合もある。また最近では耐摺動信頼性
を改善する為に、保護膜表面に液体潤滑剤を塗布する場
合が増えてきている。
記載のように、基板あるいは基板面上に設けられた下地
膜表面に、円周方向に同心円状の面粗し加工、いわゆる
テクスチヤ加工が施されている。このテクスチヤ加工の
目的は、第１に磁性膜に円周方向への磁気異方性を付与
して、磁気特性の均一化を図り、記録再生時の出力波形
の変動を抑えることである。一般に、薄膜磁気デイスク
の製造技術では、Ni−Ｐメツキ等を施したデイスク基板
を水平にした状態で、Cr中間膜、磁性膜（磁気記録
膜）、カーボン保護膜等の各スパツタ装置を次々に通過
するように一定の水平方向に移動させて行くが、この移
動方向に磁性膜が配向されてこの一定方向に磁気異方性
を持つ磁気デイスクができてしまう。このような磁気デ
イスクで、その一回転中に記録再生方向（円周方向）と
磁性膜配向方向が平行する状態から直交する状態まで変
化するので、記録再生レベルに変動（モジユレーシヨ
ン）が発生する。そこで、上記のようなテクスチヤ加工
をデイスク基板あるいは基板面上に下地膜面に円周方向
に施すことにより、その上方に形成される磁性膜も円周
方向に配向して、上記モジユレーシヨンを除くことがで
きる。また、テクスチヤ加工の第２の目的は、装置停止
時のヘツドとデイスクの吸着現象を軽減することであ
る。このような吸着現象は、デイスク表面が平坦過ぎて
ヘツドとの間に全くすき間がない場合や、結露、潤滑油
などが影響する場合がある。この吸着現象を防止するに
は、テクスチヤ加工によりヘツドとデイスク間にある程
度のすき間を持たせることが必要である。上記のテクス
チヤ加工が施された基板あるいは下地膜上にCo系合金等
の磁性膜、さらにカーボン、SiO2等の非磁性保護膜をス
パツタあるいはメツキして磁気デイスクが形成される。
また磁気特性を改善する為に磁性膜の下にクロム等の中
間膜を形成する場合もある。また最近では耐摺動信頼性
を改善する為に、保護膜表面に液体潤滑剤を塗布する場
合が増えてきている。
［発明が解決しようとする課題］ 上記従来技術において、前述の円周方向へ磁気異方性
を付与するため、並びに、ヘツド・デイスクの吸着を軽
減するためには、テクスチヤ粗さは粗いほど、効果があ
るが、前述の積層される各種薄膜の厚さはナノメータオ
ーダであるために、（デイスク内部の）テクスチヤ面の
微細な凹凸の形状は磁気デイスク最表面（保護膜表面）
にも、ほぼ正確に再現される。磁気デイスク装置の高密
度化に伴ない、ヘツドの低浮上化が必須となつてくる
が、表面粗さが粗いとデイスク表面の凹凸にヘツドが衝
突して、ヘツドの安定浮上性及び信頼性の面で問題とな
つてくる。また、コンタクト・スタート・ストツプ（以
下CSSと略す）時にはヘツドとデイスクが連続的に摺動
するが、表面粗さが粗いと、デイスク表面のヘツドとの
接触部分の面圧が上り、表面の摩耗、潤滑膜の破断が起
り、CSS回数を重ねるに従い、ヘツド・デイスクの摩擦
係数の増加、ひいては、ヘツドクラツシユ等が生じ、信
頼性上重大な問題となる場合がある。
を付与するため、並びに、ヘツド・デイスクの吸着を軽
減するためには、テクスチヤ粗さは粗いほど、効果があ
るが、前述の積層される各種薄膜の厚さはナノメータオ
ーダであるために、（デイスク内部の）テクスチヤ面の
微細な凹凸の形状は磁気デイスク最表面（保護膜表面）
にも、ほぼ正確に再現される。磁気デイスク装置の高密
度化に伴ない、ヘツドの低浮上化が必須となつてくる
が、表面粗さが粗いとデイスク表面の凹凸にヘツドが衝
突して、ヘツドの安定浮上性及び信頼性の面で問題とな
つてくる。また、コンタクト・スタート・ストツプ（以
下CSSと略す）時にはヘツドとデイスクが連続的に摺動
するが、表面粗さが粗いと、デイスク表面のヘツドとの
接触部分の面圧が上り、表面の摩耗、潤滑膜の破断が起
り、CSS回数を重ねるに従い、ヘツド・デイスクの摩擦
係数の増加、ひいては、ヘツドクラツシユ等が生じ、信
頼性上重大な問題となる場合がある。
このように、従来技術では、円周方向への磁気異方性
付与および吸着現像防止のためには、テクスチヤ粗さが
粗いほどよいが、他方、表面の摩耗、潤滑膜の破断、摩
擦係数の増加、ヘツドクラツシユを防止するためには、
テクスチヤ粗さが小さいほどよい。本発明は、これらの
相反する問題を一挙に解決するものである。
付与および吸着現像防止のためには、テクスチヤ粗さが
粗いほどよいが、他方、表面の摩耗、潤滑膜の破断、摩
擦係数の増加、ヘツドクラツシユを防止するためには、
テクスチヤ粗さが小さいほどよい。本発明は、これらの
相反する問題を一挙に解決するものである。
従つて、本発明の目的は、磁気特性が優れ磁気ヘツド
の吸着現象が軽減されると共に、磁気ヘツドの低浮上安
定性がよく耐摩耗性が良好で摩擦係数の増加のない、信
頼性に優れた磁気デイスクを提供することにある。
の吸着現象が軽減されると共に、磁気ヘツドの低浮上安
定性がよく耐摩耗性が良好で摩擦係数の増加のない、信
頼性に優れた磁気デイスクを提供することにある。
［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成するため、本発明は、基板面上に、ま
たは前記基板面上に設けた下地膜面上に面粗し加工痕
（テクスチヤ加工）を施し、前記基板または下地膜上に
磁気記録膜（磁性膜）を形成した磁気デイスクにおい
て、前記磁気デイスクの表面形状（表面粗さ）が前記基
板または前記下地膜の表面形状（表面粗さ）と異なるよ
うに構成したことを特徴とする。
たは前記基板面上に設けた下地膜面上に面粗し加工痕
（テクスチヤ加工）を施し、前記基板または下地膜上に
磁気記録膜（磁性膜）を形成した磁気デイスクにおい
て、前記磁気デイスクの表面形状（表面粗さ）が前記基
板または前記下地膜の表面形状（表面粗さ）と異なるよ
うに構成したことを特徴とする。
具体的には、磁気デイスクの表面粗さの最大高さ（R
p）が基板または下地膜の表面粗さの最大高さ（Rp）よ
りも小さくなるように構成する。
p）が基板または下地膜の表面粗さの最大高さ（Rp）よ
りも小さくなるように構成する。
この構成の磁気デイスクは、基板面上または下地膜上
に施された面粗し加工の粗さの程度は磁気異方性を付与
するのに十分な大きさとされ、このテクスチヤ加工を行
なつた面上に磁性膜その他各種の膜を形成した後、磁気
デイスクの最表面（保護膜表面）を、一定の粗さまで
（基板面または下地面よりも粗さが小さくなるように）
研摩することにより、得られる。
に施された面粗し加工の粗さの程度は磁気異方性を付与
するのに十分な大きさとされ、このテクスチヤ加工を行
なつた面上に磁性膜その他各種の膜を形成した後、磁気
デイスクの最表面（保護膜表面）を、一定の粗さまで
（基板面または下地面よりも粗さが小さくなるように）
研摩することにより、得られる。
［作用］ 上記構成に基づく作用を説明する。
上記のように、磁気特性を良好にするためのテクスチ
ヤ粗さ条件と、吸着性、並びにヘツドクラツシユや表面
摩耗等の特性を勘案して最適な特性を得るための磁気デ
イスクの最表面の粗さ条件とは異なつており、前者の粗
さ条件よりも後者の粗さ条件の方が通常は小さい。
ヤ粗さ条件と、吸着性、並びにヘツドクラツシユや表面
摩耗等の特性を勘案して最適な特性を得るための磁気デ
イスクの最表面の粗さ条件とは異なつており、前者の粗
さ条件よりも後者の粗さ条件の方が通常は小さい。
本発明によれば、磁気デイスクの基板面上または下地
膜面上に施されたテクスチヤ加工の粗さに比べて、磁気
デイスクの最表面（保護膜面）の粗さを小さくしたの
で、基板面上または下地膜面上のテクスチヤ加工の粗さ
は磁気異方性を得るのに十分な値とされ、良好な磁気記
録再生特性が得られると共に、磁気デイスクの最表面の
粗さは、基板面または下地膜面の粗さとは無関係に、磁
気ヘツドの吸着を防止しかつ表面の摩耗、潤滑膜の破
断、ヘツドクラツシユ、摩耗係数の増加を防止するのに
最適な値とされる。
膜面上に施されたテクスチヤ加工の粗さに比べて、磁気
デイスクの最表面（保護膜面）の粗さを小さくしたの
で、基板面上または下地膜面上のテクスチヤ加工の粗さ
は磁気異方性を得るのに十分な値とされ、良好な磁気記
録再生特性が得られると共に、磁気デイスクの最表面の
粗さは、基板面または下地膜面の粗さとは無関係に、磁
気ヘツドの吸着を防止しかつ表面の摩耗、潤滑膜の破
断、ヘツドクラツシユ、摩耗係数の増加を防止するのに
最適な値とされる。
なお、従来技術では、テクスチヤ加工の粗さがそのま
ま磁気デイスク最表面の粗さとして決つてしまうので、
本発明のように最表面の粗さを小さくするには、磁気デ
イスク最表面を再度研摩すればよい。これにより、磁気
異方性は変化させずに、デイスク最表面の突起を低減で
きるので、ヘツド浮上安定性が良く、しかもCSS時のヘ
ツドとデイスクの接触点の面圧を下げることができ、し
たがつて、耐摩耗性の良い信頼性の高いデイスクを得る
ことができる。
ま磁気デイスク最表面の粗さとして決つてしまうので、
本発明のように最表面の粗さを小さくするには、磁気デ
イスク最表面を再度研摩すればよい。これにより、磁気
異方性は変化させずに、デイスク最表面の突起を低減で
きるので、ヘツド浮上安定性が良く、しかもCSS時のヘ
ツドとデイスクの接触点の面圧を下げることができ、し
たがつて、耐摩耗性の良い信頼性の高いデイスクを得る
ことができる。
［実施例］ 以下に、本発明の実施例を図面により説明する。
第１図は、本発明の一実施例の磁気デイスクの断面構
成図である。本実施例はスパツタ、メツキ等で磁性膜を
形成するいわゆる薄膜磁気デイスクに関する。
成図である。本実施例はスパツタ、メツキ等で磁性膜を
形成するいわゆる薄膜磁気デイスクに関する。
外径130mm、内径40mm、厚さ1.9mmのアルミニウム合金
基板１上に、無電解めつき方でNi−Ｐめつき２を15μｍ
程度の厚みに施した後、ポリツシングによりRa（平均粗
さ）2nm程度の表面粗さに仕上げる。しかる後、この基
板を500rpmで回転させクロステープに砥粒を供給しなが
ら一定圧力で基板に押し突けテクスチヤ加工を行なう。
この時、砥粒径、基板回転数、押付圧力、および、加工
時間等を変えることにより、種々の粗さの表面を得るこ
とができる。
基板１上に、無電解めつき方でNi−Ｐめつき２を15μｍ
程度の厚みに施した後、ポリツシングによりRa（平均粗
さ）2nm程度の表面粗さに仕上げる。しかる後、この基
板を500rpmで回転させクロステープに砥粒を供給しなが
ら一定圧力で基板に押し突けテクスチヤ加工を行なう。
この時、砥粒径、基板回転数、押付圧力、および、加工
時間等を変えることにより、種々の粗さの表面を得るこ
とができる。
これら種々の基板上にそれぞれDCスパツタリング法に
より、基板温度150℃、アルゴン圧力10mTorr、DC投入電
力5W/cm2でCr中間膜３を200nmの厚さに形成した。さら
に同条件でCo0.7Ni0.3の合金ターゲツトを用いて厚さ40
nmの磁性膜４を形成し、その上に同条件でカーボン保護
膜５（厚さ50nm）を形成した。この段階では、カーボン
保護膜の表面粗さは、下地膜Ni−Ｐ膜２のテクスチヤ表
面粗さをほぼ正確に再現している。次に上記カーボン保
護膜まで成膜した磁気ディスクを500rpmで回転させなが
ら、ポリエチレンベースフイルム上に平均粒径３μｍの
ホワイトアルミナの砥粒を結着させた研磨テープを一定
圧力で基板に押し付け、カーボン保護膜表面の加工を行
つた。ここで、基板の回転数、研磨テープの粒径等、研
磨条件を変えることにより、下地Ni−Ｐ膜の表面粗さと
は異なつた種々の表面形状を得ることができる。最後に
デイツプ法で適量の潤滑剤６を塗布して、第１図に示す
ような断面構造を持つ磁気デイスクを得た。第１図の
（ａ）は、保護膜表面の研磨量を増して、テクスチヤ粗
さの凹凸の影響を全部除去できるで加工して表面粗さを
小さくしたものであり、同図（ｂ）は、テクスチヤ粗さ
に従つて凹凸を有している保護膜表面の凸部のみを研磨
して凹部は残したものである。つまりテクスチヤ粗さに
比べ表面粗さが、Rp（最大高さ）のみ小さくなつた表面
構造を有している。
より、基板温度150℃、アルゴン圧力10mTorr、DC投入電
力5W/cm2でCr中間膜３を200nmの厚さに形成した。さら
に同条件でCo0.7Ni0.3の合金ターゲツトを用いて厚さ40
nmの磁性膜４を形成し、その上に同条件でカーボン保護
膜５（厚さ50nm）を形成した。この段階では、カーボン
保護膜の表面粗さは、下地膜Ni−Ｐ膜２のテクスチヤ表
面粗さをほぼ正確に再現している。次に上記カーボン保
護膜まで成膜した磁気ディスクを500rpmで回転させなが
ら、ポリエチレンベースフイルム上に平均粒径３μｍの
ホワイトアルミナの砥粒を結着させた研磨テープを一定
圧力で基板に押し付け、カーボン保護膜表面の加工を行
つた。ここで、基板の回転数、研磨テープの粒径等、研
磨条件を変えることにより、下地Ni−Ｐ膜の表面粗さと
は異なつた種々の表面形状を得ることができる。最後に
デイツプ法で適量の潤滑剤６を塗布して、第１図に示す
ような断面構造を持つ磁気デイスクを得た。第１図の
（ａ）は、保護膜表面の研磨量を増して、テクスチヤ粗
さの凹凸の影響を全部除去できるで加工して表面粗さを
小さくしたものであり、同図（ｂ）は、テクスチヤ粗さ
に従つて凹凸を有している保護膜表面の凸部のみを研磨
して凹部は残したものである。つまりテクスチヤ粗さに
比べ表面粗さが、Rp（最大高さ）のみ小さくなつた表面
構造を有している。
ここで、表面粗さの最大高さRpとは、第５図に示すよ
うに、基準長さ内に存在する最高山頂の中心線から上の
部分の高さをいう。通常、Rp＝Ra×2.5程度である。
うに、基準長さ内に存在する最高山頂の中心線から上の
部分の高さをいう。通常、Rp＝Ra×2.5程度である。
以上の実施例にて作成したデイスクの評価結果を以下
に示す。第２図に凹部の出力波形の変動量（モジユレー
シヨン、前記デイスクの１回転中に起きる再生出力レベ
ル変動）とテクスチヤ粗さの関係を示す。モジユレーシ
ヨンは磁気異方性に大きく影響され、磁気異方性が良い
と高い値（変動が少ない）となる。第２図で明らかなよ
うに、テクスチャ粗さを大きくした方が、モジュレーシ
ョンは良くなっている。次にディスク表面粗さと、CSS
後の磁気ヘッドと磁気ディスクの摩擦係数の関係を示す
図である。第３図は、上記実施例のCSS前後におけるデ
ィスク表面粗さと摩擦係数の関係を示す図である。同図
で、１はCSS前、２はCSSを1000回行った後の特性であ
る。CSS前の摩擦係数１に粗さの影響は見られないが、C
SS1000回後の摩擦係数２は粗さが粗いほど摩擦係数が増
加していることがわかる。
に示す。第２図に凹部の出力波形の変動量（モジユレー
シヨン、前記デイスクの１回転中に起きる再生出力レベ
ル変動）とテクスチヤ粗さの関係を示す。モジユレーシ
ヨンは磁気異方性に大きく影響され、磁気異方性が良い
と高い値（変動が少ない）となる。第２図で明らかなよ
うに、テクスチャ粗さを大きくした方が、モジュレーシ
ョンは良くなっている。次にディスク表面粗さと、CSS
後の磁気ヘッドと磁気ディスクの摩擦係数の関係を示す
図である。第３図は、上記実施例のCSS前後におけるデ
ィスク表面粗さと摩擦係数の関係を示す図である。同図
で、１はCSS前、２はCSSを1000回行った後の特性であ
る。CSS前の摩擦係数１に粗さの影響は見られないが、C
SS1000回後の摩擦係数２は粗さが粗いほど摩擦係数が増
加していることがわかる。
次に、第４図に、潤滑剤膜厚とヘツド・デイスクの吸
着力の関係を示す。第４図で、Ｉは第１図（ａ）の実施
例、IIは第１図（ｂ）の実施例の特性である。第４図に
示すように、ヘツドとデイスクの吸着に対しては、第１
図の（ａ）のような均一な表面粗さを有するデイスクよ
り同図（ｂ）のようなテクスチヤ粗さの凹部を有したま
まの、つまりRpのみ小さくした構造の方が吸着力が小さ
いデイスクを得ることができる。
着力の関係を示す。第４図で、Ｉは第１図（ａ）の実施
例、IIは第１図（ｂ）の実施例の特性である。第４図に
示すように、ヘツドとデイスクの吸着に対しては、第１
図の（ａ）のような均一な表面粗さを有するデイスクよ
り同図（ｂ）のようなテクスチヤ粗さの凹部を有したま
まの、つまりRpのみ小さくした構造の方が吸着力が小さ
いデイスクを得ることができる。
［発明の効果］ 以上詳しく説明したように、本発明によれば、磁気デ
イスクの基板面または下地板面上に施したテクスチヤ加
工の表面粗さに比べて、磁気デイスクの最表面の表面粗
さが小さくなるように構成したので、比較的粗さのテク
スチヤ加工により磁気異方性を良好にして記録再生出力
のレベル変動を少なくすると共に、ヘツド浮上性を良く
して耐摩耗性に優れ摩擦の少ないしかも吸着性の小さい
信頼性に優れた磁気デイスクが得られるという効果を奏
する。
イスクの基板面または下地板面上に施したテクスチヤ加
工の表面粗さに比べて、磁気デイスクの最表面の表面粗
さが小さくなるように構成したので、比較的粗さのテク
スチヤ加工により磁気異方性を良好にして記録再生出力
のレベル変動を少なくすると共に、ヘツド浮上性を良く
して耐摩耗性に優れ摩擦の少ないしかも吸着性の小さい
信頼性に優れた磁気デイスクが得られるという効果を奏
する。
第１図は本発明の一実施例の磁気デイスクの断面図、第
２図は本発明の一実施例のテクスチヤ粗さとモジユレー
シヨンとの関係図、第３図は本発明の実施例のCSS前後
のデイスク表面粗さと摩擦係数との関係図、第４図は第
１図の実施例による潤滑剤量と吸着力との関係図、第５
図は表面粗さの説明図である。 １……アルミニウム合金（基板）、２……Ni−Ｐ基板
（下地膜）、３……Cr中間膜、４……磁性膜（磁気記録
膜）、５……カーボン保護膜、６……潤滑膜。
２図は本発明の一実施例のテクスチヤ粗さとモジユレー
シヨンとの関係図、第３図は本発明の実施例のCSS前後
のデイスク表面粗さと摩擦係数との関係図、第４図は第
１図の実施例による潤滑剤量と吸着力との関係図、第５
図は表面粗さの説明図である。 １……アルミニウム合金（基板）、２……Ni−Ｐ基板
（下地膜）、３……Cr中間膜、４……磁性膜（磁気記録
膜）、５……カーボン保護膜、６……潤滑膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−192014（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−214020（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 5/66 G11B 5/82 G11B 5/84
Claims (2)
- 【請求項１】基板面上に、または前記基板面上に設けた
下地膜面上に、面粗し加工痕を施し、前記基板または下
地膜上に磁気記録膜、保護膜を形成した磁気ディスクに
おいて、 磁気ディスクの表面粗さの最大高さが前記基板または前
記下地膜の表面粗さの最大高さよりも小さくなるように
構成したしたことを特徴とする磁気ディスク。 - 【請求項２】基板面上に、または前記基板面上に設けた
下地膜面上に、面粗し加工痕を施し、前記基板または下
地膜上に磁気記録膜、保護膜を形成した磁気ディスクに
おいて、 前記磁気ディスク表面の凸部のみ研磨し凹部を残した形
状とすることを特徴とする磁気ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23052289A JP2764829B2 (ja) | 1989-09-07 | 1989-09-07 | 磁気デイスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23052289A JP2764829B2 (ja) | 1989-09-07 | 1989-09-07 | 磁気デイスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0395724A JPH0395724A (ja) | 1991-04-22 |
| JP2764829B2 true JP2764829B2 (ja) | 1998-06-11 |
Family
ID=16909065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23052289A Expired - Lifetime JP2764829B2 (ja) | 1989-09-07 | 1989-09-07 | 磁気デイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2764829B2 (ja) |
-
1989
- 1989-09-07 JP JP23052289A patent/JP2764829B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0395724A (ja) | 1991-04-22 |
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Legal Events
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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